JP2019102582A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019102582A
JP2019102582A JP2017230216A JP2017230216A JP2019102582A JP 2019102582 A JP2019102582 A JP 2019102582A JP 2017230216 A JP2017230216 A JP 2017230216A JP 2017230216 A JP2017230216 A JP 2017230216A JP 2019102582 A JP2019102582 A JP 2019102582A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting device
frame
light emitting
main body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017230216A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6687008B2 (ja
Inventor
卓弥 橋本
Takuya Hashimoto
卓弥 橋本
英一郎 岡久
Eiichiro Okahisa
英一郎 岡久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2017230216A priority Critical patent/JP6687008B2/ja
Priority to US16/203,477 priority patent/US10608406B2/en
Publication of JP2019102582A publication Critical patent/JP2019102582A/ja
Priority to US16/794,476 priority patent/US10965097B2/en
Priority to JP2020050785A priority patent/JP6897830B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6687008B2 publication Critical patent/JP6687008B2/ja
Priority to US17/169,224 priority patent/US11367994B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
    • H01S5/0222—Gas-filled housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/1033—Gallium nitride [GaN]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10344—Aluminium gallium nitride [AlGaN]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10346—Indium gallium nitride [InGaN]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】 透光部等の破損を低減して信頼性の高い発光装置を提供する。【解決手段】 一形態に係る発光装置２００は、本体部１１及び枠部１２を有する基体１０と、１以上のレーザ素子２０と、開口が設けられた支持部３１及び透光部３２を有する蓋体３０と、透光部３２の上方に配置されるレンズ体４０と、を備える。支持部３１は、枠部１２の上面に固定される第１部位３１ａと、第１部位３１ａの内側において第１部位３１ａよりも低い位置に設けられた、レンズ体４０が配置される第２部位３１ｂと、第２部位３１ｂの内側において第２部位３１ｂよりも低い位置に設けられた、透光部３２が配置される第３部位３１ｃと、を有し、透光部３２とレンズ体４０との熱膨張係数差は、透光部３２と本体部１１との熱膨張係数差よりも小さい。【選択図】 図４

Description

本発明は、発光装置に関する。
基体と、基体の上面に固定された半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を取り囲むように設けられた蓋体と、蓋体の貫通孔を塞ぐように蓋体に接合された透光性部材と、を備える発光装置が知られている。この発光装置において、蓋体には、上面視で貫通孔を取り囲むように、断面が略Ｕ字状の湾曲部が形成されている。そして、蓋体の膨張による変形を湾曲部で吸収させて、透光性部材にクラックが入ることを防止している（例えば、特許文献１の図１）
特開２００２−２８９９５８
このような発光装置においては、透光性部材の破損をより低減できる余地がある。
本発明の一形態に係る発光装置は、本体部と、前記本体部の上面に設けられた枠部と、を有する基体と、前記枠部の内側であって前記本体部の上面に設けられた１以上のレーザ素子と、前記枠部の上面に固定され且つ前記枠部の内側に開口が設けられた支持部と、前記開口を塞ぐように設けられた透光部と、を有する蓋体と、前記透光部の上方に配置されるレンズ体と、を備える。前記支持部は、前記枠部の上面に固定される第１部位と、前記第１部位の内側において前記第１部位よりも低い位置に設けられた、前記レンズ体が配置される第２部位と、前記第２部位の内側において前記第２部位よりも低い位置に設けられた、前記透光部が配置される第３部位と、を有し、前記透光部と前記レンズ体との熱膨張係数差は、前記透光部と前記本体部との熱膨張係数差よりも小さい。
図１は、実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図２は、実施形態に係る発光装置の上面図である。 図３は、図２のIII−IIIにおける断面図である。 図４は、図３の破線枠における拡大図である。 図５は、図２のV−Vにおける断面図である。 図６は、導光部材と蓋とを含む発光装置の斜視図である。 図７は、図６のVII−VIIにおける断面図である。
本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら以下に説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、本発明を限定するものではない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。本明細書では、発光装置の光取出し面側（図３の上側）を上方とし、その反対側（図３の下側）を下方とする。また、リードピン１３が延びる方向と平行な方向をＸ方向といい、リードピン１３が延びる方向に垂直な方向をＹ方向という。
＜実施形態＞
図１に本実施形態に係る発光装置２００の斜視図を示し、図２に発光装置２００の上面図を示し、図３に図２のIII−IIIにおける断面図を示し、図４に図３の破線枠内の拡大図を示し、図５に図２のV−Vにおける断面図を示す。
図１〜図５に示すように、発光装置２００は、本体部１１及び本体部１１の上面に設けられた枠部１２を有する基体１０と、枠部１２の内側であって本体部１１の上面に設けられた１以上のレーザ素子２０と、枠部１２の上面に固定され且つ枠部１２の内側に開口が設けられた支持部３１と、開口を塞ぐように設けられた透光部３２と、を有する蓋体３０と、透光部３２の上方に配置されるレンズ体４０と、を備える。このとき、支持部３１は、枠部１２の上面に固定される第１部位３１ａと、第１部位３１ａの内側において第１部位３１ａよりも低い位置に設けられた、レンズ体４０が配置される第２部位３１ｂと、第２部位３１ｂの内側において第２部位３１ｂよりも低い位置に設けられた、透光部３２が配置される第３部位３１ｃと、を有し、透光部３２とレンズ体４０との熱膨張係数差は、透光部３２と本体部１１との熱膨張係数差よりも小さい。
発光装置２００によれば、レーザ素子２０が配置される空間を封止する透光部３２等の破損を低減することができる。以下、この点について詳述する。
発光ダイオード素子に比べてレーザ素子は発熱しやすいため、一般的に、レーザ素子は比較的熱伝導率の高い材料からなる本体部に載置される。熱伝導率の高い材料としては、例えば銅等の金属材料が挙げられるが、これらの材料は比較的熱膨張係数が大きい。つまり、本体部は、他の部材に比較して熱膨張係数が大きい傾向にある。したがって、レーザ素子の駆動で生じる熱により、本体部に熱が伝わると、本体部が膨張して外側に広がりやすくなるため、本体部に固定された枠部も外側に広がりやすくなり、透光部３２が破損しやすくなる。
そこで、発光装置２００では、蓋体３０に含まれる支持部３１として、枠部１２の上面に固定される第１部位３１ａと、第１部位３１ａの内側において第１部位３１ａよりも低い位置に設けられた、レンズ体４０が配置される第２部位３１ｂと、第２部位３１ｂの内側において第２部位３１ｂよりも低い位置に設けられた、透光部３２が配置される第３部位３１ｃと、を含むものを用いている。つまり、２か所以上の段を設け、１つの段にレンズ体４０を、その段よりも内側に位置する段に透光部３２を、それぞれ配置している。そして、透光部３２とレンズ体４０の熱膨張係数差を透光部３２と本体部１１との熱膨張係数差よりも小さくしている。これらの構成によれば、レンズ体４０により透光部３２にかかる応力を低減することができるため、透光部３２の破損を低減することができる。
以下、発光装置２００の構成要素について説明する。
（基体１０）
基体１０は、本体部１１と、本体部１１の上面に設けられた枠部１２と、を有する。
本体部１１には、レーザ素子２０が実装されるため、比較的熱伝導率の高い材料が用いられる。発光装置２００では、本体部１１として、銅を主成分として含む金属材料を用いている。なお、本明細書において、「主成分として含む」とは、全体の重量の５０％を超えてある材料を含むことをいう。本体部１１としては、全体の重量の９９％以上の銅を含むものを用いることが好ましい。
発光装置２００では、本体部１１の上面において、レーザ素子２０を配置する領域が、枠部１２を固定する領域よりも上方に位置しているものを用いる。つまり、本体部１１として、部分的に上方に凸状になっているものを用いており、凸部の上面にレーザ素子２０が配置されている。これにより、本体部１１の反りによる、レーザ素子２０の剥がれを低減することができる。
枠部１２は、上方から視て本体部１１に固定された全てのレーザ素子２０を取り囲むように、本体部１１の上面に固定されている。枠部１２としては、後述する蓋体３０の支持部３１と熱膨張係数の近い材料を用いることが好ましい。これにより、枠部１２と支持部３１とを溶接する際の熱で透光部３２が破損することを抑制することができる。枠部１２としては、例えば、鉄を主成分として含む材料を用いることができる。発光装置２００では、鉄を主成分として含む材料として、ニッケル鉄合金を用いている。この他に、鉄を主成分として含む材料としては、ステンレス鋼、コバールが挙げられる。発光装置２００では、枠部１２は、蓋体３０を固定する部分を含む第１枠部と、第１枠部の外側面に設けられた第２枠部と、により枠部１２は構成されているが、第１枠部のみから構成されていてもよい。
枠部１２の上面の外縁は、上面視で四角形としている。これにより、レーザ素子２０を直線状に配置することができるため、レーザ素子２０の配置ばらつきを低減することができる。枠部１２の上面の外縁は、円形としてもよい。この場合は、支持部３１の全体において支持部３１にかかる応力を均等にすることができるため、透光部３２の破損を低減しやすくできる。枠部１２には、４つのリードピン１３が固定されている。なお、リードピン１３の数は、Ｙ方向におけるレーザ素子２０の数に応じて変更することができる。
（レーザ素子２０）
基体１０の本体部１１の上面には、１以上のレーザ素子２０が配置されている。２以上のレーザ素子２０が本体部１１の上面に配置されていることが好ましく、ここでは、１４個のレーザ素子２０が配置されている。レーザ素子２０の数が多くなるほどレーザ素子２０全体で発生する熱量が多くなり、本体部１１が反りやすくなるため、本実施形態による透光部３２の破損を低減する効果が顕著となる。Ｘ方向におけるレーザ素子２０の数は、Ｙ方向におけるレーザ素子２０の数よりも多いことが好ましい。Ｙ方向におけるレーザ光の広がりに比べてＸ方向におけるレーザ光の広がりが狭いため、本体部１１を大きくすることなく本体部１１に配置できるレーザ素子２０の数を増やすことができるためである。また、本体部１１の大きさを大きくする必要がないため、本体部１１が反りやすくなることを抑制できる。
本体部１１に配置される２以上のレーザ素子２０のうちの少なくとも１つには、窒化物半導体が含まれることが好ましく、ＧａＮ系の半導体が含まれることがより好ましい。ＧａＮ系の半導体を含むレーザ素子２０は集塵しやすいため、気密封止による集塵低減の効果が顕著となる。発光装置２００では、すべてのレーザ素子２０がＧａＮ系の半導体を含む。ＧａＮ系の半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮの少なくとも１つを含むものを用いることができる。レーザ素子２０の発光ピーク波長は、４２０ｎｍ〜５７０ｎｍの範囲内にあることが好ましく、４３０ｎｍ〜５５０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
図３〜図５に示すように、レーザ素子２０は、本体部１１の上面と平行に光が照射されるように配置されている。つまり、レーザ素子２０は、その光出射端面が本体部１１の上面と垂直になるように配置されている。これにより、レーザ素子２０の主面を本体部１１と平行に実装することができるため、レーザ素子２０で生じる熱を発散しやすくできる。各レーザ素子２０は各サブマウント７０に固定されており、レーザ素子２０はサブマウント７０を介して本体部１１に実装されている。これにより、各レーザ素子２０の光出射端面における発光点から本体部１１の上面までの距離をサブマウント７０の厚みの分だけ大きくすることができるため、レーザ素子２０から放射された光を効率よく後述する光反射体９０に照射することができる。
サブマウント７０としては、本体部１１の熱膨張係数と各レーザ素子２０の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有するものを用いることが好ましい。これにより、レーザ素子２０の剥がれや、サブマウント７０の剥がれを抑制することができる。レーザ素子２０として窒化物半導体を含む材料を用いる場合は、サブマウント７０として、例えば、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用いる。各サブマウント７０には金属膜が設けられており、各レーザ素子２０はＡｕ−Ｓｎ等の導電層により各サブマウント７０に固定されている。
図３及び図４に示すように、各レーザ素子２０は、ワイヤ６０（金属細線）により、リードピン１３と電気的に接続されている。ここでは、リードピン１３の下方にはレーザ素子が配置されていないサブマウント８０が配置されている。そして、Ｘ方向に並ぶ２以上のレーザ素子２０のうちの一端に配置されたレーザ素子２０とサブマウント８０とをワイヤ６０により電気的に接続し、サブマウント８０とリードピン１３とをワイヤ６０により電気的に接続している。これにより、ワイヤ６０の長さが長くなることを低減できるため、ワイヤ６０の破断を抑制しやすくなる。サブマウント８０の材料は、サブマウント７０と同様のものを用いることができる。
図５に示すように、本体部１１の上面であって枠部１２の内側には１以上の光反射体９０が配置されている。光反射体９０は、各レーザ素子２０から出射される光を透光部３２に向けて反射させるものである。ここでは、レーザ素子２０の数と同じ数の光反射体９０が、サブマウント７０を介することなく本体部１１に固定されている。光反射体９０を用いることにより、各レーザ素子２０からの光が光反射体９０を経由することなく透光部３２に直接照射される場合に比較して、各レーザ素子の光出射端面からレンズ体４０の光入射面までの光の行路を長くすることができるため、光反射体９０と各レーザ素子２０との実装ずれによる影響を小さくすることができる。
光反射体９０としては、少なくとも一面に光反射面を有する光学素子を用いる。光学素子としては、主材が石英若しくはＢＫ７等のガラス、アルミニウム等の金属、又はＳｉ等の熱に強い材料からなり、光反射面が金属や誘電体多層膜等の反射率の高い材料からなるものを用いることができる。
（蓋体３０）
枠部１２の上面には、蓋体３０が固定されている。蓋体３０は、上方から視て枠部１２の内側で開口した支持部３１と、開口を塞ぐ透光部３２と、を有する。蓋体３０に関する以下の説明では、「平行」とは基準面に対して完全に平行なものだけではなく、１０度以下で傾くものも含まれる。また、「垂直」とは基準面に対して完全に垂直なものだけではなく、１０度以下で傾くものも含まれる。
支持部３１の材料は、枠部１２と溶接しやすくするために、比較的熱伝導率の低い材料を用いる。例えば、枠部１２で例示した材料と同様の材料を用いることができる。発光装置２００では、基体１０と蓋体３０とにより、レーザ素子２０が配置された空間は気密封止された空間となっている。
支持部３１は、図４に示すように、枠部１２の上面に固定される第１部位３１ａと、第１部位３１ａの内側において第１部位３１ａよりも低い位置に設けられた、レンズ体４０が配置される第２部位３１ｂと、第２部位３１ｂの内側において第２部位３１ｂよりも低い位置に設けられた、透光部３２が配置される第３部位３１ｃと、を少なくとも有する。図４に示すように、第１部位３１ａ〜第３部位３１ｃは、本体部１１の下面と平行な領域を含むことが好ましい。これにより、枠部１２への固定や、レンズ体４０及び透光部３２の固定を容易に行うことができる。なお、第２部位３１ｂは平坦な領域を含まなくてもよい。
発光装置２００では、支持部３１は、上方から視て第２部位３１ｂと第３部位３１ｃとの間に、第２部位３１ｂよりも低い位置で且つ第３部位３１ｃよりも高い位置に設けられた第４部位３１ｄを有する。これにより、支持部３１と透光部３２とを第１接合材３３を用いて接合する際に、第１接合材３３が第２部位３１ｂに這い上がることを低減することができ、レンズ体４０を固定しやすくなる。第４部位３１ｄは、本体部１１の下面と平行な領域を含む。なお、第４部位３１ｄはなくてもよい。つまり、第２部位３１ｂと第３部位３１ｃとが後述する第６部位３１ｆにより繋げられていてもよい。
支持部３１は、第１部位３１ａと第２部位３１ｂとを繋ぐ第５部位３１ｅを有することができる。発光装置２００では、第５部位３１ｅは、枠部１２から内側に離間した位置において、第２部位３１ｂよりも低い位置で下に凸となるように屈曲している。言い換えると、第５部位３１ｅは、枠部１２に接しないように、第１部位３１ａから第２部位３１ｂよりも低い位置まで延伸してから内側上方に屈曲して第２部位３１ｂに接続されるように設けられている。これにより、第５部位３１ｅのうちの下方に延伸する領域で弾性変形して応力を吸収させやすくできる。さらに、上方に屈曲する領域で物理的な強度を確保することができるため、レンズ体４０や透光部３２の破損を低減できる。また、第５部位３１ｅに屈曲する領域を設けることにより、過剰な第２接合材５０をとどめることができる。第２接合材と第１接合材とが接触すると、レーザ素子からの光が第２接合材に当たり、第２接合材が劣化する可能性があるところ、発光装置２００によれば、第２接合材５０を外側に寄せて配置することにより第２接合材５０が内側に入って第１接合材３３と接触することを抑制することができる。第５部位３１ｅの最上部から最下部までの長さは、例えば、１．５ｍｍ以上４ｍｍ以下の範囲内とすることができる。第５部位３１ｅの最下部は、第３部位３１ｃの最下部よりも低いことが好ましい。これにより、第５部位３１ｅの最上部から最下部までの長さを長くできるため、応力を吸収しやすくすることができる。
支持部３１は、第２部位３１ｂと第４部位３１ｄとを繋ぐ第６部位３１ｆを有する。第６部位３１ｆは、内側から外側に向かって広がるように傾斜した領域を含む。このとき、本体部１１の下面に対して垂直な面から３０度以下の範囲で傾斜していることが好ましい。これにより、第４部位３１ｄと第２部位３１ｂとを繋ぐ第６部位３１ｆをある程度急峻な領域とすることができるため、第１接合材３３の第２部位３１ｂへの這い上がりを低減しやすくなる。
支持部３１は、第３部位３１ｃと第４部位３１ｄとを繋ぐ第７部位３１ｇを有する。これにより、透光部３２の位置合わせを行いやすくなる。第７部位３１ｇは本体部の下面に対して垂直な面から１５度以下の範囲で傾斜する領域を含むことが好ましい。これにより、第１接合材３３の第４部位３１ｄへの這い上がりを低減しやすくなる。
支持部３１は、比較的薄く、一定の厚みで構成されることが好ましい。つまり、支持部３１は薄板であることが好ましい。これにより、支持部３１をプレス加工にて製造することができるので、製造時におけるコストを低減することができる。例えば、支持部３１の厚みは全体的に、０．０３ｍｍ以上０．２ｍｍ以下の範囲内であることが好ましく、０．０５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の範囲内であることがより好ましい。発光装置２００では、支持部３１のうちの少なくとも枠部１２に固定されている領域を除く領域は、一定の厚みで構成されている。つまり、第２部位３１ｂ〜第７部位３１ｇは同じ厚みである。なお、第１部位３１ａを枠部１２に溶接で固定する場合は、その部分が若干薄くなる場合もある。ここでいう厚みとは、第１部位３１ａ〜第４部位３１ｄは上下方向、第５部位３１ｅ〜第７部位３１ｇは左右方向の長さである。また、ここでいう「同じ厚み」には、±１０％以下の厚みの差は含まれる。
透光部３２は、支持部３１の開口を塞ぐように、第３部位３１ｃに固定されている。ここでは、第３部位３１ｃの上面に透光部３２が固定されており、透光部３２の外縁が、上方から視て開口の外縁よりも外側に位置するように設けられている。
発光装置２００では、透光部３２の材料として、ガラスを用いている。このほかに、例えば、サファイアを用いることができる。透光部３２の厚み（上下方向の長さ）は、０．５ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲内であることが好ましい。前述の下限値以上とすることにより透光部３２の強度を確保することができ、前述の上限値以下とすることにより光反射体９０からレンズ体４０までの距離を小さくすることができる。
透光部３２は、第１接合材３３により支持部３１に固定されている。第１接合材３３としては、透光部３２及び支持部３１に比較的近い熱膨張係数を有する材料を用いることができる。第１接合材３３は、レーザ素子２０への集塵を低減するために、無機材料であることが好ましい。第１接合材３３としては、例えば、低融点のガラスを用いることができる。
（レンズ体４０）
レンズ体４０は、透光部３２から上方に離間して配置され、レーザ素子２０からの光の配光を制御する。レンズ体４０は、支持部３１の第１部位３１ａの内縁よりも内側に固定されている。これにより、第１部位３１ａの上面に他の部材を固定しやすくなる。例えば、図６及び図７に示すように、レンズ体４０への集塵を低減するために、第１部位３１ａの上面に筒状の導光部材１００を固定し、導光部材１００の端部を蓋１１０で覆うことができる。つまり、導光部材１００の一端と第１部位３１ａとが固定され、導光部材１００の他端と蓋１１０とが固定されている。これにより、比較的大きな塵等がレンズ体４０に付着することを低減することができる。支持部３１と導光部材１００と蓋１１０とにより構成される空間は、気密封止された空間とすることが好ましい。これにより、レンズ体４０が配置される空間に比較的小さな塵が侵入することを抑制することができるため、発光装置２００の信頼性を向上させることができる。
発光装置２００では、筒状の導光部材１００として、内部に中空が設けられた四角錘台のものを用いている。なお、筒状の導光部材１００として、内部に中空が設けられた四角柱のものや、内部に中空が設けられた円柱のもの等を用いてもよい。また、図６及び図７では、導光部材１００として、導光部材１００の一端から他端に向かって幅が狭くなるものを用いているが、一端から他端に向かって同じ幅の中空が設けられているものや、一端から他端に向かって幅が広くなるものを用いてもよい。蓋１１０としては、透光性のものを用いることができ、例えば、ガラスやサファイア等を用いることができる。支持部３１と導光部材１００と蓋１１０とにより構成される空間内には、波長変換部材やレンズ等の部材が配置されていてもよい。
発光装置２００では、レンズ体４０として、レンズ体４０に設けられたレンズ部４１を通過する光が平行光に近づくコリメートレンズを用いている。なお、ここでいうコリメートレンズは、レンズ部４１で光を完全に平行にするものも含む。
レンズ体４０と透光部３２との熱膨張係数差はできるだけ小さいことが好ましい。これにより、透光部３２の破損を低減しやすくなる。レンズ体４０と透光部３２との熱膨張係数差は、例えば、５×１０-6/℃以下とすることができ、２×１０-6/℃以下とすることが好ましい。レンズ体４０としては、ショット製の「Ｂ２７０」や「ＢＫ７」（硼珪酸ガラス）などのガラス等を用いることができる。
図２に示すように、レンズ体４０は、上方から視て、複数のレンズ部４１と、複数のレンズ部４１を取り囲む非レンズ部４２と、を有する。ここでは、複数のレンズ部４１及び非レンズ部４２は同じ材料により、一体で構成されている。そして、図４に示すように、非レンズ部４２と第２部位３１ｂとが第２接合材５０により接続されている。これにより、レーザ光が第２接合材５０に当たることを低減しながら、レンズ体４０を支持部３１に固定することができる。上方から視て、第２部位３１ｂは、枠部１２の内縁に沿うように設けられており、レンズ体４０は第２部位３１ｂにおいて枠状に固定されている。つまり、発光装置２００における上下方向のどの断面においても、レンズ体４０は、枠部１２の内側において支持部３１に固定されている。これにより、枠部１２が外側に広がるように引っ張られてもレンズ体４０で広がりを抑えることができるため、透光部３２の破損を低減できる。なお、レンズ体４０の全体の熱膨張係数が透光部３２の熱膨張係数に近いもので、レンズ部４１と非レンズ部４２とは別材料により構成されているものをレンズ体４０として用いてもよい。
レンズ部４１は、レーザ光の広がりの小さい方向において、隣り合うレンズ部と連続して設けられている。つまり、レンズ部４１は、Ｘ方向において連続して設けられている。これにより、レンズ体４０を小さくすることができ、発光装置２００全体として小さくすることができる。
第２接合材５０は、第１接合材３３よりもヤング率が小さい材料であることが好ましい。第２接合材５０は、第１接合材３３よりも枠部１２に近い領域に設けられるため応力がかかりやすくなるが、比較的ヤング率の小さい材料を用いることにより第２接合材５０やレンズ体４０の破損を低減することができる。第２接合材５０としては、樹脂を用いることが好ましく、紫外線硬化型の樹脂を用いることがより好ましい。紫外線硬化型の樹脂を用いることにより、第２接合材５０が硬化されるまでの時間を考慮しながらレンズ体４０を調整する必要がなくなるため、レンズ体４０の位置を正確に調整しやすくなる。なお、図４において、第２接合材５０が、支持部３１において応力を緩和させる第５部位３１ｅに接しているが、第２部位３１ｂにのみ設けられていてもよい。このように、第５部位３１ｅに接する場合でも、ヤング率の小さい材料を用いているため、第５部位３１ｅでの応力緩和の効果を得ることができると考えられる。
実施形態に記載の発光装置２００は、プロジェクタ等に使用することができる。
１０…基体
１１…本体部
１２…枠部
１３…リードピン
２０…レーザ素子
３０…蓋体
３１…支持部
３１ａ…第１部位
３１ｂ…第２部位
３１ｃ…第３部位
３１ｄ…第４部位
３１ｅ…第５部位
３１ｆ…第６部位
３１ｇ…第７部位
３２…透光部
３３…第１接合材
４０…レンズ体
４１…レンズ部
４２…非レンズ部
５０…第２接合材
６０…ワイヤ
７０、８０…サブマウント
９０…光反射体
１００…導光部材
１１０…蓋
２００…発光装置

Claims (7)

  1. 本体部と、前記本体部の上面に設けられた枠部と、を有する基体と、
    前記枠部の内側であって前記本体部の上面に設けられた１以上のレーザ素子と、
    前記枠部の上面に固定され且つ前記枠部の内側に開口が設けられた支持部と、前記開口を塞ぐように設けられた透光部と、を有する蓋体と、
    前記透光部の上方に配置されるレンズ体と、を備える発光装置であって、
    前記支持部は、
    前記枠部の上面に固定される第１部位と、
    前記第１部位の内側において前記第１部位よりも低い位置に設けられた、前記レンズ体が配置される第２部位と、
    前記第２部位の内側において前記第２部位よりも低い位置に設けられた、前記透光部が配置される第３部位と、を有し、
    前記透光部と前記レンズ体との熱膨張係数差は、前記透光部と前記本体部との熱膨張係数差よりも小さいことを特徴とする発光装置。
  2. 前記支持部は、上方から視て前記第２部位と前記第３部位との間に、前記第２部位よりも低い位置で且つ前記第３部位よりも高い位置に設けられた第４部位を有していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記支持部は、前記枠部から内側に離間した位置において、前記第１部位と前記第２部位とを繋ぐ第５部位を有し、
    前記第５部位は、前記第２部位よりも低い位置で下に凸となるように屈曲していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記本体部の上面には、前記１以上のレーザ素子として２以上のレーザ素子が配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記透光部は、第１接合材で固定されており、
    前記レンズ体は、前記第１接合材よりもヤング率が小さい第２接合材で固定されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記第１接合材はガラスであり、
    前記第２接合材は樹脂であることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
  7. 前記蓋体における前記第１部位の上面に、その一端が固定された筒状の導光部材と、
    前記導光部材の他端を覆うように固定された蓋と、を備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
JP2017230216A 2017-11-30 2017-11-30 発光装置 Active JP6687008B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017230216A JP6687008B2 (ja) 2017-11-30 2017-11-30 発光装置
US16/203,477 US10608406B2 (en) 2017-11-30 2018-11-28 Light emitting device
US16/794,476 US10965097B2 (en) 2017-11-30 2020-02-19 Light emitting device
JP2020050785A JP6897830B2 (ja) 2017-11-30 2020-03-23 発光装置
US17/169,224 US11367994B2 (en) 2017-11-30 2021-02-05 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017230216A JP6687008B2 (ja) 2017-11-30 2017-11-30 発光装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020050785A Division JP6897830B2 (ja) 2017-11-30 2020-03-23 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019102582A true JP2019102582A (ja) 2019-06-24
JP6687008B2 JP6687008B2 (ja) 2020-04-22

Family

ID=66632783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017230216A Active JP6687008B2 (ja) 2017-11-30 2017-11-30 発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (3) US10608406B2 (ja)
JP (1) JP6687008B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022259889A1 (ja) * 2021-06-10 2022-12-15 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 光源装置
JP7417121B2 (ja) 2021-10-29 2024-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114122902A (zh) * 2020-08-27 2022-03-01 青岛海信激光显示股份有限公司 激光器
JP7008122B1 (ja) 2020-12-22 2022-01-25 日機装株式会社 光半導体装置および光半導体装置の製造方法

Citations (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55162286A (en) * 1979-05-31 1980-12-17 Philips Nv Coupling element
JPS59228615A (ja) * 1983-06-10 1984-12-22 Ricoh Co Ltd レンズ組立方法
JPS6156685U (ja) * 1984-09-19 1986-04-16
JPH06151628A (ja) * 1992-10-30 1994-05-31 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体素子用セラミック容器
JPH10256648A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Hitachi Ltd レーザダイオード・モジュール
JP2002270944A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JP2002289958A (ja) * 2001-03-26 2002-10-04 Kyocera Corp 光半導体装置
JP2004014579A (ja) * 2002-06-03 2004-01-15 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JP2004335533A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Canon Inc マルチチップパッケージ
JP2005093675A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Kyocera Corp 蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージ
JP2007157920A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd レンズキャップの製造方法及びこれに用いるレンズキャップ組立治具
WO2011040250A1 (ja) * 2009-09-29 2011-04-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 アクチュエータ、駆動装置、およびカメラモジュール
WO2013027669A1 (ja) * 2011-08-22 2013-02-28 京セラ株式会社 光半導体装置
JP2014095796A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Ricoh Co Ltd 光偏向装置及び画像投影装置
JP2014522086A (ja) * 2011-08-02 2014-08-28 シカト・インコーポレイテッド 優先的に照射される色変換面を有するｌｅｄベース照明モジュール
JP2015118967A (ja) * 2013-12-17 2015-06-25 新光電気工業株式会社 金属キャップ及び発光装置
US20150270682A1 (en) * 2014-03-24 2015-09-24 Osram Gmbh Light source arrangement
JP2015195330A (ja) * 2013-08-26 2015-11-05 京セラ株式会社 光学装置用カバー部材および光学装置
WO2016042819A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 京セラ株式会社 電子素子実装用基板および電子装置
JP2016219779A (ja) * 2015-05-20 2016-12-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017034242A (ja) * 2015-07-28 2017-02-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2017139444A (ja) * 2016-01-29 2017-08-10 セイコーエプソン株式会社 光源装置、光源装置の製造方法およびプロジェクター
JP2017523467A (ja) * 2014-07-23 2017-08-17 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドＨｅｐｔａｇｏｎ Ｍｉｃｒｏ Ｏｐｔｉｃｓ Ｐｔｅ． Ｌｔｄ． 縦方向アライメント機構を含む発光体および光検出モジュール
JP2017201684A (ja) * 2016-04-28 2017-11-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN107404063A (zh) * 2016-05-19 2017-11-28 日亚化学工业株式会社 发光装置及发光装置用封装体

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0454174B1 (en) * 1990-04-27 1997-03-05 Omron Corporation Light emitting semiconductor device with Fresnel lens
JP2008092532A (ja) * 2006-10-05 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置とその製造方法および携帯電話装置
CN106568002A (zh) * 2009-05-28 2017-04-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有封闭光源的罩的照明设备
CN102473813B (zh) * 2009-07-30 2015-02-04 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
KR101973395B1 (ko) * 2012-08-09 2019-04-29 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
JP6539950B2 (ja) * 2014-06-17 2019-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
US9746160B2 (en) * 2015-07-28 2017-08-29 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
WO2017123151A1 (en) * 2016-01-11 2017-07-20 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules having features for improved alignment and reduced tilt
JP6294418B2 (ja) * 2016-09-01 2018-03-14 日機装株式会社 光半導体装置および光半導体装置の製造方法

Patent Citations (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55162286A (en) * 1979-05-31 1980-12-17 Philips Nv Coupling element
JPS59228615A (ja) * 1983-06-10 1984-12-22 Ricoh Co Ltd レンズ組立方法
JPS6156685U (ja) * 1984-09-19 1986-04-16
JPH06151628A (ja) * 1992-10-30 1994-05-31 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体素子用セラミック容器
JPH10256648A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Hitachi Ltd レーザダイオード・モジュール
JP2002270944A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JP2002289958A (ja) * 2001-03-26 2002-10-04 Kyocera Corp 光半導体装置
JP2004014579A (ja) * 2002-06-03 2004-01-15 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JP2004335533A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Canon Inc マルチチップパッケージ
JP2005093675A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Kyocera Corp 蓋体およびこれを用いた光半導体素子収納用パッケージ
JP2007157920A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd レンズキャップの製造方法及びこれに用いるレンズキャップ組立治具
WO2011040250A1 (ja) * 2009-09-29 2011-04-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 アクチュエータ、駆動装置、およびカメラモジュール
JP2014522086A (ja) * 2011-08-02 2014-08-28 シカト・インコーポレイテッド 優先的に照射される色変換面を有するｌｅｄベース照明モジュール
WO2013027669A1 (ja) * 2011-08-22 2013-02-28 京セラ株式会社 光半導体装置
JP2014095796A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Ricoh Co Ltd 光偏向装置及び画像投影装置
JP2015195330A (ja) * 2013-08-26 2015-11-05 京セラ株式会社 光学装置用カバー部材および光学装置
JP2015118967A (ja) * 2013-12-17 2015-06-25 新光電気工業株式会社 金属キャップ及び発光装置
US20150270682A1 (en) * 2014-03-24 2015-09-24 Osram Gmbh Light source arrangement
JP2017523467A (ja) * 2014-07-23 2017-08-17 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドＨｅｐｔａｇｏｎ Ｍｉｃｒｏ Ｏｐｔｉｃｓ Ｐｔｅ． Ｌｔｄ． 縦方向アライメント機構を含む発光体および光検出モジュール
WO2016042819A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 京セラ株式会社 電子素子実装用基板および電子装置
JP2016219779A (ja) * 2015-05-20 2016-12-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017034242A (ja) * 2015-07-28 2017-02-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2017139444A (ja) * 2016-01-29 2017-08-10 セイコーエプソン株式会社 光源装置、光源装置の製造方法およびプロジェクター
JP2017201684A (ja) * 2016-04-28 2017-11-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN107404063A (zh) * 2016-05-19 2017-11-28 日亚化学工业株式会社 发光装置及发光装置用封装体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022259889A1 (ja) * 2021-06-10 2022-12-15 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 光源装置
JP7417121B2 (ja) 2021-10-29 2024-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210159665A1 (en) 2021-05-27
US11367994B2 (en) 2022-06-21
US10608406B2 (en) 2020-03-31
US20200185881A1 (en) 2020-06-11
JP6687008B2 (ja) 2020-04-22
US10965097B2 (en) 2021-03-30
US20190165542A1 (en) 2019-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6225976B2 (ja) 発光装置
JP2019102582A (ja) 発光装置
JP6504193B2 (ja) 発光装置
JP6361293B2 (ja) 半導体レーザ装置
US8897334B2 (en) Light emitting device
JP6705462B2 (ja) 発光装置
JP6146506B2 (ja) 半導体レーザ装置及びこの半導体レーザ装置を用いたバックライト装置
JP6737760B2 (ja) 発光装置及びそれに用いる蓋体
US20210203128A1 (en) Optical member holding device, semiconductor laser device, method of manufacturing optical member holding device, and method of manufacturing semiconductor laser device
JP6168207B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2023096036A (ja) 発光装置
JP2023014090A (ja) 光源装置
JP2018117088A (ja) 反射部材付基板及びその製造方法
JP7060830B2 (ja) 発光装置
JP6724357B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP6897830B2 (ja) 発光装置
JP7288221B2 (ja) 発光装置
US9746160B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
JP2020113718A (ja) 発光装置およびその製造方法
WO2016203789A1 (ja) レーザ装置、及び、レーザ装置の製造方法
JP2008004896A (ja) 半導体レーザ装置およびパッケージ
KR102329776B1 (ko) 금속 벌크를 포함하는 발광 소자
JP2015065293A (ja) 光学素子実装モジュール、および光学素子実装モジュールの製造方法
JP2020126948A (ja) 発光装置、パッケージ、及び、基部
JP7506341B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180626

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200303

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200316

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6687008

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250