CN1510765A - 氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led的发光装置及其制造方法 - Google Patents

氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led的发光装置及其制造方法 Download PDF

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CN1510765A
CN1510765A CNA021593248A CN02159324A CN1510765A CN 1510765 A CN1510765 A CN 1510765A CN A021593248 A CNA021593248 A CN A021593248A CN 02159324 A CN02159324 A CN 02159324A CN 1510765 A CN1510765 A CN 1510765A
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洪详竣
黄振斌
易乃冠
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Abstract

本发明涉及一种氮化镓基III－V族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法，系以磊晶的方式在多层磊晶结构上，成长一适当厚度且透光性较佳的金属氧化层，以作为光取出层，而构成一发光装置，具有较高的光取出率及可厚膜化等特性。

Description

氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法
所属技术领域：
本发明涉及一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法，尤指一种适用于氮化镓基(GaN-based)III-V族材料的发光二极管(light-emitting diode，简称LED)者，主要是在一基板(substrate)上成长一多层磊晶结构(multi-layered epitaxialstructure)，并以磊晶(epitaxial)的方式成长一适当厚度且透光性较佳的金属氧化层(metal oxide layer，例如ZnO)在多层磊晶结构上，以作为光取出层(light extract ion layer)，而构成一氮化镓基LED的发光装置者，且具有较高的光取出率(light extraction efficiency)及可厚膜化等特性。
背景技术：
按，传统的氮化镓基发光装置，系以Ni/Au结构作为透明电极于P型半导体层表面，而藉以改善发光装置的发光效率；惟，Ni/Au结构本身即具有透光性较为不佳的材质特性，因此，结构特征上，Ni/Au结构的成形厚度极薄，仅可在0.005至0.2μm间；又，根据临界角度θC(CriticalAngle)原则，透明电极应最好具有适当厚度(即适度的厚膜化)，方可利于光的逃脱放出，则Ni/Au结构在厚度特征的限制下，其对于透光性的增益，恐仍未尽理想。
再者，传统以Ni/Au结构作为透明电极的氮化镓基发光装置，因前述的结构特征使然，难以在0.005至0.2μm间的成形厚度上，再施予表面处理而形成更多的侧边，故无法进一步增加光的逃脱放出，而有所缺憾。
发明内容：
本发明的主要目的，即为提供一种「氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法」，主要是以磊晶的方式，成长一适当厚度且透光性较佳的金属氧化层在多层磊晶结构上，以作为光取出层，且因光取出层的厚膜化，而可再施予表面处理，而进一步达到较高的光取出率。
本发明所采取的技术方案为：
一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置制造方法，可包含以下的步骤：
(a)在基板上成长n-GaN系磊晶沉积层的步骤，利用蓝宝石(sapphire)或碳化硅(SiC)作为基板，且在基板的上表面形成一缓冲层后，再成长一层n-GaN系的磊晶沉积层；
(b)在n-GaN层上成长一MQW活性层的步骤，接续步骤(a)，在n-GaN系的磊晶沉积层上形成一MQW的活性层；
(c)在活性层上成长p-GaN系磊晶沉积层的步骤，接续步骤(b)，在MQW活性层上形成一层p-GaN系(p-GaN-based)的磊晶沉积层，且以蚀刻法将部份n-GaN层表面、部份MQW活性层、及部份p-GaN层移除，使n-GaN层具有一露出面；
(d)在p-GaN层上磊晶沉积ZnO系窗口层的步骤，接续步骤(c)，可在蚀刻后剩余的p-GaN层上，以磊晶的方式成长一适当厚度的ZnO系窗口层，而形成一较佳的光取出层；
由此，即可在n-GaN层的露出面上设置一n型金属电极(n-type metalcontact)，并在光取出层上设置一p型金属电极(p-type metal contact)，而构成一氮化镓基LED的发光装置。
一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，包括一基板、一多层磊晶结构、一光取出层、一n型金属电极及一p型金属电极等构成，该多层磊晶结构又包括缓冲层、第一半导体层、光产生层、及第二半导体层等；其中：
该基板，系以蓝宝石(sapphire)或碳化硅(SiC)制成；
该缓冲层，系于基板的上表面所形成的LT-GaN/HT-GaN的缓冲层，LT-GaN系为先成长在基板上的低温缓冲层，HT-GaN系为成长在LT-GaN上的高温缓冲层；
该第一半导体层，系成长于缓冲层上的n型GaN基III-V族化合物半导体层；
该光产生层，系成长于第一半导体层上的GaN基III-V族化合物半导体层，或称为活性层，可为GaN多量子井(MQW)；
该第二半导体层，系成长于光产生层上的p型GaN基III-V族化合物半导体层；
该光取出层，系成长于第二半导体层上可透光的金属氧化层，可为ZnO材质；
该n型金属电极，系设置在第一半导体层的露出面上；
该p型金属电极，系设置在光取出层上；由此，可构成一氮化镓基LED的发光装置，并可经由后续的晶粒加工、设置、接线、及树脂灌膜封装，而构成一氮化镓基(GaN-based)的发光二极管。
本发明所具有的有益效果为：
1、本发明因系以磊晶的方式成长一适当厚度且透光性较佳的金属氧化层在多层磊晶结构上，以作为光取出层，而构成一发光装置，故可省略传统Ni/Au结构，而具有较高的光取出率；
2、本发明因不再具有传统Ni/Au结构，故该光取出层将可适度加以厚膜化，以进一步提升发光装置的光取出率；
3、本发明因光取出层系可厚膜化，故可在光取出层上进一步施予表面处理，以形成更多的侧边，而大幅增进光的逃脱放出；
4、本发明的活性层，系可为GaN多量子井(Multi-Quantum Well，简称MQW)或InGaN多量子井(MQW)，或AlGaInN基III-V族的单一磊晶层；
5、ZnO、InxZn1-xO、SnxZn1-xO、InxSnyZn1-x-yO等材质，皆可形成本发明所需的金属氧化层，而适用于本发明的光取出层；
6、折射率在1.5以上的金属氧化层，n型传导或p型传导的金属氧化层，或掺杂有稀土元素的金属氧化层，或具有较佳的可见光透光性范围(例如约在400至700nm)的金属氧化层，亦可适用于本发明的光取出层。
本发明的特征、技术手段、具体功能、以及具体的实施例，继以图式、图号详细说明如后。
附图说明：
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1为本发明方法较佳实施例的步骤示意图；
图2为本发明装置较佳实施例的立体示意图；
图3为本发明装置较佳实施例的结构示意图；
图4为ZnO与p-GaN的能带示意图；
图5为发光装置内光的逃脱放出示意图；
图6本发明方法较佳实施例的另一步骤示意图；
图7至图8为光取出层的表面处理示意图；
图9为压花纹路内光的逃脱放出示意图；
图10至图11为压花纹路的另一实施例示意图；
图12为本发明方法第二实施例的步骤示意图；
图13为本发明装置第二实施例的结构示意图；
图14为本发明方法第二实施例的另一步骤示意图；
图15为本发明方法第三实施例的步骤示意图；
图16为本发明装置第三实施例的结构示意图；
图17为本发明方法第三实施例的另一步骤示意图；
图18为本发明方法第四实施例的步骤示意图；
图19为本发明装置第四实施例的结构示意图；
图20为本发明方法第四实施例的另一步骤示意图。
具体实施方式：
请参阅图1至图3所示，在较佳实施例中，本发明系利用透光性较佳的ZnO材料，以磊晶的方式成长一适当厚度的金属氧化层于多层磊晶结构上，而形成一较佳的光取出层；其中，如图1至图2所示，本发明方法系可包含以下的步骤：
步骤1，系为「在基板上成长n-GaN系磊晶沉积层」的步骤，利用蓝宝石(sapphire)或碳化硅(SiC)作为基板10，且在基板10的上表面11形成一缓冲层后，再成长一层n-GaN系的磊晶沉积层21；
步骤2，系为「在n-GaN层上成长一MQW活性层」的步骤，接续步骤1，在n-GaN系的磊晶沉积层21上形成一MQW的活性层23；
步骤3，系为「在活性层上成长p-GaN系磊晶沉积层」的步骤，接续步骤2，在MQW活性层23上形成一层p-GaN系(p-GaN-based，例如：p-GaN、p-InGaN、p-AlInGaN)的磊晶沉积层25，且以蚀刻法(Etching)将部份n-GaN层21表面、部份MQW活性层23、及部份p-GaN层25移除，使n-GaN层21具有一露出面21a；
步骤4，系为「在p-GaN层上磊晶沉积ZnO系窗口层」的步骤，接续步骤3，可在蚀刻后剩余的p-GaN层25上，以磊晶的方式成长一适当厚度的ZnO系窗口层31，而形成一较佳的光取出层；
由此，即可在n-GaN层21的露出面21a上设置一n型金属电极40，并在ZnO系窗口层31上设置一p型金属电极50，而构成一LED的发光装置者。
此间拟提出说明者，乃在于：本发明的金属氧化层，系可由溅镀自我组织(self-texturing by sputtering)法所形成，或可由物理气相沉积(physical vapor deposition)法所形成，或可由离子电镀(ionplating)法所形成，或可由脉冲雷射蒸镀(pulsed laser evaporation)法所形成，或可由化学气相沉积(chemical vapor deposition)法所形成，或可由分子束磊晶成长(molecular beam epitaxy)法所形成。
此间拟再予提出说明者，乃在于：前述的发光装置，经由晶粒加工后可设置在脚架(图未出示)上，且接线后可由树脂灌膜封装，即可制成一完整的LED。
如图3所示，本发明发光装置的结构，包括一基板10、一多层磊晶结构20、一光取出层30、一n型金属电极40及一p型金属电极50等构成，该多层磊晶结构20又包括缓冲层22、第一半导体层24、光产生层26、及第二半导体层28等；其中：
该基板10，系以蓝宝石(sapphire)或碳化硅(SiC)制成，基板厚度可在300至450μm；
该缓冲层22，系于基板10的上表面11所形成的LT-GaN/HT-GaN的缓冲层，LT-GaN系为先成长在基板10上的低温缓冲层，厚度可在30至500，HT-GaN系为成长在LT-GaN上的高温缓冲层，厚度可在0.5至6μm；
该第一半导体层24，系成长于缓冲层22上的n型GaN基III-V族化合物半导体层(n-type gallium nitride-based III-V group compoundsemiconductor)，厚度可在2至6μm，成长温度Tg约在980至1080℃间；
该光产生层26，系成长于第一半导体层24上的GaN基III-V族化合物半导体层(gallium nitride-based III-V group compound semiconductor)，或称为活性层，可为GaN多量子井(Multi-Quantum Well，简称MQW)或InGaN多量子井(MQW)；
该第二半导体层28，系成长于光产生层26上的p型GaN基III-V族化合物半导体层(p-type gallium nitride-based III-V group compoundsemi conductor)，例如：p-GaN、p-InGaN、p-Al InGaN的磊晶沉积层厚度可在0.2至0.5μm，成长温度Tg约在950至1000℃间；
该光取出层30，系成长于第二半导体层28上可透光的金属氧化层(light-transmitting oxide-metallic material)，可为ZnO材质；
该n型金属电极40，系设置在第一半导体层24的露出面24a上；
该p型金属电极50，系设置在光取出层30上；
由此，可构成一具有光取出层30的发光装置，且光取出层30所具有的适当厚度，可使得从活性区(active region)所散发的光更易于穿透光取出层30的侧边及表面，而增加光(emitted light)的逃脱量，以提升发光装置的光取出率。
此间应再予以说明者，乃在于：
该光产生层26(即活性层)，亦可仅包括一磊晶层(epitaxial layer)，  且该磊晶层，系由AlGaInN基III-V族化合物半导体层(aluminum-gallium-indium-nitride-based III-V group compoundsemi conductor)所构成；
该光取出层30，进一步亦可由InxZn1-xO为材质、或以SnxZn1-xO为材质、或以InxSnyZn1-x-yO为材质所构成的金属氧化层者；
该光取出层30，亦可为折射率(refractive index)至少在1.5的金属氧化层者；
该光取出层30，亦可为n型传导(n-type conduction)或p型传导(p-type conduction)的金属氧化层者；
该光取出层30，亦可为掺杂有稀土元素(rare earth-doped)的金属氧化层者；
该光取出层30，可为具有较佳的可见光透光性范围(transparency invisible range)的金属氧化层者，例如：范围约在400至700nm；以上所述，皆为本发明装置可行的方式。
请参阅图4所示，由于ZnO的能隙B1(Bandgap energy)约在3.4eV，亦即Eg(ZnO)3.4eV，而p-GaN的能隙B2亦约在3.4eV，亦即Eg(p-GaN)3.4eV；因此，两者的能隙偏移量B3(Bandgap energy offset)较小，具有较佳的晶格匹配，使得在p-GaN层上磊晶沉积ZnO系窗口层成为可行，且成长为一适当厚度的光取出层；一般而言，GaN的晶格常数a3.1 89，ZnO的晶格常数a3.24，而蓝宝石(sapphire)的晶格常数a4.758(1 0＝1nm，1000nm＝1μm)。
请参阅图5所示，由于LED的发光装置内，只有在临界角度θC(Critical Angle)以内的光才能逃脱放出，所以，具有适当厚度的光取出层，可提升发光装置的光取出率；如图所示，本发明装置的光取出层30，厚度至少有1μm，因此，从活性区所散发的光更易于穿透光取出层30的表面301及侧边302，而具有较佳光取出率。
请参阅图6所示，由于本发明的光取出层30，厚度实施的范围可在50至50μm，故可厚膜化；若该光取出层30的厚度至少在1μm，则本发明方法进一步可包括步骤5，即「在ZnO系透明导电层上施予表面处理」的步骤，系将光取出层30的裸露表面(即光取出层30表面不含与p型金属电极50接触的部份)，进一步予以粗糙化，使得光取出层30具有更多的侧边，以大幅增加光的逃脱放出。
请参阅图7至图8所示，承前所述，该光取出层30的表面，进一步亦可施予压花处理，而形成压花纹路，同样地，该压花纹路亦可使光取出层30具有更多的侧边，而大幅增加光的逃脱放出；如第7图所示，该压花纹路303，可为圆锥体或三角锥体者；如图8所示，该压花纹路305，可为四角锥体(金字塔体)等；且其它几何锥体的变化者亦为本发明压花纹路的可行方式。
请参阅图9所示，该光取出层30表面所形成的压花纹路303，305或粗糙表面(Rough Surface)，可由一剖面示意图进一步说明压花纹路303，305内或粗糙表面内光的逃脱放出状况；亦即，原本在光取出层30表面上，将有一部份光被水平状的表面反射而无法逃脱放出，现如图所示，有些光可在两侧边302的间藉由多数次反射，而至终逃脱放出。
请参阅图10至图11所示，系为压花纹路的另一实施例平面示意图及部份立体示意图；其中，该压花纹路，进一步亦可由多数个凹槽307所布设而成，且凹槽307的布设方式可排列呈三角形、矩形、菱形、及多边形等，凹槽307间并具有适当间隔距离，以供电流导通，且其它几何形状的排列变化者亦为本发明可行的方式。
请参阅图12至图13所示，在第二实施例中，本发明系利用具有透光性的InxZn1-xO材料，以磊晶的方式成长一适当厚度的金属氧化层于多层磊晶结构上，而形成一光取出层；本实施例的方法步骤大致与较佳实施例者相同，仅步骤4改为步骤4a，其中：
该步骤4a，系为「在p-GaN层上磊晶沉积InxZn1-xO系窗口层」的步骤，接续步骤3，可在蚀刻后剩余的p-GaN层25上，以磊晶的方式成长一适当厚度的InxZn1-xO系窗口层32，而形成一光取出层；此为本发明方法的另一可行方式。
请参阅图14所示，在第二实施例中，本发明方法进一步可包括步骤5a，即「在InxZn1-xO系层上施予表面处理」的步骤，系将InxZn1-xO系窗口层32的裸露表面(即光取出层30表面不含与p型金属电极50接触的部份)，进一步予以粗糙化，使得所形成的光取出层可具有更多的侧边，以大幅增加光的逃脱放出。
请参阅图15至图16所示，在第三实施例中，本发明系利用具有透光性的SnxZn1-xO材料，以磊晶的方式成长一适当厚度的金属氧化层于多层磊晶结构上，而形成一光取出层；本实施例的方法步骤大致与较佳实施例者相同，仅步骤4改为步骤4b，其中：
该步骤4b，系为「在p-GaN层上磊晶沉积SnxZn1-xO系窗口层」的步骤，接续步骤3，可在蚀刻后剩余的p-GaN层25上，以磊晶的方式成长一适当厚度的SnxZn1-xO系窗口层33，而形成一光取出层；此为本发明方法的另一可行方式。
请参阅图17所示，在第三实施例中，本发明方法进一步可包括步骤5b，即「在SnxZn1-xO系层上施予表面处理」的步骤，系将SnxZn1-xO系窗口层33的裸露表面(即光取出层30表面不含与p型金属电极50接触的部份)，进一步予以粗糙化，使得所形成的光取出层可具有更多的侧边，以大幅增加光的逃脱放出。
请参阅图18至图19所示，在第四实施例中，本发明系利用具有透光性的InxSnYZn1-x-YO材料，以磊晶的方式成长一适当厚度的金属氧化层于多层磊晶结构上，而形成一光取出层；本实施例的方法步骤大致与较佳实施例者相同，仅步骤4改为步骤4C，其中：
该步骤4C，系为「在p-GaN层上磊晶沉积InxSnYZn1-x-YO系窗口层」的步骤，接续步骤3，可在蚀刻后剩余的p-GaN层25上，以磊晶的方式成长一适当厚度的InxSnyZn1-x-YO系窗口层34，而形成一光取出层；此为本发明方法的另一可行方式。
请参阅图20所示，在第四实施例中，本发明方法进一步可包括步骤5C，即「在InxSnyZn1-x-YO系层上施予表面处理」的步骤，系将InxSnyZn1-x-YO系窗口层34裸露表面(即光取出层30表面不含与p型金属电极50接触的部份)，进一步予以粗糙化，使得所形成的光取出层可具有更多的侧边，以大幅增加光的逃脱放出。

Claims (18)

1.一种「氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置制造方法」，系可包含以下的步骤：
(a)在基板上成长n-GaN系磊晶沉积层的步骤，利用蓝宝石(sapphire)或碳化硅(SiC)作为基板，且在基板的上表面形成一缓冲层后，再成长一层n-GaN系的磊晶沉积层；
(b)在n-GaN层上成长一MQW活性层的步骤，接续步骤(a)，在n-GaN系的磊晶沉积层上形成一MQW的活性层；
(c)在活性层上成长p-GaN系磊晶沉积层的步骤，接续步骤(b)，在MQW活性层上形成一层p-GaN系(p-GaN-based)的磊晶沉积层，且以蚀刻法将部份n-GaN层表面、部份MQW活性层、及部份p-GaN层移除，使n-GaN层具有一露出面；
(d)在p-GaN层上磊晶沉积ZnO系窗口层的步骤，接续步骤(c)，可在蚀刻后剩余的p-GaN层上，以磊晶的方式成长一适当厚度的ZnO系窗口层，而形成一较佳的光取出层；
由此，即可在n-GaN层的露出面上设置一n型金属电极，并在光取出层上设置一p型金属电极，而构成一LED的发光装置。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置制造方法，其特征在于：该步骤(d)可为：在p-GaN层上磊晶沉积InxZn1-xO系窗口层的步骤，亦即接续步骤(c)，可在蚀刻后剩余的p-GaN层上，以磊晶的方式成长一适当厚度的InxZn1-xO系窗口层，而形成一较佳的光取出层。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置制造方法，其特征在于：该步骤(d)可为：在p-GaN层上磊晶沉积SnxZn1-xO系窗口层的步骤，亦即接续步骤(c)，可在蚀刻后剩余的p-GaN层上，以磊晶的方式成长一适当厚度的SnxZn1-xO系窗口层，而形成一较佳的光取出层。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置制造方法，其特征在于：该步骤(d)可为：在p-GaN层上磊晶沉积InxSnyZn1-x-yO系窗口层的步骤，亦即接续步骤(c)，可在蚀刻后剩余的p-GaN层上，以磊晶的方式成长一适当厚度的InxSnyZn1-x-yO系窗口层，而形成一较佳的光取出层。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置制造方法，其特征在于：该光取出层的厚度，可为50至50μm。
6.根据权利要求1所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置制造方法，其特征在于：若该光取出层的厚度至少在1μm时，则接续步骤(d)，该方法可进一步包括步骤(e)在光取出层上施予表面处理的步骤，，亦即将光取出层的表面，进一步予以粗糙化或压花处理，以形成更多的侧边而增加光的逃脱放出。
7.一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，包括一基板、一多层磊晶结构、一光取出层、一n型金属电极及一p型金属电极等构成，该多层磊晶结构又包括缓冲层、第一半导体层、光产生层、及第二半导体层等；其特征在于：
该基板，系以蓝宝石(sapphire)或碳化硅(SiC)制成，且基板的上表面可成长一缓冲层；
该第一半导体层，系成长于缓冲层上的n型GaN基III-V族化合物半导体层；
该光产生层，系成长于第一半导体层上的GaN基III-V族化合物半导体层，或称为活性层，可为GaN多量子井(MQW)；
该第二半导体层，系成长于光产生层上的p型GaN基III-V族化合物半导体层；
该光取出层，系成长于第二半导体层上可透光的金属氧化层；
该n型金属电极，系设置在第一半导体层的露出面上；
该p型金属电极，系设置在光取出层上；由此，可构成一氮化镓基LED的发光装置，并可经由后续的晶粒加工、设置、接线、及树脂灌膜封装，而构成一氮化镓基LED。
8.根据权利要求7所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于：
该基板的厚度，可在300至450μm；
该缓冲层，系于基板的上表面所形成的LT-GaN/HT-GaN的缓冲层，LT-GaN系为先成长在基板上的低温缓冲层，LT-GaN的厚度可在30至500，HT-GaN系为成长在LT-GaN上的高温缓冲层，HT-GaN的厚度可在0.5至6μm；
该第一半导体层的厚度，可在2至6μm；
该第二半导体层，可为p-GaN、p-InGaN、p-AlInGaN的磊晶沉积层，厚度可在0.2至0.5μm。
9.根据权利要求7所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于：该光产生层，可为InGaN多量子井(MQW)。
10.根据权利要求7所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于：该光产生层，进一步亦可仅包括一磊晶层，且该磊晶层，系由AlGaInN基III-V族化合物半导体层所构成。
11.根据权利要求7所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于：该光取出层，可为ZnO、InxZn1-xO、SnxZn1-xO、InxSnyZn1-x-yO等材质所构成的金属氧化层，且0≤X≤1，且0≤Y≤1，且0≤X+Y≤1。
12.根据权利要求7所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于：该光取出层，可为折射率至少在1.5的金属氧化层；或可为掺杂有稀土元素的金属氧化层；或可为具有较佳的可见光透光性范围(约在400至700nm间)的金属氧化层。
13.根据权利要求7所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于：该光取出层，系可为n型传导或p型传导的金属氧化层者。
14.根据权利要求7所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于：该光取出层的厚度，可为50至50μm。
15.根据权利要求7所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于：当该光取出层的厚度至少在1μm时，该光取出层的表面，可为一粗糙面，或具有压花纹路，以形成更多的侧边而增加光的逃脱放出。
16.根据权利要求15所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于：该压花纹路，系可由圆锥体所构成，或可由三角锥体所构成，或可由四角锥体所构成，或可由任一几何锥体所构成者。
17.根据权利要求15所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于：该压花纹路，系可由多数个凹槽所布设而成，且凹槽的布设方式可排列呈三角形，或可排列呈矩形，或可排列呈菱形，或可排列呈多边形，或可排列呈任一几何形状，且凹槽间并具有适当间隔距离，以供电流导通。
18.根据权利要求7所述的氮化镓基III-V族化合物半导体LED的发光装置，其特征在于：该金属氧化层，系可由溅镀自我组织(self-texturingby sputtering)法所形成，或可由物理气相沉积(physical vapor deposition)法所形成，或可由离子电镀(ion plating)法所形成，或可由脉冲雷射蒸镀(pulsed laser evaporation)法所形成，或可由化学气相沉积(chemical vapor deposition)法所形成，或可由分子束磊晶成长(molecularbeam epitaxy)法所形成。
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