JP2019071333A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】プラズマエッチング時におけるデバイスの損傷を抑制できるウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】表面に格子状の分割予定ラインが形成され、該分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、紫外線吸収剤が混入された樹脂材で、分割予定ラインに沿って溝を形成する領域を除いたウエーハの表面を覆い、ウエーハの表面にマスク層を形成するマスク層形成ステップＳ２と、エッチングガスとしてフッ素系安定ガスを用いて該マスク層側から該ウエーハをプラズマエッチングし、該ウエーハに該分割予定ラインに沿った溝を形成するプラズマエッチングステップＳ３と、該プラズマエッチングステップＳ３を実施した後、該マスク層を除去するマスク層除去ステップＳ４と、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、ウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
交差する複数の分割予定ラインによって区画された領域にそれぞれデバイスが形成された半導体ウエーハの分割には、通常、ダイシング装置やレーザー加工装置が用いられる。ダイシング装置は、破砕加工であるため、カケ（チッピング）が発生しやすく、分割されたチップの抗折強度が低くなったり、加工時間が比較的長くなったりするという問題がある。また、レーザー加工装置は、カケが少なく切り代もほとんど無いという利点があるが、チップ同士が隣接しているため、その後の搬送時にチップ同士がこすれてカケを発生させてしまうという問題がある。これらの問題を解決するために、従来、プラズマエッチングを利用してウエーハを個々のチップに分割するプラズマダイシングによる加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。プラズマダイシングでは、保護膜で分割予定ライン以外の領域（デバイス）を保護した状態で、分割予定ラインをプラズマエッチングすることにより、個々のチップに分割されている。この加工方法によれば、ウエーハの直径が大きくなっても、分割予定ラインに沿って溝を形成する加工時間が変わらず、抗折強度の高いチップが形成できるという利点がある。
特開２００１−１２７０１１号公報
ところで、プラズマエッチングをする際には、ウエーハを所定のチャンバ内部に搬入し、このチャンバ内で、ウエーハに対してエッチングガスを供給しつつ、高周波電圧を印加することでエッチングガスをプラズマ化させ、このプラズマが分割予定ラインに沿った溝を形成する。デバイスは、保護膜によって保護されているものの、プラズマエッチング中にエッチングガスがプラズマ化した際に発光する紫外線によって、デバイスが損傷する恐れがあることが判明した。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、プラズマエッチング時におけるデバイスの損傷を抑制できるウエーハの加工方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、表面に格子状の分割予定ラインが形成され、該分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、紫外線吸収剤が混入された材料で、該分割予定ラインに沿って溝を形成する領域を除いたウエーハの表面を覆い、ウエーハの表面にマスク層を形成するマスク層形成ステップと、エッチングガスとしてフッ素系安定ガスを用いて該マスク層側から該ウエーハをプラズマエッチングし、該ウエーハに該分割予定ラインに沿った溝を形成するプラズマエッチングステップと、該プラズマエッチングステップを実施した後、該マスク層を除去するマスク層除去ステップと、を備え、該紫外線吸収剤は、該エッチングガスがプラズマ化して発生する紫外線を吸収し該デバイスを該紫外線から保護するものである。
この構成によれば、エッチングガスがプラズマ化して発生する紫外線は、マスク層に混入された紫外線吸収剤によって吸収されるため、紫外線からデバイスを保護することができ、プラズマエッチング時におけるデバイスの損傷を抑制できる。
この構成において、該マスク層は、水溶性液状樹脂に紫外線吸収剤を混入した水溶性保護膜であり、該マスク層除去ステップでは、洗浄水で該マスク層を除去してもよい。この構成によれば、マスク層の形成及び除去を容易に行うことができる。
また、該紫外線吸収剤は、酸化物または窒化物の微粒子であってもよい。また、該紫外線吸収剤は、水溶性紫外線吸収剤であってもよい。この構成によれば、マスク層に紫外線吸収剤を容易に混入することができる。
また、該マスク層形成ステップは、ウエーハの表面を該材料で覆った後、該ウエーハと該材料に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、該材料を除去する構成としてもよい。
また、該デバイスは、イメージセンサであってもよい。この構成によれば、光を検知して信号を出力するイメージセンサを紫外線から保護することができ、プラズマエッチング時におけるイメージセンサの損傷を効果的に抑制できる。
本発明によれば、エッチングガスがプラズマ化して発生する紫外線は、マスク層に混入された紫外線吸収剤によって吸収されるため、紫外線からデバイスを保護することができ、プラズマエッチング時におけるデバイスの損傷を抑制できる。
図１は、加工対象となるウエーハを示す斜視図である。 図２は、ウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。 図３は、ウエーハの加工方法における保護部材貼着ステップを示す斜視図である。 図４は、ウエーハの加工方法におけるマスク層形成ステップの前段工程を示す側断面図である。 図５は、マスク層形成ステップの後段工程を示す側断面図である。 図６は、マスク層が形成されたウエーハの部分拡大側断面図である。 図７は、ウエーハの加工方法におけるプラズマエッチングステップで用いられるプラズマエッチング装置の一例を示す断面図である。 図８は、プラズマエッチングステップでエッチングされた状態を示すウエーハの側断面図である。 図９は、エッチングにより溝が形成されたウエーハの部分拡大側断面図である。 図１０は、ウエーハの加工方法におけるマスク層除去ステップを示す側断面図である。
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
本実施形態に係るウエーハの加工方法を図面を参照して説明する。図１は、加工対象となるウエーハを示す斜視図であり、図２は、ウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。本実施形態において、加工対象となるウエーハ１００は、シリコンを母材とする円板状の半導体ウエーハやサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などを母材とする光デバイスウエーハである。ウエーハ１００は、図１に示すように、表面１０１に形成された格子状の分割予定ライン１０２によって区画された複数の領域にデバイス１０３が形成されている。
ウエーハ１００は、例えば、外径が３００ｍｍであり、デバイス１０３の大きさが一辺が５ｍｍ程度である。デバイス１０３は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）やＣＭＯＳ（complementary metal oxide semiconductor）などのイメージセンサである。ウエーハ１００は、裏面１０４に貼着されたダイシングテープ（保護部材）１０５を介して、環状フレーム１０６に支持されている。
本実施形態のウエーハの加工方法は、ウエーハ１００を分割予定ライン１０２に沿って切断して、ウエーハ１００をデバイスチップ（不図示）に分割（個片化ともいう）する方法であり、デバイスチップの製造方法でもある。ウエーハ１００の加工方法は、図２に示すように、保護部材貼着ステップＳ１と、マスク層形成ステップＳ２と、プラズマエッチングステップＳ３と、マスク層除去ステップＳ４とを備える。
保護部材貼着ステップＳ１は、ウエーハ１００の裏面１０４に保護部材としてのダイシングテープ１０５を貼着するステップである。本実施形態では、図３に示すように、ウエーハ１００の裏面１０４を、外周に環状フレーム１０６が貼着されたダイシングテープ１０５に対向させた後、図１に示すように、ダイシングテープ１０５にウエーハ１００の裏面１０４を貼着する。
マスク層形成ステップＳ２は、紫外線を吸収する紫外線吸収剤が混入された材料で、分割予定ライン１０２の領域を除いたウエーハ１００の表面１０１を覆うマスク層５０を形成するステップである。マスク層形成ステップＳ２は、ウエーハ１００の表面１０１の全面をマスク層５０で覆う前段工程と、分割予定ライン１０２の領域のマスク層５０を除去する後段工程とを有する。マスク層形成ステップＳ２は、図４に示すように、前段工程として、ダイシングテープ１０５を介してウエーハ１００の裏面１０４をスピンコータ１０のスピンナーテーブル１１に吸引保持し、環状フレーム１０６をクランパ１２によりクランプする。この状態で、スピンナーテーブル１１を軸心回りに回転させつつ塗布ノズル１３から液状樹脂１４をウエーハ１００の表面１０１の中央部に滴下する。滴下された液状樹脂１４は、スピンナーテーブル１１の回転により発生する遠心力によって、ウエーハ１００の表面１０１上を中心側から外周側に向けて流れていき、ウエーハ１００の表面１０１の全面にいきわたる。その後、回転を継続して液状樹脂１４を所定の厚さに形成し、回転乾燥させる。また、必要に応じて、ウエーハ１００の表面１０１において液状樹脂１４を、例えばベーキングすることにより硬化させて表面１０１の全面を覆うマスク層５０を形成する。
液状樹脂１４としては、例えば、ＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）やＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などの水溶性液状樹脂を使用する。この液状樹脂１４には、紫外線を吸収する紫外線吸収剤が分散されて混入されている。紫外線吸収剤としては、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化鉄（III）（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化セリウム（IV）（ＣｅＯ２）、酸化銅（I）（Ｃｕ２Ｏ）、酸化銅（II）（ＣｕＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などの金属酸化物の微粒子の中から、少なくとも一以上が選択され、本実施形態では、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）が選択される。金属酸化物の平均粒径は、例えば１０〜５０［ｎｍ］に調整され、液状樹脂１４に対する金属酸化物の濃度は、例えば、１〜１０［％］程度、より望ましくは、２〜５［％］とするとよい。
続いて、後段工程として、全面にマスク層５０が形成されたウエーハ１００に表面１０１側からレーザー光線２３Ａを分割予定ライン１０２に沿って照射し、アブレーション加工によって、分割予定ライン１０２に沿った領域のマスク層５０を除去する。具体的には、図５に示すように、ダイシングテープ１０５を介して、ウエーハ１００の裏面１０４を、レーザー加工装置２０のチャックテーブル２１に吸引保持し、環状フレーム１０６をクランパ２２によりクランプする。この状態で、レーザー加工装置２０の図示しない赤外線カメラによりウエーハ１００の表面１０１を撮像して、分割予定ライン１０２の位置を割り出した後、レーザー光線照射手段２３とチャックテーブル２１とを分割予定ライン１０２に沿って相対的に移動させながら、レーザー光線照射手段２３からレーザー光線２３Ａを分割予定ライン１０２に沿って照射する（アブレーション加工）。
上記したアブレーション加工は、例えば下記の加工条件で実施する。レーザー光線の波長は、ウエーハ１００と液状樹脂１４とに対して吸収性を有する波長が採用される。この加工条件は、一例であり、これに限るものではない。
[加工条件]
レーザー光線 ：ＹＡＧ／ＹＶＯ４
波長 ：３５５ｎｍ
平均出力 ：０．５Ｗ
繰り返し周波数 ：２００ｋＨｚ
照射スポット径 ：φ１０μｍ
保持テーブルの送り速度：１００ｍｍ／ｓ
このような加工条件に基づき、アブレーション加工を実施すると、図６に示すように、分割予定ライン１０２に相当する領域のマスク層５０が除去され、少なくともデバイス１０３を含む領域にマスク層５０が残存する。このようにして、ウエーハ１００の表面１０１に水溶性保護膜からなるマスク層５０（エッチングマスク）が形成される。このアブレーション加工では、ウエーハ１００の表面１０１における分割予定ライン１０２の表層部分１０２Ａをマスク層５０と共に除去してもよい。ウエーハ１００の種類によっては、分割予定ライン１０２上にデバイス１０３の評価用素子であるＴＥＧ（Test Element Group）が設けられていることがある。このＴＥＧは、金属で形成されているため、プラズマエッチングステップＳ３にて該ＴＥＧがマスクとして作用するおそれがある。このため、アブレーション加工により、分割予定ライン１０２の表層部分１０２Ａまで除去することで、ＴＥＧを除去することができ、プラズマエッチングを効果的に実行することができる。
プラズマエッチングステップＳ３は、マスク層５０が形成されたウエーハ１００に対して、ウエーハ１００の表面１０１側からプラズマエッチングするステップである。このプラズマエッチングにより、マスク層５０が除去された表面１０１の分割予定ライン１０２の領域がエッチングされて、ウエーハ１００は個々のデバイスチップ（チップ）１１０に分割される。プラズマエッチングステップＳ３は、図７に示すプラズマエッチング装置３０のシャッター３１を下降させて開口部３２を開口させた状態で、開口部３２からウエーハ１００をチャンバ３３の内部に進入し、表面１０１が図７中の上を向いて露出した状態でチャックテーブル３４に静電吸着される。この状態で、シャッター３１により開口部３２を閉め、ガス排出部３５の作動によりチャンバ３３の内部を減圧排気する。
次に、エッチングガス供給手段３６を下降させ、ガス供給部３７からガス流通孔３８にエッチングガスとしてフッ素系安定ガスを供給し、エッチングガス供給手段３６の下面の噴出部３９からエッチングガスを噴出させる。そして、高周波電源４０からエッチングガス供給手段３６とチャックテーブル３４との間に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ化させる。また、ウエーハ１００にバイアス電圧を印加して、プラズマ中のイオンをウエーハ１００の表面１０１に引き込んでエッチングする。これにより、図８に示すように、ウエーハ１００は、表面１０１から裏面１０４に向けてウエーハ１００厚み分だけエッチングされる。具体的には、図９に示すように、表面１０１のうち、マスク層５０で被覆されていない部分、すなわち、分割予定ライン１０２に相当する領域の下方のみをエッチングして所望の深さの溝５１が形成されて、個々のデバイスチップ１１０に分割される。
本実施形態では、エッチングガスとして、六フッ化硫黄（ＳＦ６）または四フッ化炭素（ＣＦ４）のフッ素系安定ガスが用いられる。ただし、これ以外にも、六フッ化エタン（Ｃ２Ｆ６）、テトラフルオロエチレン（Ｃ２Ｆ４）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）等のうち少なくとも一つのフッ素系安定ガスを用いてもよい。
マスク層除去ステップＳ４は、主としてデバイス１０３を覆うマスク層５０を除去するステップである。マスク層除去ステップＳ４は、図１０に示すように、ダイシングテープ１０５を介してウエーハ（各デバイスチップ１１０）の裏面を洗浄装置４０のスピンナーテーブル４１に吸引保持し、環状フレーム１０６をクランパ４２によりクランプする。この状態で、スピンナーテーブル４１を軸心回りに回転させつつ洗浄ノズル４３から洗浄水４４をウエーハの表面に向けて供給する。供給された洗浄水４４は、スピンナーテーブル４１の回転により発生する遠心力によって、各デバイスチップ１１０の表面上を中心側から外周側に向けて流れていき、各デバイスチップ１１０の表面を覆ったマスク層５０を溶解し、表面が露出した状態のデバイスチップ１１０が残存する。なお、洗浄水４４としては、例えば純水を用いることができる。最後に、残存したデバイスチップ１１０をピックアップして終了する。
ところで、上記した六フッ化硫黄（ＳＦ６）または四フッ化炭素（ＣＦ４）等のフッ素系安定ガスをエッチングガスとして用いた場合、これらのエッチングガスがプラズマ化した際に紫外線（紫外光）を発生する。この発生した紫外線は、マスク層５０に混入された紫外線吸収剤によって吸収されることにより保護され、紫外線によるデバイス１０３の損傷を抑制することができる。一方、デバイス１０３がイメージセンサである場合、イメージセンサは、光を検出して光量に対応する信号を出力するため、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスと比べて、紫外線による損傷が生じやすい。本実施形態では、例えば、液状樹脂１４としてＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）、紫外線吸収剤として酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物を用いて、液状樹脂１４に対する紫外線吸収剤の濃度（重量％濃度）を、１〜１０［％］程度、より望ましくは、２〜５［％］としたことにより、紫外線によるイメージセンサ（デバイス１０３）の損傷を抑制することができる。
以上、説明したように、本実施形態は、表面１０１に格子状の分割予定ライン１０２が形成され、該分割予定ライン１０２に区画された複数の領域にデバイス１０３が形成されたウエーハ１００の加工方法であって、紫外線吸収剤が混入された樹脂材で、分割予定ライン１０２に沿って溝５１を形成する領域を除いたウエーハ１００の表面１０１を覆い、ウエーハ１００の表面１０１にマスク層５０を形成するマスク層形成ステップＳ２と、エッチングガスとしてフッ素系安定ガスを用いて該マスク層５０側から該ウエーハ１００をプラズマエッチングし、該ウエーハ１００に該分割予定ライン１０２に沿った溝５１を形成するプラズマエッチングステップＳ３と、該プラズマエッチングステップＳ３を実施した後、該マスク層５０を除去するマスク層除去ステップＳ４と、を備え、該紫外線吸収剤は、該エッチングガスがプラズマ化して発生する紫外線を吸収し該デバイス１０３を該紫外線から保護するため、紫外線からデバイス１０３を保護することができ、プラズマエッチング時におけるデバイス１０３の損傷を抑制できる。
また、本実施形態によれば、マスク層５０は、水溶性液状樹脂に紫外線吸収剤を混入した水溶性保護膜であり、該マスク層除去ステップＳ４では、洗浄水４４で該マスク層５０を除去するため、マスク層５０の形成及び除去を容易に行うことができる。
また、本実施形態によれば、紫外線吸収剤は、金属酸化物の微粒子であるため、マスク層５０に紫外線吸収剤を容易に混入することができる。
また、本実施形態によれば、マスク層形成ステップＳ２は、ウエーハ１００の表面１０１を水溶性液状樹脂に紫外線吸収剤を混入した樹脂材で覆った後、ウエーハ１００と樹脂材に対して吸収性を有する波長のレーザー光線２３Ａを該分割予定ライン１０２に沿って照射し、マスク層５０を除去するため、分割予定ライン１０２に相当する領域を除いたウエーハ１００の表面１０１を覆うマスク層５０を容易に形成することができる。
また、本実施形態によれば、デバイス１０３は、光を検知して信号を出力するイメージセンサであるため、このイメージセンサを紫外線から保護することができ、プラズマエッチング時におけるイメージセンサの損傷を効果的に抑制できる。
別の実施形態について説明する。上記した実施形態では、紫外線吸収剤として金属酸化物の微粒子を用いた構成を説明したが、紫外線吸収剤として金属窒化物の微粒子を用いることもできる。金属窒化物としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、窒化ハフニウム（ＨｆＮ）、六方晶窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）などの微粒子の中から、少なくとも一以上が選択される。金属窒化物の平均粒径は、例えば１０〜５０［ｎｍ］に調整され、液状樹脂１４に対する金属窒化物の濃度は、例えば、１〜１０［％］程度、より望ましくは、２〜５［％］とすることが好ましい。
また、紫外線吸収剤として水溶性紫外線吸収剤を用いることもできる。水溶性紫外線吸収剤としては、例えば４，４’−ジカルボキシベンゾフェノン、ベンゾフェノン−４−カルボン酸、２−カルボキシアントラキノン、１，２−ナフタリンジカルボン酸、１，８−ナフタリンジカルボン酸、２，３−ナフタリンジカルボン酸、２，６−ナフタリンジカルボン酸、２，７−ナフタリンジカルボン酸等及びこれらのソーダ塩、カリウム塩、アンモニウム塩、第４級アンモニウム塩等、２，６−アントラキノンジスルホン酸ソーダ、２，７−アントラキノンジスルホン酸ソーダ、フェルラ酸などのうち少なくとも一以上が選択される。液状樹脂１４に対する金属窒化物の濃度は、例えば、１〜１０［％］程度、より望ましくは、２〜５［％］とすることが好ましい。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本実施形態では、マスク層形成ステップとして、マスク層５０は、水溶性液状樹脂に紫外線吸収剤を混入した樹脂材をスピンコートによって形成する構成としたが、紫外線吸収剤が予め混入されたシート状のマスクをウエーハ１００の表面１０１に貼着し、分割予定ライン１０２に相当する領域のマスクを除去することでマスク層５０を形成してもよい。また、本実施形態では、プラズマエッチングステップＳ３では、プラズマエッチングにより、ウエーハ１００の表面１０１から裏面１０４までの深さの溝５１を形成してデバイスチップ１１０に分割しているが、表面１０１側から所望の深さの溝を形成し、裏面１０４側を研削することにより、デバイスチップ１１０に分割してもよい。
１１ スピンナーテーブル
１３ 塗布ノズル
１４ 液状樹脂
２１ チャックテーブル
２３ レーザー光線照射手段
２３Ａ レーザー光線
３０ プラズマエッチング装置
４１ スピンナーテーブル
４３ 洗浄ノズル
４４ 洗浄水
５０ マスク層
５１ 溝
１００ ウエーハ
１０１ 表面
１０２ 分割予定ライン
１０３ デバイス
１０４ 裏面
１０５ ダイシングテープ
１０６ 環状フレーム
１１０ デバイスチップ

Claims (6)

  1. 表面に格子状の分割予定ラインが形成され、該分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
    紫外線吸収剤が混入された材料で、該分割予定ラインに沿って溝を形成する領域を除いたウエーハの表面を覆い、ウエーハの表面にマスク層を形成するマスク層形成ステップと、
    エッチングガスとしてフッ素系安定ガスを用いて該マスク層側から該ウエーハをプラズマエッチングし、該ウエーハに該分割予定ラインに沿った溝を形成するプラズマエッチングステップと、
    該プラズマエッチングステップを実施した後、該マスク層を除去するマスク層除去ステップと、を備え、
    該紫外線吸収剤は、該エッチングガスがプラズマ化して発生する紫外線を吸収し該デバイスを該紫外線から保護するウエーハの加工方法。
  2. 該マスク層は、水溶性液状樹脂に紫外線吸収剤を混入した水溶性保護膜であり、該マスク層除去ステップでは、洗浄水で該マスク層を除去する請求項１に記載のウエーハの加工方法。
  3. 該紫外線吸収剤は、酸化物または窒化物の微粒子である請求項１又は２に記載のウエーハの加工方法。
  4. 該紫外線吸収剤は、水溶性紫外線吸収剤である請求項１又は２に記載のウエーハの加工方法。
  5. 該マスク層形成ステップは、ウエーハの表面を該材料で覆った後、該ウエーハと該材料に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、該材料を除去する請求項１乃至４のいずれか一項に記載のウエーハの加工方法。
  6. 該デバイスは、イメージセンサである請求項１乃至５のいずれか一項に記載のウエーハの加工方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020188153A (ja) * 2019-05-15 2020-11-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂組成物、樹脂被覆基板および素子チップの製造方法
JP2021005605A (ja) * 2019-06-25 2021-01-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの洗浄方法、素子チップの洗浄装置ならびに素子チップの製造方法
JP2021057404A (ja) * 2019-09-27 2021-04-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2021100078A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂塗布装置、樹脂膜形成方法ならびに素子チップの製造方法
JP2021108338A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂塗布装置、樹脂膜形成方法ならびに素子チップの製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7258416B2 (ja) * 2018-12-06 2023-04-17 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法、デバイスチップの製造方法
US11211247B2 (en) * 2020-01-30 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Water soluble organic-inorganic hybrid mask formulations and their applications
US11587834B1 (en) * 2020-06-29 2023-02-21 Plasma-Therm Llc Protective coating for plasma dicing

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140311A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法
JP2008288570A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Dongbu Hitek Co Ltd イメージセンサの製造方法
JP2013081963A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Disco Corp ダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法
JP2015015332A (ja) * 2013-07-04 2015-01-22 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
JP2015528212A (ja) * 2012-07-13 2015-09-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェハダイシングのためのレーザ、プラズマエッチング、及び裏面研削プロセス
JP2016207737A (ja) * 2015-04-17 2016-12-08 株式会社ディスコ 分割方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4387007B2 (ja) 1999-10-26 2009-12-16 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの分割方法
US20140273401A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Wei-Sheng Lei Substrate laser dicing mask including laser energy absorbing water-soluble film
US9355964B2 (en) * 2014-03-10 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming alignment marks and structure of same
US11158540B2 (en) * 2017-05-26 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Light-absorbing mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140311A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法
JP2008288570A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Dongbu Hitek Co Ltd イメージセンサの製造方法
JP2013081963A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Disco Corp ダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法
JP2015528212A (ja) * 2012-07-13 2015-09-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェハダイシングのためのレーザ、プラズマエッチング、及び裏面研削プロセス
JP2015015332A (ja) * 2013-07-04 2015-01-22 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
JP2016207737A (ja) * 2015-04-17 2016-12-08 株式会社ディスコ 分割方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020188153A (ja) * 2019-05-15 2020-11-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂組成物、樹脂被覆基板および素子チップの製造方法
JP7316638B2 (ja) 2019-05-15 2023-07-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂組成物、樹脂被覆基板および素子チップの製造方法
JP2021005605A (ja) * 2019-06-25 2021-01-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの洗浄方法、素子チップの洗浄装置ならびに素子チップの製造方法
JP7296601B2 (ja) 2019-06-25 2023-06-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの洗浄方法および素子チップの製造方法
JP2021057404A (ja) * 2019-09-27 2021-04-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7300953B2 (ja) 2019-09-27 2023-06-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2021100078A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂塗布装置、樹脂膜形成方法ならびに素子チップの製造方法
JP7390614B2 (ja) 2019-12-23 2023-12-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂塗布装置、樹脂膜形成方法ならびに素子チップの製造方法
JP2021108338A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂塗布装置、樹脂膜形成方法ならびに素子チップの製造方法
JP7390615B2 (ja) 2019-12-27 2023-12-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂塗布装置、樹脂膜形成方法ならびに素子チップの製造方法

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