JP4714591B2 - パターン面積値算出方法、近接効果補正方法及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
パターン面積値算出方法、近接効果補正方法及び荷電粒子ビーム描画方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4714591B2 JP4714591B2 JP2006014881A JP2006014881A JP4714591B2 JP 4714591 B2 JP4714591 B2 JP 4714591B2 JP 2006014881 A JP2006014881 A JP 2006014881A JP 2006014881 A JP2006014881 A JP 2006014881A JP 4714591 B2 JP4714591 B2 JP 4714591B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- area value
- area
- mesh
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 title claims description 71
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims description 45
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 49
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 34
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 43
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 12
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
可変成形型電子線描画装置(EB(Electron beam)描画装置)における第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
しかしながら、メッシュ内に含まれる面積値は、かかるメッシュの中心に集まるようにみなして後方散乱エネルギー分布を見積もるため、実際のパターンの配置位置とはズレが生じてしまう。その結果、かかる後方散乱エネルギー分布にも誤差が生じてしまう。そして、かかる誤差が生じている後方散乱エネルギー分布をパターンの照射量を計算する際に利用することからかかる誤差分が影響して、計算されるビーム照射量にも誤差が生じてしまうといった問題があった。
LSIの集積度の増加により、高精度な近接効果補正が求められる中、かかる面積位置の不確定による誤差が、図形パターン近傍での補正精度を低下される要因となる。
荷電粒子ビームを用いて描画される描画パターンを所定の寸法の第1の升目に仮想分割して、各第1の升目の中心位置に定義される各第1の升目内のパターンの面積値を荷電粒子ビーム描画の近接効果補正用に算出する面積値算出方法であって、
描画パターンを第1の升目から所定の寸法の半分位置をずらした上述した所定の寸法の第2の升目に仮想分割する仮想分割工程と、
各第2の升目内のパターンの面積値を各第2の升目内のパターンの重心位置が変わらないように各第2の升目の複数の頂点に分配する面積値分配工程と、
を備えたことを特徴とする。
パターンの面積値を演算する面積値演算工程と、
パターンの重心位置を演算する重心位置演算工程と、
パターンの面積値とパターンの重心位置とに基づいて、パターンの重心モーメントを演算する重心モーメント演算工程と、
を備え、
面積値分配工程において、パターンの面積値とパターンの重心モーメントとを用いて、パターンの面積値を各第2の升目の複数の頂点に分配することを特徴とする。
荷電粒子ビームを用いて描画される描画パターンを所定の寸法の升目に仮想分割して、各升目の中心位置に定義される各升目内のパターンの面積値を用いて近接効果が補正された荷電粒子ビーム照射量を演算する近接効果補正方法であって、
各升目内のパターンの面積値の一部をかかる各升目内のパターンの重心位置が一致するように別の複数の升目の中心位置でも定義されるように分配することを特徴とする。
荷電粒子ビームを用いて描画される描画パターンを所定の寸法の升目に仮想分割する仮想分割工程と、
各升目内のパターンの面積値を各升目内のパターンの重心位置が一致するように各升目の中心位置と他の升目の中心位置とで定義されるように分配する面積値分配工程と、
面積値が分配された後に、各升目の中心位置で定義された面積値を用いて近接効果が補正された荷電粒子ビーム照射量を演算する照射量演算工程と、
荷電粒子ビームを用いて、かかる荷電粒子ビーム照射量で描画パターンを描画する描画工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1におけるフローチャートの要部を示す図である。
図1において、パターン面積値算出方法は、チェック及びメッシュサイズ算出工程(S102)、図形分割メッシュ仮想分割工程(S104)、図形座標及び図形サイズ読み込み工程(S106)、図形コード読み込み工程(S108)、メッシュ単位系変換工程(S110)、図形分割工程(S112)、面積、重心及びモーメント算出工程(S114)、面積値分散工程(S116)、面積値加算工程(S118)といった一連の工程を実施する。そして、近接効果補正方法では、かかるパターン面積値算出方法によって得られた面積値を用いて、さらに、面積率算出工程(S120)、ビーム照射量演算工程(S122)といった一連の工程を実施する。そして、荷電粒子ビーム描画方法は、かかる近接効果補正照射量の演算方法によって得られたビーム照射量を用いて、描画工程(S124)といった工程を実施する。
図2において、荷電粒子ビーム描画装置の一例として電子ビーム描画装置である描画装置100は、描画部150と制御系を備えている。描画部150では、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、ブランキング(BLK)偏向器212、ブランキング(BLK)アパーチャ214が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置されている。制御系では、偏向アンプ110、偏向制御回路112、描画データ発生回路120、ステージ制御回路142を備えている。描画データ発生回路120内では、近接効果補正部122、ショットデータ演算部124、ショットデータ展開部126、面積処理演算部130、記憶装置の一例となる磁気ディスク装置128が配置されている。面積処理演算部130内では、分割部132、面積演算部134、重心演算部136、モーメント演算部138、分配部140といった各機能を有している。磁気ディスク装置128には、パターンデータが格納されている。そして、面積処理演算部130には、磁気ディスク装置128から、かかるパターンデータが入力される。同様に、ショットデータ展開部126には、磁気ディスク装置128から、かかるパターンデータが入力される。図2では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
図3では、一例として、描画パターン10に描画されるべき図形パターン40と図形パターン50とが定義されている。ここでは、描画パターン10が、まず、近接効果補正処理用の面積メッシュ(第1の升目)に仮想分割されている。各面積メッシュは、所定の寸法幅で引かれた面積メッシュグリッド20(実線)で囲まれた領域として定義される。かかる面積メッシュは、所定の寸法(メッシュサイズ)として、描画パターンの座標および図形サイズを整数値で表現した場合の最小単位(以降AU単位系)を用いて表される2m/N(AU)に設定される。(通常1AUあたり数nmから数Åの値をとる)2m/Nに設定することで、以降必要とされる除算の演算を整数値のビットシフトで済ますことができる。その結果、演算量を低減することができる。例えば、12≦m≦15、1≦N≦7の値をとる。本実施の形態1における面積値算出方法では、後述する手法により、各かかる面積メッシュの中心位置に定義される各面積メッシュ内のパターンの面積値を電子ビーム描画の近接効果補正用に算出する。
変換式:(座標,長さ)[メッシュ]=(座標,長さ)[AU]×N/2m
図4は、実施の形態1における各図形分割メッシュで分割された図形パターンの一例を示す図である。
図4では、一例として、図形パターン40を図形分割メッシュ32と図形分割メッシュ34とで分割する場合を示している。その結果、図形分割メッシュ32には、面積Sの図形パターン40の一部となる面積S’の図形パターン42が分割される。そして、図形分割メッシュ34には、図形パターン40の一部となる面積S”の図形パターン44が分割される。S=S’+S”であることは言うまでもない。図形パターン50の分割については図示及び説明を省略する。
図5では、一例として、図形分割メッシュ32の様子を示している。図形分割メッシュ32に分割された図形パターン42の辺の長さが、x方向にL1、y方向にL2とすると、図形パターン42の面積S’=L1×L2で算出することができる。
gx1=x1+L1/2、gy1=y1+L2/2
S’gx1=S’×gx1、S’gy1=S’×gy1
言い換えれば、各面積メッシュ(升目)内のパターンの面積値を各面積メッシュ内のパターンの重心位置が一致するように各面積メッシュの中心位置となる図形分割メッシュの頂点と他の面積メッシュの中心位置となる図形分割メッシュの頂点とで定義されるように分配する。すなわち、各面積メッシュ内の図形パターンの面積値の一部を各面積メッシュ内のパターンの重心位置が一致するように別の複数の面積メッシュの中心位置でも定義されるように分配する。
図6では、一例として、図形分割メッシュ32の様子を示している。図形分割メッシュ32に分割された図形パターン42の面積値S’は、図形分割メッシュ32の4つの頂点(1〜4)に面積値S’1〜S’4として分散され、分配される。
分散される面積値はそれぞれ次式で示される。
S’1=S’−S’2−S’3−S’4
S’2=(S’gx1−S’gy1)/2+S’/4
S’3=(S’gy1−S’gx1)/2+S’/4
S’4=(S’gx1+S’gy1)/2−S’/4
かかる式に従うことで、図形分割メッシュ32の4つの頂点に定義された面積値S’1〜S’4を合成した場合の面積重心位置座標と図形パターン42の重心位置座標(gx1,gy1)とを一致させることができる。S’=S’1+S’2+S’3+S’4となることはいうまでもない。
また、図形分割メッシュ左下隅を原点(0,0)とし重心モーメントを算出すると
mesh単位系で表した図形分割メッシュサイズは1であるので、4つの頂点に配置された面積の合計の重心モーメントは
(1×S’2+1×S’4、1×S’3+1×S’4)
となり、上記式に夫々S’1〜S’4の式を代入すると図5(段落番号0038)で求めた重心モーメントと一致することがわかる。
図7では、一例として、図形分割メッシュ34の様子を示している。上述したように、面積値演算工程として、面積演算部134は、各図形の辺の長さから図形パターンの面積値を算出する。図形分割メッシュ34に分割された図形パターン44の辺の長さが、x方向にL1、y方向にL2とすると、図形パターン44の面積S”=L1×L2で算出することができる。
gx2=x2+L1/2、gy2=y2+L2/2
S”gx2=S”×gx2、S”gy2=S”×gy2
図8では、一例として、図形分割メッシュ34の様子を示している。図形分割メッシュ34に分割された図形パターン44の面積値S”は、図形分割メッシュ34の4つの頂点(1〜4)に面積値S”1〜S”4として分散され、分配される。
分散される面積値はそれぞれ次式で示される。
S”1=S”−S”2−S”3−S”4
S”2=(S”gx2−S”gy2)/2+S”/4
S”3=(S”gy2−S”gx2)/2+S”/4
S”4=(S”gx2+S”gy2)/2−S”/4
かかる式に従うことで、図形分割メッシュ34の4つの頂点に定義された面積値S”1〜S”4を合成した場合の面積重心位置座標と図形パターン44の重心位置座標(gx2,gy2)とを一致させることができる。S”=S”1+S”2+S”3+S”4となることはいうまでもない。
図9(a)には、一例として、図形分割メッシュ32と図形分割メッシュ34の様子を示している。図9(a)における頂点2の面積値S2は面積値S’1と面積値S”3の和となる。同様に、図9(a)における頂点5の面積値S5は面積値S’2と面積値S”4の和となる。このように頂点毎に累積加算した場合、図形分割メッシュ32と図形分割メッシュ34との6つの頂点に定義された面積値S1〜S6を合成した場合の面積重心位置座標と図形分割前の元の図形パターン40の重心位置座標(gx,gy)とを一致させることができる。図形パターン40の面積値S=S1+S2+S3+S4+S5+S6となることはいうまでもない。
図3に示す図形パターンの配置と同じ図形パターンの配置で面積メッシュ内の図形パターンの面積値を分散させない場合について説明する。図10(a)に示すように、面積メッシュ22内の図形パターン40の面積値を分散させない場合、面積メッシュ22の中心位置と、図形パターン40の重心位置座標(gx,gy)とがずれてしまうため、面積メッシュ22の中心位置に図形パターン40の面積値が定義されると、かかる面積値を用いて後方散乱エネルギー分布を求めた場合に、図形パターン40の配置位置とのズレが生じてしまう。その結果、図10(b)に示すように、求めた後方散乱エネルギー分布の位置と実際の図形パターンの後方散乱エネルギー分布との間に誤差Cが生じてしまう。そして、図形パターン50の位置にあたる誤差Dが図形パターン50の描画に影響を及ぼしてしまうことになる。
20 面積メッシュグリッド
22 面積メッシュ
30 図形分割メッシュグリッド
32,34 図形分割メッシュ
40,42,44,50 図形パターン
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 偏向アンプ
112 偏向制御回路
120 描画データ発生回路
122 近接効果補正部
124 ショットデータ演算部
126 ショットデータ展開部
128 磁気ディスク装置
130 面積処理演算部
132 分割部
134 面積演算部
136 重心演算部
138 モーメント演算部
140 分配部
142 ステージ制御回路
200 電子ビーム
201 電子銃
212 BLK偏向器
214 BLKアパーチャ
330 電子線
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 荷電粒子ビームを用いて描画される描画パターンを所定の寸法の第1の升目に仮想分割して、前記各第1の升目の中心位置に定義される前記各第1の升目内のパターンの面積値を荷電粒子ビーム描画の近接効果補正用に算出する面積値算出方法であって、
前記描画パターンを前記第1の升目から前記所定の寸法の半分位置をずらした前記所定の寸法の第2の升目に仮想分割する仮想分割工程と、
前記各第2の升目内のパターンの面積値を前記各第2の升目内のパターンの重心位置が変わらないように前記各第2の升目の複数の頂点に分配する面積値分配工程と、
を備えたことを特徴とするパターン面積値算出方法。 - 前記面積値分配工程において、他の第2の升目内のパターンの面積値が自己の第2の升目のいずれかの頂点に分配された場合には、頂点毎に累積加算することを特徴とする請求項1記載のパターン面積値算出方法。
- 前記パターン面積値算出方法は、さらに、
前記パターンの面積値を演算する面積値演算工程と、
前記パターンの重心位置を演算する重心位置演算工程と、
前記パターンの面積値と前記パターンの重心位置とに基づいて、前記パターンの重心モーメントを演算する重心モーメント演算工程と、
を備え、
前記面積値分配工程において、前記パターンの面積値と前記パターンの重心モーメントとを用いて、前記パターンの面積値を前記各第2の升目の複数の頂点に分配することを特徴とする請求項1記載のパターン面積値算出方法。 - 荷電粒子ビームを用いて描画される描画パターンを所定の寸法の升目に仮想分割して、前記各升目の中心位置に定義される各升目内のパターンの面積値を用いて近接効果が補正された荷電粒子ビーム照射量を演算する近接効果補正方法であって、
前記各升目内のパターンの面積値の一部を前記各升目内のパターンの重心位置が一致するように別の複数の升目の中心位置でも定義されるように分配することを特徴とする近接効果補正方法。 - 荷電粒子ビームを用いて描画される描画パターンを所定の寸法の升目に仮想分割する仮想分割工程と、
前記各升目内のパターンの面積値を前記各升目内のパターンの重心位置が一致するように前記各升目の中心位置と他の升目の中心位置とで定義されるように分配する面積値分配工程と、
面積値が分配された後に、前記各升目の中心位置で定義された面積値を用いて近接効果が補正された荷電粒子ビーム照射量を演算する照射量演算工程と、
前記荷電粒子ビームを用いて、前記荷電粒子ビーム照射量で前記描画パターンを描画する描画工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006014881A JP4714591B2 (ja) | 2006-01-24 | 2006-01-24 | パターン面積値算出方法、近接効果補正方法及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US11/619,383 US7657863B2 (en) | 2006-01-24 | 2007-01-03 | Pattern area value calculating method, proximity effect correcting method, and charged particle beam writing method and apparatus |
TW096100356A TWI346348B (en) | 2006-01-24 | 2007-01-04 | Pattern area value calculating method, proximity effect correcting method, and charged particle beam writing method and apparatus |
KR1020070005972A KR100813796B1 (ko) | 2006-01-24 | 2007-01-19 | 패턴 면적값 산출방법, 근접 효과 보정 방법, 하전 입자빔묘화 방법 및 하전 입자빔 묘화장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006014881A JP4714591B2 (ja) | 2006-01-24 | 2006-01-24 | パターン面積値算出方法、近接効果補正方法及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007200968A JP2007200968A (ja) | 2007-08-09 |
JP4714591B2 true JP4714591B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=38284624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006014881A Active JP4714591B2 (ja) | 2006-01-24 | 2006-01-24 | パターン面積値算出方法、近接効果補正方法及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7657863B2 (ja) |
JP (1) | JP4714591B2 (ja) |
KR (1) | KR100813796B1 (ja) |
TW (1) | TWI346348B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4945380B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-06-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5386109B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2014-01-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データの検証方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5127581B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2013-01-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5530688B2 (ja) | 2009-09-18 | 2014-06-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその近接効果補正方法 |
JP5525798B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2014-06-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその帯電効果補正方法 |
JP5841710B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2016-01-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5547567B2 (ja) | 2010-06-30 | 2014-07-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法 |
KR101646909B1 (ko) | 2010-08-19 | 2016-08-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
US8626328B2 (en) * | 2011-01-24 | 2014-01-07 | International Business Machines Corporation | Discrete sampling based nonlinear control system |
JP6353229B2 (ja) * | 2014-01-22 | 2018-07-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
KR102418581B1 (ko) * | 2015-10-21 | 2022-07-08 | 삼성전자주식회사 | 패턴 생성 방법 및 이를 수행하기 위한 패턴 발생기 |
JP6819475B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2021-01-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム |
JP7167842B2 (ja) * | 2019-05-08 | 2022-11-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3244766B2 (ja) | 1991-04-30 | 2002-01-07 | 株式会社東芝 | 荷電粒子ビーム描画方法及び描画装置 |
JP2783168B2 (ja) * | 1994-10-14 | 1998-08-06 | 日本電気株式会社 | イオン注入シミュレーション方法 |
JP3348586B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2002-11-20 | ソニー株式会社 | 電子線リソグラフィ技術における近接効果補正法 |
JP3436473B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2003-08-11 | シャープ株式会社 | 画像処理装置 |
JP3340387B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2002-11-05 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
JP3518400B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2004-04-12 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置および電子線を用いた描画方法 |
JP4183377B2 (ja) * | 2000-10-25 | 2008-11-19 | Necエレクトロニクス株式会社 | アナログ/デジタル混在半導体集積回路のレイアウト方法 |
-
2006
- 2006-01-24 JP JP2006014881A patent/JP4714591B2/ja active Active
-
2007
- 2007-01-03 US US11/619,383 patent/US7657863B2/en active Active
- 2007-01-04 TW TW096100356A patent/TWI346348B/zh active
- 2007-01-19 KR KR1020070005972A patent/KR100813796B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100813796B1 (ko) | 2008-03-13 |
KR20070077767A (ko) | 2007-07-27 |
US20070170374A1 (en) | 2007-07-26 |
TW200731346A (en) | 2007-08-16 |
TWI346348B (en) | 2011-08-01 |
US7657863B2 (en) | 2010-02-02 |
JP2007200968A (ja) | 2007-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4714591B2 (ja) | パターン面積値算出方法、近接効果補正方法及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP4945380B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP4976071B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP6259694B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームの照射量変調係数の取得方法 | |
JP5616674B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5871558B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2016225357A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
KR101453805B1 (ko) | 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 | |
TW201921412A (zh) | 荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法 | |
JP5985852B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
KR101873461B1 (ko) | 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 | |
JP6869695B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
KR102366045B1 (ko) | 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 | |
JP6171062B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5871557B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2012195571A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2012069667A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2013115304A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6478782B2 (ja) | ビームドリフト量の測定方法 | |
JP2019186584A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2020009887A (ja) | 照射量補正量の取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081007 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110311 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110328 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4714591 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |