JP2020031428A5 - 無線周波数フィルタ、電子機器モジュール、弾性波デバイス及び電子デバイス - Google Patents

無線周波数フィルタ、電子機器モジュール、弾性波デバイス及び電子デバイス Download PDF

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  1. 無線周波数フィルタであって、
    少なくとも一つの弾性波デバイスを含み、
    前記少なくとも一つの弾性波デバイスは、
    第2材料層に接合された圧電材料層を含む層状基板であって、前記第2材料層は前記圧電材料層よりも高い熱伝導度を有する材料を含む層状基板と、
    前記圧電材料層の表面に配置された複数のインターディジタルトランスデューサ電極と、
    前記圧電材料層上に配置されて前記複数のインターディジタルトランスデューサ電極に電気的に接触する複数のコンタクトパッドと、
    前記第2材料層上に配置されて前記弾性波デバイスを回路基板に電気的に接続するべく構成される複数の外部ボンドパッドと、
    前記層状基板を貫通して前記複数のコンタクトパッドと複数の外部ボンドパッドとの間に電気的な接触を与える複数の導電性ビアと
    を含み、
    前記圧電材料層は、3つの層を含む多層圧電基板を含み、
    前記3つの層の中心層は前記3つの層の中で最大の電気機械結合係数を有する、無線周波数フィルタ。
  2. 電子機器モジュールであって、
    少なくとも一つの弾性波デバイスを含む少なくとも一つの無線周波数フィルタを含み、
    前記少なくとも一つの弾性波デバイスは、
    第2材料層に接合された圧電材料層を含む層状基板であって、前記第2材料層は前記圧電材料層よりも高い熱伝導度を有する材料を含む層状基板と、
    前記圧電材料層の表面に配置された複数のインターディジタルトランスデューサ電極と、
    前記圧電材料層上に配置されて前記複数のインターディジタルトランスデューサ電極に電気的に接触する複数のコンタクトパッドと、
    前記第2材料層上に配置されて前記弾性波デバイスを回路基板に電気的に接続するべく構成される複数の外部ボンドパッドと、
    前記層状基板を貫通して前記複数のコンタクトパッドと複数の外部ボンドパッドとの間に電気的な接触を与える複数の導電性ビアと
    を含み、
    前記圧電材料層は、3つの層を含む多層圧電基板を含み、
    前記3つの層の中心層は前記3つの層の中で最大の電気機械結合係数を有する、電子機器モジュール。
  3. 弾性波デバイスであって、
    第2材料層に接合された圧電材料層を含む層状基板であって、前記第2材料層は前記圧電材料層よりも高い熱伝導度を有する材料を含む層状基板と、
    前記圧電材料層の表面に配置された複数のインターディジタルトランスデューサ電極と、
    前記複数のインターディジタルトランスデューサ電極の上方に、誘電材料を含む複数の壁及び一のキャップによって画定されたキャビティと、
    前記キャビティの中で前記圧電材料層上に配置されて前記複数のインターディジタルトランスデューサ電極に電気的に接触する複数のコンタクトパッドと、
    前記キャップ上において前記キャップの前記キャビティから反対側に配置された複数の外部ボンドパッドと、
    前記キャップを貫通して前記複数のコンタクトパッドと複数の外部ボンドパッドとの間に電気的な接触を与える複数の導電性ビアと
    を含む、弾性波デバイス。
  4. 前記複数の導電性ビアはそれぞれが前記複数のコンタクトパッドから前記複数の外部ボンドパッドまで前記層状基板を直線状に貫通する、請求項3の弾性波デバイス。
  5. 弾性波デバイスであって、
    第2材料層に接合された圧電材料層を含む層状基板であって、前記第2材料層は前記圧電材料層よりも高い熱伝導度を有する材料を含む層状基板と、
    前記圧電材料層の表面に配置された複数のインターディジタルトランスデューサ電極と、
    前記圧電材料層上に配置されて前記複数のインターディジタルトランスデューサ電極に電気的に接触する複数のコンタクトパッドと、
    前記第2材料層上に配置されて前記弾性波デバイスを回路基板に電気的に接続するべく構成される複数の外部ボンドパッドと、
    前記層状基板を貫通して前記複数のコンタクトパッドと複数の外部ボンドパッドとの間に電気的な接触を与える複数の導電性ビアと
    を含み、
    前記複数の導電性ビアはそれぞれが前記複数のコンタクトパッドから前記複数の外部ボンドパッドまで前記層状基板を直線状に貫通する、弾性波デバイス。
  6. 前記第2材料層は誘電材料を含む、請求項の弾性波デバイス。
  7. 前記第2材料層はスピネルを含む、請求項の弾性波デバイス。
  8. 前記第2材料層はシリコンを含む、請求項の弾性波デバイス。
  9. 前記圧電材料層を前記第2材料層に接合する接合層をさらに含む、請求項の弾性波デバイス。
  10. 前記接合層は二酸化ケイ素を含む、請求項の弾性波デバイス。
  11. 前記第2材料層は、約50μmから約150μmの厚さを有する、請求項の弾性波デバイス。
  12. 前記圧電材料層は、約0.3μmから約20μmの厚さを有する、請求項の弾性波デバイス。
  13. 弾性表面波共振器として構成される請求項の弾性波デバイス。
  14. 請求項13の弾性表面波共振器を含む無線周波数フィルタ。
  15. 請求項14の無線周波数フィルタを含む電子機器モジュール。
  16. 請求項15の電子機器モジュールを含む電子デバイス。
  17. 前記圧電材料層は、3つの層を含む多層圧電基板を含み、
    前記3つの層の中心層は前記3つの層の中で最大の電気機械結合係数を有する、請求項5の弾性波デバイス。
  18. 前記複数の導電性ビアはそれぞれが前記複数のコンタクトパッドから前記複数の外部ボンドパッドまで前記層状基板を直線状に貫通する、請求項5の弾性波デバイス。
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