JP2020035918A - 被加工物の加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】硬化性樹脂を介してウェーハの表面側を硬質材料のサブストレートに固定した後に、ウェーハ等をサブストレートから剥離する【解決手段】表面側に凹凸を備える板状の被加工物の凹凸に倣うように被加工物の表面をカバーフィルムで覆うカバーフィルム密着ステップと、第１の外的刺激で硬化し、且つ、第１の外的刺激とは異なる第２の外的刺激によって発泡する発泡剤を含む液状樹脂を、硬質のサブストレートと、カバーフィルムが密着した被加工物の表面側とで挟む、液状樹脂挟持ステップと、第１の外的刺激を付与して液状樹脂を硬化させて樹脂層を形成する液状樹脂硬化ステップと、被加工物を裏面側から加工するステップと、樹脂層に第２の外的刺激を付与して発泡剤を発泡させ、樹脂層からサブストレートを剥離することで、被加工物とサブストレートとを分離させるサブストレート分離ステップとを備える被加工物の加工方法を提供する。【選択図】図６

Description

本発明は、表面に凹凸を有する被加工物の表面をカバーフィルムで覆った上で、被加工物の裏面側を加工する被加工物の加工方法に関する。

各種デバイスが設けられた半導体ウェーハ及び樹脂パッケージ基板等の板状の被加工物に対して、研削、研磨、切削、レーザービームでの加工等の各種加工が行われる。例えば、各種デバイスが設けられている被加工物の表面側はチャックテーブルに固定され、表面とは反対側に位置する被加工物の裏面側が加工されることがある。

被加工物をチャックテーブルで固定するためには、基材層と糊層との二層構造を有する樹脂製の粘着テープが一般的に用いられる。粘着テープの糊層が被加工物の表面側に貼り付けられると、被加工物の表面側の凹凸は粘着テープの糊層に埋没して密着し、糊層とは反対側に位置する粘着テープの基材層の裏面は平坦になる。

被加工物に粘着テープを貼り付けた後、粘着テープにおける基材層の平坦な裏面が下側になるように、被加工物はチャックテーブルの保持面に載置される。そして、チャックテーブルの下方に設けられる吸引源から保持面に負圧が作用すると、保持面に載置された被加工物は粘着テープを介して保持面で吸引保持される。

しかしながら、被加工物の表面側の凹凸を粘着テープの糊層で吸収できない場合には、基材層の裏面に被加工物の凹凸が反映される。例えば、糊層の厚さを超える高さを有するバンプ等が被加工物の表面に設けられている場合、被加工物の表面側の凹凸は糊層で完全には吸収されない。この場合に、基材層の裏面には、被加工物の表面側の凹凸が反映される。

基材層の裏面に被加工物の表面側の凹凸が反映された場合、粘着テープとチャックテーブルの保持面との間には隙間ができ、被加工物をチャックテーブルで安定して保持できなくなるという問題がある。また、基材層の裏面に被加工物の表面側の凹凸が反映された状態で被加工物の裏面を研削すると、表面側の凹凸が被加工物の裏面側に転写されるという問題がある。

これらの問題に対応するべく、例えば、被加工物の表面側の凹凸に倣うように被加工物の表面に密着させた樹脂製のカバーフィルムの被加工物とは反対側に位置する面に、液状の硬化性樹脂を介して、薄いシート状の可撓性のキャリアを貼り付け、その後、液状の硬化性樹脂を硬化させる加工方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。

この加工方法によれば、被加工物の表面の凹凸を硬化性樹脂により吸収でき、硬化性樹脂とは反対側に位置するキャリアの外面を平坦にできる。そして、キャリアの平坦な外面をチャックテーブルで吸引することにより、被加工物をチャックテーブルで安定して吸引保持できる。

しかしながら、硬化後の硬化性樹脂の厚さは１ｍｍ程度と薄いので、硬化後であっても硬化性樹脂はしなやかで曲がりやすい。更に、ウェーハを研削した場合に、研削後のウェーハは薄化されているので、ウェーハ、硬化性樹脂、シート等から成る積層体は、曲がりやすく割れやすい。それゆえ、この積層体を搬送する場合、積層体が曲がって割れないように注意する必要があり、搬送が容易ではない。

特開２０１７−５０５３６号公報

そこで、シート状のキャリアに代えて、硬質材料からなるサブストレート（即ち、基板）を用いることが考えられる。しかし、キャリアがシート状である場合は、硬化後の樹脂及びキャリアを折り曲げるようにしてウェーハから剥離できたが、硬質材料のサブストレートを用いると、ウェーハからサブストレートを剥離することが困難となる。

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、ウェーハの裏面側を加工する場合に、硬化性樹脂を介してウェーハの表面側を硬質材料のサブストレートに固定した後に、ウェーハ等をサブストレートから剥離できるようにすることを目的とする。

本発明の一態様によれば、表面側に凹凸を備える板状の被加工物の該表面とは反対側の裏面を加工する被加工物の加工方法であって、該凹凸に倣うように該被加工物の該表面側にカバーフィルムを密着させることにより、該被加工物の該表面を該カバーフィルムで覆うカバーフィルム密着ステップと、第１の外的刺激で硬化し、且つ、該第１の外的刺激とは異なる第２の外的刺激によって発泡する発泡剤を含む液状樹脂を、硬質のサブストレートと、該カバーフィルムが密着した該被加工物の該表面側とで挟む、液状樹脂挟持ステップと、該液状樹脂挟持ステップの後、該液状樹脂に該第１の外的刺激を付与して該液状樹脂を硬化させて樹脂層を形成する液状樹脂硬化ステップと、該液状樹脂硬化ステップの後、該被加工物を該裏面側から加工する加工ステップと、該加工ステップの後、該樹脂層に該第２の外的刺激を付与して該発泡剤を発泡させ、該樹脂層から該サブストレートを剥離することで、該被加工物と該サブストレートとを分離させるサブストレート分離ステップと、該被加工物の該表面から該カバーフィルムを剥離するカバーフィルム剥離ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法を提供する。

好ましくは、該第１の外的刺激は紫外線であり、該第２の外的刺激は熱である。

また、好ましくは、該加工ステップでは、該被加工物を該裏面側から研削、研磨、切削又はレーザービームによって加工する。

また、好ましくは、該カバーフィルムは、該被加工物の外周縁部に対応した領域に粘着層を備え、該カバーフィルムと該被加工物の該外周縁部とは、該粘着層で互いに接着される。

本発明の一態様に係る被加工物の加工方法では、発泡剤を含んでいる液状樹脂を第１の外的刺激で硬化させて、樹脂層を形成する。そして、第２の外的刺激によって樹脂層中の発泡剤を発泡させることにより、樹脂層に空孔を形成する。例えば、樹脂層とサブストレートとの界面に空孔が形成されると、当該界面には凹凸が形成される。

樹脂層とサブストレートとの界面に凹凸を形成することにより、樹脂層の接着力を低下させることができるので、樹脂層から硬質のサブストレートを容易に剥離できる。また、サブストレートを使用できるので、被加工物、樹脂層、サブストレート等から成る積層体を搬送するときに、硬質のサブストレートにより積層体の曲がり及び割れを防止できるという効果も奏する。

被加工物の一例を示すウェーハの斜視図である。 図２（Ａ）は、ウェーハの上面図であり、図２（Ｂ）は、カバーフィルムの上面図であり、図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）のカバーフィルムの断面図である。 図３（Ａ）は、カバーフィルム密着ステップ（Ｓ１０）を示す図であり、図３（Ｂ）は、カバーフィルム密着ステップ（Ｓ１０）後のウェーハ等の断面図であり、図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）の領域Ａの拡大図である。 図４（Ａ）は、液状樹脂を供給する様子を示す図であり、図４（Ｂ）は、液状樹脂挟持ステップ（Ｓ２０）を示す図であり、図４（Ｃ）は、液状樹脂硬化ステップ（Ｓ３０）を示す図である。 ウェーハを裏面側から研削する加工ステップ（Ｓ４０）を示す図である。 図６（Ａ）は、硬化した樹脂層を加熱する（Ｓ５０−１）様子を示す図であり、図６（Ｂ）は、サブストレートを分離する（Ｓ５０−２）様子を示す図であり、図６（Ｃ）は、カバーフィルム剥離ステップ（Ｓ６０）を示す図であり、図６（Ｄ）は、カバーフィルム剥離ステップ（Ｓ６０）後のウェーハ１１の断面図である。 第１実施形態に係る加工方法のフローチャートである。 ウェーハを裏面側から研磨する加工ステップ（Ｓ４０）を示す図である。 ウェーハを裏面側から切削する加工ステップ（Ｓ４０）を示す図である。 ウェーハの裏面側からレーザービームを照射する加工ステップ（Ｓ４０）を示す図である。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、被加工物の一例を示すウェーハ１１の斜視図である。本実施形態の被加工物は、円形の板状に形成されたシリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板、即ち、ウェーハ１１であるが、被加工物は、デバイスチップがモールド樹脂で封止された樹脂パッケージ基板であってもよい。

なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、シリコン以外のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などから成る他の半導体基板等をウェーハ１１として用いることもできる。

ウェーハ１１の表面１１ａ側は、中央のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とに分けられている。ウェーハ１１の外周余剰領域の外周端部には、結晶方位を示すノッチ１１ｃが設けられている。なお、ノッチ１１ｃの代わりに、オリエンテーションフラット等の他のマークが設けられてもよい。

ウェーハ１１の表面１１ａ側には、分割予定ライン（ストリート）１３によって区画される複数の領域の各々に、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等を含むデバイス１５ａが形成されている。なお、デバイス１５ａの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等に制限はない。

デバイス１５ａの表面には、半田等の金属材料で球状に形成された複数のバンプ（突起電極）１５ｂが配置されている。バンプ１５ｂは、各デバイス１５ａの電極層、配線、端子等に電気的に接続されている。

バンプ１５ｂはウェーハ１１の表面１１ａよりも突出しており、ウェーハ１１の表面１１ａ側には、このバンプ１５ｂ等により凹凸が形成されている。例えば、バンプ１５ｂが設けられた部分がウェーハ１１の表面１１ａ側における凸部となり、バンプ１５ｂが設けられていない部分がウェーハ１１の表面１１ａ側における凹部となる。

但し、ウェーハ１１の表面１１ａ側に形成されている凹凸は、バンプ１５ｂにより形成される凹凸に限定されない。例えば、デバイス１５ａに形成されている回路により、ウェーハ１１の表面１１ａ側に凹凸が形成されてもよい。

次に、図２から図７を用いて、第１実施形態に係るウェーハ１１の加工方法について説明する。なお、図７は、第１実施形態に係る加工方法のフローチャートである。本実施形態の加工方法では、まず、ウェーハ１１にカバーフィルム２４を貼り付けるカバーフィルム密着ステップ（Ｓ１０）を行う。

図２（Ａ）は、ウェーハ１１の上面図であり、図２（Ｂ）は、カバーフィルム２４の上面図であり、図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）のカバーフィルム２４の断面図である。なお、図２（Ａ）では、上述のバンプ１５ｂを省略している。

ウェーハ１１は、外周余剰領域に円環状の外周縁部１１ｄを有する。本実施形態における外周縁部１１ｄとは、ウェーハ１１の外周端部から、ウェーハ１１の外周端部に対応する径の円と略同心円状でありウェーハ１１のデバイス領域と重ならない最小径の円（図２（Ａ）にて破線で示す円）までの領域である。外周縁部１１ｄの円環の幅は、例えば、２ｍｍから４ｍｍである。なお、デバイス領域とは、複数のデバイス１５ａが設けられている領域である。

ウェーハ１１の表面１１ａ側には、カバーフィルム２４が貼り付けられる。本実施形態のカバーフィルム２４は、ウェーハ１１に対応して略円形状に形成された樹脂製の基材層２４ａを有する。基材層２４ａは、例えば、５μｍ以上２００μｍ以下の厚さを有し、ポリオレフィン（ＰＯ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）等の高分子材料で形成されている。

カバーフィルム２４は、基材層２４ａの一面２４ｃ上に配置されている粘着層２４ｂを更に備える。粘着層２４ｂとしては、例えば、シリコーンゴム、アクリル系材料、エポキシ系材料等の接着剤が用いられる。

粘着層２４ｂは、例えば、基材層２４ａの外周端部から内側に所定幅（例えば、２ｍｍから４ｍｍ）を有する円環形状であり、この粘着層２４ｂの所定幅は、ウェーハ１１の外周縁部１１ｄの幅に対応している。例えば、粘着層２４ｂの所定幅は、外周縁部１１ｄの幅と同じである。

ウェーハ１１の表面１１ａにカバーフィルム２４の一面２４ｃを貼り付けるとき、カバーフィルム２４は、粘着層２４ｂによってウェーハ１１の外周縁部１１ｄに対して互いに剥離可能な態様で接着される。また、カバーフィルム２４は、ウェーハ１１のデバイス領域におけるバンプ１５ｂ等の凹凸構造に対して基材層２４ａの一面２４ｃで、剥離可能な態様で密着する。

本実施形態では、デバイス領域におけるバンプ１５ｂ等が粘着層２４ｂではなく基材層２４ａと密着するので、ウェーハ１１からカバーフィルム２４を剥離するときに、粘着層２４ｂに含まれる接着剤がデバイス領域に残ることを防止できる。

なお、本実施形態のカバーフィルム２４は、基材層２４ａ及び粘着層２４ｂを有するが、カバーフィルム２４は、粘着層２４ｂを有せず、基材層２４ａのみを有してもよい。この場合においても、ウェーハ１１のデバイス１５ａ及び外周縁部１１ｄは、基材層２４ａと剥離可能な態様で密着できる。

カバーフィルム２４の一面２４ｃとは反対側に位置する他面２４ｄは、例えば、離型フィルム２２に密着している（図３（Ａ）を参照）。カバーフィルム２４の他面２４ｄは、ウェーハ１１の表面１１ａにカバーフィルム２４の一面２４ｃを貼り付けた後に離型フィルム２２から剥離され、外部に露出する面となる。

なお、カバーフィルム２４の直径は、ウェーハ１１の直径より大きくてよい。例えば、カバーフィルム２４の直径は、ウェーハ１１の周囲に配置された金属製の環状のフレーム（不図示）の開口を覆い、カバーフィルム２４の外周部がフレームに重なる程度に大きい。

カバーフィルム２４、ウェーハ１１及びフレームでフレームユニットを形成した場合、後述する液状樹脂硬化ステップ（Ｓ３０）後にウェーハ１１の外周縁に沿ってカバーフィルム２４を切ることで、カバーフィルム２４をウェーハ１１と略同径に形成してもよい。このように、フレームユニットを形成することで、後述する液状樹脂挟持ステップ（Ｓ２０）で、液状樹脂がウェーハ１１の外周縁からウェーハ１１の裏面１１ｂへ液状樹脂が伝ってくることを防ぐことができる。

次に、ウェーハ１１の表面１１ａにカバーフィルム２４の一面２４ｃを貼り付ける工程について説明する。図３（Ａ）は、カバーフィルム密着ステップ（Ｓ１０）を示す図である。カバーフィルム密着ステップ（Ｓ１０）は、例えば、大気圧よりも低い気圧（例えば、真空状態の気圧）に減圧されたチャンバー内で行われる。

カバーフィルム密着ステップ（Ｓ１０）では、減圧されたチャンバー内に配置されている第１のテーブル２０上に、ウェーハ１１を載置する。減圧チャンバーを用いることで、ウェーハ１１の表面１１ａとカバーフィルム２４との間にエアー、塵、その他の異物等が入り込むことを防止できる。

そして、この減圧チャンバー内で、離型フィルム２２をウェーハ１１に押し当てる。離型フィルム２２の一方の面にはカバーフィルム２４が貼り付けられている。離型フィルム２２のカバーフィルム２４側をウェーハ１１の表面１１ａに対向させた状態で、離型フィルム２２のカバーフィルム２４とは反対側をローラー２６で押圧しつつ、ローラー２６をウェーハ１１の表面１１ａに沿って移動させる。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａにカバーフィルム２４を貼り付ける。そして、カバーフィルム密着ステップ（Ｓ１０）を終了する。

なお、カバーフィルム密着ステップ（Ｓ１０）では、第１のテーブル２０を加熱することにより、カバーフィルム２４を軟化させて変形させてもよい。加熱温度は、カバーフィルム２４の材料に応じて、各材料の軟化点となる様に適宜調節してよい。

これにより、カバーフィルム２４が、ウェーハ１１の凹凸とウェーハ１１の外周端部の形状（即ち、外周端部に位置するベベル部）とに倣うように、カバーフィルム２４をウェーハ１１の表面１１ａ側に密着させて貼り付けることができる。また、第１のテーブル２０の加熱に代えて、カバーフィルム２４に対して温風を吹き付けることにより、カバーフィルム２４を軟化させて変形させてもよい。温風を吹き付けることでも、カバーフィルム２４をウェーハ１１の表面１１ａ側に密着させて貼り付けることができる。

ウェーハ１１の表面１１ａ側がカバーフィルム２４で覆われた状態を図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）に示す。図３（Ｂ）は、カバーフィルム密着ステップ（Ｓ１０）後のウェーハ１１等の断面図であり、図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）の領域Ａの拡大図である。

本実施形態のウェーハ１１の表面１１ａには、デバイス１５ａの一部である電極層１５ｃが露出しており、バンプ１５ｂは、この露出した電極層１５ｃ上に配置されている。図３（Ｃ）に示す様に、カバーフィルム２４は、ウェーハ１１の表面１１ａ上にバンプ１５ｂ等により形成されている凹凸に倣うように、ウェーハ１１の表面１１ａ側に密着している。

本実施形態では、カバーフィルム密着ステップ（Ｓ１０）の後、サブストレート４０の一方の面４０ａに液状樹脂４２を供給する。図４（Ａ）は、液状樹脂４２を供給する様子を示す図である。

液状樹脂４２は、例えば、母材となる成分と、紫外線等の第１の外的刺激（Ｂ１）で硬化する成分とを含む。液状樹脂４２の母材となる成分は、例えば、ポリマー（例えば、シリコーン系ポリマー、アクリル系ポリマー等）である。

また、紫外線で硬化する成分は、例えば、紫外線を吸収して硬化する紫外線反応性化合物（例えば、紫外線反応型のモノマー又はオリゴマー）である。但し、紫外線以外の光で液状樹脂４２が硬化する場合に、液状樹脂４２は、他の光反応性化合物を有してもよい。

液状樹脂４２は、第１の外的刺激（Ｂ１）とは異なる、熱等の第２の外的刺激（Ｂ２）によって発泡する発泡剤（不図示）を更に含む。発泡剤は、例えば、熱により容易に膨張する物質を、弾性を有する殻で内包した微小球体である。

熱により容易に膨張する物質としては、例えば、プロパン、プロピレン等の有機系の低沸点液体、又は、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム等の無機系の材料が用いられる。また、弾性を有する殻としては、例えば、アクリロニトリル等のニトリルのモノマー、アクリル酸等のカルボン酸のモノマー等のホモポリマー又はコポリマーが用いられる。

液状樹脂４２が供給されるサブストレート４０は、紫外線（ＵＶ）等の光を透過させる透光性と、第２の外的刺激（Ｂ２）で使用する熱の温度（例えば、８０℃から１５０℃）に対して軟化しない耐熱性との両方を有する。例えば、サブストレート４０は、透明の耐熱性基板である。

サブストレート４０は、例えば、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の各種のガラス基板、又は、アクリル樹脂等の各種の樹脂基板である。サブストレート４０は、薄いシート状の可撓性の基板ではなく、例えば、厚さ０．５ｍｍから５ｍｍ程度の厚さを有する硬質の基板である。

サブストレート４０は、一方の面４０ａとは反対側の他方の面４０ｂが第２のテーブル３０の表面に接する様に、第２のテーブル３０上に載置される。第２のテーブル３０は、サブストレート４０の他方の面４０ｂの外周部を吸引して保持するための吸引孔３２ａを有する。

吸引孔３２ａは、第２のテーブル３０の表面で環状に設けられており、第２のテーブル３０の下方に設けられている吸引源（不図示）に流路（不図示）を介して接続している。吸引孔３２ａを介して吸引源からの負圧をサブストレート４０に作用させることで、サブストレート４０を第２のテーブル３０の一方の面４０ａで吸引保持できる。

第２のテーブル３０の吸引孔３２よりも内側には、空洞部３２ｂが設けられている。空洞部３２ｂ内には液状樹脂４２を硬化させるための紫外線（ＵＶ）を照射可能なＵＶ照射ユニット３４が設けられている。更に、ＵＶ照射ユニット３４の上方には、空洞部３２ｂを封止し且つＵＶ照射ユニット３４からの紫外線を透過させる硬質の天板３６が設けられている。

液状樹脂４２を供給するときには、まず、第２のテーブル３０の天板３６及び吸引孔３２上にサブストレート４０を載置し、次に、吸引孔３２ａを介して吸引源からの負圧をサブストレート４０に作用させて、サブストレート４０の他方の面４０ｂを第２のテーブル３０で保持する。その後、サブストレート４０の一方の面４０ａの略中央部に液状樹脂４２を塗布する。

液状樹脂４２を供給した後、サブストレート４０の一方の面４０ａにウェーハ１１を載置することにより、液状樹脂４２をサブストレート４０の一方の面４０ａと、ウェーハ１１の表面１１ａ側とで挟む（液状樹脂挟持ステップ（Ｓ２０））。図４（Ｂ）は、液状樹脂挟持ステップ（Ｓ２０）を示す図である。

ウェーハ１１は、搬送アーム（不図示）の先端に設けられた吸着パッド３８を用いてサブストレート４０の一方の面４０ａ上に載置される。吸着パッド３８は、ウェーハ１１の表面１１ａとは反対側の裏面１１ｂの略全面を吸着して、ウェーハ１１を搬送する。

液状樹脂挟持ステップ（Ｓ２０）では、まず、搬送アームを水平方向に移動して、吸着パッド３８で吸着されたウェーハ１１を一方の面４０ａ上の液状樹脂４２に対面させる。次いで、搬送アームを垂直下方に移動して、ウェーハ１１の表面１１ａ側（即ち、カバーフィルム２４側）を一方の面４０ａに供給された液状樹脂４２に押し込む。

なお、液状樹脂挟持ステップ（Ｓ２０）では、ウェーハ１１の表面１１ａがサブストレート４０の一方の面４０ａと略平行になる様に、ウェーハ１１の傾きを調整した上で、ウェーハ１１を一方の面４０ａ上の液状樹脂４２に押し込む。これにより、後述する加工ステップ（Ｓ４０）でウェーハ１１を研削するときに、ウェーハ１１の厚さばらつきを低減できる。

圧力を受けた液状樹脂４２は、ウェーハ１１の表面１１ａ側のカバーフィルム２４と、サブストレート４０の一方の面４０ａとの隙間に広がる様に変形する。なお、液状樹脂４２がカバーフィルム２４の他面２４ｄの外周端部を超えない様に、液状樹脂４２の供給量、搬送アームの垂直移動量等は調節される。

ウェーハ１１の表面１１ａ側を液状樹脂４２に押し込んだ後、吸着パッド３８の吸着を解除することなく、搬送アーム及び吸着パッド３８により、ウェーハ１１の高さ位置を所定の高さ位置に維持する。これにより、液状樹脂挟持ステップ（Ｓ２０）を終了する。

液状樹脂挟持ステップ（Ｓ２０）の後、液状樹脂４２に第１の外的刺激（Ｂ１）を付与して液状樹脂４２を硬化させて樹脂層４２ａを形成する（液状樹脂硬化ステップ（Ｓ３０））。なお、本実施形態における第１の外的刺激（Ｂ１）は、紫外線である。図４（Ｃ）は、液状樹脂硬化ステップ（Ｓ３０）を示す図である。

液状樹脂硬化ステップ（Ｓ３０）は、第２のテーブル３０のＵＶ照射ユニット３４を用いて行われる。液状樹脂硬化ステップ（Ｓ３０）では、上述のＵＶ照射ユニット３４から液状樹脂４２へ紫外線を照射する。照射された紫外線は、天板３６とサブストレート４０とを透過して、液状樹脂４２中の紫外線反応性化合物により吸収される。

紫外線を吸収した液状樹脂４２は硬化して樹脂層４２ａとなり、ウェーハ１１、カバーフィルム２４、樹脂層４２ａ、及び、サブストレート４０が一体となった積層体４３が形成される。樹脂層４２ａを形成したら、液状樹脂硬化ステップ（Ｓ３０）を終了する。

液状樹脂硬化ステップ（Ｓ３０）の後、再び搬送アームを利用して積層体４３を研削装置５０に移動する。図５は、ウェーハ１１を裏面１１ｂ側から研削する加工ステップ（Ｓ４０）を示す図である。本実施形態の加工ステップ（Ｓ４０）では、研削装置５０を用いてウェーハ１１を裏面１１ｂ側から研削する。

研削装置５０は、サブストレート４０を吸引保持するチャックテーブル５２を備えている。このチャックテーブル５２は、モータ等の回転機構（不図示）と連結されており、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。

チャックテーブル５２の表面は、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側を吸引保持する保持面５２ａとなっている。保持面５２ａには、チャックテーブル５２の内部に形成された流路を通じて吸引源（不図示）からの負圧が作用する。これにより、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側を吸引する吸引力が発生する。

チャックテーブル５２の保持面５２ａに対向するように、チャックテーブル５２の上方には研削機構５４が配置されている。研削機構５４は、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転するスピンドル５６を備えている。このスピンドル５６は、昇降機構（不図示）で昇降される。スピンドル５６の下端側には、円盤状のホイールマウント５８が固定されている。

ホイールマウント５８の下面には、ホイールマウント５８と略同径の研削ホイール６０が装着されている。研削ホイール６０は、アルミニウム又はステンレス鋼等の金属材料で形成された環状のホイール基台（環状基台）６２を備えている。

ホイール基台６２の上面側が、ホイールマウント５８に固定されることで、ホイール基台６２はスピンドル５６に装着される。また、ホイール基台６２の下面には複数の研削砥石（砥石チップ）６４が設けられている。

各々の研削砥石６４は、略直方体形状を有しており、ホイール基台６２の環状の下面の全周において、隣り合う研削砥石６４同士の間に間隙が設けられる態様で環状に配列されている。

研削砥石６４は、例えば、金属、セラミックス、樹脂等の結合材に、ダイヤモンド、ＣＢＮ（Cubic Boron Nitride）等の砥粒を混合して形成される。ただし、結合材や砥粒に制限はなく、研削砥石６４の仕様に応じてこれらは適宜選択される。

本実施形態の加工ステップ（Ｓ４０）では、まず、液状樹脂硬化ステップ（Ｓ３０）で形成された積層体４３を第２のテーブル３０からチャックテーブル５２に移動する。その後、吸引源（不図示）の負圧を保持面５２ａに作用させて、サブストレート４０の他方の面４０ｂを保持面５２ａで吸引保持する。

そして、チャックテーブル５２とスピンドル５６とを、それぞれ所定の方向に回転させつつ、スピンドル５６を降下させ、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石６４を押し当てる。これにより、ウェーハ１１を仕上げ厚さまで研削加工し、加工ステップ（Ｓ４０）を終了する。

なお、加工ステップ（Ｓ４０）でウェーハ１１を仕上げ厚さまで研削した後、金属製の環状のフレーム１７ａの開口に、研削後のウェーハ１１の裏面１１ｂが露出する様に積層体４３を配置する。そして、フレーム１７ａ及びウェーハ１１の裏面１１ｂに、フレーム１７ａの開口よりも大きな径を有する粘着テープ１７ｂを貼り付ける。これにより、フレーム１７ａ、粘着テープ１７ｂ及び積層体４３を一体化する。

フレーム１７ａ、粘着テープ１７ｂ及び積層体４３を一体化した後、樹脂層４２ａに第２の外的刺激（Ｂ２）を付与して樹脂層４２ａ中の発泡剤を発泡させる。本実施形態における第２の外的刺激（Ｂ２）は、熱である。図６（Ａ）は、硬化した樹脂層４２ａを加熱する（Ｓ５０−１）様子を示す図である。

樹脂層４２ａの加熱は、第３のテーブル７０を用いて行う。第３のテーブル７０は、例えばステンレス鋼等の金属で形成されており、フレーム１７ａが載置される外周部７２ａを有する。外周部７２ａよりも内側には、積層体４３のサブストレート４０を受容する凹部７２ｂが設けられている。凹部７２ｂの底面７４には、サブストレート４０の他方の面４０ｂが接するように、サブストレート４０は載置される。

凹部７２ｂの底面７４よりも下方に位置する第３のテーブル７０の内部には、発熱体７６が設けられている。本実施形態の発熱体７６は、ニクロム線等から成り、通電によりジュール熱を発生できる。

樹脂層４２ａを加熱する（Ｓ５０−１）ときには、まず、第３のテーブル７０の外周部７２ａにフレーム１７ａが接し、第３のテーブル７０の凹部７２ｂにサブストレート４０の他方の面４０ｂが接するように、粘着テープ１７ｂを介して一体化されたフレーム１７ａ及び積層体４３を第３のテーブル７０に載置する。

次に、発熱体７６に電流を流して、樹脂層４２ａ等が８０℃から１５０℃の間の所定の温度となるように、積層体４３を加熱する。これにより、樹脂層４２ａ中の分散されている発泡剤が発泡することにより、樹脂層４２ａの内部には凹凸が生じ、樹脂層４２ａの外表面には凹凸等が形成される。

樹脂層４２ａを加熱（Ｓ５０−１）した後、ウェーハ１１とサブストレート４０とを分離する（Ｓ５０−２）。図６（Ｂ）は、サブストレート４０を分離する（Ｓ５０−２）様子を示す図である。

上述の様に、樹脂層４２ａの外表面には発泡により凹凸が形成されているので、サブストレート４０の一方の面４０ａに対する樹脂層４２ａの接着力は低下している。それゆえ、樹脂層４２ａからサブストレート４０を容易に剥離できる。

本実施形態では、フレーム１７ａを上方に持ち上げることにより、粘着テープ１７ｂを介してフレーム１７ａと一体化されたウェーハ１１、カバーフィルム２４及び樹脂層４２ａをサブストレート４０から剥離する。

本実施形態では、樹脂層４２ａの加熱（Ｓ５０−１）及びサブストレート４０の分離（Ｓ５０−２）により、ウェーハ１１とサブストレート４０とを分離するので、Ｓ５０−１及びＳ５０−２を合わせて、サブストレート分離ステップ（Ｓ５０）と称する。

なお、本実施形態のサブストレート分離ステップ（Ｓ５０）では、ウェーハ１１側に樹脂層４２ａが残り、サブストレート４０には樹脂層４２ａが残らない場合を説明した。しかしながら、樹脂層４２ａに形成された空孔及び凹凸の分布に応じて、サブストレート分離ステップ（Ｓ５０）後の樹脂層４２ａは、本実施形態とは異なる態様となってもよい。

具体的には、サブストレート分離ステップ（Ｓ５０）後の樹脂層４２ａは、ウェーハ１１側に残らず、且つ、サブストレート４０にのみ残ってもよい。また、サブストレート分離ステップ（Ｓ５０）後の樹脂層４２ａは、ウェーハ１１側にもサブストレート４０にも残らず両者から分離されてもよい。

サブストレート分離ステップ（Ｓ５０）の後、ウェーハ１１の表面１１ａからカバーフィルム２４を剥離する（カバーフィルム剥離ステップ（Ｓ６０））。図６（Ｃ）は、カバーフィルム剥離ステップ（Ｓ６０）を示す図であり、図６（Ｄ）は、カバーフィルム剥離ステップ（Ｓ６０）後のウェーハ１１の断面図である。

本実施形態のカバーフィルム剥離ステップ（Ｓ６０）では、作業者が指先でカバーフィルム２４の端部を摘んで、ウェーハ１１からカバーフィルム２４を剥離する。このとき、ウェーハ１１とは反対側のカバーフィルム２４の他面２４ｄに接着している樹脂層４２ａも、カバーフィルム２４と共に剥離される。

なお、カバーフィルム剥離ステップ（Ｓ６０）では、ダイシングテープ１７ｂのウェーハ１１とは反対側を、表面が略平坦な吸着テーブル（例えば、ステンレス鋼で形成された平坦な板に吸着穴が設けられたテーブル）等で吸着して保持した状態で、カバーフィルム２４を剥離することが望ましい。

ダイシングテープ１７ｂを吸着テーブル等で保持することで、ウェーハ１１の形状を平坦な状態で維持でき、カバーフィルム２４の剥離に伴いウェーハ１１に係る応力でウェーハ１１が変形して破損することを防ぐことができる。なお、吸着テーブルに代えて、チャックテーブル５２の様なチャックテーブルを用いて、ダイシングテープ１７ｂを吸引保持してもよい。

カバーフィルム２４及び樹脂層４２ａを剥離することにより、ウェーハ１１、フレーム１７ａ及び粘着テープ１７ｂから成るフレームユニット１９が形成される。フレームユニット１９を形成した後、カバーフィルム剥離ステップ（Ｓ６０）を終了する。なお、図６（Ｄ）では、図６（Ｃ）に示されるウェーハ１１等の向きを上下逆にして示している。

なお、本実施形態では、カバーフィルム剥離ステップ（Ｓ６０）の後、ウェーハ１１は、切削装置（不図示）又はレーザー加工装置（不図示）を用いて、分割予定ライン１３に沿って分割される。これにより、ウェーハ１１から複数のデバイスチップが製造される。

次に、他の実施形態に係る加工ステップ（Ｓ４０）について説明する。まずは、第２実施形態の加工ステップ（Ｓ４０）について説明する。第２実施形態の加工ステップ（Ｓ４０）では、研磨装置８０を用いて、ウェーハ１１を裏面１１ｂ側から研磨する。

図８は、ウェーハ１１を裏面１１ｂ側から研磨する加工ステップ（Ｓ４０）を示す図である。研磨装置８０は、積層体４３を吸引保持するチャックテーブル８２を備える。このチャックテーブル８２は、モータ等の回転機構（不図示）と連結されており、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに高速に回転できる。

チャックテーブル８２は、円盤状のポーラス板を上部側に備えており、ポーラス板の表面は、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側を吸引保持する保持面８２ａとなっている。

この保持面８２ａは、チャックテーブル８２の内部に形成された吸引路（不図示）を介して吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面８２ａに作用させることで、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側がチャックテーブル８２によって吸引保持される。

研磨装置８０は、チャックテーブル８２に対向する位置に研磨ユニット８４を更に備える。研磨ユニット８４は、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転するスピンドル８６を有する。このスピンドル８６は、昇降機構（不図示）により昇降される。スピンドル８６の下端側には、円盤状のホイールマウント８８ａが固定されている。

ホイールマウント８８ａの下面には、ホイールマウント８８ａと略同径の支持プレート８８ｂが装着されている。支持プレート８８ｂは、アルミニウム又はステンレス鋼等の金属材料で形成されている。

支持プレート８８ｂの下面には、支持プレート８８ｂと略同径の研磨パッド８８ｃが接着されている。本実施形態の研磨パッド８８ｃは、例えば、アルミナ粒子、ダイヤモンド粒子、ＣＢＮ粒子等の砥粒を含有するポリウレタン製のパッドである。

研磨パッド８８ｃ、支持プレート８８ｂ、ホイールマウント８８ａ及びスピンドル８６は、回転可能な態様で一体的に固定されており、各々の内部を回転軸に沿って直線状に貫通するように研磨液供給路（不図示）が設けられている。研磨時には、研磨液供給路の端部に位置する研磨パッド８８ｃの開口（不図示）から研磨液が供給される。研磨液としては、例えば研磨促進剤と水とを含む混合物が使用される。

研磨装置８０を用いた加工ステップ（Ｓ４０）では、まず、チャックテーブル８２の保持面８２ａでサブストレート４０の他方の面４０ｂ側を吸引保持する。そして、研磨ユニット８４とチャックテーブル８２とを所定の方向に回転させつつ研磨ユニット８４をチャックテーブル８２に向けて降下させる。

ウェーハ１１の裏面１１ｂに対して研磨パッド８８ｃを所定の力で押した状態で、研磨パッド８８ｃの開口からウェーハ１１の裏面１１ｂに研磨液を供給しながら、裏面１１ｂを研磨する。これにより、研磨装置８０を用いた加工ステップ（Ｓ４０）を終了する。

次に、第３実施形態の加工ステップ（Ｓ４０）について説明する。第３実施形態の加工ステップ（Ｓ４０）では、切削装置９０を用いて、ウェーハ１１の裏面１１ｂを切削する。図９は、ウェーハ１１を裏面１１ｂ側から切削する加工ステップ（Ｓ４０）を示す図である。

切削装置９０は、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側を吸引保持するチャックテーブル９２を備える。チャックテーブル９２は、モータ等の回転機構（不図示）と連結されており、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転できる。また、チャックテーブル９２の下方には、テーブル移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル９２は、このテーブル移動機構によってＸ軸方向（加工送り方向）に移動する。

チャックテーブル９２の表面の一部は、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側を吸引保持する保持面９２ａとなっている。チャックテーブル９２の保持面９２ａは、チャックテーブル９２の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面９２ａに作用させることで、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側がチャックテーブル９２で吸引保持される。

また、切削装置９０は、ウェーハ１１を切削加工するための切削ユニット９４をさらに備える。切削ユニット９４は、Ｙ軸方向（割り出し送り方向）と略平行な回転軸となるスピンドル９６と、このスピンドル９６を部分的に収容する筒状のスピンドルハウジング（不図示）とを有する。スピンドルハウジングは、いわゆるエアベアリングによってスピンドルを回転可能に支持できる。

スピンドル９６の一端側には、モータを含む回転駆動源（不図示）が連結される。また、スピンドルハウジングの外部に露出しておりスピンドル９６の回転駆動源とは反対側に位置するスピンドル９６の他端側には、ボルト等の固定手段により円環状のブレードマウント９８ａが固定される。

ブレードマウント９８ａのスピンドル９６とは反対側には、いわゆるハブ型の切削ブレード９８ｂが装着されている。本実施形態の切削ブレード９８ｂは、円環状の基台と、この基台の外周に設けられた円環状の切り刃とを有する。切り刃は、例えば、金属や樹脂等のボンド材（結合材）に、ダイヤモンドやＣＢＮ（Cubic Boron Nitride）等の砥粒を混合して形成される。

切削ブレード９８ｂの基台のブレードマウント９８ａとは反対側にはマウントナット９８ｃが設けられる。基台の両面をブレードマウント９８ａとマウントナット９８ｃとで挟むことにより、マウントナット９８ｃ、切削ブレード９８ｂ、及び、ブレードマウント９８ａは一体的に固定される。

切削装置９０を用いた加工ステップ（Ｓ４０）では、まず、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側をチャックテーブル９２の保持面９２ａに接触させる。次いで、吸引源の負圧を作用させて、サブストレート４０等の積層体４３をチャックテーブル９２で吸引保持する。

そして、切削ブレード９８ｂの切り刃３４ｃの切り込み深さをウェーハ１１の所定の深さに維持した状態で、高速に回転させた切削ブレード９８ｂとチャックテーブル９２とをＸ軸方向に沿って相対的に移動させる。これにより、Ｘ軸方向と略平行な分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１を切削する。全ての分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１を切削した後、切削装置９０を用いた加工ステップ（Ｓ４０）を終了する。

次に、第４実施形態の加工ステップ（Ｓ４０）について説明する。第４実施形態の加工ステップ（Ｓ４０）では、まず、ウェーハ１１を透過する波長を有するレーザービームＬをウェーハ１１の裏面１１ｂからウェーハ１１へ照射して、レーザービームＬの集光点をウェーハ１１内部に位置付けることにより、ウェーハ１１内に改質層１１ｅを形成する（改質層形成ステップ）。

図１０は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側からレーザービームＬを照射する加工ステップ（Ｓ４０）を示す図である。改質層１１ｅは、レーザー加工装置１００を用いて形成される。レーザー加工装置１００は、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側を吸引保持するチャックテーブル１０２を備えている。

チャックテーブル１０２の表面の一部は、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側を吸引保持する保持面１０２ａとなっている。この保持面１０２ａには、チャックテーブル１０２の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側は保持面１０２ａで吸引保持される。

また、チャックテーブル１０２の下方には、テーブル移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル１０２は、このテーブル移動機構によってＸ軸方向（加工送り方向）及びＹ軸方向（割り出し送り方向）に沿って移動する。

チャックテーブル１０２の上方には、レーザー加工ユニット１０４が配置されている。レーザー加工ユニット１０４は、ウェーハ１１に対して透過性を有する（即ち、ウェーハ１１を透過する波長の）レーザービームＬをウェーハ１１の所定の位置に照射するように構成されている。

改質層形成ステップでは、まず、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側をチャックテーブル１０２の保持面１０２ａに接触させる。次に、吸引源の負圧を作用させて、サブストレート４０の他方の面４０ｂ側を保持面１０２ａで吸引保持する。

次に、チャックテーブル１０２を移動及び回転させることにより、分割予定ライン１３をＸ軸方向（加工送り方向）に合わせる。そして、レーザー加工ユニット１０４からウェーハ１１に向けてレーザービームＬを照射しつつ、チャックテーブル１０２を分割予定ライン１３に平行な方向に移動させる。

このとき、レーザービームＬの集光点の位置をウェーハ１１の内部に合せる。これにより、レーザービームＬの集光点近傍に多光子吸収が生じるので、分割予定ライン１３に沿って改質層１１ｅが形成される。なお、全ての分割予定ライン１３に沿って、異なる複数の深さに改質層１１ｅが形成される。

第４実施形態の加工ステップ（Ｓ４０）では、改質層形成ステップの後、裏面１１ｂ側を上述の研削装置５０で研削する（研削ステップ）。研削ステップでは、まず、改質層１１ｅが形成された積層体４３をチャックテーブル１０２からチャックテーブル５２に移動する。そして、吸引源（不図示）の負圧を保持面５２ａに作用させて、サブストレート４０の他方の面４０ｂを保持面５２ａで吸引保持する。

その後、チャックテーブル５２とスピンドル５６とを、それぞれ所定の方向に回転させつつ、スピンドル５６を降下させ、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石６４を押し当てる。これにより、改質層１１ｅを除去しながらウェーハ１１を分割予定ライン１３に沿って複数のデバイスチップに分割する。

なお、研削ステップの後、上述の研磨装置８０を用いてデバイスチップの被研削面を研磨する研磨ステップを追加的に行ってもよい。研磨ステップでは、まず、積層体４３をチャックテーブル５２からチャックテーブル８２に移動する。そして、チャックテーブル８２の保持面８２ａでサブストレート４０の他方の面４０ｂ側を吸引保持する。その後、研磨ユニット８４とチャックテーブル８２とを所定の方向に回転させつつ研磨ユニット８４をチャックテーブル８２に向けて降下させる。

デバイスチップの被研削面に対して研磨パッド８８ｃを所定の力で押した状態で、研磨パッド８８ｃの開口からウェーハ１１の裏面１１ｂに研磨液を供給しながら、裏面１１ｂを研磨する。これにより、デバイスチップの被研削面に生じていた研削歪を除去できる。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、液状樹脂挟持ステップ（Ｓ２０）では、第１実施形態のウェーハ１１とサブストレート４０とを逆に配置してもよい。

つまり、第２のテーブル３０でウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引保持して、サブストレート４０の他方の面４０ｂを吸着パッド３８で吸引保持してもよい。この場合、ウェーハ１１の表面１１ａ側に液状樹脂を供給し、その後、サブストレート４０をウェーハ１１の表面１１ａ側に降下させて、ウェーハ１１の表面１１ａ側とサブストレート４０とで液状樹脂４２を挟持する。

１１ ウェーハ（被加工物）
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１１ｃ ノッチ
１１ｄ 外周縁部
１１ｅ 改質層
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ａ デバイス
１５ｂ バンプ（突起電極）
１５ｃ 電極層
１７ａ フレーム
１７ｂ 粘着テープ
１９ フレームユニット
２０ 第１のテーブル
２２ 離型フィルム
２４ カバーフィルム
２４ａ 基材層
２４ｂ 粘着層
２４ｃ 一面
２４ｄ 他面
２６ ローラー
３０ 第２のテーブル
３２ａ 吸引孔
３２ｂ 空洞部
３４ ＵＶ（紫外線）照射ユニット
３６ 天板
３８ 吸着パッド
４０ サブストレート
４０ａ 一方の面
４０ｂ 他方の面
４２ 液状樹脂
４２ａ 樹脂層
４３ 積層体
５０ 研削装置
５２ チャックテーブル
５２ａ 保持面
５４ 研削機構
５６ スピンドル
５８ ホイールマウント
６０ 研削ホイール
６２ ホイール基台
６４ 研削砥石
７０ 第３のテーブル
７２ａ 外周部
７２ｂ 凹部
７４ 底面
７６ 発熱体
８０ 研磨装置
８２ チャックテーブル
８２ａ 保持面
８４ 研磨ユニット
８６ スピンドル
８８ａ ホイールマウント
８８ｂ 支持プレート
８８ｃ 研磨パッド
９０ 切削装置
９２ チャックテーブル
９２ａ 保持面
９４ 切削ユニット
９６ スピンドル
９８ａ ブレードマウント
９８ｂ 切削ブレード
９８ｃ マウントナット
１００ レーザー加工装置
１０２ チャックテーブル
１０２ａ 保持面
１０４ レーザー加工ユニット
Ａ 領域
Ｂ１ 第１の刺激
Ｂ２ 第２の刺激
Ｌ レーザービーム

Claims (4)

1. 表面側に凹凸を備える板状の被加工物の該表面とは反対側の裏面を加工する被加工物の加工方法であって、
   該凹凸に倣うように該被加工物の該表面側にカバーフィルムを密着させることにより、該被加工物の該表面を該カバーフィルムで覆うカバーフィルム密着ステップと、
   第１の外的刺激で硬化し、且つ、該第１の外的刺激とは異なる第２の外的刺激によって発泡する発泡剤を含む液状樹脂を、硬質のサブストレートと、該カバーフィルムが密着した該被加工物の該表面側とで挟む、液状樹脂挟持ステップと、
   該液状樹脂挟持ステップの後、該液状樹脂に該第１の外的刺激を付与して該液状樹脂を硬化させて樹脂層を形成する液状樹脂硬化ステップと、
   該液状樹脂硬化ステップの後、該被加工物を該裏面側から加工する加工ステップと、
   該加工ステップの後、該樹脂層に該第２の外的刺激を付与して該発泡剤を発泡させ、該樹脂層から該サブストレートを剥離することで、該被加工物と該サブストレートとを分離させるサブストレート分離ステップと、
   該被加工物の該表面から該カバーフィルムを剥離するカバーフィルム剥離ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
2. 該第１の外的刺激は紫外線であり、該第２の外的刺激は熱であることを特徴とする請求項１に記載の被加工物の加工方法。
3. 該加工ステップでは、該被加工物を該裏面側から研削、研磨、切削又はレーザービームによって加工することを特徴とする請求項１又は２に記載の被加工物の加工方法。
4. 該カバーフィルムは、該被加工物の外周縁部に対応した領域に粘着層を備え、該カバーフィルムと該被加工物の該外周縁部とは、該粘着層で互いに接着されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の被加工物の加工方法。