JP2021057404A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態に係るウエーハ10の加工方法について、図面に基づいて説明する。まず、実施形態の加工対象を含むフレームユニット1の構成について説明する。図1は、実施形態に係るウエーハ10の加工方法の加工対象を含むフレームユニット1の一例を示す斜視図である。
図3は、図2に示された水溶性樹脂被覆ステップST1の一例を一部断面で示す側面図である。図4は、図3の水溶性樹脂被覆ステップST1後の一状態を示すウエーハ10の要部の断面図である。水溶性樹脂被覆ステップST1は、図3および図4に示すように、ウエーハ10の表面12を水溶性樹脂35で覆うステップである。
図5は、図2に示されたマスク形成ステップST2の一例を一部断面で示す側面図である。図6は、図5のマスク形成ステップST2後の一状態を示すウエーハ10の要部の断面図である。マスク形成ステップST2は、図5および図6に示すように、レーザー光線45をウエーハ10の表面12のストリート13に沿って照射して水溶性樹脂35を除去すると共にレーザー加工溝18を形成し水溶性樹脂35でマスク17を形成するステップである。
図7は、図2に示された水分付与ステップST3の一例を一部断面で示す側面図である。図8は、図7の水分付与ステップST3後の一状態を示すウエーハ10の要部の断面図である。水分付与ステップST3は、図7および図8に示すように、ウエーハ10に表面結露を発生させて、レーザー光線45の照射により水分が減少して薄くなったレーザー加工溝18の縁181の周辺部分171のマスク17に水分を付与するステップである。
図9は、図2に示されたプラズマエッチングステップST4の一例を模式的に示すウエーハ10の要部の断面図である。図10は、図9のプラズマエッチングステップST4後の一状態を示すウエーハ10の要部の断面図である。図11は、図9のプラズマエッチングステップST4後の別の一状態を示すウエーハ10の要部の断面図である。プラズマエッチングステップST4は、図9、図10および図11に示すように、マスク17を介してウエーハ10の表面12側からプラズマ状態のガス60を供給し、マスク17から露出したレーザー加工溝18をプラズマエッチングするステップである。
図12は、図2に示されたマスク洗浄ステップST5の一例を一部断面で示す側面図である。マスク洗浄ステップST5は、図12に示すように、マスク17を液体75で洗浄して除去するステップである。
10 ウエーハ
11 基板
12 表面
13 ストリート
14 デバイス
15 裏面
16 機能層
17 マスク
18 レーザー加工溝
19 エッチング溝
30 スピンコーター
35 水溶性樹脂
40 レーザー加工装置
45 レーザー光線
50 冷却装置
55 水分を含む雰囲気
60 ガス
70 洗浄装置
75 液体
Claims (3)
- ストリートで区画された表面の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面を水溶性樹脂で覆う水溶性樹脂被覆ステップと、
該水溶性樹脂で覆われたウエーハの表面にウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該ストリートに沿って照射し、該ストリートに沿って該水溶性樹脂を除去すると共にレーザー加工溝を形成し、ウエーハの表面に該水溶性樹脂でマスクを形成するマスク形成ステップと、
該マスク形成ステップ実施後、ウエーハに表面結露を発生させ、またはウエーハに水蒸気をあて、該レーザー光線の照射により該レーザー加工溝の縁で水分の減少により薄くなった該水溶性樹脂の該マスクに水分を付与し、該マスクの厚さを調整する水分付与ステップと、
該水分付与ステップ実施後、該マスクを介してウエーハの表面側からプラズマ状態のガスを供給し、該マスクから露出した該レーザー加工溝をプラズマエッチングするプラズマエッチングステップと、
該プラズマエッチングステップ実施後、該マスクを液体で洗浄して除去するマスク洗浄ステップと、
を備え、
該水分付与ステップでは、該レーザー加工溝の縁から該水溶性樹脂が表面張力ではみ出さない量の水分が付与されることを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該水分付与ステップは、水分を含む雰囲気より低温に調整された該ウエーハを該雰囲気中に配置し、結露によって該水溶性樹脂に水分を付与する
請求項1に記載のウエーハの加工方法。 - 該水分付与ステップは、該ウエーハをミストを含む雰囲気中に配置して該水溶性樹脂に水分を付与する
請求項1に記載のウエーハの加工方法。
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