JP2016154244A - 光電素子及びその製造方法 - Google Patents

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Shih-I Chen
チア−リアン，シュウ
Chia Liang Hsu
チエ，シュウ ツゥ
Tzu-Chieh Hsu
チエ，シュウ ツゥ
チュン−イー，ウ
Chun-Yi Wu
フ，ファン チェン
Chien-Fu Huang
フ，ファン チェン
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Abstract

【課題】光取り出し効率を向上する構造を有する光電半導体素子を提供する。【解決手段】光電半導体素子は、光エネルギーと電気エナルギーを相互変換する変換層１２２を含む光電システム１２０と、金属元素、例えば銀を含む反射層１５０とを有し、さらに光電システム１２０と反射層１５０の間に位置する半導体層１１１を有する。半導体層１１１は金属元素を含み、金属元素は銀を含み、且つ金属元素の半導体層１１１における濃度は、1*1016cm-3よりも大きい。【選択図】図２

Description

本発明は、光電素子及びその製造方法に関する。
近年、省エネルギー・二酸化炭素削減の議題が益々重要視されているため、発光ダイオードがバックライト及び照明の応用分野においてより重要となり、発光ダイオードの光取り出し率を向上する様々な方法が提案されている。光取り出し率を向上するには、いくつかの方法を使っても良いが、その中の一つの方法としては、エピタキシャル成長の品質を改善するために、電子と正孔との結合率を増加することにより、内部量子効率（ＩＱＥ）を向上することである。その一方、発光ダイオードが発生した光線は、効果的に取り出されないと、一部の光線は、全反射により発光ダイオードの内部において繰り返し反射又は回折され、最終的には電極又は発光層により吸収されてしまい、輝度を向上することができないので、表面粗化、又は、構造を変えた幾何学形状を用いることによって外部量子効率（ＥＱＥ）を向上する。光取り出し効率（ＬＥＥ）を向上することにより、発光ダイオードの輝度を向上することができる。
本発明の目的は、光取り出し効率を向上する構造を有する光電半導体素子を提供することにある。
本発明による発光素子は、基板と、前述の基板に形成され、第一シート抵抗値、第一厚み及び第一ドーパント濃度を有する第一ウィンドウ層と、第二シート抵抗値、第二厚み及び第二ドーパント濃度を有する第二ウィンドウ層と、前述の第一ウィンドウ層と前述の第二ウィンドウ層との間に形成される半導体システムと、を含み、そのうち、前述の第二ウィンドウ層及び前述の半導体システムは、異なる半導体材料であり、前述の第二シート抵抗値は、前述の第一シート抵抗値より低い。
また、本発明による光電半導体素子は、基板と、前述の基板に形成され、金属元素を有する金属層と、前述の金属元素を含む第一ウィンドウ層と、前述の金属層と前述の第一ウィンドウ層との間に形成される透明導電層と、を含み、そのうち、前述の第一ウィンドウ層の前述の金属元素の濃度は、１×１０１９ｃｍ−３より小さい。
また、本発明による光電発光素子は、基板と、前述の基板に形成されるｎ型ウィンドウ層と、前述のｎ型ウィンドウ層に形成される半導体システムと、前述の半導体システムに形成されるｐ型ウィンドウ層と、を含み、そのうち、前述の光電半導体素子は、駆動電流の密度が０．１〜０．３２ｍＡ／ｍｉｌ２の下で、７０ルーメン／ワットの発光効率を有し、発した光は、琥珀色光と赤色光との間にある。
また、本発明による光電発光素子の製造方法は、基板を提供するステップと、前述の基板に半導体システムを形成するステップと、前述の半導体システムにウィンドウ層を形成するステップと、を含み、そのうち、前述のウィンドウ層及び前述の半導体システムは、異なる半導体材料により構成され、また、前述のウィンドウ層を除去し、これにより、前述のウィンドウ層と前述の半導体とに幅差を持たせるステップとをさらに含み、そのうち、前述の幅差は、１μｍ（マイクロメートル）より大きい。
本発明は、光取り出し効率を向上する構造を有する光電半導体素子を提供することができる。
本発明による製造方法により製造された本発明による光電半導体素子の、一製造ステップに対応する構造の側面断面図である。 本発明による製造方法により製造された本発明による光電半導体素子の、一製造ステップに対応する構造の側面断面図である。 本発明による製造方法により製造された本発明による光電半導体素子の、一製造ステップに対応する構造の側面断面図である。 本発明による製造方法により製造された本発明による光電半導体素子の、一製造ステップに対応する構造の側面断面図である。 本発明による製造方法により製造された本発明による光電半導体素子の、一製造ステップに対応する構造の側面断面図である。 本発明による製造方法により製造された本発明による光電半導体素子の、一製造ステップに対応する構造の側面断面図である。 本発明による製造方法により製造された本発明による光電半導体素子の、一製造ステップに対応する構造の側面断面図である。 本発明による製造方法により製造された本発明による光電半導体素子の、一製造ステップに対応する構造の側面断面図である。 本発明による光電半導体素子の一実施例の側面断面図である。 本発明による光電半導体素子の一実施例のＳＥＭ図である。 本発明による光電半導体素子の第一オーミック接触層の上面図である。
次に、添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
図１Ａないし図１Ｈは、本発明による製造方法により製造された本発明による光電半導体素子の、各製造ステップに対応する構造の側面断面図である。図１Ａを参照する。本発明による光電半導体素子の製造方法により、まず、基板１０１を提供する。基板１０１は、成長基板とされ、その上に光電システム１２０を成長又は積載させるために用いられる。前述の成長基板１０１を構成する材料は、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＬｉＡｌＯ２、ＺｎＯ、ＧａＮ、ＡｌＮのうち一つ又はそれらの組合せを含むが、これに限らない。基板１０１を構成する材料は、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＬｉＡｌＯ２、ＺｎＯ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ガラス、ダイヤモンド、ＣＶＤダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）のうち一つ又はそれらの組合せを含む。
基板１０１には第一ウィンドウ層１１１が形成され、第一ウィンドウ層１１１の材料は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｐ、Ｎからなるグループから選択された少なくとも一つ又はそれらの組み合わせを含み、例えば、ＧａＮ又はＡｌＧａＩｎＰの半導体化合物又はその他の代替材料であっても良い。第一ウィンドウ層１１１は、導電薄膜であり、例えば、ｎ型又はｐ型（ＡｌｘＧａ（１−ｘ））０．５Ｉｎ０．５Ｐであり、そのうち、０．５≦ｘ≦０．８である。第一ウィンドウ層１１１は、相対する二つの表面を有し、そのうち、第一表面は、基板１０１に接触する。
過渡層（図示せず）が基板１０１と第一ウィンドウ層１１１との間に選択的に形成される。前述の過渡層は、基板１０１と第一ウィンドウ層１１１との間に介在する緩衝層とされても良い。発光ダイオードの構造では、前述の過渡層は、二つの層の材料の間の格子不整合を減少するためのものである。その一方、前述の過渡層は、単層、多層、二つの種類の材料の結合、又は、二つの別々の構造であっても良く、そのうち、前述の過渡層の材料は、有機金属、無機金属、又は、半導体のうち任意の一つであっても良い。前述の過渡層は、反射層、熱伝導層、電気伝導層、オーミック接触層、抗変形層、応力釈放層、応力調整層、接合層、波長変換層又は固定構造などとされても良い。
光電システム１２０は第一ウィンドウ層１１１の第二表面に形成される。光電システム１２０は、少なくとも、第一ウィンドウ層１１１に順に形成される第一導電型の第一層１２１、変換ユニット１２２、及び、第二導電型の第二層１２３を含む。第一層１２１及び第二層１２３は、二つの単層構造又は二つの多層構造（多層構造とは、二層以上を指す）であっても良い。第一層１２１及び第二層１２３は、異なる導電型、電気的な特性、極性又はドーパントによる元素を有し、電子又は正孔を提供するためである。第一層１２１及び第二層１２３は、半導体材料の組合せであり、例えば、（ＡｌｘＧａ（１−ｘ））０．５Ｉｎ０．５Ｐ、ここで、０．５≦ｘ≦０．８であり、前述の導電型は、ｎ型又はｐ型であっても良い。第一ウィンドウ層１１１及び第一層１２１は、同じ導電型を有し、例えば、同じｎ型の導電型を有する。第一ウィンドウ層１１１のドーパント濃度は、第一層１２１のドーパント濃度より大きく、比較的高い導電率を有する。変換ユニット１２２は、第一層１２１と第二層１２３との間に形成(堆積)され、変換ユニット１２２は、光エネルギーと電気エネルギーとの相互変換を行う、或いは、引き起こすことができる。光電システム１２０は、半導体素子、設備、製品、回路などに応用でき、これにより、光エネルギーと電気エネルギーとの相互変換を行い、或いは、引き起こす。具体的には、光電システム１２０は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）、ソーラー電池、液晶表示器又は有機発光ダイオードのうち一つを含んでも良い。変換ユニット１２２は、電気エネルギーを光エネルギーに変換し、光電システム１２０は、発光ダイオード、液晶表示器、又は有機発光ダイオードであっても良い。変換ユニット１２２は、光エネルギーを電気エネルギーに変換し、光電システム１２０は、ソーラー電子又は光電ダイオードであっても良い。なお、本明細書における「光電システム」は、各層が半導体材料により構成されるものに限られず、非半導体材料であっても良く、例えば、金属、酸化物、絶縁材料などである。
発光ダイオードを例とすると、光電システム１２０の中の一つの層又は複数の層の物理又は化学成分を変更することにより、発する光の波長を調整することができる。常用の材料は、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＡｌＧａＩｎＮ系、ＺｎＯ系である。変換ユニット１２２は、シングルヘテロ構造（ＳＨ）、ダブルヘテロ構造（DHS）、両面ダブルヘテロ構造（ＤＤＨ）、多層量子井戸（ＭＷＱ）であっても良い。具体的には、変換ユニット１２２は、複数の阻止層及び量子井戸層が交替にスタックされる多層量子井戸構造を含み、各阻止層は、（ＡｌｙＧａ（１−ｙ））０．５Ｉｎ０．５Ｐを含み、そのうち、０．５≦ｙ≦０．８であり、また、各量子井戸層は、Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐを含む。また、発する光の波長の調整も、阻止層及び量子井戸層の数、又は、阻止層の成分を変更することにより行われ、例えば、赤色の光の波長は、６００〜６３０ｎｍであり、そのｙの成分は、約０．７であり、また、琥珀色の光の波長は、５８０〜６００ｎｍであり、そのｙの成分は、約０．５５である。
第二ウィンドウ層１１２が光電システム１２０の第一表面に形成され、その材料は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｐ、Ｎからの少なくとも一つ又はそれらの組合せを含み、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＰ又はその他の適切な材料であっても良い。第二ウィンドウ層１１２は、光電システム１２０又は第二層１２３と異なる少なくとも一つの材料を含む。好ましくは、第二ウィンドウ層１１２は、第二層１２３と同じ導電型を有し、例えば、ｐ型ＧａＰ層である。もう一つの実施例では、第二ウィンドウ層１１２の側壁及び／又は光電システム１２０は、直交しなくても良く、例えば、図３に示すような斜角を有しても良い。
その後、第一オーミック接触層１３０が第二ウィンドウ１１２に形成され、第一オーミック接触層１３０の材質は、導電材料であり、例えば、ＢｅＡｕ又はＧｅＡｕの合金層であり、図１Ａに示すような第一スタック構造１０を形成し、そのうち、第一オーミック接触層１３０は、図４に示すように、電極１３１から境界へ延伸する複数の指状電極１３２を含む。第一合金化過程の温度が３００〜５００℃又はそれ以上であり、第一オーミック接触層１３０と第二ウィンドウ層１１２との間のオーミック接触を形成する。なお、前述の合金化過程の詳細は、当業者に良く知られている。
その後、図１Ｂに示すように、第一オーミック接触層１３０及び第二ウィンドウ層１１２に一時基板１０２を接合し、該一時基板１０２の材質は、例えば、ガラスである。また、図１Ｃに示すように、基板１０１を除去し、第一ウィンドウ層１１１の第一表面を露出させる。
その後、第二オーミック接触層１４０が第一ウィンドウ層１１１の第一表面に形成される。第二オーミック接触層１４０の材質は、導電材料であり、例えば、図１Ｄに示すように、ＢｅＡｕ又はＧｅＡｕの合金層である。そのうち、第二オーミック接触層１４０は、複数の二次元のドット電極アレーを含み、これらのドット電極アレーは、好ましくは、図１Ｄに示すように、垂直方向に、第一オーミック接触層１３０の第一スタック構造１０及び指状電極１３２と重なり合わず、好適な電流分散効果を有する。第二合金化過程の温度が３００〜５００℃又はそれ以上であり、第二オーミック接触層１４０と第一ウィンドウ層１１１の間のオーミック接触を形成する。なお、前述の合金化過程の詳細は、当業者に良く知られている。
電子束又はスパッタリングを利用して第二オーミック接触層１４０を覆う透明導電層１４１を形成し、そのうち、透明導電層１４１の材料は、金属酸化物を含み、例えば、ＩＴＯ、ＣＴＯ、アンチモン酸化スズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム及び亜鉛スズ酸化物からの少なくとも一つを含み、その厚みは、約０．００５μｍ〜０．６μｍ、０．００５μｍ〜０．５μｍ、０．００５μｍ〜０．４μｍ、０．００５μｍ〜０．３μｍ、０．００５μｍ〜０．２μｍ、０．２μｍ〜０．５μｍ、０．３μｍ〜０．５μｍ、０．５μｍ〜０．４μｍ、０．２μｍ〜０．４μｍ、又は、０．３μｍ〜０．２μｍである。
図１Ｅに示すように、反射層１５０が透明導電層１４１に形成され、その材質は、導電材料であり、金属例えば銀を含む。その後、図１Ｆのように、金属層１６０を結合層として利用し、反射層１５０を保持基板１０３に接合する。本実施例では、保持基板１０３は、シリコンを含む。金属層１６０は、金、錫、鉛、ＩｎＡｕ、ＳｎＡｕからの少なくとも一つ又はそれらの合金を含む。
一時基板１０２を除去し、第一オーミック接触層１３０及び第二ウィンドウ接触層１１２を露出させ、リソグラフィーを利用して保持基板１０３に複数のチップ領域（図示せず）をエッチングで形成する。そのうち、エッチングに用いるエッチング剤は、例えば、ドライエッチングの場合は、弗素（Ｆ）又は塩素（Ｃｌ）を含み、また、第二ウィンドウ層１１２をエッチングする速度は、前述のエッチング剤で光電システム１２０をエッチングする速度より大きく、これにより、光電システム１２０或いは第二導電型層１２３の表面に第一エッチングプラットホームＳ１を形成する。図１Ｇに示すように、光電システム１２０及び第二導電型層１２３の幅は、第二ウィンドウ層１１２の幅より大きい。第二エッチングプラットホームＳ２が第一ウィンドウ層１１１に形成され、第一ウィンドウ層１１１の底部の幅は、光電システム１２０或いは第一導電型層１２１より大きい。
続いて、第二ウィンドウ１１２に対してウェットエッチングを行い、少なくとも第二ウィンドウ層１１２の露出表面及び側壁に粗化構造を形成し、そのうち、エッチング液は、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）、硝酸（ＨＮＯ３）及び酢酸を含み、また、第二ウィンドウ層１１２に対するエッチング速度は、光電システム１２０に対するエッチング速度より大きく、幅差Ｌ１を形成し、Ｌ１は、第一エッチングプラットホームＳ２の幅よりさらに拡大される。第二ウィンドウ層１１２は、光電システム１２０よりさらに増大した表面粗化度を有し、そのうち、幅差Ｌ１は、１μｍより大きく及び／又は１０μｍより小さく、図１Ｈ又は図３に示すようである。
最後に、第一パッド１７１が第一オーミック接触層１３０に形成され、第二パッド１７２が保持基板１０３に形成される。図２に示すように、鈍化層１８０が第二ウィンドウ層１１２及び第一オーミック接触層１３０を覆い、光電半導体素子を形成する。鈍化層１８０は、保護層とされ、環境による破壊（例えば、水分又は機械による破壊）から光電半導体素子を保護する。光電半導体素子の走査電子顕微鏡による写真は、図３に示される。
本発明の一実施例によれば、第一ウィンドウ層１１１は、半導体材料、例えば、（ＡｌｘＧａ（１−ｘ））０．５Ｉｎ０．５Ｐ（そのうち、０．５≦ｘ≦０．８）を含む。反射層１５０は、金属元素、例えば、銀を含み、第一及び第二の合金化処理過程後に形成され、反射層の金属元素が第一ウィンドウ層１１１に拡散することを防ぐためである。第一ウィンドウ層１１１は、半導体材料を含み、好ましくは、第一層１２１の材料と同じ成分を有する。本発明の他の実施例によれば、そのうち、第一ウィンドウ層１１１の金属元素の濃度は、１×１０１９ｃｍ−３より小さい。好ましくは、金属元素の濃度は、１×１０１７ｃｍ−３より小さく、１×１０１６ｃｍ−３より大きい。反射層１５０の劣化を下げることにより、反射層１５０に、９０％より大きい反射率を持たせる。
表１は、本発明の実施例による光電素子のテストにより得られた光学効率を示し、光電素子は、サイズが小さいチップであり、例えば、サイズが１０ｍｉｌ２のものである。２０ｍＡ又は０．２ｍＡ／ｍｉｌ２の駆動電流の下で、光学効率は、７０ルーメン／ワットに達する。光電素子が、サイズが１４ｍｉｌ２のチップである場合は、２０ｍＡ又は０．１ｍＡ／ｍｉｌ２の駆動電流の下で、光学効率は、１００ルーメン／ワットに達する。光電素子が、サイズが２８ｍｉｌ２のチップである場合は、２５０ｍＡ又は０．３２ｍＡ／ｍｉｌ２の駆動電流の下で、光学効率は、約１０６ルーメン／ワットに達する。光電素子が、サイズが大きいチップであり、例えば、サイズが４２ｍｉｌ２である場合は、３５０ｍＡ又は０．２ｍＡ／ｍｉｌ２の駆動電流の下で、光学効率は、約１２１ルーメン／ワットに達する。表１によれば、公開されている光学効率により、駆動電流密度が０．１〜０．３２ｍＡ／ｍｉｌ２の下で、少なくとも７０ルーメン／ワットに達し、或いは、少なくとも１００ルーメン／ワットに達することが分かる。
Figure 2016154244
 本発明の一実施例による光電素子では、第一ウィンドウ層１１１の薄膜のシート抵抗値は、第二ウィンドウ層１１２の薄膜のシート抵抗値より高い。また、第二オーミック接触層１４０と第一オーミック接触層１３０とは、垂直方向に重なり合わない。よって、駆動電流は、第二オーミック接触層１４０の付近に集まることになる。光電半導体素子が発した光線は、第二オーミック接触層１４０の領域に対応し、第一オーミック接触層１３０の領域により阻止されることがないので、電流阻止の機能を有し、横向き電流の拡散に有利である。
また、本発明の一実施例によれば、第一ウィンドウ層１１１のドーパント濃度は、第二ウィンドウ層１１２より低く、第一ウィンドウ層１１１のシート抵抗値は、第二ウィンドウ層１１２より低い。本発明の他の実施例によれば、第一ウィンドウ層１１１は、ドーパント濃度が約１×１０１７〜５×１０１７ｃｍ−３であるｎ型ドーパントを含み、第二ウィンドウ層１１２は、ドーパント濃度が約１×１０１８〜５×１０１８ｃｍ−３であるｐ型ドーパントを含み、第二ウィンドウ層１１２のドーパント濃度は、第一ウィンドウ層１１１より高い。本発明のもう一つの実施例によれば、第一ウィンドウ層１１１の厚みは、約１〜５μｍであり、第二ウィンドウ層１１２の厚みは、５〜２０μｍであり、第一ウィンドウ層１１１の厚みは、第二ウィンドウ層１１２より小さい。
本発明の他の実施例によれば、第二ウィンドウ層１１２の側壁の表面には粗化構造を有するので、光は、横向きに取り出されることができる。前述のチップ領域は、矩形の形状であっても良く、これにより、より高い発光効率を有することができる。前述の矩形の長さと幅の比は、１．５：１〜１０：１である。
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されず、本発明の趣旨を離脱しない限り、本発明に対するあらゆる変更は本発明の範囲に属する。
１０ 第一スタック構造
１０１ 基板
１０２ 保持基板
１０３ 保持基板
１１１ 第一ウィンドウ層
１１２ 第二ウィンドウ層
１２０ 光電システム
１２１ 第一層
１２２ 変換ユニット
１２３ 第二層
１３０ 第一オーミック接触層
１３１ 電極
１３２ 指状電極
１４０ 第二オーミック接触層
１４１ 透明導電層
１５０ 反射層
１６０ 金属層
１７１ 第一パッド
１７２ 第二パッド
１８０ 鈍化層
Ｓ１ 第一エッチングプラットホーム
Ｓ２ 第二エッチングプラットホーム
Ｌ１ 幅差

Claims (10)

  1. 光電半導体素子であって、
    光電システムと、
    前記光電システムの上に位置する半導体層と、
    を含み、
    前記半導体層は金属元素を含み、前記金属元素は銀を含み、且つ該金属元素の前記半導体層における濃度は、1*1016cm-3よりも大きい、光電半導体素子。
  2. 前記金属元素の前記半導体層における濃度は、1*1019cm-3よりも小さい、請求項１に記載の光電半導体素子。
  3. 前記半導体層の導電型はｐ型である、請求項１に記載の光電半導体素子。
  4. 前記半導体層上に反射層を更に含む、請求項１に記載の光電半導体素子。
  5. 前記反射層は前記金属元素を含む、請求項４に記載の光電半導体素子。
  6. 前記反射層の厚みは、0.1μｍ〜1μｍの間にある、請求項４に記載の光電半導体素子。
  7. 前記半導体層と前記反射層との間に透明導電層を更に含む、請求項４に記載の光電半導体素子。
  8. 前記透明導電層は金属酸化物を含む、請求項７に記載の光電半導体素子。
  9. 前記透明導電層の厚みは、0.005μｍ〜0.6μｍの間にある、請求項７に記載の光電半導体素子。
  10. 前記光電システムの前記半導体層に対しての他方側に位置するウィンドウ層を更に含み、前記ウィンドウ層は粗化表面を含む、請求項１に記載の光電半導体素子。
JP2016057950A 2010-02-09 2016-03-23 光電素子及びその製造方法 Pending JP2016154244A (ja)

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TW (6) TWI762930B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018056586A (ja) * 2010-02-09 2018-04-05 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光電素子及びその製造方法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090022700A (ko) * 2007-08-31 2009-03-04 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7985979B2 (en) 2007-12-19 2011-07-26 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Semiconductor light emitting device with light extraction structures
US10205059B2 (en) 2010-02-09 2019-02-12 Epistar Corporation Optoelectronic device and the manufacturing method thereof
US9640728B2 (en) 2010-02-09 2017-05-02 Epistar Corporation Optoelectronic device and the manufacturing method thereof
JP5727271B2 (ja) * 2011-03-24 2015-06-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
TWI458122B (zh) * 2011-11-23 2014-10-21 Toshiba Kk 半導體發光元件
KR101984698B1 (ko) * 2012-01-11 2019-05-31 삼성전자주식회사 기판 구조체, 이로부터 제조된 반도체소자 및 그 제조방법
CN108054261A (zh) * 2012-02-14 2018-05-18 晶元光电股份有限公司 具有平整表面的电流扩散层的发光元件
US20130234149A1 (en) * 2012-03-09 2013-09-12 Electro Scientific Industries, Inc. Sidewall texturing of light emitting diode structures
CN103367561B (zh) * 2012-03-30 2016-08-17 清华大学 发光二极管的制备方法
CN103367383B (zh) 2012-03-30 2016-04-13 清华大学 发光二极管
CN103367585B (zh) 2012-03-30 2016-04-13 清华大学 发光二极管
US9944417B2 (en) 2012-06-08 2018-04-17 Wulftec International Inc. Apparatuses for wrapping a load and supplying film for wrapping a load and associated methods
KR101393605B1 (ko) * 2012-08-01 2014-05-09 광전자 주식회사 요철형 질화갈륨층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제조 방법
KR101412142B1 (ko) * 2012-09-13 2014-06-25 광전자 주식회사 엔형 질화갈륨 윈도우층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제조 방법
TWI591848B (zh) 2013-11-28 2017-07-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
KR102189046B1 (ko) * 2013-12-18 2020-12-09 인텔 코포레이션 부분적 층 전사 시스템 및 방법
TWI552382B (zh) * 2014-01-24 2016-10-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置及其製造方法
CN103872203A (zh) * 2014-04-08 2014-06-18 三安光电股份有限公司 具有表面微结构的高亮度发光二极管及其制备和筛选方法
KR102153111B1 (ko) * 2014-04-10 2020-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US10043947B2 (en) * 2014-05-08 2018-08-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
JP6595801B2 (ja) * 2014-05-30 2019-10-23 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子
KR102164070B1 (ko) * 2014-05-30 2020-10-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR102237105B1 (ko) * 2014-05-30 2021-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR102199995B1 (ko) * 2014-06-02 2021-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US9871171B2 (en) * 2014-11-07 2018-01-16 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
WO2016072050A1 (ja) 2014-11-07 2016-05-12 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
JP6468459B2 (ja) * 2015-03-31 2019-02-13 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子
JP6650143B2 (ja) * 2015-09-30 2020-02-19 ローム株式会社 半導体発光素子
US9847454B2 (en) * 2015-10-02 2017-12-19 Epistar Corporation Light-emitting device
CN105185883B (zh) * 2015-10-12 2019-05-10 扬州乾照光电有限公司 侧壁粗化的AlGaInP基LED及其制造方法
CN105428485B (zh) * 2015-12-21 2019-06-21 扬州乾照光电有限公司 GaP表面粗化的AlGaInP基LED及其制造方法
JP6332301B2 (ja) * 2016-02-25 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光素子
CN105914274A (zh) * 2016-06-13 2016-08-31 南昌凯迅光电有限公司 一种侧壁粗化高亮度发光二极管及其制备方法
TWI622188B (zh) * 2016-12-08 2018-04-21 錼創科技股份有限公司 發光二極體晶片
CN106784223B (zh) * 2016-12-22 2019-05-14 天津三安光电有限公司 发光二极管及其制作方法
TWI626766B (zh) * 2017-06-01 2018-06-11 錼創科技股份有限公司 發光元件
CN115312645A (zh) * 2019-01-17 2022-11-08 泉州三安半导体科技有限公司 一种半导体发光元件
CN112152085B (zh) * 2020-11-24 2021-02-12 度亘激光技术（苏州）有限公司 半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体器件
CN112885718B (zh) * 2021-01-20 2022-07-05 厦门乾照光电股份有限公司 一种复合导电薄膜的制备方法
KR102629307B1 (ko) * 2022-04-26 2024-01-29 숭실대학교산학협력단 질화물 반도체 소자의 제조방법

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4933910B1 (ja) * 1969-10-31 1974-09-10
JPS577131A (en) * 1980-06-16 1982-01-14 Junichi Nishizawa Manufacture of p-n junction
JPS61144078A (ja) * 1984-12-17 1986-07-01 Toshiba Corp 半導体発光素子
JPH1187750A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Asahi Chem Ind Co Ltd 不純物半導体の製造方法、ｐ型半導体、ｎ型半導体、半導体装置
JP2004207441A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Sharp Corp 酸化物半導体発光素子
JP2004349584A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Sharp Corp 酸化物半導体発光素子
WO2007015330A1 (ja) * 2005-08-03 2007-02-08 Stanley Electric Co., Ltd. 半導体発光素子及びその製造方法
JP2007242645A (ja) * 2006-03-03 2007-09-20 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
JP2009088521A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化ガリウム系発光ダイオード素子
JP2009130097A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Sharp Corp Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5413956A (en) * 1992-03-04 1995-05-09 Sharp Kabushiki Kaisha Method for producing a semiconductor laser device
JPH05251739A (ja) * 1992-03-06 1993-09-28 Toshiba Corp 半導体発光デバイス
JP3234993B2 (ja) * 1992-09-24 2001-12-04 ローム株式会社 発光ダイオードチップ、およびこれを用いた発光ダイオードチップアレイ
JPH07153993A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Daido Steel Co Ltd 発光ダイオード
US5606572A (en) * 1994-03-24 1997-02-25 Vixel Corporation Integration of laser with photodiode for feedback control
US5585648A (en) * 1995-02-03 1996-12-17 Tischler; Michael A. High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same
AU5386296A (en) * 1995-04-05 1996-10-23 Uniax Corporation Smart polymer image processor
US20010013609A1 (en) * 1996-05-30 2001-08-16 Hiromitsu Abe Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
JP2907170B2 (ja) * 1996-12-28 1999-06-21 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
JPH10256602A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Sharp Corp 半導体発光素子
US6097041A (en) * 1998-08-24 2000-08-01 Kingmax Technology Inc. Light-emitting diode with anti-reflector
JP4189710B2 (ja) * 1999-07-16 2008-12-03 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 発光ダイオードの製造方法
CN2413388Y (zh) * 2000-02-29 2001-01-03 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 DH－Ga1－xAlxAsLED液相外延片
US6888171B2 (en) * 2000-12-22 2005-05-03 Dallan Luming Science & Technology Group Co., Ltd. Light emitting diode
TWI294699B (en) * 2006-01-27 2008-03-11 Epistar Corp Light emitting device and method of forming the same
US6797990B2 (en) * 2001-06-29 2004-09-28 Showa Denko Kabushiki Kaisha Boron phosphide-based semiconductor device and production method thereof
JP2003069074A (ja) * 2001-08-14 2003-03-07 Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi 半導体装置
US6784462B2 (en) * 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
TW577178B (en) * 2002-03-04 2004-02-21 United Epitaxy Co Ltd High efficient reflective metal layer of light emitting diode
KR100942038B1 (ko) * 2002-04-15 2010-02-11 쇼오트 아게 유기 광전 소자 및 유기 광전 소자 제조 방법
JP2004047760A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及び発光ダイオード
JP3787321B2 (ja) * 2002-10-11 2006-06-21 ローム株式会社 半導体発光素子
JP4004378B2 (ja) * 2002-10-24 2007-11-07 ローム株式会社 半導体発光素子
JP3997523B2 (ja) * 2002-11-28 2007-10-24 信越半導体株式会社 発光素子
CN1510765A (zh) * 2002-12-26 2004-07-07 炬鑫科技股份有限公司 氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led的发光装置及其制造方法
US20040211972A1 (en) * 2003-04-22 2004-10-28 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode
JP4325471B2 (ja) * 2003-10-23 2009-09-02 ソニー株式会社 エッチング方法および素子分離方法
JP4164689B2 (ja) * 2003-11-21 2008-10-15 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
CN1638585A (zh) * 2003-12-26 2005-07-13 日东电工株式会社 电致发光装置，平面光源和使用该平面光源的显示器
JP2005203516A (ja) * 2004-01-14 2005-07-28 Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi 発光ダイオード素子とその製造方法
JP4868709B2 (ja) * 2004-03-09 2012-02-01 三洋電機株式会社 発光素子
JP2005277218A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法
US7061026B2 (en) * 2004-04-16 2006-06-13 Arima Optoelectronics Corp. High brightness gallium nitride-based light emitting diode with transparent conducting oxide spreading layer
US20050236636A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Supernova Optoelectronics Corp. GaN-based light-emitting diode structure
JP4092658B2 (ja) * 2004-04-27 2008-05-28 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
DE102004021175B4 (de) * 2004-04-30 2023-06-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchips für die Optoelektronik und Verfahren zu deren Herstellung
US7821019B2 (en) * 2004-10-04 2010-10-26 Svt Associates, Inc. Triple heterostructure incorporating a strained zinc oxide layer for emitting light at high temperatures
TWI320294B (en) * 2005-02-23 2010-02-01 Organic semiconductor light-emitting element and display device
JP4899348B2 (ja) * 2005-05-31 2012-03-21 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
JP2007042751A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
JP4933130B2 (ja) * 2006-02-16 2012-05-16 昭和電工株式会社 ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法
JP2008004587A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Sharp Corp 半導体発光素子及びその製造方法並びに化合物半導体発光ダイオード
US7777240B2 (en) * 2006-10-17 2010-08-17 Epistar Corporation Optoelectronic device
US7692203B2 (en) * 2006-10-20 2010-04-06 Hitachi Cable, Ltd. Semiconductor light emitting device
TWI370555B (en) * 2006-12-29 2012-08-11 Epistar Corp Light-emitting diode and method for manufacturing the same
JP2008288248A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
TWI348230B (en) * 2007-08-08 2011-09-01 Huga Optotech Inc Semiconductor light-emitting device with high heat-dissipation efficiency and method of fabricating the same
KR100897595B1 (ko) * 2007-08-14 2009-05-14 한국광기술원 인듐주석산화물 투명전극 직접 접촉층을 포함하는 발광다이오드 및 그의 제조방법
JP4985260B2 (ja) * 2007-09-18 2012-07-25 日立電線株式会社 発光装置
GB0719554D0 (en) * 2007-10-05 2007-11-14 Univ Glasgow semiconductor optoelectronic devices and methods for making semiconductor optoelectronic devices
KR101413273B1 (ko) * 2007-10-31 2014-06-27 삼성디스플레이 주식회사 광 검출 장치
JP2009123754A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Hitachi Cable Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
CN101471413B (zh) * 2007-12-28 2012-06-27 晶元光电股份有限公司 发光元件及其制造方法
JP2009200178A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
JP2009206265A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
TWI392114B (zh) * 2008-03-04 2013-04-01 Huga Optotech Inc 發光二極體及其形成方法
JP2010080817A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Hitachi Cable Ltd 発光素子
KR20110067046A (ko) * 2008-10-09 2011-06-20 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 발광 다이오드의 칩 형상화를 위한 광전기화학 식각
CN201340857Y (zh) * 2008-11-14 2009-11-04 厦门乾照光电股份有限公司 一种高亮度发光二极管
TWI478372B (zh) * 2009-03-20 2015-03-21 Huga Optotech Inc 具有中空結構之柱狀結構之發光元件及其形成方法
TWI408832B (zh) * 2009-03-30 2013-09-11 Huga Optotech Inc 具有中空結構之柱狀結構之發光元件及其形成方法
JP2010263050A (ja) * 2009-05-01 2010-11-18 Showa Denko Kk 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ
US8450767B2 (en) * 2009-05-08 2013-05-28 Epistar Corporation Light-emitting device
US7906795B2 (en) * 2009-05-08 2011-03-15 Epistar Corporation Light-emitting device
JP5257231B2 (ja) * 2009-05-13 2013-08-07 ソニー株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法
JP2011035017A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Hitachi Cable Ltd 発光素子
US8513688B2 (en) * 2009-12-02 2013-08-20 Walsin Lihwa Corporation Method for enhancing electrical injection efficiency and light extraction efficiency of light-emitting devices
TWI762930B (zh) * 2010-02-09 2022-05-01 晶元光電股份有限公司 光電元件

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4933910B1 (ja) * 1969-10-31 1974-09-10
JPS577131A (en) * 1980-06-16 1982-01-14 Junichi Nishizawa Manufacture of p-n junction
JPS61144078A (ja) * 1984-12-17 1986-07-01 Toshiba Corp 半導体発光素子
JPH1187750A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Asahi Chem Ind Co Ltd 不純物半導体の製造方法、ｐ型半導体、ｎ型半導体、半導体装置
JP2004207441A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Sharp Corp 酸化物半導体発光素子
JP2004349584A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Sharp Corp 酸化物半導体発光素子
WO2007015330A1 (ja) * 2005-08-03 2007-02-08 Stanley Electric Co., Ltd. 半導体発光素子及びその製造方法
JP2007242645A (ja) * 2006-03-03 2007-09-20 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
JP2009088521A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化ガリウム系発光ダイオード素子
JP2009130097A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Sharp Corp Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2018056586A (ja) * 2010-02-09 2018-04-05 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光電素子及びその製造方法

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