JP2019521995A - 有機発光ダイオード用の特定位置が置換されたベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリン - Google Patents

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Abstract

特定位置が置換されたベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリン及び電子機器、特にエレクトロルミネッセンス素子への用途。エレクトロルミネッセンス素子の電荷輸送材料、電荷阻止材料及び／又はホスト材料として用いると、特定位置が置換されたベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリンは、エレクトロルミネッセンス素子の効率、安定性、生産性、又はスペクトル性状を改善し、エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧を低下させる。

Description

本発明は、特定位置が置換されたベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリン及び電子機器、特にエレクトロルミネッセンス素子におけるその用途に関する。エレクトロルミネッセンス素子の電荷輸送材料、電荷阻止材料及び／又はホスト材料として使用すると、該特定位置が置換されたベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリンはエレクトロルミネッセンス素子の効率、安定性、生産性、又はスペクトル性状を改善し、エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧を低減する。
特許文献１は式Ａの有機光学化合物を含む有機層を有する有機光学デバイスに関する。

式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４はそれぞれ０（ゼロ）、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｏ、Ｃ又はＮである。ただし、Ｘ１とＸ２の一方が０のとき、他方は０ではなく、又、Ｘ３とＸ４の一方が０のとき、他方は０ではない。しかし、特定の位置にＮを有するベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリンは開示されていない。
特許文献２はトリフェニレン部位とベンゾ−又はジベンゾ部位、特に、縮合基を有するベンゾ−又はジベンゾ部位を有する化合物を開示している。該化合物は、特に、黄色、オレンジ又は赤色発光材料と組み合わせて有機発光素子に使用される。多数の具体例には下記式の化合物が含まれている。

しかし、特定の位置にＮを有するベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリンは開示されていない。
特許文献３は式Ｆの有機光学化合物を含む有機層を有する有機光学デバイスに関する。

該化合物の具体例として下記化合物が記載されている。

しかし、特定の位置にＮを有するベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリンは開示されていない。
特許文献４は下記式の有機光学化合物、特に、チオフェン誘導体、及び、前記化合物を少なくとも１種含む有機層を有する有機光学デバイスに関する。

具体的に記載されている多くの化合物には下記の化合物が含まれている。

しかし、特定の位置にＮを有するベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリンは開示されていない。
特許文献５は式１のヘテロ環化合物及び該化合物を含む有機発光素子に関する。

しかし、特定の位置にＮを有するベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリンは開示されていない。
特許文献６は式（Ｉ）のヘテロ環化合物及び式（Ｉ）の化合物を含む有機層を有する有機発光素子に関する。

式中、Ａ１、Ａ２、Ｂ１及びＢ２は任意の環を表す。
しかし、特定の位置にＮを有するベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリンは開示されていない。
特許文献７は式（１）のヘテロ環化合物及び該化合物を含む有機発光素子に関する。

式中、Ａｒ２は下記構造から得られる種々の置換基である。

しかし、特定の位置にＮを有するベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリンは開示されていない。
特許文献８は下記式（１）、（２）又は（３）で表される有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、該材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、及び該材料を含む電子機器に関する。

式中、Ａ１〜Ａ１８はＨ、ＣＲ１又はＮであり、Ｂ１〜Ｂ３はＨ、ＣＲ２又はＮである。
ただし、
（１）式（１）中のＡ１〜Ａ８、Ｂ１及びＢ２の少なくとも１つはＮであり、
（２）式（２）中のＡ１〜Ａ３、Ａ９〜Ａ１３、Ｂ１及びＢ２の少なくとも１つはＮであり、
（３）式（３）中のＡ１〜Ａ３、Ａ１４〜Ａ１８、Ｂ１及びＢ３の少なくとも１つはＮである。
多くの具体例が記載されているが、Ｎの位置に言及した記載はなく、具体的に記載された化合物は、ほとんどの場合、位置Ａ２で置換されている。
しかし、特定の位置にＮを有するベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリン及び特定の置換パターンは具体的に開示されていない。
特許文献９は下記式のベンゾフロ−又はベンゾチエノイソキノリン及び該化合物を含む有機発光素子に関する。

しかし、特定の位置にＮを有するベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリン及び特定の置換パターンは具体的に開示されていない。
ＫＲ２０１１００８３４４２ ＵＳ２０１１０２６６５２６ ＫＲ２０１２０１０４０６４ ＫＲ２０１４０１０３００７ ＵＳ２０１４０１１７３３１ ＵＳ２０１４００３４９１５ ＷＯ２０１４／０２４７５０Ａ１ ＷＯ２０１４／１９９６３７Ａ１ ＷＯ２０１５／１９９４８９Ａ２
これらの開発にもかかわらず、エレクトロルミネッセンス素子の寿命、効率、安定性、生産性、駆動電圧及び／又はスペクトル性状を改善するために、新規材料、特にホスト（マトリックス）材料、電荷輸送材料、すなわち正孔輸送材料及び電子輸送材料、及び／又は電荷／エキシトン阻止材料、すなわち電子／エキシトン阻止材料及び正孔／エキシトン阻止材料を含む有機発光素子が依然として求められている。
従って、上記関連技術に鑑み、本発明の目的は、ＯＬＥＤへの使用に適した材料をさらに提供し、有機エレクトロニクス分野での用途をさらに提供することである。より詳しくは、ＯＬＥＤに使用する電荷輸送材料、すなわち正孔輸送材料及び電子輸送材料、及び／又は電荷／エキシトン阻止材料、すなわち電子／エキシトン阻止材料及び正孔／エキシトン阻止材料、及びホスト（マトリックス）材料を提供することである。該材料は、少なくとも１種の発光材料、すなわち燐光発光材料及び／又は蛍光発光材料、例えば、少なくとも１種の青色、緑色、赤色、又は黄色発光材料、特に、少なくとも１種の青色発光材料（蛍光材料）、少なくとも１種の緑色発光材料、又は少なくとも１種の赤色発光材料を含むＯＬＥＤに特に適している。
さらに、前記材料は良好な効率、良好な使用寿命、熱ストレスに対する高い安定性、低い電圧使用量及び低駆動電圧を示すＯＬＥＤの製造に適している。
前記目的は式（１）のヘテロ環誘導体により解決される。

（式中、
ＸはＯ又はＳであり；
Ａ１はＮ又はＣＲＡ１であり；
Ａ２はＮ又はＣＲＡ２である；
ただし、Ａ１とＡ２の少なくとも一つはＮ、好ましくは、Ａ１はＮでありＡ２はＣＲＡ２であるか、又は、Ａ１はＣＲＡ１でありＡ２はＮである；
Ｂ１はＣＲ１又はＮであり；
Ｂ２はＣＨ又はＮであり；
Ｂ３はＣＲ３又はＮであり；
Ｂ４はＣＲ４又はＮであり；
Ｂ５はＣＲ５又はＮであり；
Ｂ６はＣＲ６又はＮであり；
Ｂ７はＣＲ７又はＮであり；
Ｂ８はＣＲ８又はＮである；
ただし、Ｂ１とＢ２又はＢ２とＢ３又はＢ３とＢ４は任意に結合して６員環構造を形成し；
及び／又は、
Ｂ５とＢ６又はＢ６とＢ７又はＢ７とＢ８は任意に結合して６員環構造を形成し；
ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して、Ｈ；Ｅ；−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基；又は無置換、もしくは少なくとも一つのＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり；
ただし、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の少なくとも一つは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり；
ｏは０又は１、ｐは０又は１、ｑは０又は１、ｒは０又は１、好ましくは、ｏは０又は１、ｐは０又は１、ｑは０、及びｒは０であり；
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４は、それぞれ独立して、無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリーレン基又は無置換もしくはＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリーレン基であり；
Ｒ２０はＨ；Ｅ；無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ６０アリール基；無置換もしくはＧで置換されたＣ１−Ｃ６０ヘテロアリール基；又は無置換、もしくは少なくとも一つのＧで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり；
Ｄは、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−ＣＲ６３＝ＣＲ６４−、−ＮＲ６５−、−ＳｉＲ７０Ｒ７１−、−ＰＯＲ７３−、又は−Ｃ≡Ｃ−、好ましくは−Ｏ−、−ＮＲ６５−、又は−ＳｉＲ７０Ｒ７１−であり；
Ｅは−ＯＲ６９、−ＳＲ６９、−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＯＲ６８、−ＣＯＯＲ６７、−ＣＯＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、ハロゲン、又は−ＰＯＲ７４Ｒ７５；好ましくは−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、又は−ＰＯＲ７４Ｒ７５であり；
ＧはＥ；Ｃ１−Ｃ２４アルキル基；Ｏにより分断されたＣ１−Ｃ２４アルキル基；Ｃ６−Ｃ６０アリール基；Ｆ、−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ（ＣＦ３）２、−（ＣＦ２）３ＣＦ３、−Ｃ（ＣＦ３）３、Ｃ１−Ｃ２４アルキル基、又はＯにより分断されたＣ１−Ｃ２４アルキル基で置換されたＣ６−Ｃ６０アリール基；Ｃ２−Ｃ６０ヘテロアリール基；又はＦ、−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ（ＣＦ３）２、−（ＣＦ２）３ＣＦ３、−Ｃ（ＣＦ３）３、Ｃ１−Ｃ２４アルキル基、又はＯにより分断されたＣ１−Ｃ２４アルキル基で置換されたＣ２−Ｃ６０ヘテロアリール基であり；
Ｒ６３及びＲ６４は、それぞれ独立して、Ｃ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基；又はＨであり；
Ｒ６５及びＲ６６は、それぞれ独立して、Ｃ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であるか；又は
Ｒ６５とＲ６６は結合して置換又はベンゼン環が縮合してもよい５又は６員環を形成し（例えば、カルバゾール）；
Ｒ６７はＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であり；
Ｒ６８はＨ；Ｃ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であり；
Ｒ６９はＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であり；
Ｒ７０、Ｒ７１及びＲ７２は、それぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１８アルキル基、Ｃ６−Ｃ１８アリール基、又はＣ１−Ｃ１８アルキル基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基であり；
Ｒ７３、Ｒ７４、及びＲ７５は、それぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１８アルキル基、Ｃ６−Ｃ１８アリール基、又はＣ１−Ｃ１８アルキル基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基である；
ただし、Ａ１がＣＲＡ１、Ａ２がＮである場合、Ｂ３はＣＨ又はＮであり、かつ、Ｒ６及びＲ７の定義中のｏ、ｐ、ｑ及びｒは０である。
式（１）のベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリンの特定の置換により、材料、特に、ホスト、電荷輸送又は電荷阻止材料が得られる。該材料は、青色、緑色、赤色、又は黄色発光素子、好ましくは青色、緑色、又は赤色発光素子、より好ましくは青色及び赤色発光素子に特に適している。さらに、素子中でのバランスがとれた電荷輸送、すなわち正孔輸送又は電子輸送、及び／又は電荷／エキシトン阻止、すなわち電子／エキシトン阻止又は正孔／エキシトン阻止が達成され、その結果、低電圧及び高い外部量子効率（ＥＱＥ）及び／又は長寿命が得られる。
特に、本発明の式（１）の化合物は当該技術分野で知られている類似化合物よりも少ない工程で合成することができる。
は本発明の有機ＥＬ素子の一例の構成を示す概略図である。
本発明の式（１）の特定位置が置換された化合物は、関連技術分野で知られている化合物よりも高い三重項エネルギーを有することが特徴である。又、本発明の特定位置が置換された化合物のガラス転移温度（ＴＧ）は高いので、該化合物を含む素子の安定性が高くなる。
本発明の化合物は、電子写真の光受容体、光電コンバーター、有機太陽電池（有機光電変換）、スイッチ素子（例えば、有機ＦＥＴ、有機ＴＦＴなどの有機トランジスター）、有機発光電界効果トランジスター（ＯＬＥＦＥＴ）、イメージセンサー、色素レーザー、及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などのエレクトロルミネッセンス素子に使用することができる。
従って、本発明はさらに本発明の化合物を含む電子機器に関する。該電子機器は好ましくは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などのエレクトロルミネッセンス素子である。
式（１）の化合物は原則としてＥＬ素子のいずれの層にも使用することができるが、好ましくは、ホスト材料、電荷輸送材料、すなわち正孔輸送又は電子輸送材料、及び／又は電荷／エキシトン阻止材料、すなわち電子／エキシトン阻止又は正孔／エキシトン阻止材料として使用される。特に、式（１）の化合物は、緑色、赤色、及び黄色、好ましくは緑色及び赤色、より好ましくは赤色発光の燐光又は蛍光発光材料、好ましくは燐光発光材料のホスト材料として、及び／又は、燐光又は蛍光発光材料、好ましくは蛍光発光材料と組み合わせて電子輸送材料として使用される。
従って、本発明はさらに、本発明の式（１）の化合物を含む電荷輸送層、すなわち正孔輸送層又は電子輸送層、好ましくは電子輸送層に関する。
本発明はさらに、本発明の式（１）の化合物を含む電荷／エキシトン阻止層、すなわち電子／エキシトン阻止層又は正孔／エキシトン阻止層、好ましくは正孔／エキシトン阻止層に関する。
本発明はさらに、本発明の式（１）の化合物を含む発光層に関する。この態様において、式（１）の化合物は、１種以上、好ましくは１種の他のホスト材料と共にホスト材料又はコホスト材料として使用される。式（１）の化合物とコホスト材料との組み合わせを燐光発光材料と共に用いることがより好ましい。
本発明はさらに、本発明の式（１）の化合物を含む正孔／エキシトン阻止層に関する。
本発明はさらに、本発明の式（１）の化合物を含む電子／エキシトン阻止層に関する。
ハロゲン、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、アリール、アリールオキシ、アラルキル、ヘテロアリール、アリーレン、ヘテロアリーレンは当該技術分野で知られている用語であり、以下に記載する特定の態様において特に明記しない限り、一般的に下記の意味を有する。
ハロゲンはフッ素、塩素、臭素、又はヨウ素であり、好ましくはフッ素である。
Ｃ１−Ｃ２５アルキル基、好ましくはＣ１−Ｃ２４アルキル基、及びより好ましくはＣ１−Ｃ１８アルキル基は、直鎖状又は分岐状であり、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２，２−ジメチルプロピル、１，１，３，３−テトラメチルペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルヘキシル、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルヘキシル、ｎ−ヘプチル、イソヘプチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、１−メチルヘプチル、３−メチルヘプチル、ｎ−オクチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、２−エチルヘキシル、ｎ−ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、又はオクタデシルである。Ｃ１−Ｃ８アルキルは、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２，２−ジメチル−プロピル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、又は２−エチルヘキシルである。Ｃ１−Ｃ４アルキルは、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、又はｔｅｒｔ−ブチルである。
上記アルキル基は、任意にＥで置換されていてもよく、及び／又は、Ｄにより分断されていてもよい。好ましくは、上記アルキル基は、無置換であるかＥで置換されている。
Ｃ１−Ｃ２５アルコキシ基、好ましくはＣ１−Ｃ１８アルコキシ基は直鎖又は分岐アルコキシ基であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシ、ｔｅｒｔ−アミルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、イソオクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、テトラデシルオキシ、ペンタデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、ヘプタデシルオキシ、オクタデシルオキシが挙げられる。Ｃ１−Ｃ８アルコキシとしては、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、２−ペンチルオキシ、３−ペンチルオキシ、２，２−ジメチルプロポキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、ｎ−ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、１，１，３，３−テトラメチルブトキシ、及び２−エチルヘキシルオキシが挙げられる。Ｃ１−Ｃ４アルコキシとしては、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、イソブトキシ、及びｔｅｒｔ−ブトキシが挙げられる。
“シクロアルキル基”は好ましくはＣ５−Ｃ１２シクロアルキルであり、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、シクロウンデシル、シクロドデシル、好ましくはシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、又はシクロオクチルである。各基は無置換であってもＧで置換されていてもよい。
Ｃ６−Ｃ６０アリール、好ましくはＣ６−Ｃ３０アリール、より好ましくはＣ６−Ｃ２４アリール、最も好ましくはＣ６−Ｃ１８アリールは、無置換でも任意にＧで置換されていてもよく、最も好ましくは、フェニル、４−メチルフェニル、４−メトキシフェニル、ナフチル、特に、１−ナフチル又は２−ナフチル、ビフェニリル、トリフェニレニル、フルオランテニル、ターフェニリル、ピレニル、２−又は９−フルオレニル、フェナントリル、又はアントリルであり、無置換でもＧで置換されていてもよい。Ｃ６−Ｃ１０アリール基の例はフェニル、１−ナフチル及び２−ナフチルである。
Ｃ１−Ｃ６０ヘテロアリール、好ましくはＣ１−Ｃ３０ヘテロアリール、より好ましくはＣ２−Ｃ１３ヘテロアリールは、環形成原子数５、６又は７の環又は縮合環であり、可能なヘテロ原子は、窒素、酸素、又は硫黄であり、特に原子数５〜６０、好ましくは５〜３０、より好ましくは５〜１３であり、少なくとも６個の共役π電子を有するヘテロ環基であり、例えば、チエニル、ベンゾチオフェニル、ジベンゾチオフェニル、チアントレニル、フリル、フルフリル、２Ｈ−ピラニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、フェノキシチエニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ビピリジル、トリアジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリダジニル、インドリジニル、イソインドリル、インドリル、インダゾリル、プリニル、キノリジニル、キノリル、イソキノリル、フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリニル、キナゾリニル、シンノリニル、プテリジニル、カルバゾリル、カルボリニル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾキサゾリル、フェナントリジニル、アクリジニル、ピリミジニル、フェナントロリニル、フェナジニル、イソチアゾリル、フェノチアジニル、イソキサゾリル、フラザニル、４−イミダゾ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾリル、５−ベンゾイミダゾ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾリル、ベンゾイミダゾロ［２，１−ｂ］［１，３］ベンゾチアゾリル、カルバゾリル、アザトリフェニレニル、アザジベンゾフリル、アザジベンゾチオフェニル、アザカルバゾリル、キノリニル、イソキノリニル、キノキサリニル、キナゾリニル、フェナントロリニル、フェナントリジニル、ベンゾ［ｈ］キノリニル、ベンゾ［ｈ］イソキノリニル、ベンゾ［ｆ］イソキノリニル、ベンゾ［ｆ］キノリニル、ベンゾ［ｈ］キナゾリニル、ベンゾ［ｆ］キナゾリニル、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリニル、ジベンゾ［ｆ，ｈ］イソキノリニル、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリニル、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キナゾリニル、フェノキサジニルが挙げられ、これらは無置換でもＧで置換されていてもよい。Ｃ２−Ｃ１４ヘテロアリール基の例としては、ベンゾイミダゾ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾ−５−イル、ベンゾイミダゾ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾ−２−イル、カルバゾリル、及びジベンゾフラニルが挙げられる。
Ｃ１−Ｃ６０ヘテロアリール、好ましくはＣ１−Ｃ３０ヘテロアリール、より好ましくはＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール、最も好ましくはＣ２−Ｃ１３ ヘテロアリール、さらに好ましくはＣ２−Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ２−Ｃ３０ヘテロアリール、Ｃ２−Ｃ２４ヘテロアリール、Ｃ２−Ｃ１３ヘテロアリールは無置換でもＧで置換されていてもよい。
Ｃ２−Ｃ１３ヘテロアリール基、例えば、ベンゾイミダゾ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾ−５−イル、ベンゾイミダゾ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾ−２−イル、ベンゾイミダゾロ［２，１−ｂ］［１，３］ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾロ［２，１−ｂ］［１，３］ベンゾキサゾール、カルバゾリル、ジベンゾフラニル、又はジベンゾチオフェニルであり、これらは無置換でも任意にＧ、特に、Ｃ６−Ｃ１０アリール、Ｃ１−Ｃ４アルキルで置換されたＣ６−Ｃ１０アリール、又はＣ２−Ｃ１３ヘテロアリールで置換されていてもよい。

Ｃ１−Ｃ６０ヘテロアリール、好ましくはＣ１−Ｃ３０ヘテロアリール、より好ましくはＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール、最も好ましくはＣ２−Ｃ１３ヘテロアリール、さらに好ましくはＣ２−Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ２−Ｃ３０ヘテロアリール、Ｃ２−Ｃ２４ヘテロアリール、Ｃ２−Ｃ１３ヘテロアリールは、少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つの炭素原子と最大６０個の炭素原子を基本骨格（置換基は除く）に有するヘテロアリール残基を意味する。ヘテロアリール基本骨格中の他の原子はヘテロ原子（Ｎ、Ｏ及び／又はＳ）である。
Ｒ２４’は、それぞれ独立に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ヘキシル、オクチル、２−エチル−ヘキシルなどのＣ１−Ｃ１８アルキル基、又はフェニル、トリル、ナフチル、フェナントロニル、トリフェニレニル、フルオランテニル、ビフェニリルなどのＣ６−Ｃ１４アリールである。
Ｃ１−Ｃ２４ヘテロ環基、好ましくはＣ１−Ｃ１３ヘテロ環基、より好ましくはＣ２−Ｃ１３ヘテロ環基は、環形成原子数５、６又は７の環又は縮合環であり、可能なヘテロ原子としては窒素、酸素又は硫黄が挙げられ、典型的には原子数５〜２４、好ましくは６〜１３のヘテロ環基である。該ヘテロ環基は、上記したＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基又は無置換もしくはＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロシクロアルキル基であってもよい。典型的なＣ１−Ｃ２４ヘテロシクロアルキル基としては、オキセタン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、オキセパン、ジオキサン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、ヘキサヒドロアゼピン、ヘキサヒドロジアゼピン、テトラヒドロチオフェン、チエタン、テトラヒドロチオピラン、チエパン、モルフォリン、及び、オキサビシクロ［４．４．０］デカン、アザビシクロ［２，２，１］ウンデカンなどの架橋ヘテロシクロアルキル構造が挙げられる。
Ｃ６−Ｃ２４アリーレン基、好ましくは任意にＧで置換されていてもよいＣ６−Ｃ１０アリーレン基、、好ましくは任意にＧで置換されていてもよいＣ６−Ｃ１０アリーレン基は、より好ましくはフェニレン、４−メチルフェニレン、４−メトキシフェニレン、ナフチレン、特に１−ナフチレン又は２−ナフチレン、ビフェニリレン、トリフェニレニレン、フルオランテニレン、ターフェニリレン、ピレニレン、２−又は９−フルオレニレン、フェナントリレン、又はアントリレンであり、各基は無置換もしくはＧで置換されていてもよい。好ましいＣ６−Ｃ２４アリーレン基、好ましくはＣ６−Ｃ１０アリーレン基は、１，３−フェニレン、３，３’−ビフェニリレン、３，３’−ｍ−ターフェニレン、２−又は９−フルオレニレン、フェナントリレンであり、各基は無置換もしくはＧで置換されていてもよい。
無置換もしくはＧで置換されたＣ１−Ｃ３０ヘテロアリーレン基、好ましくは無置換もしくはＧで置換されたＣ２−Ｃ１４ヘテロアリーレン基は、環形成原子数５〜７の環又は縮合環構造であり、可能なヘテロ原子は窒素、酸素又は硫黄であり、典型的には少なくとも６個の共役電子を有する原子数５〜３０のヘテロ環基、例えば、チエニレン、ベンゾチオフェニレン、ジベンゾチオフェニレン、チアントレニレン、フリレン、フルフリレン、２Ｈ−ピラニレン、ベンゾフラニレン、イソベンゾフラニレン、ジベンゾフラニレン、フェノキシチエニレン、ピロリレン、イミダゾリレン、ピラゾリレン、ピリジレン、ビピリジレン、トリアジニレン、ピリミジニレン、ピラジニレン、ピリダジニレン、インドリジニレン、イソインドリレン、インドリレン、インダゾリレン、プリニレン、キノリジニレン、キノリレン、イソキノリレン、フタラジニレン、ナフチリジニレン、キノキサリニレン、キナゾリニレン、シンノリニレン、プテリジニレン、カルボリニレン、ベンゾトリアゾリレン、ベンゾキサゾリレン、フェナントリジニレン、アクリジニレン、ピリミジニレン、フェナントロリニレン、フェナジニレン、イソチアゾリレン、フェノチアジニレン、イソキサゾリレン、フラザニレン、カルバゾリレン、ベンゾイミダゾ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾ−２，５−イレン、又はフェノキサジニレンであり、各基は無置換もしくはＧで置換されていてもよい。好ましいＣ２−Ｃ３０ヘテロアリーレン基は、ピリジレン、トリアジニレン、ピリミジニレン、カルバゾリレン、ジベンゾフラニレン、アザトリフェニレニレン、アザジベンゾフリレン、アザジベンゾチオフェニレン、アザカルバゾリレン、キノリニレン、イソキノリニレン、キノキサリニレン、キナゾリニレン、フェナントロリニレン、フェナントリジニレン、ベンゾ［ｈ］キノリニレン、ベンゾ［ｈ］イソキノリニレン、ベンゾ［ｆ］イソキノリニレン、ベンゾ［ｆ］キノリニレン、ベンゾ［ｈ］キナゾリニレン、ベンゾ［ｆ］キナゾリニレン、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリニレン、ジベンゾ［ｆ，ｈ］イソキノリニレン、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリニレン、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キナゾリニレン、及びベンゾイミダゾ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾ−２，５−イレンであり、各基は無置換もしくはＧ、好ましくはＣ６−Ｃ１０アリール、Ｃ１−Ｃ４アルキルで置換されたＣ６−Ｃ１０アリール、又はＣ２−Ｃ１３ヘテロアリールで置換されていてもよい。
一つの基が２以上の置換基を有する場合、該置換基は異なっていてもよい。
ハロ−Ｃ１−Ｃ８アルキルは、上記したアルキル基の少なくとも一つの水素原子がハロゲン原子で置換された基であり、例えば、−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ（ＣＦ３）２、−（ＣＦ２）３ＣＦ３、−Ｃ（ＣＦ３）３が挙げられる。
“Ｇで置換された”とは、１以上、特に１、２又は３個の置換基Ｇが存在することを意味する。好ましい置換基Ｇは後述する。
“Ｅで置換された”とは、１以上、特に１、２又は３個の置換基Ｅが存在することを意味する。好ましい置換基Ｅは後述する。
上記したように、前記アルキル基はＥで置換されていてもよいし、及び／又は、必要であれば、Ｄにより分断されていてもよい。分断はもちろん単結合を介して互いに結合した少なくとも２個の炭素原子を含む場合に可能であり、Ｃ６−Ｃ１８アリールは分断されないし、分断されたアリールアルキルはアルキル部位にＤを含む。Ｅで置換された、及び／又は、１個以上のＤにより分断されたＣ１−Ｃ１８アルキルとしては、例えば、（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）１−９−Ｒｘ（ＲｘはＨ、Ｃ１−Ｃ１０アルキル、又はＣ２−Ｃ１０アルカノイル（例えば、ＣＯ−ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ４Ｈ９））、ＣＨ２−ＣＨ（ＯＲｙ’）−ＣＨ２−Ｏ−Ｒｙ、（ＲｙはＣ１−Ｃ１８アルキル、Ｃ５−Ｃ１２シクロアルキル、フェニル、又はＣ７−Ｃ１５フェニルアルキル、及びＲｙ’はＲｙと同じ定義又はＨである）が挙げられる。
Ｅで置換されたアルキル基としては、例えば、少なくとも一つの水素原子がＦで置換されたアルキル基が挙げられ、その例としては、−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ（ＣＦ３）２、−（ＣＦ２）３ＣＦ３、及び−Ｃ（ＣＦ３）３が挙げられる。
Ｄは−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−ＮＲ６５−、−ＳｉＲ７０Ｒ７１−、−ＰＯＲ７２−、−ＣＲ６３＝ＣＲ６４−、又は−Ｃ≡Ｃ−である。Ｒ６３、Ｒ６４、Ｒ６５、Ｒ７０、Ｒ７１、及びＲ７２の好適な例は上記した。Ｄは好ましくは、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、又は−ＮＲ６５−であり、Ｒ６５は好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルなどのＣ１−Ｃ１８アルキル基、フェニル、トリル、ナフチル、トリフェニレニル、ビフェニリルなどのＣ６−Ｃ１４アリール、又はベンゾイミダゾ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾ−２−イル、カルバゾリル、ジベンゾフラニルなどのＣ２−Ｃ３０ヘテロアリールであり、各基は無置換であっても、Ｃ６−Ｃ１０アリール、Ｃ１−Ｃ４アルキルで置換されたＣ６−Ｃ１０アリール、又はＣ２−Ｃ１３ヘテロアリールで置換されていてもよい。
Ｅは−ＯＲ６９、−ＳＲ６９、−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＯＲ６８、−ＣＯＯＲ６７、−ＣＯＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、ハロゲン、又は−ＰＯＲ７４Ｒ７５、好ましくは、−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、又は−ＰＯＲ７４Ｒ７５である。Ｒ６５、Ｒ６６、Ｒ６７、Ｒ６８、Ｒ６９、Ｒ７０、Ｒ７１、Ｒ７２、Ｒ７３、Ｒ７４及びＲ７５は、それぞれ独立して、好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ヘキシル、オクチル、２−エチル−ヘキシルなどのＣ１−Ｃ１８アルキル、又はフェニル、トリル、ナフチル、トリフェニレニル、ビフェニリルなどのＣ６−Ｃ１４アリールである。
ＧはＥ、Ｃ１−Ｃ２４アルキル基、Ｃ６−Ｃ３０アリール基、Ｆ、Ｃ１−Ｃ２４アルキル、又はＯにより分断されたＣ１−Ｃ２４アルキルで置換されたＣ６−Ｃ３０アリール基、Ｃ２−Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｆ、Ｃ１−Ｃ１８アルキル、又はＯにより分断されたＣ１−Ｃ１８アルキルで置換されたＣ２−Ｃ６０ヘテロアリール基である。Ｇは好ましくは、−ＯＲ６９、−ＳＲ６９、−ＮＲ６５Ｒ６６、Ｃ１−Ｃ１８アルキル基、Ｃ６−Ｃ１８アリール基、Ｆ又はＣ１−Ｃ１８アルキルで置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基、Ｃ２−Ｃ２４ヘテロアリール基、又はＦ又はＣ１−Ｃ１８アルキルで置換されたＣ２−Ｃ２４ヘテロアリール基である。Ｒ６５、Ｒ６６及びＲ６９は、それぞれ独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシルなどのＣ１−Ｃ１８アルキル、又はフェニル、トリル、ナフチル、ビフェニリルなどのＣ６−Ｃ１４アリールである。より好ましくは、Ｇはフェニル、トリル、トリフェニレニル、ビフェニリル、フェナントリル、アントラニルなどのＣ６−Ｃ１８アリール基、又はジベンゾチオフェニル、ジベンゾフラニル、ピリジル、トリアジニル、ピリミジニル、アザトリフェニレニル、アザジベンゾフリル、アザジベンゾチオフェニル、アザカルバゾリル、キノリニル、イソキノリニル、キノキサリニル、キナゾリニル、フェナントロリニル、フェナントリジニル、ベンゾ［ｈ］キノリニル、ベンゾ［ｈ］イソキノリニル、ベンゾ［ｆ］イソキノリニル、ベンゾ［ｆ］キノリニル、ベンゾ［ｈ］キナゾリニル、ベンゾ［ｆ］キナゾリニル、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリニル、ジベンゾ［ｆ，ｈ］イソキノリニル、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリニル、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キナゾリニルなどのＣ６−Ｃ２４ヘテロアリール基である。
Ａ１、Ａ２
本発明のベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリンにおいて、Ａ１とＡ２の少なくとも一つはＮ、好ましくは、Ａ１はＮでありＡ２はＣＲＡ２であるか、又はＡ１がＣＲＡ１でありＡ２がＮである。
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８
本発明の式（１）のベンゾフロ−又はベンゾチエノキノリンにおいて、Ｂ１はＣＲ１又はＮ、好ましくはＣＲ１であり；Ｂ２はＣＨ又はＮ、好ましくはＣＨであり；Ｂ３はＣＲ３又はＮ、好ましくはＣＲ３であり；Ｂ４はＣＲ４又はＮ、好ましくはＣＲ４であり；Ｂ５はＣＲ５又はＮ、好ましくはＣＲ５であり；Ｂ６はＣＲ６又はＮ、好ましくはＣＲ６であり；Ｂ７はＣＲ７又はＮ、好ましくはＣＲ７であり；Ｂ８はＣＲ８又はＮ、好ましくはＣＲ８である。
ただし、Ｂ１とＢ２、Ｂ２とＢ３、又はＢ３とＢ４は任意に結合して６員環構造を形成し、
及び／又は、Ｂ５とＢ６、Ｂ６とＢ７、又はＢ７とＢ８は任意に結合して６員環構造を形成し、
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、及びＢ８のうち、互いに直接結合しているものは通常同時にＮであることはない。
前記６員環構造は、好ましくは下記式で表される環構造である。

式中、Ｇは上で定義したとおりであり；ｙは０、１、２、３、又は４、好ましくは０、１又は２、より好ましくは０又は１、最も好ましくは０であり；〜はＲ１〜Ｒ８の隣接する２つが結合する原子への結合位置である。好ましくは、Ｒ１〜Ｒ８の隣接する２つは、それらが結合する原子と共に、Ｇで置換されていてもよい芳香族６員環構造を形成してもよい。
好ましくは、Ｂ１とＢ２、Ｂ２とＢ３、Ｂ３とＢ４、Ｂ５とＢ６、Ｂ６とＢ７、及びＢ７とＢ８の０又は１個、より好ましくは０個が任意に結合して６員環構造、好ましくは上記した６員環構造を形成する。
本発明の好ましい態様において、Ｂ１〜Ｂ８の０、１又は２個、好ましくはＢ１及び／又はＢ５；より好ましくはＢ１〜Ｂ８の０又は１個、好ましくはＢ１又はＢ５；最も好ましくはＢ１〜Ｂ８の０個がＮである。
最も好ましくは、Ａ２がＣＲＡ２であり、Ｂ５がＣＲ５、Ｂ６がＣＲ６、Ｂ７がＣＲ７、又はＢ８がＣＲ８であり、好ましくはＢ６がＣＲ６又はＢ７がＣＲ７であり、他のＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、及びＢ８がＣＨであり、Ａ１がＮである。又は、Ａ２がＮであり、Ｂ６がＣＲ６又はＢ７がＣＲ７であり、他のＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、及びＢ８がＣＨであり、Ａ１がＣＲＡ１である。
とりわけ最も好ましくは、Ａ２がＣＲＡ２であり、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、及びＢ８がＣＨであり、Ａ１がＮであるか；Ａ２がＮであり、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、及びＢ８がＣＨであり、Ａ１がＣＲＡ１であるか；又は、Ａ２がＣＨであり、Ｂ５がＣＲ５、Ｂ６がＣＲ６、Ｂ７がＣＲ７、Ｂ８がＣＲ８、好ましくはＢ６がＣＲ６であり、他のＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、及びＢ８がＣＨであり、Ａ１がＮである。
ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して、Ｈ；Ｅ；−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基；又は無置換もしくは少なくとも一つのＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基である。ただし、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の少なくとも一つは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基である。
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びＲ２０の定義は後述する。
好ましくは、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して、Ｈ；−ＮＲ６５Ｒ６６；−ＣＮ；−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２；−ＰＯＲ７４Ｒ７５；Ｃ１−Ｃ４アルキル、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル；又は−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基である。前記Ｒ６５、Ｒ６６、Ｒ７０、Ｒ７１、Ｒ７２、Ｒ７４、及びＲ７５は好ましくは、それぞれ独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシルなどのＣ１−Ｃ１８アルキル、又はフェニル、トリル、ナフチル、トリフェニレニル、ビフェニリルなどのＣ６−Ｃ１４アリールである。
より好ましくは、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して、Ｈ、ＣＮ、メチル、ｔｅｒｔ−ブチル、又は−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基である。
最も好ましくは、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して、Ｈ又は−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基である。
好ましくは、本発明の式（１）の化合物において、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の１、２、３、又は４個、好ましくは１又は２個、より好ましくは１個は、それぞれ独立して、Ｅ、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基、又はＣ１−Ｃ２５アルキル基であり、好ましくは、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、他のＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８はＨである。前記Ｃ１−Ｃ２５アルキル基は無置換であっても、少なくとも一つのＥで置換されていても、及び／又は、Ｄにより分断されていてもよい。
より好ましくは、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の１、２、３、又は４個、好ましくは１又は２個、より好ましくは１個は、それぞれ独立して、Ｈ、−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、−ＰＯＲ７４Ｒ７５、Ｃ１−Ｃ４アルキル、好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、又は−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基である。前記Ｒ６５、Ｒ６６、Ｒ７０、Ｒ７１、Ｒ７２、Ｒ７４、及びＲ７５は、好ましくは、それぞれ独立して、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ヘキシル、オクチル、２−エチル−ヘキシルなどのＣ１−Ｃ１８アルキル、又はフェニル、トリル、ナフチル、トリフェニレニル、ビフェニリルなどのＣ６−Ｃ１４アリールである。
最も好ましくは、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の１つが−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、他のＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８がＨ、ＣＮ、メチル、又はｔｅｒｔ−ブチルである。
より最も好ましくは、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の１つが−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、他のＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８がＨである。
さらに最も好ましくは、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の１つが−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、他のＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８がＨである。
よりさらに最も好ましくは、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ６及びＲ７の１つが−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、他のＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８がＨである。
特に最も好ましくは、ＲＡ１及びＲＡ２の１つが−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、他のＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８がＨである。
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４は、それぞれ独立して、無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリーレン基又は無置換もしくはＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリーレン基である。
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４は、好ましくは、それぞれ独立して、任意にＧで置換されていてもよいＣ６−Ｃ２４アリーレン基、又は任意にＧで置換されていてもよいＣ５−Ｃ２４ヘテロアリーレン基である。
前記任意にＧで置換されていてもよいＣ６−Ｃ２４アリーレン基は、フェニレン、ナフチレン、特に１−ナフチレン又は２−ナフチレン、ビフェニレン、トリフェニレン、ターフェニレン、ピレニレン、２−又は９−フルオレニレン、フェナントリレン、及びアントリレンからなる群より選ばれ、各基は無置換もしくはＧで置換されていてもよい。
前記任意にＧで置換されていてもよいＣ５−Ｃ２４ヘテロアリーレン基は、環形成原子数５〜７の環又は縮合環構造により特徴付けられ、可能なヘテロ原子は窒素、酸素又は硫黄であり、少なくとも６個の共役電子を有する。好ましくは、ベンゾチオフェニレン、チアントレニレン、フリレン、フルフリレン、２Ｈ−ピラニレン、ベンゾフラニレン、イソベンゾフラニレン、ジベンゾフラニレン、ジベンゾチオフェニレン、カルバゾリレン、イミダゾリレン、ピラゾリレン、ピリジレン、ビピリジレン、トリアジニレン、ピリミジニレン、ピラジニレン、ピリダジニレン、インドリジニレン、イソインドリレン、インドリレン、インダゾリレン、プリニレン、キノリジニレン、キノリレン、イソキノリレン、フタラジニレン、ナフチリジニレン、キノキサリニレン、キナゾリニレン、シンノリニレン、プテリジニレン、カルボリニレン、ベンゾトリアゾリレン、ベンゾキサゾリレン、フェナントリジニレン、ピリミジニレン、及びベンゾイミダゾ［１，２−ａ］ベンゾイミダゾ−２，５−イレンから選ばれ、各基は無置換もしくはＧで置換されていてもよい。

Ｒ７３はＣ６−Ｃ２４アリール基又はＣ２−Ｃ３０ヘテロアリール基であり、それぞれ任意にＧで置換されていてもよく、各直線は結合位置を表す。
より好ましくは、Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４は、それぞれ独立して、以下の基を表す。


各基は無置換もしくはＧで置換されていてもよく、好ましくは無置換もしくは１、２、３、又は４個のＧで置換されていてもよく、より好ましくは無置換もしくは１又は２個のＧで置換されていてもよい。Ｇは最も好ましくは、−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、Ｃ１−Ｃ２４アルキル基、無置換Ｃ６−Ｃ３０アリール基、又はＣ２−Ｃ３０ヘテロアリール基である。
Ｒ７３は、Ｃ６−Ｃ１８アリール基、Ｃ１−Ｃ１８アルキル又はＣ１−Ｃ１８アルコキシで置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基、Ｃ１−Ｃ１８アルキル基、又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であり、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ヘキシル、オクチル、２−エチル−ヘキシルなどのＣ１−Ｃ１８アルキル基、又は、フェニル、トリル、ナフチル、ビフェニリルなどのＣ６−Ｃ１４アリール基である。
Ｒ３８は、任意にＥで置換されていてもよい、及び／又は、Ｄにより分断されていてもよいＣ１−Ｃ２５アルキル基、任意にＧで置換されていてもよいＣ６−Ｃ２４アリール基、又は任意にＧで置換されていてもよいＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基であり、隣接する２つの基はそれらが結合している原子と共に任意にＧで置換されていてもよい環構造を形成してもよい。
各Ｒ１３０は、それぞれ独立して、Ｈ、任意にＧで置換されていてもよいＣ６−Ｃ２４アリーレン基、又は任意にＧで置換されていてもよいＣ１−Ｃ３０ヘテロアリーレン基である。Ｇは上記定義のとおりであり、各点線は結合部位を表す。
（Ｃ）−は、Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４の結合部位が炭素原子に結合することを意味し、（Ｎ）−は、Ａ３、Ａ４、Ａ５、及びＡ６の結合部位が窒素原子に結合することを意味し、（Ｃ，Ｎ）は、Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４の結合部位が炭素原子又は窒素原子に結合することを意味する。
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４は、より好ましくは、それぞれ独立して、以下の式で表される基である。

好ましくは、それぞれ独立して、以下の式で表される基である。






上記の各基は無置換もしくはＧで置換されていてもよく、好ましくは無置換もしくは１、２、３、又は４個のＧで置換されていてもよく、より好ましくは無置換もしくは１又は２個のＧで置換されていてもよく、最も好ましくは無置換である。Ｇは上記定義のとおりであり、最も好ましくは−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、−Ｓｉ（Ｒ７０）３、Ｃ１−Ｃ２４アルキル基、無置換Ｃ６−Ｃ３０アリール基、又はＣ２−Ｃ３０ヘテロアリール基である。
Ｒ７３は、Ｃ６−Ｃ１８アリール基、Ｃ１−Ｃ１８アルキル又はＣ１−Ｃ１８アルコキシで置換されたＣ６−Ｃ１８アリール、Ｃ１−Ｃ１８アルキル基、又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であり、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ヘキシル、オクチル、２−エチル−ヘキシルなどのＣ１−Ｃ１８アルキル、又は、フェニル、トリル、ナフチル、ビフェニリルなどのＣ６−Ｃ１４アリールである。
各Ｒ１３０は、それぞれ独立して、Ｈ、任意にＧで置換されていてもよいＣ６−Ｃ２４アリーレン基、又は任意にＧで置換されていてもよいＣ１−Ｃ３０ヘテロアリーレン基である。Ｇは上記定義のとおりである。
（Ｃ）−は、Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４の結合位置が炭素原子に結合することを意味し、（Ｎ）−は、Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４の結合位置が窒素原子に結合することを意味し、（Ｃ，Ｎ）は、Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４の結合位置が炭素原子又は窒素原子に結合することを意味する。
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４は、最も好ましくは、それぞれ独立して、下記式で表される基である。

上記の各基は無置換もしくはＧで置換されていてもよく、好ましくは無置換もしくは１、２、３、又は４個のＧで置換されていてもよく、より好ましくは無置換もしくは１又は２個のＧで置換されていてもよく、最も好ましくは無置換である。Ｇは上記定義のとおりであり、最も好ましくは−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、Ｃ１−Ｃ２４アルキル基、無置換Ｃ６−Ｃ３０アリール基、又はＣ２−Ｃ３０ヘテロアリール基である。
各点線は結合位置を表す。
さらに最も好ましくは、Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４は、それぞれ独立して、１，３−フェニレン、１，４−フェニレン、又は下記式で表される基である。
Ｒ２０
Ｒ２０は、Ｈ、ＣＮ、Ｅ、無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ６０アリール基、無置換もしくはＧで置換されたＣ１−Ｃ６０ヘテロアリール基、無置換もしくは少なくとも一つのＧで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基である。
好適かつ好ましいＥ、Ｇ及びＤは上記したとおりである。
好ましくは、Ｒ２０はＨ、−ＯＲ６９、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、ＣＮ、又は下記式で表される基である。

（上記式において、
Ｘ１はＳ、Ｏ、Ｃ（Ｒ２１）２、又はＮＲ２３であり；
Ｒ２１は任意にＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基、任意にＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリール基、又は任意にＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基であり、及び／又は、隣接する２つの基はそれらが結合している原子と共に任意にＧで置換されていてもよい環構造を形成する；
Ｒ２２は無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基又は無置換もしくはＧで置換されたＣ２−Ｃ１８ヘテロアリール基であり；
Ｒ２３はＨ、無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基、又は無置換もしくはＧで置換されたＣ２−Ｃ１８ヘテロアリール基であり；
Ｒ２４及びＲ２５は、それぞれ独立して、Ｈ、無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基、無置換もしくはＧで置換されたＣ２−Ｃ１８ヘテロアリール基、任意にＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基、又は−ＣＮであり；
ａは０、１、２、又は３、好ましくは０、１、又は２であり；
ｂは０、１、２、３、又は４、好ましくは０、１、又は２であり；
各点線は結合位置を表す。）
又は

（上記式において、
Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立して、ＣＲ１９又はＮである。ただし、式（９）において、Ｘ１〜Ｘ３の少なくとも一つはＮであり、式（１０）及び（１１）において、Ｘ１及びＸ３の少なくとも一つはＮである；
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して、任意にＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリール基又は任意にＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基であり；
Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ独立して、Ｈ、任意にＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリール基、任意にＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基、又は任意にＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基、好ましくはＨであり；
ｃは０、１、２、３、又は４、好ましくは０、１又は２、より好ましくは０又は１であり；
ｄは０、１、２、又は３、好ましくは０、１又は２、より好ましくは０である。）
又は


（上記式において、
Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、及びＲ２９は、それぞれ独立して、Ｈ、任意にＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリール基、任意にＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基、任意にＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基、又は置換基Ｅ、好ましくはＨ又はＣＮ、より好ましくはＨであり；
ｅは０、１、２、３、４、又は５、好ましくは０、１、２、又は３、より好ましくは０、１、又は２であり；
ｆは０、１、２、又は３、好ましくは０、１、又は２、より好ましくは０であり；
ｇは０、１、２、３、又は４、好ましくは０、１、又は２、より好ましくは０又は１であり；
ｈは０、１、又は２、好ましくは０又は１；より好ましくは０であり；
隣接する２つのＲ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、又はＲ２９はそれらが結合している原子と共にＧで置換されていてもよい環構造を形成してもよく；
〜は結合位置を表し、各点線は結合位置を表す。）
式（４）、（５）、（６）、（７）、又は（８）で表される基は、好ましくは以下のとおりである。

（式中、Ｘ１はＯ又はＳである。）

（式中、〜は 結合位置を表し、点線は結合位置を表す。）
式（４）、（５）、又は（６）で表される基は、最も好ましくは以下のとおりである。

（式中、〜は結合位置を表す。）
式（９）、（１０）、又は（１１）で表される基は、好ましくは以下のとおりである。

（式中、
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して、任意にＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリール基、又は任意にＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基であり；
〜は隣接基への結合位置を表し；
Ｇは上記したとおりである。）
Ａｒ１及びＡｒ２は、好ましくは無置換フェニル又は下記式で表される基である。

（式中、〜は隣接基への結合位置を表す。）
Ａｒ１及びＡｒ２は、最も好ましくは無置換フェニルである。
式（９）、（１０）、又は（１１）で表される基は、最も好ましくは以下のとおりである。

（式中、点線は隣接基への結合位置を表す。）
式（１２）、（１３）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）、（１９）、（２０）、（２１）、（２２）、（２３）、（２４）、（２５）、（２６）、（２７）、（２８）、（２９）、（３０）、（３１）、又は（３２）で表される基は、好ましくは以下のとおりである。



（式中、〜は隣接基への結合位置を表す。）
式（１２）、（１３）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）、（１９）、（２０）、（２１）、（２２）、（２３）、（２４）、（２５）、（２６）、（２７）、（２８）、（２９）、（３０）、（３１）、又は（３２）で表される基は、最も好ましくは以下のとおりである。

（式中、〜は隣接基への結合位置を表す。）
最も好ましくは、Ｒ２０はＨ又は下記式のいずれかで表される。


（式中、〜及び点線は隣接基への結合位置を表す。）
−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基
−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基において、ｏは０又は１、ｐは０又は１、ｑは０又は１、ｒは０又は１、好ましくは、ｏは０又は１、ｐは０又は１、ｑは０、及びｒは０である。
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、及びＲ２０の好ましい基は上記したとおりである。
最も好ましい−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基は以下の基である。








式（１）の化合物
好ましい態様において、式（１）の化合物（ヘテロ環誘導体）のＡ１はＮであり、Ａ２はＣＲＡ２である。より好ましくは、式（１）の化合物（ヘテロ環誘導体）のＲＡ２はＥ、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基、又は無置換もしくは少なくとも一つの置換基Ｅで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり；好ましくは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、基Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８はＨである。最も好ましくは、式（１）の化合物（ヘテロ環誘導体）は式（１ａ）で表される。

（式中、Ｘ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、及びＲＡ２は上記定義のとおりである。）
他の好ましい態様において、式（１）の化合物（ヘテロ環誘導体）のＡ１はＣＲＡ１、Ａ２はＮである。より好ましくは、式（１）の化合物（ヘテロ環誘導体）のＲＡ１はＥ、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基、又は無置換もしくは少なくとも一つの置換基Ｅで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり；好ましくは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、基Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８はＨである。最も好ましくは、式（１）の化合物（ヘテロ環誘導体）は式（１ｂ）で表される。

（式中、Ｘ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、及びＲＡ１は上記定義のとおりである。）
さらに他の好ましい態様において、式（１）の化合物（ヘテロ環誘導体）のＡ１はＮであり、Ａ２はＣＲＡ２である。より好ましくは、式（１）の化合物（ヘテロ環誘導体）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の一つ、好ましくはＲ６はＥ、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基、又は無置換もしくは少なくとも一つの置換基Ｅで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり；好ましくは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、その他の基ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８はＨである。最も好ましくは、式（１）の化合物（ヘテロ環誘導体）は式（１ｃ）で表される。

（式中、Ｘ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、及びＢ８は上記定義のとおりである。）
好ましい式（１）の化合物（ヘテロ環誘導体）は下記構造を有する。


上記式において、
Ｂ１はＣＲ１又はＮであり；
Ｂ２はＣＨ又はＮであり；
Ｂ３はＣＲ３又はＮであり；
Ｂ４はＣＲ４又はＮであり；
Ｂ５はＣＲ５又はＮであり；
Ｂ６はＣＲ６又はＮであり；
Ｂ７はＣＲ７又はＮであり；
Ｂ８はＣＲ８又はＮであり；
好ましくは、該ヘテロ環誘導体は式（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（１−５）、１−６）、（１−７）、及び（１−８）のいずれか一つで表され、前記式において、好ましくは、Ａ２はＣＲＡ２であり、ＲＡ２はＥ、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基、又は無置換もしくは少なくとも一つの置換基Ｅで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり；好ましくは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８はＨである。
より好ましくは、
前記ヘテロ環誘導体は式（１−１）又は（１−２）で表され、前記式において、好ましくは、Ａ２はＣＲＡ２であり、ＲＡ２はＥ、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基、又は無置換もしくは少なくとも一つの置換基Ｅで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり；好ましくは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８はＨである。
又は、
前記ヘテロ環誘導体は式（１−９）又は（１−１０）で表され、前記式において、好ましくは、Ａ１はＣＲＡ１であり、ＲＡ１はＥ、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基、又は無置換もしくは少なくとも一つの置換基Ｅで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり；好ましくは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８はＨである。
又は、
前記ヘテロ環誘導体は式（１−１）又は（１−２）で表され、前記式において、好ましくは、Ａ２はＣＲＡ２であり、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の一つ、好ましくはＲ６はＥ、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基、又は無置換もしくは少なくとも一つの置換基Ｅで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり；好ましくは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、及びその他のＲ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８はＨである。
Ａ１、Ａ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、はＲ８は上記したとおりである。
式（１ａ）、（１−１）及び（１−２）のそれぞれは、好ましくは

（式中、Ｘ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ、及びＲ２０は式（１）に関して定義したとおりである。）
で表される。
式（１ｂ）、（１−９）及び（１−１０）のそれぞれは、好ましくは

（式中、Ｘ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ、及びＲ２０は式（１）に関して定義したとおりである。）
で表される。
式（１ｃ）、（１−１）及び（１−２）のそれぞれは、好ましくは

（式中、Ｘ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ、及びＲ２０は式（１）に関して定義したとおりである。ただし、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、及びＢ８の一つ、好ましくはＢ６はＣ−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基である。）
で表される。
好ましい態様において、式（１ａ’）、（１ｂ’）、及び（１ｃ’）の化合物のＢ１、Ｂ２、Ｂ３、及びＢ４はＣＨである。
好ましい態様において、式（１ａ’）及び（１ｂ’）の化合物のＢ５、Ｂ６、Ｂ７、及びＢ８はＣＨである。
好ましい態様において、式（１ｃ’）の化合物のＣ−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基ではないＢ５、Ｂ６、Ｂ７、及びＢ８はＣＨである。
式（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）、（１ａ’）、（１ｂ’）、及び（１ｃ’）の化合物において、Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４は好ましくは、それぞれ独立して、無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリーレン基、又はＣ６−Ｃ２４アリーレン基である。Ｇは式（１）に関して上記したとおりである。
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４はより好ましくは、それぞれ独立して、フェニレン、ナフチレン、ビフェニレン、又はターフェニレンであり、それぞれ任意にＧで置換されていてもよい。
さらに好ましくは、Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４は、それぞれ独立して、下記の基である。

（式中、点線は結合位置を表す。）
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４はさらに好ましくは、それぞれ独立して、下記の基である。

（式中、点線は結合位置を表す。）
式（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）、（１ａ’）、（１ｂ’）、及び（１ｃ’）の化合物において、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−で表される基は、好ましくは無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリーレン基、より好ましくはフェニレン、ナフチレン、ビフェニレン、又はターフェニレンであり、それぞれ無置換もしくはＧで置換されている。

（式中、点線は結合位置を表す。）
さらに好ましくは、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−で表される基は下記式で表される基である。

（式中、点線は結合位置を表す。）
より好ましくは、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−で表される基は下記式で表される基である。
式（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）、（１ａ’）、（１ｂ’）、及び（１ｃ’）の化合物において、ｏは０又は１、ｐは０又は１、ｑは０又は１、及びｒは０又は１であり、好ましくは、ｏは０又は１、ｐは０又は１、ｑは０、及びｒは０である。ｏが０の場合、（Ａ１）ｏは直接結合であり、ｐが０の場合、（Ａ２）ｐは直接結合であり、ｑが０の場合、（Ａ３）ｑは直接結合であり、ｒが０の場合、（Ａ４）ｒは直接結合である。
式（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）、（１ａ’）、（１ｂ’）、及び（１ｃ’）の化合物のＲ２０は式（１）に関して上記した。好ましくは、無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ６０アリール基又は無置換もしくはＧで置換されたＣ１−Ｃ６０ヘテロアリール基である。Ｃ６−Ｃ６０アリール基、Ｃ１−Ｃ６０ヘテロアリール基、及びＧは式（１）に関して上記した。
前記Ｃ６−Ｃ６０アリール基は、好ましくはＣ１０−Ｃ６０縮合アリール基、より好ましくはＣ１０−Ｃ３０縮合アリール基、さらに好ましくはアントリル、フルオランテニル、トリフェニレニル、フルオレニルなどのＣ１４−Ｃ２５縮合アリール基であり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい。
好ましくは、前記Ｃ１０−Ｃ６０縮合アリール基は下記式で表される基であり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい。

（式中、
Ｘ１はＣ（Ｒ２１）２であり；
Ｒ２１は、任意にＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基、任意にＧで置換されていてもよいＣ６−Ｃ２４アリール基、又は任意にＧで置換されていてもよいＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基であり、前記基の２つの隣接基は、それらが結合している原子と共に任意にＧで置換されていてもよい環構造を形成してもよく；
〜は結合位置を表す。）
より好ましくは、前記Ｃ１０−Ｃ６０縮合アリール基は下記式で表される基であり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい。


（式中、〜は結合位置を表す。）
さらに好ましくは、前記Ｃ１０−Ｃ６０縮合アリール基は下記式で表される基であり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい。
前記Ｃ１−Ｃ６０ヘテロアリール基は、好ましくはＣ１−Ｃ３０ヘテロアリール基、より好ましくはＣ１−Ｃ１２ヘテロアリール基、さらに好ましくは環形成原子数６の芳香族ヘテロ環であり、それぞれ縮合環を有していてもよく、環形成ヘテロ原子はＮである。前記ヘテロアリール基、前記環形成原子数６の環、及び前記縮合環は無置換でもＧで置換されていてもよい。さらに好ましくは、縮合環を有していてもよいピリジル、縮合環を有していてもよピリミジル、トリアジニル、又はフェナントロリニルであり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよく；さらに好ましくはピリジル、ピリミジル、トリアジニル、又はフェナントロリニルであり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよく；さらに好ましくはピリミジル、トリアジニル、又はフェナントロリニルであり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい。
前記Ｃ１−Ｃ６０ヘテロアリール基は、好ましくは式（９）、（１０）、又は（１９）で表される基であり、より好ましくは式（９）又は（１９）で表される基である。各式は式（１）のＲ２０に関して上記した。

（式中、
Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立して、ＣＲ１９又はＮである。ただし、式（９）において、Ｘ１〜Ｘ３の少なくとも一つはＮであり、式（１０）及び（１９）において、Ｘ１及びＸ３の少なくとも一つはＮであり；
Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して、任意にＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリール基又は任意にＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基であり；
Ｒ１８、Ｒ１９、及びＲ２９は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｇで置換されていてもよいＣ６−Ｃ２４アリール基、Ｇで置換されていてもよいＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基、又は任意にＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり、好ましくはＨであり；
ｃは０、１、２、３、又は４、好ましくは０、１又は２、より好ましくは０又は１、さらに好ましくは０であり；
ｇは０、１、２、又は３、好ましくは０、１又は２、より好ましくは０であり；
〜は結合位置を表す。）
式（９）、（１０）、及び（１９）で表される基は、好ましくは以下の基である。

（式中、
Ａｒ１及びＡｒ２は好ましくは、それぞれ独立して、任意にＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリール基、より好ましくは無置換のＣ６−Ｃ２４アリール基、さらに好ましくは無置換のフェニル又は無置換のビフェニルであり；
〜は結合位置を表す。）
式（９）で表される基は、好ましくは以下の基であり、


（式中、点線は結合位置を表す。）
より好ましくは以下の基である。

（式中、点線は結合位置を表す。）
式（１０）で表される基は、好ましくは以下の基である。

（式中、点線は結合位置を表す。）
式（１９）で表される基は、好ましくは以下の基であり、

（式中、点線は結合位置を表す。）
より好ましくは以下の基である。

（式中、点線は結合位置を表す。）
本発明の好ましい態様において、−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基は下記式で表される基であってもよい。

（式中、
Ａ１、Ａ２、Ａ３、ｏ、ｐ、及びｑは上記したとおりであり；
ＡｚはＣ１−Ｃ６０ヘテロアリール基、好ましくはＣ１−Ｃ３０ヘテロアリール基、より好ましくはＣ１−Ｃ１２ヘテロアリール基、さらに好ましくは環形成原子数６の芳香族ヘテロ環であり、それぞれ縮合環を有していてもよく；
Ａ４ａ−Ｇ１はＧ１で置換されたＡ４に相当し、Ｇ１は式（１）のＧと同じである。）
Ａ４ａ−Ｇ１は、好ましくはＧ１で置換されたＣ６−Ｃ２４アリーレン基であり、Ｇ１は、好ましくはＣ６−Ｃ６０アリール基、より好ましくはＣ１０−Ｃ３０縮合アリール基、さらに好ましくはＣ１４−Ｃ２５縮合アリール基であり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい。
前記縮合環を有していてもよい環形成原子数６の芳香族ヘテロ環は、式（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）、（１ａ’）、（１ｂ’）、及び（１ｃ’）のＲ２０に関して前記した。
Ａ４ａ−Ｇ１のＡ４は、式（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）、（１ａ’）、（１ｂ’）、及び（１ｃ’）のＡ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４に関して前記した。
Ｇ１が表す前記Ｃ６−Ｃ２４アリーレン基は、式（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）、（１ａ’）、（１ｂ’）、及び（１ｃ’）のＲ２０に関して前記した。
式（１）の化合物の最も好ましい例を以下に示す。

上記化合物のうち最も好ましい化合物は、Ａ２がＣＲＡｒ２、ＲＡｒ２が上記した置換基、他の基Ｂ１〜Ｂ８がＣＨである特定の化合物である。
さらに最も好ましい化合物は以下の化合物である。
他の最も好ましい式（１）の化合物は以下の化合物である。
式（１）の化合物の合成
一般的に、式（１）の化合物は関連技術分野、例えば、ＷＯ２０１４／１９９６３７及びＪ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．１９９８，４１，２７５４−２７６４に記載の製造プロセスに類似する方法で製造される。
構造（１）：
例えば、Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．１９９８，４１，２７５４−２７６４に下記基本構造（１’）の一般的な製造プロセスが記載されている。

（式中、Ｂ１、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ａ１及びＡ２の少なくとも一つはＣ−Ｈａｌであり、その他のすべての基は上記したとおりであり、Ｈａｌはハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ又はＢｒ、より好ましくはＣｌである。）
スキーム４ａ，ｂ

工程（ｂ）において、ＰＯＣｌ３の代わりにＰＯＢｒ３を用いて、Ｃｌの代わりにＢｒを導入することも好ましい。
好ましくは、ハロゲン化部位において、Ｘ−ＲＡ１、Ｘ−ＲＡ２、Ｘ−Ｒ１、Ｘ−Ｒ３、Ｘ−Ｒ４、Ｘ−Ｒ５、Ｘ−Ｒ６、Ｘ−Ｒ７、及びＸ−Ｒ８の少なくとも一つとカップリングすることによって、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の一つ又は複数で上記基本構造（１’）を官能基化することができる。該官能基化は、
（ｉ）Ｘが−Ｂ（ＯＲ’）２であり、Ｒ’がＨ、Ｃ１−Ｃ３アルキル基、又はフェニル基であり、２つのＲ’が同一でも異なっていてもよく、該２つのＲ’が２つの酸素原子及びホウ素原子と共に環構造を形成してもよく、触媒及び塩基の存在下で行われる方法（下記の基本方法１）；
又は
（ii）ＸがＨであり、塩基の存在下で行われる方法（下記の基本方法２）；
又は
（iii）ＸがＨであり、触媒、塩基及びリガンドの存在下で行われる方法（下記の基本方法３）
により行われる。
該カップリング反応は好ましくはＳｕｚｕｋｉ−Ｍｉｙａｕｒａ反応（カップリング）である。Ｓｕｚｕｋｉ−Ｍｉｙａｕｒａ反応の一般的な条件は、例えば、ＵＳ２０１４／０３３００１３、特に［１３６］−［１３７］に記載されている。
（ｉ）において、
好ましくは、Ｒ’はＨ、ＣＨ３、ＣＨ（ＣＨ３）２、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、又はフェニルであり、２つのＲ’が、２つの酸素原子を介して該２つのＲ’が結合しているホウ素原子と共に環構造を形成する場合、Ｂ（ＯＲ’）２は好ましくは以下の基である。

前記触媒は、好ましくはＰｄ触媒であり、例えば、Ｐｄ２（ｄｂａ）３又はＰｄ（ＰＰｈ３）４である。
前記塩基は、好ましくはＮａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３又はＣｓ２ＣＯ３である。
（ii）において、
前記塩基は、好ましくはＫ３ＰＯ４、Ｎａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３、Ｃｓ２ＣＯ３、又はＮａＨである。
（iii）において、
前記触媒は、好ましくはＰｄ触媒、例えば、Ｐｄ２（ｄｂａ）３である。
前記塩基は、好ましくはＮａＯｔＢｕ又はＫＯｔＢｕである。
好ましいリガンドはＰ（ｔＢｕ）３、Ｘａｎｔｈｏｐｈｏｓ、Ｓｐｈｏｓ、及びＸｐｈｏｓである。
基本方法１（Ａ２の位置での置換を代表例として示す）

（式中、Ｘ、ＲＡ２及びＲ’は上記定義のとおりである。）
基本方法２（Ａ２の位置での置換を代表例として示す）

（式中、Ｘ及びＲＡ２は上記定義のとおりである。）
基本方法３（Ａ２の位置での置換を代表例として示す）

（式中、Ｘ及びＲＡ２は上記定義のとおりである。）
基本構造の官能基化の例を以下に示す。
従って、本発明はさらに式（１）の化合物の製造方法に関する。該製造法は、
（ａ）式（１’）の化合物：

（式中、Ｂ１、Ｂ３、Ｂ４、Ａ１、及びＡ２の少なくとも一つはＣ−Ｈａｌであり、他のすべては上記したとおりであり、Ｈａｌはハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ又はＢｒ、より好ましくはＣｌである。）
を
（ｉ）式Ｘ−ＲＡ１、Ｘ−ＲＡ２、Ｘ−Ｒ１、Ｘ−Ｒ３、Ｘ−Ｒ４、Ｘ−Ｒ５、Ｘ−Ｒ６、Ｘ−Ｒ７、又はＸ−Ｒ８で表され、Ｘが−Ｂ（ＯＲ’）２であり、Ｒ’がＨ、Ｃ１−Ｃ３アルキル基、又はフェニル基、ただし、２つのＲ’は同一でも異なっていてもよく、２つのＲ’は２つの酸素原子及びホウ素原子と共に環を形成してもよい化合物と触媒及び塩基の存在下でカップリングする工程、
又は、
（ii）前記式のいずれかで表され、ＸがＨである化合物と塩基の存在下でカップリングする工程、
又は、
（iii）前記式のいずれかで表され、ＸがＨである化合物と触媒、塩基、及びリガンドの存在下でカップリングする工程
を含む。
Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、及びＢ８に適した基は上記したとおりである。ただし、Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、及びＢ８の少なくとも一つはＣ−Ｈａｌであり、最も好ましくはＡ２がＣ−Ｈａｌである。
反応工程とプロセス条件の詳細は上記した。又、本願の実施例において記載する。
式（１）の化合物の有機エレクトロニクス用途
式（１）の化合物は、電荷キャリアの伝導性が要求される用途、特に、有機エレクトロニクス用途、例えば、有機ＦＥＴ及び有機ＴＦＴで例示される有機トランジスターなどのスイッチング素子、有機太陽電池、及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）から選ばれる有機エレクトロニクス用途に使用することが特に適していることが分かった。
以下において、有機ＥＬ素子という用語は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）という用語と互いに交換可能である。すなわち、本願においては２つの用語は同じ意味を有する。
有機トランジスターは、通常、電荷輸送性を有する有機層により形成された半導体層；導電層により形成されたゲート電極；及び該半導体層と該導電層の間に挿入された絶縁層を有する。この配列の上に、ソース電極とドレイン電極を順に配置してトランジスター素子が得られる。有機トランジスターは当業者に公知の他の層を含んでもよい。電荷輸送性を有する層は式（１）の化合物を含んでいてもよい。
有機太陽電池（光電変換素子）は、通常、平行に配置された２つの平板型電極の間に存在する有機層を有する。該有機層は櫛型電極の上に形成してもよい。該有機層の位置は特に限定されず、電極の材料も特に限定されない。しかし、平行に配置された平板型電極対を使用する場合、少なくとも一つの電極は透明電極、例えば、ＩＴＯ電極又はフッ素をドープした酸化スズ電極により形成するのが好ましい。該有機層は２つの層、すなわち、ｐ型半導体特性又は正孔輸送性を有する層及びｎ型半導体特性又は電荷輸送性を有する層から形成される。有機太陽電池には当業者に公知の他の層が存在してもよい。電荷輸送性を有する層は式（１）の化合物の化合物を含んでもよい。
式（１）の化合物は、ＯＬＥＤの発光層マトリックス材料として、及び／又は電荷及び／又はエキシトン阻止材料として、すなわち、電子／エキシトン阻止材料又は正孔／エキシトン阻止材料として、及び／又は電荷輸送材料として、すなわち、正孔輸送材料又は電子輸送材料として、特に、燐光発光材料と組み合わせて使用するのに特に適している。
本発明の式（１）の化合物をＯＬＥＤに使用すると、良好な効率と長寿命を有し、特に、低電力使用かつ低駆動電圧で駆動するＯＬＥＤが得られる。本発明の式（１）の化合物は、青色、緑色、赤色及び黄色、好ましくは青色、緑色及び赤色、より好ましくは青色及び赤色発光材料のためのマトリックス及び／又は電荷輸送材料、すなわち、正孔又は電子輸送材料、及び／又は電荷阻止材料、すなわち、正孔又は電子阻止材料として特に適している。通常使用される青色発光材料は蛍光発光材料である。通常使用される他の発光材料は蛍光又は燐光発光材料、好ましくは燐光発光材料である。式（１）の化合物はさらにスイッチング素子及び有機太陽電池から選ばれる有機エレクトロニクス用途において、導電体／補足材料として使用することもできる。（本出願において、マトリックスという用語とホストという用語は互いに交換可能である。）
発光層のマトリックス材料としての式（１）の化合物
最も好ましくは、式（１）の化合物は、ＯＬＥＤの発光層、より好ましくは少なくとも１種の式（１）の化合物と少なくとも１種の発光材料を含むＯＬＥＤの発光層のマトリックス材料（ホスト材料）として使用される。該発光材料は、好ましくは蛍光又は燐光発光材料、より好ましくは赤色の蛍光又は燐光発光材料である。
従って、本発明は、少なくとも１種の式（１）の化合物及び少なくとも１種の発光材料を含む発光層に関する。好適な発光材料は上記及び以下に記載する材料である。発光層の好適な構造は後述する。
本発明はさらに、少なくとも１種の式（１）の化合物及び少なくとも１種の発光材料を含む発光層を含むＯＬＥＤに関する。
ＯＬＥＤの発光層において、又は複数の発光層の一つにおいて、発光材料に式（１）の化合物から選ばれる少なくとも１種のマトリックス材料及び１種又は複数、好ましくは１種の他のマトリックス材料（コホスト）を組み合わせてもよい。これにより、高量子効率、低駆動電圧及び／又は長寿命が達成できる。
さらに、式（１）の化合物は以下の層の２又は３つに含まれていてもよい：発光層（好ましくはマトリックス材料として）、阻止層（電荷阻止材料として）、及び／又は電荷輸送層（電荷輸送材料として）。
式（１）の化合物をマトリックス（ホスト）材料として発光層に使用し、さらに、電荷阻止材料及び／又は電荷輸送材料として使用する場合、材料が化学的に同一又は類似するので、発光層と隣接材料との界面が改善され、同じ輝度が得られる電圧が低下し、ＯＬＥＤの寿命が延びる。又、電荷輸送材料及び／又は電荷阻止材料として、及び発光層のマトリックスとして同じ材料を用いると、式（１）の化合物の１つを蒸着する工程で同じ蒸着源を用いることができるので、ＯＬＥＤの製造工程が簡略になる。
有機電子機器、特に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の好適な構造は当業者に周知であり、具体的に後述する。
電子輸送性材料としての式（１）の化合物
さらに最も好ましい態様において、式（１）の化合物は、好ましくはＯＬＥＤ、より好ましくは少なくとも１種の青色蛍光発光材料を含むＯＬＥＤの電子輸送性材料（電子輸送材料）として使用される。
従って、本発明は少なくとも１種の式（１）の化合物を含む電子輸送性層（電子輸送層）に関する。
本発明はさらに、少なくとも１種の式（１）の化合物を含む電子輸送性層及び少なくとも１種の発光材料、好ましくは青色蛍光発光材料を含む発光層を有するＯＬＥＤに関する。電子輸送性層の好適な構造は後述する。
好ましい態様において、本発明の式（１）の化合物を少なくとも一つ含む電子輸送性層は還元性ドーパントをさらに含む。
還元性ドーパントの例としては、供与性金属、供与性金属化合物、及び供与性金属錯体が挙げられる。還元性ドーパントは、単独で使用しても２種以上を組み合わせてもよい。
本発明でいう還元性ドーパントは電子供与性材料である。電子供与性材料とは、電子輸送性層に共存する有機材料又は電子輸送性層に隣接する層の有機材料との相互作用によりラジカルアニオンを生成する材料、又は、電子供与性基を有する材料である。
供与性金属は仕事関数が３．８ｅＶ以下の金属であり、好ましくはアルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属であり、より好ましくはＣｓ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｓｒ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｙｂ、Ｅｕ、又はＣｅである。
供与性金属化合物は上記供与性金属を含む化合物であり、好ましくはアルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属を含む化合物であり、より好ましくはこれらの金属のハロゲン化物、酸化物、炭酸塩、又はホウ酸塩、例えば、ＭＯｘ（Ｍ：供与性金属、ｘ：０．５〜１．５）、ＭＦｘ（ｘ：１〜３）、又はＭ（ＣＯ３）ｘ（ｘ：０．５〜１．５）で表される化合物である。
供与性金属錯体は上記供与性金属を含む錯体であり、好ましくはアルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属の有機金属錯体、より好ましくは式（Ｉ）：Ｍ−（Ｑ）ｎで表される有機金属錯体である。Ｍは供与性金属、Ｑはリガンド、好ましくはカルボン酸誘導体、ジケトン誘導体、又はキノリン誘導体であり、ｎは１〜４の整数である。
供与性金属錯体の例は、ＪＰ２００５−７２０１２Ａに記載の水車型タングステン化合物及びＪＰ１１−３４５６８７Ａに記載のアルカリ金属又はアルカリ土類金属を中心金属として含むフタロシアニン化合物を含む。
還元性ドーパントは好ましくは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物、希土類金属酸化物、希土類金属ハロゲン化物、アルカリ金属を含む有機錯体、アルカリ土類金属を含む有機錯体、及び希土類金属を含む有機錯体からなる群より選ばれる少なくとも一つ、好ましくはアルカリ金属の８−キノリノール錯体である。
アルカリ金属の例としては、Ｌｉ（リチウム、仕事関数：２．９３ｅＶ）、Ｎａ（ナトリウム、仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（カリウム、仕事関数：２．３ｅＶ）、Ｒｂ（ルビジウム、仕事関数：２．１６ｅＶ）、及びＣｓ（セシウム、仕事関数：１．９５ｅＶ）が挙げられる。
仕事関数の値はHandbook of Chemistry (Pure Chemistry II, 1984, p. 493, edited by The Chemical Society of Japan)に拠る。以下、同様である。
アルカリ土類金属の好ましい例としては、Ｃａ（カルシウム、仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｍｇ（マグネシウム、仕事関数：３．６６ｅＶ）、Ｂａ（バリウム、仕事関数：２．５２ｅＶ）、及びＳｒ（ストロンチウム、仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）が挙げられる。
ストロンチウムの値は、Physics of Semiconductor Device (N.Y., Wiley, 1969, p. 366)に拠る。
希土類金属の好ましい例としては、Ｙｂ（イッテルビウム、仕事関数：２．６ｅＶ）、Ｅｕ（ユーロピウム、仕事関数：２．５ｅＶ）、Ｇｄ（ガドリニウム、仕事関数：３．１ｅＶ）、及びＥｒ（エルビウム、仕事関数：２．５ｅＶ）が挙げられる。
アルカリ金属酸化物の例としては、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、及びＮａＯが挙げられる。アルカリ土類金属酸化物は、好ましくはＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、及びＭｇＯである。
アルカリ金属ハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦなどのフッ化物、及び、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌなどの塩化物が挙げられる。
アルカリ土類金属ハロゲン化物としては、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２などのフッ化物、及び、フッ化物以外のハロゲン化物が好ましい。
式（１）の化合物の電子輸送性層中の含量は、電子輸送性層の重量に対して、好ましくは５０質量％以上、すなわち、５０〜１００質量％、より好ましくは６０質量％以上、すなわち６０〜１００重量％である。
本発明はさらに、陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に配置された発光層を含み、必要に応じて、少なくとも一つの正孔／エキシトン阻止層、少なくとも一つの電子／エキシトン阻止層、少なくとも一つの正孔注入層、少なくとも一つの正孔輸送層、少なくとも一つの電子注入層、及び少なくとも一つの電子輸送層からなる群より選ばれる少なくとも一つの他の層をさらに含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を提供する。少なくとも１種の式（１）の化合物が、前記発光層及び／又は前記他の層の少なくとも一つに含まれる。少なくとも１種の式（１）の化合物は、好ましくは前記発光層及び／又は前記電荷阻止層及び／又は前記電荷輸送層に含まれる。
好ましい態様において、少なくとも１種の本発明の式（１）の化合物は、電荷輸送、すなわち、電子輸送又は正孔輸送材料として、特に、電子輸送材料として使用される。好ましい式（１）の化合物の例は上記した。
本発明のさらに好ましい態様において、少なくとも１種の式（１）の化合物は、電荷／エキシトン阻止材料、すなわち、電子／エキシトン阻止又は正孔／エキシトン阻止材料として、特に、正孔／エキシトン阻止材料として使用される。好ましい式（１）の化合物の例は上記した。
本発明はさらに、少なくとも１種の式（１）の化合物を好ましくはホスト材料として、又はコホスト材料として含む発光層に関する。好ましい式（１）の化合物の例は上記した。
本発明の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）用材料は式（１）で表される化合物を含む。該化合物の有機ＥＬ素子用材料中の含量は特に限定されない。例えば、１質量％以上、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは５０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、特に好ましくは９０質量％以上である。含量は１００質量％であってもよい。式（１）で表される化合物以外の材料としては、後述する発光層、電子輸送層、正孔輸送層などに使用される材料が挙げられる。
本発明の有機ＥＬ素子用材料は、有機ＥＬ素子製造用の材料として有用であり、蛍光発光ユニットの発光層におけるホスト材料及びドーパント材料として、又は燐光発光ユニットの発光層におけるホスト材料として用いることができる。蛍光発光ユニット及び燐光発光ユニットのいずれにおいても、有機ＥＬ素子の陽極と発光層との間に設けられる陽極側有機薄膜層の材料として、又は有機ＥＬ素子の陰極と発光層との間に設けられる陰極側有機薄膜層の材料としても有用である。すなわち、本発明の有機ＥＬ素子用材料は、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層、電子阻止層などの材料として有用である。
なお、「発光ユニット」とは、１以上の有機層を含み、そのうちの一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光する最小単位をいう。
有機ＥＬ素子(ＯＬＥＤ)
本発明の一態様である有機ＥＬ素子は１以上の有機薄膜層を含む。この有機薄膜層は陰極と陽極の間に発光層を含み、有機薄膜層の少なくとも一層が上記有機ＥＬ素子用材料を含む。
前記有機ＥＬ素子用材料が含まれる有機薄膜層の例としては、陽極側有機薄膜層（正孔輸送層、正孔注入層など）、発光層、陰極と発光層の間に設けられる陰極側有機薄膜層（電子輸送層、電子注入層など）、スペース層、阻止層等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記有機ＥＬ素子用材料は上記層のいずれに含まれていてもよく、蛍光発光ユニットの発光層におけるホスト材料やドーパント材料、燐光発光ユニットの発光層におけるホスト材料、発光ユニットの正孔輸送層、電子輸送層として用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光／燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよい。又、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよい。これらの中でも、有機ＥＬ素子は燐光発光素子であることが好ましい。
シンプル型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（１）陽極／発光ユニット／陰極
上記発光ユニットは、複数の燐光発光層又は複数の蛍光発光層を有する積層型であってもよい。この場合、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、発光層の間にスペース層を設けてもよい。発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。
（ａ）正孔輸送層／発光層（／電子輸送層）
（ｂ）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層（／電子輸送層）
（ｃ）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｄ）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｅ）正孔輸送層／第一燐光発光層／スペース層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｆ）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第一蛍光発光層／第二蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｇ）正孔輸送層／電子阻止層／発光層（／電子輸送層）
（ｈ）正孔輸送層／発光層／正孔阻止層（／電子輸送層）
（ｉ）正孔輸送層／蛍光発光層／トリプレット阻止層（／電子輸送層）
（ｊ）正孔注入層／正孔輸送層／燐光発光層／電子輸送性層／電子注入層
（ｋ）正孔注入層／第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／蛍光発光層／第一電子輸送性層／第二電子輸送性層／電子注入層
（ｌ）正孔注入層／第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／蛍光発光層／電子輸送性層／電子注入層
上記各燐光又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる色に発光してもよい。具体的には、上記積層発光ユニット（ｄ）において、正孔輸送層／第一燐光発光層（赤色発光）／第二燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層などの層構成が挙げられる。
各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子阻止層を設けてもよい。各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔阻止層を設けてもよい。電子障壁層や正孔障壁層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、寿命を改善することができる。
タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（２）陽極／第１発光ユニット／中間層／第２発光ユニット／陰極
ここで、上記第１発光ユニット及び第２発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述したものと同じ発光ユニットが挙げられる。
一般的に、上記中間層は、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層とも呼ばれ、第１発光ユニットに電子を、第２発光ユニットに正孔を供給する公知の材料構成を用いることができる。
図１は本発明の有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット１０とを有する。発光ユニット１０は、好ましくはホスト材料とドーパントを含む発光層５を有する。発光層５と陽極３との間に正孔注入及び輸送層６などを形成してもよいし、発光層５と陰極４との間に電子注入層８、電子輸送層７など（電子注入及び輸送ユニット１１）を形成してもよい。発光層５の陽極３側に電子阻止層を、発光層５の陰極４側に正孔阻止層を設けてもよい。これにより、電子又は正孔を発光層５に閉じ込めることができ、発光層５におけるエキシトンの生成確率を改善することができる。
本発明において、蛍光ドーパントと組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区別されるものではない。すなわち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を形成する材料を意味し、蛍光ドーパントを形成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。
基板
有機ＥＬ素子は、通常、透明基板上に作製する。透明基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００〜７００ｎｍの可視光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。具体例としては、ガラス板及びポリマー板が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を原料として用いて得られるものが挙げられる。ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリルポリマー、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を原料として用いて得られるものを挙げることができる。
陽極
有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有するものを用いることが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、インジウム亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅等が挙げられる。陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜にすることにより作製することができる。発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率を１０％より大きくすることが好ましい。陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍである。
陰極
陰極は電子注入層、電子輸送層又は発光層に電子を注入する役割を担うものであり、仕事関数の小さい材料により形成するのが好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体例としては、インジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が挙げられる。陰極も、陽極と同様に、蒸着法やスパッタリング法等の方法で材料を薄膜に形成することにより作製することができる。必要に応じて、陰極側から発光を取り出してもよい。
発光層
発光層は、発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含む。ホスト材料は、電子と正孔の再結合を促進し、エキシトンを発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られたエキシトンを効率的に発光させる機能を有する。
燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントにより生成されたエキシトンを発光層内に閉じ込める機能を有する。
上記発光層は、例えば、電子輸送性のホスト材料と正孔輸送性のホスト材料を組み合わせるなどして、発光層内のキャリアバランスを調整するダブルホスト（ホスト／コホストともいう）を採用してもよい。発光層が第一ホスト材料と第二ホスト材料を含み、第一ホスト材料が本発明の有機ＥＬ素子用材料であることが好ましい。
量子収率の高いドーパント材料を二種類以上入れることによって、それぞれのドーパント材料が発光するダブルドーパントを採用してもよい。具体的には、ホスト、赤色ドーパント材料及び緑色ドーパント材料を共蒸着することによって共通発光層を形成し、黄色発光を実現する態様が挙げられる。
発光層は、複数の発光層を積層した積層体とすることで、発光層界面に電子と正孔を蓄積させて、再結合領域を発光層界面に集中させて、量子効率を向上させることができる。
発光層への正孔の注入し易さと電子の注入し易さは異なっていてもよく、また、発光層中での正孔と電子の移動度で表される正孔輸送能と電子輸送能が異なっていてもよい。
発光層は、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法（Langmuir Blodgett法）などの公知の方法により形成することができる。また、樹脂などのバインダーと材料化合物とを溶剤に溶かした溶液をスピンコート法などにより薄膜に形成することによっても発光層を形成することができる。
発光層は、分子堆積膜であることが好ましい。分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物を固体化して形成された膜のことである。通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
発光材料（ドーパント材料）
ドーパント材料は、通常、蛍光発光する公知の蛍光ドーパント又は燐光発光する公知の燐光ドーパントから選ばれる。
発光層を形成する燐光ドーパント（燐光発光材料）は三重項励起状態から発光することのできる化合物であり、三重項励起状態から発光する限り特に限定されない。燐光ドーパントは、Ｉｒ，Ｐｔ，Ｏｓ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｒｅ及びＲｕから選択される少なくとも一つの金属と配位子とを含む有機金属錯体であることが好ましい。前記配位子は、オルトメタル結合を有することが好ましい。燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、燐光ドーパントは、Ｉｒ，Ｏｓ及びＰｔから選ばれる金属原子を含有する化合物であることが好ましく、より好ましくはイリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体であり、さらに好ましくはオルトメタル化錯体である。これらの中でも、イリジウム錯体及び白金錯体がさらに好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が特に好ましい。
発光材料（ドーパント）、好ましくは燐光ドーパント材料の発光層における含有量は特に制限はなく素子の用途に応じて選択することができるが、好ましくは０．１〜７０質量％、より好ましくは１〜３０質量％である。０．１質量％以上であると発光量が十分であり、７０質量％以下であると濃度消光を避けることができる。発光層の他の成分は、通常、１以上のホスト材料であり、その含有量は、好ましくは３０〜９９．９質量％、より好ましくは７０〜９９質量％である。ただし、発光材料とホスト材料の合計は１００質量％である。
本発明のＯＬＥＤに用いる好適な金属錯体(ドーパント、特に、燐光ドーパント)は、例えば、ＷＯ０２／６０９１０Ａ１、ＵＳ２００１／００１５４３２Ａ１、ＵＳ２００１／００１９７８２Ａ１、ＵＳ２００２／００５５０１４Ａ１、ＵＳ２００２／００２４２９３Ａ１、ＵＳ２００２／００４８６８９Ａ１、ＥＰ１１９１６１２Ａ２、ＥＰ１１９１６１３Ａ２、ＥＰ１２１１２５７Ａ２、ＵＳ２００２／００９４４５３Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ００／７０６５５Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２、ＷＯ２００５／１１３７０４Ａ２、ＷＯ２００６／１１５３０１Ａ１、ＷＯ２００６／０６７０７４Ａ１、ＷＯ２００６／０５６４１８、ＷＯ２００６１２１８１１Ａ１、ＷＯ２００７０９５１１８Ａ２、ＷＯ２００７／１１５９７０、ＷＯ２００７／１１５９８１、ＷＯ２００８／０００７２７、ＷＯ２０１０１２９３２３、ＷＯ２０１００５６６６９、ＷＯ１００８６０８９、ＵＳ２０１１／００５７５５９、ＷＯ２０１１／１０６３４４、ＵＳ２０１１／０２３３５２８、ＷＯ２０１２／０４８２６６、及びＷＯ２０１２／１７２４８２に記載されている。
さらに好適な金属錯体としては、下記の市販されている金属錯体である：トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ） トリス（２−（４−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ） トリス（１−フェニルイソキノリン）、イリジウム（ＩＩＩ） ビス（２，２’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’）（アセチルアセトネート）、トリス（２−フェニルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ） ビス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２）ピコリネート、イリジウム（ＩＩＩ） ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）、ビス（２−フェニルキノリン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ） ビス（ジ−ベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）、イリジウム（ＩＩＩ） ビス（２−メチルジ−ベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）、トリス（３−メチル−１−フェニル−４−トリメチルアセチル−５−ピラゾリノ）テルビウム（ＩＩＩ）、ビス［１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）イソ-キノリン］（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−（９，９−ジヘキシルフルオレニル）−１−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）。
さらに、下記の市販材料も好適である:トリス（ジベンゾイルアセトナト）モノ（フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）−モノ（フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（５−アミノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジ−２−ナフトイルメタン）モノ（フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（４−ブロモベンゾイルメタン）モノ（フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジ（ビフェニル）メタン）モノ（フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（４，７−ジフェニルフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（４，７−ジ−メチルフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（４，７−ジメチルフェナントロリンジスルホン酸）ユーロピウム（ＩＩＩ） ジナトリウム塩、トリス［ジ（４−（２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ）ベンゾイルメタン）］モノ（フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス［ジ［４−（２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ）ベンゾイルメタン）］モノ（５−アミノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、オスミウム（ＩＩ） ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾラト）ジフェニルメチルホスフィン、オスミウム（ＩＩ） ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（２−ピリジル）−１，２，４−トリアゾ−ル）ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム（ＩＩ） ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾラト）ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム（ＩＩ） ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（２−ピリジル）ピラゾラト）ジメチルフェニルホスフィン、トリス［４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（２，２’）−ビピリジン］ルテニウム（ＩＩＩ）、オスミウム（ＩＩ） ビス（２−（９，９−ジブチルフルオレニル）−１−イソキノリン（アセチルアセトネート）。
特に好適な金属錯体は、ＵＳ２０１４／０４８７８４、ＵＳ２０１２／２２３２９５、ＵＳ２０１４／３６７６６７、ＵＳ２０１３／２３４１１９、ＵＳ２０１４／００１４４６、ＵＳ２０１４／２３１７９４、ＵＳ２０１４／００８６３３、ＷＯ２０１２／１０８３８８、及びＷＯ２０１２／１０８３８９に記載されている。ＵＳ２０１３／２３４１１９の段落［０２２２］に記載の発光材料がその例として挙げられる。ＵＳ２０１３／２３４１１９の段落［０２２２］に記載の発光材料、特に赤色発光材料の一部を以下に記載する。


Mrs Bulletin, 2007, 32, 694に記載の下記発光材料も好適である。

ＷＯ２００９／１００９９１に記載の下記発光材料も好適である。

ＷＯ２００８／１０１８４２に記載の下記発光材料も好適である。
ＵＳ２０１４／００４８７８４、特に段落［０１５９］に記載の下記発光材料も好適である。






ＷＯ２００８／１０９８２４に記載の赤色発光材料も好適である。この文献に記載の好ましい赤色発光材料を以下に示す。



前記発光材料（ドーパント）、好ましくは燐光発光材料は、単独で使用しても２種以上を組み合わせてもよい。
式（１）の化合物は、蛍光ドーパント、好ましくは青色蛍光ドーパントと組み合わせて、特に、電子輸送材料として用いることも有用である。本発明のＯＬＥＤの発光層に使用出来る青色蛍光ドーパントとしては、例えば、ＥＰ２９２４０２９に記載の多環アミン誘導体が挙げられる。特に好ましい芳香族アミン誘導体は下記式（２０Ａ）で表される化合物から選択される。

式（２０Ａ）において、Ｙは置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合芳香族炭化水素基である。
Ａｒ１０１及びＡｒ１０２は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロ環基である。
Ｙの具体例としては、上記した縮合アリール基が挙げられる。Ｙは好ましくは置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のピレニル基、又は置換もしくは無置換のクリセニル基である。
ｎは１〜４の整数、好ましくは１〜２の整数である。
上記式（２０Ａ）は、好ましくは下記式（２１Ａ）〜（２４Ａ）の一つで表される。

式（２１Ａ）〜（２４Ａ）において、Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇは、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基である。Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇは、それぞれ独立して、縮合多環骨格を形成するベンゼン環のどの結合位置に結合してもよい。
Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇの好ましい例としては、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０アリール基が挙げられる。より好ましくは、Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基などである。
ｔは０〜１０の整数、ｕは０〜８の整数、ｍは０〜１０の整数である。Ａｒ２０１〜Ａｒ２１８は、それぞれ独立して、環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロ環基である。
Ａｒ２０１〜Ａｒ２１８の好ましい例は、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基などである。Ａｒ２０１〜Ａｒ２１８の好ましい置換基としては、アルキル基、シアノ基、及び置換もしくは無置換のシリル基が挙げられる。
式（２１Ａ）〜（２４Ａ）において、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、及びヘテロ環基の例としては上述したものが挙げられる。
炭素数２〜５０、好ましくは２〜３０、より好ましくは２〜２０、特に好ましくは２〜１０のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基、１−メチルアリル基、１，１−ジメチルアリル基、２−メチルアリル基、１−フェニルアリル基、２−フェニルアリル基、３−フェニルアリル基、３，３−ジフェニルアリル基、１，２−ジメチルアリル基、１−フェニル−１−ブテニル基、３−フェニル−１−ブテニル基などが挙げられ、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基などが好ましい。
炭素数２〜５０、好ましくは２〜３０、より好ましくは２〜２０、特に好ましくは２〜１０のアルキニル基としては、プロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。
アルキルゲルマニウム基としては、メチルヒドロゲルミル基、トリメチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、トリプロピルゲルミル基、ジメチル−ｔ−ブチルゲルミル基などが挙げられる。
アリールゲルマニウム基としては、フェニルジヒドロゲルミル基、ジフェニルヒドロゲルミル基、トリフェニルゲルミル基、トリトリルゲルミル基、トリナフチルゲルミル基などが挙げられる。
スチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記式（１７Ａ）及び（１８Ａ）で表される化合物が好ましい。
式（１７Ａ）において、Ａｒ３０１はｋ価の基であり、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベン基、スチリルアリール基、及びジスチリルアリール基に相当するｋ価の基である。Ａｒ３０２及びＡｒ３０３は、それぞれ独立して、環形成炭素数６〜２０のアリール基であり、Ａｒ３０１、Ａｒ３０２及びＡｒ３０３は置換されていてもよい。
ｋは１〜４の整数、好ましくは１〜２の整数である。Ａｒ３０１〜Ａｒ３０３のいずれか一つはスチリル基を有する基である。Ａｒ３０２及びＡｒ３０３の少なくとも一つがスチリル基で置換されていることがさらに好ましい。
環形成炭素数６〜２０アリール基としては、上記したアリール基が特に挙げられ、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、ターフェニル基などが好ましい。
式（１８Ａ）において、Ａｒ３０４〜Ａｒ３０６は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のｖ価のアリール基である。ｖは１〜４の整数、好ましくは１〜２の整数である。
式（１８Ａ）中の環形成炭素数６〜４０のアリール基としては、前記したアリール基が特に挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基、又は式（２０Ａ）で表されるアリール基が好ましい。
該アリール基の置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、環形成炭素数６〜４０のアリール基、環形成炭素数６〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、環形成炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子などが好ましい。
ホスト（マトリックス）材料
発光層は発光材料に加えて他の成分を含んでいてもよい。例えば、発光材料の発光色を変化させるために、蛍光色素を発光層に存在させてもよい。さらに、好ましい態様において、マトリックス材料を用いることができる。マトリックス材料は、例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）又はポリシランなどのポリマーであってもよい。マトリックス材料は、例えば、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＤＰ＝ＣＢＰ）、又は、トリス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）などの三級芳香族アミンなどの低分子化合物であってもよい。
１種以上の燐光発光材料を発光層に用いる場合、１種以上の燐光ホストがホスト材料として用いられる。燐光ホストは燐光ドーパントの三重項エネルギーを効率よく発光層に閉じ込め、燐光ドーパントを効率よく発光させる化合物である。
好ましい態様において、発光層は少なくとも１種の発光材料と本願に記載の少なくとも１種のマトリックス材料から形成される。好ましい態様において、本発明の電子機器、好ましくは本発明のＯＬＥＤは、少なくとも１種の式（１）の化合物をマトリックス（ホスト）材料として含む。
一態様において、発光層は、少なくとも１種の発光材料及び少なくとも２種のマトリックス材料を含む。マトリックス材料の一つは式（１）の化合物であり、他のマトリックス材料はコホストとして用いられる。式（１）の化合物以外の他のホスト材料（コホスト）の好適な例は後述する。
他の態様において、発光層は少なくとも１種の発光材料及び式（１）の化合物を単一マトリックス（ホスト）材料として含む。単一ホスト材料として好ましい式（１）の化合物の例は上記した。
式（１）の化合物は、１種以上の他のホスト材料（コホスト）と共に用いるホスト材料としてだけではなく、単一ホスト材料としても好適である。他のホスト材料の好適な例は後述する。本発明に於いて「他のホスト材料」は式（１）の化合物とは異なるホスト材料を意味する。本発明のＯＬＥＤの発光層には２種以上の異なる式（１）の化合物をホスト材料として用いることもできる。
より好ましい態様において、発光層は、０．１〜７０重量％、好ましくは１〜３０重量％の前記発光材料の少なくとも１種と、３０〜９９．９重量％、好ましくは７０〜９９重量％の本願に記載のマトリックス材料（一態様においては、少なくとも１種の式（１）の化合物）の少なくとも１種から形成される。ただし、発光材料とマトリックス材料の合計は１００重量％である。
さらに好ましい態様において、発光層は、マトリックス材料としての式（１）の化合物、少なくとも１種の他のマトリックス材料（コホスト）、及び少なくとも１種の発光材料を含む。本態様において、発光層は、０．１〜７０重量％、好ましくは１〜３０重量％の少なくとも１種の発光材料、及び、３０〜９９．９重量％、好ましくは７０〜９９重量％の式（１）の化合物及び他のマトリックス材料から形成される。ただし、少なくとも１種の発光材料、他のマトリックス材料、及び式（１）の化合物の合計は１００重量％である。
発光層中での第一ホスト材料としての式（１）の化合物とコホストとしての第二マトリックス材料の含有割合は特に限定されず、必要に応じて選択されるが、第一ホスト材料：第二ホスト材料は、質量比で、好ましくは１：９９〜９９：１、より好ましくは１０：９０〜９０：１０である。
燐光ホストは、燐光ドーパントの三重項エネルギーを発光層に効率よく閉じ込めることにより燐光ドーパントを効率よく発光させる機能を有する化合物である。本発明の有機ＥＬ素子用材料は燐光ホストとして好ましい。発光層は本発明の有機ＥＬ素子用材料を１種含んでいてもよいし、本発明の有機ＥＬ素子用材料を２種以上含んでいてもよい。
本発明の有機ＥＬ素子用材料を発光層のホスト材料として用いる場合、発光層に含まれる燐光ドーパントの発光波長は特に限定されない。発光層に含まれる少なくとも１種の燐光ドーパント材料が４９０ｎｍ以上かつ７００ｎｍ以下、より好ましくは４９０ｎｍ以上かつ６５０ｎｍ以下の発光ピーク波長を有することが好ましい。発光層の発光色は、例えば、赤色、黄色、及び緑色であることが好ましい。本発明の化合物をホスト材料として用い、かつ、そのような発光波長を有する燐光ドーパントをドープして発光層を形成することにより、長寿命の有機ＥＬ素子を得ることができる。
本発明の有機ＥＬ素子において、上記した目的に応じて、本発明の有機ＥＬ素子用材料以外の化合物を燐光ホストとして適宜選択することができる。
本発明の有機ＥＬ素子用材料及び他の化合物は、同一の発光層の燐光ホスト材料として組み合わせて用いることができる。複数の発光層が存在する場合、一つの発光層の燐光ホスト材料として本発明の有機ＥＬ素子用材料を用い、他の発光層の燐光ホスト材料として本発明の有機ＥＬ素子用材料以外の化合物を用いてもよい。本発明の有機ＥＬ素子用材料は発光層以外の有機層に用いることもできる。この場合、本発明の有機ＥＬ素子用材料以外の化合物を発光層の燐光ホストとして用いてもよい。
本発明の有機ＥＬ素子用材料以外の化合物で、燐光ホストとして好ましい化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。上記燐光ホストは単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。
発光層が第一ホスト材料と第二ホスト材料を含む場合、本発明の有機ＥＬ素子用材料を第一ホスト材料として用い、本発明の有機ＥＬ素子用材料以外の他の化合物を第二ホスト材料として用いてもよい。本発明に於いて、“第一ホスト材料”と“第二ホスト材料”とは、発光層に含まれる複数のホスト材料が構造的に異なることを意味し、発光層に含まれる各ホスト材料の含有量によって決められるものではない。
第二ホスト材料は特に限定されず、本発明の有機ＥＬ素子用材料以外の化合物及び上記した燐光ホストとして好ましい化合物が挙げられる。第二ホストとしては、カルバゾール誘導体、アリールアミン誘導体、フルオレノン誘導体、及び芳香族第三アミン化合物が好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光発光材料を含む発光層(すなわち、蛍光発光層)を有していてもよい。公知の蛍光発光材料を蛍光発光層に用いることができる。蛍光発光材料としては、アントラセン誘導体、フルオランテン誘導体、スチリルアミン誘導体及びアリールアミン誘導体から選択される少なくとも１種が好ましく、アントラセン誘導体、アリールアミン誘導体がより好ましい。特に、ホスト材料としてはアントラセン誘導体が好ましく、ドーパント材料としてはアリールアミン誘導体が好ましい。具体的には、ＷＯ２０１０／１３４３５０号やＷＯ２０１０／１３４３５２号に記載の好適な材料から選択される。本発明の有機ＥＬ素子用材料は、蛍光発光層の蛍光発光材料として用いてもよく、蛍光発光層のホスト材料として用いてもよい。
蛍光発光層に用いるアントラセン誘導体は好ましくは２６〜１００、より好ましくは２６〜８０、さらに好ましくは２６〜６０の環形成炭素数を有する。より具体的には、アントラセン誘導体としては、下記式（１０Ａ）で表されるアントラセン誘導体が好ましい。

式（１０Ａ）において、Ａｒ３１及びＡｒ３２は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は環形成原子数５〜５０のヘテロ環基である。
Ｒ８１〜Ｒ８８は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロ環基、炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、又はヒドロキシル基である。
前記環形成炭素数６〜５０のアリール基は、好ましくは環形成炭素数６〜４０アリール基、より好ましくは環形成炭素数６〜３０のアリール基である。
前記環形成原子数５〜５０のヘテロ環基は、好ましくは環形成原子数５〜４０のヘテロ環基、より好ましくは環形成原子数５〜３０のヘテロ環基である。
前記炭素数１〜５０のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、さらに好ましくは炭素数１〜５のアルキル基である。
前記炭素数１〜５０のアルコキシ基は、好ましくは炭素数１〜３０のアルコキシ基、より好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基、さらに好ましくは炭素数１〜５のアルコキシ基である。
前記炭素数７〜５０のアラルキル基は、好ましくは炭素数７〜３０アラルキル基、より好ましくは炭素数７〜２０のアラルキル基である。
前記環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基は、好ましくは環形成炭素数６〜４０のアリールオキシ基、より好ましくは環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基である。
前記環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基は、好ましくは環形成炭素数６〜４０のアリールチオ基、より好ましくは環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基である。
前記炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基は、好ましくは炭素数２〜３０のアルコキシカルボニル基、より好ましくは炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、さらに好ましくは炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基である。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。
特に、Ａｒ３１及びＡｒ３２は、好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。
式（１０Ａ−１）において、Ａｒ３３は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は環形成原子数５〜５０のヘテロ環基である。Ｒ８１〜Ｒ８８は上記した。Ｒ８９はＲ８１〜Ｒ８８と同様に定義される。ａは１〜７の整数である。
Ｒ８１〜Ｒ８８の好ましい例は上記したとおりである。Ｒ８９の好ましい例はＲ８１〜Ｒ８８の好ましい例と同じである。ａは好ましくは１〜３の整数、より好ましくは１又は２である。
Ａｒ３３が表す環形成炭素数６〜５０のアリール基は、好ましくは環形成炭素数６〜４０のアリール基、より好ましくは環形成炭素数６〜３０のアリール基、さらに好ましくは環形成炭素数６〜２０のアリール基、特に好ましくは環形成炭素数６〜１２のアリール基である。
蛍光発光材料としてのアリールアミン誘導体は、好ましくはアリールジアミン誘導体、より好ましくはピレン骨格を有するアリールジアミン誘導体、さらに好ましくはピレン骨格とジベンゾフラン骨格を有するアリールジアミン誘導体である。
アリールジアミン誘導体としては、具体的には、下記式（１１Ａ）で表されるアリールアミン誘導体が好ましい。

式（１１Ａ）において、Ａｒ３４〜Ａｒ３７は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
Ｌ２１は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
前記環形成炭素数６〜５０のアリール基は、好ましくは環形成炭素数６〜３０のアリール基、より好ましくは環形成炭素数６〜２０のアリール基、さらに好ましくは環形成炭素数６〜１２のアリール基、特に好ましくはフェニル基及びナフチル基である。
前記環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基は、好ましくは環形成原子数５〜４０のヘテロアリール基、より好ましくは環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、さらに好ましくは環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基である。該ヘテロアリール基としては、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基などが挙げられ、ジベンゾフラニル基が好ましい。ヘテロアリール基の好ましい置換基としては、環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２のアリール基が挙げられ、フェニル基及びナフチル基がより好ましい。
前記環形成炭素数６〜５０のアリーレン基は、好ましくは環形成炭素数６〜４０のアリーレン基、り好ましくは環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、さらに好ましくは環形成炭素数６〜２０のアリーレン基であり、ピレニル基が特に好ましい。
発光層の厚さは、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、さらに好ましくは１０〜５０ｎｍである。厚さが５ｎｍ以上であると、発光層の形成が容易である。厚さが５０ｎｍ以下であると、駆動電圧の上昇を避けることができる。
電子供与性ドーパント
本発明の有機ＥＬ素子において、陰極と発光ユニットとの界面領域に電子供与性ドーパントを含ませることも好ましい。このような構成によれば、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。電子供与性ドーパントとは、仕事関数３．８ｅＶ以下の金属を含有するものをいい、その具体例としては、アルカリ金属、アルカリ金属錯体、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属錯体、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、希土類金属錯体、及び希土類金属化合物等から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
アルカリ金属としては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）、Ｃｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくはＫ、Ｒｂ、Ｃｓ、さらに好ましくはＲｂ又はＣｓであり、最も好ましくはＣｓである。アルカリ土類金属としては、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０ｅＶ〜２．５ｅＶ）、Ｂａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。希土類金属としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｙｂ等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
アルカリ金属化合物としては、Ｌｉ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏ、Ｋ２Ｏ等のアルカリ酸化物、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦ等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＮａＦが好ましい。アルカリ土類金属化合物としては、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びこれらを混合したＢａｘＳｒ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）、ＢａｘＣａ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）等が挙げられ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。希土類金属化合物としては、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＳｃＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＧｄＦ３、ＴｂＦ３等が挙げられ、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＴｂＦ３が好ましい。
アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体としては、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも１種を含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β−ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体などが好ましいが、これらに限定されるものではない。
電子供与性ドーパントは界面領域に層状又は島状に形成するのが好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により電子供与性ドーパントを蒸着しながら、界面領域を形成する有機化合物（発光材料や電子注入材料）を同時に蒸着させ、有機化合物に電子供与性ドーパントを分散する方法が好ましい。分散濃度はモル比で前記有機化合物：電子供与性ドーパントが１００：１〜１：１００、好ましくは５：１〜１：５である。
電子供与性ドーパントを層状に形成する場合は、界面領域の有機層となる発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、還元性ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは厚み０．１ｎｍ〜１５ｎｍの層を形成する。電子供与性ドーパントを島状に形成する場合は、界面領域の有機層となる発光材料又は電子注入材料を島状に形成した後に、電子供与性ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは厚み０．０５ｎｍ〜１ｎｍの島を形成する。
本発明の有機ＥＬ素子において、前記主成分と電子供与性ドーパントの割合は、モル比で主成分：電子供与性ドーパントが５：１〜１：５であると好ましく、２：１〜１：２であるとより好ましい。
電子輸送層
電子輸送層は、発光層と陰極との間に形成される有機層であって、電子を陰極から発光層へ輸送する機能を有する。後述する応用例に記載したように、電子輸送層は発光層又は他の電子輸送性層、正孔阻止層、エキシトン阻止層などの電子輸送帯域に接触するように形成してもよいし、発光層と他の電子輸送性層の間に配置してもよい。電子輸送層が複数層で構成される場合、陰極に近い有機層を電子注入層と定義することがある。電子注入層は、陰極から電子を効率的に有機層ユニットに注入する機能を有する。本発明の有機ＥＬ素子用材料は電子輸送層を構成する電子輸送層材料としても好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子用材料以外に、電子輸送層に用いる電子輸送性材料としては、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましく用いられ、特に含窒素環誘導体が好ましい。含窒素環誘導体としては、含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する芳香族環、又は含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する縮合芳香族環化合物が好ましい。
この含窒素環誘導体としては、例えば、下記式（Ａ）で表される含窒素環状金属キレート錯体が好ましい。

含窒素環状金属キレート錯体である式（Ａ）のＲ２〜Ｒ７は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、水素原子、ヒドロキシ基、アミノ基、炭素数１〜４０の炭化水素基、炭素数１〜４０のアルコキシ基、炭素数６〜５０のアリールオキシ基、アルコキシカルボニル基又は環形成炭素数５〜５０の芳香族複素環基であり、これらは置換されていてもよい。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
置換されていてもよいアミノ基の例としては、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、及びアラルキルアミノ基が挙げられる。
アルキルアミノ基及びアラルキルアミノ基は−ＮＱ１Ｑ２と表される。Ｑ１及びＱ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアラルキル基を表す。Ｑ１及びＱ２の一方は水素原子又は重水素原子であってもよい。
アリールアミノ基は−ＮＡｒ１Ａｒ２と表され、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に、炭素数６〜５０の非縮合芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ１及びＡｒ２の一方は水素原子又は重水素原子であってもよい。
炭素数１〜４０の炭化水素基はアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基を含む。
アルコキシカルボニル基は−ＣＯＯＹ’と表され、Ｙ’は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。
Ｍは、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）又はインジウム（Ｉｎ）であり、Ｉｎであると好ましい。
Ｌは、下記式（Ａ’）又は（Ａ”）で表される基である。

式（Ａ’）において、Ｒ８〜Ｒ１２は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜４０炭化水素基であり、隣接する基は環構造を形成してもよい。式（Ａ”）において、Ｒ１３〜Ｒ２７は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜４０炭化水素基であり、隣接する基は環構造を形成してもよい。
式（Ａ’）及び（Ａ”）のＲ８〜Ｒ１２及びＲ１３〜Ｒ２７が表す炭素数１〜４０の炭化水素基は、含窒素環状金属キレート錯体である前記式（Ａ）中のＲ２〜Ｒ７が表す炭化水素基と同様である。Ｒ８〜Ｒ１２及びＲ１３〜Ｒ２７の隣接基が環構造を形成する場合の２価の基としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ジフェニルメタン−２，２’−ジイル基、ジフェニルエタン−３，３’−ジイル基、ジフェニルプロパン−４，４’−ジイル基等が挙げられる。
電子輸送層に用いられる電子輸送材料としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、含窒素複素環誘導体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを用いることができる。そして、オキサジアゾール誘導体としては、下記のものを挙げることができる。
前記式中、Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９、Ａｒ２１、Ａｒ２２及びＡｒ２５は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を示し、Ａｒ１７とＡｒ１８、Ａｒ１９とＡｒ２１、Ａｒ２２とＡｒ２５は、たがいに同一でも異なっていてもよい。芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基などが挙げられる。これらの置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。
Ａｒ２０、Ａｒ２３及びＡｒ２４は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の２価の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を示し、Ａｒ２３とＡｒ２４は、たがいに同一でも異なっていてもよい。２価の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。これらの置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。
これらの電子輸送化合物は、薄膜形成性の良好なものが好ましく用いられる。これら電子輸送化合物の具体例としては、下記のものを挙げることができる。
電子輸送化合物としての含窒素複素環誘導体は、以下の式を有する有機化合物からなる含窒素複素環誘導体であって、金属錯体ではない含窒素化合物が挙げられる。例えば、下記式（Ｂ）に示す骨格を含有する５員環もしくは６員環や、下記式（Ｃ）に示す構造のものが挙げられる。

前記式（Ｃ）中、Ｘは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立に、含窒素ヘテロ環を形成可能な原子群を表す。
含窒素複素環誘導体は、さらに好ましくは、５員環もしくは６員環からなる含窒素芳香族多環を有する有機化合物である。さらには、含窒素芳香族多環の場合は、上記式（Ｂ）と（Ｃ）、又は上記式（Ｂ）と下記式（Ｄ）を組み合わせた骨格を有する含窒素芳香族多環有機化合物が好ましい。
前記の含窒素芳香族多環有機化合物の含窒素基は、例えば、以下の式で表される含窒素複素環基から選択される。
前記各式中、Ｒは、炭素数６〜４０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、炭素数３〜４０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基、炭素数１〜２０のアルキル基、又は炭素数１〜２０アルコキシ基である。ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の整数であるとき、複数のＲは互いに同一でも異なっていてもよい。
さらに、好ましい具体的な化合物として、下記式（Ｄ１）で表される含窒素複素環誘導体が挙げられる。
ＨＡｒ−Ｌ１−Ａｒ１−Ａｒ２ （Ｄ１）
前記式（Ｄ１）中、ＨＡｒは、置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の含窒素複素環基であり、Ｌ１は単結合、置換もしくは無置換の炭素数６〜４０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基である。Ａｒ１は置換もしくは無置換の炭素数６〜４０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ２は置換もしくは無置換の炭素数６〜４０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基である。
ＨＡｒは、例えば、下記の群から選択される。
式（Ｄ１）のＬ１は、例えば、下記の群から選択される。
式（Ｄ１）のＡｒ１は、例えば、下記式（Ｄ２）、式（Ｄ３）のアリールアントラニル基から選択される。
前記式（Ｄ２）、式（Ｄ３）中、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜４０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜４０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜４０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基である。Ａｒ３は、置換もしくは無置換の炭素数６〜４０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の素数３〜４０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基である。含窒素複素環誘導体のＲ１〜Ｒ８は全てが水素原子又は重水素原子であってもよい。
式（Ｄ１）のＡｒ２は、例えば、下記の基から選択される。
上記化合物に加えて、電子輸送化合物としての含窒素芳香族多環有機化合物には、下記の化合物も好適に用いられる。
前記式（Ｄ４）中、Ｒ１〜Ｒ４、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０の脂肪族基、置換もしくは無置換の無置換の炭素数３〜２０の脂肪族環基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族環基、又は置換もしくは無置換の炭素数３〜５０の複素環基であり、Ｘ１及びＸ２、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、又はジシアノメチレン基である。
電子輸送化合物として、下記の化合物も好適に用いられる。

前記式（Ｄ５）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は互いに同一又は異なる基であって、下記式（Ｄ６）で表される芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基である。

前記式（Ｄ６）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は互いに同一又は異なる基であって、水素原子、重水素原子、飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０のアルコキシル基、飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０のアルキル基、アミノ基、又は炭素数１〜２０のアルキルアミノ基である。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９の少なくとも１つは水素原子又は重水素原子以外の基である。
さらに、電子輸送化合物は、該含窒素複素環基又は含窒素複素環誘導体を含む高分子化合物であってもよい。
本発明の有機ＥＬ素子の電子輸送層は、下記式（Ｅ）〜（Ｇ）で表される含窒素複素環誘導体を少なくとも１種含むことが特に好ましい。
式（Ｅ）〜式（Ｇ）中、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のハロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基である。
ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の整数であるとき、複数のＲ１は互いに同一でも異なっていてもよい。また、２つのＲ１同士が互いに結合して、置換もしくは無置換の炭化水素環を形成していてもよい。
Ａｒ１は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
Ａｒ２は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
Ａｒ１とＡｒ２のいずれか一方は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合芳香族炭化水素環基又は置換もしくは無置換の環形成原子数９〜５０の縮合芳香族複素環基である。
Ａｒ３は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
Ｌ１、Ｌ２及びＬ３は、それぞれ独立して、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数９〜５０の２価の縮合芳香族複素環基である。
環形成炭素数６〜５０のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、クリセニル基、ピレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、トリル基、フルオランテニル基、フルオレニル基などが挙げられる。
環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基としては、ピローリル基、フリル基、チエニル基、シローリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、べンゾフリル基、イミダゾリル基、ピリミジル基、カルバゾリル基、セレノフェニル基、オキサジアゾリル基、トリアゾーリル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノキサリニル基、アクリジニル基、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、イミダゾ［１，２−ａ］ピリミジニル基などが挙げられる。
炭素数１〜２０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基などが挙げられる。
炭素数１〜２０のハロアルキル基としては、前記アルキル基の１又は２個以上の水素原子をフッ素、塩素、ヨウ素及び臭素から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子で置換して得られる基が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、前記アルキル基をアルキル部位として有する基が挙げられる。
環形成炭素数６〜５０のアリーレン基としては、前記アリール基から水素原子１個を除去して得られる基が挙げられる。
環形成原子数９〜５０の２価の縮合芳香族複素環基としては、前記ヘテロアリール基として記載した縮合芳香族複素環基から水素原子１個を除去して得られる基が挙げられる。
電子輸送層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは１ｎｍ〜１００ｎｍである。
また、電子輸送層に隣接して設けることができる電子注入層の構成成分として、含窒素環誘導体の他に無機化合物として、絶縁体又は半導体を使用することが好ましい。電子注入層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。
このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも１種の金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、Ｎａ２Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等のフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも１種の元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子注入層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。このような無機化合物としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
このような絶縁体又は半導体を使用する場合、その層の好ましい厚みは、０．１ｎｍ〜１５ｎｍ程度である。また、本発明の電子注入層は、前述の電子供与性ドーパントを含有していても好ましい。
正孔輸送層
発光層と陽極との間に形成される有機層であって、正孔を陽極から発光層へ輸送する機能を有する。正孔輸送層が複数層で構成される場合、陽極に近い有機層を正孔注入層と定義することがある。正孔注入層は、陽極から正孔を効率的に有機層ユニットに注入する機能を有する。
正孔輸送層を形成する他の材料としては、芳香族アミン化合物、例えば、下記式（Ｈ）で表される芳香族アミン誘導体が好適に用いられる。
前記式（Ｈ）において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基、又はそれらの芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基と芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基が結合した基である。
前記式（Ｈ）において、Ｌは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基である。
式（Ｈ）の化合物の具体例を以下に記す。
また、下記式（Ｊ）の芳香族アミンも正孔輸送層の形成に好適に用いられる。
前記式（Ｊ）において、Ａｒ１〜Ａｒ３の定義は前記式（Ｈ）のＡｒ１〜Ａｒ４の定義と同様である。以下に式（Ｊ）の化合物の具体例を記すがこれらに限定されるものではない。
本発明の有機ＥＬ素子の正孔輸送層は第１正孔輸送層（陽極側）と第２正孔輸送層（陰極側）の２層構造にしてもよい。
正孔輸送層の膜厚は特に限定されないが、１０〜２００ｎｍであるのが好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子では、正孔輸送層又は第１正孔輸送層の陽極側にアクセプター材料を含有する層を接合してもよい。これにより駆動電圧の低下及び製造コストの低減が期待される。
前記アクセプター材料としては下記式（Ｋ）で表される化合物が好ましい。
上記式（Ｋ）中、Ｒ２１〜Ｒ２６は互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にシアノ基、−ＣＯＮＨ２、カルボキシル基、又は−ＣＯＯＲ２７（Ｒ２７は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数３〜２０のシクロアルキル基を表す）を表す。ただし、Ｒ２１及びＲ２２；Ｒ２３及びＲ２４；及びＲ２５及びＲ２６の１又は２以上の対は、−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を形成してもよい。
Ｒ２７としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
アクセプター材料Ｋの例としては以下のものが挙げられる。
アクセプター材料を含有する層の膜厚は特に限定されないが、５〜２０ｎｍであるのが好ましい。
ｎ／ｐドーピング
上述の正孔輸送層や電子輸送層においては、日本特許第３６９５７１４号に記載されているように、ドナー性材料のドーピング（ｎ）やアクセプター性材料のドーピング（ｐ）により、キャリア注入能を調整することができる。
ｎドーピングの代表例としては、電子輸送材料にＬｉ、Ｃｓ等の金属をドーピングする方法が挙げられ、ｐドーピングの代表例としては、正孔輸送材料にＦ４ＴＣＮＱ（2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane）等のアクセプター材料をドーピングする方法が挙げられる。
スペース層
上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。
スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料であることが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが２．６ｅＶ以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。
阻止層
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層に隣接する部分に、電子阻止層、正孔阻止層、トリプレット阻止層などの阻止層を有することが好ましい。ここで、電子阻止層とは、発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層であり、正孔阻止層とは、発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。
トリプレット阻止層は、発光層で生成する三重項励起子が、周辺の層へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層内に閉じ込めることによって三重項励起子の発光ドーパント以外の電子輸送層の分子上でのエネルギー失活を抑制する機能を有する。
トリプレット阻止層を設ける場合、燐光素子においては、以下のことが考えられる。燐光発光ドーパントの三重項エネルギーをＥＴ ｄ、トリプレット阻止層として用いる化合物の三重項エネルギーをＥＴ ＴＢとする。エネルギー関係ＥＴ ｄ＜ＥＴ ＴＢを満たす場合、燐光発光ドーパントの三重項励起子が閉じ込められ（すなわち、他分子へ移動できなくなり）、該ドーパント上での発光以外のエネルギー失活経路が断たれ、高効率の発光が得られる。ただし、ＥＴ ｄ＜ＥＴ ＴＢの関係が成り立つ場合であっても、エネルギー差ΔＥＴ＝ＥＴ ＴＢ−ＥＴ ｄが小さい場合には、素子を実際に駆動する室温程度の環境下では、周辺の熱エネルギーにより吸熱的にこのエネルギー差ΔＥＴを乗り越えて三重項励起子が他分子へ移動することが可能であると考えられる。特に、蛍光発光に比べて励起子寿命が長い燐光発光の場合は、励起子の吸熱的移動の効果が相対的に現れ易くなる。室温の熱エネルギーに対して、エネルギー差ΔＥＴは大きい程好ましく、０．１ｅＶ以上であるとさらに好ましく、０．２ｅＶ以上であると特に好ましい。一方、蛍光素子においては、ＷＯ２０１０／１３４３５０Ａ１に記載のＴＴＦ素子構成のトリプレット阻止層のように、本発明の有機ＥＬ素子用材料を用いることもできる。
また、トリプレット阻止層層を構成する材料の電子移動度は、電界強度０．０４〜０．５ＭＶ／ｃｍの範囲において、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが望ましい。有機材料の電子移動度の測定方法としては、Ｔｉｍｅ ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ法等が知られているが、ここでは電子移動度は、インピーダンス分光法で決定される電子移動度を意味する。
電子注入層の電子移動度は、電界強度０．０４〜０．５ＭＶ／ｃｍの範囲において、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが望ましい。この電子移動度により、陰極からの電子輸送層への電子注入が促進され、その結果、隣接する阻止層、発光層への電子注入も促進され、素子をより低電圧で駆動することができるためである。
本発明の有機ＥＬ素子は種々の表示装置に用いられるパネルモジュールの発光装置として用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子は、ＴＶ、携帯電話及びＰＣの表示要素として、又は、照明などの電子機器として用いることができる。
ＯＬＥＤ（有機ＥＬ素子）は、電界発光が有用であるすべての装置に用いることができる。好適な装置は、好ましくは据置型もしくは携帯型データ表示装置及び照明装置から選ばれる。据置型データ表示装置としては、例えば、コンピュータ、テレビジョンのデータ表示装置、及びプリンタ、台所設備、公告パネル、照明、情報パネルのデータ表示装置が挙げられる。携帯型データ表示装置としては、例えば、携帯電話、タブレットＰＣ、ラップトップ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレイヤー、乗り物のデータ表示装置、及びバス、列車の行き先表示が挙げられる。本発明のＯＬＥＤを用いることができる他の装置としては、例えば、キーボード；衣類；家具；壁紙が挙げられる。本発明は、さらに、少なくとも１種の本発明の有機発光ダイオード又は少なくとも１種の本発明の発光層を含む装置に関する。該装置は、コンピュータ、テレビジョンのデータ表示装置、プリンタ、台所設備、公告パネル、照明、情報パネルのデータ表示装置などの据置型データ表示装置；携帯電話、タブレットＰＣ、ラップトップ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレイヤー、乗り物のデータ表示装置、バス、列車の行き先表示などの携帯型データ表示装置；照明装置；キーボード；衣類；家具；壁紙からなる群より選ばれる。
下記実施例は説明のためだけのものであり、請求項の範囲を限定するものではない。特にことわらない限り、部及びパーセントは重量基準である。
実施例
Ｉ．合成実施例
化合物１
中間体１−１

ＮａＯＨ（１１．７ｇ、１３０ｍｍｏｌ）を水（１１７ｍｌ）に溶解し、次いで２−アミノ−安息香酸（９８％）（１８．２ｇ、１３０ｍｍｏｌ）を加え、得られた褐色溶液を０℃に冷却した。２５．０ｇ（１３０ｍｍｏｌ）の（フェニルチオ）アセチルクロライドを１５分かけて加え、内部温度を５℃以下に維持した。反応混合物を０℃でさらに１時間撹拌し、次いで加温して室温にした。褐色溶液にｐＨ７のバッファー溶液（１５０ｍｌ）を加え、２Ｍ ＨＣｌを加えて混合物をｐＨ７にした。混合物をＥｔＯＡｃ（各２５０ｍｌ）で３回抽出した。有機相を合わせてＮａ２ＳＯ４で乾燥し、ろ過し、溜去して、３７．１ｇ（理論値の１１５％）の中間体１−１をＨＰＬＣ純度８５％のベージュ固体として得た。
1H NMR (300 MHz、DMSO-d6) δ 11.79 (s、1H)、8.49 (d、J = 8.2 Hz、1H)、8.06 - 7.93 (m、1H)、7.63 - 7.52 (m、1H)、7.44 - 7.26 (m、5H)、7.27 - 7.04 (m、2H)、3.98 (s、2H)
中間体１−２

中間体１−１（３２．３ｇ、１１２．４ｍｍｏｌ）を２１０ｇのポリリン酸（ＰＰＡ）に加え、１．５時間加熱して内部温度を１２５℃にした。反応混合物を１ｌの氷／水に注いだ。２００ｍｌのｐＨ７のバッファーを加え、２５％ＮａＯＨ溶液により混合物をｐＨ７にした。得られた懸濁物をろ過し、残渣を水（各２００ｍｌ）で５回洗浄し、次いで、８０℃／１２５ｍｂａｒで一晩乾燥して、２４．３ｇ（理論値の８６．２％）の中間体１−２をＨＰＬＣ純度７５％の褐色固体として得た。
1H NMR (300 MHz、DMSO-d6) δ 8.60 - 8.52 (m、1H)、8.27 (dd、J = 8.1、1.4 Hz、1H)、8.14 (dd、J = 6.8、1.6 Hz、1H)、7.88 - 7.75 (m、2H)、7.66 (pd、J = 7.2、1.5 Hz、2H)、7.42 (ddd、J = 8.1、6.5、1.5 Hz、1H).
中間体１−３

中間体１−２（２４．３４ｇ、７１．７ｍｍｏｌ）を１２５ｍｌのＰＯＣｌ３に加えた。得られた褐色懸濁物にＰＣｌ５（１５．２３ｇ、７１．７ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を２時間加熱還流した後、室温に冷却した。ＰＯＣｌ３をロータリーエバポレーターにより留去し、残渣に２００ｍｌのトルエンを加えた後、再び留去した。残渣を５００ｍｌのＣＨ２Ｃｌ２に溶解し、２ＭＮａＯＨを加えて塩基性にした。懸濁物をろ過した後、２相に分離した。有機相を水（各２００ｍｌ）で２回洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、ろ過し、留去して、２３．１ｇの粗生成物を得た。該粗生成物をクロロホルム／ヘプタン＝８：２を溶離液として用いたフラッシュクロマトグラフィーにより精製し、ＨＰＬＣ純度９７％の生成物を１０．５ｇ得た。該生成物を１００ｍｌのヘプタンを用いてソックスレー抽出によりさらに精製した。得られた懸濁物を室温に冷却し、ろ過し、残渣を８０℃／１２５ｍｂａｒで一晩乾燥して、ＨＰＬＣ純度９９．５％の中間体１−３を９．６ｇ（理論値の４９．４％）得た。
1H NMR (400 MHz、DMSO-d6) δ 8.54 (d、J = 7.3 Hz、1H)、8.32 (d、J = 8.6 Hz、2H)、8.18 (d、J = 8.0 Hz、1H)、7.95 (ddd、J = 8.5、6.8、1.4 Hz、1H)、7.85 (ddd、J = 8.1、6.8、1.1 Hz、1H)、7.78 (td、J = 7.7、1.3 Hz、1H)、7.72 - 7.64 (m、1H).
化合物１

中間体１−３（２．６７ｇ、９．９１ｍｍｏｌ）及び３−（９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９−フェニル−カルバゾール（４．０９ｇ、９．９１ｍｍｏｌ）を８０ｍｌのキシレンに加えた。反応混合物を排気しアルゴンで３回パージした。別の容器中で、４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）−９．９−ジメチルキサンテン（０．３５ｇ、０．５９ｍｍｏｌ）及びＰｄ２（ｄｂａ）３（０．２７ｇ、０．３０ｍｍｏｌ）を２０ｍｌのキシレンに加え、得られた溶液を排気しアルゴンで３回パージした後、シリンジを用いて前記反応混合物に加えた。ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１．９ｇ、１９．８ｍｍｏｌ）を加え、得られた赤色反応混合物を２０時間加熱して内温を１２０℃にした。反応混合物を２００ｍｌのキシレンで希釈し、水（各１００ｍｌ）で３回洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、ろ過し、留去して、８．４７ｇの粗生成物を得た。該粗生成物をヘプタン／ＥｔＯＡｃ＝８：２を溶離液として用いたフラッシュクロマトグラフィーにより精製し、ＨＰＬＣ純度９９．８％の化合物１（１−［３−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）カルバゾール−９−イル］ベンゾチオフェノ［３，２−ｂ］キノロン）を１．６４ｇ（理論値の２５．８％）得た。
1H NMR (300 MHz、クロロホルム-d) δ 8.82 - 8.74 (m、1H)、8.57 (d、J = 1.5 Hz、1H)、8.51 (dt、J = 8.7、0.8 Hz、1H)、8.48 (d、J = 1.5 Hz、1H)、8.42 - 8.31 (m、1H)、8.24 (dt、J = 7.7、1.1 Hz、1H)、7.91 - 7.69 (m、4H)、7.69 - 7.28 (m、15H)、7.05 (d、J = 8.5 Hz、1H)、7.02 - 6.93 (m、1H).
化合物２
中間体２−１

アントラニル酸（７．０ｇ、５１．０ｍｍｏｌ）を０℃で６０ｍＬの酸化ナトリウムの２．５Ｍ水溶液に加え、そこにフェノキシアセチルクロライド（８．７１ｇ、５１．０ｍｍｏｌ）を滴下した。混合物を０℃で３０分間撹拌した。１Ｍ塩酸を反応混合物に加えて反応を終了させ、固体を析出させた。固体をろ取し、酢酸エチルに溶解した。溶液をＭｇＳＯ４で乾燥し、濃縮して固体を得た。得られた粗生成物をエタノールから再結晶して５．６０ｇ（３６％）の中間体２−１を白色固体として得た。得られた生成物は、さらに精製することなく、次の反応に用いた。．
中間体２−２

中間体２−１（４．４９ｇ、１６．５５ｍｍｏｌ）をポリリン酸（ＰＰＡ）（２１．２ｇ）に懸濁させ、混合物を１２０℃で２時間撹拌した。反応混合物を氷−水に滴下し、そこに炭酸ナトリウムを加えて固体を析出させた。固体をろ取し、乾燥して３．４４ｇ（８８％）の中間体２−２をベージュ色の粉末として得た。得られた粗生成物はさらに精製することなく、次の反応に用いた。
LC-MS (m/z) 235
中間体２−３

中間体２−２（３．５ｇ、１４．８８ｍｍｏｌ）を３０ｍＬのトルエンに懸濁させ、５０℃で撹拌した。塩化ホスホリル（１７．１１ｇ、１１１．６ｍｍｏｌ）を滴下した後、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（４．５３ｇ、２９．７６ｍｍｏｌ）を滴下した。混合物を１２０℃で１５時間撹拌した。室温に冷却した後、反応混合物を氷−水にゆっくり注いだ。水層をＣＨＣｌ３で抽出した。抽出物を食塩水で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、濃縮して固体を得た。得られら粗生成物をトルエンを溶離液として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して３．４１ｇ（４７％）の中間体２−３を白色固体として得た。
LC-MS (m/z) 253
化合物２

中間体２−３（２．５７ｇ、１０．１３ｍｍｏｌ）及び３−（９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９−フェニル−カルバゾール（４．１４ｇ、１０．１３ｍｍｏｌ）を５１ｍＬのＮ−メチルピロリドンに懸濁させ、得られた混合物を１３０℃で一晩撹拌した。反応混合物を室温に冷却した後、５１ｍＬのエタノール及び１０２ｍＬの水で希釈し、室温で１時間撹拌して、固体を析出させた。固体をろ取し、水で洗浄した。得られた粗生成物をヘプタン−トルエン（１：３）混合溶媒を溶離液として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して１．１５ｇ（１８％）の化合物２を黄色粉末として得た。
1H NMR (300 MHz、クロロホルム-d) δ 8.60 (d、J = 1.3 Hz、1H)、8.54-8.50 (m、3H)、8.41-8.36 (m、1H)、8.27 (dt、J = 1.1、7.5 Hz、1H)、7.90-7.64 (m、8H)、7.59 - 7.30 (m、10H)、7.22-7.18 (m、1H)、7.12 (d、J = 8.6 Hz、1H)、7.06-7.03 (m、1H)
LC-MS (m/z) 626
化合物３

３つ口丸底フラスコ中で、［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸（３．１ｇ、６．９ｍｍｏｌ））を中間体１−３（１．７ｇ、６．３ｍｍｏｌ）及びＫ２ＣＯ３（１．９ｇ、１３．９ｍｍｏｌ）と混合し、Ｎ２により脱気した。次いで、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（３５ｍｇ、０．１６ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（２６０ｍｇ、０．６３ｍｍｏｌ）を加えた後、ジオキサン／水（３０ｍＬ、４：１）を加えた。得られた反応混合物をＮ２気流下でオイルバス温度９０℃で加熱した。２．５時間後、反応が終了した。混合物を室温に冷却し、減圧下で濃縮した。粗残渣をＣＨ２Ｃｌ２に溶解し、水で２回洗浄し、無水ＭｇＳＯ４で乾燥し、溶媒を留去した。粗生成物をＣＨ２Ｃｌ２を６０％含むヘプタンを溶離液として用いたフラッシュシリカクロマトグラフィーにより精製して３．７ｇの精製物を得、これをさらにアセトン洗浄により精製して３．２ｇ（８０％）の化合物３を得た。
1H NMR (400 MHz、クロロホルム-d) δ 8.74 (dd、J = 7.4、1.3 Hz、1H)、8.43 (d、J = 8.5 Hz、1H)、8.20 (d、J = 7.7 Hz、4H)、8.16 - 8.09 (m、2H)、8.00 (d、J = 1.9 Hz、2H)、7.94 - 7.80 (m、2H)、7.77 (d、J = 8.2 Hz、4H)、7.72 - 7.60 (m、3H)、7.52 (ddd、J = 8.3、7.2、1.2 Hz、4H)、7.37 (t、J = 7.5 Hz、4H).
LC-MS (m/z) 642 (M+1)
化合物４

３つ口丸底フラスコ中で、［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸（３．６ｇ、８ｍｍｏｌ）を中間体２−３（２ｇ、８ｍｍｏｌ）及びＫ２ＣＯ３（２．２ｇ、１６ｍｍｏｌ）と混合し、Ｎ２により脱気した。次いで、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（４４ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（３３０ｍｇ、０．８ｍｍｏｌ）を加えた後、ジオキサン／水（５０ｍＬ、４：１）を加えた。得られた反応混合物をＮ２気流下でオイルバス温度９０℃で加熱した。２．５時間後、反応が終了した。混合物を室温に冷却し、水で希釈し、セライトろ過し、水で充分に洗浄した。沈殿物をＣＨ２Ｃｌ２で洗浄して生成物を得た。粗生成物を減圧下で溶媒を留去することにより単離した。これをアセトンに懸濁させ、室温で２時間撹拌した。沈殿物をろ過により単離し、アセトンで充分に洗浄した。最後に、生成物をＣＨＣｌ３−ＭｅＯＨから再結晶して精製し４．３ｇ（８６％）の化合物４を得た。
1H NMR (400 MHz、クロロホルム-d) δ 8.49 (d、1H)、8.43 (dd、J = 8.5、1.2 Hz、1H)、8.35 (dd、J = 8.6、1.4 Hz、1H)、8.21 (m、4H)、8.13 (m、3H)、7.83 (dd、J = 8.3、1.0 Hz、5H)、7.72 (dd、J = 3.6、1.8 Hz、3H)、7.53 (ddd、J = 8.4、7.2、1.3 Hz、5H)、7.37 (td、J = 7.6、0.9 Hz、4H).
LC-MS (m/z) 626 (M+1)
化合物５

２−［３−クロロ−５−（９−フェナントリル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（２ｇ、３．８ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（１．４ｇ、５．８ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２ｄｂａ３（８７ｍｇ、０．０９５ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（８０ｍｇ、０．１９ｍｍｏｌ）、及びＫＯＡｃ（１．１ｇ、１．１４ｍｍｏｌ）を３つ口丸底フラスコに加え、次いで、１，４−ジオキサン（５０ｍＬ）を加え、混合物をＮ２で脱気した。得られた反応混合物をオイルバス温度９０℃で１８時間加熱した。反応混合物を室温に放冷し、溶媒を減圧下で留去した。粗残渣をＣＨ２Ｃｌ２に溶解し、水、ＮａＨＣＯ３飽和水溶液及び食塩水で洗浄し、無水ＭｇＳＯ４で乾燥し、溶媒を減圧下で留去した。粗生成物をメタノールと共に粉末化し、ろ過し、メタノールで充分に洗浄した。このようにして得られた粗ボロン酸エステルをさらに精製することなく用いた。３つ口丸底フラスコに、ボロン酸（２ｇ、３．３ｍｍｏｌ）、中間体１−３（０．９７ｇ、３．６ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（１８ｍｇ、０．０８ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（０．１３ｇ、０．３３ｍｍｏｌ）、及びＫ２ＣＯ３（１ｇ、７．２ｍｍｏｌ）を加え、次いで、１，４−ジオキサン／水（１００ｍＬ、４：１）を加え、混合物をＮ２で脱気した。得られた反応混合物をＮ２下でオイルバス温度９０℃で１８時間加熱した。反応混合物を室温に放冷し、溶媒を減圧下で留去した。粗残渣を加温したＣＨＣｌ３に溶解し、水及び食塩水で洗浄し、無水ＭｇＳＯ４で乾燥し、シリカゲルカラムを通してろ過し、ＣＨＣｌ３で溶出した。溶媒を減圧下で留去した。粗生成物をアセトンに懸濁させ、室温で１時間撹拌した。生成物をろ取し、ＣＨ２Ｃｌ２から再結晶してさらに精製し、１．４４ｇの化合物５を得た（収率６０％）。
1H NMR (400 MHz、クロロホルム-d) δ 9.18 (dt、J = 11.1、1.7 Hz、2H)、8.90 - 8.72 (m、7H)、8.49 - 8.39 (m、1H)、8.23 - 8.06 (m、3H)、8.06 - 7.96 (m、2H)、7.85 (ddd、J = 8.5、6.6、1.5 Hz、2H)、7.81 - 7.48 (m、13H).
LC-MS (m/z) 720 (M+1)
化合物６

３つ口丸底フラスコ中で、４，４，５，５−テトラメチル−２−［１０−（２−ナフチル）−９−アントリル］−１，３，２−ジオキサボロラン（１．５ｇ、４．３ｍｍｏｌ）を中間体２−３（１．３ｇ、５．２ｍｍｏｌ）及びＫ２ＣＯ３（１．２ｇ、８．６ｍｍｏｌ）と混合し、Ｎ２により脱気した。次いで、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（１９ｍｇ、０．０８６ｍｍｏｌ）及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（１４０ｍｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を加えた後、ジオキサン／水（３０ｍＬ、４：１）を加えた。得られた反応混合物をＮ２気流下でオイルバス温度９０℃で加熱した。２．５時間後、反応が終了した。混合物を室温に冷却し、溶媒を減圧下で濃縮した。粗残渣をＣＨ２Ｃｌ２に溶解し、水で２回洗浄し、無水ＭｇＳＯ４で乾燥し、溶媒を留去した。粗生成物をＣＨＣｌ３を溶離液として用いたフラッシュシリカクロマトグラフィーにより精製して１．２ｇの化合物６を得た（収率５４％）。
1H NMR (400 MHz、DMSO-d6) δ 8.51-8.47 (m、2H)、8.27 (dd、J = 2.6、9.0 Hz、1H)、8.21-8.15 (m、2H)、8.13-8.08 (m、1H)、7.88-7.83 (m、1H)、7.79-7.58 (m、8H)、7.53-7.43 (m、3H)、7.36-7.34 (m、4H)、7.26-7.20 (m、1H)
LC-MS (m/z) 561 (M+1).
化合物７

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２，４−ジフェニル−６−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物７を得た（収率７５％）。化合物７の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５４２．１６に対してｍ／ｅ＝５４２）により行った。
化合物８

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２−フェニル−４−（４−フェニルフェニル）−６−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物８を得た（収率７１％）。化合物８の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６１８．１９に対してｍ／ｅ＝６１８）により行った。
化合物９

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２，４−ビス（４−フェニルフェニル）−６−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物９を得た（収率６６％）。化合物９の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６９４．２２に対してｍ／ｅ＝６９４）により行った。
化合物１０

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２−フェニル−４−（３−フェニルフェニル）−６−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物１０を得た（収率７１％）。化合物１０の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６１８．１９に対してｍ／ｅ＝６１８）により行った。
化合物１１

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２，４−ジフェニル−６−［３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物１１を得た（収率７２％）。化合物１１の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５４２．１６に対してｍ／ｅ＝５４２）により行った。
化合物１２

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２−フェニル−４−（４−フェニルフェニル）−６−［３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物１２を得た（収率６６％）。化合物１２の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６１８．１９に対してｍ／ｅ＝６１８）により行った。
化合物１３

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２，４−ビス（４−フェニルフェニル）−６−［３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物１３を得た（収率７２％）。化合物１３の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６９４．２２に対してｍ／ｅ＝６９４）により行った。
化合物１４

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２−フェニル−４−（３−フェニルフェニル）−６−［３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物１４を得た（収率７３％）。化合物１４の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６１８．１９に対してｍ／ｅ＝６１８）により行った。
化合物１５

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２，４−ジフェニル−６−［２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物１５を得た（収率６２％）。化合物１５の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５４２．１６に対してｍ／ｅ＝５４２）により行った。
化合物１６

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２−フェニル−４−（４−フェニルフェニル）−６−［２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物１６を得た（収率６０％）。化合物１６の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６１８．１９に対してｍ／ｅ＝６１８）により行った。
化合物１７

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２，４−ビス（４−フェニルフェニル）−６−［２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物１７を得た（収率６１％）。化合物１７の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６９４．２２に対してｍ／ｅ＝６９４）により行った。
化合物１８

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２−フェニル−４−（３−フェニルフェニル）−６−［２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物１８を得た（収率６０％）。化合物１８の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６１８．１９に対してｍ／ｅ＝６１８）により行った。
化合物１９

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２，４−ジフェニル−６−［３−［３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物１９を得た（収率７３％）。化合物１９の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６１８．１９に対してｍ／ｅ＝６１８）により行った。
化合物２０

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２，４−ジフェニル−６−［４−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物２０を得た（収率７１％）。化合物２０の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６１８．１９に対してｍ／ｅ＝６１８）により行った。
化合物２１

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２，４−ジフェニル−６−［４−［４−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］フェニル］フェニル］−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物２１を得た（収率７６％）。化合物２１の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６９４．２２に対してｍ／ｅ＝６９４）により行った。
化合物２２
中間体２２−１

アルゴン雰囲気下で、中間体１−３（１６．２ｇ、５９．９ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（１８．３ｇ、７１．９ｍｍｏｌ）、トリス（ジベジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１．１０ｇ、２．２０ｍｍｏｌ）、Ｘ−ｐｈｏｓ（２．２９ｇ、４．７９ｍｍｏｌ）、及び酢酸カリウム（１２０ｇ、１１．８ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン（６００ｍＬ）に加えた。混合物を加熱下で８時間撹拌還流した。反応後、反応混合物を室温に冷却し、トルエン（３００ｍＬ）及び水（３００ｍＬ）を加えた。相分離し、有機相を減圧下で濃縮した。粗生成物をジクロロメタンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。溶液を減圧下で濃縮して１６．４ｇ（４５．５ｍｍｏｌ）の中間体２２−１を得た（収率７６％）。
化合物２２

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を中間体２２−１に代え、中間体１−３を２−クロロ−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物２２を得た（収率５４％）。化合物２２の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：４６６．１３に対してｍ／ｅ＝４６６）により行った。
化合物２３

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を中間体２２−１に代え、中間体１−３を２−クロロ−４−フェニル−６−（４−フェニルフェニル）−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物２３を得た（収率５８％）。化合物２３の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５４２．１６に対してｍ／ｅ＝５４２）により行った。
化合物２４

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を中間体２２−１に代え、中間体１−３を２−クロロ−４，６−ビス（４−フェニルフェニル）−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物２４を得た（収率６１％）。化合物２４の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６１８．１９に対してｍ／ｅ＝６１８）により行った。
化合物２５

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を中間体２２−１に代え、中間体１−３を２−クロロ−４−フェニル−６−（３−フェニルフェニル）−１，３，５−トリアジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物２５を得た（収率６０％）。化合物２５の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５４２．１６に対してｍ／ｅ＝５４２）により行った。
化合物２６

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２，４−ジフェニル−６−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］ピリミジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物２６を得た（収率７１％）。化合物２６の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５４１．１６に対してｍ／ｅ＝５４１）により行った。
化合物２７

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２−フェニル−４−（４−フェニルフェニル）−６−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］ピリミジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物２７を得た（収率７６％）。化合物２７の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：６１７．１９に対してｍ／ｅ＝６１７）により行った。
化合物２８

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を中間体２２−１に代え、中間体１−３を４−クロロ−２，６−ジフェニル−ピリミジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物２８を得た（収率６２％）。化合物２８の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：４６５．１３に対してｍ／ｅ＝４６５）により行った。
化合物２９

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を中間体２２−１に代え、中間体１−３を４−クロロ−２−フェニル−６−（４−フェニルフェニル）ピリミジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物２９を得た（収率６２％）。化合物２９の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５４１．１６に対してｍ／ｅ＝５４１）により行った。
化合物３０

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，１０−フェナントロリンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物３０を得た（収率５１％）。化合物３０の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：４８９．１３に対してｍ／ｅ＝４８９）により行った。
化合物３１

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２−フェニル−９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，１０−フェナントロリンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物３１を得た（収率５５％）。化合物３１の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５６５．１６に対してｍ／ｅ＝５６５）により行った。
化合物３２

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を１１−［４−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］ベンゾフロ［３，２−ｂ］キノリンに代えた以外は化合物４の合成を繰り返して化合物３２を得た（収率７０％）。化合物３２の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５２６．１８に対してｍ／ｅ＝５２６）により行った。
化合物３３

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２，４−ジフェニル−６−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代え、中間体１−３を中間体３３−１に代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物３３を得た（収率６０％）。化合物３３の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５２６．１８に対してｍ／ｅ＝５２６）により行った。中間体３３−１はBulletin of the Chemical Society of Japan,1980、vol. 53、pp.1057-1060に従って合成した。
化合物３４

中間体２−３を中間体３３−１に代えた以外は化合物６の合成を繰り返して化合物３４を得た（収率５６％）。化合物３４の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５２１．１８に対してｍ／ｅ＝５２１）により行った。
化合物３５

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を（３−フルオランテン−３−イルフェニル）ボロン酸に代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物３５を得た（収率７５％）。化合物３５の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５１１．１４に対してｍ／ｅ＝５１１）により行った。
化合物３６

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸をトリフェニレン−２−イルボロン酸に代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物３６を得た（収率７１％）。化合物３６の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：４６１．１２に対してｍ／ｅ＝４６１）により行った。
化合物３７

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を４−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］ベンゾニトリルに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物３７を得た（収率６１％）。化合物３７の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：４１２．１０に対してｍ／ｅ＝４１２）により行った。
化合物３８

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を［４−（２−エチルベンゾイミダゾール−１−イル）フェニル］ボロン酸に代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物３８を得た（収率６２％）。化合物３８の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：４５５．１５に対してｍ／ｅ＝４５５）により行った。
化合物３９

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を（９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル）ボロン酸に代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物３９を得た（収率７１％）。化合物３９の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５５１．７０に対してｍ／ｅ＝５５２）により行った。
化合物ＥＴ−５
中間体Ａ−１

アルゴン雰囲気下で、（５−クロロ−２−フルオロ−フェニル）ボロン酸（９．４５ｇ、５４．２ｍｍｏｌ）、２−クロロキノリン−３−オール（９．７３ｇ、５４．２ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．２５ｇ、１．０８ｍｍｏｌ）、トルエン（１７０ｍＬ）、及び炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、８０ｍＬ）からなる混合物を９時間還流させながら加熱撹拌した。室温に冷却した後、反応溶液をトルエンで抽出した。水相を除去した後、有機相を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、中間体Ａ−１（４．９０ｇ、１７．９ｍｍｏｌ、収率３３％）を得た。
中間体Ａ−２

中間体Ａ−１（４．９０ｇ、１７．９ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（６０ｍＬ）、及びＫ２ＣＯ３（４．９５ｇ、３５．８ｍｍｏｌ）からなる混合物を１２０℃で２時間撹拌した。反応後、反応溶液を室温に冷却し、トルエンで希釈し、水で洗浄し水、次いで、硫酸マグネシウムで乾燥した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、中間体Ａ−２（２．２７ｇ、８．９５ｍｍｏｌ、収率５０％）を得た。
化合物ＥＴ−５

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を［１０−（２−ナフチル）−９−アントリル］ボロン酸に代え、中間体１−３を中間体Ａ−２に代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物ＥＴ−５を得た（収率５３％）。化合物ＥＴ−５の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：５２１．１８に対してｍ／ｅ＝５２１）により行った。
化合物ＥＴ−６

［３，５−ジ（カルバゾール−９−イル）フェニル］ボロン酸を２，４−ジフェニル−６−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンに代え、中間体１−３を４−ヨードベンゾチオフェノ［３，２−ｂ］ピリジンに代えた以外は化合物３の合成を繰り返して化合物ＥＴ−６を得た（収率４２％）。化合物ＥＴ−６の同定は、マススペクトル分析の結果（精密質量：４９２．１４に対してｍ／ｅ＝４９２）により行った。
ＩＩ．応用例
応用例１
陽極として使用した、厚さ１２０ｎｍのインジウム−スズ−酸化物（ＩＴＯ）透明電極（ジオマテック社製）を有するガラス基板をまず超音波槽中のイソプロパノールで１０分間洗浄した。有機物残渣を可能な限り除くために、基板をさらに紫外線とオゾンに３０分間暴露した。この処理によりＩＴＯの正孔注入性能も改善される。洗浄した基板を基板ホルダーに取り付け、真空装置内に設置した。その後、以下に示した各有機材料を約１０−６〜１０−８ｍｂａｒ、約０．２〜１Å／ｓｅｃの速度で蒸着法によりＩＴＯ基板上に成膜した。電子受容性化合物Ａを蒸着して、厚さ５ｎｍの第一の層を成膜した。次いで、正孔輸送層として、芳香族アミン化合物Ｂを厚さ２２０ｎｍに成膜した。次に、２重量％の発光材料（化合物Ｄ）と９８重量％のホスト（化合物１）からなる混合物を成膜して厚さ４０ｎｍの燐光発光層を形成した。発光層上に、５０重量％の電子輸送性化合物（化合物Ｃ）と５０重量％のＬｉｑ（８−ヒドロキシキノラートリチウム）からなる混合物を成膜して厚さ２５ｎｍの電子輸送層を形成した。最後に、Ｌｉｑを蒸着して厚さ１ｎｍの電子注入層を形成し、次いで、Ａｌを蒸着して厚さ８０ｎｍの陰極を形成して素子を得た。水及び酸素量が１ｐｐｍより少ない不活性窒素雰囲気中で、得られた素子をザグリガラス及びゲッターを用いて封止した。
ＯＬＥＤ性能評価
ＯＬＥＤの性能を評価するために、電子発光スペクトルを様々な電流及び電圧で記録した。さらに、輝度と共に電流−電圧特性を測定し、発光効率及び外部量子効率（ＥＱＥ）を求めた。特にことわらない限り、駆動電圧Ｕ、ＥＱＥ及びCommission Internationale de l’Eclairage （ＣＩＥ）色度座標は１０ｍＡ／ｃｍ２で測定した。
応用例２
ホスト（化合物１）を化合物２に代えた以外は応用例１を繰り返した。素子評価結果を表１に示す。
比較例１及び２
ホスト（化合物１）をホスト−１（比較例１）又はホスト−２（比較例２）に代えた以外は応用例１を繰り返した。素子評価結果を表１に示す。
結果を表１に示した。ＣＩＥ値は電子発光が赤色発光材料（Ir(piq)3）に起因することを示しており、化合物１及び２が赤色燐光ホストとして使用出来ることを実証している。本発明の化合物１と２をホストとして燐光発光層に含む素子は、比較化合物１及び２と比較して、低下した駆動電圧及びより高いＥＱＥを示す。
応用例３
陽極として使用した、厚さ１２０ｎｍのインジウム−スズ−酸化物（ＩＴＯ）透明電極（ジオマテック社製）を有するガラス基板をまず超音波槽中のイソプロパノールで１０分間洗浄した。有機物残渣を可能な限り除くために、基板をさらに紫外線とオゾンに３０分間暴露した。この処理によりＩＴＯの正孔注入性能も改善される。洗浄した基板を基板ホルダーに取り付け、真空装置内に設置した。その後、以下に示した各有機材料を約１０−６〜１０−８ｍｂａｒ、約０．２〜１Å／ｓｅｃの速度で蒸着法によりＩＴＯ基板上に成膜した。正孔注入層として、化合物Ａを厚さ５ｎｍに成膜した。次いで、第一正孔輸送層として、芳香族アミン化合物Ｅを厚さ９０ｎｍに成膜し、第二正孔輸送層として、芳香族アミン化合物Ｆを厚さ１０ｎｍに成膜した。次に、４重量％の発光材料（化合物Ｇ）と９６重量％のホスト（化合物Ｈ）からなる混合物を成膜して、厚さ２５ｎｍの蛍光発光層を形成した。発光層上に、第一電子輸送層として、化合物１を厚さ５ｎｍに成膜した。次いで、第二電子輸送層として、化合物Ｉを厚さ２０ｎｍに成膜した。最後に、電子注入層としてＬｉＦを厚さ１ｎｍに蒸着し、陰極としてＡｌを厚さ８０ｎｍに蒸着して素子を完成させた。水及び酸素量が１ｐｐｍより少ない不活性窒素雰囲気中で、得られた素子をザグリガラス及びゲッターを用いて封止した。
応用例４〜１２
第一電子輸送層に使用した化合物１を化合物２〜４及び３５〜３９のそれぞれに代えた以外は同様にして応用例３を繰り返した。素子評価結果を表２に示す。
比較例３〜５
第一電子輸送層に使用した化合物１を化合物ＥＴ−１、ＥＴ−２、又はＥＴ−３に代えた以外は同様にして応用例３を繰り返した。素子評価結果を表２に示す。
結果を表２に示した。ＣＩＥ値は電子発光が青色発光材料（化合物Ｇ）に起因することを示している。又、応用例３〜６及び８〜１２は８％を超えるＥＱＥを示している。これらのＥＱＥは理論的限界である５％を超えている。これらの結果は、化合物１〜４及び３５〜３９が三重項エキシトンを発光層に閉じ込めて三重項−三重項融合を増大することによって理論的限界値５％を超えるＥＱＥを達成することを実証している。
応用例１３
応用例３と同様の操作を行った。発光層を形成した後、発光層上に、５０重量％の化合物６と５０重量％のＬｉｑからなる混合物を成膜して、厚さ２５ｎｍの電子輸送性層を形成した。最後に、電子注入層としてＬｉｑを厚さ１ｎｍに蒸着し、陰極としてＡｌを厚さ８０ｎｍに蒸着して素子を完成させた。水及び酸素量が１ｐｐｍより少ない不活性窒素雰囲気中で、得られた素子をザグリガラス及びゲッターを用いて封止した。
応用例１４〜１６
ホスト（化合物６）を化合物３０、３１、又は３２に代えた以外は同様にして応用例１３を繰り返した。素子評価結果を表３に示す。
比較例６及び７
ホスト（化合物６）を化合物ＥＴ−４（比較例６）又は化合物ＥＴ−５（比較例７）に代えた以外は同様にして応用例１３を繰り返した。素子評価結果を表３に示す。
結果を表３に示した。公知の材料に比べて、本発明の材料を電子輸送性層に使用した素子は低下した駆動電圧及びより高いＥＱＥを示す。
応用例１７
応用例３と同様の操作を行った。発光層を形成した後、発光層上に、第一電子輸送層として、化合物Ｊを厚さ５ｎｍに成膜した。次いで、５０重量％の化合物５と５０重量％のＬｉｑからなる混合物を成膜して厚さ２０ｎｍの第二電子輸送性層を形成した。最後に、電子注入層としてＬｉｑを厚さ１ｎｍに蒸着し、陰極としてＡｌを厚さ８０ｎｍに蒸着して素子を完成させた。水及び酸素量が１ｐｐｍより少ない不活性窒素雰囲気中で、得られた素子をザグリガラス及びゲッターを用いて封止した。
応用例１８〜４２
化合物５を表４に示した各化合物に代えた以外は同様にして応用例１７を繰り返した。素子評価結果を表４に示す。
比較例８及び９
化合物５を化合物ＥＴ−６（比較例８）又は化合物ＥＴ−７（比較例９）に代えた以外は同様にして応用例１７を繰り返した。素子評価結果を表４に示す。
結果を表４に示した。比較化合物ＥＴ−６及びＥＴ−７に比べて、本発明の化合物を第二電子輸送性層に用いた素子は低下した駆動電圧及びより高いＥＱＥを示す。
参考例
下記化合物のＬＵＭＯをGaussian98のB3LYP/6-31G*レベルを用いた分子軌道法により計算した。
表５の結果は、本発明の化合物が、発明化合物の異性体である比較化合物よりも約５．５％又は８．１％高いＬＵＭＯを有することを証明している。発明化合物の大きなＬＵＭＯは、最適量の電子が隣接層に注入されることを可能にし、得られる有機ＥＬ素子の発光層のキャリアバランスを改善する。

Claims (29)

  1. 式（１）で表されるヘテロ環誘導体。

    （式中、
    ＸはＯ又はＳであり；
    Ａ１はＮ又はＣＲＡ１であり；
    Ａ２はＮ又はＣＲＡ２である；
    ただし、Ａ１とＡ２の少なくとも一つはＮ、好ましくは、Ａ１はＮでありＡ２はＣＲＡ２であり;
    Ｂ１はＣＲ１又はＮであり；
    Ｂ２はＣＨ又はＮであり；
    Ｂ３はＣＲ３又はＮであり；
    Ｂ４はＣＲ４又はＮであり；
    Ｂ５はＣＲ５又はＮであり；
    Ｂ６はＣＲ６又はＮであり；
    Ｂ７はＣＲ７又はＮであり；
    Ｂ８はＣＲ８又はＮである；
    ただし、Ｂ１とＢ２、又はＢ２とＢ３、又はＢ３とＢ４は任意に結合して６員環構造を形成し；
    及び／又は、
    Ｂ５とＢ６、又はＢ６とＢ７、又はＢ７とＢ８は任意に結合して６員環構造を形成し；
    ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して、Ｈ；Ｅ；−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基；又は無置換、もしくは少なくとも一つのＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基である；
    ただし、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の少なくとも一つは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり；
    ｏは０又は１、ｐは０又は１、ｑは０又は１、ｒは０又は１、好ましくは、ｏは０又は１、ｐは０又は１、ｑは０、及びｒは０であり；
    Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４は、それぞれ独立して、無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリーレン基；又は無置換もしくはＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリーレン基であり；
    Ｒ２０はＨ；Ｅ；無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ６０アリール基；無置換もしくはＧで置換されたＣ１−Ｃ６０ヘテロアリール基；又は無置換、もしくは少なくとも一つのＧで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり；
    Ｄは、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−ＣＲ６３＝ＣＲ６４−、−ＮＲ６５−、−ＳｉＲ７０Ｒ７１−、−ＰＯＲ７３−、又は−Ｃ≡Ｃ−、好ましくは−Ｏ−、−ＮＲ６５−、又は−ＳｉＲ７０Ｒ７１−であり；
    Ｅは−ＯＲ６９、−ＳＲ６９、−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＯＲ６８、−ＣＯＯＲ６７、−ＣＯＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、ハロゲン、又は−ＰＯＲ７４Ｒ７５；好ましくは−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、又は−ＰＯＲ７４Ｒ７５であり；
    ＧはＥ；Ｃ１−Ｃ２４アルキル基；Ｏにより分断されたＣ１−Ｃ２４アルキル基；Ｃ６−Ｃ６０アリール基；Ｆ、−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ（ＣＦ３）２、−（ＣＦ２）３ＣＦ３、−Ｃ（ＣＦ３）３、Ｃ１−Ｃ２４アルキル基、又はＯにより分断されたＣ１−Ｃ２４アルキル基で置換されたＣ６−Ｃ６０アリール基；Ｃ２−Ｃ６０ヘテロアリール基；又はＦ、−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ（ＣＦ３）２、−（ＣＦ２）３ＣＦ３、−Ｃ（ＣＦ３）３、Ｃ１−Ｃ２４アルキル基、又はＯにより分断されたＣ１−Ｃ２４アルキル基で置換されたＣ２−Ｃ６０ヘテロアリール基であり；
    Ｒ６３及びＲ６４は、それぞれ独立して、Ｃ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基；又はＨであり；
    Ｒ６５及びＲ６６は、それぞれ独立して、Ｃ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であるか；又は
    Ｒ６５とＲ６６は結合して置換又はベンゼン環が縮合してもよい５又は６員環（カルバゾール）を形成し；
    Ｒ６７はＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であり；
    Ｒ６８はＨ；Ｃ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であり；
    Ｒ６９はＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であり；
    Ｒ７０、Ｒ７１及びＲ７２は、それぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；Ｃ６−Ｃ１８アリール基；又はＣ１−Ｃ１８アルキル基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基であり；
    Ｒ７３、Ｒ７４、及びＲ７５は、Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；Ｃ６−Ｃ１８アリール基；又はＣ１−Ｃ１８アルキル基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基である；
    ただし、Ａ１がＣＲＡ１、Ａ２がＮである場合、Ｂ３はＣＨ又はＮであり、かつ、Ｒ６及びＲ７の定義中のｏ、ｐ、ｑ及びｒは０である。）
  2. Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４が、それぞれ独立して、以下の基を表す請求項１に記載のヘテロ環誘導体。

    （式中、
    各基は無置換もしくはＧで置換されていてもよく、好ましくは無置換もしくは１、２、３、又は４個のＧで置換されていてもよく、より好ましくは無置換もしくは１又は２個のＧで置換されていてもよい。Ｇは最も好ましくは、−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、Ｃ１−Ｃ２４アルキル基、無置換Ｃ６−Ｃ３０アリール基、又はＣ２−Ｃ３０ヘテロアリール基である。
    Ｒ７３は、Ｃ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル又はＣ１−Ｃ１８アルコキシで置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であり、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ヘキシル、オクチル、２−エチル−ヘキシルなどのＣ１−Ｃ１８アルキル基、又は、フェニル、トリル、ナフチル、ビフェニリルなどのＣ６−Ｃ１４アリール基である。
    Ｒ３８は、任意にＥで置換されていてもよい、及び／又は、Ｄにより分断されていてもよいＣ１−Ｃ２５アルキル基；任意にＧで置換されていてもよいＣ６−Ｃ２４アリール基；又は任意にＧで置換されていてもよいＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基であり、隣接する２つの基はそれらが結合している原子と共に任意にＧで置換されていてもよい環構造を形成してもよい。
    各Ｒ１３０は、それぞれ独立して、Ｈ；任意にＧで置換されていてもよいＣ６−Ｃ２４アリーレン基；又は任意にＧで置換されていてもよいＣ１−Ｃ３０ヘテロアリーレン基である。Ｇは上記定義のとおりであり、
    各点線は結合部位を表す。
    ただし、（Ｃ）−は、Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４の結合部位が炭素原子に結合することを意味し、（Ｎ）−は、Ａ３、Ａ４、Ａ５、及びＡ６の結合部位が窒素原子に結合することを意味し、（Ｃ，Ｎ）は、Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４の結合部位が炭素原子又は窒素原子に結合することを意味する。）
  3. Ｒ２０がＨ、ＣＮ、−ＯＲ６９、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、又は下記式で表される基である請求項１又は２に記載のヘテロ環誘導体。

    （上記式中、
    Ｘ１はＳ、Ｏ、Ｃ（Ｒ２１）２、又はＮＲ２３である；
    Ｒ２１は任意にＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基；任意にＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリール基；又は任意にＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基であり、
    及び／又は、
    隣接する２つの基はそれらが結合している原子と共に任意にＧで置換されていてもよい環構造を形成する；
    Ｒ２２は無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；又は無置換もしくはＧで置換されたＣ２−Ｃ１８ヘテロアリール基である；
    Ｒ２３はＨ；無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；又は無置換もしくはＧで置換されたＣ２−Ｃ１８ヘテロアリール基である；
    Ｒ２４及びＲ２５は、それぞれ独立して、Ｈ；無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；無置換もしくはＧで置換されたＣ２−Ｃ１８ヘテロアリール基；任意にＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基；又は−ＣＮである；
    ａは０、１、２、又は３、好ましくは０、１、又は２である；
    ｂは０、１、２、３、又は４、好ましくは０、１、又は２である；
    各点線は結合部位を表す。）
    又は

    （上記式中、
    Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ独立して、ＣＲ１９又はＮである。ただし、式（７）において、Ｘ１〜Ｘ３の少なくとも一つはＮであり、式（９）及び（１０）において、Ｘ１及びＸ３の少なくとも一つはＮである；
    Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して、任意にＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリール基；又は任意にＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基である；
    Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ独立して、Ｈ；任意にＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリール基；任意にＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基；又は任意にＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり、好ましくはＨである；
    ｃは０、１、２、３、又は４、好ましくは０、１又は２、より好ましくは０又は１である；
    ｄは０、１、２、又は３、好ましくは０、１又は２、より好ましくは０である。）
    又は


    （上記式中、
    Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、及びＲ２９は、それぞれ独立して、Ｈ；任意にＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリール基；任意にＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリール基；任意にＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基；又は置換基Ｅであり、好ましくはＨ又はＣＮ、より好ましくはＨである；
    ｅは０、１、２、３、４、又は５、好ましくは０、１、２、又は３、より好ましくは０、１、又は２である；
    ｆは０、１、２、又は３、好ましくは０、１、又は２、より好ましくは０である；
    ｇは０、１、２、３、又は４、好ましくは０、１、又は２、より好ましくは０又は１である；
    ｈは０、１、又は２、好ましくは０又は１；より好ましくは０である；
    隣接する２つのＲ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、又はＲ２９はそれらが結合している原子と共にＧで置換されていてもよい環構造を形成してもよい；
    〜は結合部位を表す。）
  4. ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して、Ｈ又は−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基である請求項１〜３のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体。
  5. Ａ１とＡ２の一方がＮ、好ましくは、Ａ１がＮであり、Ａ２がＣＲＡ２である請求項１〜４のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体。
  6. ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の１、２、３、又は４個、好ましくは１又は２個、より好ましくは１個が、それぞれ独立して、Ｅ；−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基；又は無置換もしくは少なくとも一つの置換基Ｅで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基；好ましくは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり；その他のＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８がＨである請求項１〜５のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体。
  7. ＲＡ２がＥ；−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基；又は無置換もしくは少なくとも一つの置換基Ｅで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基；好ましくは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり；ＲＡ１、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８がＨである請求項１〜６のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体。
  8. 下記式の一つ、好ましくは式（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（１−５）、（１−６）、（１−７）、及び（１−８）の一つ、より好ましくは式（１−１）及び（１−２）の一つで表される請求項１〜７のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体。


    （上記式中、
    Ｂ１はＣＲ１又はＮであり;
    Ｂ２はＣＨ又はＮであり;
    Ｂ３はＣＲ３又はＮであり;
    Ｂ４はＣＲ４又はＮであり;
    Ｂ５はＣＲ５又はＮであり;
    Ｂ６はＣＲ６又はＮであり;
    Ｂ７はＣＲ７又はＮであり;
    Ｂ８はＣＲ８又はＮである。）
  9. 下記式の一つで表される請求項１に記載のヘテロ環誘導体。

    （式中、
    Ｘ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、ｏ、ｐ、ｑ、及びｒは請求項１で定義したとおりである。
    Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４は、それぞれ独立して、無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリーレン基である。
    Ｒ２０は、無置換もしくはＧで置換されたＣ１０−Ｃ３０縮合アリール基；又は縮合環を有していてもよい環形成原子数６の芳香族ヘテロ環であり、環形成ヘテロ原子はＮであり、環形成原子数６の芳香族ヘテロ環と縮合環は無置換でもＧで置換されていてもよい。）
  10. Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４が、それぞれ独立して、フェニレン、ナフチレン、ビフェニレン、又はターフェニレンであり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい請求項９に記載のヘテロ環誘導体。
  11. Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４が、それぞれ独立して、フェニレン、ビフェニレン、又はターフェニレンであり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい請求項９又は１０に記載のヘテロ環誘導体。
  12. Ｒ２０がアントリル、フルオランテニル、トリフェニレニル、又はフルオレニルであり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい請求項９〜１１のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体。
  13. Ｒ２０がアントリル又はフルオランテニルであり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい請求項９〜１２のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体。
  14. Ｒ２０が縮合環を有していてもよいピリジル、縮合環を有していてもよいピリミジル、トリアジニル、又はフェナントロリニルであり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい請求項９〜１１のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体。
  15. Ｒ２０がピリジル、ピリミジル、トリアジニル、又はフェナントロリニルであり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい請求項９〜１１のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体。
  16. Ｒ２０がピリミジル、トリアジニル、又はフェナントロリニルであり、それぞれ無置換でもＧで置換されていてもよい請求項９〜１１、１４及び１５のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体。
  17. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体を含む有機電子機器。
  18. 有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項１７に記載の電子機器。
  19. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子が陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に配置された発光層を含み、該発光層がＩｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｒｅ、及びＲｕから選ばれる少なくとも１種の金属を含む有機金属錯体及び前記ヘテロ環誘導体をホスト材料として含む請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  20. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子が前記ヘテロ環誘導体を含む電子輸送性層を含む請求項１８又は１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  21. 前記電子輸送性層が前記発光層に接触している請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  22. 電子輸送領域が前記発光層と前記電子輸送性層との間に配置されている請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  23. 前記電子輸送性層がアルカリ金属；アルカリ土類金属；希土類金属；アルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属を含む化合物；又はアルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属を含む錯体を含む請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  24. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体を含む電荷輸送層、電荷／エキシトン阻止層、又は発光層。
  25. 前記発光層が、請求項１〜１６のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体をホスト材料として含むと共に少なくとも１種の発光材料を含む請求項２４に記載の発光層。
  26. 前記電荷輸送層が、請求項１〜１６のいずれか１項に記載のヘテロ環誘導体を電子輸送材料として含む電子輸送層である請求項２４に記載の電荷輸送層。
  27. 請求項１７又は１８に記載の有機電子機器、又は請求項２４に記載の電荷輸送層、電荷／エキシトン阻止層、又は発光層を含む、据置型データ表示装置；携帯型データ表示装置；照明装置；キーボード；衣類；家具；及び壁紙からなる群より選ばれる装置。
  28. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載の式（１）のヘテロ環誘導体の有機エレクトロルミネッセンス素子、電子写真用感光体、光電変換素子、有機太陽電池、スイッチング素子、有機発光電界効果トランジスタ、イメージセンサー、又は色素レーザーへの用途。
  29. 式（１’）の化合物を
    （ｉ）式Ｘ−ＲＡ１、Ｘ−ＲＡ２、Ｘ−Ｒ１、Ｘ−Ｒ３、Ｘ−Ｒ４、Ｘ−Ｒ５、Ｘ−Ｒ６、Ｘ−Ｒ７、又はＸ−Ｒ８で表され、Ｘが−Ｂ（ＯＲ’）２であり、Ｒ’がＨ、Ｃ１−Ｃ３アルキル基、又はフェニル基、ただし、２つのＲ’は同一でも異なっていてもよく、２つのＲ’は２つの酸素原子及びホウ素原子と共に環を形成してもよい化合物と触媒及び塩基の存在下でカップリングする工程、
    又は、
    （iV）前記式のいずれかで表され、ＸがＨである化合物と塩基の存在下でカップリングする工程、
    又は、
    （ｖ）前記式のいずれかで表され、ＸがＨである化合物と触媒、塩基、及びリガンドの存在下でカップリングする工程
    を含む請求項１〜１６のいずれか１項に記載の式（１）のヘテロ環誘導体の製造方法。

    （式中、
    Ｂ１、Ｂ３、Ｂ４、Ａ１、及びＡ２の少なくとも一つはＣ−Ｈａｌであり；
    Ｈａｌはハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ又はＢｒ、より好ましくはＣｌであり；
    ＸはＯ又はＳであり；
    Ａ１はＮ又はＣＲＡ１であり；
    Ａ２はＮ又はＣＲＡ２である；
    ただし、Ａ１とＡ２の少なくとも一つはＮ、好ましくは、Ａ１はＮでありＡ２はＣＲＡ２であり;
    Ｂ１はＣＲ１又はＮであり；
    Ｂ２はＣＨ又はＮであり；
    Ｂ３はＣＲ３又はＮであり；
    Ｂ４はＣＲ４又はＮであり；
    Ｂ５はＣＲ５又はＮであり；
    Ｂ６はＣＲ６又はＮであり；
    Ｂ７はＣＲ７又はＮであり；
    Ｂ８はＣＲ８又はＮである；
    ただし、Ｂ１とＢ２、又はＢ２とＢ３、又はＢ３とＢ４は任意に結合して６員環構造を形成し；
    及び／又は、
    Ｂ５とＢ６、又はＢ６とＢ７、又はＢ７とＢ８は任意に結合して６員環構造を形成し；
    ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して、Ｈ；Ｅ；−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基；又は無置換、もしくは少なくとも一つのＥで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり；
    ただし、ＲＡ１、ＲＡ２、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の少なくとも一つは−（Ａ１）ｏ−（Ａ２）ｐ−（Ａ３）ｑ−（Ａ４）ｒ−Ｒ２０で表される基であり；
    ｏは０又は１、ｐは０又は１、ｑは０又は１、ｒは０又は１、好ましくは、ｏは０又は１、ｐは０又は１、ｑは０、及びｒは０であり；
    Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４は、それぞれ独立して、無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ２４アリーレン基；又は無置換もしくはＧで置換されたＣ１−Ｃ２４ヘテロアリーレン基であり；
    Ｒ２０はＨ；Ｅ；無置換もしくはＧで置換されたＣ６−Ｃ６０アリール基；無置換もしくはＧで置換されたＣ１−Ｃ６０ヘテロアリール基；又は無置換、もしくは少なくとも一つのＧで置換された、及び／又は、Ｄにより分断されたＣ１−Ｃ２５アルキル基であり；
    Ｄは、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−ＣＲ６３＝ＣＲ６４−、−ＮＲ６５−、−ＳｉＲ７０Ｒ７１−、−ＰＯＲ７３−、又は−Ｃ≡Ｃ−、好ましくは−Ｏ−、−ＮＲ６５−、又は−ＳｉＲ７０Ｒ７１−であり；
    Ｅは−ＯＲ６９、−ＳＲ６９、−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＯＲ６８、−ＣＯＯＲ６７、−ＣＯＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、ハロゲン、又は−ＰＯＲ７４Ｒ７５；好ましくは−ＮＲ６５Ｒ６６、−ＣＮ、−ＳｉＲ７０Ｒ７１Ｒ７２、又は−ＰＯＲ７４Ｒ７５であり；
    ＧはＥ；Ｃ１−Ｃ２４アルキル基；Ｏにより分断されたＣ１−Ｃ２４アルキル基；Ｃ６−Ｃ６０アリール基；Ｆ、−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ（ＣＦ３）２、−（ＣＦ２）３ＣＦ３、−Ｃ（ＣＦ３）３、Ｃ１−Ｃ２４アルキル基、又はＯにより分断されたＣ１−Ｃ２４アルキル基で置換されたＣ６−Ｃ６０アリール基；Ｃ２−Ｃ６０ヘテロアリール基；又はＦ、−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３、−ＣＦ（ＣＦ３）２、−（ＣＦ２）３ＣＦ３、−Ｃ（ＣＦ３）３、Ｃ１−Ｃ２４アルキル基、又はＯにより分断されたＣ１−Ｃ２４アルキル基で置換されたＣ２−Ｃ６０ヘテロアリール基であり；
    Ｒ６３及びＲ６４は、それぞれ独立して、Ｃ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基；又はＨであり；
    Ｒ６５及びＲ６６は、それぞれ独立して、Ｃ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であるか；又は
    Ｒ６５とＲ６６は結合して置換又はベンゼン環が縮合してもよい５又は６員環を形成し；
    Ｒ６７はＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であり；
    Ｒ６８はＨ；Ｃ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であり；
    Ｒ６９はＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基又はＣ１−Ｃ１８アルコキシ基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基；Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；又は−Ｏ−により分断されたＣ１−Ｃ１８アルキル基であり；
    Ｒ７０、Ｒ７１及びＲ７２は、それぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；Ｃ６−Ｃ１８アリール基；又はＣ１−Ｃ１８アルキル基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基であり；
    Ｒ７３、Ｒ７４、及びＲ７５は、Ｃ１−Ｃ１８アルキル基；Ｃ６−Ｃ１８アリール基；又はＣ１−Ｃ１８アルキル基で置換されたＣ６−Ｃ１８アリール基である；
    ただし、Ａ１がＣＲＡ１、Ａ２がＮである場合、Ｂ３はＣＨ又はＮであり、かつ、Ｒ６及びＲ７の定義中のｏ、ｐ、ｑ及びｒは０である。）

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