KR20210091295A - 웨이퍼의 제조 방법 및 웨이퍼 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 153
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 36
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 85
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
- B24B37/102—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being able to rotate freely due to a frictional contact with the lapping tool
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
노치부를 갖는 웨이퍼의 제조 방법은, 웨이퍼의 양 주면을 연마하는 양면 연마 공정과, 노치부의 노치 모따기부를 경면 연마하는 노치 경면 연마 공정과, 웨이퍼에 있어서의 외주부의 외주 모따기부를 경면 연마하는 외주 경면 연마 공정과, 웨이퍼의 한쪽의 주면을 마무리 연마하는 마무리 연마 공정을 구비하고, 노치 경면 연마 공정과 양면 연마 공정과 외주 경면 연마 공정을, 당해 순서로 행한 후에, 마무리 연마 공정을 행한다.
Description
본 발명은, 웨이퍼의 제조 방법 및 웨이퍼에 관한 것이다.
종래, 웨이퍼의 노치부 근방의 평탄성을 높이기 위한 검토가 이루어지고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에는, 최종의 연마 처리 후에 있어서의, 노치부의 깊이와 노치부에 있어서의 모따기부의 지름 방향의 폭의 합을, 900㎛ 이하로 조정하는 것이 개시되어 있다.
그러나, 특허문헌 1과 같은 구성에서는, 노치부 근방의 평탄성 향상을 위해 노치부의 깊이를 조정할 필요가 있어, 경우에 따라서는, 후공정에서 노치부를 이용할 수 없는 바와 같은 깊이가 되어 버릴 우려가 있다.
본 발명의 목적은, 노치부의 형상의 변경을 수반하는 일 없이 노치부 근방의 평탄성을 높일 수 있는 웨이퍼의 제조 방법 및 웨이퍼를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 웨이퍼의 제조 방법은, 노치부를 갖는 웨이퍼의 제조 방법으로서, 상기 웨이퍼의 양 주면을 연마하는 양면 연마 공정과, 상기 노치부의 노치 모따기부를 경면 연마하는 노치 경면 연마 공정과, 상기 웨이퍼에 있어서의 외주부의 외주 모따기부를 경면 연마하는 외주 경면 연마 공정과, 상기 웨이퍼의 한쪽의 주면을 마무리 연마하는 마무리 연마 공정을 구비하고, 상기 노치 경면 연마 공정과 상기 양면 연마 공정과 상기 외주 경면 연마 공정을, 당해 순서로 행한 후에, 상기 마무리 연마 공정을 행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 노치부의 형상의 변경을 수반하는 일 없이 노치부 근방의 평탄성을 높일 수 있다.
본 발명의 웨이퍼의 제조 방법에 있어서, 상기 웨이퍼가 실리콘 웨이퍼인 것이 바람직하다.
본 발명의 웨이퍼는, 노치부를 갖는 웨이퍼로서, 상기 노치부의 노치 모따기부의 에지 롤 오프량이, 상기 웨이퍼에 있어서의 외주부의 외주 모따기부의 에지 롤 오프량보다도 작은 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 관련 기술에 따른 웨이퍼의 제조 방법의 플로우 차트이다.
도 2는 상기 관련 기술 및 본 발명의 일 실시 형태에 따른 웨이퍼의 제조 방법에 이용하는 양면 연마 장치의 개략도이다.
도 3a는 노치부의 연마 진행 상황을 나타내는 개략도이고, 상기 관련 기술에 있어서의 연마 진행 상황을 나타낸다.
도 3b는 노치부의 연마 진행 상황을 나타내는 개략도이고, 상기 일 실시 형태에 있어서의 연마 진행 상황을 나타낸다.
도 4a는 상기 관련 기술 및 상기 일 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법에 이용하는 노치 연마 장치의 측면도이다.
도 4b는 상기 관련 기술 및 상기 일 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법에 이용하는 노치 연마 장치의 평면에서 보았을 때의 부분 확대도이다.
도 5a는 상기 관련 기술 및 상기 일 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법에 이용하는 외주 연마 장치의 측면도이다.
도 5b는 상기 관련 기술 및 상기 일 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법에 이용하는 외주 연마 장치의 평면도이다.
도 6은 상기 관련 기술 및 상기 일 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법에 이용하는 마무리 연마 장치의 개략도이다.
도 7은 상기 일 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법의 플로우 차트이다.
도 8은 본 발명의 실시예의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 2는 상기 관련 기술 및 본 발명의 일 실시 형태에 따른 웨이퍼의 제조 방법에 이용하는 양면 연마 장치의 개략도이다.
도 3a는 노치부의 연마 진행 상황을 나타내는 개략도이고, 상기 관련 기술에 있어서의 연마 진행 상황을 나타낸다.
도 3b는 노치부의 연마 진행 상황을 나타내는 개략도이고, 상기 일 실시 형태에 있어서의 연마 진행 상황을 나타낸다.
도 4a는 상기 관련 기술 및 상기 일 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법에 이용하는 노치 연마 장치의 측면도이다.
도 4b는 상기 관련 기술 및 상기 일 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법에 이용하는 노치 연마 장치의 평면에서 보았을 때의 부분 확대도이다.
도 5a는 상기 관련 기술 및 상기 일 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법에 이용하는 외주 연마 장치의 측면도이다.
도 5b는 상기 관련 기술 및 상기 일 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법에 이용하는 외주 연마 장치의 평면도이다.
도 6은 상기 관련 기술 및 상기 일 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법에 이용하는 마무리 연마 장치의 개략도이다.
도 7은 상기 일 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법의 플로우 차트이다.
도 8은 본 발명의 실시예의 결과를 나타내는 그래프이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
[관련 기술]
우선, 본 발명의 관련 기술로서, 상기 특허문헌 1에 기재된 웨이퍼의 제조 방법에 대해서 설명한다.
관련 기술의 웨이퍼의 제조 방법은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼의 양 주면을 조(粗)연마하는 양면 연마 공정 S11과, 양면 연마 공정 S11이 실시된 웨이퍼에 있어서의 노치부의 모따기부를 경면 연마하는 노치 경면 연마 공정 S12와, 노치 경면 연마 공정 S12가 실시된 웨이퍼에 있어서의 노치부 이외의 외주부의 모따기부를 경면 연마하는 외주 경면 연마 공정 S13과, 외주 경면 연마 공정 S13이 실시된 웨이퍼의 한쪽의 주면을 마무리 연마하는 마무리 연마 공정 S14를 구비하고 있다.
이하, 각 공정의 상세에 대해서 설명한다.
〔양면 연마 공정〕
우선, 도 2에 나타내는 바와 같은 노치부(N)를 갖는 웨이퍼(W)를 준비한다. 이 웨이퍼(W)의 외주부 및 노치부(N)에는, 1차 모따기 공정에 의해 외주 모따기부(WC) 및 노치 모따기부(NC)(도 4a 참조)가 각각 형성되어 있다.
양면 연마 장치(1)를 이용하여, 웨이퍼(W)의 제1, 제2 주면(W1, W2)을 조연마하여, 웨이퍼(W)의 평탄성을 향상시킨다.
우선, 하정반(10) 상에 캐리어(11)를 세트하고, 구멍(111) 내에 웨이퍼(W)를 수납한 후, 승강 기구(12)에 의해 상정반(13)을 하강시켜, 상정반(13)을 하방향으로 소정의 압력으로 가압한다. 그리고, 상정반(13)에 형성된 도시하지 않는 구멍으로부터 연마 슬러리를 공급하면서, 하정반(10), 상정반(13), 이너 기어(14), 아우터 기어(15)를 각각의 중심을 중심으로 하여 독립적으로 회전시킴으로써, 상정반(13)의 도시하지 않는 연마 패드 및 하정반(10)의 연마 패드(101)에 의해, 제1, 제2 주면(W1, W2)을 조연마한다. 양면 연마에 있어서의 편면당의 가공 여유분은, 3㎛ 이상 13㎛ 이하인 것이 바람직하다.
이 양면 연마 시, 각 정반(10, 13)의 연마 패드가 경도가 높은 부재, 예를 들면 발포 폴리우레탄으로 구성되어 있기 때문에, 각 주면(W1, W2)을 절삭하도록 연마가 진행된다. 그 결과, 양면 연마 후의 노치부(N)의 형상은, 도 3a의 좌측의 도면에 이점쇄선으로 나타내는 양면 연마 전의 상태로부터, 실선으로 나타내는 상태가 된다. 이 때, 연마 패드는 경질이기는 하지만, 약간 패이면서 연마가 행해지기 때문에, 각 주면(W1, W2)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분 및, 각 주면(W1, W2)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분에, 각각 미소한 처짐(에지 롤 오프)이 발생한다.
〔노치 경면 연마 공정〕
다음으로, 도 4a, 도 4b에 나타내는 바와 같은 노치 연마 장치(2)를 이용하여, 웨이퍼(W)의 노치 모따기부(NC)를 경면 연마한다.
우선, 웨이퍼(W)를 도시하지 않는 흡착 보유지지부에서 보유지지시킨다. 다음으로, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 면 방향이 웨이퍼(W)의 면 방향과 직교하는 원판 형상의 노치 연마 휠(20)을, 회전축(201)을 중심으로 회전시킴과 함께, 노치 연마 휠(20)과 웨이퍼(W)를 상대 이동시켜, 도 4b에 이점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 노치 연마 휠(20)의 외주연 전체에 걸쳐 형성된 연마 패드(21)와 웨이퍼(W)의 노치부(N)를 접촉시킴으로써, 노치부(N)를 경면 연마한다. 또한, 도 4a에 이점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 그의 단부(WE) 근방을 중심으로 하여 상방향 및 하방향으로 각각 각도 α만큼 기울임과 함께, 노치 연마 휠(20)의 회전 방향을 조정한 상태로, 연마 패드(21)와 노치부(N)를 소정 시간씩 접촉시켜, 경면 연마를 행한다. 노치 경면 연마 공정에 있어서의 가공 여유분은, 2㎛ 이상 8㎛ 이하인 것이 바람직하다.
이 노치 경면 연마 시, 연마 패드(21)가 연질의 부직포로 구성되어 있는 데다가, 웨이퍼(W)를 기울여 경면 연마를 행하기 때문에, 연마 패드(21)가 노치부(N)의 선단부(N1) 및 노치 모따기부(NC)뿐만 아니라, 웨이퍼(W)의 제1 주면(W1) 및 제2 주면(W2)에까지 돌아 들어간 상태로 연마가 진행된다(이하, 「오버 폴리시」라고 하는 경우가 있음). 이러한 오버 폴리시가 발생하면, 노치부(N)의 선단부(N1) 및 노치 모따기부(NC)는, 도 3a의 중앙의 도면에 나타내는 바와 같이 경면 연마되고, 제1 주면(W1) 및 제2 주면(W2)에 있어서의 노치 모따기부(NC)의 경계 부분에, 처짐면 r1이 형성되어, 큰 처짐 R1이 발생한다. 이 처짐 R1은, 상기 양면 연마 시나, 후에 행해지는 외주 경면 연마나 마무리 연마 시에 발생하는 처짐보다도 현격한 차이로 크다.
〔외주 경면 연마 공정〕
다음으로, 도 5a, 도 5b에 나타내는 바와 같은 외주 연마 장치(3)를 이용하여, 웨이퍼(W)의 외주 모따기부(WC)를 경면 연마한다.
우선, 웨이퍼(W)를 흡착 보유지지부(30)로 보유지지시킨다. 다음으로, 상방 경사면 연마부(31), 수직면 연마부(32) 및 하방 경사면 연마부(33)의 연마 패드(311, 321, 331)를 소정의 압력으로, 웨이퍼(W)의 외주부에 각각 밀어붙인다. 또한, 연마 패드(311, 321, 331)는, 도 5a에서는, 웨이퍼(W)의 외주부에 대한 위치 관계를 이해하기 쉽게 하기 위해, 웨이퍼(W)의 우측으로 나열하여 나타내고 있지만, 실제로는, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 연마 패드(311, 321, 331)는, 각각 동일한 길이의 원호 형상으로 형성되어, 웨이퍼(W)의 주위에 배치되어 있다.
그리고, 배관(34)으로부터 연마 슬러리를 연마 패드(311, 321, 331)에 공급하면서, 흡착 보유지지부(30)를 회전시켜 웨이퍼(W)를 회전시킴과 함께, 각 연마부(31, 32, 33)를 회전시킴으로써, 외주 모따기부(WC)의 상방이 연마 패드(311)에 의해, 중앙부가 연마 패드(321)에 의해, 하부가 연마 패드(331)에 의해 각각 경면 연마된다. 외주 경면 연마에 있어서의 가공 여유분은, 2㎛ 이상 8㎛ 이하인 것이 바람직하다.
이 외주 경면 연마 시, 연마 패드(311, 321, 331)가 연질의 부직포로 구성되어 있기 때문에, 연마 패드(311, 321, 331)의 패임량이 커져, 각 주면(W1, W2)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분에, 작은 처짐이 부가된다. 이 처짐은, 양면 연마 시에 발생하는 처짐보다도 크다.
한편, 연마 패드(311, 321, 331)가 노치부(N)의 내부에 접촉할 일은 없기 때문에, 노치부(N)는 연마되지 않는다. 그 결과, 외주 경면 연마 후의 노치부(N)의 형상은, 도 3a의 중앙의 도면에 실선으로 나타내는 노치 경면 연마 후의 상태가 유지된다.
〔마무리 연마 공정〕
다음으로, 도 6에 나타내는 바와 같은 마무리 연마 장치(4)를 이용하여, 웨이퍼(W)의 제1 주면(W1)을 마무리 연마하여, 조연마에 의해 발생하는 가공 대미지를 제거하거나, 제1 주면(W1)의 표면 거칠기를 개선하거나 한다.
우선, 연마 헤드(40)의 도시하지 않는 웨이퍼척으로 웨이퍼(W)를 보유지지시킨다. 다음으로, 정반(41)을 회전시킴과 함께, 당해 정반(41) 상의 연마 패드(411)에 연마 슬러리를 공급한다. 그리고, 연마 헤드(40)를 회전시키면서 하강시켜, 웨이퍼(W)를 연마 패드(411)에 접촉시킴으로써, 제1 주면(W1)을 마무리 연마한다. 마무리 연마에 있어서의 가공 여유분은, 0.4㎛ 이상 1.2㎛ 이하인 것이 바람직하다.
마무리 연마가 행해지면, 제1 주면(W1)과 처짐면 r1이 동일한 가공 여유분만큼 깎여져, 처짐면 r1의 처짐 R1은, 거의 변화하지 않는다. 이 마무리 연마 시, 연마 패드(411)가 연질의 폴리우레탄 수지로 구성되어 있기 때문에, 또한 처짐면 r1과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분에 처짐면 r2가 발생하기 때문에, 도 3a의 우측의 도면에 이점쇄선으로 나타내는 마무리 연마 직전의 상태로부터, 실선으로 나타내는 상태가 된다. 그 결과, 마무리 연마 후의 처짐 R2는, 외주 경면 연마 후의 처짐 R1보다 더욱 커진다.
제1 주면(W1)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분에도, 작은 처짐이 부가된다. 이 처짐은, 상기 처짐면 r1과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분에 발생하는 처짐면 r2에 의한 처짐과 동(同)정도의 크기이다. 그 결과, 마무리 연마 후에 있어서의 제1 주면(W1)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분의 처짐은, 마무리 연마 전보다도 조금 커진다.
[실시 형태]
다음으로, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 웨이퍼의 제조 방법에 대해서 설명한다.
웨이퍼의 제조 방법은, 도 7에 나타내는 바와 같이, 노치 모따기부(NC)를 경면 연마하는 노치 경면 연마 공정 S1과, 노치 경면 연마 공정 S1이 실시된 웨이퍼(W)의 양 주면을 조연마하는 양면 연마 공정 S2와, 양면 연마 공정 S2가 실시된 웨이퍼(W)의 외주 모따기부(WC)를 경면 연마하는 외주 경면 연마 공정 S3과, 외주 경면 연마 공정 S3이 실시된 웨이퍼(W)의 제1 주면(W1)을 마무리 연마하는 마무리 연마 공정 S4를 구비하고 있다. 즉, 본 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법은, 노치 경면 연마 공정을 최초로 행하는 점에서, 상기 관련 기술과 상이하다.
또한, 웨이퍼로서는, 실리콘, 게르마늄, 비화(砒化) 갈륨, 인화 갈륨, 인화 인듐 등의 재료로 구성된 것을 적용할 수 있다.
〔노치 경면 연마 공정〕
우선, 상기 관련 기술의 노치 경면 연마 공정 S12와 동일한 장치 및 동일한 조건을 이용하여, 웨이퍼(W)의 노치부(N)를 경면 연마한다.
이 경면 연마 시, 연마 패드(21)가 연질의 부직포로 구성되어 있는 데다가, 웨이퍼(W)를 기울여 경면 연마를 행하기 때문에, 각 주면(W1, W2)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분에는, 도 3b의 좌측의 도면에 나타내는 바와 같이, 큰 처짐 R1이 발생한다.
또한, 연마 패드(21)를 구성하는 부재로서, 발포 폴리우레탄, 폴리에스테르 부직포를 적용해도 좋다.
연마 패드(21)의 경도로서는, 70 이상 80 이하인 것이 바람직하다. 경도가 80을 초과하는 경우, 노치 모따기부(NC)를 충분히 연마할 수 없다는 문제가 있고 70 미만인 경우, 오버 폴리시 과다에 의한 노치부(N)의 주변 형상의 악화라는 문제가 있기 때문이다.
〔양면 연마 공정〕
다음으로, 상기 관련 기술의 양면 연마 공정 S11과 동일한 장치 및 동일한 조건을 이용하여, 웨이퍼(W)의 각 주면(W1, W2)을 조연마한다.
이 양면 연마의 가공 여유분은, 마무리 연마와 비교하여 크다. 이 때문에, 양면 연마 후의 노치부(N)의 형상은, 도 3b의 중앙의 도면에 이점쇄선으로 나타내는 양면 연마 공정 전의 상태로부터, 실선으로 나타내는 상태가 되어, 각 주면(W1, W2)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분의 처짐 R1이 없어진다.
그러나, 전술한 바와 같이, 양면 연마 시에 연마 패드가 약간 패이기 때문에, 각 주면(W1, W2)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분 및, 각 주면(W1, W2)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분에는, 최종적으로, 미소한 처짐이 발생한다.
〔외주 경면 연마 공정〕
다음으로, 상기 관련 기술의 외주 경면 연마 공정 S13과 동일한 장치 및 동일한 조건을 이용하여, 웨이퍼(W)의 외주 모따기부(WC)를 경면 연마한다.
이 외주 경면 연마 시, 전술한 바와 같이, 각 주면(W1, W2)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분에 작은 처짐이 부가되는 한편으로, 당해 작은 처짐은, 각 주면(W1, W2)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분에 부가되지 않는다. 그 결과, 노치부(N)의 형상은, 도 3b의 중앙의 도면에 실선으로 나타내는 외주 경면 연마 직전의 상태와 거의 다르지 않다.
〔마무리 연마 공정〕
다음으로, 상기 관련 기술의 마무리 연마 공정 S14와 동일한 장치 및 동일한 조건을 이용하여, 웨이퍼(W)의 제1 주면(W1)을 마무리 연마한다.
마무리 연마가 행해지면, 외주 모따기부(WC)와 노치 모따기부(NC)가 동일한 가공 여유분만큼 깎여져, 마무리 연마 후의 노치부(N)의 형상은, 도 3b의 우측의 도면에 이점쇄선으로 나타내는 마무리 연마 직전의 상태로부터, 실선으로 나타내는 처짐면 r2가 부가된 상태가 된다.
이 마무리 연마 시, 전술한 바와 같이, 제1 주면(W1)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분 및, 제1 주면(W1)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분에, 각각 작은 처짐면 r2가 부가된다. 마무리 연마 전에, 제1 주면(W1)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분에는, 외주 경면 연마에 의해 작은 처짐이 부가되어 있다. 이 때문에, 마무리 연마 후에 있어서의 제1 주면(W1)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분의 처짐의 크기(두께 방향의 길이)는, 마무리 연마 전보다도 커진다.
한편, 마무리 연마 전에, 제1 주면(W1)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분에는, 외주 경면 연마에 의한 처짐은 부가되어 있지 않고, 마무리 연마 시에 부가되는 처짐과 비교하여 현격한 차이로 작은 미소한 처짐이, 양면 연마에 의해 부가되어 있다. 이 때문에, 마무리 연마 후에 있어서의 제1 주면(W1)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분의 처짐의 형상은, 마무리 연마로 부가된 처짐의 형상(처짐면 r2)과 거의 동일하게 된다. 즉, 제1 주면(W1)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분의 처짐의 크기(두께 방향의 길이)는, 제1 주면(W1)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분의 처짐보다도 작아진다.
또한, 마무리 연마로 부가되는 처짐은, 노치 경면 연마로 부가되는 처짐과 비교하여 현격한 차이로 작다. 따라서, 마무리 연마 후에 있어서의 제1 주면(W1)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분의 형상은, 도 3b의 우측에 실선으로 나타내는 바와 같이, 마무리 연마에 의해 만들어진 처짐면 r2가 부가된 형상과 거의 동일한 형상이 된다.
이상의 공정에 의해, 제1 주면(W1)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분의 처짐이 억제된 웨이퍼(W)가 얻어진다.
또한, 제1 주면(W1)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분의 처짐량(에지 롤 오프량)이, 제1 주면(W1)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분의 처짐량보다도 작은 웨이퍼(W)가 얻어진다.
[실시 형태의 작용 효과]
상기 실시 형태에 의하면, 관련 기술에서 예시하는 바와 같이, 종래, 행해지고 있던 웨이퍼(W)의 제조 방법에 있어서의 노치 경면 연마 공정을 양면 연마 공정의 전에 실시할 뿐의 간단한 방법으로, 제1 주면(W1)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분에 있어서의 처짐 R2의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 특허문헌 1의 발명과 같이 노치부(N)의 형상의 변경을 수반하는 일 없이, 노치부(N) 근방의 평탄성을 높일 수 있다.
실시예
다음으로, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 하등 한정되는 것은 아니다.
〔샘플의 작성〕
우선, 12매의 웨이퍼(W)를 준비했다. 도 5b에 나타내는 노치부(N)의 폭(NW)이 3.3㎜, 깊이(ND)가 1.13㎜의 웨이퍼(W)를 12매 준비했다.
그리고, 6매의 웨이퍼(W)에 대하여, 도 1에 나타내는 바와 같은 상기 관련 기술의 웨이퍼의 제조 방법을 실시하여, 비교예 1의 샘플을 얻었다.
또한, 나머지의 6매의 웨이퍼(W)에 대하여, 도 7에 나타내는 바와 같은 상기 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법을 실시하여, 실시예 1의 샘플을 얻었다.
비교예 1과 실시예 1은, 각 공정을 행하는 순서를 상이하게만 한 것으로, 연마 장치 및 연마 조건을 동일하게 했다. 각 공정의 조건을 표 1에 나타낸다.
〔평가〕
평탄도 측정기 Wafersight2(KLA-Tencor사 제조)를 이용하여, 각 웨이퍼(W)의 외주부의 ESFQR(Edge flatness metric, Sector based, Front surface referenced, least sQuares fit reference plane, Range of the data within sector)을 측정했다. ESFQR의 측정은, 웨이퍼(W)의 최외주로부터 웨이퍼 중심 방향으로 2㎜ 들어간 위치와, 32㎜ 들어간 위치의 사이의 원환상 영역(에지 최외주 2㎜를 제외한, 폭이 30㎜인 원환상 영역)을 원주 방향으로 72등분한 것을 1개의 사이트로 하여, 각 사이트에 대하여 행했다.
그리고, 각 웨이퍼(W)에 있어서의 노치부(N)를 포함하는 사이트의 ESFQR(이하, 「노치 ESFQR」이라고 함)을 V1, 그 이외의 사이트의 ESFQR의 최대값(이하, 「외주 최대 ESFQR」이라고 함)을 V2로 하여, 이하의 식 (1)로 나타내는 노치 평탄도 지표 V를 구했다. 비교예 1 및 실시예 1의 평가 결과를 도 8에 나타낸다.
V=V1-V2 … (1)
도 8에 나타내는 바와 같이, 실시예 1의 노치 평탄도 지표 V는, 비교예 1보다도 작아졌다. 또한, 실시예 1의 노치 평탄도 지표 V의 평균값은, 2.91㎚이고, 비교예 1의 노치 평탄도 지표 V의 평균값은, -4.53㎚였다.
여기에서, 관련 기술 및 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법을 비교하면, 전술한 바와 같이, 제1 주면(W1)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분의 처짐의 발생 상황은 동일하지만, 제1 주면(W1)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분의 처짐의 발생 상황은 상이하다. 노치 평탄도 지표 V가 작아졌다는 것은, 외주 최대 ESFQR(V2)에 대해서는, 실시예 1과 비교예 1에서 거의 동일하지만, 노치 ESFQR(V1)에 대해서는, 실시예 1이 비교예 1보다도 작아진 것을 의미한다.
이상의 점에서, 본 발명의 웨이퍼의 제조 방법을 실시함으로써, 웨이퍼의 노치 근방에 있어서의 평탄성이 높아지고, 웨이퍼 외주부 전체적으로도 평탄성이 높아지는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 실시예 1의 노치 평탄도 지표 V가 부(負)의 값이 되었다는 것은, 노치 ESFQR(V1)이, 외주 최대 ESFQR(V2)보다도 작아진 것을 의미한다.
이상의 점에서, 본 발명의 웨이퍼의 제조 방법을 실시함으로써, 제1 주면(W1)과 노치 모따기부(NC)의 경계 부분의 에지 롤 오프량이, 제1 주면(W1)과 외주 모따기부(WC)의 경계 부분의 에지 롤 오프량보다도 작은 웨이퍼(W)가 얻어지는 것을 확인할 수 있었다.
N : 노치부
NC : 노치 모따기부
W : 웨이퍼
W1, W2 : 제1, 제2 주면
WC : 외주 모따기부
NC : 노치 모따기부
W : 웨이퍼
W1, W2 : 제1, 제2 주면
WC : 외주 모따기부
Claims (3)
- 노치부를 갖는 웨이퍼의 제조 방법으로서,
상기 웨이퍼의 양 주면을 연마하는 양면 연마 공정과,
상기 노치부의 노치 모따기부를 경면 연마하는 노치 경면 연마 공정과,
상기 웨이퍼에 있어서의 외주부의 외주 모따기부를 경면 연마하는 외주 경면 연마 공정과,
상기 웨이퍼의 한쪽의 주면을 마무리 연마하는 마무리 연마 공정을 구비하고,
상기 노치 경면 연마 공정과 상기 양면 연마 공정과 상기 외주 경면 연마 공정을, 당해 순서로 행한 후에, 상기 마무리 연마 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼가 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 제조 방법. - 노치부를 갖는 웨이퍼로서,
상기 노치부의 노치 모따기부의 에지 롤 오프량이, 상기 웨이퍼에 있어서의 외주부의 외주 모따기부의 에지 롤 오프량보다도 작은 것을 특징으로 하는 웨이퍼.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2018-245301 | 2018-12-27 | ||
JP2018245301A JP7021632B2 (ja) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | ウェーハの製造方法およびウェーハ |
PCT/JP2019/043881 WO2020137186A1 (ja) | 2018-12-27 | 2019-11-08 | ウェーハの製造方法およびウェーハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210091295A true KR20210091295A (ko) | 2021-07-21 |
KR102507777B1 KR102507777B1 (ko) | 2023-03-07 |
Family
ID=71129001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217018755A KR102507777B1 (ko) | 2018-12-27 | 2019-11-08 | 웨이퍼의 제조 방법 및 웨이퍼 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11969856B2 (ko) |
JP (1) | JP7021632B2 (ko) |
KR (1) | KR102507777B1 (ko) |
CN (2) | CN117594424A (ko) |
TW (1) | TWI727490B (ko) |
WO (1) | WO2020137186A1 (ko) |
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-
2018
- 2018-12-27 JP JP2018245301A patent/JP7021632B2/ja active Active
-
2019
- 2019-11-07 TW TW108140397A patent/TWI727490B/zh active
- 2019-11-08 CN CN202311619830.8A patent/CN117594424A/zh active Pending
- 2019-11-08 CN CN201980086186.8A patent/CN113439008B/zh active Active
- 2019-11-08 WO PCT/JP2019/043881 patent/WO2020137186A1/ja active Application Filing
- 2019-11-08 US US17/418,087 patent/US11969856B2/en active Active
- 2019-11-08 KR KR1020217018755A patent/KR102507777B1/ko active IP Right Grant
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---|---|
CN117594424A (zh) | 2024-02-23 |
CN113439008B (zh) | 2023-12-01 |
US11969856B2 (en) | 2024-04-30 |
JP2020104210A (ja) | 2020-07-09 |
CN113439008A (zh) | 2021-09-24 |
JP7021632B2 (ja) | 2022-02-17 |
WO2020137186A1 (ja) | 2020-07-02 |
TWI727490B (zh) | 2021-05-11 |
KR102507777B1 (ko) | 2023-03-07 |
US20220097200A1 (en) | 2022-03-31 |
TW202024408A (zh) | 2020-07-01 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |