JP2008004896A - 半導体レーザ装置およびパッケージ - Google Patents

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博信 宮坂
Koichi Matsushita
孝一 松下
Masanori Yamada
正憲 山田
Kazuya Tsunoda
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Abstract

【課題】 半導体レーザ素子と受光素子との十分な光学的結合を有する半導体レーザ装置およびパッケージを提供する。
【解決手段】 リードフレーム11上にサブマウント12を介して載置された半導体レーザ素子14と、リードフレーム11上に半導体レーザ素子14と離間して載置され、半導体レーザ素子14の一端面から放射されるモニタ光21を受光する受光素子15と、半導体レーザ素子14と受光素子15とを覆い、リードフレーム11と反対側に凸状の湾曲面16a、16bおよびリードフレーム11側に凸状の湾曲面16c、16dを有する透明樹脂16とを具備する。
湾曲面16c、16dで反射したモニタ光21を多重反射させて、受光素子15に入射させる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、光出力をモニタするための受光素子を内蔵した半導体レーザ装置およびパッケージに関する。
半導体レーザ装置はDVD(Digital Versatile Disk)やCD(Compact Disk)の記録・再生装置の光ピックアップヘッドの光源として用いられている。半導体レーザ装置では、光出力の安定化を図るために、受光素子により光出力をモニタし、光出力が一定になるように半導体レーザ素子の駆動電流にフィードバックしている。
そのため、光出力をモニタする受光素子を内蔵した半導体レーザ装置においては、半導体レーザ素子と受光素子との光学的結合を確実に行う必要がある(例えば特許文献1参照。)。
特許文献1に開示された半導体レーザ装置は、段差を有するシリコン基板と、段差の上面に載置された半導体レーザ素子と、段差の下面に載置されたモニタ用受光素子と、シリコン基板上に受光素子と半導体レーザ素子を覆うように設けられた透明樹脂と、樹脂の表面に密着する反射層とを具備している。
透明樹脂と空気との界面において半導体レーザ素子の後方出力光を反射させ、モニタ用受光素子に入射させている。
更に、半導体レーザ素子とモニタ用受光素子との実装位置に段差を設け、樹脂と空気との界面における反射率を高めることにより後方出力光の利用効率を高めている。
然しながら、特許文献1に開示された半導体レーザ装置は、透明樹脂で反射された光は全てモニタ用受光素子に入射するわけではなく、モニタ用受光素子に入射しなかった反射光はシリコン基板により散乱あるいは吸収されて消散してしまうという問題がある。その結果、半導体レーザ素子と受光素子との光学的結合が不足する恐れがある。
従って、できるだけ多くの反射光をモニタ用受光素子に入射させるためには、モニタ用受光素子のサイズが大きくなるという問題がある。
特開2000−269584号公報
本発明は、半導体レーザ素子と受光素子との十分な光学的結合を有する半導体レーザ装置およびパッケージを提供する。
本発明の一態様の半導体レーザ装置は、支持基台上に台座を介して載置された半導体レーザ素子と、前記支持基台上に前記半導体レーザ素子と離間して載置され、前記半導体レーザ素子の一端面から放射されるレーザ光を受光する受光素子と、前記半導体レーザ素子と前記受光素子とを覆い、前記支持基台側および前記支持基台と反対側にそれぞれ凸状の湾曲面を有する透明樹脂とを具備することを特徴としている。
また、本発明の一態様のパッケージは、台座を介して半導体レーザ素が載置され、前記半導体レーザ素と離間して前記半導体レーザ素子の一端面から放射されるレーザ光を受光する受光素子が載置されるリードフレームと、前記リードフレームの下面を露出して前記リードフレームをモールドするとともに、前記リードフレームのマウントベッド側が開口され、前記リードフレームのリードピン側に第1反射板を有する筐体と、前記筐体に冠着されるとともに、前記リードフレームのマウントベッド側が開口され、前記リードフレームのリードピン側に第2反射板を有する蓋体とを具備することを特徴としている。
本発明によれば、半導体レーザ素子と受光素子との十分な光学的結合を有する半導体レーザ装置およびパッケージを提供することができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
本発明の実施例1に係る半導体レーザ装置について、図1乃至図3を用いて説明する。図1は半導体レーザ装置を示す断面図、図2は半導体レーザ装置の一部が切り欠きされた斜視図、図3は半導体レーザ装置の効果を比較例と対比して示す図で、図3(a)が本実施例を示す図、図3(b)が比較例を示す図である。
図1および図2に示すように、本実施例の半導体レーザ装置10は、リードフレーム(支持基台)11と、リードフレーム11の一側のマウントベッド12上に絶縁性のサブマウント(台座)13を介してフェースダウンで載置された半導体レーザ素子14と、半導体レーザ素子14と離間してマウントベッド12上に載置された受光素子15と、半導体レーザ素子14の後部と受光素子15の上部を覆うドーム状の透明樹脂16とを具備している。
更に、リードフレーム11の下面を露出させて、リードフレーム11をモールドするとともに、半導体レーザ素子14側にレーザビーム17を外部に放射するための開口を有する筐体18と、筐体18に冠着されるとともに、半導体レーザ素子14側に開口を有する蓋体19とを具備している。
リードフレーム11の他側のリードピン20は、筐体18の内部で屈曲して側面から外部に延伸し、半導体レーザ素子14および受光素子15を外部に電気的に接続している。
リードフレーム11は、例えばニッケル(Ni)メッキされた銅(Cu)である。絶縁性サブマウント13は、熱伝導率の高い絶縁部材、例えばAlN、SiCなどのセラミックスにより形成され、半導体レーザ素子14において発生した熱を放散するヒートシンクの役割を有している。
半導体レーザ素子14は、端面放射型の半導体レーザ素子、例えばInGaAlP系の赤色半導体レーザ素子である。受光素子15は、表面入射型の受光素子、例えばシリコンフォトダイオードである。
ドーム状の透明樹脂16は、例えば屈折率が1.5程度のシリコーン樹脂であり、蓋体19側に凸状の湾曲面16aおよび湾曲面16bと、リードフレーム11側に凸状の湾曲面16cおよび湾曲面16dとを有している。
更に、ドーム状の透明樹脂16の頂部は蓋体19の内面に当接し、透明樹脂16の底部はリードフレーム11と離間している。
半導体レーザ素子14から放射されるレーザビームの断面形状は、例えば縦方向の広がり角度が40〜50°程度、横方向の広がり角度が20〜30°程度で、素子の厚さ方向を長軸とする楕円状である。
半導体レーザ素子14の後端面からモニタ光21がドーム状の透明樹脂16内へ放射されると、モニタ光21は透明樹脂16の内面に入射する角度θが全反射角(〜42°)より大きい場合に樹脂と空気の界面で全反射され、小さい場合に一部は反射され、多くは透過して外部に消散する。
樹脂と空気の界面で反射されたモニタ光21は、直接あるいは多重反射されてリードフレーム11側に向かい、多くは受光素子15に入射するが(実線)、一部は受光素子15を外れる。
受光素子15を外れたモニタ光21(破線)は、リードフレーム11側に凸状の湾曲面16c、16dで反射され、多くは蓋体19側の中央部付近に向かう。
蓋体19側の中央部付近に向かった反射光は、蓋体19側に凸状の湾曲面16a、16bによりリードフレーム11側に反射されて受光素子15に向かう確率が高くなる。
その結果、透明樹脂16の凸状の湾曲面16a、16b、16c、16dにより、受光素子15に入射するモニタ光21を増加させることが可能である。
即ち、図3(a)に示すように、本実施例では、湾曲面16aでリードフレーム11側に反射され、受光素子15を外れたモニタ光21aは、湾曲面16dで蓋体19側に反射される多重反射を経て、受光素子15に入射する。
同様に、湾曲面16bでリードフレーム11側に反射され、受光素子15を外れたモニタ光21bは、湾曲面16cで蓋体19側に反射される多重反射を経て、受光素子15に入射する。
一方、図3(b)に示すように、従来例では、受光素子15を外れたモニタ光21a、21bは、蓋体19側に反射されないので、リードフレーム11で散乱されて受光素子15に入射することなく消失してしまう。
次に、半導体レーザ装置10の製造方法について説明する。図4乃至図7は半導体レーザ装置10の製造工程を順に示す断面図である。
始に、図4に示すように、リードフレーム11の下面を露出させて樹脂モールドされた筐体18を形成する。
次に、図5に示すように、リードフレーム11のマウントベッド12上に、例えばハンダ層(図示せず)を介して絶縁性のサブマウント13を接合する。
サブマウント13上に、例えば金錫共晶のはんだ層(図示せず)を介して半導体レーザ14をフェースダウンで接合する。本明細書では、半導体レーザ素子の発光領域がサブマウント側になるように載置する場合をフェースダウンと言う。
半導体レーザ14と離間して、マウントベッド12上に、例えばハンダ層(図示せず)を介して受光素子15を接合する。
次に、半導体レーザ素子14および受光素子15を、例えば金ワイヤ(図示せず)によりワイヤボンディングして、リードフレーム11のリードピン20にそれぞれ電気的に接続する。
次に、図6に示すように、リードフレーム11および筐体18の向きを上下反転した状態で、ディスペンサ40によりシリコン樹脂41を半導体レーザ素子14の後部と受光素子15の上部を覆うように注入する。
ディスペンサ40のノズル42は、ピストン43の押し下げ方向に対して斜めに傾いている。
ノズル42をリードフレーム11の横方向から半導体レーザ素子14と受光素子15の間辺りに挿入し、ピストン43を押し下げてシリコン樹脂41を注入する。
注入されたシリコン樹脂41は、ゲル状で粘度が高いので、垂れ落ちることなく半導体レーザ素子14の後部と受光素子15の上部を覆うように広がる。
このとき、シリコン樹脂41は自重で徐々に垂れ下がりながら、表面張力で全体的に丸みを帯びたドーム状になる。
次に、注入したシリコン樹脂41をキュアすることにより、下側に凸状の湾曲面16a、16bを有し、リードフレーム11側に凸状の湾曲面16c、16dを有するドーム状の透明樹脂16が形成される。
次に、図7に示すように、リードフレーム11および筐体18の向きを元に戻して、筐体18に蓋体19を冠着することにより、図1に示すような半導体レーザ装置10が完成する。
以上説明したように、本実施例の半導体レーザ装置10は、半導体レーザ素子14の後部と受光素子15の上部を覆い、蓋体19側に凸状の湾曲面16a、16bおよびリードフレーム11側に凸状の湾曲面16c、16dを有するドーム状の透明樹脂16を具備している。
その結果、ドーム状の透明樹脂16内部での多重反射を経て、より多くのモニタ光21を受光素子15に取り込むことができる。
従って、半導体レーザ素子14と受光素子15との十分な光学的結合を有する半導体レーザ装置10を提供することができる。
また、目的の光学的結合が得られる範囲内であれば、受光素子15のサイズを小さくすることもできる。これにより、半導体レーザ装置10を小型化することができる利点がある。
図8は、本発明の実施例2に係る半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。本実施例において、上記実施例1と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
本実施例が実施例1と異なる点は、筐体および蓋体に反射板を形成したことにある。
即ち、図8に示すように、本実施例の半導体レーザ装置50は、内側に凹状の反射板51(第1反射板)が形成された筐体52と、内側に凹状の反射板53(第2反射板)が形成された蓋体54と有するパッケージに、半導体レーザ素子14および受光粗15を収納している。
反射板51はドーム状の透明樹脂16の湾曲面16cに密着し、反射板53はドーム状の透明樹脂16の湾曲面16bに密着している。
これにより、ドーム状の透明樹脂16の湾曲面16c、16bに入射し、入射角度が全反射角度より小さいモニタ光21に対して樹脂と空気の界面の反射率が高くなるので、更に多くのモニタ光21を受光素子15に取り込むことが可能である。
次に、半導体レーザ装置50の製造方法について説明する。始に凹状の反射板51を有し、リードフレーム11の下面を露出させて樹脂モールドされた筐体52を形成する。
次に、リードフレーム11のマウントベッド12上にサブマウント13、半導体レーザ素子14、受光素子15を載置した後、ワイヤボンディングを行う。
次に、リードフレーム11および筐体52の向きを上下反転した状態で、ディスペンサ40によりシリコン樹脂41を半導体レーザ素子14の後部、受光素子15の上部、および反射板51を覆うように注入する。
次に、この状態で、反射板53を有する蓋体54を下から筐体52に重ね合わせ、シリコン樹脂41を反射板51と反射板53で挟み込むことにより、シリコン樹脂41と反射板51とを密着させ、シリコン樹脂41と反射板53とを密着させる。
次に、注入したシリコン樹脂41をキュアすることにより、下側に凸状の湾曲面16a、と反射板53に密着した湾曲面16bと、リードフレーム11側に凸状の湾曲面16dと、反射板51に密着した湾曲面16cとを有するドーム状の透明樹脂16が形成される。
次に、リードフレーム11および筐体52の向きを元に戻して、筐体52に蓋体54を冠着することにより、半導体レーザ装置50が完成する。
以上説明したように、本実施例の半導体レーザ装置50は、ドーム状の透明樹脂16の湾曲面16cに密着した反射板51と、湾曲面16bに密着した反射板53とを具備している。
その結果、ドーム状の透明樹脂16の湾曲面16c、16bに入射したモニタ光21の樹脂と空気の界面での反射率が向上し、更に多くのモニタ光21を受光素子15に取り込むことができる利点がある。
反射板52、54の形状は、半導体レーザ素子14と受光素子15との最適な光学的結合が得られるように、予め光線追跡法等により定めておくことができる。
従って、湾曲面16b、16cが常に一定の形状となるので、光学的結合が安定する利点がある。
反射板51、53の反射率は高いほど光学的結合が向上するので、筐体52および蓋体54を白色系の樹脂で形成することが望ましい。
また、反射板51、53の凹面に、反射率の高い金属膜、例えばアルミニウム膜や金膜を真空蒸着法あるいはスパッタ法などによりを形成しておくことが更に望ましい。
図9は本発明の実施例3に係る半導体レーザ装置を示す図で、図9(a)は半導体レーザ装置の一部が切り欠きされた斜視図、図9(b)は半導体レーザ装置の要部を示す断面図である。
本実施例において、上記実施例1と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
本実施例が実施例1と異なる点は、半導体レーザ素子と受光素子を直角に配置したことにある。
即ち、図9(a)に示すように、本実施例の半導体レーザ装置60は、リ−ドピン61が電気的に絶縁されて植設された金属製のステム62に半導体レーザ素子14およびモニタ用受光素子15が固定されている。
半導体レーザ素子14はマウントベース64にマウントされ、ステム62の対向側にレーザビーム17を取り出すようにステム62と垂直に固定されている。
また、受光素子15は、半導体レーザ素子14の下方においてステム62に固定され、半導体レーザ素子14と直角に配置されている。
これら半導体レーザ素子14および受光素子15は、ワイヤ等によりリードピン61と電気的に接続されている。
また、金属製のキャップ65が半導体レーザ素子14、受光素子15を内包してステム62に封着されている。
キャップ65の頂部には、レーザビームを取り出すためのウィンドウガラス66が設けられ、半導体レーザ素子14からのレーザビーム17は、半導体レーザ素子14の一方の端面からウィンドウガラス66を通して外部に向けて放射され、他方の端面からのモニタ光21は、光出力を制御するための受光素子15に入射する。
図9(b)に示すように、半導体レーザ装置60は、半導体レーザ素子14と受光素子15の間に、半導体レーザ素子14の後部と受光素子15の表面を覆うドーム状の透明樹脂67を具備している。
ドーム状の透明樹脂67は、上側に凸状の湾曲面67aおよび下側に凸状の湾曲面67bを有し、上面および下面がともにステム62と離間している。
半導体レーザ素子14の後端面からモニタ光21がドーム状の透明樹脂67内へ放射されると、半導体レーザ素子14の後端面と受光素子15の表面は対向しているので、多くのモニタ光21は直接受光素子15に入射するが(実線)、一部は受光素子15を外れる(破線)。
受光素子15を外れたモニタ光21は、凸状の湾曲面67a、67bで反射され、受光素子15側に向かうので、受光素子15に入射するモニタ光21を増加させることが可能である。
以上説明したように、本実施例の半導体レーザ装置60は、半導体レーザ素子14の後端面と受光素子15の表面が対向するように配置され、半導体レーザ素子14の後部と受光素子15の表面との間に、上側および下側の両方に凸状の湾曲面67a、67b有するドーム状の透明樹脂67を具備している。
その結果、ドーム状の透明樹脂67内部での反射により、より多くのモニタ光21を受光素子15に取り込むことができる利点がある。
ここでは、透明樹脂67の形状がドーム状である場合ついて説明したが、楕円体状とすることもできる。図10は楕円体状の透明樹脂を有する半導体レーザ装置の要部を示す断面図である。
図10に示すように、半導体レーザ装置70は、半導体レーザ素子14と、受光素子15を覆う楕円体状の透明樹脂71を有し、半導体レーザ素子14のモニタ光21の出射面が楕円体状の透明樹脂71の第1焦点72に配置され、受光素子15の受光面が楕円体状の透明樹脂71の第2焦点73に配置されている。
第1焦点72を出発し、楕円体状の透明樹脂71の湾曲面71a、71bで反射した光は全て第2焦点73に集光するので、更に多くのモニタ光21を受光素子15に入射させることができる。
その結果、十分な光学的結合が得られるとともに、受光素子のサイズを小さくすることができる利点がある。
本発明の実施例1に係る半導体レーザ装置を示す断面図。 本発明の実施例1に係る半導体レーザ装置の外囲器の一部が切り欠きされた斜視図。 本発明の実施例1に係る半導体レーザ装置の効果を、比較例と対比して示す図で、図3(a)が本実施例を示す図、図3(b)が比較例を示す図。 本発明の実施例1に係る半導体レーザ装置の製造工程を順に示す断面図。 本発明の実施例1に係る半導体レーザ装置の製造工程を順に示す断面図。 本発明の実施例1に係る半導体レーザ装置の製造工程を順に示す断面図。 本発明の実施例1に係る半導体レーザ装置の製造工程を順に示す断面図。 本発明の実施例2に係る半導体レーザ装置を示す断面図。 本発明の実施例3に係る半導体レーザ装置を示す図で、図9(a)は半導体レーザ装置の一部が切り欠きされた斜視図、図9(b)は半導体レーザ装置の要部を示す断面図。 本発明の実施例3に係る他の半導体レーザ装置の要部を示す断面図。
符号の説明
10、50、60、70 半導体レーザ装置
11 リードフレーム(支持基台)
12 マウントベッド
13 サブマウント(台座)
14 半導体レーザ
15 受光素子
16、67、71 透明樹脂
16a、16b、16c、16d、67a、67b、71a、71b 湾曲面
17 レーザビーム
18、52 筐体
19、54 蓋体
20、61 リードピン
21 モニタ光
40 ディスペンサ
41 シリコーン樹脂
42 ノズル
43 ピストン
51、53 反射板
62 ステム
64 マウントベース
65 キャップ
66 ウィンドウガラス
72、73 焦点

Claims (5)

  1. 支持基台上に台座を介して載置された半導体レーザ素子と、
    前記支持基台上に前記半導体レーザ素子と離間して載置され、前記半導体レーザ素子の一端面から放射されるレーザ光を受光する受光素子と、
    前記半導体レーザ素子と前記受光素子とを覆い、前記支持基台側および前記支持基台と反対側にそれぞれ凸状の湾曲面を有する透明樹脂と、
    を具備することを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. 前記透明樹脂が前記支持基台と離間していることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
  3. 前記透明樹脂の形状がドーム状、または楕円体状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
  4. 前記支持基台側に前記透明樹脂の凸状の湾曲面に密着する第1反射板と、前記支持基台と反対側に前記透明樹脂の凸状の湾曲面に密着する第2反射板を具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
  5. 台座を介して半導体レーザ素が載置され、前記半導体レーザ素と離間して前記半導体レーザ素子の一端面から放射されるレーザ光を受光する受光素子が載置されるリードフレームと、
    前記リードフレームの下面を露出して前記リードフレームをモールドするとともに、前記リードフレームのマウントベッド側が開口され、前記リードフレームのリードピン側に第1反射板を有する筐体と、
    前記筐体に冠着されるとともに、前記リードフレームのマウントベッド側が開口され、前記リードフレームのリードピン側に第2反射板を有する蓋体と、
    を具備することを特徴とするパッケージ。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108923246A (zh) * 2018-09-30 2018-11-30 Oppo广东移动通信有限公司 一种激光模组及终端设备
JP2019068066A (ja) * 2017-09-28 2019-04-25 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP2019192832A (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 株式会社デンソー 光学装置およびその製造方法
CN110828439A (zh) * 2018-08-08 2020-02-21 光宝光电(常州)有限公司 光源装置及可携式通讯设备

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019068066A (ja) * 2017-09-28 2019-04-25 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP7174230B2 (ja) 2017-09-28 2022-11-17 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP2019192832A (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 株式会社デンソー 光学装置およびその製造方法
JP7052532B2 (ja) 2018-04-26 2022-04-12 株式会社デンソー 光学装置およびその製造方法
CN110828439A (zh) * 2018-08-08 2020-02-21 光宝光电(常州)有限公司 光源装置及可携式通讯设备
CN108923246A (zh) * 2018-09-30 2018-11-30 Oppo广东移动通信有限公司 一种激光模组及终端设备

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