JPH08339947A - 半導体装置の製造方法およびそれに使用される半導体ウエハ並びにその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 表裏判別可能なノッチ付きウエハを提供す
る。 【構成】 ノッチ付きウエハ１のノッチ１０における第
１主面３の内周縁部に形成された第１ノッチ面取り部１
１の面取り角θ₁₁が第２主面４の第２ノッチ面取り部１
２の面取り角θ₁₂よりも小さく、面取り幅Ｌ₁₁が面取り
幅₁₂よりも大きく設定されている。第１ノッチ面取り部
１１と第２ノッチ面取り部１２との判別でノッチ付きウ
エハ１の表裏を判別して、ＩＣ製造方法の前工程におい
て、ノッチ付きウエハ１のノッチ１０の位置および表裏
を揃えて扱う。 【効果】 第１ノッチ面取り部と第２ノッチ面取り部と
を反射光で光学的に判別してウエハ表裏を判別でき、ウ
エハの表面にＩＣを作り込み裏面をハンドリングに使用
するのを確実にする。ノッチ平面視の周方向形状は対称
を維持するため、ウエハの対称性、ＩＣ取得数の低下を
回避でき、ノッチの規格を維持できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造技
術、特に、半導体装置の製造工程中、所謂前工程におい
て使用される半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に
関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣとい
う。）の製造に利用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣはウエハの一主面側に半導
体素子を含む集積回路（以下、集積回路という。）が多
数個のペレット区分毎に作り込まれた後に、各ペレット
に分断されて組み立てられることによって製造されてい
る。このようなＩＣの製造方法において、集積回路が作
り込まれる側の主面は鏡面に仕上げる必要がある。一対
の主面のうち一方の主面だけが鏡面仕上げされている場
合には、ウエハの表裏の判別は簡単に可能である。しか
し、ウエハの両面が鏡面仕上げされている場合には、ウ
エハの表裏の判別は困難になる。そこで、結晶軸方向を
表示するためのオリエンテーションフラット（以下、オ
リフラという。）を周方向に非対称形に形成する技術
や、ウエハの表裏判別のための第２オリフラを形成する
技術が提案されている。

【０００３】また、円形のまま表裏を判別することがで
きるウエハを述べてある例として、日本国特許庁公開実
用新案公報 平２−１０６８２１号がある。すなわち、
この公報には、ウエハの表面若しくは裏面と側面とがな
す角部に面取り部をそれぞれ形成し、両方の面取り部の
寸法差によってウエハの表裏を判別する技術が開示され
ている。

【０００４】ところで、回転対称性の低下を抑制すると
ともに、半導体ペレット（以下、ペレットという。）の
取得数を増加することができるウエハとして、円周部に
ノッチが形成されたウエハ（以下、ノッチ付きウエハと
いう。）が知られている。

【０００５】ノッチ付きウエハを述べてある例として、
日本国特許庁公開実用新案公報 昭６４−４８０２０号
がある。すなわち、この公報には、ノッチを構成する稜
線の上下のエッジが面取りされているウエハが開示され
ている。このノッチ付きウエハによれば、ノッチにも面
取り部が形成されているため、ＩＣの製造工程において
ノッチに位置決めピンが当てがわれた際のノッチの損傷
を防止することができ、その結果、製造歩留りを高める
ことができる。

【０００６】また、日本国特許庁公開特許公報 平２−
２４０９１２号には、円周部に形成されたノッチが中心
方向への位置変化に伴って非連続的に変化する形状に形
成されているとともに、ノッチの平面形状が周方向に左
右非対称形に形成されているノッチ付きウエハが開示さ
れている。このノッチ付きウエハによれば、ノッチが周
方向に左右非対称形に形成されているため、ウエハの表
側主面と裏側主面とを判別することができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ノッチ付きウエハにお
いても、一主面側に集積回路が作り込まれるため、表裏
の判別が必要になる。そして、両面が鏡面仕上げされた
ノッチ付きウエハの表裏の判別はきわめて困難になる。
例えば、ＩＣが製造される前工程への投入に際して、ノ
ッチ付きウエハの表裏の判別を誤ると、前工程投入以前
にノッチ付きウエハのハンドリング等において使用され
ることにより汚染された側の主面（裏側面）に集積回路
が作り込まれる危険性が発生してしまう。

【０００８】したがって、本発明の目的は、表裏を判別
することができるノッチ付きウエハを提供するととも
に、ノッチ付きウエハの表裏を判別して適正に半導体装
置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供
することにある。

【０００９】ところで、前記した日本国特許庁公開特許
公報 平２−２４０９１２号に開示されているように、
ノッチの平面形状が周方向に左右非対称形に形成されて
いるノッチ付きウエハによれば、ウエハの表側主面と裏
側主面とを判別することができる。しかしながら、ノッ
チの平面形状が非対称形であると、ウエハの回転対称性
が大きく損なわれるとともに、ペレットの取得数が低下
されてしまうばかりでなく、ノッチが規格外の特殊な形
状になってしまうため、ＩＣの製造方法に使用される製
造装置におけるノッチによる位置決め機構等の大幅な改
造が必要になるという問題点が発生する。

【００１０】したがって、本発明の目的は、ノッチの平
面形状の対称形を維持したまま表裏を判別することがで
きるノッチ付きウエハを提供することにある。

【００１１】本発明の他の目的は、前記したノッチ付き
ウエハを合理的に製造することができる半導体ウエハの
製造方法を提供することにある。

【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【００１４】すなわち、半導体ウエハは、円周部に形成
されたノッチにおける一方の主面の内周縁部に形成され
ている面取り部と、他方の主面の内周縁部に形成されて
いる面取り部とが互いに相異されていることを特徴とす
る。

【００１５】

【作用】前記した手段によれば、両方の面取り部の相異
を認識することにより、半導体ウエハの表裏を判別する
ことができる。半導体ウエハの表裏を判別することによ
り、半導体装置を作り込む側の主面を常に同定すること
ができるため、半導体ウエハによって半導体装置を適正
に製造することができる。

【００１６】また、相異するのは面取り部であってノッ
チの平面形状は周方向の対称形を維持することができる
ため、半導体ウエハの対称性および半導体装置の取得数
の大幅な低下を防止することができるばかりでなく、ノ
ッチの規格を維持することにより、半導体装置の製造方
法に使用される既存の製造装置におけるノッチによる位
置決め機構等の改造を回避することができる。

【００１７】

【実施例】図１は本発明の一実施例であるノッチ付きウ
エハを示しており、（ａ）はノッチ部分の平面図、
（ｂ）はその底面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う
拡大側面断面図、（ｄ）は（ａ）のｄ−ｄ線に沿う拡大
側面断面図である。図２はノッチ付きウエハの表裏判別
方法の一実施例を示す各模式図である。図３は本発明の
一実施例であるノッチ付きウエハの製造方法を示す工程
図であり、図４はその主要工程をそれぞれ示す各模式図
である。図５は本発明の一実施例であるノッチ付きウエ
ハを使用したＩＣの製造方法における表裏判別方法を示
す模式図である。図６は熱処理工程における移し換え作
業を示す各正面断面図であり、図７は露光工程における
ノッチ位置認識方法を示す各模式図である。

【００１８】本実施例において、本発明に係る半導体ウ
エハは、半導体装置としてのＩＣを製造するのに使用さ
れるノッチ付きウエハ１として構成されており、シリコ
ンの単結晶から円形の薄板形状に形成されたサブストレ
ート（以下、基板という。）２を備えている。本実施例
において、基板２は直径が２００ｍｍであって、厚さｔ
が７２５μｍである円形の薄板形状に形成されている。
基板２のシリコン単結晶の面方位は、（１００）±１°
のオンオリエンテーションに設定されている。円形薄板
の一対の端面である基板２の一対の主面３、４はそれぞ
れ鏡面仕上げ加工されている。以下の説明で、一対の主
面３、４を区別する必要がある場合には、第１主面３お
よび第２主面４とする。

【００１９】基板２の第１主面３の外周縁部には第１円
周面取り部５が形成されており、この第１円周面取り部
５は傾斜角θ₅ を有する所謂Ｃ面取り部として構成され
ている。また、基板２の第２主面４の外周縁部には第２
円周面取り部６が形成されており、この第２円周面取り
部６は傾斜角θ₆ を有する所謂Ｃ面取り部として構成さ
れている。本実施例において、第１円周面取り部５と第
２円周面取り部６とは基板２の厚さ方向の中心面に関し
て面対称形になるように形成されている。すなわち、図
１（ｄ）に示されているように、厚さ方向の中心線ＣＬ
ｔを含み、かつ、基板２の中心点を厚さ方向に貫通した
中心線に直交する（主面３、４に平行な）平面に関し
て、第１円周面取り部５と第２円周面取り部６とは面対
称に形成されている。つまり、第１円周面取り部５の傾
斜角θ₅ と第２円周面取り部６の傾斜角θ₆ とは等しく
設定されており、かつまた、第１円周面取り部５におけ
る基板外周端７から面取り開始位置５ａまでの距離Ｌ₅
と、第２円周面取り部６における基板外周端７から面取
り開始位置６ａまでの距離Ｌ₆ とは等しく設定されてい
る。

【００２０】以上のように構成された基板２は外観上、
第１主面３と第２主面４とを判別することができない状
態になっている。

【００２１】基板２の円周部には平面視の形状が大略Ｖ
字形のノッチ１０が〈０１１〉の方向の位置に開設され
ており、ノッチ１０の周方向の形状は基板２の中心点と
Ｖ字の尖端とを通る中心線（以下、基準線という。）Ｃ
Ｌに対して左右対称形に形成されている。ノッチ１０の
Ｖ字の両方の斜辺の開き角度αは約９０度に設定され、
両斜辺に内接する円形の直径Ｄは３ｍｍに設定されてい
る。ノッチ１０のＶ字の底には最小ブレンド半径ｒが
０．９ｍｍである凹状の弯曲面が形成されている。ノッ
チ１０の深さ（基板２の外周端７から底までの距離）Ｓ
は、約１ｍｍに設定されている。以上の通りにノッチ１
０の平面視の形状は左右対称形に形成されているため、
ノッチ１０の平面形状を見ただけではノッチ付きウエハ
１の表裏を判別することができない状態になっている。
なお、〈０１１〉は［０１１］と等価な方向を全て含む
ものとする。

【００２２】ノッチ１０の第１主面３の内周縁部には第
１ノッチ面取り部１１が形成されており、この第１ノッ
チ面取り部１１は傾斜角（以下、第１ノッチ面取り角と
いう。）θ₁₁を有する所謂Ｃ面取り部として構成されて
いる。また、ノッチ１０の第２主面４の内周縁部には第
２ノッチ面取り部１２が形成されており、この第２ノッ
チ面取り部１２は傾斜角（以下、第２ノッチ面取り角と
いう。）θ₁₂を有する所謂Ｃ面取り部として構成されて
いる。本実施例において、第１ノッチ面取り部１１と第
２ノッチ面取り部１２とはノッチ１０の厚さ方向の中心
面に関して非面対称形になるように形成されている。す
なわち、図１（ｂ）に示されているように、厚さ方向の
中心線ＣＬｔを含み、かつ、基板２の中心線に直交する
平面に関して、第１ノッチ面取り部１１と第２ノッチ面
取り部１２とは非面対称に形成されている。つまり、第
１ノッチ面取り部１１の第１ノッチ面取り角θ₁₁は第２
ノッチ面取り部１２の第２ノッチ面取り角θ₁₂よりも小
さく設定されており、かつまた、第１ノッチ面取り部１
１におけるノッチの内周端１３から面取り開始位置１１
ａまでの距離（以下、第１ノッチ面取り幅という。）Ｌ
₁₁は、第２ノッチ面取り部１２におけるノッチの内周端
１３から面取り開始位置１２ａまでの距離（以下、第２
ノッチ面取り幅という。）Ｌ₁₂よりも長く設定されてい
る。

【００２３】本実施例において、第１ノッチ面取り角θ
₁₁は１５度に、第２ノッチ面取り角θ₁₂は２５度にそれ
ぞれ設定されており、第１ノッチ面取り幅Ｌ₁₁は５００
μｍに、第２ノッチ面取り幅Ｌ₁₂は３００μｍにそれぞ
れ設定されている。また、第１円周面取り角θ₅ および
第２円周面取り角θ₆ はいずれも３０度に設定されてお
り、第１円周面取り幅Ｌ₅ および第２円周面取り幅Ｌ₆
はいずれも３００μｍに設定されている。つまり、第１
ノッチ面取り幅Ｌ₁₁は第１円周面取り幅Ｌ₅ および第２
円周面取り幅Ｌ₆ と等しく設定されており、第２ノッチ
面取り幅Ｌ₁₂は第１円周面取り幅Ｌ₅ および第２円周面
取り幅Ｌ₆ と等しく設定されている。したがって、ノッ
チ面取り幅Ｌ₁₁が円周面取り幅Ｌ₅ よりも長い場合には
第１ノッチ面取り部１１側の主面、すなわち、第１主面
３と判定することができ、また、ノッチ面取り幅Ｌ₁₂が
円周面取り幅Ｌ₆ と等しい場合には、第２ノッチ面取り
部１２側の主面、すなわち、第２主面と判定することが
できる。

【００２４】以上のように本実施例においては、第１ノ
ッチ面取り部１１と第２ノッチ面取り部１２とがノッチ
１０の厚さ方向の中心面に関して非面対称形になるよう
に形成されているため、第１ノッチ面取り部１１と第２
ノッチ面取り部１２とを判別することにより、ノッチ付
きウエハ１の表裏、すなわち、第１主面３と第２主面４
とを判別することができる。つまり、第１ノッチ面取り
部１１が認識された場合には、第１ノッチ面取り部１１
が位置する側が第１主面３側であり、位置しない側が第
２主面４側であると、判別することができる。

【００２５】次に、第１ノッチ面取り部１１と第２ノッ
チ面取り部１２との判別方法について説明する。

【００２６】人間が目視によって判別を実施する場合に
は、実際のノッチ付きウエハ１における第１ノッチ面取
り幅Ｌ₁₁と第２ノッチ面取り幅Ｌ₁₂とを見比べてその長
短を判定することにより、第１ノッチ面取り部１１と第
２ノッチ面取り部１２とを簡単に判別することができ
る。この場合、第１ノッチ面取り幅Ｌ₁₁が第１円周面取
り幅Ｌ₅ よりも大きく設定されているため、隣接する第
１ノッチ面取り幅Ｌ₁₁と第１円周面取り幅Ｌ₅ とを見比
べて長短を判定することにより、第１ノッチ面取り部１
１側と判別することができる。このとき、隣接するノッ
チ面取り幅と円周面取り幅とを見比べて長短を判定する
ことが困難である場合には、第１ノッチ面取り部１１側
でない可能性があると判断される。

【００２７】人間がテレビカメラの画像を用いてその判
断によって判別を実施する場合には、ノッチ付きウエハ
１のテレビ画像における第１ノッチ面取り幅Ｌ₁₁と第２
ノッチ面取り幅Ｌ₁₂とを見比べてその長短を判定するこ
とにより、第１ノッチ面取り部１１と第２ノッチ面取り
部１２とを簡単に判別することができる。ここで、面取
り部は主面に対して傾斜していることにより、ノッチ付
きウエハのテレビカメラの画像において面取り部は主面
よりも暗く映し出される状態になるため、ノッチ付きウ
エハ１のテレビ画像において、作業者は第１ノッチ面取
り幅Ｌ₁₁および第２ノッチ面取り幅Ｌ₁₂を認識すること
ができる。また、隣接する第１ノッチ面取り幅Ｌ₁₁と第
１円周面取り幅Ｌ₅ とを見比べることによっても、第１
ノッチ面取り幅Ｌ₁₁を認識することができる。

【００２８】さらに、ノッチ付きウエハのテレビカメラ
の画像において面取り部は主面よりも暗く映し出される
状態になるため、テレビカメラの画像において閾値を最
適に定めることにより、テレビカメラの画像によって第
１ノッチ面取り幅Ｌ₁₁および第２ノッチ面取り幅Ｌ₁₂を
自動的に認識することもできる。第１ノッチ面取り幅Ｌ
₁₁および第２ノッチ面取り幅Ｌ₁₂を自動的に認識するこ
とにより、第１ノッチ面取り部１１と第２ノッチ面取り
部１２とを自動的に判別し得ることになる。

【００２９】ところで、第１ノッチ面取り部１１の第１
ノッチ面取り角θ₁₁は第２ノッチ面取り部１２の第２ノ
ッチ面取り角θ₁₂よりも小さく設定されているため、面
取り角によっても第１ノッチ面取り部１１と第２ノッチ
面取り部１２とを判別し得ることになる。図２は面取り
角によって第１ノッチ面取り部１１と第２ノッチ面取り
部１２とを判別する方法、すなわち、ノッチ付きウエハ
の表裏を判別する方法の一実施例を示す模式図である。

【００３０】図２に示されているウエハの表裏判別方法
に使用される面取り角判別装置２０は、平行度測定器お
よび面取り角測定器を備えている。平行度測定器２１は
測定ステージにおいて常に水平を維持し得る状態に設備
されており、エリアフォトセンサ２２と投光器２３とを
備えている。投光器２３はエリアフォトセンサ２２の中
心に配置されて、測定ステージに常に鉛直に投光するよ
うに構成されている。エリアフォトセンサ２２は測定ス
テージ側からの反射光を受光して、その受光位置を示す
電気信号をコントローラ２４に送信するように構成され
ている。面取り角測定器２５は測定ステージにおいて平
行度測定器２１のノッチ１０側の位置に配置されて、平
行度測定器２１に対して予め設定された所定の角度（こ
こでは、第１ノッチ面取り角θ₁₁とする。）をもって傾
斜された状態で据え付けられている。面取り角測定器２
５もエリアフォトセンサ２６と投光器２７とを備えてお
り、投光器２７はエリアフォトセンサ２６の中心に配置
されて、傾斜据え付け面に対して常に垂直（直角）に投
光するように構成されている。エリアフォトセンサ２６
は測定ステージ側からの反射光を受光して、その受光位
置を示す電気信号をコントローラ２４に送信するように
構成されている。

【００３１】以上のように構成された面取り角判別装置
２０により第１ノッチ面取り角θ₁₁が判別されるに際し
ては、まず、平行度測定器２１の投光器２３によって平
行度測定光２８ａが測定ステージにセットされたノッチ
付きウエハ１の第１主面３におけるノッチ１０付近に照
射され、第１主面３で全反射された反射光２８ｂが平行
度測定器２１のエリアフォトセンサ２２によって受光さ
れる。エリアフォトセンサ２２はその受光位置を示す座
標信号をコントローラ２４に送信する。

【００３２】次いで、面取り角測定器２５の投光器２７
によって面取り角測定光２９ａがノッチ１０の第１ノッ
チ面取り部１１の傾斜面に照射され、その傾斜面で全反
射された反射光２９ｂが面取り角測定器２５のエリアフ
ォトセンサ２６によって受光される。エリアフォトセン
サ２６はその受光位置を示す座標信号をコントローラ２
４に送信する。

【００３３】ここで、図２（ａ）に示されているよう
に、ノッチ付きウエハ１が水平にセットされている場合
には、面取り角測定器２５のエリアフォトセンサ２６か
らは受光位置が中心であることを示す座標信号がコント
ローラ２４に送信される。コントローラ２４はこの座標
値と予め設定された基準値とを比較し、その差が予め設
定された公差の範囲内である場合には、測定された面取
り角は第１ノッチ面取り部１１の傾斜角θ₁₁であると判
定する。

【００３４】他方、図２（ｂ）に示されているように、
ノッチ付きウエハ１が傾いてセットされている場合に
は、平行度測定器２１のエリアフォトセンサ２２からは
受光位置が中心から離れた位置であることを示す座標信
号がコントローラ２４に送信される。この座標値はノッ
チ付きウエハ１の傾き角Δθを示す。

【００３５】一方、面取り角測定器２５のエリアフォト
センサ２６からは受光位置が中心から離れた位置である
ことを示す座標信号がコントローラ２４に送信される。
この座標位置は面取り角測定器２５の測定光２９ａが照
射された傾斜面が傾き角Δθだけ余分に傾斜した状態を
示している。そこで、コントローラ２４は面取り角測定
器２５のエリアフォトセンサ２６からの離れた位置の座
標値を平行度測定器２１のエリアフォトセンサ２２から
の離れた位置の座標値によって補正することにより、図
２（ａ）と均等の座標値を求め、この座標値と予め設定
された基準値とを比較し、その差が予め設定された公差
の範囲内である場合には、測定された面取り角は第１ノ
ッチ面取り部１１の傾斜角θ₁₁であると判定する。

【００３６】次に、前記構成に係るノッチ付きウエハの
製造方法を図３に示されている工程図および図４に示さ
れている主要工程の模式図について説明する。

【００３７】まず、チョクラルスキ法による単結晶成長
工程において、多結晶シリコンが溶解された溶液から単
結晶が成長されて、単結晶インゴット（図示せず）が製
造される。

【００３８】ブロック切断工程において、単結晶インゴ
ットは一定の抵抗率の範囲のブロック毎にそれぞれ切断
される。

【００３９】ブロック外周研削工程において、ブロック
は完全な真円形で、かつ、直径が均一の円柱形状に研削
される。

【００４０】ノッチ切り込み工程において、図４（ａ）
に示されているように、円柱形状のブロック３１の外周
に後にノッチ１０になる縦溝３０がダイヤモンド砥石
（図示せず）によって切り込まれて形成される。このと
き、Ｘ線検査によって単結晶ブロック３１の結晶面の方
位が測定され、縦溝３０が単結晶ブロック３１の〈０１
１〉の方向の位置に正確に配される。この縦溝３０の横
断面形状はノッチ１０の前記した平面視Ｖ字形状に対応
されている。

【００４１】スライシング工程において、図４（ｂ）に
示されているように、縦溝付きのブロックは円形の薄板
形状に内周に刃を有するダイヤモンドブレードによって
切断される。この切断によって切り出された薄板（以
下、薄板という。）３２には後に面取り部を加工される
ことによってノッチ１０になるＶ溝４０が、縦溝３０を
切断されることによって形成されることになる。薄板３
２は後述するラッピング加工代やエッチング加工代およ
びポリッシング加工代等を見込んで、ノッチ付きウエハ
１における基板２の完成寸法よりも若干大きめに形成さ
れている。同様に、Ｖ溝４０はノッチ１０の完成寸法よ
りも若干小さめに形成されている。薄板３２はＶ溝４０
の位置を揃えられた状態で、キャリア治具（図示せず）
に一列縦隊に並べられて保管される。

【００４２】面取り加工工程（ベベリング工程）におい
て、図４（ｃ）および（ｄ）に示されているように、薄
板３２の円周部には第１円周面取り部３５（ラッピング
加工、エッチング加工およびポリッシング加工等が施さ
れた後の完成品のものと区別するために、符号「３５」
を使用する。以下、面取り部および主面について同様と
する。）および第２円周面取り部３６がそれぞれ形成さ
れる。また、薄板３２のＶ溝４０における両方の内周縁
には第１ノッチ面取り部４１および第２ノッチ面取り部
４２がそれぞれ形成される。後述するラッピング加工代
やエッチング加工代およびポリッシング加工代等を見込
んだ上で、これら面取り部の構成は完成品である前記ノ
ッチ付きウエハ１の面取り部とそれぞれ対応されてい
る。このようにしてＶ溝４０に第１ノッチ面取り部４１
および第２ノッチ面取り部４２が形成されると、薄板３
２は表裏を判別可能な状態になる。すなわち、Ｖ溝４０
において第１ノッチ面取り部４１が形成された内周縁の
位置する側の主面が第１主面３３になり、第２ノッチ面
取り部４２が形成された内周縁の位置する側の主面が第
２主面３４になる。

【００４３】ここで、Ｖ溝４０に対する第１ノッチ面取
り部４１および第２ノッチ面取り部４２の面取り加工方
法の一実施例を、図４（ｅ）および（ｆ）に示されてい
る研削具５０が使用される場合について説明する。

【００４４】図４（ｅ）および（ｆ）に示されている研
削具５０は外周面に凹状の弯曲面を有する大略円柱形状
に形成されており、その外周面にダイヤモンド砥粒層が
形成されることにより第１研削面５１、第２研削面５
２、第３研削面５３をそれぞれ構成されている。第１研
削面５１と第２研削面５２は互いに向き合わされて同軸
に配された各円錐面にそれぞれ形成されており、第１研
削面５１の底角θ₅₁は第１ノッチ面取り角θ₁₁と等しく
設定され、また、第２研削面５２の底角θ₅₂は第２ノッ
チ面取り角θ₁₂と等しく設定されている。第３研削面５
３は回転中心と同心円の円柱面に形成されており、第３
研削面５３における半径はノッチ１０の内周端１３にお
ける凹状弯曲面の曲率半径ｒと対応するように設定され
ている。

【００４５】この研削具５０によってＶ溝４０に対する
第１ノッチ面取り部４１および第２ノッチ面取り部４２
が面取り加工されるに際して、回転中心が薄板３２の中
心線と平行に配された状態で、研削具５０は回転される
とともに、Ｖ溝４０の内周面の形状に倣うように徐々に
送られる。この研削作動によって、Ｖ溝４０の両端には
第１ノッチ面取り角θ₁₁を有する第１ノッチ面取り部４
１と、第２ノッチ面取り角θ₁₂を有する第２ノッチ面取
り部４２とがそれぞれ形成される。

【００４６】以上のようにしてＶ溝４０に対する面取り
加工が実施された以降は、薄板３２は第１ノッチ面取り
部４１と第２ノッチ面取り部４２とを判別することによ
り、表裏、すなわち、第１主面３３か第２主面３４かを
判別することができる。換言すれば、以降の工程におい
て、薄板３２のハンドリングに際して表裏の取り扱いを
統一することができ、また、統一による利益不利益を享
受する状況になったことをも意味する。そこで、本実施
例においては、Ｖ溝４０に対する面取り加工以降の表裏
の取り扱いを統一するために、面取り加工作業後の薄板
３２は、第１ノッチ面取り部４１の向きが一定に揃うよ
うに配置されてキャリア治具（図５および図６参照）に
保管される。

【００４７】ラッピング工程において、薄板３２は両面
をアルミナ砥粒とグリセリンの研磨材によってラッピン
グされる。このラッピング加工によって、薄板３２は厚
さのばらつきを、例えば、０．２μｍ以下に低減され
る。

【００４８】エッチング工程において、薄板３２はその
表面層を全体的にエッチング加工される。これまでの形
状加工により薄板３２には表面上および周辺に破砕層お
よび汚染層が発生しているため、この破砕層および汚染
層がエッチング加工によって除去される。この破砕層お
よび汚染層は、通常１０μｍ程度であり、化学的エッチ
ング処理によって充分に除去することができる。しか
し、破砕層を完全に除去するために、通常、片側２０μ
ｍ程度のオーバーエッチング処理が施される。エッチン
グ液としては、弗酸、硝酸、酢酸の混合液が使用され
る。また、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムを使用し
たアルカリエッチング処理も可能である。

【００４９】ポリッシング（鏡面仕上げ）工程におい
て、薄板３２は表裏両面をポリッシング加工される。こ
のポリッシング加工により、薄板３２の表裏両面は鏡面
仕上げされた状態になるため、高精度の表面平坦性を確
保され、また、局所的な変動を解消された状態になる。
ここで、本実施例によれば、ノッチ面取り加工工程以降
において表裏が統一的に取り扱われるため、後述するよ
うに、例えば、リソグラフィー処理を第１主面側に常に
実施することができる。したがって、ポリッシング加工
は第１主面側だけに実施すればよいとも言える。しか
し、第２主面側にもポリッシング加工を施すと、高精度
の表面平坦性をより一層高めることができるともに、局
所的な変動を両面について解消された状態になるため、
リソグラフィー処理等に際してのノッチ付きウエハ１の
平坦度をより一層高めることができる。ちなみに、ポリ
ッシング加工にはメカニカル・ケミカルポリッシング法
が使用される。

【００５０】以上のようにして前記構成に係るノッチ付
きウエハ１が製造されたことになる。このノッチ付きウ
エハ１は最終洗浄工程において、洗浄された後にキャリ
ア治具に梱包されて、ウエハ製造工場からＩＣ製造工場
に送られる。この梱包に際して、ノッチ付きウエハ１は
ノッチ１０の配置および第１ノッチ面取り部１１の向き
を統一された状態で、キャリア治具に梱包される。

【００５１】次に、以上のようにして製造され、かつ、
構成されたノッチ付きウエハによるＩＣの製造方法の一
実施例を、前工程について説明する。

【００５２】前記構成に係るノッチ付きウエハが前工程
に投入されるに際して、ノッチの面取り部によってノッ
チ付きウエハの表裏が確認的に判別される。図５に示さ
れているように、この判別作業には前述した面取り角判
別装置２０を使用することができる。すなわち、ノッチ
付きウエハ用のキャリア治具６１が水平に配されて保持
されるテーブル６２の上方には、面取り角判別装置２０
が横向きに設置されている。また、テーブル６２の下側
にはウエハを鉛直に持ち上げるエレベータ６３が垂直方
向上向きに設備されている。ノッチ付きウエハ１はキャ
リア治具６１がテーブル６２に水平に保持された状態に
おいて、鉛直に立てられた状態になっており、エレベー
タ６３はノッチ付きウエハ１を１枚ずつ鉛直に持ち上げ
るように構成されている。

【００５３】表裏が判別されるに際して、ノッチ付きウ
エハ１がエレベータ６３によってキャリア治具６１から
持ち上げられると、持ち上げられたウエハ１のノッチ１
０が面取り角判別装置２０に対向される。続いて、図２
について前述した作用に準じて、面取り角判別装置２０
によって第１ノッチ面取り角θ₁₁か否かが判別され、面
取り角判別装置２０側に第１主面３が適正に配置されて
いることが確認される。確認が終了すると、エレベータ
６３が下降されてウエハ１はキャリア治具６１の元の位
置に戻される。次いで、テーブル６２が１ピッチ歩進送
りされて、次のウエハ１がエレベータ６３に対向され
る。

【００５４】以降、前記作動が繰り返されることによ
り、キャリア治具６１に収納されたウエハ１の全てにつ
いて表裏が判別される。万一、面取り角判別装置２０に
よって第１ノッチ面取り角θ₁₁であると判別されなかっ
た場合には、コントローラ２４によって警報が発生され
る。そして、当該ノッチ付きウエハ１はキャリア治具６
１に表裏逆向きに収納されていたものと、作業者は判断
して当該ノッチ付きウエハ１をキャリア治具６１から抜
き出して洗浄工程等に送る。このように表裏逆向きに配
置されたノッチ付きウエハ１について特別に取り扱う理
由は、第１主面３側がハンドリング面として使用される
ことによって汚染された危険性があるので、その危険性
を念のため回避することにある。

【００５５】以上のようにして表裏を判別されたノッチ
付きウエハは、前工程において表側主面である第１主面
側に半導体素子を含む集積回路が作り込まれ、裏側主面
としての第２主面側がそれ自体のハンドリングに使用さ
れる。そのため、表裏を判別されたノッチ付きウエハ
は、前工程においてノッチの位置および表裏の向き（第
１主面および第２主面の向き）を揃えられて常に取り扱
われる。

【００５６】例えば、ＣＭＯＳのウエルパターニング工
程においてシリコン酸化膜を成長させるための熱処理作
業に際しては、ノッチ付きウエハは複数枚が同時に所謂
バッチ処理される。予め、ノッチ付きウエハ群はキャリ
ア治具にノッチの配置および表裏の向きを揃えられて収
納されているため、このようなバッチ処理の場合にはキ
ャリア治具上のノッチ付きウエハ群を一括して処理治具
等に移し換えれば済む。例えば、図６（ａ）に示されて
いるように、キャリア治具６１にノッチ１０および表裏
を揃えられて収納された複数枚のノッチ付きウエハ１群
は、まず、移換治具６４に一括して移し換えられる。次
いで、第６図（ｂ）に示されているように、移換治具６
４のノッチ付きウエハ１群は熱処理治具としてのボート
６５にそのままの状態で一括して移し換えられる。そし
て、このボート６５は熱処理装置（図示せず）のプロセ
スチューブにそのままの状態で投入されて一括して熱処
理される。

【００５７】このようにしてボート６５に対するノッチ
付きウエハ１群のノッチ１０の配置および表裏の向きが
常に一定の関係で熱処理されると、ノッチ付きウエハ１
内のプロセスチューブに対する位置関係が常に一定にな
るため、シリコン酸化膜の膜厚や膜質、電気的特性の分
布を解析することによって熱処理装置固有の特性を究明
することができる。また、不良解析に際して、ノッチ付
きウエハ１内のプロセスチューブに対する位置関係を特
定することにより、不良解析の精度や信頼性を高めるこ
とができる。

【００５８】次に、例えば、ＣＭＯＳのウエルパターニ
ング工程においてシリコン酸化膜の上にフォトレジスト
膜がスピンナ塗布されるに際しては、ノッチ付きウエハ
は１枚ずつ所謂枚葉処理される。このような枚葉処理の
場合には、ノッチ付きウエハはキャリア治具から１枚ず
つ取り出されて処理されるため、ノッチ位置および表裏
を揃えてキャリア治具に戻す必要がある。そして、スピ
ンチャックの回転停止位置が不確定であるため、スピン
ナ塗布された後のノッチ付きウエハにおけるノッチの位
置は不明になる。そこで、スピンナ塗布されたノッチ付
きウエハを露光装置にセットするに際して、予め、ノッ
チの位置を検出する必要がある。このような場合のノッ
チ位置検出方法の一実施例を図７について説明する。

【００５９】スピンナ塗布されたノッチ付きウエハ１は
ノッチ位置検出ステージ７１に搬入ハンド（図示せず）
によって（ａ）に示されているように搬入される。一対
の４チャンネルセンサ（以下、左右のセンサという。）
７２、７３がノッチ付きウエハ１によって遮光された時
点で挿入ハンドは挿入を停止する。（ｂ）に示されてい
るように、左右のセンサ７２、７３が遮光される時間差
がＸ方向の偏心量に換算され、ステージ７１が移動され
てノッチ付きウエハ１が真空吸着チャック７４によって
保持される。

【００６０】次いで、（ｃ）に示されているように、ノ
ッチ付きウエハ１は真空吸着チャック７４によって回転
されて、（ｄ）に示されているように、ノッチ粗検知セ
ンサ７５によってノッチ１０が検知される。続いて、
（ｅ）に示されているように、ノッチ１０はノッチ粗検
知センサ７５の位置から反時計周り方向に４５度だけ回
転され、ＣＣＤから構成された撮像装置７６の撮映範囲
に移動される。次いで、（ｆ）に示されているように、
ノッチ１０が撮像装置７６の中心に置かれたままの状態
で、ノッチ付きウエハ１は両センサ７２、７３に外周が
かかるようにＸＹθの方向を補正される。

【００６１】（ｇ）に示されているようにＸＹθの方向
を微調整された後に、（ｈ）に示されているようにノッ
チ付きウエハ１はそのままの状態を維持されたまま送り
込みハンド７７によって露光装置（図示せず）に送り込
まれる。ここで、露光装置に移送される前に、ＸＹθの
方向を微調整された後のノッチ付きウエハ１に対して、
前述した面取り角判別装置２０によって表裏判別作業を
実施することにより、フォトレジスト膜がノッチ付きウ
エハ１の第１主面３側に実際にスピンナ塗布されたこと
を簡単に確認することができる。

【００６２】なお、前記実施例においては、本発明に係
る半導体装置の製造方法の一実施例であるＩＣの製造方
法を、その前工程の一部であるＣＭＯＳのウエルパター
ニング工程においてシリコン酸化膜を成長させるための
熱処理作業およびそのシリコン酸化膜の上にフォトレジ
スト膜をスピンナ塗布する作業について説明したが、表
裏を判別されたノッチ付きウエハは前工程の全般におい
てノッチの位置および表裏の向き（第１主面および第２
主面の向き）を揃えられて常に取り扱われる。そして、
表裏を判別されたノッチ付きウエハは、前工程において
表側主面である第１主面側に半導体素子を含む集積回路
が作り込まれ、裏側主面としての第２主面側がそれ自体
のハンドリングに使用される。そのため、半導体素子が
作り込まれる第１主面側がハンドリングによって汚染さ
れることはない。その結果、半導体装置の製造歩留りを
高めることができるとともに、半導体装置の品質および
信頼性を高めることができる。

【００６３】前記実施例によれば次の効果が得られる。 （１） ノッチ付きウエハのノッチにおける一方の主面
の内周縁部に形成される面取り部と他方の主面の内周縁
部に形成される面取り部とを互いに相異させることによ
り、両方の面取り部の相異を認識することによってノッ
チ付きウエハの表裏を判別することができるため、半導
体装置を作り込む側の主面を常に同定することができ
る。

【００６４】（２） 前記（１）により、前工程におい
て表側主面である第１主面側に半導体素子を含む集積回
路を作り込み、裏側主面としての第２主面側をそれ自体
のハンドリングに常に使用することができるため、半導
体素子が作り込まれる第１主面側がハンドリングによっ
て汚染されるのを防止することができ、その結果、半導
体装置の製造歩留りを高めることができるとともに、半
導体装置の品質および信頼性を高めることができる。

【００６５】（３） 相異するのは面取り部であって、
ノッチの平面形状は周方向の対称形を維持することがで
きるため、ノッチ付きウエハの回転対称形および半導体
装置の取得数の大幅な低下を防止することができるばか
りでなく、ノッチの規格を維持することにより、半導体
装置の製造方法に使用される既存の製造装置におけるノ
ッチによる位置決め機構等の改造を回避することができ
る。

【００６６】（４） ノッチにおける表裏の面取り角を
相異させることにより、反射光を利用して光学的に表裏
を判別することができるため、ノッチ付きウエハの表裏
の判別を非接触にて実行することができ、接触による弊
害を未然に回避することができる。

【００６７】（５） 第１ノッチ面取り部１１の第１ノ
ッチ面取り角θ₁₁を小さく設定することにより、エピタ
キシャル成長処理におけるエピタキシャルクラウンの発
生を防止することができるため、それによる取得数の低
下を未然に回避することができる。

【００６８】（６） 非対称形の第１研削面および第２
研削面を有する研削具によってノッチの第１ノッチ面取
り部および第２面取り部とをそれぞれ形成することによ
り、互いに非対称形の第１ノッチ面取り部および第２面
取り部をきわめて簡単に形成することができるため、ノ
ッチ付きウエハの製造コストの増加等を抑制することが
できる。

【００６９】図８は本発明の実施例２であるノッチ付き
ウエハを示しており、（ａ）はノッチ部分の平面図、
（ｂ）はその底面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う
拡大側面断面図、（ｄ）は（ａ）のｄ−ｄ線に沿う拡大
側面断面図である。

【００７０】本実施例２が前記実施例１と異なる点は、
ノッチ付きウエハ１の基板２における基板外周端７にＲ
面取り部８が形成されているとともに、ノッチ１０にお
けるノッチ内周端１３にもＲ面取り部１００形成されて
いる点にある。ここで、ノッチ内周端のＲ面取り部１４
は第１ノッチ面取り部１１と第２ノッチ面取り部１２と
に内接するように形成されているとともに、第１ノッチ
面取り部１１および第２ノッチ面取り部１２に平坦傾斜
面が少なくとも所定の幅だけ形成されるように形成され
ている。この第１ノッチ面取り部１１および第２ノッチ
面取り部１２の平坦傾斜面に前述した面取り角判別装置
２０の面取り角測定光２９ａが入射されれば、その反射
光２９ｂの反射角は一定の関係になるため、前述した面
取り角の判別は確保されることになる。

【００７１】本実施例２の作用は前記実施例１と同様で
あり、前記実施例１の効果に加えて、基板２の外周縁お
よびノッチ１０の内周縁における歪みや損傷をＲ面取り
部８および１４によって防止することができるという効
果が奏される。

【００７２】図９は本発明の実施例３であるノッチ付き
ウエハを示しており、（ａ）はノッチ部分の平面図、
（ｂ）はその底面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う
拡大側面断面図、（ｄ）は（ａ）のｄ−ｄ線に沿う拡大
側面断面図である。

【００７３】本実施例３が前記実施例１と異なる点は、
ノッチ付きウエハ１の基板２における第１主面３が鏡面
仕上げ加工され、第２主面４が鏡面仕上げ加工されてい
ない点である。そして、鏡面仕上げ加工はノッチ１０の
面取り加工後に実施されるため、鏡面仕上げ加工に際し
ては、第１ノッチ面取り部１１が第１ノッチ面取り角θ
₁₁の測定によって判別されることより、第１ノッチ面取
り部１１が位置する側である第１主面３が予め選定され
た後に鏡面仕上げ加工が実施されることになる。

【００７４】本実施例３によれば、第１主面３が鏡面仕
上げされ第２主面４が鏡面仕上げされていないため、ノ
ッチ付きウエハ１の表裏判別は第１主面３と第２主面４
との見比べによっても実行することができる。

【００７５】図１０は本発明の実施例４であるノッチ付
きウエハを示しており、（ａ）は結晶の面方位を模式的
に示す平面図、（ｂ）はその作用を説明するための平面
図である。

【００７６】本実施例４が前記実施例１と異なる点は、
シリコン単結晶の面方位（１００）の基板２に対してノ
ッチ１０が〈０１１〉に配置されているとともに、〈０
１０〉または〈００１〉の方向に傾けられてウエハ１が
スライスされている点にある。図１０（ａ）に示されて
いる例においては、ウエハ１は基板２の面方位が（１０
０）で、ノッチ１０が配置された方向が［０バー１バー
１］で、［０１０］の方向に傾けてスライスされてお
り、図１０（ａ）に示された第１主面３側が表側面にな
るように第１主面３側におけるノッチ１０の縁辺部に第
１ノッチ面取り部１１が形成されている。ところが、万
一、第２主面４側におけるノッチ１０の縁辺部に第１ノ
ッチ面取り部１１が誤って形成されてしまうと、図１０
（ｂ）に示されているように、［０１０］の方向が［０
０１］の方向になってしまう。したがって、ウエハ１が
〈０１０〉または〈００１〉の方向に傾けてスライスさ
れる場合には、基板２がブロックから切り出される際に
表裏が正確に管理されるとともに、ノッチ１０における
第１ノッチ面取り部１１および第２ノッチ面取り部１２
はその結晶方向によって決定される基板２の表裏に従っ
て正確に形成する必要がある。

【００７７】そこで、本実施例４のように結晶方向に対
して傾けられてスライスされるノッチ付きウエハの製造
方法においては、ノッチ１０に対する面取り加工工程
（図３参照）に際して、基板２に対してＸ線による表裏
判別検査を実施することが望ましい。

【００７８】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。

【００７９】例えば、ノッチにおける第１ノッチ面取り
部および第２ノッチ面取り部は、周方向に対称形に形成
するに限らず、非対称形に形成してもよい。この場合に
おいても、ノッチの平面視形状の周方向の対称形は維持
される。

【００８０】ノッチの第１主面の内周縁部に形成された
第１ノッチ面取り部の第１ノッチ面取り角θ₁₁を１５度
に、また、ノッチの第２主面の内周縁部に形成された第
２ノッチ面取り部の第２ノッチ面取り角θ₁₂を２５度に
それぞれ設定するに限らない。ここで、第１ノッチ面取
り角θ₁₁の加工公差（角度）をＫ₁₁、第２ノッチ面取り
角θ₁₂の加工公差をＫ₁₂とした場合、第１ノッチ面取り
角θ₁₁および第２ノッチ面取り角θ₁₂は次の式（１）を
満足するように設定することが望ましい。 θ₁₂−θ₁₁＞Ｋ₁₁＋Ｋ₁₂・・・（１）

【００８１】ノッチの第１主面の内周縁部に形成された
第１ノッチ面取り部の第１ノッチ面取り幅Ｌ₁₁を５００
μｍに、また、ノッチの第２主面の内周縁部に形成され
た第２ノッチ面取り部の第２ノッチ面取り幅Ｌ₁₂を３０
０μｍにそれぞれ設定するに限らず、２００〜６００μ
ｍに設定することができる。判別の観点からは、第１ノ
ッチ面取り幅と第２ノッチ面取り幅の差は大きい方が望
ましい。また、面取り幅の最大値は取得数の減少等も配
慮して決定される。

【００８２】第１ノッチ面取り部および第２ノッチ面取
り部は一体の研削具によって面取り加工するに限らず、
研削面の角度がそれぞれ相異する別体の研削具によって
それぞれ面取り加工して形成してもよい。

【００８３】前記実施例では、第１主面を表側面として
説明したが、表裏面は相対的な関係であるから、第２主
面を表側面としてもよい。すなわち、第２主面側にＩＣ
を作り込み、第１主面側をハンドリングに使用してもよ
い。また、ＩＣが作り込まれる側が表側面で、第１主面
であり、ハンドリングされる側が裏側面で、第２主面で
あると考えてもよい。

【００８４】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＭＯＳ
・ＩＣの製造方法に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、バイポーラＩＣや、ト
ランジスタ、光半導体装置等のその他の半導体装置の製
造方法全般に適用することができる。

【００８５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００８６】ノッチ付き半導体ウエハのノッチにおける
一方の主面の内周縁部に形成される面取り部と他方の主
面の内周縁部に形成される面取り部とを互いに相異させ
ることにより、両方の面取り部の相異を認識することに
よって半導体ウエハの表裏を判別することができるた
め、半導体ウエハの表裏を判別することにより、半導体
装置を作り込む側の主面を常に同定することができるた
め、半導体ウエハによって半導体装置を適正に製造する
ことができる。

【００８７】また、相異するのは面取り部であってノッ
チの平面形状は周方向の対称形を維持することができる
ため、半導体ウエハの回転対称形および半導体装置の取
得数の大幅な低下を防止することができるばかりでな
く、ノッチの規格を維持することにより、半導体装置の
製造方法に使用される既存の製造装置におけるノッチに
よる位置決め機構等の改造を回避することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるノッチ付きウエハを示
しており、（ａ）はノッチ部分の平面図、（ｂ）はその
底面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う拡大側面断面
図、（ｄ）は（ａ）のｄ−ｄ線に沿う拡大側面断面図で
ある。

【図２】（ａ）、（ｂ）はノッチ付きウエハの表裏判別
方法の一実施例を示す各模式図である。

【図３】本発明の一実施例であるノッチ付きウエハの製
造方法を示す工程図である。

【図４】その主要工程をそれぞれ各模式図であり、
（ａ）はノッチ切り込み工程後の斜視図、（ｂ）はスラ
イシング工程の斜視図、（ｃ）は面取り加工工程後の平
面図、（ｄ）は側面断面図、（ｅ）は面取り加工工程の
一部切断部分平面図、（ｆ）はその側面断面図である。

【図５】本発明の一実施例であるノッチ付きウエハを使
用したＩＣの製造方法における表裏判別工程を示す模式
図である。

【図６】（ａ）、（ｂ）は熱処理工程における移し換え
作業を示す各正面断面図である。

【図７】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、
（ｆ）、（ｇ）は露光工程におけるノッチ位置認識方法
を示す模式図である。

【図８】本発明の実施例２であるノッチ付きウエハを示
しており、（ａ）はノッチ部の平面図、（ｂ）はその底
面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う断面図、（ｄ）
は（ａ）のｄ−ｄ線に沿う断面図である。

【図９】本発明の実施例３であるノッチ付きウエハを示
しており、（ａ）はノッチ部の平面図、（ｂ）はその底
面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う断面図、（ｄ）
は（ａ）のｄ−ｄ線に沿う断面図である。

【図１０】本発明の実施例４であるノッチ付きウエハを
示しており、（ａ）は結晶の面方位を模式的に示す平面
図、（ｂ）はその作用を説明するための平面図である。

【符合の説明】

１…ノッチ付きウエハ（半導体ウエハ）、２…基板、３
…第１主面、４…第２主面、５…第１円周面取り部、５
ａ…面取り開始位置、θ₅ …第１円周面取り角、Ｌ₅ …
第１円周面取り幅、６…第２円周面取り部、６ａ…面取
り開始位置、θ₆ …第２円周面取り角、Ｌ₆ …第２円周
面取り幅、７…基板外周端、８…Ｒ面取り部、１０…ノ
ッチ、１１…第１ノッチ面取り部、１１ａ…面取り開始
位置、θ₁₁…第１ノッチ面取り角、Ｌ₁₁…第１ノッチ面
取り幅、１２…第２ノッチ面取り部、１２ａ…面取り開
始位置、θ₁₂…第２ノッチ面取り角、Ｌ₁₂…第２ノッチ
面取り幅、１３…ノッチ内周端、１４…Ｒ面取り部、２
０…面取り角判別装置、２１…平行度測定器、２２…エ
リアフォトセンサ、２３…投光器、２４…コントロー
ラ、２５…面取り角測定器、２６…エリアフォトセン
サ、２７…投光器、２８ａ…平行度測定光、２８ｂ…反
射光、２９ａ…面取り角測定光、２９ｂ…反射光、３０
…縦溝、３１…単結晶ブロック、３２…薄板、３３…第
１主面、３４…第２主面、３５…第１円周面取り部、３
６…第２円周面取り部、４０…Ｖ溝、４１…第１ノッチ
面取り部、４２…第２ノッチ面取り部、４３…内周端、
５０…研削具、５１…第１研削面、θ₅₁…底角、５２…
第２研削面、θ₅₂…底角、５３…第３研削面、６１…キ
ャリア治具、６２…テーブル、６３…エレベータ、６４
…移換治具、６５…ボート（処理治具）、７１…ノッチ
位置検出ステージ、７２、７３…４チャンネルセンサ、
７４…真空吸着チャック、７５…ノッチ粗検知センサ、
７６…撮像装置、７７…送り込みハンド。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 範夫 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 清水 博文 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 小池 淳義 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 前島 央 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 金井 明 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円周部に形成されたノッチが厚さの中心
   面に関して非面対称形に形成されている半導体ウエハが
   準備され、このノッチの非面対称形によって半導体ウエ
   ハの表側主面と裏側主面とが判別されることを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記ノッチの外面からの反射光によって
   ノッチの非面対称形が認識されて、前記半導体ウエハの
   表側主面と裏側主面とが判別されることを特徴とする請
   求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記半導体ウエハは両方の主面が鏡面仕
   上げされており、前記ノッチの非面対称形によって判別
   される表側主面側に半導体素子が形成され、裏側主面側
   が半導体ウエハのハンドリングに使用されることを特徴
   とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記半導体ウエハは前記ノッチの非面対
   称形によって判別される表側主面が鏡面仕上げされるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記半導体ウエハは同一の処理に際して
   前記ノッチの位置および表側主面を揃えられることを特
   徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 円周部に形成されたノッチが厚さの中心
   面に関して非面対称形に形成されていることを特徴とす
   る半導体ウエハ。
7. 【請求項７】 円周部に形成されたノッチにおける一方
   の主面の内周縁部に形成されている面取り部と、他方の
   主面の内周縁部に形成されている面取り部とが互いに相
   異されていることを特徴とする半導体ウエハ。
8. 【請求項８】 一方の内周縁部に形成されている前記面
   取り部は、主面に対して所定の角度で傾斜した平坦面を
   少なくとも一部に備えていることを特徴とする請求項７
   に記載の半導体ウエハ。
9. 【請求項９】 円周部に円周面取り部が全体的に一定に
   形成されているとともに、一方の主面の外周縁に形成さ
   れた円周面取り部と、他方の主面の外周縁に形成された
   円周面取り部とが互いに一致されていることを特徴とす
   る請求項７に記載の半導体ウエハ。
10. 【請求項１０】 円周部の側面およびノッチの内周の側
    面の厚さ方向の中央部が凸状の弯曲面に形成されている
    ことを特徴とする請求項７に記載の半導体ウエハ。
11. 【請求項１１】 両方の主面が鏡面仕上げされているこ
    とを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエハ。
12. 【請求項１２】 一方の主面が鏡面仕上げされているこ
    とを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエハ。
13. 【請求項１３】 表面方位がオンオリエンテーションに
    形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導
    体ウエハ。
14. 【請求項１４】 表面方位がオフオリエンテーションに
    形成されているとともに、その方位の関係が前記ノッチ
    の非面対称形によって判別される表側主面および裏側主
    面において維持されていることを特徴とする請求項６に
    記載の半導体ウエハ。
15. 【請求項１５】 半導体ウエハの円周部に形成されたノ
    ッチにおける両方の主面の内周縁部に互いに相異する面
    取り部が形成されることにより、ノッチが厚さの中心面
    に関して非面対称形に形成されることを特徴とする半導
    体ウエハの製造方法。
16. 【請求項１６】 ノッチにおける一方の内周縁部を面取
    りする研削面の形状と他方の内周縁部を面取りする研削
    面の形状とが互いに相異する研削具が、前記ノッチに当
    てがわれて前記各面取り部がそれぞれ形成されることを
    特徴とする請求項１５に記載の半導体ウエハの製造方
    法。
17. 【請求項１７】 ノッチの内周の側面における厚さ方向
    の中央部を面取りする加工面が凹状の弯曲面に形成され
    た研削具が、前記ノッチに当てがわれてノッチに面取り
    加工が実施されることを特徴とする請求項１６に記載の
    半導体ウエハの製造方法。