CN109311904A - 用于有机发光二极管的特定取代的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类 - Google Patents

用于有机发光二极管的特定取代的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类 Download PDF

Info

Publication number
CN109311904A
CN109311904A CN201780038756.7A CN201780038756A CN109311904A CN 109311904 A CN109311904 A CN 109311904A CN 201780038756 A CN201780038756 A CN 201780038756A CN 109311904 A CN109311904 A CN 109311904A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alkyl
replaced
aryl
unsubstituted
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780038756.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109311904B (zh
Inventor
西前祐
西前祐一
M.格洛阿克
H.沃勒
A.沃勒
中野裕基
长岛英明
羽毛田匡
河村昌宏
盐见拓史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Publication of CN109311904A publication Critical patent/CN109311904A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109311904B publication Critical patent/CN109311904B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/02Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D491/04Ortho-condensed systems
    • C07D491/044Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring
    • C07D491/048Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring the oxygen-containing ring being five-membered
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04Ortho-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D519/00Heterocyclic compounds containing more than one system of two or more relevant hetero rings condensed among themselves or condensed with a common carbocyclic ring system not provided for in groups C07D453/00 or C07D455/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18Carrier blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10Triplet emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)

Abstract

特定取代的苯并呋喃并‑和苯并噻吩并喹啉类以及它们在电子器件,尤其是电致发光器件中的用途。当用作电致发光器件中的电荷传输材料、电荷阻挡材料和/或主体材料时,特定取代的苯并呋喃并‑和苯并噻吩并喹啉类可以提供电致发光器件的改进的效率、稳定性、可制造性或光谱特性以及降低的电致发光器件的驱动电压。

Description

用于有机发光二极管的特定取代的苯并呋喃并-和苯并噻吩 并喹啉类
技术领域
本发明涉及特定取代的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类以及它们在电子器件,尤其是电致发光器件中的用途。当用作电致发光器件中的电荷传输材料、电荷阻挡材料和/或主体材料时,特定取代的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类可以提供电致发光器件的改进的效率、稳定性、可制造性或光谱特性以及降低的电致发光器件的驱动电压。
背景技术
KR 20110083442涉及一种有机光学器件,其包含有机层,所述有机层包含式A的有机光学化合物:
其中X1、X2、X3和X4各自为0 (零)、Si、Se、O C或N,由此若X1和X2的任一者为0,则另一者不为0,并且若X3和X4的任一者为0,则另一者不为0。但是并未公开具有特定位置的N的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类。
US 20110266526公开了包含三亚苯基部分和苯并-或二苯并-部分的化合物,其中苯并-或二苯并-部分尤其具有稠合的取代基。该化合物可用于有机发光器件中,特别是与黄色、橙色或红色发光体组合使用。在许多实例中,提及了下式的一种化合物:
但是并未公开具有特定位置的N的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类。
KR 20120104064涉及一种有机光学器件,其包含有机层,所述有机层包含式F的有机光学化合物:
明确提及的化合物的例子是:
但是并未公开具有特定位置的N的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类。
KR 20140103007涉及下式的有机光学化合物,尤其是噻吩衍生物,和包含有机层的有机光学器件,所述有机层包含至少一种所述化合物:
在明确提及的许多化合物中,示出了下述化合物:
但是并未公开具有特定位置的N的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类。
US 20140117331 涉及式1的杂环化合物和包含所述化合物的有机发光器件:
但是并未公开具有特定位置的N的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类。
US 20140034915 涉及式(I)的杂环化合物和包含有机层的有机发光器件,所述有机层包含式(I)的化合物:
其中A1、A2、B1和B2形成任选的环。但是并未公开具有特定位置的N的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类。
WO 2014/024750 A1涉及式(1) 的杂环化合物和包含所述化合物的有机发光器件:
其中Ar2可以处于许多取代基 的情况下。但是并未公开具有特定位置的N的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类。
WO 2014/199637 A1涉及具有下式(1)、(2) 或(3)之一的用于有机电致发光元件的材料,使用该材料的有机电致发光元件和包含所述材料的电子器件。
其中A1-A18可以是H、CR1或N;B1-B3可以是H、CR2或N;其中
(1)式(1) 中A1-A8、B1或B2的至少一者是N;
(2)式(2) 中A1-A1、A9-A13、B1或B2的至少一者是N;和
(3)式(3) 中A1-A3、A14至A18、B1或B3的至少一者是N。
WO 2014/199637 A1中明确提及了许多化合物,其中没有给出N的具体优选位置,并且在大多数情况下,明确提及的化合物在 A2位置被取代。但是, 并未明确公开具有特定位置的N和特定取代模式的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类。
WO2015/199489 A2 涉及下式的苯并呋喃并-和苯并噻吩并异喹啉类
和包含所述化合物的有机发光器件。但是, 并未公开具有特定位置的N和特定取代模式的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类。
引用列表
专利文献
KR 20110083442
US 20110266526
KR 20120104064
KR 20140103007
US 20140117331
US 20140034915
WO 2014/024750 A1
WO 2014/199637 A1
WO 2015/199489 A2。
发明内容
本发明要解决的技术问题
尽管有这些发展,仍然需要包含新材料,尤其是主体(=基质)材料、电荷传输材料即空穴传输材料和电子传输材料、和/或电荷/激子阻挡材料即电子/ 激子阻挡材料和空穴/激子阻挡材料的有机发光器件,以提供电致发光器件的长寿命、改进的效率、稳定性、可制造性、驱动电压和/或光谱特性。
因此,相对于前述相关技术,本发明的目的是提供适合在OLED中使用以及在有机电子学中进一步应用的进一步的材料。更特别地,应当能够提供用于OLED的电荷传输材料,即空穴传输材料和电子传输材料,和/或电荷/激子阻挡材料,即电子/激子阻挡材料和空穴/激子阻挡材料,以及主体(=基质) 材料。该材料应当特别适用于包含至少一种发光体的OLED,所述发光体是磷光发光体和/或荧光发光体,例如包含至少一种蓝色、绿色、红色或黄色发光体、尤其是至少一种蓝色发光体(荧光体系)、至少一种绿色发光体或至少一种红色发光体的OLED。
进一步,该材料应当适合于提供OLED,其确保了OLED的良好的效率、良好的操作寿命和对热应力的高稳定性、以及低的使用和工作电压。
解决课题的方案
所述目的通过式(1)的杂环衍生物得到解决:
其中
X是O或S;
A1是N或CRA1
A2是N或CRA2
其中A1和A2的至少一者是N;优选地,A1是N且A2是CRA2,或A1是CRA1且A2是N,
B1是CR1或N;
B2是CH或N;
B3是CR3或N;
B4是CR4或N;
B5是CR5或N;
B6是CR6或N;
B7是CR7或N;
B8是CR8或N;
其中B1和B2、B2和B3、或B3和B4任选地一起形成六元环***;
和/或B5和B6、B6和B7、或B7和B8任选地一起形成六元环***;
RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是H;E;式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基,其中RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8的至少一者是式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;
o是0或1,p是0或1,q是0或1,r是0或1,优选o是0或1,p是0或1,q是0且r是0;
A1、A2、A3和A4各自独立地是未取代或被G取代的C6-C24 亚芳基或者未取代或被G取代的C1-C24 亚杂芳基;
R20是H;E;未取代或被G取代的C6-C60 芳基;未取代或被G取代的C1-C60 杂芳基;或未取代或被至少一个基团G取代和/或被D中断的C1-C25烷基;
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-CR63=CR64-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR73-或-C≡C-,优选是-O-、-NR65-或-SiR70R71-;
E是-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN、-SiR70R71R72、卤素或-POR74R75;优选是-NR65R66、-CN、-SiR70R71R72或-POR74R75
G是E;C1-C24烷基;被O中断的C1-C24烷基;C6-C60芳基;被F、-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3、-C(CF3)3、C1-C24烷基或被O中断的C1-C24烷基取代的C6-C60芳基;C2-C60杂芳基;或被F、-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3、-C(CF3)3、C1-C24烷基或被O中断的C1-C24烷基取代的C2-C60杂芳基;
R63和R64各自独立地是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;被–O-中断的C1-C18烷基;或H;
R65和R66各自独立地是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被–O-中断的C1-C18烷基;或
R65和R66一起形成五元或六元环,其可被取代或苯并环化(例如,咔唑);
R67是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被–O-中断的C1-C18烷基;
R68是H;C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被–O-中断的C1-C18烷基;
R69是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被–O-中断的C1-C18烷基;
R70、R71和R72各自独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基;和
R73、R74和R75各自独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基;
其中在A1是CRA1且A2是N的情形中,B3是CH或N,且R6和R7的定义中的o、p、q和r是0。
发明的有利效果
根据式(1)的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类的特定取代产生非常适于发射蓝光、绿光、红光或黄光、优选蓝光、绿光或红光、更优选蓝光和红光的器件的材料,尤其是主体材料、电荷传输材料或电荷阻挡材料。此外,在器件中实现了平衡的电荷传输即空穴传输或电子传输,和/或电荷/激子阻挡、即电子/激子阻挡或空穴/激子阻挡,导致低电压和高外量子效率(EQE)和 /或长寿命。
尤其是,根据本发明的式(1)的化合物可以以比本领域技术已知的类似化合物更少的步骤合成。
附图说明
图1示出本发明的有机EL器件的一个实例的示意性构成。
具体实施方式
根据本发明的式(1) 的特定取代的化合物的特征在于比相关技术中公开的化合物具有更高的三重态能量。此外,本发明的特定取代的化合物的玻璃化转变温度 (TG) 高,这导致包含所述化合物的器件的高稳定性。
本发明的化合物可用于电子照相感光体,光电转换器,有机太阳能电池(有机光伏电池),开关元件,比如有机晶体管例如有机FET和有机TFT,有机发光场效应晶体管(OLEFET),图像传感器,染料激光器和电致发光器件例如有机发光二极管(OLED)。
因此,本发明的另一主题涉及电子器件,其包含根据本发明的化合物。所述电子器件优选是电致发光器件,例如有机发光二极管(OLED)。
式(1)的化合物原则上可被用于EL器件的任意层中,但优选用作主体材料、电荷传输材料即空穴传输材料或电子传输材料、和/或电荷/激子阻挡材料即电子/激子阻挡材料或空穴/激子阻挡材料。特别地,式(1)的化合物用作绿色、红色和黄色、优选绿色和红色、更优选红色发光的磷光或荧光发光体、优选磷光发光体的主体材料,和/或与磷光或荧光发光体、优选磷光发光体组合用作电子传输材料。
因此,本发明的另一主题涉及电荷传输层、即空穴传输层或电子传输层,优选电子传输层,其包含根据本发明的式 (1) 的化合物。
因此,本发明的另一主题涉及电荷/激子阻挡层、即电子/激子阻挡层或空穴/激子阻挡层,优选空穴/激子阻挡层,其包含根据本发明的式(1)的化合物。
本发明的另一主题涉及发光层,其包含根据本发明的式(1)的化合物。在所述实施方案中,式(1)的化合物优选用作主体材料或与一种或多种、优选一种其它的主体材料一起用作共主体材料。更优选地,使用式(1)的化合物和共主体材料与磷光发光体的组合。
本发明的另一主题涉及空穴/激子阻挡层,其包含根据本发明的式(1)的化合物。
本发明的另一主题涉及电子/激子阻挡层,其包含根据本发明的式(1)的化合物。
术语卤素、烷基、烷氧基、环烷基、芳基、芳基氧基、芳烷基、杂芳基、亚芳基、亚杂芳基是本领域技术已知的,并且如果所述基团在下面提及的具体实施方案中没有进一步说明,则通常具有以下含义:
卤素是氟、氯、溴和碘,优选是氟。
C1-C25烷基、优选C1-C24烷基且更优选C1-C18烷基在可能的情况下典型地是直链或支链的。实例是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、1,1,3,3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1,1,3,3,5,5-六甲基己基、正庚基、异庚基、1,1,3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基和2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基或十八烷基。C1-C8烷基典型地是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基和2-乙基己基。C1-C4烷基典型地是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基。
上述烷基可任选地被E取代和/或被D中断。优选地,上述烷基是未取代或可任选地被E取代。
C1-C25烷氧基且优选C1-C18烷氧基是直链或支链的烷氧基,例如为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基或叔戊氧基、庚氧基、辛氧基、异辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基和十八烷氧基。C1-C8烷氧基的实例是甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、2-戊氧基、3-戊氧基、2,2-二甲基丙氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、1,1,3,3-四甲基丁氧基和2-乙基己氧基,优选C1-C4烷氧基、典型地比如为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基。
术语“环烷基”优选为C5-C12环烷基,比如环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、环十一烷基、环十二烷基,优选环戊基、环己基、环庚基或环辛基,它们可以是未取代或被G取代。
未取代或任选地可被G取代的C6-C60芳基、优选C6-C30芳基、更优选C6-C24芳基和最优选C6-C18芳基最优选为苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基、萘基、尤其是1-萘基或2-萘基、联苯基、三亚苯基 (triphenylenyl)、荧蒽基、三联苯基、芘基、2-或9-芴基、菲基或蒽基,其可以是未取代或被G取代。苯基、1-萘基和2-萘基是C6-C10芳基的实例。
C1-C60杂芳基、优选C1-C30杂芳基、更优选C2-C13 杂芳基表示其中氮、氧或硫是可能的杂原子的具有五、六或七个环原子的环、或稠环***,并且典型地是具有5-60个原子、优选具有5-30个原子、更优选具有5-13个原子且具有至少六个共轭π-电子的杂环基团,比如噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻蒽基、呋喃基、糠基、2H-吡喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、联吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、中氮茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基(quinolyl)、异喹啉基(isoquinolyl)、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、蝶啶基、咔唑基、咔啉基、苯并***基、苯并噁唑基、菲啶基、吖啶基、嘧啶基、菲咯啉基、吩嗪基、异噻唑基、吩噻嗪基、异噁唑基、呋咱基、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、5-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、苯并咪唑并[2,1-b][1,3]苯并噻唑基、咔唑基、氮杂三亚苯基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂咔唑基、喹诺酮基、异喹啉基(isoquinolinyl)、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、菲啶基、苯并[h]喹诺酮基、苯并[h]异喹啉基、苯并[f]异喹啉基、苯并[f]喹啉基、苯并[h]喹唑啉基、苯并[f]喹唑啉基、二苯并[f,h]喹诺酮基、二苯并[f,h]异喹诺酮基、二苯并[f,h]喹喔啉基、二苯并[f,h]喹唑啉基或吩噁嗪基,其可以是未取代或被G取代。 苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基、咔唑基和二苯并呋喃基是C2-C14杂芳基的实例。
基团C1-C60杂芳基、优选C1-C30杂芳基、更优选C1-C24杂芳基、最优选C2-C13 杂芳基、还更优选C2-C60杂芳基、C2-C30杂芳基、C2-C24杂芳基、C2-C13杂芳基可以是未取代或被G取代。
C2-C13杂芳基是例如苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基 ()、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑并-2-基 ()、苯并咪唑并[2,1-b][1,3]苯并噻唑基、苯并咪唑并[2,1-b][1,3]苯并噁唑、咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基,其可以是未取代或被G取代,特别是被C6-C10芳基、或被C1-C4烷基取代的C6-C10芳基;或C2-C13杂芳基所取代。
C1-C60杂芳基、优选C1-C30杂芳基、更优选C1-C24杂芳基、最优选C2-C13 杂芳基、还更优选C2-C60杂芳基、C2-C30杂芳基、C2-C24杂芳基、C2-C13杂芳基是指杂芳基残基在基础骨架(没有取代基)中包含至少一个、优选至少2个碳原子和至多60个碳原子。杂芳基基础骨架中的其它原子是杂原子 (N、O和/或 S)。
R24’在每种情况下独立地为C1-C18烷基、比如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基己基,或者C6-C14芳基、比如苯基、甲苯基、萘基、菲酮基(phenanthronyl)、三亚苯基、荧蒽基或联苯基。
C1-C24杂环基、优选C1-C13杂环基、更优选C2-C13 杂环基表示其中氮、氧或硫是可能的杂原子的具有五、六或七个环原子的环、或稠环***,且典型地是具有5-24个原子、优选具有5-13个原子的杂环基。所述杂环基可以是如上定义的C1-C24杂芳基或可以未取代或被G取代的C1-C24杂环烷基。典型地,C1-C24杂环烷基是氧杂环丁烷、四氢呋喃、四氢吡喃、氧杂环庚烷、二噁烷、氮杂环丁烷、吡咯烷、哌啶、六氢氮杂环庚三烯、六氢二氮杂环庚三烯、四氢噻吩、噻丁环、四氢噻喃、硫杂环庚烷、吗啉以及桥联杂环烷基***比如氧杂双环[4.4.0]癸烷和氮杂双环[2,2,1]十一烷。
C6-C24亚芳基、优选任选地可被G取代的C6-C10亚芳基、优选任选地可被G取代的C6-C10亚芳基更优选是亚苯基、4-甲基亚苯基、4-甲氧基亚苯基、亚萘基、尤其是1-亚萘基、或2-亚萘基、亚联苯基、亚三亚苯基(triphenylenylene)、亚荧蒽基、亚三联苯基、亚芘基、2-或9-亚芴基、亚菲基或亚蒽基,其可以是未取代或被G取代。优选的C6-C24亚芳基、优选C6-C10亚芳基是1,3-亚苯基、3,3’-亚联苯基、3,3’-间-亚三联苯基、2-或9-亚芴基、亚菲基,其可以是未取代或被G取代。
未取代或任选地可被G取代的C1-C30亚杂芳基、优选C2-C14亚杂芳基表示其中氮、氧或硫是可能的杂原子的具有5-7个环原子的环或稠环***,并且典型地是具有5-30个原子且具有至少6个共轭 -电子的杂环基团,比如亚噻吩基、苯并噻吩亚基、二苯并噻吩亚基、亚噻蒽基、亚呋喃基、亚糠基、2H-亚吡喃基、苯并呋喃亚基、异苯并呋喃亚基、二苯并呋喃亚基、苯氧基噻吩亚基、亚吡咯基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚吡啶基、亚联吡啶基、亚三嗪基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚中氮茚基、亚异吲哚基、亚吲哚基、亚吲唑基、亚嘌呤基、亚喹嗪基、亚喹啉基(quinolylene)、亚异喹啉基(isoquinolylene)、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚蝶啶基、亚咔啉基、苯并***亚基、苯并噁唑亚基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚嘧啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚异噻唑基、亚吩噻嗪基、亚异噁唑基、亚呋咱基、亚咔唑基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-亚基、或亚吩噁嗪基,其可以是未取代或被G取代。优选的C2-C30亚杂芳基是亚吡啶基、亚三嗪基、亚嘧啶基、亚咔唑基、二苯并呋喃亚基、亚氮杂三亚苯基、氮杂二苯并呋喃亚基、氮杂二苯并噻吩亚基、亚氮杂咔唑基、亚喹诺酮基、亚异喹啉基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚菲咯啉基、亚菲啶基、苯并[h]喹诺酮亚基、苯并[h]异喹啉亚基、苯并[f]异喹啉亚基、苯并[f]喹啉亚基、苯并[h]喹唑啉亚基、苯并[f]喹唑啉亚基、二苯并[f,h]喹诺酮亚基、二苯并[f,h]异喹诺酮亚基、二苯并[f,h]喹喔啉亚基、二苯并[f,h]喹唑啉亚基和苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-亚基 (),其可以是未取代或被G取代,优选是被C6-C10芳基、被C1-C4烷基取代的C6-C10芳基;或C2-C13杂芳基所取代。
如果取代基在基团中出现多于一次,则其在每次出现时可以不同。
卤代-C1-C8烷基是其中至少一个氢原子被卤素原子替代的烷基 (如上所定义)。实例是-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3和-C(CF3)3
措辞“被G取代”是指可以存在一个或更多个,尤其是一个、两个或三个取代基G。优选的取代基G如下所述。
措辞“被E取代”是指可以存在一个或更多个,尤其是一个、两个或三个取代基E。优选的取代基E如下所述。
如上所述,前述烷基可以被E取代和/或根据需要被D中断。当然,只有在含有至少2个通过单键相互连接的碳原子的基团的情况下才可能中断;C6-C18芳基不中断;中断的芳基烷基在烷基部分中含有单元D。被一个或多个E取代和/或被一个或多个单元D中断的C1-C18烷基是例如:(CH2CH2O)1-9-Rx,其中Rx是H、C1-C10烷基或C2-C10烷酰基 (例如,CO-CH(C2H5)C4H9)、CH2-CH(ORy')-CH2-O-Ry,其中Ry是C1-C18烷基、C5-C12环烷基、苯基、C7-C15苯基烷基,并且Ry'具有与Ry相同的定义或者是H。
被E取代的烷基是,例如,其中至少一个氢原子被F替代的烷基。实例是-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3和-C(CF3)3
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR72-、-CR63=CR64-或-C≡C。合适的残基R63、R64、R65、R70、R71和R72如上所述。D优选是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-,其中R65优选是C1-C18烷基,比如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、或仲丁基,或者C6-C14芳基,比如苯基、甲苯基、萘基、三亚苯基或联苯基,或者C2-C30杂芳基,比如,例如苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基 ()、咔唑基、二苯并呋喃基,其可以是未取代或尤其被C6-C10芳基、或被C1-C4烷基取代的C6-C10芳基; 或C2-C13杂芳基所取代。
E是-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN、-SiR70R71R72、卤素或-POR74R75;优选是-NR65R66、-CN、-SiR70R71R72或-POR74R75;其中R65、R66、R67、R68、R69、R70、R71、R72、R73、R74和R75优选各自独立地是C1-C18烷基,比如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基、或2-乙基己基,或者C6-C14芳基,比如苯基、甲苯基、萘基、三亚苯基或联苯基。
G是E,或C1-C24烷基,C6-C30芳基,被F、C1-C24烷基或被O中断的C1-C24烷基取代的C6-C30芳基; C2-C60杂芳基,或被F、C1-C18烷基或被O中断的C1-C18烷基取代的C2-C60杂芳基。G优选是–OR69、-SR69、–NR65R66;C1-C18烷基、C6-C18芳基、被F或C1-C18烷基取代的C6-C18芳基;C2-C24杂芳基、或被F或C1-C18烷基取代的C2-C24杂芳基;其中R65、R66和R69各自独立地是C1-C18烷基、比如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基己基,或者C6-C14芳基比如苯基、甲苯基、萘基或联苯基。更优选地,G是C6-C18芳基如苯基、甲苯基、三亚苯基或联苯基、菲基、蒽基,或C6-C24杂芳基如二苯并噻吩基(dibenzothiophenylyl)、二苯并呋喃基、吡啶基、三嗪基、嘧啶基、氮杂三亚苯基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂咔唑基、喹诺酮基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、菲啶基、苯并[h]喹诺酮基、苯并[h]异喹啉基、苯并[f]异喹啉基、苯并[f]喹啉基、苯并[h]喹唑啉基、苯并[f]喹唑啉基、二苯并[f,h]喹诺酮基、二苯并[f,h]异喹诺酮基、二苯并[f,h]喹喔啉基或二苯并[f,h]喹唑啉基。
A1、A2
在根据本发明的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类中,A1和A2的至少一者是N;优选地,A1是N且A2是CRA2,或者A1是CRA1且A2是N。
B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8
进一步,在根据本发明的式(1)的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类中,B1是CR1或N,优选是CR1;B2是CH或N,优选是CH;B3是CR3或N,优选是CR3;B4是CR4或N,优选是CR4;B5是CR5或N,优选是CR5;B6是CR6或N,优选是CR6;B7是CR7或N,优选是CR7;并且B8是CR8或N,优选是CR8
其中B1和B2、B2和B3、或B3和B4任选地一起形成六元环***;
和/或B5和B6、B6和B7、或B7和B8任选地一起形成六元环***;
彼此直接连接的基团B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7和B8通常不同时为N。
该六元环***优选是下式的环结构:,其中G如上所定义,且y是0、1、2、3或4,优选是0、1或2,更优选是0或1,最优选是0;并且~是与基团R1至R8的两个相邻基团键合的原子的键合位点。优选地,所述基团R1至R8的两个相邻基团可以与它们键合的原子一起形成可任选地被G取代的芳族6元环结构。
优选地,基团B1和B2、B2和B3、B3和B4、B5和B6、B6和B7、或B7和B8的0组或1组、更优选0组任选地一起形成六元环***、优选如上所定义的六元环***。
在本发明的优选实施方案中,B1至B8的0、1或2个、优选B1和/或 B5,更优选B1至B8的0或1个、优选B1或B5,最优选B1至B8的0个是N。
最优选地,A2是CRA2,B5是CR5,或B6是CR6、或B7是CR7、或B8是CR8,优选B6是CR6、或B7是CR7并且其余的B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7和B8是CH,并且A1是N;或者A2是N,B6是CR6、或B7是CR7并且其余的B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7和B8是CH,并且A1是CRA1
尤其最优选地,A2是CRA2且B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7和B8是CH,并且A1是N;A2是N,B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7和B8是CH,并且A1是CRA1;或者A2是CH,B5是CR5、或B6是CR6、或B7是CR7、或B8是CR8,优选B6是CR6并且其余的B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7和B8是CH,并且A1是N。
RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是H;E;式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或者未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基,其中RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8的至少一者是式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团。
基团A1、A2、A3和A4,指数o、p、q和r,以及残基R20定义如下。
优选地,RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是H;-NR65R66;-CN;-SiR70R71R72;-POR74R75;其中R65、R66、R70、R71、R72、R74和R75优选各自独立地是C1-C18烷基比如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基己基,或C6-C14芳基比如苯基、甲苯基、萘基、三亚苯基或联苯基;C1-C4烷基、优选甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基;或者式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团。
更优选地,RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是H、CN、甲基、叔丁基或式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团。
最优选地,RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是H或式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团。
优选地,在根据本发明的式(1)的化合物中,RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8的一者、二者、三者或四者,优选一者或二者,更优选一者各自独立地是E;式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选是式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,并且其余的RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8是H;
更优选RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8的一者、二者、三者或四者,优选一者或二者,更优选一者各自独立地是H;-NR65R66;-CN;-SiR70R71R72;-POR74R75;其中R65、R66、R70、R71、R72、R74和R75优选各自独立地是C1-C18烷基、比如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基己基,或C6-C14芳基、比如苯基、甲苯基、萘基、三亚苯基或联苯基;C1-C4烷基、优选甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基;或者式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团。
最优选地,RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8的一者是式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,并且其余的RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8是H、CN、甲基、叔丁基。
进一步最优选地,RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8的一者是式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,并且其余的RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8是H。
又进一步最优选地,RA1、RA2、R5、R6、R7和R8的一者是式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,并且其余的RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8是H。
更进一步最优选地,RA1、RA2、R6和R7的一者是式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,并且其余的RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8是H。
尤其最优选地,RA1和RA2的一者是式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,并且其余的RA1和RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7以及R8是H。
A1、A2、A3、A4
A1、A2、A3、A4各自独立地是未取代或被G取代的C6-C24 亚芳基,或者未取代或被G取代的C1-C24 亚杂芳基。
A1、A2、A3、A4优选各自独立地是任选地可被G取代的C6-C24亚芳基,其选自亚苯基、亚萘基、尤其是1-亚萘基或2-亚萘基、亚联苯基、亚三苯基、亚三联苯基、亚芘基、2-或9-亚芴基、亚菲基或亚蒽基,其可以是未取代或被G取代;或
任选地可被G取代的C5-C24亚杂芳基,其特征在于,具有5-7个环原子的环、或稠环***,其中氮、氧或硫是可能的杂原子,且具有至少6个共轭电子,优选选自:苯并噻吩亚基、亚噻蒽基、亚呋喃基、亚糠基、2H-亚吡喃基、苯并呋喃亚基、异苯并呋喃亚基、二苯并呋喃亚基 ()、二苯并噻吩亚基 ()、亚咔唑基 ()、亚咪唑基、亚吡唑基、亚吡啶基、亚联吡啶基、亚三嗪基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚中氮茚基、亚异吲哚基、亚吲哚基、亚吲唑基、亚嘌呤基、亚喹嗪基、亚喹啉基(quinolylene)、亚异喹啉基(isoquinolylene)、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚蝶啶基、亚咔啉基、苯并***亚基、苯并噁唑亚基、亚菲啶基、亚嘧啶基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-亚基,其可以是未取代或被G取代; R73是C6-C24芳基或C2-C30杂芳基,其可任选地被G取代;其中线条是键合位点。
更优选地,A1、A2、A3、A4 各自独立地是
其可以是未取代或被G取代,优选是未取代或被1、2、3或4个基团G取代,更优选是未取代或被1或2个基团G取代;由此G最优选是-NR65R66、-CN、-SiR70R71R72、C1-C24烷基、未取代的C6-C30芳基或C2-C30杂芳基;
R73是C6-C18芳基;C6-C18芳基,其是未取代或被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代;C1-C18烷基;或被-O-中断的C1-C18烷基;优选C1-C18烷基,比如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基、或2-乙基-己基,或者C6-C14芳基,比如苯基、甲苯基、萘基或联苯基;
R38是可任选地被E取代和或被D中断的C1-C25烷基;可任选地被G取代的C6-C24芳基;或可任选地被G取代的C1-C24杂芳基; 和/或所述基团的两个相邻基团可以与它们键合的原子一起形成可任选地被G取代的环结构;
R130在每次出现时独立地是H、可任选地被G取代的C6-C24亚芳基、或可任选地被G取代的C1-C30亚杂芳基;其中G如上所定义;其中虚线是键合位点;
其中(C)-意指基团A1、A2、A3、A4的键合位点与C原子连接,(N)-意指基团A3、A4、A5和A6的键合位点与N原子连接,并且(C,N) 意指基团A1、A2、A3、A4的键合位点与C或N原子连接。
A1、A2、A3、A4 更优选在每次出现时各自独立地是下式的基团:
优选
其可以是未取代或被G取代,优选是未取代或被1、2、3或4个基团G取代,更优选是未取代或被1或2个基团G取代,最优选是未取代的;由此G如上所定义且最优选是-NR65R66、-CN、-Si(R70)3、C1-C24烷基、未取代的C6-C30芳基或C2-C30杂芳基;
R73是C6-C18芳基;C6-C18芳基,其被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代;C1-C18烷基;或被-O-中断的C1-C18烷基;优选C1-C18烷基,比如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基、或2-乙基-己基,或者C6-C14芳基,比如苯基、甲苯基、萘基或联苯基;
R130在每次出现时独立地是H、可任选地被G取代的C6-C24亚芳基、或可任选地被G取代的C1-C30亚杂芳基;其中G如上所定义;
其中(C)-意指基团A1、A2、A3、A4的键合位点与C原子连接,(N)-意指基团A1、A2、A3、A4的键合位点与N原子连接,并且(C,N)意指基团A1、A2、A3、A4的键合位点与C或N原子连接;虚线是键合位点。
A1、A2、A3、A4 最优选在每次出现时各自独立地是下式的基团:
其可以是未取代或被G取代,优选是未取代或被1、2、3或4个基团G取代,更优选是未取代或被1或2个基团G取代,最优选是未取代的;由此G如上所定义且最优选是NR65R66、-CN、C1-C24烷基、未取代的C6-C30芳基或C2-C30杂芳基,
其中虚线是键合位点。
进而最优选地,A1、A2、A3、A4在每次出现时各自独立地是1,3-亚苯基, 1,4-亚苯基,
R20
R20是H;CN;E;未取代或被G取代的C6-C60 芳基,未取代或被G取代的C1-C60 杂芳基,未取代或被至少一个基团G取代和/或被D中断的C1-C25烷基。
适合且优选的基团E、G和D如前所述。
优选地,R20是H、-OR69、-SiR70R71R72、CN或下式的基团
其中
X1是S、O、C(R21)2或NR23
R21是可任选地被E取代和或被D中断的C1-C25烷基;可任选地被G取代的C6-C24芳基,或可任选地被G取代的C1-C24杂芳基; 和/或所述基团的两个相邻基团可以与它们键合的原子一起形成可任选地被G取代的环结构;
R22是未取代或被G取代的C6-C18 芳基或未取代或被G取代的C2-C18 杂芳基;
R23是H、未取代或被G取代的C6-C18 芳基、或未取代或被G取代的C2-C18 杂芳基;
R24和R25各自独立地是H、未取代或被G取代的C6-C18 芳基、未取代或被G取代的C2-C18 杂芳基、可任选地被E取代或被D中断的C1-C25烷基、或–CN;
a是0、1、2或3,优选是0、1或2;
b是0、1、2、3或4,优选是0、1或2;
虚线是键合位点;
或者
其中
X1、X2和X3各自独立地是CR19或N,其中式(9)中X1至X3的至少一者是N,并且其中式(10)和(11)中X1和X3的至少一者是N;
Ar1和Ar2各自独立地是任选地被G取代的C6-C24 芳基、或任选地被G取代的C1-C24 杂芳基;
R17、R18和R19各自独立地是H、可被G取代的C6-C24 芳基、可被G取代的C1-C24 杂芳基G、或可任选地被E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选H;
c是0、1、2、3或4;优选0、1或2;更优选0或1;
d是0、1、2或3;优选0、1或2;更优选0;
或者
其中
R26、R27、R28和R29各自独立地是H、可被G取代的C6-C24 芳基、可被G取代的C1-C24 杂芳基、可任选地被E取代和/或被D中断的C1-C25烷基、或取代基E;优选是H或CN,更优选是H;
e是0、1、2、3、4或5;优选0、1、2或3;更优选0、1或2;
f是0、1、2或3;优选0、1或2; 更优选0;
g是0、1、2、3或4;优选0、1或2;更优选0或1;
h是0、1或2,优选0或1;更优选0;
或者
两个相邻的基团R26、R27、R28或R29可以与它们键合的原子一起形成可被G取代的环结构,
其中 ~是键合位点和虚线是键合位点。
优选的基团(4), (5), (6), (7), (8)是:
其中 X1是O或S;
其中 ~是键合位点和虚线是键合位点。
最优选的基团(4)、(5)和(6)是:
其中 ~是键合位点。
优选的基团(9)、(10)和(11)是:
其中
Ar1和Ar2各自独立地是任选地被G取代的C6-C24 芳基、或任选地被G取代的C1-C24 杂芳基;
~ 是与邻近基团的键合位点。
基团G如上所述。
优选地,Ar1和Ar2是未取代的苯基或下式的基团
其中
~ 是与邻近基团的键合位点。
最优选地,Ar1和Ar2是未取代的苯基。
最优选地,基团(9)、(10)和(11)是
其中
虚线是与邻近基团的键合位点。
优选的基团(12)、(13)、(14)、(15)、(16)、(17)、(18)、(19)、(20)、(21)、(22)、(23)、(24)、(25)、(26)、(27)、(28)、(29)、(30)、(31)和(32)是
其中
~ 是与邻近基团的键合位点。
最优选的基团 (12)、(13)、(14)、(15)、(16)、(17)、(18)、(19)、(20)、(21)、(22)、(23)、(24)、(25)、(26)、(27)、(28)、(29)、(30)、(31)和(32)是:
其中
~ 是与邻近基团的键合位点。
最优选地,R20是H或具有下述定义之一:
其中
~和虚线是与邻近基团的键合位点。
基团–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20
在基团–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20中,o是0或1,p是0或1,q是0或1,r是0或1,优选o是0或1,p是0或1,q是0且r是0。
优选的基团A1、A2、A3、A4和R20如上所述。
最优选的基团–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20是下述基团:
式(1)的化合物
在优选的实施方案中,在式(1)的化合物(杂环衍生物)中,A1是N且A2是CRA2。更优选地,在式(1)的化合物(杂环衍生物)中,RA2是E;式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团; 或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选是式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,且残基R1, R3, R4, R5, R6, R7和R8是H。最优选的是具有式(1a)的式(1)的化合物(杂环衍生物):
其中基团和残基X, B1, B2, B3, B4, B5, B6, B7, B8和RA2如上所定义。
在另一个优选的实施方案中,在式(1)的化合物(杂环衍生物)中,A1是CRA1且A2是N。更优选地,在式(1)的化合物(杂环衍生物)中,RA1是E;式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,和残基R1, R3, R4, R5, R6, R7和R8是H。最优选的是具有式(1b)的式(1)的化合物(杂环衍生物):
其中基团和残基X, B1, B2, B3, B4, B5, B6, B7, B8和RA1如上所定义。
在又另一个优选的实施方案中,在式(1)的化合物(杂环衍生物)中,A1是N且A2是CRA2。更优选地,在式(1)的化合物(杂环衍生物)中,R5、R6、R7和R8的一者、优选R6是E;式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,且其余的残基RA2, R1, R3, R4, R5,R6, R7和R8是H。最优选的是具有式(1c)的式(1)的化合物(杂环衍生物):
其中基团和残基X, B1, B2, B3, B4, B5, B6, B7,和B8如上所定义。
优选的式(1)的化合物(杂环衍生物)具有下述结构:
其中
B1是CR1或N;
B2是CH或N;
B3是CR3或N;
B4是CR4或N;
B5是CR5或N;
B6是CR6或N;
B7是CR7或N;
B8是CR8或N;
优选地,杂环衍生物具有式(1-1), (1-2), (1-3), (1-4), (1-5), 1-6), (1-7),(1-8)中的一者,其中优选地,A2是CRA2,RA2是E;式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,且R1, R3, R4, R5, R6, R7和R8是H。
更优选地,
杂环衍生物具有式(1-1)和(1-2)之一,其中优选地,A2是CRA2,RA2是E;式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,且R1, R3, R4, R5, R6, R7和R8是H;
或者
杂环衍生物具有式(1-9)和(1-10)之一,其中优选地,A1是CRA1,RA1是E;式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,且R1, R3, R4, R5, R6, R7和R8是H;
或者
杂环衍生物具有式(1-1)和 (1-2)之一,其中优选地,A2是CRA2,R5、R6、R7和R8之一、优选R6是E;式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,且RA2、R1、R3、R4以及其余的R5、R6、R7和R8是H。
基团和残基A1, A2, R1, R3, R4, R5, R6, R7和R8已在上文描述。
式(1a), (1-1)和(1-2)各自优选地是
其中 X, B1, B2, B3, B4, B5, B6, B7, B8, A1, A2, A3, A4, o, p, q, r和R20如上述对式(1)那样所定义。
式(1b), (1-9)和(1-10)各自优选地是
其中 X, B1, B2, B3, B4, B5, B6, B7, B8, A1, A2, A3, A4, o, p, q, r和R20如上述对式(1)那样所定义。
式(1c), (1-1)和(1-2)各自优选地是
其中 X, B1, B2, B3, B4, B5, B6, B7, B8, A1, A2, A3, A4, o, p, q, r和R20如上述对式(1)那样所定义,条件是B5, B6, B7和B8之一、优选B6是式C-–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团。
在优选的实施方案中,在式(1a’), (1b’)和(1c’)的化合物中,B1, B2, B3和B4是CH。
在优选的实施方案中,在式(1a’)和(1b’)的化合物中,B5, B6, B7和B8是CH。
在优选的实施方案中,在式(1c’)的化合物中,B5, B6, B7和B8而非式C-–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团是CH。
在式 (1a), (1b), (1c), (1a’), (1b’)和(1c’)的化合物中,A1, A2, A3和A4 优选各自独立地是未取代或被G取代的C6-C24 亚芳基。C6-C24 亚芳基和G已在上文针对式(1)而描述。
A1, A2, A3, A4更优选各自独立地是任选地可被G取代的亚苯基、亚萘基、亚联苯基或亚三联苯基。
又更优选地,A1, A2, A3, A4各自独立地是
其中虚线是键合位点。
A1, A2, A3, A4 还更优选地在每次出现时各自独立地为下式的基团:
其中虚线是键合位点。
在式 (1a), (1b), (1c), (1a’), (1b’)和(1c’)的化合物中,式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r–的基团优选是未取代或被G取代的C6-C24 亚芳基,更优选未取代或被G取代的亚苯基、亚萘基、亚联苯基或亚三联苯基:
其中虚线是键合位点。
又更优选地,式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r–的基团是下式的基团:
其中虚线是键合位点。
还更优选地,式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r–的基团是下式的基团:
在式 (1a), (1b), (1c), (1a’), (1b’)和(1c’)的化合物中,o是0或1,p是0或1,q是0或1,且r是0或1,优选o是0或1,p是0或1,q是0,且r是0,其中当o是0时(A1)o 是直接键,当p是0时(A2)p是直接键,当q是0时(A3)q是直接键,且当r是0时(A4)r 是直接键。
式(1a), (1b), (1c), (1a’), (1b’)和(1c’)的化合物中的R20已在上文针对式(1)进行了描述,且优选为未取代或被G取代的C6-C60 芳基,或未取代或被G取代的C1-C60 杂芳基。C6-C60 芳基、C1-C60 杂芳基和G已在上文针对式(1)进行了描述。
C6-C60 芳基优选为稠合(缩合) C10-C60 芳基,更优选为稠合C10-C30 芳基,还更优选为稠合C14-C25 芳基,比如蒽基、荧蒽基、三亚苯基或芴基,其可以是未取代或被G取代。
优选地,稠合C10-C60 芳基是下式的基团,其可以是未取代或被G取代:
其中
X1是C(R21)2
R21是可任选地被E取代和或被D中断的C1-C25烷基,可任选地被G取代的C6-C24芳基,或可任选地被G取代的C1-C24杂芳基;和/或所述基团的两个相邻基团可以与它们键合的原子一起形成可任选地被G取代的环结构;和
~是键合位点。
更优选地,稠合C10-C60 芳基是下式的基团,其是未取代或被G取代:
其中
~是键合位点。
还更优选地,稠合C10-C60 芳基是下式的基团,其可以是未取代或被G取代:
C1-C60 杂芳基优选为C1-C30 杂芳基,更优选为C1-C12 杂芳基,还更优选为具有六个环原子的芳族杂环,其各自可具有稠环,其中杂环原子是N,并且杂芳基、具有六个环原子的环和稠环各自是未取代或被G取代;还更优选可具有稠环的吡啶基,可具有稠环的嘧啶基,三嗪基或菲咯啉基,其是未取代或被G取代;还更优选为吡啶基、嘧啶基、三嗪基或菲咯啉基,其是未取代或被G取代;且还更优选为嘧啶基、三嗪基或菲咯啉基,其是未取代或被G取代。
C1-C60 杂芳基优选为式(9), (10)或(19)的基团,更优选为式(9)或(19)的基团,其如上述对式(1)的R20那样所定义:
其中
X1、X2和X3各自独立地是CR19或N,其中式(9)中X1至X3的至少一者是N,并且其中式(10)和(19)中X1和X3的至少一者是N;
Ar1和Ar2各自独立地是任选地被G取代的C6-C24 芳基、或任选地被G取代的C1-C24 杂芳基;
R18, R19和R29各自独立地是H、可被G取代的C6-C24 芳基、可被G取代的C1-C24 杂芳基、或可任选地被E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选为H;
c是0、1、2、3或4;优选是0、1或2;更优选是0或1;还更优选是0;
g 是0、1、2或3;优选是0、1或2;更优选是0;和
~是键合位点。
优选的基团(9)、(10)和(19)是:
其中
Ar1和Ar2优选各自独立地为任选地被G取代的C6-C24 芳基,更优选为未取代C6-C24 芳基,还更优选为未取代的苯基或未取代的二苯基(biphenyl);和
~是键合位点。
基团(9)优选是:
其中虚线是键合位点;且
更优选是:
其中虚线是键合位点。
基团(10)优选是:
其中虚线是键合位点。
基团(19)优选是:
其中虚线是键合位点;且
更优选是:
其中虚线是键合位点。
在本发明的优选实施方案中,式–(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r– R20的基团可以是
其中
A1, A2, A3, o, p和q已在上文描述;
Az是C1-C60 杂芳基,优选C1-C30 杂芳基,更优选C1-C12 杂芳基,且还更优选为具有六个环原子的芳族杂环,其各自可具有稠环;和
A4a--G1对应于被G1取代的A4,G1与式(1)中的G相同。A4a--G1 优选为被G1取代的C6-C24 亚芳基,其中 G1优选为C6-C60 芳基,更优选为稠合C10-C30 芳基,且还更优选为稠合C14-C25 芳基,其是未取代或被G取代。
可具有稠环的具有六个环原子的芳族杂环已在上文针对式(1a), (1b), (1c),(1a’), (1b’)和(1c’)的R20进行了描述。
基团A4a--G1的A4已在上文针对式(1a), (1b), (1c), (1a’), (1b’)和(1c’)的A1,A2, A3, A4进行了描述。
用于G1的C6-C24 亚芳基已在上文针对式(1a), (1b), (1c), (1a’), (1b’)和(1c’)的R20进行了描述。
最优选的式(1)的化合物如下所述:
最优选的化合物是上文提及的具体化合物,其中 A2是CRAr2,其中RAr2是上述结构中提及的取代基,并且其余基团B1至B8是CH。
另外的最优选的化合物是下述化合物:
式(1) 的其它最优选的化合物如下所述。
式(1)的化合物的合成
通常,式(1)的化合物以类似于相关技术,例如WO 2014/199637 和J. Med.Chem.1998,41, 2754–2764中描述的制备方法来制备。
结构 (1):
基础结构 (1’)的制备的一般方法记载于例如J. Med.Chem.1998, 41, 2754–2764中:
其中,B1, B3, B4, B5, B6, B7, B8, A1和A2的至少一者是C-Hal,并且其它全部基团如上文所定义,其中Hal意指卤素,优选为F、Cl或Br,更优选为Cl,
也可以通过使用POBr3 来替代POCl3而在步骤(b)中引入Br来替代Cl。
具有一个或多个基团RA1, RA2, R1, R3, R4, R5, R6, R7和R8的上述基础结构(1’)的官能化优选通过将基础结构在卤化位置与至少一个残基X-RA1, X-RA2, X-R1, X-R3, X-R4, X-R5, X-R6, X-R7或X-R8偶联而进行,
(i) 其中 X是–B(OR‘)2,其中R’是H、C1-C3 烷基或苯基,条件是两个R’可以相同或不同,并且两个R’可以与所述两个氧原子和所述硼原子一起形成环;
在催化剂存在下和在碱存在下,(如下所示的一般工序1)
或者
(ii) 其中X是H,在碱存在下 (如下所示的一般工序2);
或者
(iii) 其中X是H,在催化剂存在下和在碱存在下和在配体存在下(如下所示的一般工序3)。
该偶联优选为Suzuki-Miyaura 反应(偶联)。Suzuki-Miyaura反应的一般条件例如公开在US2014/0330013中。尤其在[136]-[137]段中。
关于(i):
优选地,R’是H, CH3, CH(CH3)2, CH2CH2CH3和苯基,当两个R’与经由两个氧原子键合至这两个R’上的硼原子一起形成环时,B(OR’)2优选包括下述基团
优选地,催化剂是Pd催化剂,例如,Pd2(dba)3 或Pd(PPh3)4
优选地,碱是Na2CO3, K2CO3 或Cs2CO3
关于(ii)
优选地,碱是K3PO4, Na2CO3, K2CO3, Cs2CO3或NaH。
关于(iii)
优选地,催化剂是Pd 催化剂,例如,Pd2(dba)3
优选地,碱是NaOtBu 或KOtBu。
优选的配体是P(tBu)3、Xanthophos、Sphos和Xphos。
一般工序 1 (作为代表性实例示出用于A2位置处的取代)
其中 X、RA2和R’如上所定义。
一般工序 2 (作为代表性实例示出用于A2位置处的取代)
其中 X和RA2如上所定义。
一般工序 3 (作为代表性实例示出用于A2位置处的取代)
其中 X和RA2如上所定义。
基础结构的官能化的实例如下所示:
因此,本发明还涉及制备式(1) 的化合物的方法,其包括以下步骤:
(a) 将式(1’)的化合物与式X-RA1、X-RA2、X-R1、X-R3、X-R4、X-R5、X-R6、X-R7或X-R8的化合物偶联,
其中 B1、B3、B4、A1和A2的至少一者是C-Hal,并且所有其它基团如上所定义,
其中Hal表示卤素,优选为F、Cl或Br,更优选为Cl,
(i) 其中X是–B(OR‘)2,其中R’是H、C1-C3烷基或苯基,条件是两个R’可以相同或不同,且所述两个R’可以与所述两个氧原子和所述硼原子一起形成环;
在催化剂存在下和在碱存在下;
或者
(ii) 其中 X是H,在碱存在下;
或者
(iii) 其中 X是H,在催化剂存在下和在碱存在下和在配体存在下。
合适的基团A1、A2、B1、B3、B4、B5、B6、B7和B8如上所述,其中基团A1、A2、B1、B3、B4、B5、B6、B7和B8的至少一者是C-Hal。最优选地, 基团A2是C-Hal。
反应步骤和方法条件的详细情况在上文和本申请实施例中提及。
有机电子学应用中的式(1)的化合物
已经发现,式(1)的化合物特别适合用于要求电荷载流子传导性的应用中,尤其是用于有机电子学应用,例如选自开关元件比如有机晶体管,例如有机FET和有机TFT,有机太阳能电池和有机发光二极管(OLED)。
术语有机EL器件在下文中与术语有机发光二极管(OLED)互换使用;即,两术语在本申请的意义上具有相同含义。
有机晶体管通常包括由具有电荷传输能力的有机层形成的半导体层;由导电层形成的栅电极;以及在半导体层和导电层之间引入的绝缘层。源电极和漏电极安装在该布置上,从而产生晶体管元件。此外,本领域技术人员已知的其它层可以存在于该有机晶体管中。具有电荷传输能力的层可包含式(1)的化合物。
有机太阳能电池(光电转换元件)通常包含存在于平行布置的两个板型电极之间的有机层。所述有机层可以配置在梳型电极上。关于所述有机层的位置没有特别限制,并且对所述电极的材料没有特别限制。然而,当使用平行布置的板型电极时,至少一个电极优选由透明电极例如ITO电极或掺杂氟的氧化锡电极形成。所述有机层由两个子层、即具有p型半导体特性或空穴传输能力的层以及形成有n型半导体特性或电荷传输能力的层形成。此外,本领域技术人员已知的其它层可以存在于有机太阳能电池中。具有电荷传输能力的层可包含式(1)的化合物。
式(1)的化合物特别适于在OLED 中用作发光层中的基质材料和/或用作电荷和/或激子阻挡材料,即,用作电子/激子阻挡材料或用作空穴/激子阻挡材料,和/或电荷传输材料,即,空穴传输材料或电子传输材料,尤其是与磷光发光体组合。
在OLED中使用本发明的式(1) 的化合物的情况下,获得具有良好效率和长寿命并且尤其可以在低的使用和工作电压下操作的OLED。本发明的式(1) 的化合物特别适合用作基质材料和/或电荷传输材料、即空穴或电子传输材料,和/或电荷阻挡材料、即空穴或电子阻挡材料,用于蓝色、绿色、红色和黄色,优选蓝色、绿色和红色,更优选蓝色和红色发光体。使用的蓝色发光体通常是荧光发光体。所用的其它发光体通常是荧光或磷光发光体,优选磷光发光体。进一步地,式(1) 的化合物可用作选自开关元件和有机太阳能电池的有机电子学应用中的导体/补充材料。(在本申请的意义上,术语基质和主体可互换使用)。
作为发光层中的基质材料的式(1) 的化合物
最优选地,式(1) 的化合物用作基质材料(主体材料),优选用于OLED的发光层中,更优选用于包含至少一种式(1) 的化合物和至少一种发光体材料的OLED的发光层中,其中发光体材料优选是荧光或磷光发光体材料,更优选是红色荧光或磷光发光体材料。
因此,本发明涉及包含至少一种式(1) 的化合物和至少一种发光体材料的发光层(发光层)。合适的发光体材料如上和如下所述。合适的发光层的结构如下所述。
本发明进一步涉及包含发光层(发光层)的OLED,所述发光层(发光层)包含至少一种式(1)的化合物和至少一种发光体材料。
在OLED的发光层或发光层之一中,还可以将发光体材料与至少一种式(1) 的化合物的基质材料以及一种或多种、优选一种其它基质材料(共主体)组合。这可以实现OLED器件的高量子效率、低驱动电压和/或长寿命。
同样可能的是,式(1)的化合物存在于两个或三个下述的层中:在发光层中(优选作为基质材料),在阻挡层中 (作为电荷阻挡材料)和/或在电荷传输层中(作为电荷传输材料)。
当式(1)的化合物用作发光层中的基质(主体)材料、且额外地用作电荷阻挡材料和/或用作电荷传输材料时,由于材料的化学一致性或相似性,改进了发光层和相邻材料之间的界面,这可以导致等同亮度下的电压降低、并且延长OLED的寿命。另外,由于可以将相同的源(source)用于式(1)的化合物之一的材料的气相沉积方法,因此使用相同的材料作为电荷传输材料和/或作为电荷阻挡材料和作为发光层的基质可以简化OLED的制造方法。
有机电子器件、尤其是有机发光二极管(OLED)的合适的结构是本领域技术人员已知的,并且具体说明如下。
作为电子传输材料的式(1)的化合物
在另一个最优选的实施方案中,式(1)的化合物优选在OLED中、更优选在包含至少一种蓝色荧光发光体材料的OLED中用作电子传输材料(传输电子的材料)。
因此,本发明涉及包含至少一种式(1)的化合物的电子传输层(传输电子的层)。
本发明进一步涉及一种OLED,其包含含有至少一种式(1)的化合物电子传输层,和含有至少一种发光体材料、优选蓝色荧光发光体材料的发光层。合适的发光体材料如上和如下所述。合适的电子传输层的结构如下所述。
在优选的实施方案中,包含至少一种本发明的式(1)的化合物的电子传输层还包含还原掺杂剂。
还原掺杂剂的实例包括供体金属、供体金属化合物和供体金属络合物。还原掺杂剂可以单独使用,或者组合使用两种或更多种。
本文中提及的还原掺杂剂是供电子材料。供电子材料是通过与电子传输层中共存的有机材料、或与电子传输层相邻的层中的有机材料、或与具有供电子原子团的材料的相互作用而生成自由基阴离子的材料。
供体金属是具有3.8 eV或更低的功函数的金属,优选碱金属、碱土金属或稀土金属,并且更优选Cs、Li、Na、Sr、K、Mg、Ca、Ba、Yb、Eu或Ce。
供体金属化合物是包含上述供体金属的化合物,优选包含碱金属、碱土金属或稀土金属的化合物,并且更优选这些金属的卤化物、氧化物、碳酸盐或硼酸盐,例如,由MOx(M:供体金属,x:0.5-1.5)、MFx (x:1-3)、或M(CO3)x (x:0.5-1.5)所示的化合物。
供体金属络合物是包含上述供体金属的络合物,优选碱金属、碱土金属或稀土金属的有机金属络合物,并且更优选式(I):M-(Q)n所示的有机金属络合物。
其中 M 是供体金属,Q是配体、优选羧酸衍生物、二酮衍生物或喹啉衍生物,并且n是1-4的整数。
供体金属络合物的实例包括记载于JP 2005-72012A中的水磨型(watermill-shaped)钨化合物和记载于JP 11-345687A中的具有碱金属或碱土金属作为中心金属的酞菁化合物。
还原掺杂剂优选是选自碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属氧化物、碱金属卤化物、碱土金属氧化物、碱土金属卤化物、稀土金属氧化物、稀土金属卤化物、具有碱金属的有机络合物、具有碱土金属的有机络合物和具有稀土金属的有机络合物中的至少一者,更优选是碱金属的8-喹啉醇络合物。
碱金属的实例包括:Li (锂,功函数:2.93 eV)、Na (钠,功函数:2.36 eV)、K (钾,功函数:2.3 eV)、Rb (铷,功函数:2.16 eV)、和Cs (铯,功函数:1.95 eV)。
功函数的值基于Handbook of Chemistry(Pure Chemistry II,1984,p. 493,TheChemical Society of Japan编制)。以下同样适用。
优选的碱土金属的实例是:Ca (钙,功函数:2.9 eV)、Mg (镁,功函数:3.66 eV)、Ba (钡,功函数:2.52 eV)、和Sr (锶,功函数:2.0 -2.5 eV)。
锶的功函数基于Physics of Semiconductor Device (N.Y., Wiley, 1969, p.366)。
优选的稀土金属的实例是:Yb (镱,功函数:2.6 eV)、Eu (铕,功函数:2.5 eV)、Gd(钆,功函数:3.1 eV)、和Er (铒,功函数:2.5 eV)。
碱金属氧化物的实例包括Li2O、LiO、和NaO。碱土金属氧化物优选是CaO、BaO、SrO、BeO、或MgO。
碱金属卤化物的实例包括氟化物例如LiF、NaF、CsF和KF,以及氯化物例如LiCl、KCl和NaCl。
碱土金属卤化物优选是氟化物比如CaF2、BaF2、SrF2、MgF2和BeF2,以及不同于氟化物的卤化物。
基于电子传输层的重量,电子传输层中的式(1)的化合物的含量优选为50质量%或更多,即,50-100质量%,且更优选60质量%或更多,即,60-100质量%。
本发明进一步提供有机发光二极管(OLED),其包含阳极和阴极、以及布置在该阳极和该阴极之间的发光层,并且如果合适的话,包含选自至少一个空穴/激子阻挡层、至少一个电子/激子阻挡层、至少一个空穴注入层、至少一个空穴传输层、至少一个电子注入层和至少一个电子传输层中的至少一个另外的层,其中至少一种式(1)的化合物存在于发光层和/或至少一个另外的层中。至少一种式(1)的化合物优选存在于发光层和/或电荷阻挡层和/或电荷传输层中。
在本发明的一个优选的实施方案中,至少一种式(1) 的化合物用作电荷传输材料,即电子传输或空穴传输材料,尤其是用作电子传输材料。优选的式 (1)的化合物的实例如上所示。
在本发明的进一步优选的实施方案中,至少一种式 (1) 的化合物用作电荷/激子阻挡材料,即电子/激子阻挡或空穴/激子阻挡材料,尤其是用作空穴/激子阻挡材料。优选的式 (1)的化合物的实例如上所示。
本申请进一步涉及发光层,其包含优选作为主体材料或共主体材料的至少一种式(1)的化合物。优选的式 (1)的化合物的实例如上所示。
本发明的用于有机EL器件(OLED) 的材料包含上述式(1)所示的化合物。用于有机EL器件的材料中的上述化合物的含量没有特别限制。例如,其可以是1 质量%或更多、优选10 质量%或更多、更优选50 质量%或更多、进一步优选80 质量%或更多、且特别优选90 质量%或更多。该含量可以是100 质量%。作为式 (1)所示的那些之外的其它材料,可以给出用于发光层、电子传输层、空穴传输层等(后面提及)中的材料。
本发明的用于有机EL器件的材料作为有机EL器件用材料是有效的,并且可以用作荧光发光单元的发光层中的主体材料或掺杂剂材料、或者用作磷光发光单元的发光层中的主体材料。在任何荧光发光单元和磷光发光单元中,该材料作为设置在有机EL器件的阳极和发光层之间的阳极侧有机薄膜层用材料、或作为设置在有机EL器件的阴极和发光层之间的阴极侧有机薄膜层用材料是有效的。即,其作为用于空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层等的材料是有效的。
同时,“发光单元”是指包含一个或多个有机层的最小单元,其中一个有机层是发光层,并且可以通过注入的空穴和电子的再结合来发光。
有机EL器件 (OLED)
作为本发明一个实施方案的有机EL器件包含一个或多个有机薄膜层,所述有机薄膜层包含在阴极和阳极之间的发光层,并且至少一层有机薄膜层包含上述用于有机EL器件的材料。
作为包含上述用于有机EL器件的材料的有机薄膜层的实例,可举出:阳极侧有机薄膜层(空穴传输层、空穴注入层等)、发光层、设置在阴极和发光层之间的阴极侧有机薄膜层(电子传输层、电子注入层等)、间隔层、阻隔层等。实例并不受其限制。上述用于有机EL器件的材料可以包含在任何上述层中,并且可以用作荧光发光单元的发光层中的主体材料或掺杂剂材料,磷光发光单元的发光层、发光单元的空穴传输层、电子传输层等中的主体材料。
本发明的有机EL器件可以是荧光或磷光单色发光器件,或者可以是荧光/磷光混合白色发光器件。其可以是具有单一发光单元的简单发光器件或具有多个发光单元的串联(tandem)发光器件。其中,有机EL器件可以优选是磷光发光器件。
作为简单型有机EL器件的代表性器件结构,可以举出以下器件构成。
(1) 阳极/发光单元/阴极
上述发光单元可以是包含多个磷光发光层或多个荧光发光层的堆叠型发光单元。在这种情况下,为了防止在磷光发光层中产生的激子向荧光发光层的扩散,可以在发光层之间设置间隔层。以下举出发光单元的代表性的层构成。
(a) 空穴传输层/发光层(/电子传输层)
(b) 空穴传输层/第一磷光发光层/第二磷光发光层(/电子传输层)
(c) 空穴传输层/磷光发光层/间隔层/荧光发光层(/电子传输层)
(d) 空穴传输层/第一磷光发光层/第二磷光发光层/间隔层/荧光发光层(/电子传输层)
(e) 空穴传输层/第一磷光发光层/间隔层/第二磷光发光层/间隔层/荧光发光层(/电子传输层)
(f) 空穴传输层/磷光发光层/间隔层/第一荧光发光层/第二荧光发光层 (/电子传输层)
(g) 空穴传输层/电子阻隔层/发光层(/电子传输层)
(h) 空穴传输层/发光层/空穴阻隔层 (/电子传输层)
(i) 空穴传输层/荧光发光层/三重态阻隔层 (/电子传输层)
(j) 空穴注入层/空穴传输层/磷光发光层/电子传输层/电子注入层
(k) 空穴注入层/第一空穴传输层/第二空穴传输层/荧光发光层/第一电子传输层/第二电子传输层/电子注入层
(l) 空穴注入层/第一空穴传输层/第二空穴传输层/荧光发光层/电子传输层/电子注入层。
如上所述的磷光或荧光发光层可以发出不同颜色的光。具体地,在堆叠发光层(d)中,可举出空穴传输层/第一磷光发光层(红色发光)/第二磷光发光层(绿色发光)/间隔层/荧光发光层(蓝色发光)/电子传输层等的层构成。
在每个发光层和空穴传输层或间隔层之间,可以适当地设置电子阻隔层。在每个发光层和电子传输层之间,可以适当地设置空穴阻隔层。由于电子阻隔层或空穴阻隔层的设置,电子或空穴可以被束缚在发光层内,从而可以增加发光层中载流子再结合的可能性,并且可以改善寿命。
作为串联有机EL器件的代表性的器件构成,可以举出以下器件构成。
(2) 阳极/第一发光单元/中间层/第二发光单元/阴极
本文中,作为第一发光单元和第二发光单元,例如,可以独立地举出与上述那些相同的发光单元。
通常,中间层被称为中间电极、中间导电层、载流子产生层、吸电子层,并且可以使用向第一发光单元供给电子并向第二发光单元供给空穴的已知材料构成。
图1示出本发明的有机EL器件的一个实例的示意性构成。有机EL器件1包含基板2、阳极3、阴极4和设置在阳极3和阴极4之间的发光单元10。发光单元10包含发光层5,发光层5优选包含主体材料和掺杂剂。可以在发光层5和阳极3之间设置空穴注入和传输层6等,并且可以在发光层5和阴极4之间设置电子注入层8和电子传输层7等(电子注入和传输单元11)。电子阻隔层可以设置在发光层5的阳极3一侧,空穴阻隔层可以设置在发光层5的阴极4一侧。由于这种构成,电子或空穴可以被束缚在发光层5中,从而可以提高在发光层5中产生激子的可能性。
本文中,将结合有荧光掺杂剂的主体称为荧光主体,将结合有磷光掺杂剂的主体称为磷光主体。荧光主体和磷光主体不仅仅通过其分子结构来区分。即,磷光主体意指构成含有磷光掺杂剂的磷光发光层的材料,并不是指不能用作构成荧光掺杂剂的材料的材料。这同样适用于荧光主体。
基板
有机EL器件通常形成在透明基板上。透明基板是用于支撑有机EL器件的基板,并且优选是具有50%或更高的400-700nm可见光透射率的平坦且光滑的基板。其具体实例包括玻璃板和聚合物板。玻璃板的实例包括通过使用钠钙玻璃、含钡/锶的玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、钡硼硅酸盐玻璃、石英等作为原料获得的那些玻璃板。聚合物板的实例包括通过使用聚碳酸酯、丙烯酸类聚合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫醚、聚砜等作为原料获得的那些聚合物板。
阳极
有机EL器件的阳极起到将空穴注入其空穴传输层或发光层中的作用。使用功函数为4.5eV或更高的阳极是有效的。作为阳极材料的具体实例,可举出氧化铟锡合金(ITO)、氧化锡(NESA)、氧化铟锌、金、银、铂、铜等。可以通过利用气相沉积、溅射等将这些电极材料形成为薄膜来形成阳极。在源自发光层的发光通过阳极而发出的情况下,阳极对发光的透射率优选大于10%。阳极的薄层电阻优选为几百Ω/□或更小。阳极的膜厚度根据其材料而变化,通常为10nm至1μm,优选10至200nm。
阴极
阴极起到将电子注入其电子注入层、电子传输层或发光层中的作用。阴极优选由功函数小的材料形成。阴极材料不受特别限制。作为阴极材料的具体实例,可举出铟、铝、镁、镁-铟合金、镁-铝合金、铝-锂合金、铝-钪-锂合金、镁-银合金等。与阳极的情况一样,可以通过利用沉积方法、溅射方法等将材料形成为薄膜来形成阴极。如果需要,发光可以从阴极侧光耦合输出(outcoupled)。
发光层
发光层是具有发光功能的有机层,并且使用了掺杂体系,其包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料具有加速电子和空穴的再结合以及将激子束缚在发光层内的功能。掺杂剂材料具有有效发射通过再结合获得的激子的功能。
在磷光器件的情况下,主体材料具有将主要由掺杂剂产生的激子束缚在发光层内的功能。
本文中,在发光层中,可以通过组合电子传输主体和空穴传输主体或通过其它方法来使用调节发光层中的载流子平衡的双主体(也称为主体/共主体)。优选发光层包含第一主体材料和第二主体材料,并且第一主体材料是用于根据本发明的有机EL器件的材料。
可以使用双掺杂剂,其中混入了两种或更多种具有高量子产率的掺杂剂材料,并且各掺杂剂发出光。具体地,通过使主体、红色掺杂剂和绿色掺杂剂共沉积,从共同发光层发出黄光,从而实现黄色发光。
至于发光层,通过使多个发光层成为堆叠体,电子和空穴累积在发光层的界面中,由此再结合区域集中在发光层的界面中。作为结果,量子效率得到改善。
向发光层注入空穴的容易性和向发光层注入电子的容易性可以不同。此外,由发光层中的空穴和电子的迁移率表示的空穴传输性能和电子传输性能可以彼此不同。
发光层可以通过比如沉积法、旋涂法、LB法(Langmuir Blodgett方法)等已知的方法形成。发光层也可以通过利用旋涂法等将溶液形成为薄膜来形成,所述溶液通过将粘合剂如树脂和材料化合物溶解在溶剂中而得到。
发光层优选是分子沉积膜。“分子沉积膜”意指通过在气相中沉积原料化合物而形成的薄膜、或通过在溶液状态或液相状态下固化原料化合物而形成的膜。通常,该分子沉积膜在聚集结构或高级结构上不同于通过LB法形成的薄膜(分子堆积膜),或者由这种结构差异导致在功能上不同。
发光体 (掺杂剂材料)
掺杂剂材料通常选自显示荧光发光的已知荧光掺杂剂或显示磷光发光的已知磷光掺杂剂。
形成发光层的磷光掺杂剂(磷光发光材料)是能够由三重激发态发光的化合物。磷光掺杂剂没有限制,只要它可以由三重激发态发光即可。磷光掺杂剂优选是含有选自Ir、Pt、Os、Au、Cu、Re和Ru的至少一种金属以及配体的有机金属络合物。配体优选具有邻位金属化键。就高磷光量子产率和改善发光器件的外量子产率的能力而言,磷光掺杂剂优选是具有选自Ir、Os和Pt的金属原子的化合物。进一步优选比如铱络合物、锇络合物和铂络合物的金属络合物,更优选邻位金属化络合物。其中,更优选铱络合物和铂络合物,特别优选邻位金属化的铱络合物。
发光层中的发光体材料(掺杂剂)、优选磷光发光体材料的含量没有特别限制,可根据器件的用途选择,优选为0.1~70质量%,更优选为1~30质量%。如果为0.1质量%以上,则发光量充分。如果为70质量%以下,则可以避免浓度消光。发光层中的另外的组分通常是一种或多种主体材料,其优选以30-99.9质量%、更优选70-99质量%的量存在,其中发光体材料和主体材料的总和为100质量%。
用于本发明的OLED中、优选作为发光体材料的合适的金属络合物(掺杂剂,尤其是磷光掺杂剂)描述于例如文献 WO 02/60910 A1、US 2001/0015432 A1、US 2001/0019782A1、US 2002/0055014 A1、US 2002/0024293 A1、US 2002/0048689 A1、EP 1 191 612 A2、EP 1 191 613 A2、EP 1 211 257 A2、US 2002/0094453 A1、WO 02/02714 A2、WO 00/70655A2、WO 01/41512 A1、WO 02/15645 A1、WO 2005/019373 A2、WO 2005/113704 A2、WO 2006/115301 A1、WO 2006/067074 A1、WO 2006/056418、WO 2006121811 A1、WO 2007095118 A2、WO 2007/115970、WO 2007/115981、WO 2008/000727、WO2010129323、WO2010056669、WO10086089、US2011/0057559、WO2011/106344、US2011/0233528、WO2012/048266 和WO2012/172482中。
进一步适合的金属络合物是商业可获得的金属络合物三(2-苯基吡啶)铱(III)、三(2-(4-甲苯基)吡啶合-N,C2’)铱(III)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮合)铱(III)、三(1-苯基异喹啉)铱(III)、双(2,2’-苯并噻吩基)吡啶合-N,C3’)(乙酰丙酮合)铱(III)、三(2-苯基喹啉)铱(III)、双(2-(4,6-二氟苯基)吡啶合-N,C2)吡啶甲酸铱(III)、双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮合)铱(III)、双(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮合)铱(III)、双(二-苯并[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮合)铱(III)、双(2-甲基二-苯并[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮合)铱(III)和三(3-甲基-1-苯基-4-三甲基乙酰基-5-吡唑啉合)铽(III)、双[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)异喹啉](乙酰丙酮合)铱(III)、双(2-苯基苯并噻唑合)(乙酰丙酮合)铱(III)、双(2-(9,9-二己基芴基)-1-吡啶)(乙酰丙酮合)铱(III)、双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮合)铱(III)。
另外,下述商业可获得的材料是适合的:三(二苯甲酰基丙酮合)单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)-单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(5-氨基菲咯啉)铕(III)、三(二-2-萘甲酰基甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(4-溴苯甲酰基甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(二(联苯基)甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(4,7-二苯基菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(4,7-二-甲基菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰基甲烷)单(4,7-二甲基菲咯啉二磺酸)铕(III) 二钠盐、三[二(4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰基甲烷)]单(菲咯啉)铕(III)和三[二[4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰基甲烷)]单(5-氨基菲咯啉)铕(III)、双(3-(三氟甲基)-5-(4-叔丁基吡啶基)-1,2,4-***合)二苯基甲基膦锇(II)、双(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-***)二甲基苯基膦锇(II)、双(3-(三氟甲基)-5-(4-叔丁基吡啶基)-1,2,4-***合)二甲基苯基膦锇(II)、双(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)吡唑合)二甲基苯基膦锇(II)、三[4,4'-二-叔丁基(2,2')-联吡啶]钌(III)、双(2-(9,9-二丁基芴基)-1-异喹啉(乙酰丙酮合)锇(II) 。
特别适合的金属络合物记载于US2014048784、US2012223295、US2014367667、US2013234119、US2014001446、US2014231794、US2014008633、WO2012108388和WO2012108389中。例示出US2013234119、第[0222]段中提及的发光体。US2013234119、第[0222]段中提及的所述发光体中选择的发光体、特别是红色发光体是:
进一步适合的发光体被提及于:Mrs Bulletin, 2007, 32, 694:
进一步适合的发光体被提及于:WO2009100991:
进一步适合的发光体被提及于:WO2008101842:
进一步适合的发光体被提及于:US 20140048784,尤其是第[0159]段中::
进一步适合的红色发光体示于WO 2008/109824。根据该文献所述的优选的红色发光体是下述化合物:
发光体材料(掺杂剂)、优选磷光发光体材料,可以单独使用或组合两种以上使用。
式(1) 的化合物尤其是作为电子传输材料也可用于与荧光掺杂剂组合,优选与蓝色荧光掺杂剂组合。可存在于根据本发明的OLED的发光层中的优选蓝色荧光掺杂剂是例如EP 2924029中提及的多环胺衍生物。特别优选的芳族胺衍生物选自根据下式(20A)的化合物:
在式 (20A)中,Y是包括10-50个环碳原子的取代或未取代的稠合芳族烃基。
Ar101和Ar102 独立地为包括6-50个环碳原子的取代或未取代的芳基、或包含5-50个环原子的取代或未取代的杂环基。
Y的具体实例包括上述稠合芳基。Y优选为取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基或取代或未取代的䓛基。
n是1-4的整数。优选n为1-2的整数。
上述式 (20A)优选为下述式(21A)至(24A)所示的一者。
在式(21A)至(24A)中,Re、Rf和Rg独立地为包括1-20个碳原子的取代或未取代的烷基、包括2-50个碳原子的取代或未取代的烯基、包括2-50个碳原子的取代或未取代的炔基、包括1-20个碳原子的取代或未取代的芳烷基、包括3-20个环碳原子的取代或未取代的环烷基、包括1-20个碳原子的取代或未取代的烷氧基、包括6-20个环碳原子的取代或未取代的芳氧基、包括6-50个环碳原子的取代或未取代的芳基、取代或未取代的甲硅烷基、包括1-50个碳原子的取代或未取代的烷基锗基团或包括6-50个环碳原子的取代或未取代的芳基锗基团。Re、Rf和Rg 可独立地键合至构成稠合多环骨架的苯环的任何键合位置。
作为Re、Rf和Rg的优选实例,可举出包括6-50个环碳原子的取代或未取代的芳基。更优选地,Re、Rf和Rg是取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基等。
t是0-10的整数。u是0-8的整数。m是0-10的整数。Ar201至Ar218独立地是包括6-50个环碳原子的芳基或包括5-50个环原子的取代或未取代的杂环基。
Ar201至Ar218的优选实例包括取代或未取代的苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基等。作为Ar201至Ar218的取代基的优选实例,可举出烷基、氰基和取代或未取代的甲硅烷基。
在式(21A)至(24A)中,作为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基和杂环基的实例,可举出以上例示的那些基团。
作为包括2-50个、优选2-30个、更优选2-20个、和特别优选2-10个碳原子的烯基,可举出乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1,3-丁二烯基、1-甲基乙烯基、苯乙烯基、2,2-二苯基乙烯基、1,2-二苯基乙烯基、1-甲基烯丙基、1,1-二甲基烯丙基、2-甲基烯丙基、1-苯基烯丙基、2-苯基烯丙基、3-苯基烯丙基、3,3-二苯基烯丙基、1,2-二甲基烯丙基、1-苯基-1-丁烯基、3-苯基-1-丁烯基等。优选是苯乙烯基、2,2-二苯基乙烯基、1,2-二苯基乙烯基等。
作为包括2-50个(优选2-30个、更优选2-20个、特别优选2-10个)碳原子的炔基,可举出炔丙基、3-戊炔基等。
作为烷基锗基团,可举出甲基氢锗基、三甲基锗基、三乙基锗基、三丙基锗基、二甲基叔丁基锗基等。
作为芳基锗基团,可举出苯基二氢锗基、二苯基氢锗基、三苯基锗基、三甲苯基锗基、三萘基锗基等。
作为苯乙烯胺化合物和苯乙烯二胺化合物,优选由下式(17A)和 (18A)表示的那些化合物。
在式 (17A)中,Ar301是k-价基团;对应于苯基、萘基、联苯基、三联苯基、芪基、苯乙烯基芳基和二苯乙烯基芳基的k-价基团。Ar302 和Ar303独立地是包括6-20个环碳原子的芳基,且Ar301、Ar302和Ar303可以被取代。
k是1-4的整数,优选1和2的整数。Ar301至Ar303 中的任一者是包括苯乙烯基的基团。进一步优选 Ar302和Ar303的至少一者被苯乙烯基取代。
作为包括6-20个环碳原子的芳基,特别可举出上述的芳基。优选的实例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、三联苯基等。
在式 (18A)中,Ar304至Ar306是包括6-40个环碳原子的v-价取代或未取代的芳基。v是1-4的整数,优选1和2的整数。
本文中,作为式 (18A)中包括6-40个环碳原子的芳基,特别可举出上述的芳基。优选萘基、蒽基、䓛基、芘基或由式 (20A)所示的芳基。
作为在芳基上取代的优选的取代基,可举出:包括1-6个碳原子的烷基、包括1-6个碳原子的烷氧基、包括6-40个环碳原子的芳基、被包括6-40个环碳原子的芳基取代的氨基、包括包含5-40个环碳原子的芳基的酯基、包括包含1-6个碳原子的烷基的酯基、氰基、硝基、卤素原子等。
主体(基质)材料
除了发光体材料之外,发光层还可包含另外的组分。例如,荧光染料可以存在于发光层中,以改变发光材料的发光颜色。另外 -在优选的实施方案中 -可以使用基质材料。该基质材料可以是聚合物,例如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷。然而,基质材料可以是小分子,例如4,4’-N,N’-二咔唑联苯 (CDP=CBP) 或叔芳胺,例如三(4-咔唑基-9-基苯基)胺 (TCTA)。
在发光层中使用一种或多种磷光发光体材料的情况下,采用一种或多种磷光主体作为主体材料。磷光主体是一种化合物,其在发光层中有效地束缚磷光掺杂剂的三重态能量,以使磷光掺杂剂有效地发光。
在优选的实施方案中,发光层由本申请中提及的至少一种发光体材料和至少一种基质材料形成。根据优选的实施方案,根据本发明的电子器件、优选根据本发明的OLED包含至少一种式(1) 的化合物作为基质(主体)材料。
根据一个实施方案,发光层包含至少一种发光体材料和至少两种基质材料,其中一种基质材料是式(1)的化合物,并且其它基质材料被用作共主体。并非式 (1)的化合物的合适的其它主体材料 (共主体)如下所述。
根据另一个实施方案,发光层包含至少一种发光体材料和作为单一基质(主体)材料的式(1) 的化合物。用作单一主体材料的优选的式 (1)的化合物的实例如上所示。
式(1) 的化合物适合作为单一主体材料以及与一种或多种其它主体材料(共主体)一起作为主体材料。合适的其它主体材料如下所述。“其它主体材料”在本申请的意义上是指不同于式(1)的化合物的主体材料。然而,也可以使用两种或更多种不同的式(1)的化合物作为本申请的OLED中的发光层中的主体材料。
在更优选的实施方案中,发光层由0.1-70重量%、优选1-30重量%的至少一种前述发光体材料、以及30-99.9重量%、优选70-99重量%的至少一种说明书中提及的基质材料(在一个实施方案中,至少一种式 (1)的化合物)形成,其中发光体材料和基质材料的总计加起来为100重量%。
在另一个更优选的实施方案中,发光层包含作为基质材料的式(1)的化合物,至少一种其它基质材料(共主体)和至少一种发光体材料。在所述实施方案中,发光层由0.1-70重量%、优选1-30重量%的至少一种发光体材料、以及30-99.9重量%、优选70-99重量%的式(1)的化合物和其它基质材料形成,其中至少一种发光体材料、其它基质材料和式 (1)的化合物的总计加起来为100重量%。
在发光层中作为第一主体材料的式 (1)的化合物和作为共主体的第二基质材料的含量比率没有特别限定,可以相应地选择,并且第一主体材料: 第二主体材料的比率各自基于质量优选是1:99至99:1,更优选10:90-90:10。
磷光主体是具有下述功能的化合物,其通过有效地将磷光掺杂剂的三重态能量束缚在发光层中而使磷光掺杂剂有效发光。根据本发明的用于有机EL器件的材料优选作为磷光主体。发光层可以包含一种根据本发明的用于有机EL器件的材料,或者可以包含两种或更多种根据本发明的有机EL器件的材料。
当根据本发明的用于有机EL器件的材料用作发光层的主体材料时,发光层中包含的磷光掺杂剂的发光波长并无特别限制。优选发光层中包含的至少一种磷光掺杂剂材料具有的发光波长的峰值为490nm以上且700nm以下,更优选490nm以上且650nm以下。关于发光层的发光颜色,例如,红色、黄色和绿色是优选的。通过使用根据本发明的化合物作为主体材料、并通过掺杂具有这种发光波长的磷光掺杂剂形成发光层,可以获得长寿命的有机EL器件。
在根据本发明的有机EL器件中,根据本发明的用于有机EL器件的材料之外的其它化合物可以根据上述目的适当地被选择来作为磷光主体。
根据本发明的用于有机EL器件的材料和其它化合物可以组合使用而作为相同发光层中的磷光主体材料。当存在多个发光层时,作为用于这些发光层之一的磷光主体材料,使用根据本发明的有机EL器件的材料,并且作为用于其它发光层之一的磷光主体材料,可以使用除根据本发明的用于有机EL器件的材料之外的其它化合物。根据本发明的用于有机EL器件的材料可以用于除发光层之外的有机层。在这种情况下,作为发光层的磷光主体,可以使用除根据本发明的用于有机EL器件的材料之外的其它化合物。
对于根据本发明的用于有机EL器件的材料以外的化合物,作为优选作为磷光主体的化合物的具体实例,可举出:咔唑衍生物、***衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代的查尔酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氮烷衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳族二亚甲基系化合物、卟啉系化合物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二亚胺衍生物、亚芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物和萘苝的杂环四甲酸酐等、酞菁衍生物和8-喹啉醇衍生物的金属络合物、以具有金属酞菁、苯并噁唑或苯并噻唑作为配体的金属络合物为代表的各种金属络合物聚硅烷化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺系共聚物、导电聚合物低聚物比如噻吩低聚物和聚噻吩、以及聚合物化合物比如聚噻吩衍生物、聚亚苯基衍生物、聚亚苯基亚乙烯基衍生物和聚芴衍生物。磷光主体可以单独使用,也可以组合两种以上使用。作为具体实例,可举出下述化合物。
如果发光层包含第一主体材料和第二主体材料,则根据本发明的用于有机EL器件的材料可以用作第一主体材料,并且根据本发明的用于有机EL器件的材料之外的其它化合物可以用作第二主体材料。本文中提及的“第一主体材料”和“第二主体材料”意指发光层中包含的多种主体材料在结构上彼此不同,并且不由发光层中每种主体材料的含量决定。
第二主体材料没有特别限定,可举出根据本发明的用于有机EL器件的材料之外的化合物、以及与上述优选作为磷光主体的相同的化合物。作为第二主体,优选咔唑衍生物、芳胺衍生物、芴酮衍生物和芳族叔胺化合物。
本发明的有机EL器件可以具有包含荧光发光材料的发光层(即荧光发光层)。作为荧光发光层,可以使用已知的荧光发光材料。作为荧光发光材料,优选选自蒽衍生物、荧蒽衍生物、苯乙烯基胺衍生物和芳基胺衍生物中的至少一种。更优选蒽衍生物和芳基胺衍生物。特别地,优选蒽衍生物作为主体材料,优选芳基胺衍生物作为掺杂剂。具体地,可以选择WO2010/134350或WO2010/134352中公开的优选材料。本发明的用于有机EL器件的材料可以用作用于荧光发光层的荧光发光材料,或者可以用作用于荧光发光层的主体材料。
作为荧光发光层的蒽衍生物的环碳原子优选为26-100个,更优选为26-80个,并且进一步优选为26-60个。作为蒽衍生物,更具体地,由下式(10A) 表示的蒽衍生物是优选的。
在式 (10A)中,Ar31和Ar32独立地为包括6-50个环碳原子的取代或未取代的芳基、或包括5-50个环原子的杂环基。
R81至R88独立地是氢原子、包括6-50个环碳原子的取代或未取代的芳基、包括5-50个环原子的取代或未取代的杂环基、包括1-50个碳原子的烷基、包括1-50个碳原子的取代或未取代的烷氧基、包括7-50个碳原子的取代或未取代的芳烷基、包括6-50个环碳原子的取代或未取代的芳氧基、包括6-50个环碳原子的取代或未取代的芳硫基、包括2-50个碳原子的取代或未取代的烷氧基羰基、取代或未取代的甲硅烷基、羧基、卤素原子、氰基、硝基或羟基。
作为上述包括6-50个环碳原子的任意芳基,优选包括6-40个环碳原子的芳基、更优选包括6-30个环碳原子的芳基。
作为上述包括5-50个环原子的任意杂环基,优选包括5-40个环原子的杂环基,更优选包括5-30个环原子的杂环基。
作为上述包括1-50个碳原子的烷基,优选包括1-30个碳原子的烷基,更优选包括1-10个碳原子的烷基,进一步优选包括1-5个碳原子的烷基。
作为上述包括1-50个碳原子的烷氧基,优选包括1-30个碳原子的烷氧基,更优选包括1-10个碳原子的烷氧基,进一步优选包括1-5 碳原子的烷氧基。
作为上述包括7-50个碳原子的芳烷基,优选包括7-30个碳原子的芳烷基,更优选包括7-20个碳原子的芳烷基。
作为上述包括6-50个环碳原子的芳氧基,优选包括6-40个环碳原子的芳氧基,更优选包括6-30个环碳原子的芳氧基。
作为上述包括6-50个环碳原子的芳硫基,优选包括6-40个环碳原子的芳硫基,更优选包括6-30个环碳原子的芳硫基。
作为上述包括2-50个碳原子的烷氧基羰基,优选包括2-30个碳原子的烷氧基羰基,更优选包括2-10个碳原子的烷氧基羰基,进一步优选包括2-5 碳原子的烷氧基羰基。
作为上述卤素原子,可举出氟原子、氯原子、溴原子等。
特别地,Ar31和Ar32优选为包括6-50个环碳原子的取代或未取代的芳基。
在式 (10A-1)中,Ar33是包括6-50个环碳原子的取代或未取代的芳基或包括5-50个环原子的杂环基。R81至R88如上所定义。R89与对R81至R88的定义相同。a是1-7的整数。
R81至R88 的优选实例与上述定义相同。R89的优选实例与对R81至R88定义的那些相同。a优选为1-3的整数,更优选为1或2。
作为由Ar33所示的包括6-50个环碳原子的芳基,优选包括6-40个环碳原子的芳基,更优选包括6-30个环碳原子的芳基,进一步优选包括6-20个环碳原子的芳基,特别优选包括6-12 个环碳原子的芳基。
作为荧光发光材料的芳基胺衍生物,优选芳基二胺衍生物,更优选具有芘骨架的芳基二胺衍生物,进一步优选具有芘骨架和二苯并呋喃骨架的芳基二胺衍生物。
作为芳基二胺衍生物,更具体地,由下式(11A) 表示的芳基胺衍生物是优选的。
在式 (11A)中,Ar34至Ar37独立地是包括6-50个环碳原子的取代或未取代的芳基、或包括5-50个环原子的取代或未取代的杂芳基。
L21是包括6-50个环碳原子的取代或未取代的亚芳基、或包括5-50个环原子的取代或未取代的亚杂芳基。
作为包括6-50个环碳原子的芳基,优选包括6-30个环碳原子的芳基,更优选包括6-20个环碳原子的芳基,进一步优选包括6-12个环碳原子的芳基,特别优选苯基和萘基。
作为包括5-50个环原子的杂芳基,优选包括5-40个环原子的杂芳基,更优选包括5-30个环原子的杂芳基,并且进一步优选包括5-20个环原子的杂芳基。作为杂芳基,可举出:咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并呋喃基等,且优选二苯并呋喃基。作为杂芳基的优选的取代基,可举出:包括6-30个(优选6-20个、更优选6-12个) 环碳原子的芳基,更优选苯基和萘基。
作为包括6-50个环碳原子的亚芳基,优选包括6-40个环碳原子的亚芳基,更优选包括6-30个环碳原子的亚芳基,进一步优选包括6-20个环碳原子的亚芳基,特别优选芘基。
发光层的厚度优选为5-50 nm,更优选为7-50 nm,且进一步优选10-50 nm。若该厚度为5 nm以上,则发光层的形成得到促进。若该厚度为50 nm以下,则可以避免驱动电压的增加。
供电子掺杂剂
在根据本发明的有机EL器件中,优选在阴极和发光单元之间的界面区域中包含供电子掺杂剂。由于这种构成,有机EL器件可以具有增加的亮度或长寿命。本文中,供电子掺杂剂是指具有功函数为3.8eV以下的金属的掺杂剂。作为其具体实例,可以提及选自碱金属、碱金属络合物、碱金属化合物、碱土金属、碱土金属络合物、碱土金属化合物、稀土金属、稀土金属络合物和稀土金属化合物等中的至少一种。
作为碱金属,可举出:Na (功函数:2.36 eV)、K (功函数:2.28 eV)、Rb (功函数:2.16 eV)、Cs (功函数:1.95 eV)等。特别优选功函数为2.9 eV 以下的碱金属。其中,优选K、Rb和Cs。进一步优选Rb或Cs。最优选Cs。作为碱土金属,可举出:Ca (功函数:2.9 eV)、Sr(功函数:2.0 eV 至 2.5 eV)、Ba (功函数:2.52 eV) 等。特别优选功函数为2.9 eV 以下的碱土金属。作为稀土金属,可举出:Sc、Y、Ce、Tb、Yb等。特别优选功函数为2.9 eV 以下的稀土金属。
碱金属化合物的实例包括碱金属氧化物,比如Li2O、Cs2O或K2O,以及碱金属卤化物,比如LiF、NaF、CsF和KF。其中,优选LiF、Li2O和NaF。碱土金属化合物的实例包括BaO、SrO、CaO及其混合物,比如BaxSr1-xO (0<x<1)和BaxCa1-xO (0<x<1)。其中,优选BaO、SrO和CaO。稀土金属化合物的实例包括YbF3、ScF3、ScO3、Y2O3、Ce2O3、GdF3和TbF3。其中,优选YbF3、ScF3和TbF3
只要含有碱金属离子、碱土金属离子和稀土金属离子中的至少一种作为金属离子,则碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物并无特别限制。同时,配体的优选实例包括但不限于:喹啉醇、苯并喹啉醇、吖啶醇、菲啶醇、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基二芳基噁二唑、羟基二芳基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯并***、羟基氟代硼烷(hydroxyfluborane)、联吡啶、菲咯啉、酞菁、卟啉、环戊二烯、β-二酮、偶氮甲碱及其衍生物。
关于供电子掺杂剂的添加形式,优选供电子掺杂剂在界面区域中形成为层状或岛状。形成的优选方法是这样的方法,其中用于形成界面区域的有机化合物(发光材料或电子注入材料)通过电阻加热沉积法与供电子掺杂剂的沉积同时沉积,由此将供电子掺杂剂分散在有机化合物中。有机化合物:供电子掺杂剂的分散浓度(摩尔比)为100:1至1:100,优选5:1至1:5。
在供电子掺杂剂形成为层状的情况下,在界面中用作有机层的发光材料或电子注入材料形成为层状。之后,通过电阻加热沉积法单独沉积还原掺杂剂,以形成优选厚度为0.1nm-15nm的层。在供电子掺杂剂形成为岛状的情况下,在界面中用作有机层的发光材料或电子注入材料形成为岛状。之后,通过电阻加热沉积法单独沉积供电子掺杂剂,以形成优选厚度为0.05nm-1nm的岛。
在根据本发明的有机EL器件中,主要组分和供电子掺杂剂的比率是主要组分:供电子掺杂剂以摩尔比计为5:1至1:5,更优选2:1至 1:2。
电子传输层
电子传输层是在发光层和阴极之间形成的有机层,并且具有将电子从阴极传输到发光层的功能。如下面的应用实例中所述,电子传输层可以以与发光层接触的方式而形成,或者电子传输区比如另一电子传输层、空穴阻挡层和激子阻挡层可以布置在发光层和电子传输层之间。当电子传输层由多层形成时,更靠近阴极的有机层通常被定义为电子注入层。电子注入层具有将来自阴极的电子有效地注入到有机层单元的功能。本发明的用于有机EL器件的材料也优选作为构成电子传输层的电子传输层材料。
作为本发明的用于有机EL器件的材料之外的用于电子传输层中的电子传输材料,可以优选使用分子中具有一个或多个杂原子的芳族杂环化合物。特别优选含氮环衍生物。作为含氮环衍生物,优选具有含氮六元或五元环骨架的芳环、或具有含氮六元或五元环骨架的稠合芳环化合物。
作为含氮环衍生物,例如,优选下式(A)所示的含氮环金属螯合物。
作为含氮环金属螯合物的式 (A)中的R2-R7独立地是氢原子、重氢原子、氢原子、羟基、氨基、包括1-40个碳原子的烃基、包括1-40个碳原子的烷氧基、包括6-50个碳原子的芳氧基、烷氧基羰基或包括5-50个环碳原子的芳族杂环基。它们可以被取代。
作为卤素原子,例如可举出:氟、氯、溴、碘等。
作为可被取代的氨基的实例,可举出烷基氨基、芳基氨基和芳烷基氨基。
烷基氨基和芳烷基氨基由 –NQ1Q2表示。Q1和Q2独立地是包括1-20个碳原子的烷基或包括1-20个碳原子的芳烷基。Q1和Q2的一者可以是氢原子或重氢原子。
芳基氨基由–NAr1Ar2表示,并且Ar1和Ar2独立地是包含6-50个碳原子的非稠合芳族烃基或稠合芳族烃基。Ar1和Ar2的一者可以是氢原子或重氢原子。
包括1-40个碳原子的烃基包括烷基、烯基、环烷基、芳基和芳烷基。
烷氧基羰基由-COOY’表示,且Y’是包括1-20个碳原子的烷基。
M是铝 (Al)、镓 (Ga)或铟(In),并且M优选为In。
L是由下式 (A’)或(A”)表示的基团。
在式 (A’)中,R8至R12独立地是氢原子、重氢原子、或包括1-40个碳原子的取代或未取代的烃基,并且相邻基团可以形成环结构。在式 (A’’)中,R13至R27独立地是氢原子、重氢原子、或包括1-40个碳原子的取代或未取代的烃基,并且相邻基团可以形成环结构。
由式(A’) 和(A’’)中的R8至R12和R13至R27表示的包括1-40个碳原子的烃基与作为含氮环金属螯合物的式 (A)中的R2-R7所示的烃基相同。作为R8至R12和R13至R27的相邻基团形成环结构时形成的二价基团,可提及四亚甲基、五亚甲基、六亚甲基、二苯基甲烷-2,2’-二基、二苯基乙烷-3,3’-二基、二苯基丙烷-4,4’-二基等。
作为用于电子传输层中的电子传输材料,优选8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、噁二唑衍生物和含氮杂环衍生物。8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物的具体实例包括含有喔星 (通常,8-喹啉醇或8-羟基喹啉)的螯合物的金属螯合物准氧化物(metalchelate oxynoid compounds)。例如,可以使用三(8-喹啉醇)铝。作为噁二唑衍生物,例如可举出下述物质。
在式中,Ar17、Ar18、Ar19、Ar21、Ar22 和Ar25独立地是取代或未取代的包括6-50个碳原子的芳族烃基或稠合芳族烃基。Ar17和Ar18、Ar19和Ar21、以及Ar22和Ar25可以彼此相同或不同。作为芳族烃基或稠合芳族烃基,可提及:苯基、萘基、联苯基、蒽基、苝基、芘基等。作为这些基团的取代基,可举出:包括1-10个碳原子的烷基、包括1-10个碳原子的烷氧基、氰基等。
Ar20、Ar23和Ar24独立地是取代或未取代的包括6-50个碳原子的二价芳族烃基或稠合芳族烃基,并且Ar23和Ar24 可以彼此相同或不同。作为二价芳族烃基或稠合芳族烃基,可举出:亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚蒽基、亚苝基、亚芘基等。作为这些基团的取代基,可举出:包括1-10个碳原子的烷基、包括1-10个碳原子的烷氧基、氰基等。
作为这些电子传输化合物,可优选使用具有优异的薄膜形成能力的那些化合物。作为这些电子传输化合物的具体实例,可举出下述物质。
作为电子传输化合物的含氮杂环衍生物,可举出包含下式所示的有机化合物、且不是金属络合物的含氮杂环衍生物。例如,可提及具有下式(B)所示骨架的五元环或六元环、或具有下式(C)所示结构的物质。
在式 (C)中,X是碳原子或氮原子。Z1和Z2独立地是能够形成含氮杂环的一组原子。
含氮杂环衍生物进一步优选具有含氮芳族多环基团的有机化合物,所述含氮芳族多环基团由五元环或六元环组成。此外,就含氮芳族多环基团而言,优选含氮芳族多环有机化合物,其具有通过组合上式(B)和(C)、或上式(B)和下式 (D)而得到的骨架。
含氮芳族多环有机化合物中的含氮基团例如可选自下式所示的含氮杂环基。
在上述各式中,R是包括6-40个碳原子的芳族烃基或稠合芳族烃基、包括3-40个碳原子的芳族杂环基或稠合芳族杂环基、包括1-20个碳原子的烷基、或包括1-20个碳原子的烷氧基,n是0-5的整数,并且当n是2以上的整数时,多个R可以彼此相同或不同。
作为进一步优选的具体化合物,可提及下式(D1)所示的含氮杂环衍生物。
HAr-L1-Ar1-Ar2 (D1)
在式 (D1)中,HAr是取代或未取代的包括3-40个碳原子的含氮杂环基,L1是单键、取代或未取代的包括6-40个碳原子的芳族烃基或稠合芳族烃基、或取代或未取代的包括3-40个碳原子的芳族杂环基或稠合芳族杂环基,Ar1是取代或未取代的包括6-40个碳原子的二价芳族烃基,并且Ar2是取代或未取代的包括6-40个碳原子的芳族烃基或稠合芳族烃基、或取代或未取代的包括3-40个碳原子的芳族杂环基或稠合芳族杂环基。
HAr选自例如下述基团。
上式 (D1)中的L1选自例如下述基团。
式 (D1)中的Ar1选自下式(D2)和(D3)中的芳基蒽基。
式(D2)和(D3)中,R1至R14独立地是氢原子、重氢原子、卤素原子、包括1-20个碳原子的烷基、包括1-20个碳原子的烷氧基、包括6-40个碳原子的芳氧基、取代或未取代的包括6-40个碳原子的芳族烃基或稠合芳族烃基、或取代或未取代的包括3-40个碳原子的芳族杂环基或稠合芳族杂环基;Ar3是取代或未取代的包括6-40个碳原子的芳族烃基或稠合芳族烃基、或取代或未取代的包括3-40个碳原子的芳族杂环基或稠合芳族杂环基。含氮杂环衍生物可以是其中R1至R8均为氢原子或重氢原子的含氮杂环衍生物。
式(D1)中的Ar2选自例如下述基团。
作为电子传输化合物的含氮芳族多环有机化合物除了上述那些之外,还可以优选使用下述化合物。
式 (D4)中,R1至R4独立地是氢原子、重氢原子、取代或未取代的包括1-20个碳原子的脂肪族基团、取代或未取代的包括3-20个碳原子的脂环族基团、取代或未取代的包括6-50个碳原子的芳族环基、或取代或未取代的包括3-50个碳原子的杂环基;并且X1和X2独立地是氧原子、硫原子或二氰基亚甲基。
作为电子传输化合物,优选使用下述化合物。
式 (D5)中,R1、R2、R3和R4是彼此相同或不同的基团,并且是下式(D6)所示的芳族烃基或稠合芳族烃基。
式 (D6)中,R5、R6、R7、R8和R9是彼此相同或不同的基团,并且是氢原子、重氢原子、包括1-20个碳原子的饱和或不饱和烷氧基、包括1-20个碳原子的饱和或不饱和烷基、氨基、或包括1-20个碳原子的烷基氨基。R5、R6、R7、R8和R9中的至少一者是除氢原子或重氢原子以外的基团。
此外,电子传输化合物可以是包含含氮杂环基的高分子化合物或含氮杂环衍生物。
特别优选根据本发明的有机EL器件的电子传输层含有下式(E)至(G)所示的至少一种含氮杂环衍生物:
式(E)至(G)中,Z1、Z2和Z3独立地是氮原子或碳原子。
R1和R2独立地是取代或未取代的包括6-50个环碳原子的芳基、取代或未取代的包括5-50个环原子的杂芳基、取代或未取代的包括1-20个碳原子的烷基、取代或未取代的包括1-20个碳原子的卤代烷基、或取代或未取代的包括1-20个碳原子的烷氧基。
n是0-5的整数。当n是2以上的整数时,多个R1可以相同或不同。两个相邻的R1可以彼此键合以形成取代或未取代的烃环。
Ar1是取代或未取代的包括6-50个环碳原子的芳基、或取代或未取代的包括5-50个环原子的杂芳基。
Ar2是氢原子、取代或未取代的包括1-20个碳原子的烷基、取代或未取代的包括1-20个碳原子的卤代烷基、取代或未取代的包括1-20个碳原子的烷氧基、取代或未取代的包括6-50个环碳原子的芳基、或取代或未取代的包括5-50个环原子的杂芳基。
Ar1和Ar2的任一者是取代或未取代的包括10-50个环碳原子的稠合芳族烃环基、或取代或未取代的包括9-50个环原子的稠合芳族杂环基。
Ar3是取代或未取代的包括6-50个环碳原子的亚芳基、或取代或未取代的包括5-50个环原子的亚杂芳基。
L1、L2和L3独立地是单键、取代或未取代的包括6-50个环碳原子的亚芳基、或取代或未取代的包括9-50个环原子的二价稠合芳族杂环基。
作为包括6-50个环碳原子的芳基,可提及:苯基、萘基、蒽基、菲基、丁省基、䓛基、芘基、联苯基、三联苯基、甲苯基、荧蒽基和芴基。
作为包括5-50个环原子的杂芳基,可举出:吡咯基、呋喃基、噻吩基、硅杂环戊二烯基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、苯并呋喃基、咪唑基、嘧啶基、咔唑基、硒杂环戊二烯、噁二唑基、***基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹喔啉基、吖啶基、咪唑并[1,2-a]吡啶基、咪唑并[1,2-a]嘧啶基等。
作为包括1-20个碳原子的烷基,可举出:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等。
作为包括1-20个碳原子的卤代烷基,可举出:通过用至少一个选自氟、氯、碘和溴的卤素原子取代烷基中的一个或两个或更多个氢原子而获得的基团。
作为包括1-20个碳原子的烷氧基,可举出:具有烷基作为烷基部分的基团。
作为包括6-50个环碳原子的亚芳基,可举出:通过从芳基除去一个氢原子而获得的基团。
作为包括9-50个环原子的二价稠合芳族杂环基,可举出:通过从上述作为杂芳基提及的稠合芳族杂环基中除去一个氢原子而得到的基团。
电子传输层的膜厚度没有特别限制,优选为1nm-100nm。
作为可以与电子传输层相邻地设置的电子注入层的构成部分,除了含氮环衍生物之外,作为无机化合物,优选使用绝缘体或半导体。如果电子注入层由绝缘体或半导体形成,则可以有效地防止电流泄漏,从而可以改善电子注入性质。
作为这样的绝缘体,优选使用选自碱金属硫族元素化物、碱土金属硫族元素化物、碱金属卤化物和碱土金属卤化物中的至少一种金属化合物。由于可以进一步改善电子注入性质,因此电子注入层优选由这些碱金属硫族元素化物等形成。具体地,作为优选的碱金属硫族元素化物,可举出:Li2O、K2O、Na2S、Na2Se和Na2O。作为优选的碱土金属硫族元素化物,可举出例如:CaO、BaO、SrO、BeO、BaS和CaSe。作为优选的碱金属卤化物,可举出例如:LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等。作为优选的碱土金属卤化物,可举出例如:氟化物比如CaF2、BaF2、SrF2、MgF2和BeF2、以及氟化物之外的卤化物。
作为半导体,可举出例如:含有选自Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb 和Zn等的至少一种元素的氧化物、氮化物或氮氧化物。它们可以单独使用,也可以组合两种以上使用。进一步地,优选构成电子注入层的无机化合物是精细结晶或非晶质的绝缘薄膜。如果电子注入层由这些绝缘薄膜形成,则形成更均质的薄膜,因此可以减少诸如黑斑那样的像素缺陷。作为这样的无机化合物,可举出例如碱金属硫族元素化物、碱土金属硫族元素化物、碱金属卤化物和碱土金属卤化物等。
如果使用这种绝缘体或半导体,则优选的层厚度为约0.1nm-15nm。本发明中的电子注入层可优选包含上述供电子掺杂剂。
空穴传输层
空穴传输层是在发光层和阳极之间形成的有机层,并且具有将空穴从阳极传输到发光层的功能。如果空穴传输层由多层组成,则更靠近阳极的有机层通常可定义为空穴注入层。空穴注入层具有从阳极向有机层单元有效注入空穴的功能。
作为形成空穴传输层的其它材料,可优选使用芳族胺化合物,例如下式(H)所示的芳族胺衍生物。
式 (H)中,Ar1至Ar4是取代或未取代的包括6-50个环碳原子的芳族烃基或稠合芳族烃基、取代或未取代的包括5-50个环原子的芳族杂环基或稠合芳族杂环基、或通过这些芳族烃基或稠合芳族烃基与芳族杂环基或稠合芳族杂环基的键合而形成的基团。
式 (H)中,L是取代或未取代的包括6-50个环碳原子的芳族烃基或稠合芳族烃基、或取代或未取代的包括5-50个环原子的芳族杂环基或稠合芳族杂环基。
式(H)所示的化合物的具体实例如下所示。
下式(J)所示的芳族胺优选用于形成空穴传输层。
式 (J)中,Ar1至Ar3如式 (H)中对Ar1至Ar4所定义的那样来定义。式(J)所示的化合物的具体实例如下所示。式(J)所示的化合物并不限于这些。
在根据本发明的有机EL器件的空穴传输层可以具有第一空穴传输层(阳极侧)和第二空穴传输层(阴极侧)的双层结构。
空穴传输层的厚度没有特别限制,优选10-200nm。
根据本发明的有机EL器件中,包含受体材料的层可以堆叠到空穴传输层或第一空穴传输层的阳极侧。作为结果,可以预期驱动电压的降低或生产成本的降低。
作为受体材料,优选下式(K)所示的化合物。
式 (K)中,可以彼此相同或不同的R21至R26独立地是氰基、–CONH2、羧基或–COOR27(R27是包括1-20个碳原子的烷基或包括3-20个碳原子的环烷基);条件是,R21和R22、R23和R24、以及R25和R26的一对、两对或更多对可以键合在一起以形成–CO–O–CO–所示的基团。
作为R27,可举出:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环戊基、环己基等。
受体材料K的实例是
包含受体材料的层的厚度没有特别限制,优选为5-20nm。
n/p掺杂
在上述空穴传输层或电子传输层中,如日本专利No.3695714所述,载流子注入性能可通过供体材料的掺杂(n)或受体材料的掺杂(p)来调节。
作为n掺杂的代表性实例,可提及其中电子传输材料掺杂有金属比如Li和Cs的方法。作为p掺杂的代表性实例,可举出其中空穴传输材料掺杂有受体材料比如F4TCNQ (2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基喹啉并二甲烷)的方法。
间隔层
间隔层是当荧光发光层和磷光发光层堆叠时在荧光发光层和磷光发光层之间设置的层,以防止在磷光发光层中产生的激子向荧光发光层的扩散或调整载流子平衡。进一步地,间隔层可以设置在多个磷光发光层之间。
由于间隔层设置在发光层之间,所以用于间隔层的材料优选为兼具电子传输性质和空穴传输性质的材料。为了防止三重态能量在相邻的磷光发光层中扩散,优选间隔层具有2.6eV以上的三重态能量。作为用于间隔层的材料,可举出与上述空穴传输层中使用的那些材料相同的材料。
阻隔层
优选根据本发明的有机EL器件在与发光层相邻的部分中具有比如电子阻隔层、空穴阻隔层和三重态阻隔层的阻隔层。本文中,电子阻隔层是用于防止电子从发光层泄漏到空穴传输层的层,并且空穴阻隔层是用于防止空穴从发光层泄漏到电子传输层的层。
三重态阻隔层防止在发光层中产生的三重态激子向周围层的扩散,并且具有通过将三重态激子束缚在发光层内而防止三重态激子在发光掺杂剂之外的电子传输层中的分子上能量失活的功能。
当设置了三重态阻隔层时,在磷光发光器件中,考虑以下内容。将磷光发光掺杂剂的三重态能量作为ET d,并且将用作三重态阻隔层的化合物的三重态能量作为ET TB。若满足能量关系ET d < ET TB,则就能量而言,磷光发光掺杂剂的三重态激子受到限制(即三重态激子不能向其它分子移动),由此在该掺杂剂上发光以外的能量失活路径被切断,引起有效的发光。然而,即使ET d < ET TB 的关系成立,若能量差ΔET = ET TB -ET d 小时,则认为在实际驱动器件的室温附近的环境中,由于周围的热能,通过吸热地克服该能量差ΔET,三重态激子可以向其它分子移动。特别是在与荧光发光相比具有更长的激子寿命的磷光发光的情况中,相对倾向于出现激子的吸热移动的效果。相对于室温下的热能,较大的能量差ΔET是优选的。该能量差ΔET进一步优选0.1 eV以上,并且特别优选0.2 eV以上。另一方面,在荧光器件中,作为WO2010/134350A1中公开的TTF器件构造的三重态阻隔层,可以使用根据本发明的用于有机EL器件的材料。
构成三重态阻隔层的材料的电子迁移率在0.04-0.5 MV/cm的场强范围内理想地是10-6 cm2/Vs以上。作为测量有机材料的电子迁移率的方法,已知包括飞行时间法的几种方法。本文中,电子迁移率意指通过阻抗谱确定的电子迁移率。
在0.04-0.5 MV/cm的场强范围内,电子注入层的电子迁移率理想地是10-6 cm2/Vs以上。原因在于,通过该电子迁移率,促进了电子从阴极到电子传输层的注入,结果促进了电子向相邻的阻隔层和发光层的注入,使得器件能够在较低电压下被驱动。
本发明的有机EL器件可用作在各种显示器中使用的面板模块中的发光器件。
根据本发明的有机EL器件可用作TV、移动电话和PC的显示元件、或者电子装置比如照明等。
OLED(有机EL器件)可用于其中电致发光有用的所有装置中。合适的器件优选选自固定和移动视觉显示单元、以及照明单元。固定视觉显示单元例如是计算机、电视机的视觉显示单元,打印机、厨房用具和广告面板、照明和信息面板中的视觉显示单元。移动视觉显示单元例如是手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、MP3播放器、车辆以及公共汽车和火车上的目的地显示器中的视觉显示单元。可以使用本发明的OLED的其它装置是例如键盘;衣物;家具;壁纸。此外,本发明涉及选自下述的器件:固定视觉显示单元比如计算机、电视机的视觉显示单元,打印机、厨房用具和广告面板、照明和信息面板中的视觉显示单元,以及移动视觉显示单元比如手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、MP3播放器、车辆以及公共汽车和火车上的目的地显示器中的视觉显示单元;照明单元;键盘;衣物;家具;壁纸,其包含至少一种本发明的有机发光二极管或至少一种本发明的发光层。
以下实施例被包括,其仅用于说明目的,并不限制权利要求的范围。除非另有说明,否则所有份数和百分比均以重量计。
实施例
I 制备实施例
化合物 1
中间体 1-1
将NaOH (11.7 g, 130 mmol)溶解于117 ml H2O中,然后加入2-氨基-苯甲酸 (98%)(18.2 g, 130 mmol),将棕色溶液冷却至 0℃。在15 min内加入25.0 g (130 mmol) (苯硫基)乙酰氯,保持内部温度低于5℃。将反应混合物在0℃搅拌又一个小时,然后升温至室温。向棕色溶液中加入150 ml pH 7的缓冲溶液,通过加入2M HCl使该混合物达到pH 7。将该混合物用EtOAc提取3次(每次250ml)。将合并的有机相用Na2SO4干燥,过滤并蒸发,得到作为米黄色固体的37.1 g (理论值的115%)的中间体1-1,根据HPLC,其纯度为85%。
1H NMR (300 MHz, DMSO-d 6) δ 11.79 (s, 1H), 8.49 (d, J = 8.2 Hz, 1H),8.06 – 7.93 (m, 1H), 7.63 – 7.52 (m, 1H), 7.44 – 7.26 (m, 5H), 7.27 – 7.04(m, 2H), 3.98 (s, 2H)。
中间体 1-2
将中间体 1-1 (32.3 g, 112.4 mmol) 加入到210 g 多磷酸 (PPA) 中并在1.5 小时内加热至内部温度为125℃。将反应混合物倾倒至1升的冰/水上。加入200 ml pH 7缓冲液,用25% NaOH溶液使该混合物达到pH 7。过滤悬浮液,将残余物用H2O洗涤5次 (每次200ml),然后在80℃/125 mbar 干燥一夜,得到作为棕色固体的24.3 g (理论值的86.2%)的中间体1-2,根据HPLC,其纯度为75%。
1H NMR (300 MHz, DMSO-d 6) δ 8.60 – 8.52 (m, 1H), 8.27 (dd, J = 8.1,1.4 Hz, 1H), 8.14 (dd, J = 6.8, 1.6 Hz, 1H), 7.88 – 7.75 (m, 2H), 7.66 (pd, J= 7.2, 1.5 Hz, 2H), 7.42 (ddd, J = 8.1, 6.5, 1.5 Hz, 1H)。
中间体 1-3
将中间体 1-2 (24.34 g, 71.7 mmol) 加入到125 ml POCl3中。向棕色悬浮液加入PCl5 (15.23 g, 71.7 mmol)。将反应混合物加热回流2 h,然后冷却至室温。在旋转蒸发器上馏去POCl3,向残余物加入200 ml 甲苯并再次蒸发。将该残余物溶解于500 ml CH2Cl2 中并加入2M NaOH使之为碱性。过滤悬浮液并分离出两相。将有机相用H2O洗涤2次(每次200ml),用Na2SO4干燥,过滤并蒸发,得到23.1 g的粗产物。使用氯仿/庚烷 = 8:2 作为洗脱液通过快速色谱法对粗产物进行纯化,得到10.5 g 产物,根据HPLC,其纯度为97%。使用100ml庚烷通过索氏提取进一步纯化该产物。将所得悬浮液冷却至RT,过滤并将残余物在80℃/ 125 mbar干燥一夜,得到9.6g (理论值的49.4%)的中间体1-3,根据HPLC,其纯度为99.5%。
1H NMR (400 MHz, DMSO-d 6) δ 8.54 (d, J = 7.3 Hz, 1H), 8.32 (d, J = 8.6Hz, 2H), 8.18 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 7.95 (ddd, J = 8.5, 6.8, 1.4 Hz, 1H), 7.85(ddd, J = 8.1, 6.8, 1.1 Hz, 1H), 7.78 (td, J = 7.7, 1.3 Hz, 1H), 7.72 – 7.64(m, 1H)。
化合物 1
将中间体 1-3 (2.67 g, 9.91 mmol) 和3-(9H-咔唑-3-基)-9-苯基-咔唑 (4.09 g,9.91 mmol) 加入80 ml 的二甲苯中。将反应混合物抽真空并用氩气清洗3次。在另外的容器中,将4,5-双(二苯基膦基)-9.9-二甲基呫吨 (0.35 g, 0.59 mmol) 和Pd2(dba)3 (0.27g, 0.30 mmol) 加入至20 ml 二甲苯中,将该溶液抽真空并用氩气清洗3次,然后用注射器加入到所述反应混合物中。加入叔丁醇钠 (1.9 g, 19.8 mmol),将红色反应混合物加热至内部温度为120℃,保持20 h。用200 ml 二甲苯稀释该反应混合物,用H2O洗涤3次 (每次100 ml),用Na2SO4干燥,过滤并蒸发,得到8.47 g的粗产物,将其使用庚烷/EtOAc = 8:2 作为洗脱液通过快速色谱法进行纯化,得到1.64 g (理论值的25.8%) 的化合物 1 (1-[3-(9-苯基咔唑-3-基)咔唑-9-基]苯并噻吩并[3,2-b]喹诺酮),根据HPLC,其纯度为99.8%。
1H NMR (300 MHz, 氯仿-d) δ 8.82 – 8.74 (m, 1H), 8.57 (d, J = 1.5 Hz,1H), 8.51 (dt, J = 8.7, 0.8 Hz, 1H), 8.48 (d, J = 1.5 Hz, 1H), 8.42 – 8.31(m, 1H), 8.24 (dt, J = 7.7, 1.1 Hz, 1H), 7.91 – 7.69 (m, 4H), 7.69 – 7.28 (m,15H), 7.05 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 7.02 – 6.93 (m, 1H)。
化合物 2
中间体 2-1
在0 ℃将邻氨基苯甲酸 (7.0 g, 51.0 mmol) 加入到60 mL的 2.5 M 氧化钠水溶液中,向其中滴加苯氧基乙酰氯(8.71 g, 51.0 mmol)。将该混合物在0℃搅拌30 min。将反应混合物用1 M 氯化氢猝灭,得到固体。通过过滤收集该固体,将其溶解于乙酸乙酯中。将该溶液用MgSO4干燥,浓缩得到固体。将粗产物用乙醇重结晶,得到作为白色固体的5.60 g(36%) 的中间体2-1。将该产物用于下一步反应而无需进一步纯化。
中间体 2-2
将中间体 2-1 (4.49 g, 16.55 mmol) 悬浮于多磷酸 (PPA) (21.2 g)中,将该混合物在120℃搅拌2 h。将反应混合物滴加至冰水中并向其中加入碳酸钠,得到固体。通过过滤收集该固体,干燥,得到作为米黄色粉末的3.44 g (88%) 的中间体2-2。将该粗产物用于下一步反应而无需进一步纯化。
LC-MS (m/z) 235。
中间体 2-3
将中间体 2-2 (3.5 g, 14.88 mmol) 悬浮于30 mL的甲苯中并在50 ℃下进行搅拌。滴加磷酰氯(17.11 g, 111.6 mmol),并向其中滴加1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯(4.53 g, 29.76 mmol)。将该混合物在120℃搅拌15h。将反应混合物在室温下冷却后,将该反应混合物缓慢地倾倒至冰水中。将水层用CHCl3提取。将其用盐水洗涤并用Na2SO4干燥后,对其进行浓缩,得到固体。将该粗产物通过硅胶柱色谱纯化,用甲苯洗脱,得到作为白色固体的3.41 g (47%)的中间体2-3。
LC-MS (m/z) 253。
化合物 2
将中间体 2-3 (2.57 g, 10.13 mmol) 和3-(9H-咔唑-3-基)-9-苯基-咔唑 (4.14 g,10.13 mmol) 悬浮于51 mL的N-甲基吡咯烷酮中,将该混合物在130℃下搅拌过夜。将反应混合物在室温下冷却后,用51mL乙醇和102mL水进行稀释,将该混合物在室温下搅拌1小时,得到固体。通过过滤收集该固体并用水洗涤。将该粗产物通过硅胶柱色谱纯化,用庚烷-甲苯 (1:3)的混合溶剂洗脱,得到作为黄色粉末的1.15 g (18%) 的化合物 2。
1H NMR (300 MHz, 氯仿-d) δ 8.60 (d, J = 1.3 Hz, 1H), 8.54-8.50 (m,3H), 8.41-8.36 (m, 1H), 8.27 (dt, J = 1.1, 7.5 Hz, 1H), 7.90-7.64 (m, 8H),7.59 – 7.30 (m, 10H), 7.22-7.18 (m, 1H), 7.12 (d, J = 8.6 Hz, 1H), 7.06-7.03(m, 1H)
LC-MS (m/z) 626。
化合物 3
将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸 (3.1 g, 6.9 mmol)) 与中间体 1-3 (1.7 g, 6.3mmol)以及K2CO3 (1.9 g, 13.9 mmol) 合并于三颈圆底烧瓶中,并用N2进行脱气。然后加入Pd(OAc)2 (35 mg, 0.16 mmol) 和2-二环己基膦基-2′,6′-二甲氧基联苯 (260 mg, 0.63mmol),接着加入二噁烷/H2O (30 mL, 4:1)。将所得反应混合物在N2气流下在90 ℃的油浴温度下进行加热。2.5 小时后结束反应。将该混合物冷却至室温并减压浓缩。将粗残余物溶于CH2Cl2中,用水洗涤(x2),用无水MgSO4干燥并蒸发溶剂。将该粗产物在二氧化硅上使用60% CH2Cl2/庚烷作为洗脱液通过快速色谱法进行纯化。获得3.7 g的纯化产物,通过用丙酮洗涤该产物而进一步纯化,得到3.2 g的化合物 3 (80 %)。
1H NMR (400 MHz, 氯仿-d) δ 8.74 (dd, J = 7.4, 1.3 Hz, 1H), 8.43 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 8.20 (d, J = 7.7 Hz, 4H), 8.16 – 8.09 (m, 2H), 8.00 (d, J =1.9 Hz, 2H), 7.94 – 7.80 (m, 2H), 7.77 (d, J = 8.2 Hz, 4H), 7.72 – 7.60 (m,3H), 7.52 (ddd, J = 8.3, 7.2, 1.2 Hz, 4H), 7.37 (t, J = 7.5 Hz, 4H)。
LC-MS (m/z) 642 (M+1)。
化合物 4
将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸 (3.6 g, 8 mmol) 与中间体 2-3 (2 g, 8 mmol)以及K2CO3 (2.2 g, 16 mmol) 合并于三颈圆底烧瓶中,并用N2进行脱气。然后加入Pd(OAc)2 (44 mg, 0.2 mmol) 和2-二环己基膦基-2′,6′-二甲氧基联苯 (330 mg, 0.8mmol),接着加入二噁烷/H2O (50 mL, 4:1)。将所得反应混合物在N2气流下、在90 ℃的油浴温度下进行加热。2.5 小时后结束反应。将该混合物冷却至室温并用水稀释,用硅藻土过滤,用水充分洗涤。通过用CH2Cl2洗涤沉淀来收集产物。通过减压下蒸发溶剂来分离粗产物。然后将其悬浮在丙酮中并在室温下在丙酮中搅拌2小时。然后通过过滤分离沉淀,用丙酮充分洗涤。最后通过从CHCl3 –MeOH中重结晶来纯化产物,得到4.3 g的化合物 4 (86 %)。
1H NMR (400 MHz, 氯仿-d) δ 8.49 (d, 1H), 8.43 (dd, J = 8.5, 1.2 Hz,1H), 8.35 (dd, J = 8.6, 1.4 Hz, 1H), 8.21 (m, 4H), 8.13 (m, 3H), 7.83 (dd, J= 8.3, 1.0 Hz, 5H), 7.72 (dd, J = 3.6, 1.8 Hz, 3H), 7.53 (ddd, J = 8.4, 7.2,1.3 Hz, 5H), 7.37 (td, J = 7.6, 0.9 Hz, 4H)。
LC-MS (m/z) 626 (M+1)。
化合物 5
将2-[3-氯-5-(9-菲基)苯基]-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪 (2 g, 3.8 mmol)、双(频哪醇合)二硼 (1.4 g, 5.8 mmol) Pd2dba3 (87 mg, 0.095 mmol) 2-二环己基膦基-2′,6′-二甲氧基联苯 (80 mg, 0.19 mmol) 和KOAc (1.1 g, 1.14 mmol) 加入三颈圆底烧瓶中,接着加入1,4-二噁烷 (50 mL),将该混合物用N2脱气。将反应在90 ℃的油浴温度下加热18小时。使该反应冷却至室温,减压下蒸发溶剂。将粗残余物溶于CH2Cl2中,用水、饱和NaHCO3水溶液和盐水洗涤,用无水MgSO4干燥,减压下蒸发溶剂。将该粗产物用甲醇研磨,进行过滤,用甲醇充分洗涤。使用由此获得的粗硼酸酯而不用进一步纯化。向三颈圆底烧瓶中加入硼酸 (2 g, 3.3 mmol)、中间体 1-3 (0.97 g, 3.6 mmol) Pd(OAc)2 (18 mg, 0.08mmol)、2-二环己基膦基-2′,6′-二甲氧基联苯 (0.13g, 0.33 mmol)和K2CO3 (1 g, 7.2mmol),然后加入1,4-二噁烷/H2O (100 mL, 4:1),将所得混合物在N2下脱气。然后将反应在90 ℃的油浴温度下、在N2下加热18 小时。然后使该反应冷却至室温,减压下蒸发溶剂。将粗残余物溶于温热的CHCl3中,用水和盐水洗涤,用无水MgSO4干燥,通过硅胶塞进行过滤,用CHCl3进行洗涤。减压下蒸发溶剂。将粗材料悬浮于丙酮中,并在室温下在丙酮中搅拌1小时。通过过滤收集产物,并通过从CH2Cl2中沉淀而进一步纯化,得到1.44g的化合物 5 (60 %产率)。
1H NMR (400 MHz, 氯仿-d) δ 9.18 (dt, J = 11.1, 1.7 Hz, 2H), 8.90 –8.72 (m, 7H), 8.49 – 8.39 (m, 1H), 8.23 – 8.06 (m, 3H), 8.06 – 7.96 (m, 2H),7.85 (ddd, J = 8.5, 6.6, 1.5 Hz, 2H), 7.81 – 7.48 (m, 13H)。
LC-MS (m/z) 720 (M+1)。
化合物 6
将4,4,5,5-四甲基-2-[10-(2-萘基)-9-蒽基]-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷 (1.5 g,4.3 mmol) 与中间体 2-3 (1.3 g, 5.2 mmol)以及K2CO3 (1.2 g, 8.6 mmol) 合并于三颈圆底烧瓶中,并用N2脱气。然后加入Pd(OAc)2 (19 mg, 0.086 mmol) 和2-二环己基膦基-2′,6′-二甲氧基联苯 (140 mg, 0.34 mmol),接着加入二噁烷/H2O (30 mL, 4:1)。将所得反应混合物在N2气流下、在90 ℃的油浴温度下进行加热。2.5 小时后结束反应。将该混合物冷却至室温并在减压下浓缩溶剂。将粗残余物溶于CH2Cl2中,用水洗涤2次,用无水MgSO4干燥并蒸发溶剂。将该粗产物在二氧化硅上使用CHCl3作为洗脱液通过快速色谱法进行纯化,得到1.2 g的化合物 6 (54 %产率)。
1H NMR (400 MHz, DMSO-d 6 ) δ 8.51-8.47 (m, 2H), 8.27 (dd, J = 2.6, 9.0Hz, 1H), 8.21-8.15 (m, 2H), 8.13-8.08 (m, 1H), 7.88-7.83 (m, 1H), 7.79-7.58(m, 8H), 7.53-7.43 (m, 3H), 7.36-7.34 (m, 4H), 7.26-7.20 (m, 1H)
LC-MS (m/z) 561 (M+1)。
化合物 7
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2,4-二苯基-6-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物 3的合成,得到化合物7 (75%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=542,精确分子量:542.16)。
化合物 8
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2-苯基-4-(4-苯基苯基)-6-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 8 (71%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=618,精确分子量:618.19)。
化合物 9
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2,4-双(4-苯基苯基)-6-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 9 (66%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=694,精确分子量:694.22)。
化合物 10
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2-苯基-4-(3-苯基苯基)-6-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物10 (71%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=618,精确分子量:618.19)。
化合物 11
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2,4-二苯基-6-[3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物11 (72%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=542,精确分子量:542.16)。
化合物 12
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2-苯基-4-(4-苯基苯基)-6-[3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 12 (66%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=618,精确分子量:618.19)。
化合物 13
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2,4-双(4-苯基苯基)-6-[3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物13 (72%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=694,精确分子量:694.22)。
化合物 14
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2-苯基-4-(3-苯基苯基)-6-[3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物14 (73%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=618,精确分子量:618.19)。
化合物 15
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2,4-二苯基-6-[2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物15 (62%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=542,精确分子量:542.16)。
化合物 16
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2-苯基-4-(4-苯基苯基)-6-[2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物16 (60%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=618,精确分子量:618.19)。
化合物 17
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2,4-双(4-苯基苯基)-6-[2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 17 (61%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=694,精确分子量:694.22)。
化合物 18
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2-苯基-4-(3-苯基苯基)-6-[2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 18 (60%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=618,精确分子量:618.19)。
化合物 19
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2,4-二苯基-6-[3-[3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 19 (73%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=618,精确分子量:618.19)。
化合物 20
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2,4-二苯基-6-[4-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 20 (71%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=618,精确分子量:618.19)。
化合物 21
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2,4-二苯基-6-[4-[4-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]苯基]苯基]-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 21 (76%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=694,精确分子量:694.22)。
化合物 22
中间体 22-1
在氩气氛围下,将中间体 1-3 (16.2 g, 59.9 mmol)、双(频哪醇合)二硼 (18.3 g,71.9 mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0) (1.10 g, 2.20 mmol)、X-phos (2.29 g, 4.79mmol)、以及乙酸钾 (120 g, 11.8 mmol) 加入到1,4-二噁烷 (600 mL)中。将该混合物在加热下搅拌回流8 h。反应后,将反应混合物冷却至室温,然后将甲苯 (300 mL) 和水 (300mL) 加入到该混合物中。分离各相并在减压下浓缩有机相。将粗产物溶解于二氯甲烷中并通过硅胶柱色谱法纯化。将该溶液在减压下浓缩,得到16.4 g (45.5 mmol)的中间体 22-1(76%产率)。
化合物 22
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用中间体 22-1替换,并将中间体 1-3 用2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 22 (54%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=466,精确分子量:466.13)。
化合物 23
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用中间体 22-1替换,并将中间体 1-3用2-氯-4-苯基-6-(4-苯基苯基)-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 23 (58%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=542,精确分子量:542.16)。
化合物 24
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用中间体 22-1替换,并将中间体 1-3用2-氯-4,6-双(4-苯基苯基)-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 24 (61%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=618,精确分子量:618.19)。
化合物 25
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用中间体 22-1替换,并将中间体 1-3用2-氯-4-苯基-6-(3-苯基苯基)-1,3,5-三嗪替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 25 (60%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=542,精确分子量:542.16)。
化合物 26
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2,4-二苯基-6-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]嘧啶替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 26 (71%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=541,精确分子量:541.16)。
化合物 27
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2-苯基-4-(4-苯基苯基)-6-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]嘧啶替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 27 (76%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=617,精确分子量:617.19)。
化合物 28
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用中间体 22-1替换,并将中间体 1-3 用4-氯-2,6-二苯基-嘧啶替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 28 (62%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=465,精确分子量:465.13)。
化合物 29
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用中间体 22-1替换,并将中间体 1-3用4-氯-2-苯基-6-(4-苯基苯基)嘧啶替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 29 (62%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=541,精确分子量:541.16)。
化合物 30
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,10-菲咯啉替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 30 (51%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=489,精确分子量:489.13)。
化合物 31
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2-苯基-9-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,10-菲咯啉替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 31(55%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=565,精确分子量:565.16)。
化合物 32
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用11-[4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]苯并呋喃并[3,2-b]喹啉替换之外,重复化合物4的合成,得到化合物 32 (70%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=526,精确分子量:526.18)。
化合物 33
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2,4-二苯基-6-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换,并将中间体 1-3用中间体 33-1替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 33 (60%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=526,精确分子量:526.18)。中间体 33-1根据Bulletin of the Chemical Society of Japan,1980,vol. 53, pp.1057-1060来进行合成。
化合物 34
除了将中间体 2-3用中间体 33-1替换之外,重复化合物6的合成,得到化合物 34(56%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=521,精确分子量:521.18)。
化合物 35
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用(3-荧蒽-3-基苯基)硼酸替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 35 (75%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=511,精确分子量:511.14)。
化合物 36
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用三亚苯-2-基硼酸替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 36 (71%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=461,精确分子量:461.12)。
化合物 37
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用4-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]苯甲腈替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 37 (61%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=412,精确分子量:412.10)。
化合物 38
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用[4-(2-乙基苯并咪唑-1-基)苯基]硼酸替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 38 (62%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=455,精确分子量:455.15)。
化合物 39
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用(9,9-二苯基芴-2-基)硼酸替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 39 (71%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=552,精确分子量:551.70)。
化合物 ET-5
中间体 A-1
在氩气氛围下,将(5-氯-2-氟-苯基)硼酸 (9.45 g, 54.2 mmol)、2-氯喹啉-3-醇(9.73 g, 54.2 mmol)、四(三苯基膦)钯 (1.25 g, 1.08 mmol)、甲苯 (170 mL)、以及碳酸钠水溶液 (2 M, 80 mL)的混合物在回流和加热下搅拌9 h。冷却至室温后,用甲苯提取反应溶液。除去水相后,用饱和盐水洗涤有机相,用硫酸镁干燥,然后浓缩。将残余物通过硅胶柱色谱法纯化,得到中间体 A-1 (4.90 g, 17.9 mmol, 33%产率)。
中间体 A-2
将中间体 A-1 (4.90 g, 17.9 mmol)、N-甲基-2-吡咯烷酮 (60 mL) 和K2CO3 (4.95g, 35.8 mmol)的混合物在120 ℃下搅拌2 h。反应后,将反应溶液冷却至室温,用甲苯稀释,用水洗涤,然后用硫酸镁干燥。将残余物通过硅胶柱色谱法纯化,得到中间体 A-2(2.27 g, 8.95 mmol, 50%产率)。
化合物 ET-5
除了将 [3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用[10-(2-萘基)-9-蒽基]硼酸替换,并将中间体 1-3 用中间体 A-2替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 ET-5 (53%产率),其通过质谱鉴定 (m/e=521,精确分子量:521.18)。
化合物 ET-6
除了将[3,5-二(咔唑-9-基)苯基]硼酸用2,4-二苯基-6-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基]-1,3,5-三嗪替换,并将中间体 1-3 用4-碘苯并噻吩并[3,2-b]吡啶替换之外,重复化合物3的合成,得到化合物 ET-6 (42%产率),其通过质谱鉴定(m/e=492,精确分子量:492.14)。
II 应用实施例
应用实施例 1
将用作阳极的具有120nm厚的氧化铟锡(ITO)透明电极的玻璃基板 (由Geomatec Co.,Ltd.制造)首先用异丙醇在超声浴中清洗10 min。为了消除任何可能的有机残余物,进一步将基板暴露于紫外光和臭氧中30 min。该处理也改善了ITO的空穴注入性质。将该清洗过的基板载置于基板支架上,并且载入真空室中。此后,将以下指定的有机材料通过气相沉积以约0.2-1 Å/sec的速率在约10-6 -10-8 mbar下施用于该ITO基板上。作为第一层,气相沉积5nm厚的受电子化合物A。然后施用220 nm厚的芳族胺化合物 B作为空穴传输层。然后施用2重量% 发光体化合物 (化合物 D)、98重量%主体 (化合物1)的混合物以形成40 nm厚的磷光发光层。在发光层上,施用50重量%的电子传输化合物即化合物 C、50重量%的Liq (8-羟基喹啉锂)的混合物以形成25 nm厚的电子传输层。最后,沉积1 nm厚的Liq作为电子注入层,然后沉积80 nm厚的Al作为阴极以完成器件。在具有低于1 ppm的水和氧气的惰性氮气氛围中,用玻璃盖和吸气器密封该器件。
OLED 表征
为了表征OLED,在多种电流和电压下记录电致发光光谱。此外,与亮度结合,测量电流-电压特征以确定发光效率和外量子效率(EQE)。除非另有说明,在10mA/cm2下给出驱动电压U、EQE和国际照明委员会(CIE)坐标。
应用实施例 2
除了用化合物2替换主体 (化合物 1)之外,重复应用实施例 1。器件结果示于表 1。
比较实施例 1和2
除了将主体 (化合物 1)替换为化合物主体-1 (比较实施例 1) 或化合物主体-2 (比较实施例 2)之外,重复应用实施例 1。器件结果示于表 1。
表 1
主体 U (V) EQE (%) CIE x, y
应用实施例1 化合物 1 5.1 12.6 0.65, 0.34
应用实施例2 化合物 2 5.4 15.6 0.65, 0.34
比较实施例1 化合物 主体-1 6.12 10.2 0.65, 0.34
比较实施例2 化合物 主体-2 6.22 10.0 0.65, 0.34
结果示于表1。CIE值表明电致发光源自红色发光体化合物(Ir(piq)3),证明化合物1和2可用作红色磷光主体。其中将根据本发明的化合物1和2用于磷光发光层中作为主体的器件与比较化合物1和2相比表现出降低的驱动电压和更高的EQE。
应用实施例 3
将用作阳极的具有120nm厚的氧化铟锡(ITO)透明电极的玻璃基板 (由Geomatec Co.,Ltd.制造)首先用异丙醇在超声浴中清洗10 min。为了消除任何可能的有机残余物,进一步将基板暴露于紫外光和臭氧中30 min。该处理也改善了ITO的空穴注入性质。将该清洗过的基板载置于基板支架上,并且载入真空室中。此后,将以下指定的有机材料通过气相沉积以约0.2-1 Å/sec的速率在约10-6 -10-8 mbar下施用于该ITO基板上。作为空穴注入层,施用5nm厚的化合物A。然后施用90nm厚的芳族胺化合物E作为第一空穴传输层,并且施用10nm厚的芳族胺化合物F作为第二空穴传输层。然后施用4重量%的发光体化合物 G、96重量%的主体化合物H的混合物以形成25 nm厚的荧光发光层。在该发光层上,施用5nm厚的化合物1作为第一电子传输层。然后施用20 nm厚的化合物 I 作为第二电子传输层。最后,沉积1 nm厚的LiF作为电子注入层,然后沉积80 nm厚的Al作为阴极以完成器件。在具有低于1 ppm的水和氧气的惰性氮气氛围中,用玻璃盖和吸气器密封该器件。
应用实施例 4-12
除了将第一电子传输层中使用的化合物 1替换为化合物2-4和35-39中的各化合物之外,重复应用实施例 3。器件结果示于表 2。
比较实施例 3-5
除了将第一电子传输层中使用的化合物1替换为化合物ET-1、ET-2、或ET-3之外,重复应用实施例 3。器件结果示于表 2。
表 2
第一电子传输层 U (V) EQE (%) CIE x, y
应用实施例3 化合物 1 3.9 8.5 0.14, 0.10
应用实施例4 化合物 2 3.7 8.7 0.14, 0.10
应用实施例5 化合物 3 3.9 8.7 0.14, 0.10
应用实施例6 化合物 4 3.9 9.1 0.14, 0.10
应用实施例7 化合物 5 4.3 7.1 0.14, 0.10
应用实施例8 化合物 35 3.60 9.31 0.14, 0.10
应用实施例9 化合物 36 4.19 8.31 0.14, 0.10
应用实施例10 化合物 37 3.91 9.12 0.14, 0.10
应用实施例11 化合物 38 4.02 8.95 0.14, 0.10
应用实施例12 化合物 39 4.15 8.32 0.14, 0.10
比较实施例3 化合物ET-1 5.21 6.42 0.14, 0.10
比较实施例4 化合物ET-2 5.59 6.21 0.14, 0.10
比较实施例5 化合物ET-3 5.52 6.22 0.14, 0.10
结果示于表2。CIE值表明电致发光源自蓝色发光体化合物G。此外,应用实施例3-6和8-12显示EQE大于8%,其超过了5%的理论极限。结果表明,通过将三重态激子束缚在发光层中,化合物1-4和35-39可以超过5%的纯理论极限,这增强了三重态 -三重态聚变。
应用实施例 13
与实施例3类似地进行该工序。在放置发光层之后,在该发光层上,施用50重量%的化合物6、50重量%的Liq的混合物以形成25nm厚来作为电子传输层。最后,沉积1 nm厚的Liq作为电子注入层,然后沉积80 nm厚的Al作为阴极以完成器件。在具有低于1 ppm的水和氧气的惰性氮气氛围中,用玻璃盖和吸气器密封该器件。
应用实施例 14-16
除了将主体 (化合物 6)替换为化合物30、31或32之外,重复应用实施例 13。器件结果示于表 3。
比较实施例6和7
除了将主体(化合物 6) 替换为化合物ET-4 (比较实施例 6)或化合物ET-5 (比较实施例7)之外,重复应用实施例 13。器件结果示于表 3。
表 3
电子传输层 U (V) EQE (%) CIE x, y
应用实施例13 化合物6 + Liq 3.90 8.37 0.14, 0.10
应用实施例14 化合物30 + Liq 3.84 8.28 0.14, 0.10
应用实施例15 化合物31 + Liq 3.85 8.26 0.14, 0.10
应用实施例16 化合物34 + Liq 3.91 8.32 0.14, 0.10
比较实施例6 化合物ET-4 + Liq 4.32 7.61 0.14, 0.10
比较实施例7 化合物 ET-5 + Liq 4.30 7.64 0.14, 0.10
结果示于表3。与现有材料相比,将根据本发明的材料用于电子传输层中的器件表现出降低的驱动电压和更高的EQE。
应用实施例 17
与实施例3类似地进行该工序。在放置发光层之后,在该发光层上,施用5nm厚的化合物J作为第一电子传输层。然后施用50重量%的化合物5、50重量%的Liq的混合物以形成20 nm厚来作为第二电子传输层。最后,沉积1 nm厚的Liq作为电子注入层,然后沉积80 nm厚的Al作为阴极以完成器件。在具有低于1 ppm的水和氧气的惰性氮气氛围中,用玻璃盖和吸气器密封该器件。
应用实施例18-42
除了将化合物5替换为表4中所示的各化合物之外,重复应用实施例 17。器件结果示于表 4。
比较实施例8和9
除了将化合物5替换为化合物ET-6 (比较实施例8)或化合物ET-7 (比较实施例9)之外,重复应用实施例 17。器件结果示于表 4。
表 4
第二电子传输层 U (V) EQE (%) CIE x, y
应用实施例17 化合物 5 + Liq 3.48 9.63 0.14, 0.10
应用实施例18 化合物 7 + Liq 3.32 9.99 0.14, 0.10
应用实施例19 化合物 8 + Liq 3.31 10.1 0.14, 0.10
应用实施例20 化合物 9 + Liq 3.33 9.85 0.14, 0.10
应用实施例21 化合物 10 + Liq 3.32 9.98 0.14, 0.10
应用实施例22 化合物 11 + Liq 3.45 9.71 0.14, 0.10
应用实施例23 化合物 12 + Liq 3.35 9.79 0.14, 0.10
应用实施例24 化合物 13 + Liq 3.36 9.81 0.14, 0.10
应用实施例25 化合物 14 + Liq 3.45 9.71 0.14, 0.10
应用实施例26 化合物 15 + Liq 3.49 9.71 0.14, 0.10
应用实施例27 化合物 16 + Liq 3.40 9.73 0.14, 0.10
应用实施例28 化合物 17 + Liq 3.40 9.69 0.14, 0.10
应用实施例29 化合物 18 + Liq 3.43 9.61 0.14, 0.10
应用实施例30 化合物 19 + Liq 3.48 9.69 0.14, 0.10
应用实施例31 化合物 20 + Liq 3.32 10.0 0.14, 0.10
应用实施例32 化合物 21 + Liq 3.32 9.90 0.14, 0.10
应用实施例33 化合物 22 + Liq 3.49 9.72 0.14, 0.10
应用实施例34 化合物 23 + Liq 3.45 9.81 0.14, 0.10
应用实施例35 化合物 24 + Liq 3.45 9.81 0.14, 0.10
应用实施例36 化合物 25 + Liq 3.47 9.75 0.14, 0.10
应用实施例37 化合物 26 + Liq 3.45 9.72 0.14, 0.10
应用实施例38 化合物 27 + Liq 3.41 9.75 0.14, 0.10
应用实施例39 化合物 28 + Liq 3.49 9.75 0.14, 0.10
应用实施例40 化合物 29 + Liq 3.48 9.81 0.14, 0.10
应用实施例41 化合物 32 + Liq 3.38 9.91 0.14, 0.10
应用实施例42 化合物 33 + Liq 3.38 9.92 0.14, 0.10
比较实施例8 化合物ET-6 + Liq 4.05 7.96 0.14, 0.10
比较实施例9 化合物ET-7 + Liq 3.86 8.15 0.14, 0.10
结果示于表4。与比较化合物ET-6和ET-7相比,将根据本发明的化合物用于第二电子传输层中的器件表现出降低的驱动电压和更高的EQE。
参考实施例
将下述化合物通过使用Gaussian98的分子轨道法以B3LYP/6-31G* 水平对LUMO进行计算。
表 5
化合物 LUMO (eV)
本发明 2.0607
本发明 2.0115
对比 1.9059
表5的结果表明根据本发明的化合物的LUMO比作为本发明化合物的同分异构体的比较化合物高约5.5%或8.1%。本发明化合物的大的LUMO可以使最佳量的电子注入到相邻的层中,由此改善发光层中的载流子平衡,以得到有机EL器件。

Claims (29)

1.式(1)的杂环衍生物;
其中
X是O或S;
A1是N或CRA1
A2是N或CRA2
其中A1和A2的至少一者是N;优选A1是N且A2是CRA2
B1是CR1或N;
B2是CH或N;
B3是CR3或N;
B4是CR4或N;
B5是CR5或N;
B6是CR6或N;
B7是CR7或N;
B8是CR8或N;
其中B1和B2、B2和B3、或B3和B4任选地一起形成六元环***;
和/或B5和B6、B6和B7、或B7和B8任选地一起形成六元环***;
RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是H;E;式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基,其中RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7或R8的至少一者是式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;
o是0或1,p是0或1,q是0或1,r是0或1,优选o是0或1,p是0或1,q是0且r是0;
A1、A2、A3和A4各自独立地是未取代或被G取代的C6-C24亚芳基、未取代或被G取代的C1-C24亚杂芳基;
R20是H、E、未取代或被G取代的C6-C60芳基、未取代或被G取代的C1-C60杂芳基、未取代或被至少一个基团G取代和/或被D中断的C1-C25烷基;
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-CR63=CR64-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR73-或-C≡C-,优选是-O-、-NR65-、-SiR70R71-;
E是-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN、-SiR70R71R72、卤素或-POR74R75,优选是-NR65R66、-CN、-SiR70R71R72或-POR74R75
G是E;或C1-C24烷基;被O中断的C1-C24烷基;C6-C60芳基;被F、-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3、-C(CF3)3、C1-C24烷基或被O中断的C1-C24烷基取代的C6-C60芳基;C2-C60杂芳基;或被F、-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3、-C(CF3)3、C1-C24烷基或被O中断的C1-C24烷基取代的C2-C60杂芳基;
R63和R64各自独立地是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被-O-中断的C1-C18烷基;H;
R65和R66各自独立地是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被-O-中断的C1-C18烷基;或
R65和R66一起形成五元或六元环,其可被取代或苯并环化(咔唑);
R67是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基或被-O-中断的C1-C18烷基;
R68是H;C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基或被-O-中断的C1-C18烷基;
R69是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被-O-中断的C1-C18烷基;
R70、R71和R72各自独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基;和
R73、R74和R75是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基;
其中在A1是CRA1且A2是N的情形中,B3是CH或N且R6和R7的定义中的o、p、q和r是0。
2.根据权利要求1所述的杂环衍生物,其中A1、A2、A3和A4各自独立地是下式的基团:
其可以是未取代或被G取代,优选是未取代或被1、2、3或4个基团G取代,更优选是未取代或被1或2个基团G取代;由此G最优选是-NR65R66、-CN、-SiR70R71R72、C1-C24烷基、未取代的C6-C30芳基或C2-C30杂芳基;
R73是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被-O-中断的C1-C18烷基,优选是C1-C18烷基,比如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、己基、辛基或2-乙基-己基;或C6-C14芳基,比如苯基、甲苯基、萘基或联苯基;
R38是可任选地被E取代和或被D中断的C1-C25烷基;可任选地被G取代的C6-C24芳基或可任选地被G取代的C1-C24杂芳基;和/或所述基团的两个相邻的基团可以与它们键合的原子一起形成可任选地被G取代的环结构;
R130在每次出现时独立地是H或可任选地被G取代的C6-C24亚芳基,或可任选地被G取代的C1-C30亚杂芳基;其中G如以上所定义;其中虚线是键合位点;
其中(C)-意指所述基团A1、A2、A3和A4的键合位点与C原子连接,和(N)-意指所述基团A1、A2、A3和A4的键合位点与N原子连接,和(C,N)意指所述基团A1、A2、A3和A4的键合位点与C或N原子连接。
3.根据权利要求1或2的所述杂环衍生物,其中R20是H、CN、-OR69、-SiR70R71R72或下式的基团
其中
X1是S、O、C(R21)2、NR23
R21是可任选地被E取代和或被D中断的C1-C25烷基;可任选地被G取代的C6-C24芳基或可任选地被G取代的C1-C24杂芳基;和/或所述基团的两个相邻的基团可以与它们键合的原子一起形成可任选地被G取代的环结构;
R22是未取代或被G取代的C6-C18芳基、未取代或被G取代的C2-C18杂芳基;
R23是H、未取代或被G取代的C6-C18芳基、未取代或被G取代的C2-C18杂芳基;
R24和R25各自独立地是H、未取代或被G取代的C6-C18芳基、未取代或被G取代的C2-C18杂芳基、可任选地被E取代和或被D中断的C1-C25烷基、或-CN;
a是0、1、2或3,优选是0、1或2;
b是0、1、2、3或4,优选是0、1或2;
虚线是键合位点;
其中
X1、X2和X3各自独立地是CR19或N,其中在式(7)中X1至X3的至少一者是N,且其中在式(9)和(10)中X1和X3的至少一者是N;Ar1和Ar2各自独立地是任选地被G取代的C6-C24芳基、或任选地被G取代的C1-C24杂芳基;
R17、R18和R19各自独立地是H、可被G取代的C6-C24芳基、可被G取代的C1-C24杂芳基、或可任选地被E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选是H;
c是0、1、2、3或4;优选是0、1或2;更优选是0或1;
d是0、1、2或3;优选是0、1或2;更优选是0;
R26、R27、R28和R29各自独立地是H、可被G取代的C6-C24芳基、可被G取代的C1-C24杂芳基或可任选地被E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;或取代基E;优选是H或CN,更优选是H;
e是0、1、2、3、4或5;优选是0、1、2或3;更优选是0、1或2;
f是0、1、2或3;优选是0、1或2;更优选是0;
g是0、1、2、3或4;优选是0、1或2;更优选是0或1;
h是0、1或2,优选是0或1;更优选是0;
两个相邻的基团R26、R27、R28或R29可以与它们键合的原子一起形成可被G取代的环结构,
其中~是键合位点。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的杂环衍生物,其中RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的杂环衍生物,其中A1和A2的一者是N,优选A1是N且A2是CRA2
6.根据权利要求1-5中任一项所述的杂环衍生物,其中RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8的一者、二者、三者或四者,优选一者或二者,更优选一者各自独立地是E;式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选是式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,并且其余的RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8是H。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的杂环衍生物,其中RA2是E;式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基;优选是式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团,并且所述RA1、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8是H。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的杂环衍生物,其具有下式之一
其中
B1是CR1或N;
B2是CH或N;
B3是CR3或N;
B4是CR4或N;
B5是CR5或N;
B6是CR6或N;
B7是CR7或N;
B8是CR8或N;
优选所述杂环衍生物具有所述式(1-1)、(1-2)、(1-3)、(1-4)、(1-5)、(1-6)、(1-7)、(1-8)之一;
更优选所述杂环衍生物具有所述式(1-1)、(1-2)之一。
9.根据权利要求1所述的杂环衍生物,其具有下式之一:
其中X、B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8、o、p、q和r如权利要求1中所定义;
A1、A2、A3和A4各自独立地是未取代或被G取代的C6-C24亚芳基;
R20是未取代或被G取代的稠合C10-C30芳基或可具有稠环的具有六个环原子的芳香族杂环,其中所述杂环原子是N,并且所述具有六个环原子的芳香族杂环和所述稠环各自是未取代或被G取代。
10.根据权利要求9所述的杂环衍生物,其中A1、A2、A3和A4各自独立地是亚苯基、亚萘基、亚联苯基或亚三联苯基,其每个是未取代或被G取代。
11.根据权利要求9或10所述的杂环衍生物,其中A1、A2、A3和A4各自独立地是亚苯基、亚联苯基或亚三联苯基,其每个是未取代或被G取代。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的杂环衍生物,其中R20是蒽基、荧蒽基、三亚苯基或芴基,其每个是未取代或被G取代。
13.根据权利要求9-12中任一项所述的杂环衍生物,其中R20是蒽基或荧蒽基,其每个是未取代或被G取代。
14.根据权利要求9-11中任一项所述的杂环衍生物,其中R20是可具有稠环的吡啶基、可具有稠环的嘧啶基、三嗪基或菲咯啉基,其每个是未取代或被G取代。
15.根据权利要求9-11和14中任一项所述的杂环衍生物,其中R20是吡啶基、嘧啶基、三嗪基或菲咯啉基,其每个是未取代或被G取代。
16.根据权利要求9-11、14和15中任一项所述的杂环衍生物,其中R20 是嘧啶基、三嗪基或菲咯啉基,其每个是未取代或被G取代。
17.有机电子器件,其包含权利要求1-16中任一项所述的杂环衍生物。
18.根据权利要求17所述的电子器件,其是有机电致发光器件。
19.根据权利要求18所述的有机电致发光器件,其中所述有机电致发光器件包含阳极、阴极和设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层; 所述发光层包含含有选自Ir、Pt、Os、Au、Cu、Re和Ru中的至少一种金属的有机金属络合物和作为主体材料的所述杂环衍生物。
20.根据权利要求18或19所述的有机电致发光器件,其中所述有机电致发光器件包含含有所述杂环衍生物的电子传输层。
21.根据权利要求20所述的有机电致发光器件,其中所述电子传输层与所述发光层接触。
22.根据权利要求20所述的有机电致发光器件,其中在所述发光层和所述电子传输层之间设置有电子传输区。
23.根据权利要求20所述的有机电致发光器件,其中所述电子传输层包含碱金属,碱土金属,稀土金属,包含碱金属、碱土金属或稀土金属的化合物,或包含碱金属、碱土金属或稀土金属的络合物。
24.电荷传输层、电荷/激子阻挡层或发光层,其包含权利要求1-16中任一项所述的杂环衍生物。
25.根据权利要求24所述的发光层,其包含权利要求1-16中任一项所述的杂环衍生物作为主体材料与至少一种发光体的组合。
26.根据权利要求24所述的电荷传输层,其是包含权利要求1-16中任一项所述的杂环衍生物作为电子传输材料的电子传输层。
27.选自固定视觉显示单元、移动视觉显示单元、照明单元、键盘、衣物、家具、壁纸的装置,其包含权利要求17或18所述的有机电子器件或权利要求24所述的电荷传输层、电荷/激子阻挡层或发光层。
28.权利要求1-16中任一项所述的式(1)的杂环衍生物的用途,其用于有机电致发光器件、电子照相感光体、光电转换器、有机太阳能电池、开关元件、有机发光场效应晶体管、图像传感器或染料激光器。
29.权利要求1-16中任一项所述的式(1)的杂环衍生物的制备方法,其包括:
(b) 将式(1')的化合物与式X-RA1、X-RA2、X-R1、X-R3、X-R4、X-R5、X-R6、X-R7或X-R8的化合物偶联,
其中B1、B3、B4、A1和A2 的至少一者是C-Hal,
其中Hal表示卤素,优选是F、Cl或Br,更优选是Cl,
(j) 其中 X是-B(OR')2,其中R'是H或C1-C3烷基或苯基,条件是两个R'可以相同或不同,并且所述两个R'可以与所述两个氧原子和所述硼原子一起形成环;
在催化剂存在下和在碱存在下;
(iv) 其中X是H ,在碱存在下;
(v) 其中X是H,在催化剂存在下和在碱存在下和在配体存在下;
其中
X是O或S;
A1是N或CRA1
A2是N或CRA2
其中A1和A2 的至少一者是N,并且优选A1是N且A2是CRA2
B1是CR1或N;
B2是CH或N;
B3是CR3或N;
B4是CR4或N;
B5是CR5或N;
B6是CR6或N;
B7是CR7或N;
B8是CR8或N;
其中B1和B2、B2和B3、或B3和B4 任选地一起形成六元环***;
和/或B5和B6、B6和B7、或B7和B8 任选地一起形成六元环***;
RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是H;E;式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;或未取代或被至少一个基团E取代和/或被D中断的C1-C25烷基,其中RA1、RA2、R1、R3、R4、R5、R6、R7和R8 的至少一者是式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R20的基团;
o是0或1,p是0或1,q是0或1,r是0或1,优选o是0或1,p是0或1,q是0且r是0;
A1、A2、A3和A4 各自独立地是未取代或被G取代的C6-C24亚芳基、未取代或被G取代的C1-C24亚杂芳基;
R20是H、E、未取代或被G取代的C6-C60芳基、未取代或被G取代的C1-C60 杂芳基、未取代或被至少一个基团G取代和/或被D中断的C1-C25烷基;
D是-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-CR63=CR64-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR73-或-C≡C-,优选是-O-、-NR65-、-SiR70R71-;
E是-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN、-SiR70R71R72、卤素或-POR74R75;优选是-NR65R66、-CN、-SiR70R71R72或-POR74R75
G是E;或C1-C24烷基;被O中断的C1-C24烷基;C6-C60芳基;被F、-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3、-C(CF3)3、C1-C24烷基或被O中断的C1-C24烷基取代的C6-C60芳基;C2-C60杂芳基;或被F、-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3、-C(CF3)3、C1-C24烷基或被O中断的C1-C24烷基取代的C2-C60杂芳基;
R63和R64 各自独立地是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被-O-中断的C1-C18烷基;H;
R65和R66 各自独立地是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被-O-中断的C1-C18烷基;或
R65和R66 一起形成五元或六元环,其可被取代或苯并环化;
R67是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被-O-中断的 C1-C18烷基;
R68是H;C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被-O-中断的 C1-C18烷基;
R69是C6-C18芳基;被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基;C1-C18烷基;或被-O-中断的C1-C18烷基;
R70、R71和R72 各自独立地是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基;和
R73、R74和R75是C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基;
其中在A1是CRA1且A2是N的情形中,B3是CH或N且R6和R7的定义中的o、p、q和r是0。
CN201780038756.7A 2016-06-22 2017-06-13 用于有机发光二极管的特定取代的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类 Active CN109311904B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP16175773.7 2016-06-22
EP16175773 2016-06-22
PCT/JP2017/022938 WO2017221999A1 (en) 2016-06-22 2017-06-13 Specifically substituted benzofuro- and benzothienoquinolines for organic light emitting diodes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109311904A true CN109311904A (zh) 2019-02-05
CN109311904B CN109311904B (zh) 2022-03-29

Family

ID=56194369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780038756.7A Active CN109311904B (zh) 2016-06-22 2017-06-13 用于有机发光二极管的特定取代的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11691983B2 (zh)
JP (1) JP2019521995A (zh)
KR (1) KR102447668B1 (zh)
CN (1) CN109311904B (zh)
WO (1) WO2017221999A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114341140A (zh) * 2020-04-14 2022-04-12 株式会社Lg化学 新的化合物和包含其的有机发光器件

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018043761A1 (en) * 2016-09-05 2018-03-08 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. Specifically substituted aza-dibenzofurans and aza-dibenzothiophenes for organic electronic devices
KR20190098676A (ko) * 2018-02-13 2019-08-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함한 표시 장치
EP3799142A4 (en) * 2018-08-24 2021-07-28 Lg Chem, Ltd. ORGANIC LIGHT DIODE
KR102398016B1 (ko) * 2020-04-14 2022-05-16 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102630972B1 (ko) * 2021-01-08 2024-01-29 주식회사 엘지화학 안트라센계 화합물, 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102629146B1 (ko) * 2021-01-08 2024-01-24 주식회사 엘지화학 안트라센계 화합물, 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102448945A (zh) * 2009-05-29 2012-05-09 出光兴产株式会社 蒽衍生物及使用该蒽衍生物的有机电致发光元件
CN105283977A (zh) * 2013-06-11 2016-01-27 出光兴产株式会社 有机电致发光元件用材料、使用了该材料的有机电致发光元件和电子设备
CN105810837A (zh) * 2015-01-16 2016-07-27 三星显示有限公司 有机发光器件
CN106565689A (zh) * 2015-10-08 2017-04-19 三星显示有限公司 有机发光器件和包括该有机发光器件的平板显示装置

Family Cites Families (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1051092A1 (ru) 1982-07-05 1983-10-30 Ростовский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.М.А.Суслова Способ получени тиохиндолинов
JPH02256667A (ja) 1988-12-27 1990-10-17 Masatoshi Yamato 縮合キノリン系化合物およびその製造方法
US5223506A (en) * 1991-06-04 1993-06-29 Glaxo Inc. Cyclic antitumor compounds
WO1998045272A1 (en) 1997-04-07 1998-10-15 Latrobe University Topoisomerase inhibitors
JP4208290B2 (ja) 1998-06-01 2009-01-14 キヤノン株式会社 発光素子
AU5004700A (en) 1999-05-13 2000-12-05 Trustees Of Princeton University, The Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
WO2001041512A1 (en) 1999-12-01 2001-06-07 The Trustees Of Princeton University Complexes of form l2mx as phosphorescent dopants for organic leds
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US6565994B2 (en) 2000-02-10 2003-05-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light emitting device material comprising iridium complex and light emitting device using same material
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
US7306856B2 (en) 2000-07-17 2007-12-11 Fujifilm Corporation Light-emitting element and iridium complex
EP1325671B1 (en) 2000-08-11 2012-10-24 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP4344494B2 (ja) 2000-08-24 2009-10-14 富士フイルム株式会社 発光素子及び新規重合体子
JP4067286B2 (ja) 2000-09-21 2008-03-26 富士フイルム株式会社 発光素子及びイリジウム錯体
JP4154138B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子、表示装置及び金属配位化合物
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
DE10058578C2 (de) 2000-11-20 2002-11-28 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
JP4086499B2 (ja) 2000-11-29 2008-05-14 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
JP4154145B2 (ja) 2000-12-01 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
DE10104426A1 (de) 2001-02-01 2002-08-08 Covion Organic Semiconductors Verfahren zur Herstellung von hochreinen, tris-ortho-metallierten Organo-Iridium-Verbindungen
DE10338550A1 (de) 2003-08-19 2005-03-31 Basf Ag Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs)
DE10339772B4 (de) 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
CN1235882C (zh) 2003-12-05 2006-01-11 中山大学 脂肪氨基取代的吲哚喹啉衍生物及其制备方法和制药用途
WO2005113704A2 (en) 2004-05-18 2005-12-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
DE102004057072A1 (de) 2004-11-25 2006-06-01 Basf Ag Verwendung von Übergangsmetall-Carbenkomplexen in organischen Licht-emittierenden Dioden (OLEDs)
DE602005014391D1 (de) 2004-12-23 2009-06-18 Ciba Holding Inc Elektrolumineszierende metallkomplexe mit nukleophilen carbenliganden
TWI418606B (zh) 2005-04-25 2013-12-11 Udc Ireland Ltd 有機電致發光裝置
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
US8586204B2 (en) 2007-12-28 2013-11-19 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters and host materials with improved stability
US7651791B2 (en) 2005-12-15 2010-01-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and electroluminescence device employing the same
TWI420963B (zh) 2005-12-15 2013-12-21 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element materials and organic electroluminescent devices using the same
ATE553111T1 (de) 2006-02-10 2012-04-15 Universal Display Corp Metallkomplexe aus imidazoä1,2-füphenanthridin- liganden und deren verwendung in oled vorrichtungen
US8158646B2 (en) 2006-03-31 2012-04-17 Florida Agricultural And Mechanical University Antifungal and antiparasitic indoloquinoline derivates
US8383828B2 (en) 2006-04-04 2013-02-26 Basf Aktiengesellschaft Transition metal complexes comprising one noncarbene ligand and one or two carbene ligands and their use in OLEDs
EP2007779B1 (de) 2006-04-05 2012-03-21 Basf Se Heteroleptische übergangsmetall-carben-komplexe und deren verwendung in organischen leuchtdioden (oleds)
JP2009541431A (ja) 2006-06-26 2009-11-26 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 非カルベン経由のシクロメタル化のない遷移金属−カルベン錯体の利用
DE602008004738D1 (de) 2007-02-23 2011-03-10 Basf Se Elektrolumineszente metallkomplexe mit benzotriazolen
KR102312855B1 (ko) 2007-03-08 2021-10-14 유니버셜 디스플레이 코포레이션 인광성 물질
CN105859792A (zh) 2008-02-12 2016-08-17 巴斯夫欧洲公司 具有二苯并[f,h]喹噁啉的电致发光金属络合物
US8049411B2 (en) 2008-06-05 2011-11-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
KR101919207B1 (ko) 2008-11-11 2018-11-15 유니버셜 디스플레이 코포레이션 인광성 에미터
DE102009007038A1 (de) 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
US8557400B2 (en) 2009-04-28 2013-10-15 Universal Display Corporation Iridium complex with methyl-D3 substitution
US20100295444A1 (en) 2009-05-22 2010-11-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US20100295445A1 (en) 2009-05-22 2010-11-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
KR101408515B1 (ko) 2009-07-01 2014-06-17 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자
AU2009352688B2 (en) * 2009-09-15 2014-04-17 Taigen Biotechnology Co., Ltd. HCV protease inhibitors
KR101324782B1 (ko) 2010-01-14 2013-10-31 (주)씨에스엘쏠라 유기 광소자 및 이를 위한 유기 광합물
US9156870B2 (en) 2010-02-25 2015-10-13 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters
US8334545B2 (en) 2010-03-24 2012-12-18 Universal Display Corporation OLED display architecture
US8968887B2 (en) 2010-04-28 2015-03-03 Universal Display Corporation Triphenylene-benzofuran/benzothiophene/benzoselenophene compounds with substituents joining to form fused rings
US8932734B2 (en) 2010-10-08 2015-01-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9324950B2 (en) 2010-11-22 2016-04-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
TW201231459A (en) 2010-12-20 2012-08-01 Du Pont Electroactive compositions for electronic applications
CN103313980B (zh) 2011-02-07 2017-04-19 出光兴产株式会社 双咔唑衍生物及使用其的有机电致发光元件
KR101720444B1 (ko) 2011-02-07 2017-03-27 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 비스카바졸 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
KR20120104064A (ko) 2011-03-11 2012-09-20 김도경 원통형밸브가 구비하는 관로세척장치
KR101399636B1 (ko) 2011-03-11 2014-05-28 (주)씨에스엘쏠라 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
EP2690093A4 (en) 2011-03-24 2014-08-13 Idemitsu Kosan Co BISCARBAZOLE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT THEREWITH
KR101950460B1 (ko) 2011-06-14 2019-02-20 유디씨 아일랜드 리미티드 아자벤즈이미다졸 카르벤 리간드를 포함하는 금속 착물 및 oled 에서의 이의 용도
JP6046884B2 (ja) * 2011-08-11 2016-12-21 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、該素子用材料、並びに該素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置
WO2013046635A1 (ja) 2011-09-28 2013-04-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2013069762A1 (ja) 2011-11-11 2013-05-16 東ソー株式会社 含窒素縮環芳香族基を有する環状アジン化合物とその製造方法、及びそれを構成成分とする有機電界発光素子
CN107342368B (zh) 2011-11-22 2019-05-28 出光兴产株式会社 芳香族杂环衍生物、有机电致发光元件用材料以及有机电致发光元件
KR102261235B1 (ko) 2011-11-22 2021-06-04 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 복소 고리 유도체, 유기 일렉트로루미네선스 소자용 재료 및 유기 일렉트로루미네선스 소자
CN102516355B (zh) 2011-12-05 2014-05-07 中山大学 一种苯并呋喃喹啉的肽类衍生物及其制备方法和作为抗肿瘤药物的应用
CN103959503B (zh) 2011-12-05 2016-08-24 出光兴产株式会社 有机电致发光元件用材料以及有机电致发光元件
US9530969B2 (en) 2011-12-05 2016-12-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device
US9685614B2 (en) 2012-01-10 2017-06-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent element, and element using same
US8718718B2 (en) 2012-03-20 2014-05-06 Alan Siu Kit LEUNG Power WiFi device
JP5182441B1 (ja) 2012-05-24 2013-04-17 三菱化学株式会社 有機電界発光素子、有機電界発光照明装置及び有機電界発光表示装置
KR101695350B1 (ko) 2012-08-01 2017-01-13 삼성디스플레이 주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP6312960B2 (ja) 2012-08-03 2018-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置及び複素環化合物
JPWO2014024750A1 (ja) 2012-08-09 2016-07-25 東レ株式会社 発光素子材料および発光素子
TWI623539B (zh) * 2012-09-20 2018-05-11 Udc愛爾蘭責任有限公司 供電子應用之氮雜二苯并呋喃
CN107011365A (zh) * 2012-10-18 2017-08-04 精工爱普生株式会社 噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、发光装置、认证装置以及电子设备
KR102120890B1 (ko) 2012-11-01 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR101551466B1 (ko) 2013-02-14 2015-09-09 주식회사 엠비케이 신규한 유기발광화합물 및 이를 포함하는 유기전기발광소자
JP6317544B2 (ja) 2013-02-15 2018-04-25 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器
CN104640848B (zh) * 2013-03-15 2018-01-26 出光兴产株式会社 蒽衍生物及使用其的有机电致发光元件
JP2016122672A (ja) 2013-03-18 2016-07-07 出光興産株式会社 発光装置
US9735373B2 (en) * 2013-06-10 2017-08-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6421474B2 (ja) 2013-06-28 2018-11-14 東ソー株式会社 環状アジン化合物、その製造方法、及びそれを用いた有機電界発光素子
KR101593465B1 (ko) 2013-06-28 2016-02-12 (주)피엔에이치테크 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
KR101653338B1 (ko) * 2013-08-05 2016-09-01 제일모직 주식회사 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
JP6486824B2 (ja) 2013-08-09 2019-03-20 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス用組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液及び有機エレクトロルミネッセンス素子
CN103666452B (zh) 2013-09-23 2016-06-29 中山大学 一种甲基苯并呋喃喹啉类的生物探针及其制备方法和应用
KR101408632B1 (ko) 2013-10-24 2014-06-17 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자
KR101550523B1 (ko) 2014-01-22 2015-09-07 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자
US9755159B2 (en) * 2014-01-23 2017-09-05 Universal Display Corporation Organic materials for OLEDs
US9590194B2 (en) * 2014-02-14 2017-03-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9590195B2 (en) * 2014-02-28 2017-03-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2015205235A (ja) 2014-04-18 2015-11-19 東ソー株式会社 活性炭を用いるトリアジン化合物からのパラジウムの除去方法
KR102250186B1 (ko) * 2014-05-19 2021-05-10 삼성전자주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US9997716B2 (en) * 2014-05-27 2018-06-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101763222B1 (ko) 2014-06-27 2017-07-31 희성소재 (주) 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR101835502B1 (ko) 2014-07-21 2018-03-07 삼성에스디아이 주식회사 유기광전자소자용 조성물, 유기광전자소자 및 표시 장치
KR102270082B1 (ko) * 2014-09-05 2021-06-29 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US10749113B2 (en) 2014-09-29 2020-08-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6655870B2 (ja) * 2014-10-22 2020-03-04 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US10868261B2 (en) * 2014-11-10 2020-12-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102421540B1 (ko) 2014-11-14 2022-07-14 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 유기 전계발광 소자
KR101560102B1 (ko) 2014-11-20 2015-10-13 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
US9806269B2 (en) * 2014-12-05 2017-10-31 Lg Display Co., Ltd. Delayed fluorescence compound, and organic light emitting diode and display device using the same
US10777749B2 (en) * 2015-05-07 2020-09-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20160351817A1 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
KR101923171B1 (ko) * 2015-05-27 2018-11-28 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20170007648A (ko) 2015-07-10 2017-01-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN105153193B (zh) 2015-07-17 2017-05-31 中节能万润股份有限公司 一种有机电致发光二极管材料及其应用
US11127905B2 (en) * 2015-07-29 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2017023021A1 (ko) 2015-08-06 2017-02-09 에스에프씨 주식회사 고효율을 갖는 유기 발광 소자
EP3136645A1 (en) 2015-08-27 2017-03-01 Gemalto Sa Mixed hardware and software instructions for cryptographic functionalities implementation
CN108349914B9 (zh) 2015-10-27 2021-09-03 株式会社Lg化学 有机发光器件
KR20170058619A (ko) 2015-11-19 2017-05-29 주식회사 랩토 페닐기가 결합된 피리미딘 유도체 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR101813692B1 (ko) 2015-11-19 2017-12-29 (주)랩토 헤테로아릴기 치환 페닐기가 결합된 피리미딘 유도체 및 이를 포함한 유기 전계발광 소자
KR20170061770A (ko) 2015-11-26 2017-06-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN108368045A (zh) 2015-12-04 2018-08-03 广州华睿光电材料有限公司 热激发延迟荧光材料、高聚物、混合物、组合物以及有机电子器件
KR102419178B1 (ko) 2015-12-29 2022-07-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102396293B1 (ko) 2015-12-29 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20170086243A (ko) 2016-01-18 2017-07-26 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102380126B1 (ko) 2016-01-18 2022-03-29 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102372232B1 (ko) 2016-01-18 2022-03-10 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102394374B1 (ko) 2016-01-18 2022-05-04 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
US11476426B2 (en) 2016-02-03 2022-10-18 Sfc Co., Ltd. Organic light emitting compounds and organic light emitting devices including the same
TWI821807B (zh) 2016-03-17 2023-11-11 德商麥克專利有限公司 具有螺聯茀結構之化合物
KR20170111387A (ko) 2016-03-28 2017-10-12 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102642199B1 (ko) 2016-04-07 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102044942B1 (ko) 2016-05-02 2019-11-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
US10522776B2 (en) 2016-05-23 2019-12-31 Universal Display Corporation OLED device structures
US10651403B2 (en) * 2016-06-20 2020-05-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102448945A (zh) * 2009-05-29 2012-05-09 出光兴产株式会社 蒽衍生物及使用该蒽衍生物的有机电致发光元件
CN105283977A (zh) * 2013-06-11 2016-01-27 出光兴产株式会社 有机电致发光元件用材料、使用了该材料的有机电致发光元件和电子设备
CN105810837A (zh) * 2015-01-16 2016-07-27 三星显示有限公司 有机发光器件
CN106565689A (zh) * 2015-10-08 2017-04-19 三星显示有限公司 有机发光器件和包括该有机发光器件的平板显示装置

Non-Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHIAO-LI YANG,等: "Identification of benzofuro[2,3- b ]quinoline derivatives as a new class of antituberculosis agents", 《EUROPEAN JOURNAL OF MEDICINAL CHEMISTRY》 *
COMFORT A. BOATENG,等: "Benzothieno[3,2-b]quinolinium and 3-(phenylthio)quinolinium compounds: Synthesis and evaluation against opportunistic fungal pathogens", 《BIOORGANIC & MEDICINAL CHEMISTRY》 *
EDWARD F. ELSLAGER,等: "Inhibitors of platelet aggregation. 3. {[(dialkylamino)alkyl]thio} heterocyclic compounds", 《JOURNAL OF MEDICINAL CHEMISTRY》 *
K. GORLITZER,等: "Tetracyclische Derivate des Diltiazems aus Auronen und Thioauronen", 《PHARMAZIE》 *
LUISA BENATI,等: "Cascade Radical Reaction of 2-Alkynyl-Substituted Aryl Radicals with Aryl Isothiocyanates: A Novel Entry to Benzothieno[2,3-b]quinolines through r-(Arylsulfanyl)imidoyl Radicals", 《J. ORG. CHEM.》 *
SEIJI YAMAGUCHI,等: "The synthesis of benzofuroquinolines. V. Some benzofuro[3,2-B]quinoline derivatives", 《JOURNAL OF HETEROCYCLIC CHEMISTRY》 *
T. TLLAK RAJ,等: "Synthesis of 4-Aminopyrimido[4",5":4,5]thieno[2,3-A]quinolines", 《J. CHEM.ENG.DATA》 *
WOLFGANG STADLBAUER,等: "Synthese von Benzofuranen durch Cyclodehydrierung von Phenylmalonylheterocyclen", 《MONATSHEFTE FUR CHEMIE》 *
XUE Y. ZHU,等: "Synthesis and evaluation of isosteres of N-methyl indolo[3,2- b] quinoline (cryptolepine) as new antiinfective agents", 《BIOORGANIC & MEDICINAL CHEMISTRY》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114341140A (zh) * 2020-04-14 2022-04-12 株式会社Lg化学 新的化合物和包含其的有机发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
US11691983B2 (en) 2023-07-04
KR102447668B1 (ko) 2022-09-26
CN109311904B (zh) 2022-03-29
KR20190020683A (ko) 2019-03-04
JP2019521995A (ja) 2019-08-08
US20190161497A1 (en) 2019-05-30
WO2017221999A1 (en) 2017-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10186669B2 (en) Organic electroluminescent compound and an organic electroluminescent device comprising the same
CN104871332B (zh) 有机电致发光元件及电子设备
JP6298769B2 (ja) 含酸素縮合環アミン化合物、含硫黄縮合環アミン化合物及び有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI594992B (zh) Aromatic amine derivatives and organic electroluminescent devices
US11279709B2 (en) Specifically substituted aza-dibenzofurans and aza-dibenzothiophenes for organic electronic devices
JP6195828B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
CN104837834B (zh) 芳香族胺衍生物和有机电致发光元件
JP5993934B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
CN109311904A (zh) 用于有机发光二极管的特定取代的苯并呋喃并-和苯并噻吩并喹啉类
JP2023531421A (ja) 複素環式化合物及び複素環式化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014157708A1 (ja) 複素環化合物、これを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、並びにこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
KR20200072211A (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20140037814A (ko) 비스카바졸 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
TW201302973A (zh) 新穎有機電場發光化合物及使用該化合物之有機電場發光裝置
CN105473569A (zh) 化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子设备
JP2014072417A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
CN108349987A (zh) 苯并咪唑稠合杂芳族类
TW201936895A (zh) 有機電致發光化合物及包括其之有機電致發光裝置
KR20190078139A (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US11706981B2 (en) Organic light emitting device and compounds for use in same
US11505561B2 (en) Organic light emitting device and materials for use in same
KR20200068393A (ko) 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
WO2018154501A1 (en) Specific ladder type compounds for organic light emitting devices
JP2014196251A (ja) ヘテロアレーン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、及び有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant