JP2005005664A - セラミックパッケージ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は内部端子と外部端子間の連結パターンの構造を改善したセラミック多層基板及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明は内部に部品が実装され得るキャビティ109が形成され、一部または全部に内部パターン115の形成された多数個のセラミック層が積層されて成る積層体構造物100;前記キャビティ109内部の気密を維持すべく、前記積層体構造物100のキャビティ109上部に装着されるリード103;前記積層体構造物100の外部に形成される外部連結端子106;前記外部連結端子106と電気的に連結され、少なくとも2個のセラミック層に分割され水平方向に形成される内部連結パターン105;及び、前記内部連結パターン105の一部または全部及び前記部品と電気的に連結されるよう前記キャビティ109内に形成される内部連結端子108;を含むセラミックパッケージを提供する。
【選択図】図1
【解決手段】本発明は内部に部品が実装され得るキャビティ109が形成され、一部または全部に内部パターン115の形成された多数個のセラミック層が積層されて成る積層体構造物100;前記キャビティ109内部の気密を維持すべく、前記積層体構造物100のキャビティ109上部に装着されるリード103;前記積層体構造物100の外部に形成される外部連結端子106;前記外部連結端子106と電気的に連結され、少なくとも2個のセラミック層に分割され水平方向に形成される内部連結パターン105;及び、前記内部連結パターン105の一部または全部及び前記部品と電気的に連結されるよう前記キャビティ109内に形成される内部連結端子108;を含むセラミックパッケージを提供する。
【選択図】図1
Description
本発明は内部キャビティに部品を実装するセラミック多層基板及びその製造方法に関するもので、より詳しくは内部端子と外部端子間の連結パターンの構造を改善したセラミック多層基板及びその製造方法に関するものである。
低温焼成セラミック(Low Temperature Co−fired Ceramic、以下、「LTCC」という。)基板の製造技術は、主にガラスセラミック(Gass−Ceramic)材料を基に形成された多数のグリーンシート(green sheet)層に所望の回路を具現するための受動素子(R、L、C)を電気伝導度の優れたAg、Cuなどを用いたスクリーンプリンティング工程により具現し、各層を積層してからセラミックと金属導体とを同時焼成して(通常1000℃以下)MCM(Multi−Chip Module)及びマルチチップパッケージ(Multi−Chip Package)を製造することを示す。
LTCC技術はセラミックと金属との同時焼成が可能な工程上の特徴から、モジュール内部に受動素子(R、L、C)が具現できる利点があるので部品同士の複合化と軽薄短小化を可能にさせる。
LTCC基板はこうした内部受動素子(Embedded Passives)具現できる特徴によりSOP(System−On−a−Packege)を実現できるSMD(Surface Mounted Device)部品に発生する寄生効果(parasitic effect)を最小化させられ、表面実装時にハンダ付け箇所に発生する電気的なノイズ信号の減少による電気的特性の向上及びハンダ付け数の減少による信頼性向上の利点を奏する。また、LTCCの場合、Tf(Temperature Coefficient of Resonant Frequency)の値を熱膨張係数の調節により最小化でき、誘電体共振器の特性を調節できる特徴も有する。
また、LTCC基板にSAW(surface acoustice wave)フィルター、トランジスタのような能動素子、PAM(Power Amp Module)などの部品を実装でき、こうすることで多機能複合化モジュールを具現することができる。とりわけ、SAWフィルターをLTCC基板に実装する方法には、LTCC基板内に区間(CAVITY、キャビティ)を加工し、該空間内にSAWフィルターチップを内蔵させる方法と、SAWフィルター部品をLTCC基板の外部面に表面実装する方法とがある。
前記のようにキャビティ内にSAWフィルターチップを実装することは部品のサイズと材料費などを節減可能な利点があり、爾後追加的機能の複合化と製品の小型化において有利な設計方式として分類される。しかし、LTCC基板のキャビティ内に部品を実装するパッケージにおいて、内蔵された部品が一定レベル以上の気密度を必要とする場合、LTCC基板はかかる気密度を維持して内蔵部品を外部環境から保護し正常的な作動を可能にさせなければならない。
とりわけ、SAWフィルターのような実装される空間において一定レベル以上の気密度が必要な場合、LTCC技法によるパッケージにおいて一定レベルの気密度の維持が問題となっていた。
図7は内部に部品が実装された従来のセラミックパッケージの断面図である。図7によると、セラミックパッケージはセラミック多重基板に形成される部品実装層(611)とキャビティ形成層(610)とを含み、SAWフィルターなどのような部品(612)が導電性接着手段(618)などによりキャビティ(619)に実装される。キャビティ形成層(610)の上部にはパッケージのキャビティ(619)の気密を維持させるためのリード(613)が接着層(614)を介して装着される。
この際、キャビティ(619)内部に存在する部品(619)が外部と信号交換をすべく外部端子と連結されるよう内部連結パターン(615、615’)が形成される。前記内部連結パターン(615、615’)はセラミック基板の内部を通して外部端子まで連結され、積層される複数個のセラミック層のうち特定層に存在する連続パターンとなる。
これについてより詳しく説明する。図8は図7のセラミックパッケージにおける内蔵部品の実装層を表す平面図である。部品実装層(611)上に形成される内部連結パターン(615)はキャビティ内の部品及び外部端子(616)と連結されるよう連続的なパターンとなっている。
さらに、キャビティ上部に位置するリード(613)などと連結され接地機能などを行う接地層を図9にあらわす。図9は図7のセラミックパッケージにおけるキャビティ上部接地層を表す平面図である。図9によると、キャビティ(619)形成層(610)上には外部端子(616’)と連結される連続的なパターン層(615’)が形成されることがわかる。
前記図8及び図9のように、セラミック多層基板内に連結パターン層が形成されたセラミックパッケージを形成する際、連結パターン層を挟んでセラミック基板を単に該基板同士の密着度のみに依存して接合する。即ち、連結パターンはキャビティ内部からセラミックパッケージ外部まで同一層上に連続的に形成される。この際、外部端子(616、616’)及び連結パターン層(615、615’)を通して外部からのリーク(leak)現象が発生する経路が形成される。このようなリーク経路はキャビティ内に一定レベル以上の気密度を維持し難くする。
このようにキャビティを有するセラミック多層基板構造に内蔵された部品の真空度(または気密度)が劣化することをリーク不良という。リーク不良の原因は前記のような基板の外部端子と連結されるセラミック多層基板上の内部連結パターンがキャビティ内部まで同一層上で延長されるパターン構造に起因する。リークの伝播経路は連結端子のパターンに存在するものと考えられている。
また、連結パターン層を挟んでセラミック基板を密着させるべくセラミック基板の積層圧力を過度に印加する場合、部品が実装される底面の平坦度が劣化する現象が発生し部品の実装不良を招きかねない。
図10は内部に部品の実装された従来の他のセラミックパッケージの断面図である。図10のセラミックパッケージも図7と同様、部品実装層(621)及びキャビティ形成層(620)を含む。前記セラミックパッケージのキャビティ(629)にはSAWフィルターのような部品(622)が導電性接着手段(628)により実装される。また、キャビティ(629)上部にはリード(623)が接着手段(624)によりキャビティ内部の気密度を維持するよう装着される。
この際、内蔵される部品(622)が外部と信号を交換すべく外部端子(626)と内部部品(622)とに接触する内部端子(627)間の信号交換を行う連結パターン(625)を形成する。連結パターン(625)は内部端子(627)の下方に積層されるセラミック基板に導電性材料が充填されたバイアホールにより形成される。
こうした構造は図7のようにセラミックパッケージの側面に外部電極を形成し、内部連結パターンをパッケージ側面に水平に引き出す構造とは異なる。図10の構造は側面に連結される電極を除去してキャビティ内部の気密度をより向上させる構造となる。
ところで、前記のような構造においては、内部と外部とを連結する電極を垂直方向に外部端子側に連結させることにより、内部部品下部側のセラミック多層基板の回路要素を具現するためのパターン設計に制約がかかる問題がある。即ち、これらは内部に別途の回路部品を具現するパターンが存在しないSAWパッケージまたは振動子のように簡単なパッケージにしか適用できない問題がある。
また、前記のように下部にバイアホールを形成して内部連結パターンを形成することはセラミック基板に所定の直径のバイアホールを形成しなければならない設計上の制約により製品の小型化がし難くなる。従って、前記のような問題を解決するためのセラミックパッケージの設計方式が当技術分野において要求されていた。
本発明は前記諸問題を解決すべく案出されたもので、外部からのリーク(leak)現象が発生する経路の形成を防止してセラミックパッケージのリーク不良の発生を防止することを目的とする。
また、本発明はセラミックパッケージの製造時にリーク不良を防止すべくセラミック基板を過度に加圧することで部品が実装される底面の平坦度が劣化する現象による部品の実装不良を防止することを目的とする。
更に、本発明はセラミック多層基板の回路要素を具現するためのパターン設計自由度を向上させ、製品の小型化が図れる構造のセラミックパッケージを提供することを目的とする。
前記のような目的を成し遂げるための構成手段として、本発明は、内部に少なくとも一つの部品を内蔵するセラミックパッケージにおいて、内部に前記部品が実装され得るキャビティが形成され、一部または全部に内部パターンの形成された多数個のセラミック層が積層されて成る積層体構造物;前記キャビティ内部の気密を維持すべく、前記積層体構造物のキャビティ上部に装着されるリード;前記積層体構造物の外部に形成される外部連結端子;前記外部連結端子と電気的に連結され、少なくとも2個のセラミック層に分割され水平方向に形成される内部連結パターン;及び、前記内部連結パターンの一部または全部及び前記部品と電気的に連結されるよう前記キャビティ内に形成される内部連結端子;を含むセラミックパッケージを提供する。好ましくは、前記分割された内部連結パターンはバイアホールを通して相互電気的に連結されることを特徴とする。さらに、好ましくは、前記内部連結パターンは相互隣接したセラミック層に分割されて成ることを特徴とする。好ましくは、前記内部連結パターンは前記リードに隣接して形成される第1内部連結パターン及び前記内部連結端子と連結される第2内部連結パターンを含むことを特徴とし、より好ましくは、前記第2内部連結パターンは前記内部連結端子と電気的に連結されるよう同一層上に形成される第1パターン及び前記外部連結端子と連結され前記内部連結端子と異なる層上に形成される第2パターンを含むことができ、前記第1内部連結パターンは前記リード実装層に形成される第1パターン及び前記外部連結端子と連結され前記第1パターン形成層と異なる層上に形成される第2パターンを含むことができる。好ましくは、前記第2内部連結パターン下部のセラミック層には諸回路要素を具現する内部パターンが形成されることを特徴とする。
また、本発明は、キャビティ内部に部品が実装され得るよう形成されるセラミックパッケージの製造方法において、多数個のセラミック基板を設ける段階;前記多数個のセラミック基板中一部または全部に回路要素を具現するようパターン層を形成する段階;前記多数個のセラミック基板中一部に外部と信号を交換する外部連結端子及び前記部品と連結される内部連結端子を形成する段階;前記キャビティ上部面に実装されるリードまたは前記内部連結端子を前記外部連結端子と連結させる内部連結パターンを少なくとも2個以上のセラミック基板上に分割して形成する段階;分割された前記内部連結パターンが相互電気的に連結されるよう内部連結パターンの形成されたセラミック基板中一部に導電性のバイアホールを形成する段階;及び、前記セラミック基板を積層する段階;を含むセラミックパッケージの製造方法を提供する。好ましくは、前記内部連結パターンは相互隣接したセラミック層に分割されて成ることを特徴とし、また前記内部連結パターンは前記リードに隣接して形成される第1内部連結パターン及び前記内部連結端子と連結される第2内部連結パターンを含むことを特徴とする。好ましくは、前記第2内部連結パターンは前記内部連結端子と電気的に連結されるよう同一層上に形成される第1パターン、及び前記外部連結端子と連結され前記内部連結端子と異なる層上に形成される第2パターンを含み、また前記第1内部連結パターンは前記リード実装層に形成される第1パターン、及び前記外部連結端子と連結され前記第1パターン形成層と異なる層上に形成される第2パターンを含むことができる。好ましくは、前記第2内部連結パターン下部のセラミック層には諸回路要素を具現する内部パターンが形成されることを特徴とする。
以上のように、本発明によると外部からのリーク(leak)現象が発生する経路が形成されるのを防止してセラミックパッケージのリーク不良発生を防止でき、セラミック基板積層パッケージにおいて内部キャビティの気密度維持機能を改善させる効果を奏する。また、本発明はセラミックパッケージの製造時にリーク不良を防止すべくセラミック基板を過度に加圧して部品が実装される底面の平坦度が劣化する現象による部品の実装不良を防止することができる。さらに、本発明はセラミック多層基板の回路要素を具現するためのパターンの設計自由度を向上させ、製品を小型化させる効果を奏する。
以下、本発明について添付の図面を参照しながらより詳しく説明する。
[パッケージ構造]
図1は本発明によるセラミックパッケージの断面図である。図1のセラミックパッケージは多数個のセラミック材料層が積層されて成る積層体構造物と、積層体構造物の上部面に装着されるリードと、前記構造物の外部に形成される外部連結端子と、キャビティ内部に連結される内部連結端子とを含む。
[パッケージ構造]
図1は本発明によるセラミックパッケージの断面図である。図1のセラミックパッケージは多数個のセラミック材料層が積層されて成る積層体構造物と、積層体構造物の上部面に装着されるリードと、前記構造物の外部に形成される外部連結端子と、キャビティ内部に連結される内部連結端子とを含む。
本発明のセラミックパッケージにおける積層体構造物(100、101)は多数個の材料層が積層されて一つのパッケージを形成する積層体を意味するもので、電気的、誘電的、磁気的性質を帯びた材料層を適正に選択し使用する。とりわけ前記材料層には一定の厚さを有するセラミックグリーンシートを用いるのが一般であり、このようなシート上には金属塗布膜が一定の形態で塗布され、一つのパターン層を形成することになる。こうしたパターン層は積層されて諸回路要素の機能を行う。前記パターン層はAg、Cuなどの金属から成る。前記のようなセラミックシートが複数個積層され、これを金属融点以下の温度で焼成し形成させた一つの積層体構造物を低温焼成セラミック多層基板という。
前記積層体構造物は、部品(102)の実装される実装層(101)と実装層上部に積層されキャビティ(109)を形成するキャビティ形成層(100)とを含む。通常キャビティ(109)は積層体構造物の中央部位に形成され、部品(102)の実装される空間を提供する。前記キャビティ(109)の内部には実装される部品の種類に応じて気密性が要求される場合があり、こうした気密性を維持すべくキャビティ上部面にリード(103)を接着手段(104)を介して装着するようになる。
一方、前記積層体構造物の実装層(101)及びキャビティ形成層(100)の一部または全部には任意の回路要素機能を行うよう内部パターン(115)が形成されている。
また、前記のようにキャビティ内部に気密度を維持しながら実装させる部品には表面弾性波フィルター(SAW Filter)またはトランジスタのような能動素子を含んだパワーアンプモジュール(Power Amp Module;PAM)などが挙げられる。こうした部品は湿度、温度、粉塵などの外部環境によりその特性が著しく変化するため、部品が実装される空間はこうした外部環境から部品を保護すべく気密度を維持することが必需となる。
前記のように形成される積層体構造物の外部には外部と信号をやりとりできるよう外部連結端子(106)が形成される。外部連結端子は必要な設計上のニーズに応じて任意の部位に形成することができるが、通常製品の小型化及びパターン設計の複雑化により多層セラミック基板の側面部位に形成されるのが一般的である。本発明のセラミックパッケージにおいても同様、外部端子はパッケージ側面部において内部パターンと信号が交換できるよう連結されている。
また、前記積層体構造物のキャビティ(109)に実装される部品(102)は内部連結端子(108)と電気的に連結される。内部連結端子(108)は部品(102)が外部と信号を交換できるよう外部連結端子(106)とも電気的に連結される。
前記内部連結端子(108)と外部連結端子(106)とを相互連結するパターン、即ち内部連結パターン(105、107、110)が前記積層体構造物(100、101)のセラミック層間に形成される。内部連結パターン(105、107、110)は積層されるセラミック層にそれぞれ分割して形成される。
[内部連結パターン]
図1には実装層(101)に形成される内部連結パターン(105、107、110)及びキャビティ形成層(100)上部に形成される内部連結パターン(105’、107’、110’)を表す。先ず、部品実装層(101)に形成される内部連結パターン(105、107、110)を説明する。
図1には実装層(101)に形成される内部連結パターン(105、107、110)及びキャビティ形成層(100)上部に形成される内部連結パターン(105’、107’、110’)を表す。先ず、部品実装層(101)に形成される内部連結パターン(105、107、110)を説明する。
図2は図1における「A」部分を拡大した図面である。本発明のセラミックパッケージにおいて内部連結端子(108)と外部連結端子(106)とを連結する内部連結パターンは図2のように少なくとも2個のセラミック層にかけて分割され水平方向に形成される。
前記内部連結パターンは前記リード(103)に隣接して形成される第1内部連結パターン(105’、107’、110’)及び前記内部連結端子(108)と連結される第2内部連結パターン(105、107、110)を含むことができる。第1内部連結パターン(105’、107’、110’)はリード(103)下部面と接着手段(104)を介して接する。第1内部連結パターンは主に接地機能を行うためのもので、内部連結端子(108)と連結されなくなる。
また、第2内部連結パターン(105、107、110)はキャビティ(109)内部に実装される部品(102)と接する内部連結端子(108)を外部端子と電気的に連結させるためのもので、具体的には内部連結端子と連結される第1パターン(110)が第1セラミック層(121)上に水平方向に形成され、前記第1パターン(110)と連結されるよう第2セラミック層(122)上に水平方向に第2パターン(105)が形成される。前記のように分割された第1パターン(110)と第2パターン(105)は相互バイアホール(107)により電気的に連結される。
前記バイアホール(107)は導電性物質が充填されたもので、第1パターン(110)の形成されたセラミック層(121)に形成され、この際、第1セラミック層(121)と第2セラミック層(122)は相互隣接したセラミック層となる。但し、前記のように第1及び第2パターンで説明したのは、単に説明の便宜を図るだけのもので本発明の技術思想はこれに限定されるわけではない。即ち、内部連結端子は3個のセラミック層に各々分割され形成されてもよく、それ以上のセラミック層に分割されて成ることもできる。
前記第1パターン(110)及び第2パターン(105)は図1のように第1パターン(110)が上部に、第2パターン(105)が下部側に位置することができる。また、図6のように第1パターン(110)が第2パターンの下部側に形成されることもできる。図6の内部連結パターンにおいては、バイアホール(107)が第2パターン(105)の形成されたセラミック層(122)に形成されるようになる。
図3(A)は図1のセラミックパッケージにおける内蔵部品実装層(101)の最上部セラミック層(121)の平面図である。図3(A)によると、内部連結パターンである第1パターン(110)は外部端子の位置する外周縁まで連続的に延長されなくなり、外周縁と所定の間隔離隔した位置までのみ形成される。前記所定の離隔空間を通してセラミック材質のキャビティ形成層(100)と実装層(101)とが直接接触した状態で焼結される為、完全に密閉されたキャビティを形成することができる。前記第1パターン(110)の端部には各々導電性のバイアホール(107)が形成されるが、該バイアホールは前記第1パターン(110)を図3(B)の第2パターン(105)と電気的に連結させるためのものである。
こうした構成は、従来、内部連結パターンが一つのセラミック層に形成されながら基板の外周縁まで延長されセラミック層を積層結合する際に内部連結パターン形成面からリークが発生していたものを防止するための構造である。
また、図3(B)によると、前記図3(A)の第1パターン(110)と連結される第2パターン(105)が形成される。第2パターン(105)は外部連結端子(106)と連結され、内側に所定の間隔だけ延長される。第2パターン(105)は第1パターン(110)とそれに形成されたバイアホール(107)により相互電気的に連結され、結局内部連結端子(108)と外部連結端子(106)とを連結することになる。
図3(B)のように第2パターンを形成してリーク発生経路が除去できるようになる。第2パターンの形成されたセラミック層(122)には各セラミック層間の内部パターン面(105)が短い長さで形成される為、外部からのリーク発生経路が短くなりリーク発生が防止され、また第2パターン(105)がセラミック層内部まで延長されない為、内部からのリーク発生が不可能になる利点を奏する。
図4(A)は図1のセラミックパッケージにおけるキャビティ上部接地層を表す平面図である。図4(A)によると、第1パターン(110’)がキャビティ上部接地層の第1セラミック層(123)に形成される。前記部品実装層の内部連結パターンと同様第1パターン(110’)は外部連結端子と連結されず、セラミック層(123)の内部にのみ形成される。
図4(B)は第1セラミック層(123)の下部に積層される第2セラミック層(124)を表すもので、第2セラミック層(124)には前記第1パターン(110’)と連結される第2パターン(105’)が形成される。第2パターン(105’)は外部連結端子(106)と連結され、前記第1パターン(110’)のバイアホール(107’)と接触できる位置まで内部に向って延長することになる。
このような構造の内部連結パターンも同じく2個のセラミック層に分割されて形成される為、パッケージの内部または外部からのリーク(leak)の伝達経路が形成されない特徴を有する。
前記図面のように内部連結パターンはセラミックパッケージの側面に向って水平に形成され、少なくとも2個の層にかけて分割されて形成される。こうした設計方式はリーク伝達経路を形成させなくする特徴を有し、また連結パターンが下部に形成されないようにすることにより多数個のセラミック層を積層して形成されるセラミックパッケージの内部パターン設計領域を縮小させず設計自由度を向上させる特徴を有する。以下に詳しく説明する。
図5は本発明のセラミックパッケージの一例として高周波複合部品となる積層構造物を構成する誘電体層の構造を表す。図5によると、第1誘電体層(S1)ないし第7誘電体層(S7)は下部積層構造物、即ち部品実装層(101)を形成し、第8誘電体層(S8)ないし第16誘電体層(S16)は上部積層構造物、即ちキャビティ形成層(100)を形成するようになる。
図5のような高周波複合部品はダイプレクサ及びSAWデュプレクサを複合したもので、ダイプレクサはアンテナ(ANT)から受信した信号を第1通信システムまたは第2通信システムに分配し、第1通信システムや第2通信システムから伝送された信号をアンテナに送る機能を行う。一方、SAWデュプレクサは第1通信システムの受信端(Rxc)及び送信端(Txc)を分けてダイプレクサから受信した信号を受信端(Rxc)に送り送信端(Txc)から受けた信号をダイプレクサに送る役目を果たす。
前記のようにダイプレクサ及びSAWデュプレクサを一つのパッケージに具現すべく多層基板に諸回路要素を具現することになる。即ち、前記図5によると、第3誘電体層(S3)ないし第6誘電体層(S6)にはキャパシタパターン層(510)が形成され、また第7誘電体層(S7)ないし第9誘電体層(S9)にはインダクタパターン層(520)が具現される。第10誘電体層(S10)ないし第16誘電体層(S16)により接地及びインダクタンスパターン層(500)が形成され、最下層(S1)にはダイオード、MLCC、抵抗などの諸素子類が付着される付着層(530)が形成される。
上述のように、最近一つのセラミックパッケージに諸複合機能を具現する複合モジュールが漸次常用化されており、こうした複合モジュールはデュプレクサ、ダイプレクサなどの諸機能を行うことになる。こうした諸機能をパターン化し具現するためには、パッケージのキャビティ形成層(100)ばかりでなくキャビティ下部の部品実装層(101)に諸回路パターンが具現されなければならず、漸次その集積度が高まってきている。従って、パッケージに形成される回路要素を具現するためのパターン設計に影響を及ぼすことなくパッケージの垂直下方にバイアホールを形成するのは不可能となる。
従って、本発明のセラミックパッケージは前記のように第2内部連結パターン下部のセラミック層に諸回路要素を具現する内部パターンが形成される構造に適用することができ、こうしたセラミックパッケージは連結パターンを下部に形成させないことで、多数個のセラミック層を積層して形成されるセラミックパッケージの内部パターン設計領域を縮小させなくし設計自由度を向上させる特徴を有する。
[製造工程]
本発明によるセラミックパッケージの製造は次のような段階を辿る。
a)多数個のセラミック基板を設ける段階;
本発明のセラミックパッケージにおける積層体構造物を形成するセラミック基板は一定の厚さを有するセラミックグリーンシートで、こうしたセラミック基板上には金属塗布膜が一定の形態で塗布され一つのパターン層を形成することになる。こうしたパターン層は積層されて諸回路要素の機能を行う。前記パターン層はAg、Cuなどの金属から成る。
本発明のセラミックパッケージに用いられる多数個のセラミック基板は積層時に各種部品が実装され得るキャビティを形成するよう設けられる。
[製造工程]
本発明によるセラミックパッケージの製造は次のような段階を辿る。
a)多数個のセラミック基板を設ける段階;
本発明のセラミックパッケージにおける積層体構造物を形成するセラミック基板は一定の厚さを有するセラミックグリーンシートで、こうしたセラミック基板上には金属塗布膜が一定の形態で塗布され一つのパターン層を形成することになる。こうしたパターン層は積層されて諸回路要素の機能を行う。前記パターン層はAg、Cuなどの金属から成る。
本発明のセラミックパッケージに用いられる多数個のセラミック基板は積層時に各種部品が実装され得るキャビティを形成するよう設けられる。
b)前記多数個のセラミック基板のうち一部または全部に回路要素を具現するようパターン層を形成する段階;
多数個のセラミック基板のうち一部または全部に回路要素を具現するようパターン層を形成する。こうしたパターン層は所望の回路を具現するための受動素子(R、L、C)などになり、図1において符号115で表す。多数個のセラミック基板にパターン層を形成してパターン層の組合により回路素子を具現するLTCC技術はセラミックと金属との同時焼成が可能な工程上の特徴からモジュール内部に受動素子を具現できる利点があるので部品間の複合化と軽薄短小化を可能にする。
また、前記のようなパターン層はセラミックパッケージの設計条件に応じて各セラミック層にすべて形成されることができ、また一部にのみ形成されることもできる。
多数個のセラミック基板のうち一部または全部に回路要素を具現するようパターン層を形成する。こうしたパターン層は所望の回路を具現するための受動素子(R、L、C)などになり、図1において符号115で表す。多数個のセラミック基板にパターン層を形成してパターン層の組合により回路素子を具現するLTCC技術はセラミックと金属との同時焼成が可能な工程上の特徴からモジュール内部に受動素子を具現できる利点があるので部品間の複合化と軽薄短小化を可能にする。
また、前記のようなパターン層はセラミックパッケージの設計条件に応じて各セラミック層にすべて形成されることができ、また一部にのみ形成されることもできる。
c)前記多数個のセラミック基板のうち一部に外部と信号を交換する外部連結端子及び前記部品と連結される内部連結端子を形成する段階;
多数個のセラミック基板のうち一部、とりわけ図1の部品実装層(101)の最上部面に外部と信号を交換すべく基板外側に形成される外部連結端子(106)及び内部に装着される部品と連結される内部連結端子(108)を形成する。
多数個のセラミック基板のうち一部、とりわけ図1の部品実装層(101)の最上部面に外部と信号を交換すべく基板外側に形成される外部連結端子(106)及び内部に装着される部品と連結される内部連結端子(108)を形成する。
d)前記キャビティ上部面に実装されるリードまたは前記内部連結端子を前記外部連結端子と連結する内部連結パターンを少なくとも2個以上のセラミック基板上に分割して形成する段階;
前記のような工程段階を経てから、内部連結端子と外部連結端子、またはリードと外部連結端子とを相互電気的に連結させるための内部連結パターンを形成する。但し、内部連結パターンは従来のように一つのセラミック層上に連続的に形成されるのではなく、少なくとも2個以上のセラミック基板上に分割して形成される。これは図1ないし図4(B)及び図6に表すとおりである。
前記のような工程段階を経てから、内部連結端子と外部連結端子、またはリードと外部連結端子とを相互電気的に連結させるための内部連結パターンを形成する。但し、内部連結パターンは従来のように一つのセラミック層上に連続的に形成されるのではなく、少なくとも2個以上のセラミック基板上に分割して形成される。これは図1ないし図4(B)及び図6に表すとおりである。
内部連結端子(108)と外部連結端子(106)とを連結する内部連結パターンは図2に例えて説明すると、2個のセラミック層にかけて水平方向に形成される。即ち、内部連結端子と連結される第1パターン(110)が第1セラミック層(121)上に水平方向に形成され、前記第1パターン(110)と連結されるよう第2セラミック層(122)上に水平方向に第2パターン(105)が形成される。
前記のように少なくとも2個のセラミック層にかけて分割されて成る内部連結パターンはリーク伝達経路を形成しなくなる利点があり、また連結パターンが下部に形成されなくすることで多数個のセラミック層を積層して形成されるセラミックパッケージの内部パターン設計領域を縮小させず設計自由度を向上させる特徴を有する。
e)分割された内部連結パターンが相互電気的に連結されるよう内部連結パターンの形成されたセラミック基板のうち一部に導電性のバイアホールを形成する段階;
前記第1パターン(110)と第2パターン(105)は相互バイアホール(107)により電気的に連結される。図2に例えて説明すると、バイアホールは内部連結パターンの形成された2個のセラミック層のうち上部に位置するセラミック層に形成される。バイアホールは分割された内部連結パターンを相互電気的に連結させる機能を行う。
前記第1パターン(110)と第2パターン(105)は相互バイアホール(107)により電気的に連結される。図2に例えて説明すると、バイアホールは内部連結パターンの形成された2個のセラミック層のうち上部に位置するセラミック層に形成される。バイアホールは分割された内部連結パターンを相互電気的に連結させる機能を行う。
f)前記セラミック基板を積層する段階;
前記のような段階を経たセラミック基板を適正の圧力で加圧しセラミックパッケージを形成する。この際、従来と異なりパッケージ内部にリーク経路が形成されることを防止するので、過度な積層圧力が不要になる利点がある。
本発明は特定の実施例に係り図示し説明したが、以下の特許請求の範囲により具備される本発明の精神や分野を外れない限度内において本発明が多様に改造及び変化されることは当業界において通常の知識を有する者であれば容易に想到できることを明かしておく。
前記のような段階を経たセラミック基板を適正の圧力で加圧しセラミックパッケージを形成する。この際、従来と異なりパッケージ内部にリーク経路が形成されることを防止するので、過度な積層圧力が不要になる利点がある。
本発明は特定の実施例に係り図示し説明したが、以下の特許請求の範囲により具備される本発明の精神や分野を外れない限度内において本発明が多様に改造及び変化されることは当業界において通常の知識を有する者であれば容易に想到できることを明かしておく。
100 キャビティ形成層
101 部品実装層
102 部品
104 接着手段
105、107、110 内部連結パターン
106 外部連結端子
108 内部連結端子
115 内部パターン
101 部品実装層
102 部品
104 接着手段
105、107、110 内部連結パターン
106 外部連結端子
108 内部連結端子
115 内部パターン
Claims (13)
- 内部に少なくとも一つの部品を内蔵するセラミックパッケージにおいて、
内部に前記部品が実装され得るキャビティが形成され、一部または全部に内部パターンの形成された多数個のセラミック層が積層されて成る積層体構造物と、
前記キャビティ内部の気密を維持すべく、前記積層体構造物のキャビティ上部に装着されるリードと、
前記積層体構造物の外部に形成される外部連結端子と、
前記外部連結端子と電気的に連結され、少なくとも2個のセラミック層に分割されて水平方向に形成される内部連結パターンと、
前記内部連結パターンの一部または全部及び前記部品と電気的に連結されるよう前記キャビティ内に形成される内部連結端子と、
を有することを特徴とするセラミックパッケージ。 - 前記分割された内部連結パターンはバイアホールにより相互電気的に連結されることを特徴とする請求項1に記載のセラミックパッケージ。
- 前記内部連結パターンは相互隣接したセラミック層に分割されて成ることを特徴とする請求項1に記載のセラミックパッケージ。
- 前記内部連結パターンは前記リードに隣接して形成される第1内部連結パターン及び前記内部連結端子と連結される第2内部連結パターンを有することを特徴とする請求項1に記載のセラミックパッケージ。
- 前記第2内部連結パターンは前記内部連結端子と電気的に連結されるよう同一層上に形成される第1パターン、及び前記外部連結端子と連結されて前記内部連結端子と異なる層上に形成される第2パターンを有することを特徴とする請求項4に記載のセラミックパッケージ。
- 前記第1内部連結パターンは前記リード実装層に形成される第1パターン、及び前記外部連結端子と連結されて前記第1パターン形成層と異なる層上に形成される第2パターンを有することを特徴とする請求項4に記載のセラミックパッケージ。
- 前記第2内部連結パターン下部のセラミック層には諸回路要素を具現する内部パターンが形成されることを特徴とする請求項4に記載のセラミックパッケージ。
- キャビティ内部に部品が実装され得るよう形成されるセラミックパッケージの製造方法において、
多数個のセラミック基板を設ける段階と、
前記多数個のセラミック基板のうち一部または全部に回路要素を具現するようパターン層を形成する段階と、
前記多数個のセラミック基板のうち一部に外部と信号を交換する外部連結端子及び前記部品と連結される内部連結端子を形成する段階と、
前記キャビティ上部面に実装されるリードまたは前記内部連結端子を前記外部連結端子と連結する内部連結パターンを少なくとも2個以上のセラミック基板上に分割して形成する段階と、
分割された前記内部連結パターンが相互電気的に連結されるよう内部連結パターンの形成されたセラミック基板のうち一部に導電性のバイアホールを形成する段階と、
前記セラミック基板を積層する段階と、
を有することを特徴とするセラミックパッケージの製造方法。 - 前記内部連結パターンは相互隣接したセラミック層に分割されて形成されることを特徴とする請求項8に記載のセラミックパッケージの製造方法。
- 前記内部連結パターンは前記リードに隣接して形成される第1内部連結パターン及び前記内部連結端子と連結される第2内部連結パターンを有することを特徴とする請求項8に記載のセラミックパッケージの製造方法。
- 前記第2内部連結パターンは前記内部連結端子と電気的に連結されるよう同一層上に形成される第1パターン、及び前記外部連結端子と連結されて前記内部連結端子と異なる層上に形成される第2パターンを有することを特徴とする請求項10に記載のセラミックパッケージの製造方法。
- 前記第1内部連結パターンは前記リード実装層に形成される第1パターン、及び前記外部連結端子と連結され前記第1パターン形成層と異なる層上に形成される第2パターンを有することを特徴とする請求項10に記載のセラミックパッケージの製造方法。
- 前記第2内部連結パターン下部のセラミック層には諸回路要素を具現する内部パターンが形成されることを特徴とする請求項10に記載のセラミックパッケージ。
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