JP2017157796A - シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 112
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 112
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 111
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000007518 final polishing process Methods 0.000 claims description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 154
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
(1)所定の方法で育成した単結晶シリコンインゴットの外周部にノッチ部を形成し、次いで前記単結晶シリコンインゴットに対してウェーハ加工処理を施した後、得られたシリコンウェーハに対して面取り処理、平坦化処理および研磨処理を行うシリコンウェーハの製造方法において、最終の前記研磨処理後の段階での前記ノッチ部の深さと前記ノッチ部における面取り部のウェーハ径方向の幅との和を900μm以下に調整することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
400μm以上900μm以下である、前記(7)に記載のシリコンウェーハ。
次に、本発明によるシリコンウェーハについて説明する。図3(a)は、本発明によるシリコンウェーハを示す上面模式図である。この図に示したシリコンウェーハ1は、周縁部にノッチ部11を有するとともに、周縁部に対して面取り処理が施された面取り部12を有するシリコンウェーハである。ここで、ノッチ部11の深さDとノッチ部11における面取り部12のウェーハ径方向の幅(面取り幅)Wとの和が900μm以下であることを特徴とする。
発明例1〜9、比較例1〜9および従来例について、ノッチ部のESFQRを測定した。この測定は、平坦度測定装置(KLA-Tencor社製:WaferSight2)を用いて行い、ウェーハの外周1mmの部分を除外した298mmを測定範囲とし、測定範囲の外周部を、セクター幅5°、セクター長30mmの72個のセクターに分割して各セクターに対して行った。また、ノッチ部近傍領域のデータを測定除外せずにノッチ部セクターのデータをノッチ部ESFQRの値とした。得られた結果を表1に示す。
11 ノッチ部
12 面取り部
D ノッチ部の深さ
W ノッチ部の面取り幅
Claims (12)
- 所定の方法で育成した単結晶シリコンインゴットの外周部にノッチ部を形成し、次いで前記単結晶シリコンインゴットに対してウェーハ加工処理を施した後、得られたシリコンウェーハに対して面取り処理、平坦化処理および研磨処理を行うシリコンウェーハの製造方法において、
最終の前記研磨処理後の段階での前記ノッチ部の深さと前記ノッチ部における面取り部のウェーハ径方向の幅との和を900μm以下に調整することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記ノッチ部の深さと前記ノッチ部における面取り部のウェーハ径方向の幅との和を400μm以上900μm以下に調整する、請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記ノッチ部の深さを350μm以上850μm以下に調整する、請求項1または2に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記ノッチ部における面取り部のウェーハ径方向の幅を50μm以上450μm以下に調整する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 最終の前記研磨処理後の段階での前記ノッチ部のウェーハ径方向断面が、ウェーハ表裏で対称な形状を有するように調整する、請求項1〜4のいずれか1項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 最終の前記研磨処理後の段階での前記ノッチ部のウェーハ径方向断面が、ウェーハ表裏で非対称な形状を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 周縁部にノッチ部を有するとともに、前記周縁部に対して面取り処理が施された面取り部を有するシリコンウェーハにおいて、
前記ノッチ部の深さと前記ノッチ部における面取り部のウェーハ径方向の幅との和が900μm以下であることを特徴とするシリコンウェーハ。 - 前記ノッチ部の深さと前記ノッチ部における面取り部のウェーハ径方向の幅との和が400μm以上900μm以下である、請求項7に記載のシリコンウェーハ。
- 前記ノッチ部の深さが350μm以上850μm以下である、請求項7または8に記載のシリコンウェーハ。
- 前記ノッチ部における面取り部のウェーハ径方向の幅が50μm以上450μm以下である、請求項7〜9のいずれか1項に記載のシリコンウェーハ。
- 前記ノッチ部のウェーハ径方向断面が、ウェーハ表裏で対称な形状を有する、請求項7〜10のいずれか1項に記載のシリコンウェーハ。
- 前記ノッチ部のウェーハ径方向断面が、ウェーハ表裏で非対称な形状を有する、請求項7〜10のいずれか1項に記載のシリコンウェーハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016042480A JP6493253B2 (ja) | 2016-03-04 | 2016-03-04 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016042480A JP6493253B2 (ja) | 2016-03-04 | 2016-03-04 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017157796A true JP2017157796A (ja) | 2017-09-07 |
JP6493253B2 JP6493253B2 (ja) | 2019-04-03 |
Family
ID=59810257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016042480A Active JP6493253B2 (ja) | 2016-03-04 | 2016-03-04 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6493253B2 (ja) |
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JP6493253B2 (ja) | 2019-04-03 |
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