JP2021057404A

JP2021057404A - ウエーハの加工方法

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Publication number: JP2021057404A
Application number: JP2019177511A
Authority: JP
Inventors: 宏行高橋; Hiroyuki Takahashi; 健志岡崎; Kenji Okazaki; 駿宏玉井; Toshihiro Tamai; 吉輝西田; Yoshiteru Nishida; 晋横尾; Susumu Yokoo
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2019-09-27
Filing date: 2019-09-27
Publication date: 2021-04-08
Anticipated expiration: 2039-09-27
Also published as: JP7300953B2

Abstract

【課題】プラズマエッチング時のマスクをレーザー加工溝の縁まで機能させることができるウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウエーハの加工方法は、ウエーハ表面を水溶性樹脂で覆う水溶性樹脂被覆ステップＳＴ１と、レーザー光線をウエーハ表面のストリートに照射して水溶性樹脂を除去すると共にレーザー加工溝を形成し水溶性樹脂でマスクを形成するマスク形成ステップＳＴ２と、ウエーハに表面結露を発生させまたは水蒸気をあて、レーザー加工溝の縁から水溶性樹脂が表面張力ではみ出さない量の水分を付与し、レーザー加工溝の縁で水分の減少により薄くなった水溶性樹脂のマスクの厚さを調整する水分付与ステップＳＴ３と、ウエーハの表面側からプラズマ状態のガスを供給し、マスクから露出したレーザー加工溝をプラズマエッチングするプラズマエッチングステップＳＴ４と、マスクを液体で洗浄して除去するマスク洗浄ステップＳＴ５と、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、ウエーハの加工方法に関する。

切削ブレードやレーザー光線により半導体デバイスが形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割する従来の加工方法は、１ラインずつ加工するため、特に小チップデバイスの場合、加工時間が非常に長くなるという問題があった。そこで、プラズマエッチングによってウエーハをダイシングする、所謂プラズマダイシング技術が考案された。

また、切削ブレードで切削すると剥離してしまうＬｏｗ−ｋ膜等の材料でデバイスが形成されているデバイスウェーハを、レーザー光線でＬｏｗ−ｋ膜を剥離せず除去した後、Ｌｏｗ−ｋ膜を除去した領域に切削ブレードやレーザー光線で加工し、デバイスウェーハを分割する技術が知られている。しかしながら、この技術は、Ｌｏｗ−ｋ膜の除去で形成されたレーザー加工溝の周辺が熱の影響で変質し、分割によって得られたデバイスチップの抗折強度を低下させてしまうという問題があった。そこで、レーザー加工溝の熱影響層をプラズマエッチングで除去する技術が考案された。

特開２０１６−２０７７３７号公報

上記のプラズマエッチングに利用されるマスクは、レーザー加工の前にウエーハに塗布される水溶性樹脂が、除去も容易であるため有力である。しかしながら、レーザー光線の熱や発生するデブリの影響で、レーザー加工溝の縁における水溶性樹脂の層が薄くなることによって、レーザー加工溝がエッチングされるよりも先に水溶性樹脂の層がエッチングされて除去されてしまうことがある。これにより、水溶性樹脂の層がマスクとして機能できなくなるため、エッチング不要な領域やデバイスまでエッチングされてしまう恐れがあった。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、プラズマエッチング時のマスクをレーザー加工溝の縁まで機能させることができるウエーハの加工方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、ストリートで区画された表面の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面を水溶性樹脂で覆う水溶性樹脂被覆ステップと、該水溶性樹脂で覆われたウエーハの表面にウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該ストリートに沿って照射し、該ストリートに沿って該水溶性樹脂を除去すると共にレーザー加工溝を形成し、ウエーハの表面に該水溶性樹脂でマスクを形成するマスク形成ステップと、該マスク形成ステップ実施後、ウエーハに表面結露を発生させ、またはウエーハに水蒸気をあて、該レーザー光線の照射により該レーザー加工溝の縁で水分の減少により薄くなった該水溶性樹脂の該マスクに水分を付与し、該マスクの厚さを調整する水分付与ステップと、該水分付与ステップ実施後、該マスクを介してウエーハの表面側からプラズマ状態のガスを供給し、該マスクから露出した該レーザー加工溝をプラズマエッチングするプラズマエッチングステップと、該プラズマエッチングステップ実施後、該マスクを液体で洗浄して除去するマスク洗浄ステップと、を備え、該水分付与ステップでは、該レーザー加工溝の縁から該水溶性樹脂が表面張力ではみ出さない量の水分が付与されることを特徴とする。

該水分付与ステップは、水分を含む雰囲気より低温に調整された該ウエーハを該雰囲気中に配置し、結露によって該水溶性樹脂に水分を付与してもよい。

該水分付与ステップは、該ウエーハをミストを含む雰囲気中に配置して該水溶性樹脂に水分を付与してもよい。

本願発明は、プラズマエッチング時のマスクをレーザー加工溝の縁まで機能させることができる。

図１は、実施形態に係るウエーハの加工方法の加工対象を含むフレームユニットの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図３は、図２に示された水溶性樹脂被覆ステップの一例を一部断面で示す側面図である。図４は、図３の水溶性樹脂被覆ステップ後の一状態を示すウエーハの要部の断面図である。図５は、図２に示されたマスク形成ステップの一例を一部断面で示す側面図である。図６は、図５のマスク形成ステップ後の一状態を示すウエーハの要部の断面図である。図７は、図２に示された水分付与ステップの一例を一部断面で示す側面図である。図８は、図７の水分付与ステップ後の一状態を示すウエーハの要部の断面図である。図９は、図２に示されたプラズマエッチングステップの一例を模式的に示すウエーハの要部の断面図である。図１０は、図９のプラズマエッチングステップ後の一状態を示すウエーハの要部の断面図である。図１１は、図９のプラズマエッチングステップ後の別の一状態を示すウエーハの要部の断面図である。図１２は、図２に示されたマスク洗浄ステップの一例を一部断面で示す側面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るウエーハ１０の加工方法について、図面に基づいて説明する。まず、実施形態の加工対象を含むフレームユニット１の構成について説明する。図１は、実施形態に係るウエーハ１０の加工方法の加工対象を含むフレームユニット１の一例を示す斜視図である。

図１に示すように、フレームユニット１は、実施形態に係る加工対象のウエーハ１０と、環状フレーム２０と、粘着テープ２１とを含む。ウエーハ１０は、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を基板１１とする円板状の半導体ウエーハ、光デバイスウエーハ等のウエーハである。ウエーハ１０は、基板１１の表面１２に形成される複数のストリート１３（分割予定ライン）と、格子状に交差する複数のストリート１３によって区画された各領域に形成されるデバイス１４とを有する。

デバイス１４は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、あるいやＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、あるいはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサ、またはＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等である。

また、ウエーハ１０は、基板１１の表面１２に機能層１６が積層されている。機能層１６は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（以下、Ｌｏｗ−ｋ膜と呼ぶ）と、導電性の金属により構成された導電体膜とを備えている。Ｌｏｗ−ｋ膜は、導電体膜と積層されて、デバイス１４を形成する。導電体膜は、デバイス１４の回路を構成する。このために、デバイス１４は、互いに積層されたＬｏｗ−ｋ膜と、Ｌｏｗ−ｋ膜間に積層された導電体膜とにより構成される。なお、ストリート１３の機能層１６は、Ｌｏｗ−ｋ膜により構成され、ＴＥＧ（Test Element Group）を除いて導電体膜を備えていない。ＴＥＧは、デバイス１４に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子である。

ウエーハ１０は、環状フレーム２０および粘着テープ２１に支持される。環状フレーム２０は、ウエーハ１０の外径より大きな開口を有する。環状フレーム２０は、プラズマエッチングに対して耐性を有する金属や樹脂等の材質で構成される。粘着テープ２１は、絶縁性の合成樹脂により構成された基材層と、基材層の表面および裏面の少なくともいずれかに積層された粘着性を有する糊層とを含む。粘着テープ２１は、外周が環状フレーム２０の裏面側に貼着される。ウエーハ１０は、環状フレーム２０の開口の所定の位置に位置決めされ、裏面１５が粘着テープ２１に貼着されることによって、環状フレーム２０および粘着テープ２１に固定される。

次に、実施形態に係るウエーハ１０の加工方法を説明する。図２は、実施形態に係るウエーハ１０の加工方法の流れを示すフローチャートである。ウエーハ１０の加工方法は、水溶性樹脂被覆ステップＳＴ１と、マスク形成ステップＳＴ２と、水分付与ステップＳＴ３と、プラズマエッチングステップＳＴ４と、マスク洗浄ステップＳＴ５と、を含む。

（水溶性樹脂被覆ステップＳＴ１）
図３は、図２に示された水溶性樹脂被覆ステップＳＴ１の一例を一部断面で示す側面図である。図４は、図３の水溶性樹脂被覆ステップＳＴ１後の一状態を示すウエーハ１０の要部の断面図である。水溶性樹脂被覆ステップＳＴ１は、図３および図４に示すように、ウエーハ１０の表面１２を水溶性樹脂３５で覆うステップである。

実施形態の水溶性樹脂被覆ステップＳＴ１では、スピンコーター３０によって、ウエーハ１０の表面１２を水溶性樹脂３５で被覆する。スピンコーター３０は、保持テーブル３１と、回転軸部材３２と、クランプ部材３３と、水溶性樹脂供給ノズル３４と、を備える。

水溶性樹脂被覆ステップＳＴ１では、まず、粘着テープ２１を介してウエーハ１０の裏面１５側を保持テーブル３１に吸引保持し、環状フレーム２０の外周部をクランプ部材３３で固定する。水溶性樹脂被覆ステップＳＴ１では、次に、回転軸部材３２によって保持テーブル３１を軸心回りに回転させた状態で、水溶性樹脂供給ノズル３４から水溶性樹脂３５をウエーハ１０の表面１２に滴下させる。この際、水溶性樹脂供給ノズル３４は、ウエーハ１０の半径方向に往復移動する。滴下された水溶性樹脂３５は、保持テーブル３１の回転により発生する遠心力によって、ウエーハ１０の表面１２上を中心側から外周側に向けて流れていき、ウエーハ１０の表面１２の全面に塗布される。

水溶性樹脂３５は、例えば、ポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）またはポリビニルピロリドン（Polyvinylpyrrolidone：ＰＶＰ）等、硬化するとプラズマエッチングに対して耐性を有する水溶性樹脂である。水溶性樹脂被覆ステップＳＴ１では、ウエーハ１０の表面１２の全面に塗布された水溶性樹脂３５を乾燥および硬化することによって、ウエーハ１０の表面１２の全面を覆う水溶性樹脂３５の層を形成する。

（マスク形成ステップＳＴ２）
図５は、図２に示されたマスク形成ステップＳＴ２の一例を一部断面で示す側面図である。図６は、図５のマスク形成ステップＳＴ２後の一状態を示すウエーハ１０の要部の断面図である。マスク形成ステップＳＴ２は、図５および図６に示すように、レーザー光線４５をウエーハ１０の表面１２のストリート１３に沿って照射して水溶性樹脂３５を除去すると共にレーザー加工溝１８を形成し水溶性樹脂３５でマスク１７を形成するステップである。

実施形態のマスク形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置４０によって、ウエーハ１０の表面１２に形成されるストリート１３沿ってレーザー加工溝１８を形成する。レーザー加工装置４０は、保持テーブル４１と、回転軸部材４２と、クランプ部材４３と、レーザー光線照射ユニット４４と、保持テーブル４１とレーザー光線照射ユニット４４とを相対的に移動させる移動ユニットと、を備える。

マスク形成ステップＳＴ２では、まず、粘着テープ２１を介してウエーハ１０の裏面１５側を保持テーブル４１に吸引保持し、環状フレーム２０の外周部をクランプ部材４３で固定する。マスク形成ステップＳＴ２では、次に、ストリート１３に沿って保持テーブル４１とレーザー光線照射ユニット４４とを相対的に移動させながら、レーザー光線照射ユニット４４からレーザー光線４５をウエーハ１０の表面１２のストリート１３に照射させる。レーザー光線４５は、ウエーハ１０に対して吸収性を有する波長のレーザー光線である。

レーザー光線４５によって、ウエーハ１０の表面１２の全面を覆う水溶性樹脂３５の層のうちストリート１３に相当する領域の水溶性樹脂３５が除去されてレーザー加工溝１８が形成される。レーザー加工溝１８は、図６に示すように、ストリート１３に相当する領域の水溶性樹脂３５、機能層１６および基板１１の一部を除去して基板１１を露出させる。これにより、ウエーハ１０の表面１２には、デバイス１４を覆いかつストリート１３を露出させるマスク１７が形成される。この際、マスク１７のレーザー加工溝１８の縁１８１の周辺部分１７１は、レーザー光線４５の熱やデブリによる水溶性樹脂３５の水分の減少によって、厚さが薄くなっている。

（水分付与ステップＳＴ３）
図７は、図２に示された水分付与ステップＳＴ３の一例を一部断面で示す側面図である。図８は、図７の水分付与ステップＳＴ３後の一状態を示すウエーハ１０の要部の断面図である。水分付与ステップＳＴ３は、図７および図８に示すように、ウエーハ１０に表面結露を発生させて、レーザー光線４５の照射により水分が減少して薄くなったレーザー加工溝１８の縁１８１の周辺部分１７１のマスク１７に水分を付与するステップである。

実施形態の水分付与ステップＳＴ３では、冷却装置５０によって、ウエーハ１０に表面結露を発生させてマスク１７に水分を付与する。冷却装置５０は、冷却テーブル５１と、冷却テーブル５１を所定温度に冷却する冷却源５２と、冷却テーブル５１を内設するチャンバ５４と、を備える。冷却源５２は、例えば、冷却テーブル５１の載置面に沿って設けられるペルティエ素子等である。チャンバ５４内は、水蒸気である水分を含む雰囲気５５に維持されている。

水分付与ステップＳＴ３では、まず、粘着テープ２１を介してウエーハ１０の裏面１５側を冷却テーブル５１に載置し、環状フレーム２０の外周部をクランプ部材５３で固定する。水分付与ステップＳＴ３では、次に、チャンバ５４内を水分を含む雰囲気５５に維持した状態で、冷却源５２に電圧を印加する等によって、冷却テーブル５１を所定温度まで冷却して、冷却テーブル５１に載置されたウエーハ１０を冷却する。水分を含む雰囲気５５中で冷却テーブル５１によって冷却されたウエーハ１０は、表面結露を発生させる。冷却装置５０は、例えば、所定時間の冷却と所定時間の自然乾燥を所定回数繰り返すことによって、ウエーハ１０の表面１２に結露を発生させる。冷却温度、冷却する所定時間、自然乾燥する所定時間、冷却および乾燥を繰り返す所定回数は、大気条件等に基づいて予め設定される。

ウエーハ１０に発生した表面結露によって、水分が減少して薄くなった水溶性樹脂３５のマスク１７に水分が付与される。すなわち、ウエーハ１０の表面１２を覆う水溶性樹脂３５のマスク１７のうち、レーザー光線４５の熱やデブリによって水溶性樹脂３５の水分が減少して薄くなったレーザー加工溝１８の縁１８１の周辺部分１７１のマスク１７に水分が付与される。水分が減少した水溶性樹脂３５に水分が付与されることにより、水溶性樹脂３５のマスク１７の厚さが厚く調節される。この際、チャンバ５４内の湿度、冷却温度、冷却する所定時間、自然乾燥する所定時間、冷却および乾燥を繰り返す所定回数等を調整することによって、水溶性樹脂３５のマスク１７に付与する水分量を調節できる。水分付与ステップＳＴ３では、レーザー加工溝１８の縁１８１から水溶性樹脂３５が表面張力ではみ出さない量の水分を付与する。

（プラズマエッチングステップＳＴ４）
図９は、図２に示されたプラズマエッチングステップＳＴ４の一例を模式的に示すウエーハ１０の要部の断面図である。図１０は、図９のプラズマエッチングステップＳＴ４後の一状態を示すウエーハ１０の要部の断面図である。図１１は、図９のプラズマエッチングステップＳＴ４後の別の一状態を示すウエーハ１０の要部の断面図である。プラズマエッチングステップＳＴ４は、図９、図１０および図１１に示すように、マスク１７を介してウエーハ１０の表面１２側からプラズマ状態のガス６０を供給し、マスク１７から露出したレーザー加工溝１８をプラズマエッチングするステップである。

実施形態のプラズマエッチングステップＳＴ４では、プラズマ状態のガス６０を供給するプラズマ装置によって、ウエーハ１０の表面１２に形成されるストリート１３沿ってレーザー加工溝１８を形成する。ガス６０は、基板１１がシリコンで構成される場合、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等であるが、本発明では、これらに限定されない。プラズマ装置は、例えば、静電チャック（Electrostatic chuck：ＥＳＣ）と、静電チャックを内設するチャンバと、チャンバ内を減圧する排気装置と、チャンバ内にプラズマ状態のガス６０を供給するガス供給装置と、を備える。チャンバは、ガス供給装置から供給されるプラズマ状態のガス６０をチャンバ内に噴射するガス供給部を、静電チャックの上方に備える。

プラズマエッチングステップＳＴ４では、まず、粘着テープ２１を介してウエーハ１０の裏面１５側を静電チャックに静電保持する。プラズマエッチングステップＳＴ４では、次に、チャンバ内を減圧させると共に、チャンバ内にプラズマ状態のガス６０を供給する。この際、プラズマ状態のガス６０は、マスク１７を介してウエーハ１０の表面１２側から供給される。プラズマ状態のガス６０は、レーザー加工溝１８を介してウエーハ１０の基板１１に供給され、ウエーハ１０のマスク１７から露出したレーザー加工溝１８の溝底をエッチングする。プラズマ状態のガス６０は、レーザー加工溝１８をエッチングし、エッチング溝１９を形成する。

エッチング溝１９は、図１０に示す一例において、所定の深さまでエッチングされた凹溝である。エッチング溝１９は、図１１に示す別の一例において、基板１１の裏面１５側までエッチングされた分断溝である。

（マスク洗浄ステップＳＴ５）
図１２は、図２に示されたマスク洗浄ステップＳＴ５の一例を一部断面で示す側面図である。マスク洗浄ステップＳＴ５は、図１２に示すように、マスク１７を液体７５で洗浄して除去するステップである。

実施形態のマスク洗浄ステップＳＴ５では、洗浄装置７０によって、ウエーハ１０の表面１２を覆う水溶性樹脂３５のマスク１７を液体７５で洗浄して除去する。洗浄装置７０は、保持テーブル７１と、回転軸部材７２と、クランプ部材７３と、液体供給ノズル７４と、を備える。

マスク洗浄ステップＳＴ５では、まず、粘着テープ２１を介してウエーハ１０の裏面１５側を保持テーブル７１に吸引保持し、環状フレーム２０の外周部をクランプ部材７３で固定する。マスク洗浄ステップＳＴ５では、次に、回転軸部材７２によって保持テーブル７１を軸心回りに回転させた状態で、液体供給ノズル７４から液体７５をウエーハ１０の表面１２に向けて供給させる。液体７５は、液体供給ノズル７４より上流の水路で１０〜１２ＭＰａ程度に水圧が調整された加圧水である。液体供給ノズル７４は、加圧水である液体７５を供給しつつ、ウエーハ１０の半径方向に往復移動する。供給された液体７５は、保持テーブル３１の回転により発生する遠心力によって、ウエーハ１０の各デバイス１４の表面１２上を中心側から外周側に向けて流れていき、各デバイス１４の表面１２を覆った水溶性樹脂３５のマスク１７を溶解する。なお、マスク洗浄ステップＳＴ５は、実施形態では液体７５でデバイス１４の表面１２を洗浄したが、本発明では液体にエアーを混入させた流体で洗浄してもよい。

液体７５は、例えば、純水である。マスク洗浄ステップＳＴ５では、ウエーハ１０の各デバイス１４の表面１２を覆った水溶性樹脂３５のマスク１７を溶解することによって、デバイス１４の表面１２が露出する。

以上説明したように、実施形態に係るウエーハ１０の加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ４の前に、レーザー光線４５の照射により水分が減少して薄くなったレーザー加工溝１８の縁１８１の周辺部分１７１のマスク１７に水分を付与する水分付与ステップＳＴ３を実施する。これにより、レーザー加工溝１８の縁１８１の周辺部分１７１のマスク１７の厚さを厚く調整することができるので、プラズマエッチング時にデバイス１４のマスク１７としてレーザー加工溝１８の縁１８１まで機能させることができるという効果を奏する。さらに、表面結露を利用することによって、ストリート１３にマスク１７がはみ出さないように僅かな水分を供給することができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

例えば、水分付与ステップＳＴ３では、ウエーハ１０を水蒸気である水分を含む雰囲気５５中に配置する代わりに、ミストを含む雰囲気中に配置することで水溶性樹脂３５のマスク１７に水分を付与してもよい。水分付与ステップＳＴ３において、実施形態では、ペルティエ素子等の冷却源５２を有する冷却テーブル５１でウエーハ１０を冷却したが、本発明では、水溶性樹脂３５のマスク１７に水分を付与できるのであれば、必ずしも冷却しなくてもよい。

また、水分付与ステップＳＴ３では、ウエーハ１０の表面１２のマスク１７に水蒸気またはミストをあてることによって、レーザー光線４５の照射により水分が減少して薄くなったレーザー加工溝１８の縁１８１の周辺部分１７１のマスク１７に水分を付与してもよい。水蒸気またはミストをマスク１７にあてる方法としては、水蒸気またはミストをマスク１７に向けて供給させることで水溶性樹脂３５のマスク１７に水分を付与してもよい。

１フレームユニット
１０ウエーハ
１１基板
１２表面
１３ストリート
１４デバイス
１５裏面
１６機能層
１７マスク
１８レーザー加工溝
１９エッチング溝
３０スピンコーター
３５水溶性樹脂
４０レーザー加工装置
４５レーザー光線
５０冷却装置
５５水分を含む雰囲気
６０ガス
７０洗浄装置
７５液体

Claims

ストリートで区画された表面の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面を水溶性樹脂で覆う水溶性樹脂被覆ステップと、
該水溶性樹脂で覆われたウエーハの表面にウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該ストリートに沿って照射し、該ストリートに沿って該水溶性樹脂を除去すると共にレーザー加工溝を形成し、ウエーハの表面に該水溶性樹脂でマスクを形成するマスク形成ステップと、
該マスク形成ステップ実施後、ウエーハに表面結露を発生させ、またはウエーハに水蒸気をあて、該レーザー光線の照射により該レーザー加工溝の縁で水分の減少により薄くなった該水溶性樹脂の該マスクに水分を付与し、該マスクの厚さを調整する水分付与ステップと、
該水分付与ステップ実施後、該マスクを介してウエーハの表面側からプラズマ状態のガスを供給し、該マスクから露出した該レーザー加工溝をプラズマエッチングするプラズマエッチングステップと、
該プラズマエッチングステップ実施後、該マスクを液体で洗浄して除去するマスク洗浄ステップと、
を備え、
該水分付与ステップでは、該レーザー加工溝の縁から該水溶性樹脂が表面張力ではみ出さない量の水分が付与されることを特徴とするウエーハの加工方法。
該水分付与ステップは、水分を含む雰囲気より低温に調整された該ウエーハを該雰囲気中に配置し、結露によって該水溶性樹脂に水分を付与する
請求項１に記載のウエーハの加工方法。
該水分付与ステップは、該ウエーハをミストを含む雰囲気中に配置して該水溶性樹脂に水分を付与する
請求項１に記載のウエーハの加工方法。