JP6783879B2 - チャージポンプ回路 - Google Patents
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Description
200:サブのチャージポンプ回路
NA、NB、NAG、NBG:NMOSトランジスタ
PA、PB、PAG、PBG:PMOSトランジスタ
CA、CB、CAG、CBG:キャパシタ
CLKA、CLKB、CLKAG、CLKBG:クロック
VIN:入力端子
VOUT:出力端子
UA、UAG:第1のノード
LA、LAG:第2のノード
Claims (8)
- 第1のキャパシタに容量結合された第1のノードと、前記第1のノードに接続され、前記第1のノードに電圧を供給可能な第1導電型の第1のトランジスタと、前記第1のノードと第1の出力端子との間に接続された前記第1導電型と異なる第2導電型の第5のトランジスタと、第3のキャパシタに容量結合された第3のノードと、前記第3のノードに接続され、前記第3のノードに電圧を供給可能な前記第1導電型の第3のトランジスタと、前記第3のノードと第2の出力端子との間に接続された前記第2導電型の第6のトランジスタとを含み、前記第1のキャパシタに第1のクロック信号が印加されたとき前記第1のノードの電圧を昇圧可能であり、かつ前記第3のキャパシタに第3のクロック信号が印加されたとき前記第3のノードの電圧を昇圧可能なメインのポンプ回路と、
第2のキャパシタに容量結合された第2のノードと、前記第2のノードに接続され、前記第2のノードに電圧を供給可能な第2のトランジスタと、前記第2のノードと第3の出力端子との間に接続された前記第2導電型の第7のトランジスタと、第4のキャパシタに容量結合された第4のノードと、前記第4のノードに接続され、前記第4のノードに電圧を供給可能な前記第1導電型の第4のトランジスタと、前記第4のノードと第4の出力端子との間に接続された前記第2導電型の第8のトランジスタとを含み、前記第2のキャパシタに第2のクロック信号が印加されたとき前記第2のノードの電圧を昇圧可能であり、かつ前記第4のキャパシタに第4のクロック信号が印加されたとき前記第4のノードの電圧を昇圧可能な制御用のポンプ回路とを含み、
前記第2のノードが前記第1および前記第5のトランジスタのゲートと前記第4および前記第8のトランジスタのゲートにそれぞれ接続され、前記第4のノードが前記第3および前記第6のトランジスタのゲートと前記第2および前記第7のトランジスタのゲートにそれぞれ接続され、
前記第3のクロック信号は、前記第1のクロック信号を反転したクロック信号であり、前記第4のクロック信号は、前記第2のクロック信号を反転した信号であり、
前記第1のクロック信号の立ち上がりおよび立ち下がりの遷移期間は、前記第2のクロック信号の立ち上がりおよび立ち下がりの遷移期間に重複せず、前記第3のクロック信号の立ち上がりおよび立ち下がりの遷移期間は、前記第4のクロック信号の立ち上がりおよび立ち下がりの遷移期間に重複しない、チャージポンプ回路。
- 前記制御用のポンプ回路は、前記第1のノードが昇圧されたときに、前記第1のノードから前記第1のトランジスタを介して逆方向の電流が流れないように前記第1のトランジスタの動作を制御し、前記第3のノードが昇圧されたときに、前記第3のノードから前記第3のトランジスタを介して逆方向の電流が流れないように前記第3のトランジスタの動作を制御する、請求項1に記載のチャージポンプ回路。
- 前記第2のキャパシタの容量は、前記第1のキャパシタの容量よりも小さく、前記第4のキャパシタ容量は、前記第3のキャパシタ容量よりも小さい、請求項2に記載のチャージポンプ回路。
- 第1ないし第4のトランジスタは、NMOSトランジスタであり、第5ないし第8のトランジスタは、PMOSトランジスタである、請求項1に記載のチャージポンプ回路。
- チャージポンプ回路は、複数段のメインのポンプ回路と、複数段の制御用のポンプ回路とを含み、
前記第1のトランジスタは、前段のメインのポンプ回路の前記第5のトランジスタに直列に接続され、前記第3のトランジスタは、前段のメインのポンプ回路の前記第6のトランジスタに直列に接続され、
前記第2のトランジスタは、前段の制御用のポンプ回路の前記第7のトランジスタに直列に接続され、前記第4のトランジスタは、前段の制御用のポンプ回路の前記第8のトランジスタに直列に接続される、請求項1または2に記載のチャージポンプ回路。 - メインのポンプ回路および制御用のポンプ回路は、KERタイプのポンプ回路である、請求項1ないし5いずれか1つに記載のチャージポンプ回路。
- 請求項1ないし6いずれか1つに記載のチャージポンプ回路を含む半導体装置。
- 請求項1ないし6いずれか1つに記載のチャージポンプ回路を含む半導体記憶装置。
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