JP2018107409A - 固体撮像装置及び撮像システム - Google Patents
固体撮像装置及び撮像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018107409A JP2018107409A JP2016255913A JP2016255913A JP2018107409A JP 2018107409 A JP2018107409 A JP 2018107409A JP 2016255913 A JP2016255913 A JP 2016255913A JP 2016255913 A JP2016255913 A JP 2016255913A JP 2018107409 A JP2018107409 A JP 2018107409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor region
- region
- imaging device
- solid
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 165
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 272
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 33
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14679—Junction field effect transistor [JFET] imagers; static induction transistor [SIT] imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】光電変換部をそれぞれが含む複数の画素を有し、光電変換部は、第1導電型の第1の半導体領域と、第1の半導体領域の下部に設けられた第2導電型の第2の半導体領域と、第2の半導体領域の下部に設けられた第1導電型の第3の半導体領域と、を有し、第2の半導体領域は、第1の端部と、前記第1の端部に対向する第2の端部とを備え、第3の半導体領域は、平面視において第2の半導体領域と重なる第1の領域及び第2の領域を有し、第1の領域と第2の領域が第1の端部の一部から第2の端部の一部に渡って離間している。
【選択図】図3
Description
本発明の第1実施形態による固体撮像装置について、図1乃至図5を用いて説明する。
本発明の第2実施形態による固体撮像装置について、図6乃至図8を用いて説明する。第1実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第3実施形態による固体撮像装置について、図9を用いて説明する。第1及び第2実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
第1及び第2実施形態では、光電変換部PD及び転送トランジスタM1を第1導電型の半導体基板110内に配置した例を示した。本実施形態では、光電変換部PD及び転送トランジスタM1を、半導体基板110とは逆導電型のウェル内に配置した例を示す。
本発明の第4実施形態による固体撮像装置について、図10乃至図12を用いて説明する。第1実施形態乃至第3による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第5実施形態による固体撮像装置について、図13を用いて説明する。第1実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図13は、本実施形態による固体撮像装置の画素の概略断面図である。
本発明の第6実施形態による撮像システムについて、図14を用いて説明する。第1乃至第5実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。図14は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
本発明の第7実施形態による撮像システム及び移動体について、図15を用いて説明する。図15は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。例えば、第4実施形態のp型半導体領域144を、第3又は第5実施形態の固体撮像装置に適用してもよい。
M1…転送トランジスタ
PD…光電変換部
100…固体撮像装置
110…半導体基板
116,126,128,130,132,134,144…p型半導体領域
118,120,146…n型半導体領域
124…ゲート電極
140…間隙
Claims (12)
- 光電変換部をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換部は、第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の下部に設けられた第2導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の下部に設けられた前記第1導電型の第3の半導体領域と、を有し、
前記第2の半導体領域は、第1の端部と、前記第1の端部に対向する第2の端部とを備え、
前記第3の半導体領域は、平面視において前記第2の半導体領域と重なる第1の領域及び第2の領域を有し、前記第1の領域と前記第2の領域が前記第1の端部の一部から前記第2の端部の一部に渡って離間している
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1の領域と前記第2の領域との間の間隙は、平面視において前記第2の半導体領域を横断するように配置されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1の領域と前記第2の領域との間の間隙は、平面視において前記第3の半導体領域により囲まれている
ことを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間に設けられ、平面視において少なくとも一部が前記第1の領域と前記第2の領域との間の間隙と重なる前記第1導電型の第4の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、平面視において前記第3の半導体領域が設けられた領域と同じ領域の、前記第2の半導体領域と前記第3の半導体領域との間の深さに設けられた前記第2導電型の第5の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素の各々は、電荷保持部を更に含み、
前記光電変換部から前記電荷保持部に電荷を転送する転送トランジスタを更に有し、
前記第1の領域と前記第2の領域との間の間隙は、平面視において前記転送トランジスタのゲート電極と重ならない
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の領域と前記第2の領域との間の間隙は、平面視において、前記第2の半導体領域の中央部分に配置されている
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、前記第2導電型の第6の半導体領域に設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、前記第2導電型の半導体基板に設けられており、
前記第6の半導体領域は、前記第1導電型の第7の半導体領域によって前記半導体基板の他の部分から電気的に分離されている
ことを特徴とする請求項8記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、前記第2導電型の半導体基板に設けられた前記第1導電型の第8の半導体領域に設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の前記画素から出力される信号を処理する信号処理部と
を有することを特徴とする撮像システム。 - 移動体であって、
請求項1乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
を有することを特徴とする移動体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016255913A JP6552479B2 (ja) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 固体撮像装置及び撮像システム |
US15/837,414 US10771720B2 (en) | 2016-12-28 | 2017-12-11 | Solid-state imaging device having a photoelectric converter with multiple semiconductor regions, imaging system and movable object |
EP17208348.7A EP3343622B1 (en) | 2016-12-28 | 2017-12-19 | Solid-state imaging device, imaging system and movable object |
CN201711414300.4A CN108257991B (zh) | 2016-12-28 | 2017-12-25 | 固态成像器件、成像***和可移动物体 |
JP2019122818A JP6946379B2 (ja) | 2016-12-28 | 2019-07-01 | 固体撮像装置及び撮像システム |
US16/986,117 US11553149B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-08-05 | Solid-state imaging device, imaging system and movable object |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016255913A JP6552479B2 (ja) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019122818A Division JP6946379B2 (ja) | 2016-12-28 | 2019-07-01 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018107409A true JP2018107409A (ja) | 2018-07-05 |
JP6552479B2 JP6552479B2 (ja) | 2019-07-31 |
Family
ID=60673948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016255913A Active JP6552479B2 (ja) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10771720B2 (ja) |
EP (1) | EP3343622B1 (ja) |
JP (1) | JP6552479B2 (ja) |
CN (1) | CN108257991B (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020021775A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
US20200176490A1 (en) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, photoelectric conversion system, and mobile apparatus |
JP2020098853A (ja) * | 2018-12-18 | 2020-06-25 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子、光電変換素子の製造方法 |
JP2020141119A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
JP2021027242A (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、放射線撮像システム、光電変換システム、移動体 |
US11437417B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system |
US11503234B2 (en) | 2019-02-27 | 2022-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, imaging system, radioactive ray imaging system, and movable object |
US11569278B1 (en) | 2019-07-09 | 2023-01-31 | Wells Fargo Bank, N.A. | Systems and methods for callable options values determination using deep machine learning |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6953263B2 (ja) | 2017-10-05 | 2021-10-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP7108421B2 (ja) | 2018-02-15 | 2022-07-28 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP7134781B2 (ja) | 2018-08-17 | 2022-09-12 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP2022025594A (ja) | 2020-07-29 | 2022-02-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
JP2022052529A (ja) * | 2020-09-23 | 2022-04-04 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像装置、半導体装置及び光電変換システム |
JP2024004306A (ja) | 2022-06-28 | 2024-01-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008078302A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
JP2014165286A (ja) * | 2013-02-23 | 2014-09-08 | Nikon Corp | フォトダイオード、固体撮像素子及び撮像装置 |
JP2015226255A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 株式会社ニコン | 撮像装置および自動車 |
JP2016111082A (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0812905B2 (ja) | 1986-07-11 | 1996-02-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
JPH0812906B2 (ja) | 1986-07-11 | 1996-02-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
DE3856165T2 (de) | 1987-01-29 | 1998-08-27 | Canon Kk | Photovoltaischer Wandler |
JP2678062B2 (ja) | 1989-06-14 | 1997-11-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US5146339A (en) | 1989-11-21 | 1992-09-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus employing Darlington transistor readout |
JP3647390B2 (ja) | 2000-06-08 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | 電荷転送装置、固体撮像装置及び撮像システム |
CN1225897C (zh) | 2002-08-21 | 2005-11-02 | 佳能株式会社 | 摄像装置 |
JP4194544B2 (ja) | 2003-12-05 | 2008-12-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
JP2005328274A (ja) | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Canon Inc | 固体撮像装置および撮像システム |
JP2005328275A (ja) | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Canon Inc | 固体撮像装置および撮像システム |
JP5074808B2 (ja) | 2007-04-11 | 2012-11-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP4685120B2 (ja) | 2008-02-13 | 2011-05-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP5221982B2 (ja) | 2008-02-29 | 2013-06-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
JP5188221B2 (ja) | 2008-03-14 | 2013-04-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2010016056A (ja) | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JP2010073906A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Sharp Corp | 固体撮像素子および電子情報機器 |
JP5661260B2 (ja) | 2009-07-16 | 2015-01-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP5489570B2 (ja) | 2009-07-27 | 2014-05-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP5767465B2 (ja) | 2010-12-15 | 2015-08-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ |
CN102709304B (zh) | 2012-06-26 | 2013-06-19 | 天津大学 | 提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管及方法 |
JP6055270B2 (ja) | 2012-10-26 | 2016-12-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法、およびカメラ |
US9520425B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-12-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with small pixels having high well capacity |
JP2015041988A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法およびプログラム |
US9231007B2 (en) | 2013-08-27 | 2016-01-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors operable in global shutter mode and having small pixels with high well capacity |
JP5665951B2 (ja) * | 2013-11-25 | 2015-02-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、および固体撮像装置を用いた撮像システム |
JP6595750B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2019-10-23 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP2015177034A (ja) | 2014-03-14 | 2015-10-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法、及びカメラ |
JP2016058818A (ja) | 2014-09-08 | 2016-04-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
-
2016
- 2016-12-28 JP JP2016255913A patent/JP6552479B2/ja active Active
-
2017
- 2017-12-11 US US15/837,414 patent/US10771720B2/en active Active
- 2017-12-19 EP EP17208348.7A patent/EP3343622B1/en active Active
- 2017-12-25 CN CN201711414300.4A patent/CN108257991B/zh active Active
-
2020
- 2020-08-05 US US16/986,117 patent/US11553149B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008078302A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
JP2014165286A (ja) * | 2013-02-23 | 2014-09-08 | Nikon Corp | フォトダイオード、固体撮像素子及び撮像装置 |
JP2015226255A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 株式会社ニコン | 撮像装置および自動車 |
JP2016111082A (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020021775A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
US10818708B2 (en) | 2018-07-30 | 2020-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device and imaging system |
CN111244205A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 佳能株式会社 | 光电转换设备、光电转换***和移动装置 |
JP2020088293A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 |
US20200176490A1 (en) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, photoelectric conversion system, and mobile apparatus |
JP2020098853A (ja) * | 2018-12-18 | 2020-06-25 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子、光電変換素子の製造方法 |
JP7305343B2 (ja) | 2018-12-18 | 2023-07-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子、光電変換素子の製造方法 |
JP2020141119A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US11503234B2 (en) | 2019-02-27 | 2022-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, imaging system, radioactive ray imaging system, and movable object |
US11437417B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system |
US11569278B1 (en) | 2019-07-09 | 2023-01-31 | Wells Fargo Bank, N.A. | Systems and methods for callable options values determination using deep machine learning |
JP2021027242A (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、放射線撮像システム、光電変換システム、移動体 |
US11784262B2 (en) | 2019-08-07 | 2023-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, radiation image capturing system, photoelectric conversion system, moving object |
JP7406887B2 (ja) | 2019-08-07 | 2023-12-28 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、放射線撮像システム、光電変換システム、移動体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200366858A1 (en) | 2020-11-19 |
US11553149B2 (en) | 2023-01-10 |
JP6552479B2 (ja) | 2019-07-31 |
EP3343622A1 (en) | 2018-07-04 |
CN108257991B (zh) | 2023-04-07 |
US10771720B2 (en) | 2020-09-08 |
EP3343622B1 (en) | 2020-11-18 |
US20180184027A1 (en) | 2018-06-28 |
CN108257991A (zh) | 2018-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6552479B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
JP6701108B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
US10868069B2 (en) | Solid state imaging device, imaging system, and mobile apparatus | |
JP6840555B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
JP7362285B2 (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、および移動体 | |
US20200035722A1 (en) | Solid-state imaging device and imaging system | |
JP2019033195A (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
CN111244205A (zh) | 光电转换设备、光电转换***和移动装置 | |
JP2023127098A (ja) | 光電変換装置 | |
JP6946379B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
JP7218108B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像システム、移動体、固体撮像装置の製造方法 | |
JP2020057689A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP7019743B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
JP7439011B2 (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 | |
JP2021190614A (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
JP2023174479A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2020096147A (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20171214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171226 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171226 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190604 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190702 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6552479 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |