JP6840555B2 - 固体撮像装置及び撮像システム - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態による固体撮像装置について、図1乃至図6を用いて説明する。
本発明の第2実施形態による固体撮像装置について、図7乃至図9を用いて説明する。第1実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第3実施形態による固体撮像装置について、図10及び図11を用いて説明する。第1及び第2実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第4実施形態による固体撮像装置について、図12を用いて説明する。第1乃至第3実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本実施形態による固体撮像装置は、図12に示すように、p型半導体領域144の代わりにn型半導体領域146(第5の半導体領域)を設けているほかは、第1乃至第3実施形態による固体撮像装置と同様である。n型半導体領域146は、p型半導体領域128が設けられた領域と平面視において実質的に等しい領域の、p型半導体領域116とp型半導体領域128との間の深さに設けられている。n型半導体領域146は、n型半導体領域118とほぼ同じ深さに位置している。なお、実質的に等しい領域とは、n型半導体領域146とp型半導体領域128とが同じマスクパターンを用いてイオン注入により形成されたものであることを意図している。
本発明の第5実施形態による撮像システムについて、図13を用いて説明する。第1乃至第4実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。図13は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
本発明の第6実施形態による撮像システム及び移動体について、図14を用いて説明する。図14は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
M1…転送トランジスタ
PD…光電変換部
100…固体撮像装置
110…半導体基板
116,126,128,130,132,134,144…p型半導体領域
118,120,146…n型半導体領域
124…ゲート電極
140…間隙
Claims (15)
- 光電変換により電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部から転送される電荷を保持する電荷保持部と、をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換部は、半導体基板の表面部に設けられた第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の下部に設けられ、生成した電荷を蓄積する第2導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の下部に設けられた前記第1導電型の第3の半導体領域と、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間の一部に設けられた前記第1導電型の第4の半導体領域と、を有し、
前記第2の半導体領域は、平面視において前記第3の半導体領域と重ならない第1の領域を有し、
前記第4の半導体領域は、平面視において前記第1の領域の少なくとも一部と重なっており、且つ、平面視において前記第3の半導体領域と重なる部分を有する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第4の半導体領域は、平面視において、前記第1の領域の全体と重なっている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部から前記電荷保持部に電荷を転送する転送トランジスタを更に有し、
前記第4の半導体領域は、前記第1の領域よりも前記転送トランジスタのゲート電極から離間した領域であって、平面視において前記第2の半導体領域と前記第3の半導体領域とが重なる第2の領域に延在している
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第4の半導体領域は、前記第1の領域の内側に設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第3の半導体領域は、平面視において前記第2の半導体領域と重なる第3の領域及び第4の領域を有し、前記第3の領域と前記第4の領域とが離間している
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記第4の半導体領域は、平面視において前記第3の領域と重なる部分と、平面視において前記第4の領域と重なる部分と、を有する
ことを特徴とする請求項5記載の固体撮像装置。 - 光電変換により電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部から転送される電荷を保持する電荷保持部と、をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換部は、半導体基板の表面部に設けられた第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の下部に設けられ、生成した電荷を蓄積する第2導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の下部に設けられた前記第1導電型の第3の半導体領域と、前記第1の半導体領域と前記第3の半導体領域との間の深さに設けられた前記第2導電型の第5の半導体領域と、を有し、
前記第2の半導体領域は、平面視において前記第3の半導体領域と重ならない第1の領域と、平面視において前記第3の半導体領域と重なる第2の領域とに設けられており、
前記第5の半導体領域は、平面視において前記第3の半導体領域が設けられた領域と同じ領域に設けられている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第3の半導体領域は、平面視において前記第2の半導体領域と重なる第3の領域及び第4の領域を有し、前記第3の領域と前記第4の領域とが離間している
ことを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置。 - 前記第3の領域と前記第4の領域との間の間隙は、平面視において前記第2の半導体領域を横断するように配置されている
ことを特徴とする請求項5又は8記載の固体撮像装置。 - 前記第1の領域は、平面視において、前記第2の半導体領域の中央部分に配置されている
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、前記第2導電型の第6の半導体領域に設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記半導体基板は、前記第2導電型を有し、
前記第6の半導体領域は、前記第1導電型の第7の半導体領域によって前記半導体基板の他の部分から電気的に分離されている
ことを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、前記第2導電型の前記半導体基板に設けられた前記第1導電型の第8の半導体領域に設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 請求項1乃至13のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の前記画素から出力される信号を処理する信号処理部と
を有することを特徴とする撮像システム。 - 移動体であって、
請求項1乃至13のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
を有することを特徴とする移動体。
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