JP4915146B2 - ウェーハの製造方法 - Google Patents
ウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4915146B2 JP4915146B2 JP2006159988A JP2006159988A JP4915146B2 JP 4915146 B2 JP4915146 B2 JP 4915146B2 JP 2006159988 A JP2006159988 A JP 2006159988A JP 2006159988 A JP2006159988 A JP 2006159988A JP 4915146 B2 JP4915146 B2 JP 4915146B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chamfering
- chamfered
- shape
- grindstone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 217
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 48
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
- B24B49/03—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent according to the final size of the previously ground workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/18—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the presence of dressing tools
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Description
図3に示すように、従来手法では、まず、目標とする面取り形状が記載されている図面が顧客から提供され(a)、この面取り形状となるように面取り用砥石を設計、作製する(b)。次に、ダミーウェーハとなるアズスライスウェーハを準備して(c)、これを面取り処理した後(d)、このダミーウェーハについて面取り形状を測定した(e)。次に、このダミーウェーハを面取り処理後の工程に投入し(f)、最終工程まで行ったウェーハの面取り形状を測定し(g)、目標とした面取り形状との差を把握し(h)、大幅にずれている場合は再度溝形状を設計し、面取り用砥石を作製していた(i)。そして、再度ダミーウェーハとなるアズスライスウェーハを準備して、工程(c)〜(h)を行い、工程(g)で測定された面取り形状と目標とした面取り形状の差が十分に小さければ、工程(e)で測定された寸法値を製造するウェーハの面取り狙い値、すなわち製品ウェーハの面取り工程での管理狙い値として設定し、実際に製品ウェーハを製造するための製品処理へと移行した(j)。
このような工程を経る場合、面取り用砥石を再度作製するために例えば1ヶ月以上かかるなど、非常に非効率的であった。
しかし、このような工程を経る場合であっても、依然としてシリコンウェーハの加工工程を最終工程まで行う必要があることに変わりはなく、所望の面取り形状が得られるまで通常3〜7日程度の期間を要するという欠点があった。
なお、本明細書中の「面取り用砥石の形状を補正する」ということには、面取り形状の測定の結果、補正を行う必要がない場合は、補正を行わないことも含む。
前述のように、予め面取り形状規格に基づいて面取り用砥石を作製し、実際に面取りを行った後、平坦化処理、エッチング、研磨等を施した製品ウェーハの面取り部の寸法を測定すると、目標とした面取り部の寸法から大きく外れることがあるという問題があった。そして、この現象は、X1、X2の長さが短いウェーハの場合に顕著となる傾向があった。
具体例として、厚さが0.91mmであるアズスライスウェーハを面取りして、厚さ775μm(0.775mm)、面取り幅X1およびX2が0.342mm、面取り部の傾斜面のそれぞれの延長線と、端面鉛直線との交点間距離X3が0.533mm、傾斜面角度θ1およびθ2が18.0°、R部の半径Rが0.3mmの製品ウェーハを製造しようとする場合について説明する。
面取り形状の測定アルゴリズム、特にθ値を設定する条件は、面取り傾斜面と表面または裏面との境界Aからの距離が、X1長さまたはX2長さの10%(点B)と30%(点C)の2点間を結ぶ直線、もしくは2点間のベストフィットで決定される直線を元にする。
図7に示すように製品ウェーハで要求されるX1(X2)長さが0.342mmの場合、面取り工程でのアズスライスウェーハにおいて規定されるX1(X2)長さは、下記の式(1)に示す簡単な幾何学的根拠から、0.55mm程度となる。
これらの現象を確認するために、X1長さおよびX2長さが0.24mm程度の場合について実際にウェーハを製造し、アズスライスウェーハの面取り形状を測定したデータと、製造された製品ウェーハの面取り形状を測定したデ―タを表1に示す。
図1は、本発明にかかるウェーハの製造方法の第一の実施形態の一例を示すフロー図である。本発明の第一の実施形態の概略は以下に示す通りである。
この図面には例えば寸法として、前述の図6のように、ウェーハ表面側の面取り幅X1、ウェーハ裏面側の面取り幅X2、ウェーハ表面と表面側傾斜面のなす角度θ1、ウェーハ裏面と裏面側傾斜面のなす角度θ2、ウェーハ表面側傾斜面の延長線とウェーハ裏面側傾斜面の延長線と、端面鉛直線との交点間距離をX3、ウェーハ表裏面の略円弧部であるR部分、それぞれR1、R2が定義されている。
このような目標となる製品の面取り形状は、ウェーハの使用目的等に応じて予め規格によって決められる。
このような面取り用砥石11を回転させながら、水平方向に保持され、回転するウェーハWに対して、横方向から押しつける(図9(b))ことによってその形状を転写してウェーハWの面取りを行う(図9(c))。
自転可能な吸着ステージSに保持されるウェーハWと該ウェーハ端面を面取りする円筒状の外周刃回転砥石16が、機上でウェーハWの厚さ方向及び直径方向に相対的に独立に可動制御可能とし、かつ各々の可動距離を制御することにより、所望の面取り形状とすることができる。
このような円筒状の外周刃回転砥石を、回転させながら、例えば、図11の点線のように外周刃回転砥石16の中心を動かすことによってウェーハWを面取りすることができる。
また、アズスライスウェーハから製品ウェーハとなるには、平坦化処理、エッチング、研磨等の工程を経る必要があり、これらの工程によって徐々に薄くなる。したがって、工程(c)において用意されるダミーウェーハは、アズスライスウェーハよりも薄い製品ウェーハの厚さと同じものである。ここで平坦化処理は、ラッピングや平面研削等、従来より行われるいずれのものをも含み、これらは、択一的に行われてもよいし、2種以上の処理が行われてもよく、都合により決定すればよい。
一方、θ1およびθ2、X3等の寸法が規格から外れているようであれば、工程(g)の面取り用砥石の補正を行う。
また、図13に示すように、マスター砥石22とツルアー21を当接させている間に両者を相対的に上下揺動することによって、ツルアー21の形状を調節して、このツルアー21を用いて面取り用砥石11をツルーイングすることもできる。
この製品処理工程では、まず、上記の工程で作製及び補正された面取り用砥石を用いて、アズスライスウェーハを面取りする。次に、通常の方法に従って平坦化処理、エッチング、研磨等の処理が行われ、製品ウェーハとなる。
そして、本発明のウェーハの製造方法によれば、ダミーウェーハとして製品ウェーハと同等の厚さのダミーウェーハを用いるので、直接的に面取り形状の合わせ込みができる。その結果、より短期間で正確に面取り用砥石の補正をすることができる。
工程(f´)で面取り形状評価を行い、規格に十分に合う面取り形状が得られたならば、工程(h´)へと進む。
次に、工程(j´)において、ダミーウェーハに平坦化処理等をする前に工程(i´)で面取りされたダミーウェーハの面取り形状を測定し、測定された値の製造する製品ウェーハの製造管理値としての面取り狙い値とする。面取り狙い値の有効数字は、例えば、製品ウェーハの厚さが0.2mm以上1mm以下であるような場合には、θ1、θ2では1°単位、X3では0.01mm単位とすることが好ましい。公差は顧客要求や面取り装置の状態等によって設定するが、例えば、製品ウェーハの厚さが0.2mm以上1mm以下であるような場合には、θ1、θ2では±3°程度、X3では±0.05mm程度とすることができる。
次の工程(k´)の製品処理においては、この面取り狙い値が基準となり、面取り形状が適切に形成されたかどうかが判断される。
製品ウェーハと同じ775μm厚さの単結晶シリコンウェーハをダミーウェーハとして準備し、総型溝を有する面取り用砥石11を用いて、図1の工程(a)から(e)までを行った。
その結果、表2中に示したように、ダミーウェーハの面取り後の形状は設計形状、すなわち目標形状に対し、θ1およびθ2値については約3°大きく、X3値については約35μm小さくずれていた(図1(f))。
その結果、表2中に示したように、製品ウェーハの面取り形状は、設計形状の範囲に収まっていた。
実施例1で形状が適正化された面取り用砥石で実際に製品処理を行う前に、面取り狙い値の設定を、図2に示した工程に従って以下のように行った。実施例1で補正された面取り用砥石で、910μm厚さのアズスライスウェーハをダミーウェーハとして準備し(h´)、これを面取り処理した後(i´)、面取り形状を測定して面取り狙い値を設定した(j´)。
面取りされたアズスライスダミーウェーハの面取り形状の測定結果と、該結果より設定した面取り狙い値の例を表3に示す。
16…面取り用砥石(円筒状の外周刃回転砥石)、
21…ツルアー、 22…マスター砥石、
W…ウェーハ、 S…吸着ステージ。
Claims (5)
- 少なくとも、インゴットをスライスしてウェーハとするスライス工程と、該インゴットからスライスされたウェーハを、面取り用砥石を用いて面取りする面取り工程と、該面取りしたウェーハに平坦化処理、エッチング、研磨のうち少なくとも1つ以上の処理をすることによって前記面取りしたウェーハよりも薄い厚さの製品ウェーハとする工程とを備えるウェーハの製造方法において、少なくとも前記面取り工程より前に、少なくとも、前記製品ウェーハと同等の厚さのダミーウェーハを前記面取り用砥石を用いて面取りし、該面取りされたダミーウェーハの面取り形状を測定し、該測定されたダミーウェーハの面取り形状に基づいて前記面取り用砥石の形状を補正する補正工程を備え、該形状を補正した面取り用砥石を用いて前記インゴットからスライスされたウェーハを面取りすることを特徴とするウェーハの製造方法。
- 前記面取り用砥石の補正は、機上において行うものであることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの製造方法。
- 前記面取り用砥石は総型溝を有するものであり、該総型溝を前記ウェーハの周縁部に当接させて面取りすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウェーハの製造方法。
- 前記面取り用砥石が円筒状の外周刃回転砥石であり、該外周刃回転砥石が前記ウェーハの厚さ方向及び直径方向に相対的に可動して前記ウェーハを面取りすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウェーハの製造方法。
- 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のウェーハの製造方法において、少なくとも前記補正工程の後に、前記形状を補正した面取り用砥石を用いて、前記インゴットからスライスされたウェーハと同等の厚さのダミーウェーハを面取りし、該面取りされたダミーウェーハの面取り形状を測定し、該測定されたダミーウェーハの面取り形状の寸法を、前記インゴットからスライスされたウェーハの面取り狙い値として設定することを特徴とするウェーハの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006159988A JP4915146B2 (ja) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | ウェーハの製造方法 |
KR1020087029512A KR101333189B1 (ko) | 2006-06-08 | 2007-05-11 | 웨이퍼의 제조방법 |
PCT/JP2007/059708 WO2007141990A1 (ja) | 2006-06-08 | 2007-05-11 | ウェーハの製造方法 |
US12/227,894 US8231430B2 (en) | 2006-06-08 | 2007-05-11 | Wafer production method |
EP07743143A EP2033739B1 (en) | 2006-06-08 | 2007-05-11 | Wafer production method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006159988A JP4915146B2 (ja) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | ウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007326191A JP2007326191A (ja) | 2007-12-20 |
JP4915146B2 true JP4915146B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=38801255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006159988A Active JP4915146B2 (ja) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | ウェーハの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8231430B2 (ja) |
EP (1) | EP2033739B1 (ja) |
JP (1) | JP4915146B2 (ja) |
KR (1) | KR101333189B1 (ja) |
WO (1) | WO2007141990A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006037267B4 (de) * | 2006-08-09 | 2010-12-09 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mit hochpräzisem Kantenprofil |
US20090142916A1 (en) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Qimonda Ag | Apparatus and method of manufacturing an integrated circuit |
JP2009283650A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの再生方法 |
JP5521582B2 (ja) | 2010-01-28 | 2014-06-18 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
DE102011076954A1 (de) | 2011-06-06 | 2012-03-15 | Siltronic Ag | Fertigungsablauf für Halbleiterscheiben mit Rückseiten-Getter |
JP2013008769A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板の製造方法 |
US9718164B2 (en) * | 2012-12-06 | 2017-08-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing system and polishing method |
KR101452250B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2014-10-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 기판 대칭 면취 방법 및 장치 |
JP6280355B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2018-02-14 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用基板の製造方法及び研磨処理用キャリア |
JP2015140270A (ja) * | 2014-01-28 | 2015-08-03 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハ |
JP6750592B2 (ja) * | 2017-08-15 | 2020-09-02 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハのエッジ形状の評価方法および評価装置、シリコンウエーハ、ならびにその選別方法および製造方法 |
JP6939752B2 (ja) * | 2018-11-19 | 2021-09-22 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハのヘリカル面取り加工方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2921250B2 (ja) * | 1992-02-28 | 1999-07-19 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ面取部の鏡面研磨方法及び装置 |
JPH08243891A (ja) * | 1995-03-07 | 1996-09-24 | Kao Corp | 基板のチャンファ加工装置 |
JPH0919857A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-01-21 | Toyo A Tec Kk | スライシング装置により切り出されるウェハの面取り方法及び装置並びに面取り用砥石 |
JP3658454B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2005-06-08 | コマツ電子金属株式会社 | 半導体ウェハの製造方法 |
ATE214321T1 (de) * | 1996-06-15 | 2002-03-15 | Unova Uk Ltd | Verfahren zum schleifen von kanten |
JPH11219923A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Hitachi Ltd | 半導体ウェハおよび半導体ウェハの製造方法ならびに半導体装置の製造方法 |
JP3026282B2 (ja) * | 1998-07-01 | 2000-03-27 | 株式会社東京精密 | ウェーハ面取り装置 |
JP2000084811A (ja) | 1998-09-16 | 2000-03-28 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り装置 |
JP3846706B2 (ja) | 2000-02-23 | 2006-11-15 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ外周面取部の研磨方法及び研磨装置 |
JP2003142434A (ja) | 2001-10-30 | 2003-05-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 鏡面ウエーハの製造方法 |
JP2004214398A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2004243422A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 外周研削合体ホイル |
JP2004356230A (ja) | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP4441823B2 (ja) | 2003-11-26 | 2010-03-31 | 株式会社東京精密 | 面取り砥石のツルーイング方法及び面取り装置 |
-
2006
- 2006-06-08 JP JP2006159988A patent/JP4915146B2/ja active Active
-
2007
- 2007-05-11 US US12/227,894 patent/US8231430B2/en active Active
- 2007-05-11 EP EP07743143A patent/EP2033739B1/en active Active
- 2007-05-11 KR KR1020087029512A patent/KR101333189B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-11 WO PCT/JP2007/059708 patent/WO2007141990A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8231430B2 (en) | 2012-07-31 |
KR101333189B1 (ko) | 2013-11-26 |
WO2007141990A1 (ja) | 2007-12-13 |
EP2033739A1 (en) | 2009-03-11 |
JP2007326191A (ja) | 2007-12-20 |
EP2033739A4 (en) | 2010-09-01 |
KR20090018621A (ko) | 2009-02-20 |
US20090170406A1 (en) | 2009-07-02 |
EP2033739B1 (en) | 2011-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4915146B2 (ja) | ウェーハの製造方法 | |
US8454852B2 (en) | Chamfering apparatus for silicon wafer, method for producing silicon wafer, and etched silicon wafer | |
JP3838341B2 (ja) | ウェーハの形状評価方法及びウェーハ並びにウェーハの選別方法 | |
JP6252098B2 (ja) | 角形金型用基板 | |
TW201209002A (en) | Synthetic quartz glass substrate and making method | |
JP2016203342A (ja) | ツルーアーの製造方法および半導体ウェーハの製造方法、ならびに半導体ウェーハの面取り加工装置 | |
JP5867377B2 (ja) | 円筒研削機および単結晶ウエーハの製造方法 | |
JP6493253B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | |
JP5472073B2 (ja) | 半導体ウェーハ及びその製造方法 | |
JP6913295B2 (ja) | ガラス板、及びガラス板の製造方法 | |
KR102454449B1 (ko) | 웨이퍼의 제조방법 | |
KR101869980B1 (ko) | 금형용 기판 및 금형용 기판의 검사 방법 | |
JP5074845B2 (ja) | 半導体ウェハの研削方法、及び半導体ウェハの加工方法 | |
US20040195657A1 (en) | Semiconductor wafer | |
JP6471686B2 (ja) | シリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | |
JP5505334B2 (ja) | 半導体ウェーハ及びその製造方法 | |
JP2011140075A (ja) | 両面研削装置を用いたガラス基板の研削方法、及び該研削方法を用いたガラス基板の製造方法 | |
JP5874782B2 (ja) | 金型用基板及び金型用基板の検査方法 | |
JP2014216424A (ja) | ウェハーの製造方法、ノッチ加工装置 | |
JP2022088476A (ja) | 面取り加工システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111227 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120109 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4915146 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |