JP2019004162A - 封止材で充填した蛍光体変換ledのための浅底反射器カップ - Google Patents

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Abstract

【課題】色の一様性に優れた浅底パッケージを提供する。【解決手段】蛍光体28でコンフォーマルに被覆されたLEDダイ26が浅底方形反射器カップ16の底部に搭載される。カップは、底部からリムまで約33度の浅い角度で上方に傾斜する平坦な反射性壁を有する。澄んだ封止材30が、カップを完全に充填して、滑らかで平坦な頂部表面を形成する。LEDダイ又は蛍光体からの低い角度での如何なる出射48,50も、平坦な空気−封止材境界面でカップ壁に向けて全反射される。この混合されたLED/蛍光体光が次に壁により上方に反射され、パッケージの外に出る。LED及び蛍光体により放出された光の大部分が、パッケージを出る前に、全反射及び壁により混合されるので、反射光の色及び明るさはビームに亘りかなり一様である。封止材は全反射を高めて光の混合を助けるよう意図的に設計される。【選択図】図5

Description

本出願は、2014年1月29日に出願された米国仮出願第61/932851号に基づく優先権を主張して2015年1月14日に発明の名称を「封止材で充填した蛍光体変換LEDのための浅底反射器カップ」として出願された国際出願PCT/IB2015/050278の国内移行出願である。国際出願PCT/IB2015/050278及び米国仮出願第61/932851号を参照して本明細書に引用する。
本発明は、パッケージされた発光ダイオード(LED)に関し、特に、澄んだ封止材で充填された浅底反射カップ内の蛍光体変換LEDに関する。
LEDダイをプリント回路板(PCB)その他の基板上に搭載して、LEDの電極をPCB上の導電性トレースに電気接続することが一般的である。次に、中央穴を有する丸形の反射器カップをPCBに取り付けて、LEDダイを包囲する。蛍光体変換のために、カップを粘性蛍光体混合物で完全に充填し、硬化してLEDダイを封止する。LEDダイの光と蛍光体の光との混合が、白色光などの所望の全体光色を作る。カップは、LEDダイの側部放出をいくぶん制限し、側部光をほぼ前方方向に方向変更する。
あるケースにおいては、封止材を含む半球レンズがLEDダイ上に取り付けられて、光取り出しを改良する。このことは、レンズを収容するために、カップの中に大きな中央穴を要求する。
上記のパッケージLEDの一つの欠点は、蛍光体光の発光外形(profile)が非常に広いことである。蛍光体は、円錐形カップの縁部又はそのわずか上方にあり、カップから出る蛍光体光は大体ランバーシアン(Lambertian)である。LEDダイ自身がカップのかなり下方にあるので、LEDダイからの直接光がカップによってよりはっきりと制限され、カップから出射されるLEDダイからの直接光はランバーシアンより狭く、蛍光体光よりも狭い。ゆえに、LEDダイが青色光を放出し、蛍光体が黄色光を放出するものと仮定すると、ビーム内のより中央白色光の周りに黄色光輪(halo)が存在する。これはしばしば、蛍光体光輪効果(phosphor halo effect)と呼ばれる。
蛍光体で充填した反射性カップの例が、米国特許第2013/0228810号公報に示されている。
LEDダイの封止は、光取り出し効率を増大するために重要であり、屈折指数(n)がLEDダイの高い屈折指数(例えば、GaN LEDについてn=2.5〜3)と空気の屈折指数(n=1)との間の値になるように封止材が設計される。あるLEDダイにおいては、指数が約1.8である頂部サファイア窓からLEDダイ光が出射する。従来のシリコーン封止材(レンズを含む)の屈折指数は、1.4から1.7までの値を取り得る。封止材は、LEDダイ内部の全反射(TIR)を減少させるように設計される。封止材は、光出力の10〜20%増大に寄与可能である。封止材形状は、封止材−空気境界面におけるTIRを最小化するように設計される。
LEDダイにより放出された光線がドームの表面に直角に衝突するので、ドーム形状の封止材が人気がある。このことは、全反射を最小にする。もし封止材形状が直方体プリズムに似ていれば、LEDダイ光線が低い角度で平坦な空気−封止材境界面に衝突するので、比較的高い全反射が生じ、形状の対称性から光が逃げ出せない。ゆえに、パッケージしたLEDの単純化した概略例において平坦頂部表面を示したけれども、実際の製品には、平坦頂部表面(空気にさらされる)を有する封止材は用いられない。
幾つかの他の知られた封止材形状として、対称性を破り光の逃げ出しを許すピラミッド型が含まれる。しかしながら、ピラミッド型からの全反射によって、光の幾らかがLED及びその取付基板により吸収される。あるピラミッド型構造は、全反射を減少させるために外方表面内に角度づけられた溝を有する。
様々な理由から、ユーザは、蛍光体光輪効果による色の一様性に乏しい円錐形カップからの大体円形のビームに満足しないであろう。レンズがパッケージの高さを増大してしまうので、ユーザは、LEDダイを封止するレンズを要しない浅底パッケージを欲するであろう。上述の従来技術の欠点に影響されない、パッケージされたLEDの新しい設計が望まれている。
パッケージされたLEDダイを開示する。LEDダイは、約33度の浅い角度で上方に傾斜する4つの平坦壁を有する、浅底の長方形反射性カップを用いる。LEDダイは反射器の底部に搭載され、底部はLEDダイ電極のためのボンディングパッドを含む。以下の記述は、青色LED及びYAG黄色発光蛍光体を仮定しているが、LED色及び蛍光体放出(例えば、青色LED、YAG蛍光体及び赤色放出蛍光体)の他の混合も意図しており、これらも本発明の範囲内に含まれる。
LEDダイは、同一平面又はコンフォーマルな(conformal)蛍光体被覆を有する。蛍光体被覆は、電気泳動、噴霧その他の適切な技法などの如何なる方法によっても適用できる。カップ内のLEDダイの搭載に先立ち、コンフォーマルな蛍光体被覆がLEDダイに適用される。蛍光体被覆は濃密であってよいので、厚さが非常に薄くパッケージの必要とされる高さを最小にできる。カップの外縁部又はリム(rim)はコンフォーマル蛍光体よりも高い。
カップの光出口開口は、実質的に方形であり、それによりビームがほぼ方形である。他の長方形形状も想定しており、本発明の範囲内に含まれる。
シリコーンなどの透明の又は澄んだ(clear)封止材が、蛍光体の上方でカップを充填して、滑らかで平坦な頂部表面を備え、スネルの法則に従い、空気−封止材境界面における全反射(total internal reflection (TIR))を促進する。
蛍光体及びLED活性層からの側部光の一部がカップの壁で直接反射されて全反射なしに封止材の平坦頂部を通過して外に出るように、カップの壁の浅い角度が設計される。LEDダイ及びそれを覆う蛍光体からの光のうち、臨界角度未満の角度で封止材の平坦頂部表面に入射する光は、反射性壁に向けて下方に全反射され、そして更なる全反射なしにパッケージの外へと反射される。ゆえに、実質的に全ての光が、最大2回の反射でパッケージを出射する。LEDダイへと反射して戻る有意の光はなく、吸収もされない。
LEDダイ及び蛍光体頂部からの光のうち有意の部分が、カップ壁へと意図的に全反射で反射され(そして拡散され)る。LEDダイ(GaN LEDを仮定している)青色光が蛍光体光と良く混合され、結果としてのビームは周辺部の周りに一様な改良された色を有する。ビームはほぼ長方形であり、如何なる蛍光体光輪効果(halo effect)も減少され、或いは除去される。低角度LEDダイ光及び蛍光体光が同様に全反射されカップ壁により方向変更されるので、ビームが良く画成される。レンズを必要とせず、蛍光体被覆を濃密にできるので、パッケージを非常に薄く作ることができる。
カップが方形であるので、カップのアレイを互いに近づけて搭載でき、わずかに小さなパッケージ間ギャップを有する如何なる形状を作ることができる。さらに、結果としての混合物表面が平坦である。この平坦表面は容易に清浄化でき、美的需要を満たす。さらに、蛍光体(YAG黄色発光蛍光体を仮定している)がカップを充填するのではないので、各パッケージの中央部に存在する黄色スポットが小さく、これはYAG蛍光体で充填した従来のカップよりも美的需要を満たす。さらに、パッケージのアレイを用いる際に、複数の長方形ビームが互いに非常に良好に混合される。従来技術の反射性カップの円形ビーム放出は、アレイ形式で一様には混合されない。
カップはプラスチックでよく、リードフレーム上にモールディングされることができ、リードフレームは、LEDダイ電極のためにカップ中央にボンディングパッドを形成する。カップの壁を金属膜又は鏡面層若しくは拡散層で被覆しても良い。ゆえに、下層のPCBを必要とせず、パッケージが最小寸法となる。
一実施形態において、LEDダイは約0.5〜1mmの長さの側部及びそれより小さい高さを有する。方形カップの高さは、蛍光体被覆の頂部よりもわずかに高く、約1mm未満である。LEDダイの端部からカップの外縁部までの距離は約1mmまたはそれ未満である。カップの平坦壁は、LEDダイ付近からカップのリムまで、好適な約33度の角度で立ち上がっている。
追加的な特徴及び実施形態を以下に説明する。
添付図面を参照して、例として、本発明をさらに詳細に説明する。
同様な又は対応する要素には、同一の参照符号を付する。
リードフレーム上にモールディングした浅底反射性カップの斜視図である。本発明の一実施形態に従い、LEDダイ電極のためのボンディングパッドが示されている。 LEDダイをカップ内に取り付けた後の図1のカップを示す。 図2のカップを二分した断面図であり、LEDダイ上の同一平面蛍光体層と、澄んだ封止材でカップを充填しパッケージを完成させた様子とを示している。 パッケージの底面図であり、プリント回路板その他の基板へボンディングするためのボンディングパッドを示している。 図3のカップの断面図であり、LEDダイ及び蛍光体により放出される様々な光線を示している。光がどのようにパッケージを出るかを、特に1回目が全反射であり、2回目がカップの壁からの反射である2回の反射によりどのようにパッケージを出るかを示している。 図3のカップの断面図であり、大まかな発光外形(profile)を示している。蛍光体で充填したカップによる外形よりも、発光が狭く、より限定的であり、混合光はより良好な色一様性を有している。 複数の方形パッケージ10が共通の基板上にアレイ状にどのように搭載されて、ビームに亘り色及び輝度が一様である長方形ビームをどのように作るか、或いは効率的な色表示をどのように作るかを示している。 パッケージの平面図であり、反射器が、円形ビームを生成するための丸い出口開口を有する様子を示している。 図8のパッケージを二分した断面図である。
図1は、本発明の一実施形態に従った反射性カップパッケージ10を示す。代表的に、銅リードフレームがシートからスタンプされ、パッケージ10の金属パッド12及び14を形成する。パッケージ処理を単純にするためにリードフレームのアレイを互いに接続することができ、処理後にリードフレームを個々のパッケージ10へと分離する。
銅リードフレームが底部のLEDダイ電極に結合される領域が、金、ニッケル又は合金などの適切な金属でメッキされ、パッド12及び14を形成する。金ボール、ハンダウェッティング(solder wetting)その他の技法が、所望により用いることができ、ダイ電極へのボンディングを可能にする。接続がハンダによるか、超音波溶接によるか、ワイヤボンディングによるか、導電性エポキシによるか等に拘わらず、電極接続のために用いられるリードフレームの如何なる部分も、本明細書で「ボンディングパッド」と呼ぶ。
プラスチックカップ16がリードフレーム上にモールディングされる。アレイ内の各リードフレーム上に同一のプラスチックカップが同時にモールディングされる。圧縮成形又は射出成形を用いることができる。好ましくは、プラスチックは熱伝導性である。もしプラスチックが(熱伝導性を増大させるための)金属粒子を含むために電気伝導性でもあるとすると、リードフレームのうちプラスチックに接触する部分に、モールディングステップに先立って誘電被覆を形成することにより、パッド12および14を互いにショート(短絡)することを防止する。
カップ16は、方形の中央底部18、方形の外方周辺部、及び方形の開口を大体形成する。カップ16の内壁20は平坦であり、底部18から周辺部へと約33度の角度で延びる。33度が好ましいが、28〜38度の間の範囲が適切であり、カップ16の内壁20の角度はビームの所望の形状に依存する。
図1はまた基板24を示し、カップ16が基板24の上に載置され、カップ16とプリント回路板との間のインターポーザとして機能して、熱の拡散を助ける。基板24は、モールディングされたセラミック、プラスチックその他の熱伝導性材料であってよい。一実施形態において、基板24は、リードフレーム上にモールディングされたプラスチックカップ16の一体的な一部であり、カップ16の一部であると考えられる。変形的な実施形態において、基板24を省略してもよく、リードフレームを用いてパッケージ10を回路基板に取り付けてもよい。
カップ16の内壁20が、例えば、アルミニウム又は銀などの鏡面反射金属である反射性膜で被覆される。蒸着、スパッタリング、噴霧その他の技法を用いることができる。内壁20は、二色性被覆などのその他のタイプの膜で被覆してもよい。二色性被覆は、直接LEDダイ光及び蛍光体光を反射し、LEDダイ光のみを反射し、或いは、蛍光体光のみを反射する。反射性材料は、最狭ビームに対して鏡面性であり、最広ビームに対して拡散性(白色ペイントを用いることによってなど)であってもよい。
図2は、カップ16の底部上に取り付けられたLEDダイ26を示す。この実施形態において、LEDダイ26は、GaNベースのフリップチップであり、青色光を放出する。他の実施形態において、LEDダイ26は、紫外線を放出してもよく、且つ/或いはフリップチップでなくともよい。頂部に単一電極又は両電極を備えるLEDダイの場合には、ワイヤが該電極をパッド12/14に接続することができ、パッド12/14がLEDダイフットプリント(footprint)を超えて延びる。LEDダイのどのような金属熱パッドもカップ16の底部に熱的に結合する。
LEDダイ26は、搭載に先立ち図3に示す1層の蛍光体28で被覆される。蛍光体28は、YAGなどのタイプであってよい。YAGでは、蛍光体28を通って漏れる青色LEDダイ光と黄色−緑色蛍光体光との組合せが、混合して白色を作る。その他の蛍光体又は追加的な蛍光体を用いて、より暖かい白色を含む他の色を作ることができる。蛍光体28は、電気泳動、噴霧その他の既知の方法を用いて、LEDダイ26を同一平面状又はコンフォーマルに(conformally)に被覆できる。
一実施形態において、LEDダイ26は、約0.5〜1mmの側部と、側部よりも短い高さとを有する。底部18から頂部リムまでの方形カップ16の高さは、蛍光体28の頂部表面の高さよりも大きく、1mmより小さくてよい。LEDダイ26の端部からカップ16の外方端部までの距離は、約1mm又はそれ未満であってよい。したがって、全パッケージ10のフットプリントは、側部あたり3mm未満であってよく、或いはより大きくてもよい。カップ16の高さ及び内壁20の角度は、後述するように、最大2回の反射で実質的に全ての光をパッケージ10から出射させるために何が必要であるかということにより大体規定される。
基板24の寸法は、本発明の動作に関係がなく、代表的にはカップ16よりもわずかに大きいフットプリントを有する。
変形的な実施形態において、カップ16は、別個に形成した基板24上にパッド12/14を露出させる方形開口を有する。カップ16は、接着剤により基板24に固着される。
図3に示すように、カップ16は実質的にその頂部リムまで、シリコーンなどの澄んだ封止材30で充填される(ハッチングして示す)。封止材30の頂部表面は平坦且つ滑らかであり、全反射(TIR)を促進する。図3は、封止材30を充填した後、図2を2分した図である。封止材30は、蛍光体28の屈折指数とほぼ同じ屈折指数を有し、或いは蛍光体28の屈折指数と空気の屈折指数との間の屈折指数を有する。後述するように、相対的な指数が重要である。何故ならば、平坦な封止材表面で全反射が用いられて光の混合を助け、内壁20から反射されて出て行く光の量を増大させるからである。
図3はまた、導電ビア32及び34を示す。導電ビア32及び34は、リードフレーム上にモールディングされたものの一部であってよく、パッド12/14(図1)から基板24の底部パッド36/38(図4に示す)まで伸びてよい。図3はさらに、図1のパッド12/14に電気的に接続された、LEDダイ26の電極40/42を示す。
LEDダイ26、蛍光体28及び封止材30の相対的屈折指数の結果として、LEDダイ26及び蛍光体28から封止材30への高い光取り出し効率が生じる。図5は、LEDダイ26及び蛍光体28から封止材30へと放出される多様な光線を示す。
LEDダイの活性層からの青色光線44が、LEDダイ26の頂部表面から、封止材30の平坦光出口表面46に実質的垂直に放出されることが示されている。したがって、全反射はない。蛍光体28からの黄色光線47(YAGを仮定する)が、表面46に垂直に放出されることが示されており、青色光線44と混合されて白色光を作る。
他の青色光線48が、表面46に低い角度(臨界角度よりも低い)で衝突し、スネルの法則に従い内部反射している。この青色光線48は次に、鏡面反射性内壁20によって上方へ反射される。内壁20の角度により決定される、反射光線48の角度は高く、さらなる全反射なしに封止材30から漏出する。蛍光体28の側部からの黄色光線49(YAGであると仮定する)が、内壁20から直接に反射されて出て行き、青色光線48と混合して、白色光を作る。
蛍光体28からの他の黄色光線50もまた、低い角度で放出され、表面46で内部反射される。この光線50は、青色光線48と同様に振る舞い、最大2回の反射後に出射する。
低い角度の他の青色光線及び黄色光線が表面46で内部反射され、封止材30内の内部且つ壁20において混合される。封止材30は混合器として機能し、混合された光が内壁20から反射されてかなり一様な白色光として出て行く。もし表面46がドーム形状又は溝形状であるならば、LEDダイ26の頂部表面から直接に出射する光線が増え、黄色光輪を有するパッケージから放出される光に伴って黄色光輪(yellow hull)効果の量も増える。
LEDダイ26の周りで光が混合されるけれども、表面46を直接出射する青色光線44によって、パッケージの中央内に青色スポットができる。しかしながら、この青色は、ある距離において他の光と混合して、かなり一様な方形状の光ビームを作る。
蛍光体28の頂部上の封止材30の高さは、内部反射光線(例えば、光線50及び48)が蛍光体28又はLEDダイ26に吸収されないが、内壁20に衝突するのに十分な値である。
理想的なパッケージ10はせいぜい2回反射後に出射する光を生じるけれども、実際の製品の材料又は表面に不完全性が存在し得るので、それによりLED光及び/蛍光体光の一部が所定の入射角では完全には反射しないということが生じる。ゆえに、LED光及び/蛍光体光の一部が2回を超える反射回数後に出射し得る。
好適な実施形態はレンズを用いていない。何故ならば、カップ16はビームを所望の放射外形に成形し、光取り出し効率を増大するためにレンズを必要としていないからである。どんなレンズもパッケージ高さを大幅に高くしてしまう。
封止材30の厚さに拘わらず表面46で全反射が起こる(蛍光体28頂部表面よりもわずかに高い)ので、カップ16は非常に浅底にできる。
従来の反射性カップにおいては、液体蛍光体封止材がカップを完全に充填し、次に封止材が硬化される。蛍光粉末のための透明バインダーが、著しい体積の蛍光混合物を含む。ゆえに、蛍光混合物は、蛍光粉末の所要の効果的な厚みを達成して所望の全体色をもたらすために、LEDダイの上でかなり厚くしなければならなかった。したがって、従来のカップはかなく厚くなければならなかった。図5の実施形態では、蛍光体28がバインダーなどと混合される必要がなく、かつ相対的に濃密で薄いので、蛍光体28は、従来のカップ内のグープ(goop)蛍光体よりもとても薄い。さらに、所望の全反射を達成しつつ、蛍光体28上の封止材30の高さを最小限にできるので、カップ16は非常に浅底にできる。したがって、パッケージ10は、カップ内に蛍光体グープを用いた従来のパッケージよりも薄い。
図6は、パッケージの発光外形(profile)50の断面図である。外形50は、反射性カップが蛍光体で完全に充填されたパッケージの外形よりもとても狭い。何故ならば、図6の実施形態においては、低い角度の如何なる蛍光体放出及びLEDダイ放出もTIRにより内部反射され、次に内壁20により上方へ反射されるからである。外形50は、大体方形水平断面を有する。
応用に依存して、底部パッド36/38をプリント回路板(PCB)その他の基板上の金属パッドにハンダ付けすることができ、LEDダイ26に電源を供給する。
図7に示すように、平坦で方形形状の各パッケージ10によって、共通の基板54上にパッケージ10のアレイを搭載でき、各LEDダイを選択的に付勢でき、或いは一緒に付勢できる。各パッケージ10が方形ビームを放出するので、ビームは一様にオーバーラップし、従来の円形ビームとは対照的である。各パッケージ10の間に小さなギャップがある。そうして、非常に明るい方形で一様なビームが作られる。さらに、パッケージ10の頂部表面が平坦であるので、スマートフォンなどの製品の平坦外形表面の一部をなすことができ、美的需要を満たす。所望のビーム特性に依存して、方形以外に長方形カップ外縁も可能である。
もしパッケージ10がカメラのフラッシュとして用いられるならば、カップ16の側部の長さは、ピクチャアスペクト比と同じアスペクト比をなすように調整することにより、対象に投射される有用な光を最大化することができる。そのような場合に、カップは方形ではないであろう。
アレイ内の全てのパッケージが同一色の光(例えば、白色)を放出するということの代わりに、パッケージが青色、緑色及び赤色を放出して、RGBピクセルを形成することができる。一方、異なるパッケージ内のLEDダイを選択的に付勢して、ピクセル間の距離を最小にした色表示を作ることができる。一実施形態において、全てのLEDダイが紫外線又は青色を放出して、異なる蛍光体によって異なる色を得ることもできる。他の実施形態において、LEDダイ内の異なる活性層により異なる色が得られる。他の実施形態において、蛍光体変換LEDと非蛍光体変換LEDとの混合が得られる。
LEDダイ26、リードフレーム、プラスチックカップ16、基板24及びPCB上の空気の組合せにより、LEDダイ26からの熱が除去される。
他の実施形態において、カップ16は、シートからスタンプした、アルミニウムなどの反射性金属の固体片である。その場合に、カップ16の内側縁部はナイフエッジであってよく、LEDダイからの如何なる光をも反射しない。カップ16は、エポキシ又はシリコーンを用いて基板24に固着できる。
図1〜7は、大体長方形ビームを放出するパッケージを示している。あるケースでは、円形ビームを放出することが望まれる。図8は、パッケージ58の平面図であり、反射性カップ60が円形ビームを生成するために円形出口開口を有している。
図9は、図8のパッケージ58を二分した断面図である。
基板24及びLEDダイ26は図1〜3のものと同一である。反射性カップ60は、プラスチックからモールディングでき、反射性表面62は上述したものと同じ反射層であってよい。変形的には、カップ60は反射性金属シートからスタンプされる。図1〜7のパッケージにおけると同様に、基板24及びカップ60は、リードフレーム上にモールディングした単一の一体プラスチックピースであってよく、或いは、別体のピースであってもよい。浅底カップ60は、所望の全反射をもたらすように選択された屈折指数である、シリコーンなどの透明封止材64で充填される。臨界角度以下の、LEDダイ26及び蛍光体28からの光線66は、封止材の頂部表面でカップ60の壁に向けて反射され、上方に方向変更され、さらなる全反射なしに封止材64を出る。
したがって、図1〜7の実施形態におけると同様に、パッケージ内で最大1回の全反射があり、パッケージ内で最大1回のカップ反射があり、その後、光がパッケージを出る。
本発明の特定実施形態を図示、説明してきたけれども、本発明の広い特徴から逸脱せずに多くの変化及び修正が可能であることは当業者に明白である。ゆえに、添付の特許請求の範囲がその権利範囲内にそのような変化及び修正を包含し、そのような変化及び修正は、本発明の真の精神及び範囲内のものである。

Claims (18)

  1. 発光デバイスであって、
    鏡面材料を含む反射性のカップであり、当該カップの中央部から上方に向けて傾斜する反射性表面を有するカップと、
    第1波長の第1光を放出する、前記カップの中央部に搭載された発光ダイオードダイ(LED)ダイと、
    前記LEDダイの上に位置され、前記反射性表面に接触する外方表面を有する蛍光体と、
    前記カップを充填し、前記蛍光体の少なくとも第1表面を覆う、澄んだ封止材であり、前記LEDダイの第1表面と実質的に平行である平坦表面を有する封止材と、
    を含み、
    前記蛍光体が前記第1光の一部を吸収して第2波長の第2光を放出し、
    前記封止材が前記平坦表面に空気−封止材境界面を有し、それにより前記蛍光体に吸収されなかった前記第1光の少なくとも一部及び第2光の少なくとも一部が、臨界角度以下の角度で前記空気−封止材境界面に入射して前記反射性表面の少なくとも一つに向いた方向に第1反射光として全反射されるように構成され、
    前記反射性表面の前記少なくとも1つが、前記第1反射光を前記空気−封止材境界面を通過する方向に第2反射光として反射する、
    発光デバイス。
  2. 請求項1に記載の発光デバイスであり、前記カップが長方形の開口を有する、発光デバイス。
  3. 請求項1に記載の発光デバイスであり、前記鏡面材料が前記カップの被覆を含む、発光デバイス。
  4. 請求項1に記載の発光デバイスであり、前記LEDダイが青色光を放出し、前記蛍光体が、前記青色光と混合されると白色光を作る光を放出する、発光デバイス。
  5. 請求項1に記載の発光デバイスであり、前記蛍光体により吸収されなかった前記第1光の少なくとも一部及び第2光の少なくとも一部が、前記空気−封止材境界面で最大1回反射され、前記反射性表面の前記少なくとも1つで1回反射された後に、前記封止材を出る、発光デバイス。
  6. 請求項1に記載の発光デバイスであり、前記カップが金属膜を含む、発光デバイス。
  7. 請求項1に記載の発光デバイスであり、前記カップがリードフレームの周りにモールディングされたプラスチックを含む、発光デバイス。
  8. 請求項1に記載の発光デバイスであり、前記カップが拡散材料を含む、発光デバイス。
  9. 請求項1に記載の発光デバイスであり、前記鏡面材料が反射性金属を含む、発光デバイス。
  10. 発光デバイスであって、
    鏡面材料を含む反射性のカップであり、当該カップの中央部から上方に向けて傾斜する反射性表面を有するカップと、
    前記カップ内に搭載され、第1波長の第1光を放出する発光ダイオード(LED)と、
    前記カップ内に設けられ、前記第1光の一部を吸収して第2波長の第2光を放出し、前記反射性表面に接触する外方表面を有する蛍光材料と、
    前記蛍光材料の少なくとも第1表面を覆うレベルまで前記カップを充填する封止材であり、空気−封止材境界面を有し、それにより前記蛍光材料に吸収されなかった前記第1光の少なくとも一部及び第2光の少なくとも一部が、臨界角度以下の角度で前記空気−封止材境界面に入射して前記反射性表面の少なくとも一つに向いた方向に第1反射光として反射され、前記反射性表面の前記少なくとも一つが前記反射された光の少なくとも一部を前記空気−封止材境界面に向けて反射するように構成されている、封止材と、
    を含む発光デバイス。
  11. 請求項10に記載の発光デバイスであり、前記カップが長方形の開口を有する、発光デバイス。
  12. 請求項10に記載の発光デバイスであり、前記鏡面材料が反射性金属を含む、発光デバイス。
  13. 請求項10に記載の発光デバイスであり、前記LEDが青色光を放出し、前記蛍光材料が、前記青色光と混合されると白色光を作る光を放出する、発光デバイス。
  14. 請求項10に記載の発光デバイスであり、前記蛍光材料により吸収されなかった前記第1光の少なくとも一部及び第2光の少なくとも一部が、前記空気−封止材境界面で最大1回反射され、前記反射性表面の前記少なくとも1つで1回反射された後に、前記封止材を出る、発光デバイス。
  15. 請求項10に記載の発光デバイスであり、前記カップが金属膜を含む、発光デバイス。
  16. 請求項10に記載の発光デバイスであり、前記カップがリードフレームの周りにモールディングされたプラスチックを含む、発光デバイス。
  17. 請求項10に記載の発光デバイスであり、前記カップが拡散材料を含む、発光デバイス。
  18. 請求項10に記載の発光デバイスであり、前記鏡面材料が反射性金属を含む、発光デバイス。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017510061A (ja) * 2014-01-29 2017-04-06 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 封止材で充填した蛍光体変換ledのための浅底反射器カップ
CN106462033A (zh) * 2014-06-17 2017-02-22 皇家飞利浦有限公司 包含磷转换led的反射器杯的阵列的闪光灯模块
CN108352434A (zh) * 2015-11-10 2018-07-31 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管装置与其制作方法
JP7266961B2 (ja) * 2015-12-31 2023-05-01 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
US10630056B2 (en) * 2016-05-12 2020-04-21 Ostendo Technologies, Inc. Nanophosphors-converted quantum photonic imager for efficient emission of white light in a micro-pixel array and methods for making the same
US10134802B2 (en) * 2016-05-12 2018-11-20 Ostendo Technologies, Inc. Nanophosphors-converted quantum photonic imagers and methods for making the same
US20200313049A1 (en) * 2016-06-21 2020-10-01 Soraa, Inc. Light emitting diode package
US10410997B2 (en) * 2017-05-11 2019-09-10 Cree, Inc. Tunable integrated optics LED components and methods
TWI820026B (zh) * 2017-06-21 2023-11-01 荷蘭商露明控股公司 具有改善的熱行為的照明組件
TWI757315B (zh) * 2017-07-28 2022-03-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置以及其製造方法
TWI648878B (zh) * 2018-05-15 2019-01-21 東貝光電科技股份有限公司 Led發光源、led發光源之製造方法及其直下式顯示器
DE102020101038A1 (de) * 2020-01-17 2021-07-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierendes Bauelement
CA3130380A1 (en) 2020-09-10 2022-03-10 Saco Technologies Inc. Light shaping assembly having light sources mounted on a pcb via supporting pins bent for orienting light toward a projector lens
KR102415673B1 (ko) * 2020-09-24 2022-07-05 주식회사 엠엘케이 초소형 led 플렉서블 서킷보드
CN112289910B (zh) * 2020-10-19 2021-06-25 刘成禹 Led无级调色温光源及其制造工艺
NL2032294B1 (en) * 2022-06-27 2024-01-12 Schreder Sa Light assembly comprising a side emitting light element

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001203393A (ja) * 2000-01-19 2001-07-27 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード
JP2006049443A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置及びその実装構造
JP2007220942A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
JP2008010691A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Hitachi Displays Ltd 照明装置および照明装置を用いた表示装置
US20090001390A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
JP2010506377A (ja) * 2006-05-03 2010-02-25 クリー インコーポレイテッド 複数素子ledランプパッケージ
JP2010238837A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sharp Corp 光源モジュールおよび該モジュールを備えた電子機器
JP2011146709A (ja) * 2010-01-15 2011-07-28 Lg Innotek Co Ltd 発光装置、照明システム
US20110254030A1 (en) * 2010-04-15 2011-10-20 Perkinelmer Elcos Gmbh Liquid reflector
US20130337591A1 (en) * 2012-06-19 2013-12-19 Epistar Corporation Light-emitting device
JP2014011359A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Sharp Corp 発光装置、照明装置および表示装置用バックライト
JP2017510061A (ja) * 2014-01-29 2017-04-06 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 封止材で充填した蛍光体変換ledのための浅底反射器カップ

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP4789350B2 (ja) 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP4143732B2 (ja) * 2002-10-16 2008-09-03 スタンレー電気株式会社 車載用波長変換素子
JP2006186297A (ja) 2004-12-03 2006-07-13 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JPWO2007023807A1 (ja) 2005-08-23 2009-02-26 株式会社東芝 発光装置とそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置
US20070258241A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with non-bonded converging optical element
KR100735432B1 (ko) 2006-05-18 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 어레이
JP2007324417A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Sharp Corp 半導体発光装置とその製造方法
WO2008045927A2 (en) * 2006-10-12 2008-04-17 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making same
US7777412B2 (en) * 2007-03-22 2010-08-17 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor converted LED with improved uniformity and having lower phosphor requirements
CN201054361Y (zh) * 2007-05-11 2008-04-30 凯鼎科技股份有限公司 发光二极管
CN101350382A (zh) * 2007-07-18 2009-01-21 宁波安迪光电科技有限公司 大功率白光发光二极管及其芯片
KR100974604B1 (ko) * 2007-12-13 2010-08-06 (주) 아모엘이디 전자부품 패키지 및 그의 제조방법
CN101572284B (zh) * 2008-04-29 2011-02-16 北京宇极科技发展有限公司 半导体发光装置
JP5304431B2 (ja) * 2009-05-19 2013-10-02 凸版印刷株式会社 リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体発光装置
WO2010074287A1 (ja) * 2008-12-28 2010-07-01 有限会社Mtec 発光ダイオード素子及び発光ダイオードモジュール
US8686445B1 (en) * 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
CN102054828A (zh) * 2009-11-06 2011-05-11 展晶科技(深圳)有限公司 侧光式发光元件封装壳体及封装结构
KR101108984B1 (ko) * 2009-12-03 2012-01-31 (주) 아모엘이디 멀티칩 엘이디 패키지 및 그의 제조방법
CN201796947U (zh) * 2010-05-21 2011-04-13 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种提高外量子效率的发光二极管
US8486724B2 (en) * 2010-10-22 2013-07-16 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level reflector for LED packaging
CN202058783U (zh) * 2011-05-13 2011-11-30 华中科技大学 一种led封装反光杯
CN102856443A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 上海嘉鹰电器仪表有限公司 照明灯具的led芯片封装方法及封装体
KR101923666B1 (ko) * 2011-12-20 2018-11-30 서울반도체 주식회사 발광모듈
TWI445204B (zh) 2012-03-02 2014-07-11 Univ Nat Chiao Tung 具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件
CN102760821B (zh) * 2012-07-10 2015-10-07 江苏博睿光电有限公司 一种白光led光源
JP5374002B1 (ja) * 2012-09-10 2013-12-25 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001203393A (ja) * 2000-01-19 2001-07-27 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード
JP2006049443A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置及びその実装構造
JP2007220942A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
JP2010506377A (ja) * 2006-05-03 2010-02-25 クリー インコーポレイテッド 複数素子ledランプパッケージ
JP2008010691A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Hitachi Displays Ltd 照明装置および照明装置を用いた表示装置
US20090001390A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
JP2010238837A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sharp Corp 光源モジュールおよび該モジュールを備えた電子機器
JP2011146709A (ja) * 2010-01-15 2011-07-28 Lg Innotek Co Ltd 発光装置、照明システム
US20110254030A1 (en) * 2010-04-15 2011-10-20 Perkinelmer Elcos Gmbh Liquid reflector
US20130337591A1 (en) * 2012-06-19 2013-12-19 Epistar Corporation Light-emitting device
JP2014011359A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Sharp Corp 発光装置、照明装置および表示装置用バックライト
JP2017510061A (ja) * 2014-01-29 2017-04-06 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 封止材で充填した蛍光体変換ledのための浅底反射器カップ

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