JP2018121475A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】回路の導通損失を低減することにより全体の損失をさらに低減可能であり、高効率な電力変換装置を提供すること。【解決手段】電力変換装置1は、正極側電位線1pに接続されたメインスイッチSmと、これと負極側電位線1nとの間に並列接続された複数のハーフブリッジ回路2u、2v、2wを有し、変換された電力を負荷Mに出力する出力回路部2と、補助回路3を備え、上記ハーフブリッジ回路は、上記メインスイッチ側の半導体スイッチと、上記負極側電位線側の半導体スイッチ又はダイオードとが直列接続されている。上記負荷への通電を制御する制御部4は、上記メインスイッチをオンオフすることにより、上記メインスイッチ側の半導体スイッチがオン状態にある上記ハーフブリッジ回路を経由する電流経路を形成すると共に、上記メインスイッチがオフ状態にある還流期間に、還流経路における全ての上記半導体スイッチをオン状態とする。【選択図】図1
Description
本発明は、電力変換装置に関する。
例えば、電源電力をモータ等の駆動用電力に変換するために、インバータ等の電力変換装置が用いられる。電力変換装置では、スイッチング素子のオンオフに伴うスイッチング損失が発生することから、これを低減するための補助回路を設け、リアクトルとコンデンサによる共振現象を利用して、ゼロボルトスイッチング(以下、ZVSと称する)を実現する手法が提案されている。
一例として、特許文献1には、直流電力入力と三相交流出力との間に接続されたスイッチング・ブリッジと、直流電力入力とスイッチング・ブリッジとの間に接続された補助回路を備えて、直流電力を三相交流出力に変換するための零電圧遷移電圧源インバータが開示されている。補助回路は、直流電力入力の直流レールに接続されたレール・スイッチと、その両端に接続された、共振インダクタと補助スイッチとの直列接続体と、補助ダイオードとからなる。補助ダイオードは、第1の端部が補助スイッチと共振インダクタとの接続点に接続され、第2の端部がアースに接続される。
特許文献1に記載される手法では、直流レールのレール・スイッチがオフのときにブリッジ回路のブリッジ・スイッチがゼロ電圧状態でターンオンされ、次いで、補助回路に支援されてレール・スイッチが時間t1でターンオンされる。補助回路の補助スイッチは、時間t1より前にターンオンされて、共振インダクタに電流が蓄積され、時間t1より後にターンオフされる。共振インダクタは、ブリッジ・スイッチとレール・スイッチとの間のキャパシタンスと共振して、レール・スイッチのターンオンに対して、ゼロ電流遷移を提供する。その後、ブリッジ・スイッチがターンオフされ、さらに、レール・スイッチがターンオフされる。
しかしながら、特許文献1に記載される制御では、主にブリッジ・スイッチのスイッチングに伴う損失の低減は可能であるものの、インバータを構成するブリッジ回路の主要損失である導通損失は低減できない。そのため、電力変換効率の向上に限界があり、全体の損失をさらに低減して省力化を図ることが望まれている。
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、回路における導通損失を低減することにより全体の損失をさらに低減可能であり、高効率な電力変換装置を提供しようとするものである。
本発明の一態様は、
入力電源(B)の正極側電位線(1p)に接続されたメインスイッチ(Sm)と、
上記メインスイッチと上記入力電源の負極側電位線(1n)との間に並列接続された複数のハーフブリッジ回路(2u、2v、2w)を有し、変換された電力を負荷(M)に出力する出力回路部(2)と、
上記正極側電位線に、上記メインスイッチと並列に、補助スイッチ(Sas)及び共振リアクトル(L1)が接続されると共に、上記補助スイッチ及び上記共振リアクトルの接続点(31)と上記負極側電位線との間に補助ダイオード(Das)が接続された補助回路(3)と、を備える電力変換装置(1)であって、
上記ハーフブリッジ回路は、上記メインスイッチ側の半導体スイッチ(Sup、Svp、Swp)と、上記負極側電位線側の半導体スイッチ(Sun、Svn、Swn)又はダイオードとが直列接続された構成であり、
上記メインスイッチのスイッチングに伴って上記ハーフブリッジ回路から上記負荷への通電を制御する制御部(4)を備えており、
上記制御部は、上記メインスイッチをオンオフすることにより、上記メインスイッチ側の半導体スイッチがオン状態にある上記ハーフブリッジ回路を経由する電流経路を形成すると共に、上記メインスイッチがオフ状態にある還流期間に、還流経路における全ての上記半導体スイッチをオン状態とする、電力変換装置にある。
入力電源(B)の正極側電位線(1p)に接続されたメインスイッチ(Sm)と、
上記メインスイッチと上記入力電源の負極側電位線(1n)との間に並列接続された複数のハーフブリッジ回路(2u、2v、2w)を有し、変換された電力を負荷(M)に出力する出力回路部(2)と、
上記正極側電位線に、上記メインスイッチと並列に、補助スイッチ(Sas)及び共振リアクトル(L1)が接続されると共に、上記補助スイッチ及び上記共振リアクトルの接続点(31)と上記負極側電位線との間に補助ダイオード(Das)が接続された補助回路(3)と、を備える電力変換装置(1)であって、
上記ハーフブリッジ回路は、上記メインスイッチ側の半導体スイッチ(Sup、Svp、Swp)と、上記負極側電位線側の半導体スイッチ(Sun、Svn、Swn)又はダイオードとが直列接続された構成であり、
上記メインスイッチのスイッチングに伴って上記ハーフブリッジ回路から上記負荷への通電を制御する制御部(4)を備えており、
上記制御部は、上記メインスイッチをオンオフすることにより、上記メインスイッチ側の半導体スイッチがオン状態にある上記ハーフブリッジ回路を経由する電流経路を形成すると共に、上記メインスイッチがオフ状態にある還流期間に、還流経路における全ての上記半導体スイッチをオン状態とする、電力変換装置にある。
上記一態様の電力変換装置は、制御部が、メインスイッチをオンオフ制御するのに伴い、出力回路部の複数のハーフブリッジ回路が通電制御され、入力電圧が変換されて出力される。その際、メインスイッチをオンすると、複数のハーフブリッジ回路のうちメインスイッチ側の半導体スイッチがオン状態にあるハーフブリッジ回路から負荷へ流れる電流経路が形成される。メインスイッチがオフされると、複数のハーフブリッジ回路の半導体スイッチ又はダイオードを介して還流電流が流れる還流経路が形成される。この還流期間中に、還流経路にあり通電状態にある全ての半導体スイッチのうちオフ状態にある半導体スイッチをオンする。
これにより、オフ状態のときに半導体スイッチの寄生ダイオード等を介して流れていた還流電流が分流されて、オン状態の半導体スイッチを流れるようになり、導通損失を低減できる。その後、メインスイッチがオンする前に、補助回路の作動させることで、メインスイッチの出力側と入力側の電位差を低下させ、ZVSによるオンオフが可能となる。したがって、スイッチング損失と導通損失の両方を低減させることができる。
以上のごとく、上記態様によれば、回路における導通損失を低減することにより全体の損失をさらに低減可能であり、高効率な電力変換装置を提供することができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
(実施形態1)
以下、電力変換装置に係る実施形態1について、図1〜図11を参照して説明する。
図1に示すように、本形態の電力変換装置1は、入力電源としてのバッテリBと、その正極側電位線1pに接続されたメインスイッチSmと、負荷としての交流モータMに接続され、変換された電力を出力する出力回路部2と、補助スイッチSasと共振リアクトルL1と補助ダイオードDasを有する補助回路3と、制御部4と、共振コンデンサC1を備えている。
以下、電力変換装置に係る実施形態1について、図1〜図11を参照して説明する。
図1に示すように、本形態の電力変換装置1は、入力電源としてのバッテリBと、その正極側電位線1pに接続されたメインスイッチSmと、負荷としての交流モータMに接続され、変換された電力を出力する出力回路部2と、補助スイッチSasと共振リアクトルL1と補助ダイオードDasを有する補助回路3と、制御部4と、共振コンデンサC1を備えている。
出力回路部2は、メインスイッチSmとバッテリBの負極側電位線1nとの間に並列接続された複数のハーフブリッジ回路2u、2v、2wを有する。また、制御部4は、メインスイッチSmのスイッチングに伴って、複数のハーフブリッジ回路2u、2v、2wから交流モータMへの通電を制御している。共振コンデンサC1は、メインスイッチSmと出力回路部2との間に、複数のハーフブリッジ回路2u、2v、2wと並列に接続される。
メインスイッチSm、出力回路部2及び補助回路3は、制御部4に接続されており、電力変換装置1の動作は、制御部4からの制御信号によって制御される。電力変換装置1は、例えば、交流モータMを駆動源とする車載装置に適用され、直流電源であるバッテリBからの入力電力を、所望の交流出力に変換して交流モータMに出力する。交流モータMは、三相(すなわち、U相、V相、W相)のモータコイルLu、Lv、Lwを備え、これらモータコイルLu、Lv、Lwは一端が共通接続されている。
出力回路部2は、バッテリBの直流電力を、交流電力に変換するインバータとして構成されている。並列接続された複数のハーフブリッジ回路として、ここでは、正極Bpに接続される正極側電位線1pと負極Bnに接続される負極側電位線1nとの間に、3つのハーフブリッジ回路2u、2v、2wが配置される。負極側電位線1nは、例えば、グランド電位に設定されている。各ハーフブリッジ回路2u、2v、2wは、正極Bp側の上アームスイッチである半導体スイッチSup、Svp、Swpと、負極Bn側の下アームスイッチである半導体スイッチSun、Svn、Swnと、を直列接続して構成される。
U相の半導体スイッチSupと半導体スイッチSunとの接続点21uには、モータコイルLuの他端(すなわち、共通する一端と反対側の一端)が接続される。同様に、V相、W相の半導体スイッチSvp、Swpと半導体スイッチSvn、Swnとの接続点21v、21wには、それぞれモータコイルLv、Lwの他端が接続される。半導体スイッチSup、Svp、Swpの、接続点21u、21v、21wと反対側の一端は、メインスイッチSmに接続され、半導体スイッチSun、Svn、Swnの、接続点21u、21v、21wと反対側の一端は、負極側電位線1nに接続される。
補助回路3は、補助スイッチSas及び共振リアクトルL1の直列接続体と、これらの接続点31に接続される補助ダイオードDasとを有している。補助スイッチSas及び共振リアクトルL1の直列接続体は、正極側電位線1pに、メインスイッチSmと並列に接続される。具体的には、補助スイッチSasの一端が、メインスイッチSmの正極Bp側に接続され、共振リアクトルL1の一端が、メインスイッチSmの出力回路部2側に接続されている。補助ダイオードDasは、接続点31と負極側電位線1nとの間に逆方向接続される。すなわち、カソード側が、補助スイッチSas及び共振リアクトルL1の接続点31に接続され、アノード側が、負極側電位線1nに接続されて、補助回路3の作動時に流れるリアクトル電流Iasを整流している。
メインスイッチSm、補助スイッチSasとしては、例えば、ゲート電圧制御式のMOSFET(すなわち、電界効果トランジスタ)が用いられる。メインスイッチSm、補助スイッチSasは、それぞれMOSFETのドレイン−ソース間に逆方向接続されたダイオードを有している。MOSFET以外の半導体スイッチング素子、例えば、バイポーラトランジスタ、IGBT等を用いることもできる。
同様に、出力回路部2を構成する半導体スイッチSup、Svp、Swp及び半導体スイッチSun、Svn、Swnとして、例えば、MOSFETが用いられる。また、半導体スイッチSup、Svp、Swp及び半導体スイッチSun、Svn、Swnは、それぞれMOSFETのドレイン−ソース間に逆方向接続されたダイオードDup、Dvp、Dwp、Dun、Dvn、Dwnを有している。MOSFET以外の半導体スイッチング素子、例えば、バイポーラトランジスタ、IGBT等を用いることもできる。
なお、ハーフブリッジ回路2u、2v、2wとなる各直列接続体は、2つの半導体スイッチの組み合わせに限らない。2つの半導体パワー素子からなる直列接続体であれば、例えば、半導体スイッチとダイオードを組み合わせた直列接続体でもよい。また、出力回路部2は、3つのハーフブリッジ回路2u、2v、2wを用いた三相のインバータとしたが、単相のインバータとして構成してもよく、2つ以上のハーフブリッジ回路を有していればよい。
共振コンデンサC1は、メインスイッチSmと出力回路部2との間に、出力回路部2の複数のハーフブリッジ回路2u、2v、2wと並列に配置される。具体的には、メインスイッチSmのソース端子側の正極側電位線1pに、共振コンデンサC1の一端が接続され、他端がグランド電位の負極側電位線1nに接続される。共振コンデンサC1の容量は、出力回路部2の半導体スイッチSup、Svp、Swp及び半導体スイッチSun、Svn、Swnの寄生容量の合計値よりも大きくするのがよい。十分大きな容量の電圧依存の少ない容量素子を共振コンデンサC1として使用することで、スイッチング時の制御性が向上する。また、スイッチオフ時のメインスイッチSmのドレイン−ソース間電圧の上昇を緩やかにして、スイッチング損失を低減できる。さらに、共振コンデンサC1を補助回路3の近傍に配置することができ、急峻で大きな共振電流が流れる電流経路のループを小さくして、放射ノイズを低減できる。
また、電力変換装置1は、バッテリBの電圧を平滑化する平滑コンデンサCiを備えている。具体的には、補助スイッチSasとメインスイッチSmとの接続点12よりバッテリB側において、正極側電位線1pと負極側電位線1nの間に平滑コンデンサCiが接続されている。これにより、バッテリBの直流電源の変動による影響を抑制することができる。バッテリBの直流電圧(すなわち、入力電圧Vi)は、例えば、48Vである。
制御部4は、メインスイッチSm、補助スイッチSasの各ゲート電極に、ゲート配線を介してそれぞれ接続されている。また、ハーフブリッジ回路2u、2v、2wの半導体スイッチSup、Svp、Swp及び半導体スイッチSun、Svn、Swnの各ゲート電極に、ゲート配線を介してそれぞれ接続されている。制御部4は、例えば、交流モータMの要求トルクに応じた目標出力となるように、各ゲート電極に制御信号を出力してこれらスイッチをオンオフ制御し、入力された直流電力を三相交流電力に変換する。このとき、出力回路部2の3つのハーフブリッジ回路2u、2v、2wは、上アームスイッチである半導体スイッチSup、Svp、Swpと、下アームスイッチである半導体スイッチSun、Svn、Swnが交互に通電状態となるように制御され、モータコイルLu、Lv、Lwに相電流Iu、Iv、Iwが流れる。
制御部4は、メインスイッチSmをオンオフすることにより、メインスイッチSm側の半導体スイッチSup、Svp、Swpがオン状態にあるハーフブリッジ回路2u、2v、2wから、交流モータMの各相へ流れる電流経路を形成する。電流経路は、交流モータMから、負極Bn側の半導体スイッチSun、Svn、Swnがオン状態にあるハーフブリッジ回路2u、2v、2wを経由して、負極側電位線1nへ至る。制御部4は、メインスイッチSmがオフ状態にある還流期間に、還流経路を形成し通電状態にあるハーフブリッジ回路2u、2v、2wについて、全ての半導体スイッチSup、Svp、Swp、Sun、Svn、Swnをオン状態とする。これにより、還流経路にあるオフ状態の半導体スイッチSup、Svp、Swp、Sun、Svn、Swnが、損失の大きいダイオードDup、Dvp、Dwp、Dun、Dvn、Dwnに代わってオンすることになるため、導通損失が低減する。
制御部4による還流期間の制御の詳細については、後述する。
制御部4による還流期間の制御の詳細については、後述する。
図2に示すように、交流モータMの三相(すなわち、U相、V相、W相)に対応する出力回路部2の各スイッチのゲート電極には、それぞれ異なるタイミングでパルス状の制御信号が出力される。三相は、それぞれ電気角で120度の位相差を有しており、360度で1サイクルとなっている。なお、図2には、電気角を120度とした例を示しているが、この値は必ずしも120度である必要はなく、任意に設定できる。
3つのハーフブリッジ回路2u、2v、2wにおいて、上アームスイッチである半導体スイッチSup、Svp、Swpの通電状態は、1つのメインスイッチSmのオンオフとの組み合わせによって制御される。すなわち、半導体スイッチSup、Svp、Swpは、それぞれ1サイクル中、電気角で120度の間オン状態となり、その間にメインスイッチSmのオンオフが切り換えられる。このメインスイッチSmのオン状態の間、半導体スイッチSup、Svp、Swpは、実質的な通電オン状態となる。
下アームスイッチである半導体スイッチSun、Svn、Swnは、対応する半導体スイッチSup、Svp、Swpが実質的な通電オフ状態にあるときに、オン状態となるように制御される。言い換えれば、メインスイッチSmと半導体スイッチSup、Svp、Swpの両方がオン状態であるときに、対応する半導体スイッチSun、Svn、Swnが同時にオン状態とならないようにしている。
メインスイッチSmは、PWM(すなわち、パルス幅変調)制御により駆動され、メインスイッチSmのオン期間中に、三相のうちオン状態にある相の半導体スイッチSup、Svp、Swpを経由する電流経路が形成される。制御部4は、例えば、交流モータMの各相電圧又は各相電流の目標値と実測値との差とに基づいて、PWM制御のデューティ比を演算し、PWM信号を生成する。デューティ比は、パルス波の1周期(すなわち、スイッチング周期)のうちのオン期間とオフ期間の比率であり、PWM信号に基づく所定のタイミングでメインスイッチSmがオンオフ駆動される。
図2中のVg_smは、メインスイッチSmにおけるゲート電圧を示しており、ゲート電圧がハイレベル(以下、Hレベル)のときにオンし、ローレベル(以下、Lレベル)のときにオフする。同様に、Vg_upは、U相の上アームの半導体スイッチSupにおけるゲート電圧を示しており、Vg_unは、U相の下アームの半導体スイッチSunにおけるゲート電圧を示している。また、Vg_vp、Vg_vnは、V相の上アーム及び下アームの半導体スイッチSvp、Svnにおけるゲート電圧を示し、Vg_wp、Vg_wnは、W相の上アーム及び下アームの半導体スイッチSwp、Swnにおけるゲート電圧を示している。ここでは、各相の半導体スイッチSup、Svp、Swpがオン状態である間に、メインスイッチSmは、例えば、それぞれ4回のスイッチングを行っている。なお、スイッチング回数は、一例であり、回路条件等によって変化する。
このように、3つのハーフブリッジ回路2u、2v、2wを有する出力回路部2を、1つのメインスイッチSmと組み合わせることで、制御性が大きく向上する。さらに、メインスイッチSmのオンオフ時には、共振リアクトルL1を有する補助回路3と共振コンデンサC1によるLC共振回路の補助により、制御性よくZVSによるターンオン・ターンオフ動作を実現できる。一例として、U相の通電時における、メインスイッチSmのスイッチング1周期分(すなわち、図2中に斜線で示す期間)を、図3に示すように複数の期間T1〜T8に分けて、制御部4による各期間の制御の詳細を説明する。なお、図3〜図10では、回路動作の説明上、平滑コンデンサCiは不要であるため、図示を省略している。
図3左図に示すように、U相のモータコイルLuに通電する際には、制御部4がハイレベルのゲート電圧指令信号を出力し、メインスイッチSmと、ハーフブリッジ回路2uの半導体スイッチSup及びハーフブリッジ回路2vの半導体スイッチSvnをオン状態とする。これら以外の半導体スイッチSun、半導体スイッチSvp及びハーフブリッジ回路2wの半導体スイッチSwp、Swnは、いずれもオフ状態とする。このとき、図3右図に示すように、メインスイッチSmがオン状態となる期間T1の間、バッテリBの正極側電位線1pから、メインスイッチSmを経由して、半導体スイッチSup、モータコイルLu、モータコイルLv、半導体スイッチSvn、負極側電位線1nへの電流経路(すなわち、図3左図中に矢印で示す経路)が形成される。メインスイッチSmは、ドレイン−ソース間が導通して、ドレイン−ソース間電圧Vds_smは0Vとなっている。また、オフ状態の半導体スイッチSvpの両端間は同電位となっており、ドレイン−ソース間電圧Vds_svは0Vとなっている。図3右図中のVg_asは、補助スイッチSasのゲート電圧を示している。
期間T1に先立ち、後述するように、前サイクルの期間T4〜T8の間において、補助回路3の補助スイッチSasが駆動されて、共振コンデンサC1が充電される。これにより、コンデンサ電圧Vcは、入力電圧Vi(例えば、48V)と同等になり、メインスイッチSmのソース端子側、すなわち、接続点11の電圧が上昇する。したがって、期間T1のゲート電圧の立ち上がりにおいて、メインスイッチSmは、ZVSによるターンオン動作が可能になる。また、メインスイッチSmのターンオンより前に、補助スイッチSasがターンオフされることで、補助回路3を過剰な電流が流れるのを抑制できる。
この状態において、図4左図に示すように、メインスイッチSmをオフすると、共振コンデンサC1の電荷が、メインスイッチSmと出力回路部2との接続点11へ向けて供給される。これにより、半導体スイッチSup、モータコイルLu、モータコイルLv、半導体スイッチSvnを経由して、負極側電位線1nへの電流経路(すなわち、図4左図中に矢印で示す経路)が形成される。図4右図に示すように、この期間T2では、まず、メインスイッチSmのゲート電圧Vg_smが、HレベルからLレベルに切り替えられることで、メインスイッチSmがオフし、次いで、共振コンデンサC1の電荷が抜かれることで、コンデンサ電圧Vcが低下し始めると共に、メインスイッチSmのドレイン−ソース間電圧Vds_smが上昇を始める。
このとき、メインスイッチSmのスイッチング速度に対して、共振コンデンサC1のコンデンサ電圧Vcの低下速度が遅いために、メインスイッチSmのドレイン−ソース間電圧Vds_smが上昇する前に、メインスイッチSmをターンオフ可能となる。すなわち、期間T2のゲート電圧g_smの立ち下がりにおいて、メインスイッチSmのターンオフ動作は、ZVSとなる。その後、共振コンデンサC1の放電によりコンデンサ電圧Vcは0Vまで低下し、メインスイッチSmのドレイン−ソース間電圧Vds_smは電源電圧と同等となる。
すると、図5右図に示す期間T3において、交流モータM側からバッテリB側へ向かってモータコイル電流が還流する還流経路が形成される。還流電流は、図5左図に示すように、ハーフブリッジ回路2vの接続点21vから、半導体スイッチSvpのダイオードDvpを経由して半導体スイッチSup側へ流れると共に、半導体スイッチSvnから半導体スイッチSunのダイオードDunを経由して半導体スイッチSup側へ流れる。
さらに、図6に示すように、続く期間T4において、還流スイッチとなる半導体スイッチSun及び半導体スイッチSvpをオンする。これにより、ダイオードDun、Dvpに代わって、より損失の小さい半導体スイッチSunと半導体スイッチSvpのドレイン−ソース間が導通するため、導通損を低減することができる。また、半導体スイッチSun、Svpの両端間は同電位となっており、ターンオン動作は、ZVSとなる。その後、図7に示すように、期間T5において、半導体スイッチSun及び半導体スイッチSvpをオフすることで、メインスイッチSmがオンできる状況を作る。このとき半導体スイッチSun及び半導体スイッチSvpのドレイン−ソース間は同電位となっており、ZVSターンオフとなる。
このように、制御部4は、メインスイッチSmをオフしてから、通電状態にあるハーフブリッジ回路に2u、2v、2wについて、還流スイッチとなる半導体スイッチSup、Svp、Swp、Sun、Svn、Swnをオンする。次いで、メインスイッチSmをオンする前に、還流スイッチとなる半導体スイッチSup、Svp、Swp、Sun、Svn、Swnをオフする。
還流スイッチは、図3のように、半導体スイッチSup、Svnがオンして通電経路を形成している場合には、半導体スイッチSvp、Sunである。同様に、半導体スイッチSup、Swnがオンしている場合は、還流スイッチは、半導体スイッチSwp、Sunであり、半導体スイッチSvp、Swnがオンしている場合は、還流スイッチは、半導体スイッチSwp、Svnであり、半導体スイッチSvp、Sunがオンしている場合は、還流スイッチは、半導体スイッチSup、Svnであり、半導体スイッチSwp、Sunがオンしている場合は、還流スイッチは、半導体スイッチSup、Swnであり、半導体スイッチSwp、Svnがオンしている場合は、還流スイッチは、半導体スイッチSvp、Swnである。
還流スイッチをオンするタイミングは、メインスイッチSmの出力側電圧である、コンデンサ電圧Vcが0Vまで低下し、還流経路が形成される時点以降であればよい。好ましくは、回路における遅れを考慮して、コンデンサ電圧Vcが0Vに達する前に、還流スイッチをオンするとよい。この場合の、期間T3〜期間T5における制御部4の制御フローの一例を、図11を用いて説明する。まず、ステップS1において、メインスイッチSmをターンオフした後、ステップS2において、コンデンサ電圧Vcを検出し、所定の還流開始電圧Vth1以下となったかどうかを判定する。
閾値電圧である還流開始電圧Vth1は、下記式1を満足するように設定される。
式1:Vth1≦(IL・tdelay)/Cas
ただし、式1中、ILは、負荷電流(例えば、U相の通電時であれば、相電流Iu)であり、Casは、共振コンデンサC1の容量であり、tdelayは、回路部品による遅延時間である。
式1:Vth1≦(IL・tdelay)/Cas
ただし、式1中、ILは、負荷電流(例えば、U相の通電時であれば、相電流Iu)であり、Casは、共振コンデンサC1の容量であり、tdelayは、回路部品による遅延時間である。
制御部4は、例えば、図示しないコンパレータを含むコンデンサ電圧検出回路に、メインスイッチSmと出力回路部2との接続点11の電圧(すなわち、コンデンサ電圧Vc)を取り込み、還流開始電圧Vth1との比較結果を基に、ステップS2の判定を行う。ステップS2が否定判定された場合は、肯定判定されるまで、ステップ2を繰り返す。ステップS2が肯定判定された場合は、ステップS3へ進み、還流スイッチをオンする。
このとき、コンデンサ電圧Vcの検出から、還流スイッチがオン状態となるまでに、コンパレータ、フィルタ回路、スイッチ駆動回路やスイッチのオンオフに伴う遅延が発生する。そのため、回路部品による遅延時間tdelayを考慮した0V近傍の電圧(すなわち、式1の右辺)に、コンデンサ電圧Vcが低下した時点において、還流スイッチをオンすればよいことがわかる。そして、還流開始電圧Vth1を適切に設定することで、還流スイッチとなる半導体スイッチSup、Svp、Swp、Sun、Svn、SwnのダイオードDup、Dvp、Dwp、Dun、Dvn、Dwnのみが導通しているダイオード導通期間を短縮し、導通損失をさらに低減可能となる。
ステップS2が否定判定された場合は、肯定判定されるまで、ステップ2を繰り返す。ステップS2が肯定判定された場合は、ステップS3へ進み、還流スイッチをオンする。次いで、ステップS4において、所定のタイミングで還流スイッチをオフした後、ステップS4において、メインスイッチSmをオンする。還流スイッチをオンするタイミングは、通電経路を形成する下アームスイッチとなる半導体スイッチSun、Svn、Swnを、オフするタイミングと同様に設定することができる。
図8〜図10に示す期間T6〜期間T8では、補助回路3を作動させて、共振コンデンサC1に充電する。まず、図8左図において、補助スイッチSasをオンすると、共振リアクトルL1を経由して、半導体スイッチSup、モータコイルLu、モータコイルLv、半導体スイッチSvn、負極側電位線1nへの電流経路が形成される。図8右図に示すように、期間T6以前に補助回路3は通電されておらず、また共振リアクトルL1により電流の立ち上がりが抑制されるため、補助スイッチSasのターンオン動作は、ゼロ電流スイッチング(すなわち、ZCS)となる。補助スイッチSasのターンオンに伴い、補助スイッチSas及び共振リアクトルL1を経て補助回路3を流れるリアクトル電流Iasが立ち上がり、時間と共に上昇する。
図9左図に示すように、期間T7においてリアクトル電流Iasが、相電流Iu以上になると、共振コンデンサC1へ向けて充電電流が流れ、コンデンサ電圧Vcが上昇し始める。同時に、図9右図に示すように、メインスイッチSmのドレイン−ソース間電圧Vds_smが低下を始める。その後、図10左図に示すように、補助スイッチSasをオフすると、共振リアクトルL1と共振コンデンサC1が共振し、共振リアクトルL1に蓄えられていたエネルギが共振コンデンサC1に移動する。図10右図に示す期間T8において、共振コンデンサC1のコンデンサ電圧Vcは上昇を続ける。リアクトル電流Iasは、補助スイッチSasのターンオフに伴い、徐々に下降する。
このようにして、期間T6〜期間T8の間に、コンデンサ電圧Vcを入力電圧Viまで上昇させることができる。同時に、メインスイッチSmのソース端子側の電位が上昇することで、ドレイン−ソース間電圧Vds_smが0Vまで低下する。したがって、メインスイッチSmのZVSが可能になる。
この時点で、1つのスイッチング周期が終了し、次のスイッチング周期が開始される。そして、期間T8から期間1(例えば、図3参照)への切り替わり時に、メインスイッチSmがZVSにより再びオンされる。このようにして、メインスイッチSmのターンオフ及びターンオンにおけるZVS動作が可能になり、スイッチング損失の低減と出力回路部2における導通損失の低減とにより、全体の損失を低減できる。
(実施形態2)
電力変換装置に係る実施形態2について、図15を参照して説明する。
図14に示すように、本形態の電力変換装置1の基本構成は、上記実施形態1と同様であり、バッテリBの正極側電位線1pに接続されたメインスイッチSmと、交流モータMに接続された出力回路部2と、補助スイッチSasと共振リアクトルL1を有する補助回路3とを備えている。電力変換装置1の各部動作は、図示しない制御部4からの制御信号によって制御される。
なお、実施形態2以降において用いた符号のうち、既出の実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。
電力変換装置に係る実施形態2について、図15を参照して説明する。
図14に示すように、本形態の電力変換装置1の基本構成は、上記実施形態1と同様であり、バッテリBの正極側電位線1pに接続されたメインスイッチSmと、交流モータMに接続された出力回路部2と、補助スイッチSasと共振リアクトルL1を有する補助回路3とを備えている。電力変換装置1の各部動作は、図示しない制御部4からの制御信号によって制御される。
なお、実施形態2以降において用いた符号のうち、既出の実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。
上記実施形態1では、出力回路部2のハーフブリッジ回路2u、2v、2wと並列な共振コンデンサC1を配置したが、本形態では、メインスイッチSmと並列に、共振コンデンサC2を配置している。具体的には、メインスイッチSmが接続される正極側電位線1pにおいて、メインスイッチSmのドレイン端子側に、共振コンデンサC2の一端が接続され、メインスイッチSmのソース端子側に、共振コンデンサC2の他端がそれぞれ接続されている。
本形態の構成においても、メインスイッチSmのスイッチングにより、ハーフブリッジ回路2u、2v、2wの駆動が制御されて、出力回路部2から所望の交流出力を交流モータMに出力できる。その際に、メインスイッチSmのオンオフ動作に先立ち、補助回路2を駆動して、共振コンデンサC2を充電し、コンデンサ電圧Vcを電源電圧Viまで上昇させることができる。これにより、メインスイッチSmのスイッチング動作をZVSにて行うことができ、スイッチング損失を低減できる。また、実施形態1と同様に、制御部4にて、還流期間における還流スイッチの制御を行うことにより、導通損失を低減できる。
また、共振コンデンサC2をメインスイッチSmの直近に配置できるため、低インダクタンスでの実装が可能になる。この場合、メインスイッチSmのターンオフ時にドレイン−ソース間の電圧上昇を理想に近い緩やかな波形にできるため、ターンオフ損失を低減する効果が高い。
本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。例えば、複数のメインスイッチSmを設けて、そのそれぞれに対して、複数のハーフブリッジ回路を有する出力回路部2を配置してもよい。あるいは、1つのメインスイッチSmに対して、それぞれ複数のハーフブリッジ回路を有する出力回路部2を、複数並列配置することもできる。
上記実施形態では、電力変換装置1を交流モータMに接続して、交流出力を供給するためのインバータとして構成したが、負荷は交流モータMに限らず、車載機器その他任意の機器に適用可能である。また、インバータ動作は、矩形波パルス信号による通電制御に限らず、正弦波信号による通電制御でもよい。
B バッテリ(入力電源)
Sm メインスイッチ
Sas 補助スイッチ
Sup、Svp、Swp、Sun、Svn、Swn 半導体スイッチ
M 交流モータ(負荷)
1 電力変換装置
2 出力回路部
2u、2v、2w ハーフブリッジ回路
3 補助回路
4 制御部
Sm メインスイッチ
Sas 補助スイッチ
Sup、Svp、Swp、Sun、Svn、Swn 半導体スイッチ
M 交流モータ(負荷)
1 電力変換装置
2 出力回路部
2u、2v、2w ハーフブリッジ回路
3 補助回路
4 制御部
Claims (4)
- 入力電源(B)の正極側電位線(1p)に接続されたメインスイッチ(Sm)と、
上記メインスイッチと上記入力電源の負極側電位線(1n)との間に並列接続された複数のハーフブリッジ回路(2u、2v、2w)を有し、変換された電力を負荷(M)に出力する出力回路部(2)と、
上記正極側電位線に、上記メインスイッチと並列に、補助スイッチ(Sas)及び共振リアクトル(L1)が接続されると共に、上記補助スイッチ及び上記共振リアクトルの接続点(31)と上記負極側電位線との間に補助ダイオード(Das)が接続された補助回路(3)と、を備える電力変換装置(1)であって、
上記ハーフブリッジ回路は、上記メインスイッチ側の半導体スイッチ(Sup、Svp、Swp)と、上記負極側電位線側の半導体スイッチ(Sun、Svn、Swn)又はダイオードとが直列接続された構成であり、
上記メインスイッチのスイッチングに伴って上記ハーフブリッジ回路から上記負荷への通電を制御する制御部(4)を備えており、
上記制御部は、上記メインスイッチをオンオフすることにより、上記メインスイッチ側の半導体スイッチがオン状態にある上記ハーフブリッジ回路を経由する電流経路を形成すると共に、上記メインスイッチがオフ状態にある還流期間に、還流経路における全ての上記半導体スイッチをオン状態とする、電力変換装置。 - 上記制御部は、上記メインスイッチをオフしてから、通電状態にある上記ハーフブリッジ回路について、還流スイッチとなる上記半導体スイッチをオンし、上記メインスイッチをオンする前に、還流スイッチとなる上記半導体スイッチをオフする、請求項1に記載の電力変換装置。
- 上記制御部は、上記メインスイッチの出力側電圧(Vc)が閾値電圧(Vth1)以下となったときに、還流スイッチとなる上記半導体スイッチをオンする、請求項2に記載の電力変換装置。
- 上記メインスイッチと上記出力回路部の間に、上記複数のハーフブリッジ回路と並列に共振コンデンサ(C1)が接続されており、
上記閾値電圧は、下記式1を満足するように設定される、請求項3に記載の電力変換装置。
式1:Vth1≦(IL・tdelay)/Cas
ただし、式1中、ILは、負荷電流であり、Casは、上記共振コンデンサの容量であり、tdelayは、回路部品による遅延時間である。
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JP7396424B2 (ja) | 2019-01-22 | 2023-12-12 | 株式会社Gsユアサ | インバータ装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0870583A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
JPH09149636A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Hitachi Ltd | スイッチング電源装置 |
JP2011142794A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-07-21 | Denso Corp | 電力変換システム |
-
2017
- 2017-01-26 JP JP2017012436A patent/JP2018121475A/ja active Pending
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