JP2018022912A - 放射エネルギーと設計形状の結合最適化を伴うリソグラフィー法 - Google Patents
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Abstract
Description
−―Monte Carlo draw(モンテカルロ描画)に基づく計算
−場合により、事前に計算された表内の全体的又は部分的サーチに基づく計算
−樹脂、エッチング、又は別の要素の寄与のような、リソグラフィーステップの間に生じる別の現象を考慮に入れる計算ステップがその後に続く、純粋に電子的な効果をモデル化する畳み込みステップを持つこともまた可能である。
−D(x,y)はエッチングされるべきパターン上で受ける放射線量の、基板の平面(x,y)内の分布を表わし、
−f(x,y)は近接効果のモデル化と共に照射された放射線量の表面分布を表わし、近接効果のガウス分布が図3に説明されるように全般的に想定され、それ自体が複数のガウス誤差関数(ERF関数)の組合せである、近接関数(Point Spread Function[点広がり関数],PSF)の二重積分により、分布関数がモデル化され、f(x,y)は次の式:
○ αは直接照射の幅であり、
○ βは後方散乱の幅であり、
○ ηは前方散乱放射と後方散乱放射の強さの比率である。
−R(x,y)は描かれるべきパターンの形状である。
図8aは一方で、エッチングされるべきパターン810を例証し、他方で本発明の方法により修正されたパターン820を例証している。
図8bは実際にエッチングされたパターンを例証している。
外側に向かってサイズ変更が実行される場合、及び内側に向かってそれが実行される別の場合がある。
従来、当業者は、本発明の方法を設計の解釈により始める。エッチングされるべきパターンのレイアウトは、従来、GDSII(Graphic Data System version 2)又はOASIS(Open Artwork System Interchange Standard)フォーマット内のファイルにおいて符号化される。そのデータは通常、セルにより1つにまとめられる。エッチングされるべきパターンは、次に転写装置(直接的電子エッチング又はイオンエッチング、電子又は光学的エッチング用マスクの製作、等)の適合し得る部分組立品の中へ事前に分解される。
セグメント1010は最初のショットを表わす。
曲線1020は受けた放射線量を表わす。
直線1030は0.5におけるしきい値を表わす。
直線1040はステップ930の出力における、補間された直線を表わす。
−コントラスト:(Imax−Imin)(Imax+Imin)、ここでIは受けた放射線量を表わし、コントラストは特に周期的パターンに関してしばしば用いられる。
−ILS“logslope”(「対数勾配」)もまた一般的に用いられる:
d(In(dose))/dx又は“normalized Image Log slope”(「正規化画像対数勾配」)NILS=ILS.CD.
これらの基準は、Dose(x)曲線の勾配として定義される、ELの代わりに使用され得る。
Claims (15)
- 少なくとも1つの放射線量の調節の計算ステップ(910)と、基板の少なくとも一方向にエッチングされるパターンに対してなされるべき、少なくとも1つの調整の計算ステップ(920、930、940、950、960)とを含む、樹脂でコーティングされた基板上にエッチングされる、少なくとも1つの前記パターンの放射に基づくリソグラフィー法であって、前記調整が前記放射線量を受ける点における工程エネルギーの許容度の関数であることと、前記放射線量の調節が、前記少なくとも1つのパターンの前記少なくとも1つの調整に従って修正されることとを特徴とする、リソグラフィー法。
- 少なくとも1つの放射線量の前記調節の計算ステップ(910)が、前記基板上における前記放射線量の分布関数を用いた、前記パターンの畳み込みにより適用されることを特徴とする、請求項1に記載のリソグラフィー法。
- 平均の放射線量が実質的に、パラメータとして選ばれた樹脂の感度しきい値であるという制約の中で、前記放射線量が調節前に計算されることを特徴とする、請求項2に記載のリソグラフィー法。
- 前記樹脂の前記感度しきい値のパラメータが、実質的に0.5に等しいように選ばれることを特徴とする、請求項3に記載のリソグラフィー法。
- 前記放射線量を受ける点における、前記工程エネルギーの許容度(EL)が、受けた前記放射線量の曲線に対する、その点における接線の勾配、前記放射線量のコントラスト、及び前記放射線量の勾配により構成されるグループに属するものとして計算されることを特徴とする、請求項3または4に記載のリソグラフィー法。
- 前記少なくとも一方向の放射線量を受ける点の1つに中心を置くパターンに対して行なわれる調整が、前記工程の0.5での前記樹脂の前記感度しきい値を表わす直線上で方向付けられた距離に等しいとして計算され、前記方向付けられた距離が、前記感度しきい値の直線と、一方で前記受ける点において浴びた前記放射線量の曲線に対するELの勾配を有する接線との交点と、他方で前記放射線量の曲線との交点の間の距離であることを特徴とする、請求項5に記載のリソグラフィー法。
- 前記放射線量の前記調節の計算ステップと、エッチングされる前記パターンの調整ステップが、1つの調節計算からその前の調節計算への、受ける点における放射線量の変化が、所定のしきい値よりも大きいまま留まる限りにおいて繰り返されることを特徴とする、請求項2〜6のいずれか一項に記載のリソグラフィー法。
- 少なくとも1つの放射線量の前記調節の計算ステップ(910)が、パラメータ表を用いて行なわれることを特徴とする、請求項1に記載のリソグラフィー法。
- 調整前の前記パターンの中央における前記放射線量が、通常の放射線量に全て実質的に等しいことを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載のリソグラフィー法。
- 調整前の前記パターンの中央における前記放射線量が、通常の放射線量の百分率に全て実質的に等しいことを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載のリソグラフィー法。
- 前記通常の放射線量の百分率が、前記通常の放射線量の70%に実質的に等しい値に設定されることを特徴とする、請求項10に記載のリソグラフィー法。
- 前記調整が、放射の無い少なくとも1つの間隔と、少なくとも1つの放射線量とを含むことを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一項に記載のリソグラフィー法。
- 少なくとも1つの放射線量が、エッチングされるべき前記パターンの外側で放射されることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか一項に記載のリソグラフィー法。
- 前記エッチングされるべき前記パターンの外側の少なくとも1つの放射線量が、帯域幅の0.2倍〜3倍の間の距離だけ、エッチングされるべき前記パターンから隔てられることを特徴とする、請求項13に記載のリソグラフィー法。
- プログラムがコンピュータ上でランするとき、樹脂でコーティングされた基板上にエッチングされる、請求項1〜14のいずれか一項に記載の、少なくとも1つのパターンの放射リソグラフィー法を実行するように構成された、プログラムコードによる命令を含むコンピュータ・プログラムであって、前記プログラムが、少なくとも1つの放射線量の前記調節を計算するためのモジュールと、前記基板の少なくとも一方向にエッチングされる前記パターンに対して行われるべき、少なくとも1つの調整を計算するためのモジュールとを備え、前記パターンに対して行われるべき前記調整の前記計算が、前記放射線量を受ける点における前記工程エネルギーの許容度の関数であることと、前記放射線量の前記調節が、前記少なくとも1つのパターンの前記少なくとも1つの調整に従って修正されることを特徴とする、コンピュータ・プログラム。
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