JP6451744B2 - 圧電モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、圧電共振器と他の回路素子とが搭載された圧電モジュールに関する。
現在、圧電共振器を用いたフィルタが各種実用化されている。このように圧電共振器を含むフィルタ等の圧電モジュールでは、圧電共振器と、他の回路素子を一体化して構成することがある。ここで、他の回路素子としては、例えば、圧電共振器用の整合回路を構成するインダクタ、キャパシタ等である。
特許文献１に記載のフィルタは、基板の表面に圧電共振器およびキャパシタが形成されている。
特開２０１０−９３３９８号公報
しかしながら、特許文献１に記載されたフィルタの構成では、基板表面に回路素子が形成されているため、回路素子の耐候性が低く、別途耐候性を向上させる構造を追加しなければならない。
したがって、この発明の目的は、回路素子の耐候性を向上させた、信頼性の高い圧電モジュールを提供することにある。
この発明の圧電モジュールは、機能導体が形成された圧電薄膜と、支持基板と、圧電薄膜を支持基板に固定する固定層と、圧電薄膜と支持基板との間に配置された回路素子と、を備える。
この構成では、保護用の部材を別途設けることなく、回路素子の耐候性が向上する。
また、この発明の圧電モジュールでは、回路素子は、圧電薄膜または支持基板に形成された導体パターンからなることが好ましい。
この構成では、実装型部品を用いることなく回路素子が形成される。これにより、実装型部品を圧電薄膜または支持基板に実装する構造を用いなくてもよく、実装構造に起因する不良の発生を抑制できる。
また、この発明の圧電モジュールでは、圧電薄膜における共振器用電極が形成される面に直交する方向に視て、固定層は、機能導体が形成される領域を含む形状の空隙を備えていてもよい。
この構成では、圧電共振器の特性が向上する。したがって、信頼性が高く、より優れた特性を有する圧電モジュールを実現できる。
また、この発明の圧電モジュールでは、導体パターンは空隙と重なることが好ましい。
この構成では、回路素子と圧電共振器とが近接もしくは少なくとも部分的に重なる。したがって、圧電モジュールを小型に形成することができる。
また、この発明の圧電モジュールでは、導体パターンの形成領域は、機能導体の形成領域と重なっていることが好ましい。
この構成では、圧電モジュールをさらに小型に形成することができる。
また、この発明の圧電モジュールでは、導体パターンの形成領域の全体は、機能導体の形成領域と重なっている。
この構成では、圧電モジュールをより一層小型に形成することができる。
また、この発明の圧電モジュールでは、固定層は、音響インピーダンスが異なる複数種類の層を積層した音響反射層であってもよい。
この構成であっても、回路素子の耐候性が向上し、信頼性の高い圧電モジュールを実現できる。
この発明によれば、回路素子の耐候性を向上させた、信頼性の高い圧電モジュールを実現することができる。
本発明の第１の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る圧電モジュールにおける機能導体が形成される面および回路素子が形成される面の平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る圧電モジュールにおける層間配線の構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る圧電モジュールの製造方法における各工程での形状を示す側面断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る圧電モジュールの製造方法における各工程での形状を示す側面断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る圧電モジュールにおける機能導体が形成される面および回路素子が形成される面の平面図である。 本発明の第２の実施形態に係る圧電モジュールの製造方法における各工程での形状を示す側面断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る圧電モジュールにおける回路素子が形成される面の平面図である。 本発明の第５の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。 本発明の第６の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。 本発明の第７の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。 本発明の第８の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。
本発明の第１の実施形態に係る圧電モジュールについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図（図２におけるＡ−Ａ断面図に相当する。）である。図２（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る圧電モジュールにおける機能導体が形成される面の平面図である。図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る圧電モジュールにおける回路素子が形成される面の平面図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る圧電モジュールにおける層間配線の構成を示す断面図（図２におけるＢ−Ｂ断面図に相当する。）である。
圧電モジュール１０は、圧電薄膜２０、固定層３０、および支持基板４０を備える。固定層３０は、圧電薄膜２０の裏面に接着しており、固定層３０の裏面（圧電薄膜２０が当接する面と反対側の面）には、支持基板４０が接着している。この構成によって、圧電薄膜２０は、固定層３０によって支持基板４０に支持されている。
圧電薄膜２０は、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ３）、ＬＴ（ＬｉＴａＯ３）等の圧電体である。固定層３０は、ＳｉＯ２等の絶縁体である。支持基板４０は、Ｓｉ、サファイヤ、ガラス等である。
圧電薄膜２０の表面（固定層３０側の面と反対側の面）には、機能導体２１１，２１２が形成されている。機能導体２１１，２１２は平面視して櫛歯形状である。機能導体２１１，２１２は、所謂ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を形成するように配置されている。この構成により、圧電共振器が構成される。
圧電薄膜２０の表面には、配線導体２２１，２２２が形成されている。配線導体２２１は、機能導体２１１に接続されている。配線導体２２２は、機能導体２１２に接続されている。配線導体２２１，２２２は、機能導体２１１，２１２を外部回路に接続する導体である。機能導体２１１，２１２、配線導体２２１，２２２は、Ａｌ等の導電率の高い材料である。
固定層３０には、空隙３００が形成されている。空隙３００は、圧電薄膜２０、固定層３０および支持基板４０によって囲まれている。ただし、空隙３００は、圧電薄膜２０に設けられた貫通孔２００に挿通している。この貫通孔２００は、空隙３００を形成する際に利用されている。
支持基板４０の表面（固定層３０側）には、導体パターン５０が形成されている。導体パターン５０は、両端が引き回し導体であり、これら両端の引き回し導体の間の部分がミアンダ形状である。この構成によって、導体パターン５０は、インダクタとして機能する。導体パターン５０は、機能導体２１１，２１２および配線導体２２１，２２２と同様の材料である。
導体パターン５０におけるミアンダ形状の部分は、平面視して空隙３００の領域内に配置されている。さらに、導体パターン５０におけるミアンダ形状の部分は、機能導体２１１，２１２によって構成されるＩＤＴの領域と重なっている。
導体パターン５０の両端は、固定層３０および圧電薄膜２０を厚み方向に貫通する導電性ビアホール２４０によって、配線導体２２１，２２２に接続されている。
このような構成を用いることによって、圧電共振器に接続する回路素子であるインダクタが外部に露出しない。したがって、インダクタの耐候性を向上させることができる。
また、このような構成を用いることによって、インダクタと圧電共振器とが平面視して重なる。したがって、圧電共振器と、この圧電共振器に接続する周辺の回路素子とからなる共振回路の部分を小型にすることができる。さらに、このような構成を用いることによって、インダクタと圧電共振器とが略全面で重なる。したがって、圧電共振器と、この圧電共振器に接続する周辺の回路素子とからなる共振回路の部分をさらに小型にすることができる。
また、本実施形態の構成では、インダクタを構成する導体パターン５０と圧電共振器とが空隙３００によって離間されているので、それぞれの相互干渉を抑制することができる。
このような構成からなる圧電モジュール１０は、次に示す工程によって形成される。図４および図５は、本発明の第１の実施形態に係る圧電モジュールの製造方法における各工程での形状を示す側面断面図である。
図４（Ａ）に示すように、支持基板４０の表面に、導体パターン５０を形成する。次に、図４（Ｂ）に示すように、支持基板４０の表面に、犠牲層３１を形成する。犠牲層３１は、例えば、ＺｎＯである。
次に、図４（Ｃ）に示すように、支持基板４０の表面に固定層３０を形成する。固定層３０は、犠牲層３１を覆うように形成した後に、犠牲層３１の段差を平坦化することによって形成される。なお、犠牲層３１の表面に当接する固定層３０は、平坦化の際に全て削除しなくてもよい。
次に、図４（Ｄ）に示すように、平坦化された固定層３０および犠牲層３１の表面に、圧電基板Ｐ２０を接着する。次に、図５（Ａ）に示すように、圧電基板Ｐ２０を研磨等によって薄膜化し、圧電薄膜２０を形成する。
次に、図５（Ｂ）に示すように、圧電薄膜２０に機能導体２１１，２１２を形成する。この際、図示していないが、配線導体２２１，２２２も圧電薄膜２０に形成する。なお、導電性ビアホール２４０は、機能導体２１１，２１２および配線導体２２１，２２２の形成前に、圧電薄膜２０および固定層３０に形成する。
次に、図５（Ｃ）に示すように、圧電薄膜２０に貫通孔２００を形成する。そして、貫通孔２００を介して、犠牲層３１を除去する。例えば、犠牲層３１をウェットエッチングによって除去する。この処理によって、固定層３０には空隙３００が形成される。
以上の製造方法を得ることによって、圧電モジュール１０が形成される。
なお、本実施形態では、インダクタを形成する態様を示したが、キャパシタ、抵抗等の他の回路機能を有する素子を形成してもよい。また、本実施形態では、支持基板４０の表面に導体パターンを形成することによって、回路機能を有する素子を形成する態様を示したが、実装型の回路素子を用いてもよい。ただし、実装型の回路素子では、実装型の回路素子が実装される導体パターン、この導体パターンと実装型の回路素子を接合する接合部材を必要とする。したがって、導体パターンによって回路機能を有する素子を形成する態様の方が、実装による不具合が生じず、実装型の回路素子、接合部材を別に用いなくてもよい。
次に、本発明の第２の実施形態に係る圧電モジュールについて図を参照して説明する。図６は、本発明の第２の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。図７（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る圧電モジュールにおける機能導体が形成される面の平面図である。図７（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る圧電モジュールにおける回路素子が形成される面の平面図である。
本実施形態に係る圧電モジュール１０Ａは、回路素子を構成する導体パターン５０Ａおよび空隙３００Ａの構成が第１の実施形態に係る圧電モジュール１０と異なる。他の構成は、第１の実施形態に係る圧電モジュール１０と同じである。
導体パターン５０Ａは、圧電薄膜２０の裏面に形成されている。平面視して、導体パターン５０Ａは、伸長する方向の両端を除き、空隙３００Ａに重なっている。また、平面視して、導体パターン５０Ａは、ＩＤＴの領域と重なっていない。
この構成によって、本実施形態に係る圧電モジュール１０Ａは、圧電モジュール１０と同様に、信頼性が高く小型となる。
このような構成からなる圧電モジュール１０Ａは、次に示す工程によって形成される。図８は、本発明の第２の実施形態に係る圧電モジュールの製造方法における各工程での形状を示す側面断面図である。
図８（Ａ）に示すように、圧電基板Ｐ２０の裏面に導体パターン５０Ａを形成する。次に、図８（Ｂ）に示すように、圧電基板Ｐ２０の裏面に犠牲層３１Ａを形成する。この際、犠牲層３１Ａは、導体パターン５０Ａの両端以外を覆うように形成されている。
次に、図８（Ｃ）に示すように、固定層３０Ａを形成し、支持基板４０を固定層３０Ａおよび犠牲層３１Ａに接着する。
次に、図８（Ｄ）に示すように、圧電基板Ｐ２０を薄膜化して圧電薄膜２０を形成し、圧電薄膜２０の表面に機能導体２１１，２１２を形成する。
次に、図８（Ｅ）に示すように、圧電薄膜２０に貫通孔２００を形成し、犠牲層３１Ａを除去することによって、空隙３００Ａを形成する。
次に、本発明の第３の実施形態に係る圧電モジュールについて図を参照して説明する。図９は、本発明の第３の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。
本実施形態に係る圧電モジュール１０Ｂは、第１の実施形態に係る圧電モジュール１０に対して、固定層３０Ｂの形状が異なる。固定層３０Ｂは、導体パターン５０を覆うように、支持基板４０の表面の全面に形成されている。このような構成であっても、第１の実施形態に係る圧電モジュール１０と同様に、圧電モジュール１０Ｂは、信頼性が高く小型となる。
次に、本発明の第４の実施形態に係る圧電モジュールについて図を参照して説明する。図１０は、本発明の第４の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。図１１は、本発明の第４の実施形態に係る圧電モジュールにおける回路素子が形成される面の平面図である。
本実施形態に係る圧電モジュール１０Ｃは、第３の実施形態に係る圧電モジュール１０Ｂに対して、回路素子を構成する導体パターン５０Ｃの配置位置および形状が異なる。導体パターン５０Ｃは、固定層３０Ｃにおける空隙３００に重ならない位置に形成されている。この際、導体パターン５０Ｃは、空隙３００に近接し且つ空隙３００の外形に略沿う形状であるとよい。導体パターン５０Ｃはミアンダ形状からなる。
このような構成であっても、第３の実施形態に係る圧電モジュール１０Ｂと同様に、圧電モジュール１０Ｃは、信頼性が高く小型となる。このような構成とすることによって、導体パターン５０Ｃを長くすることができ、圧電モジュール１０Ｃの面積の増加を抑制しながら、インダクタンスを稼ぐことができる。
次に、本発明の第５の実施形態に係る圧電モジュールについて図を参照して説明する。図１２は、本発明の第５の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。
本実施形態に係る圧電モジュール１０Ｄは、第４の実施形態に係る圧電モジュール１０Ｃに対して、回路素子を構成する導体パターン５０Ｄの配置位置が異なる。導体パターン５０Ｄは、圧電薄膜２０の裏面に配置されている。このような構成であっても、第４の実施形態に係る圧電モジュール１０Ｃと同様に、圧電モジュール１０Ｄは、信頼性が高く小型となる。
次に、本発明の第６の実施形態に係る圧電モジュールについて図を参照して説明する。図１３は、本発明の第６の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。
本実施形態に係る圧電モジュール１０Ｅは、第４の実施形態に係る圧電モジュール１０Ｃに対して、空隙３００Ｅの形状が異なる。空隙３００Ｅは、固定層３０Ｅおよび支持基板４０を貫通する形状で形成されている。導体パターン５０Ｅは、導体パターン５０Ｃと同じ構成である。このような構成であっても、第４の実施形態に係る圧電モジュール１０Ｃと同様に、圧電モジュール１０Ｅは、信頼性が高く小型となる。また、犠牲層を形成することなく空隙を形成することができるので、簡素な製造工程によって、圧電モジュール１０Ｅを形成することができる。
次に、本発明の第７の実施形態に係る圧電モジュールについて図を参照して説明する。図１４は、本発明の第７の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。
本実施形態に係る圧電モジュール１０Ｆは、第６の実施形態に係る圧電モジュール１０Ｅに対して、回路素子を構成する導体パターン５０Ｆの配置位置が異なる。導体パターン５０Ｆは、圧電薄膜２０の裏面に配置されている。このような構成であっても、第６の実施形態に係る圧電モジュール１０Ｅと同様に、圧電モジュール１０Ｆは、信頼性が高く小型となる。
次に、本発明の第８の実施形態に係る圧電モジュールについて図を参照して説明する。図１５は、本発明の第８の実施形態に係る圧電モジュールの構成を示す側面断面図である。
本実施形態に係る圧電モジュール１０Ｇは、第５の実施形態に係る圧電モジュール１０Ｄに対して、固定層３０が音響反射層６０によって形成されている点で異なる。
音響反射層６０は、音響インピーダンスが異なる複数の層を積層することによって形成されている。低音響インピーダンス層は、例えばＳｉＯ ２ であり、高音響インピーダンス層は、例えばＷ等の金属、または、ＡｌＮ，ＳｉＮ等の誘電体である。音響反射層６０は、接着層６１によって支持基板４０に接着されている。
このような構成であっても、第５の実施形態に係る圧電モジュール１０Ｄと同様に、圧電モジュール１０Ｇは、信頼性が高く小型となる。
なお、導体パターン５０Ｇは、音響反射層６０を構成するいずれの層に設けてもよい。
また、上述の各実施形態では、表面弾性波共振器を構成する態様を示したが、板波共振器、バルク波共振器を構成する態様に対しても、上述の導体パターンの形成態様を適用することができる。
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ：圧電モジュール
２０：圧電薄膜
３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｅ：固定層
３１，３１Ａ：犠牲層
４０：支持基板
５０，５０Ａ，５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆ：導体パターン
６０：音響反射層
６１：接着層
２００：貫通孔
２１１，２１２：機能導体
２２１，２２２：配線導体
２４０：導電性ビアホール
３００，３００Ａ，３００Ｅ：空隙

Claims (4)

  1. 互いに背向する一方主面及び他方主面を有する圧電薄膜と、
    前記一方主面に形成された機能導体と、
    前記他方主面側に位置する支持基板と、
    前記圧電薄膜を前記支持基板に固定する固定層と、
    前記圧電薄膜と前記支持基板との間に配置された回路素子と、
    前記固定層および前記圧電薄膜を厚み方向に貫通する導電性ビアホールと、
    前記一方主面に配置され、前記機能導体及び前記導電性ビアホールと接続されている配線導体と、
    を備え、
    前記圧電薄膜、前記固定層および前記支持基板によって囲まれている空隙を有し、
    前記回路素子は、インダクタとして機能する導体パターンを有し、
    前記導体パターンにおいて前記インダクタとして機能する部分は、前記空隙内に配置されており、
    前記導体パターンの両端は、前記導電性ビアホールと接続されている、圧電モジュール。
  2. 前記回路素子は、前記圧電薄膜または前記支持基板に形成された導体パターンからなる、
    請求項１に記載の圧電モジュール。
  3. 前記導体パターンの形成領域は、前記機能導体の形成領域と重なっている、
    請求項１または２に記載の圧電モジュール。
  4. 前記導体パターンの形成領域の全体は、前記機能導体の形成領域と重なっている、
    請求項３に記載の圧電モジュール。
JP2016556523A 2014-10-29 2015-10-22 圧電モジュール Active JP6451744B2 (ja)

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6427075B2 (ja) * 2015-07-08 2018-11-21 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、分波器、及びモジュール
WO2018143044A1 (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
CN116438739A (zh) * 2020-10-23 2023-07-14 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN116472670A (zh) * 2020-11-11 2023-07-21 株式会社村田制作所 弹性波装置
WO2022131216A1 (ja) * 2020-12-14 2022-06-23 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022168937A1 (ja) * 2021-02-05 2022-08-11 株式会社村田製作所 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
WO2023140362A1 (ja) * 2022-01-21 2023-07-27 株式会社村田製作所 弾性波装置および弾性波装置の製造方法
WO2023157958A1 (ja) * 2022-02-18 2023-08-24 株式会社村田製作所 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63187713A (ja) * 1987-01-29 1988-08-03 Toshiba Corp 集積型圧電薄膜機能素子
JP3473485B2 (ja) 1999-04-08 2003-12-02 日本電気株式会社 薄膜抵抗体およびその製造方法
JP2004129223A (ja) * 2002-07-31 2004-04-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品およびその製造方法
DE602004027372D1 (de) * 2003-05-26 2010-07-08 Murata Manufacturing Co Piezoelektrische elektronische komponente
KR100485702B1 (ko) * 2003-05-29 2005-04-28 삼성전자주식회사 지지대를 갖는 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법
JP2005286658A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP4342370B2 (ja) * 2004-04-19 2009-10-14 株式会社東芝 高周波集積回路装置
JP4149416B2 (ja) * 2004-05-31 2008-09-10 富士通メディアデバイス株式会社 圧電薄膜共振子およびフィルタならびにそれらの製造方法
WO2006114829A1 (ja) * 2005-04-06 2006-11-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 表面波センサ装置
KR100691160B1 (ko) * 2005-05-06 2007-03-09 삼성전기주식회사 적층형 표면탄성파 패키지 및 그 제조방법
KR100747975B1 (ko) * 2005-09-13 2007-08-08 엘지이노텍 주식회사 프론트앤드모듈
KR100808760B1 (ko) * 2005-09-14 2008-02-29 세이코 엡슨 가부시키가이샤 도통구멍 형성 방법, 및 압전 디바이스의 제조 방법, 및압전 디바이스
JP4517992B2 (ja) * 2005-09-14 2010-08-04 セイコーエプソン株式会社 導通孔形成方法、並びに圧電デバイスの製造方法、及び圧電デバイス
JP2007143127A (ja) * 2005-10-20 2007-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合ｒｆデバイスとその製造方法
US20070093229A1 (en) 2005-10-20 2007-04-26 Takehiko Yamakawa Complex RF device and method for manufacturing the same
JP4791181B2 (ja) * 2005-12-28 2011-10-12 京セラ株式会社 薄膜バルク音響波共振子、それを備えるフィルタおよび通信装置ならびに薄膜バルク音響波共振子の製造方法
JP4773836B2 (ja) * 2006-02-08 2011-09-14 旭化成エレクトロニクス株式会社 薄膜バルク弾性波発振器、および、その製造方法
JP4997961B2 (ja) * 2006-12-26 2012-08-15 宇部興産株式会社 集積化分波器
DE102007020288B4 (de) * 2007-04-30 2013-12-12 Epcos Ag Elektrisches Bauelement
JP2008154240A (ja) 2007-12-17 2008-07-03 Kyocera Corp 共振器および電子機器
JP4468436B2 (ja) * 2007-12-25 2010-05-26 富士通メディアデバイス株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP5286016B2 (ja) 2008-10-03 2013-09-11 京セラ株式会社 フィルタおよびデュプレクサ、ならびにフィルタの製造方法
DE112010000861B4 (de) * 2009-01-15 2016-12-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischenBauelements
US9136819B2 (en) * 2012-10-27 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator having piezoelectric layer with multiple dopants
WO2012114931A1 (ja) 2011-02-25 2012-08-30 株式会社村田製作所 可変容量素子及びチューナブルフィルタ
JP2013258571A (ja) * 2012-06-13 2013-12-26 Seiko Epson Corp 振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器及び移動体
DE102012108035B4 (de) 2012-08-30 2016-06-16 Epcos Ag Kondensator mit verbessertem linearen Verhalten
JP2014135448A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Taiyo Yuden Co Ltd 電子部品
DE102013102210B4 (de) * 2013-03-06 2016-04-07 Epcos Ag Zur Miniaturisierung geeignetes elektrisches Bauelement mit verringerter Verkopplung
US10164602B2 (en) * 2015-09-14 2018-12-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic wave device and method of manufacturing the same

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