JP2020123995A - チャージポンプ回路 - Google Patents
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Abstract
Description
200:サブのチャージポンプ回路
NA、NB、NAG、NBG:NMOSトランジスタ
PA、PB、PAG、PBG:PMOSトランジスタ
CA、CB、CAG、CBG:キャパシタ
CLKA、CLKB、CLKAG、CLKBG:クロック
VIN:入力端子
VOUT:出力端子
UA、UAG:第1のノード
LA、LAG:第2のノード
Claims (11)
- 第1のキャパシタに容量結合された第1のノードと、前記第1のノードに接続され、前記第1のノードに電圧を供給可能な第1のトランジスタとを含み、前記第1のキャパシタに第1のクロック信号が印加されたとき前記第1のノードの電圧を昇圧可能なメインのポンプ回路と、
前記メインのポンプ回路に接続された制御用のポンプ回路とを含み、
前記制御用のポンプ回路は、第1のノードが昇圧されたときに、第1のノードから第1のトランジスタを介して逆方向の電流が流れないように第1のトランジスタの動作を制御する、チャージポンプ回路。 - 前記制御用のポンプ回路は、第2のキャパシタに容量結合された第2のノードと、前記第2のノードに接続され、前記第2のノードに電圧を供給可能な第2のトランジスタとを含み、前記第2のキャパシタに第2のクロック信号が印加されたとき前記第2のノードの電圧を昇圧可能であり、
前記第2のノードは、第1のトランジスタのゲートに接続され、第1のクロック信号の立ち上がりおよび立ち下がりの遷移期間は、第2のクロック信号の立ち上がりおよび立ち下がりの遷移期間に重複しない、請求項1に記載のチャージポンプ回路。 - 第2のキャパシタの容量は、第1のキャパシタの容量よりも小さい、請求項2に記載のチャージポンプ回路。
- 前記メインのポンプ回路はさらに、第3のキャパシタに容量結合された第3のノードと、前記第3のノードに接続され、前記第3のノードに電圧を供給可能な第3のトランジスタとを含み、前記第3のキャパシタに第3のクロック信号が印加されたとき前記第3のノードの電圧を昇圧可能であり、
前記制御用のポンプ回路は、第4のキャパシタに容量結合された第4のノードと、前記第4のノードに接続され、前記第4のノードに電圧を供給可能な第4のトランジスタとを含み、前記第4のキャパシタに第4のクロック信号が印加されたとき前記第4のノードの電圧を昇圧可能であり、
前記第4のノードは、第3のトランジスタのゲートに接続され、第4のキャパシタの容量は、第3のキャパシタの容量よりも小さく、第3のクロック信号は、第1のクロック信号を反転したクロック信号であり、第4のクロック信号は、第2のクロック信号を反転した信号である、請求項2または3に記載のチャージポンプ回路。 - 前記メインのポンプ回路は、第1のノードと出力端子との間に、第1のトランジスタと導電型の異なる第5のトランジスタと、第3のノードと出力端子との間に、第3のトランジスタと導電型の異なる第6のトランジスタとを含み、第1および第5のトランジスタのゲートが前記制御用のポンプ回路の第2のノードに接続され、第3および第6のトランジスタのゲートが前記制御用のポンプ回路の第4のノードに接続される、請求項4に記載のチャージポンプ回路。
- 前記制御用のポンプ回路は、第2のノードと出力端子との間に、第2のトランジスタと導電型の異なる第7のトランジスタと、第4のノードと出力端子との間に、第4のトランジスタと導電型の異なる第8のトランジスタとを含み、第2および第7のトランジスタのゲートが第4のノードに接続され、第4および第8のトランジスタのゲートが第2のノードに接続される、請求項5に記載のチャージポンプ回路。
- 第1ないし第4のトランジスタは、NMOSトランジスタであり、第5ないし第8のトランジスタは、PMOSトランジスタである、請求項6に記載のチャージポンプ回路。
- チャージポンプ回路は、複数段のメインのポンプ回路と、複数段の制御用のポンプ回路とを含み、
第1のトランジスタは、前段のメインのポンプ回路の第5のトランジスタに直列に接続され、第3のトランジスタは、前段のメインのポンプ回路の第6のトランジスタに直列に接続され、
第2のトランジスタは、前段の制御用のポンプ回路の第7のトランジスタに直列に接続され、第4のトランジスタは、前段の制御用のポンプ回路の第8のトランジスタに直列に接続される、請求項6または7に記載のチャージポンプ回路。 - メインのポンプ回路および制御用のポンプ回路は、KERタイプのポンプ回路である、請求項1ないし8いずれか1つに記載のチャージポンプ回路。
- 請求項1ないし9いずれか1つに記載のチャージポンプ回路を含む半導体装置。
- 請求項1ないし9いずれか1つに記載のチャージポンプ回路を含む半導体記憶装置。
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