KR100249313B1 - 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템 및 이를 이용한 라미네이팅방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템 및 이를 이용한 라미네이팅방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅공정시에 발생하는 잔여유브이테이프 테두리의 접착성을 소실시킴으로써 잔여유브이테이프 테두리에 의한 불량을 방지하는 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템 및 이를 이용한 라미네이팅방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템은 웨이퍼 또는 카세트를 공정이 수행될 특정위치로 이송하는 로딩장치와, 웨이퍼의 전면에 로울러로 유브이테이프를 접착시키는 라미네이팅장치와, 상기 라미네이팅장치에 의해 웨이퍼에 접착된 유브이테이프를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 나이프로 1차 절단해 내는 프리컷팅장치와, 잔여유브이테이프 테두리를 와이어로 2차 정밀제거하는 와이어컷장치와 상기 잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사하는 자외선조사장치 및 상기 잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사시킨 웨이퍼를 후속공정으로 이송하는 언로딩장치를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서 설비의 에러를 방지하고 웨이퍼불량을 감소시키는 효과를 갖는다.

Description

반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템 및 이를 이용한 라미네이팅방법{Tape laminating system for semiconductor device and its driving method}
본 발명은 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템 및 이를 이용한 라미네이팅방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅공정시에 발생하는 잔여유브이테이프 테두리의 접착성을 소실시킴으로써 잔여유브이테이프 테두리에 의한 불량을 방지하는 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템 및 이를 이용한 라미네이팅방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅공정은 웨이퍼의 사용하지 않는 후면을 연삭하는 후면연마공정의 전처리 공정으로서, 웨이퍼의 후면연마공정시에 사용되는 연삭수 또는 연삭 후 발생하는 웨이퍼 가루 등으로부터 웨이퍼의 전면을 보호하기 위하여 웨이퍼의 전면에 테이프를 접착하는 공정이다.
이 때 사용되는 특수 테이프인 유브이(UV)테이프는 특정한 조도와 광량의 조건이 적합할 경우에는 테이프의 접착성분 중 감광성분이 경화하여 접착력을 소실하게 되는 특성을 갖는다.
따라서 후면연마공정이 끝난 후 웨이퍼의 전면을 접착, 보호하고 있던 유브이테이프에 자외선을 조사하여 접착력을 소실시킴으로써 후속공정을 위한 유브이테이프의 제거를 간편하게 하는 역할을 한다.
상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템은 웨이퍼에 라미네이팅공정을 수행하기 위한 시스템으로 웨이퍼의 전면에 유브이테이프를 접착하고 남은 잔여유브이테이프를 절단한 후 웨이퍼를 후속공정인 후면연마공정으로 보내게 된다.
이러한 종래의 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템은 웨이퍼 또는 카세트를 공정이 수행될 특정위치로 이송하는 로딩장치와, 상기 로딩장치에 의해 이송된 웨이퍼의 전면에 로울러로 유브이테이프를 접착시키는 라미네이팅(Laminating)장치와, 상기 라미네이팅장치에 의해 웨이퍼에 접착된 유브이테이프를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 나이프로 1차 절단해 내는 프리컷팅(Pre-Cutting)장치와, 상기 프리컷팅장치에 의해 절단되고 남은 잔여유브이테이프 테두리를 와이어로 2차 정밀제거하는 와이어컷(Wire cut)장치 및 잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사시킨 웨이퍼를 후속공정으로 이송하는 언로딩장치를 구비한다.
따라서 로딩장치에 의해 라미네이팅장치로 이송된 웨이퍼는 웨이퍼 전면에 근접한 유브이테이프가 씌워지고 로울러가 밀착시킴으로써 접착된다.
접착되고 남은 나머지 잔여유브이테이프는 웨이퍼와 분리되도록 나이프에 의해 웨이퍼의 윤곽대로 1차 프리컷팅된다.
상기 1차 프리컷팅 후, 웨이퍼로부터 분리되어 나온 잔여유브이테이프 테두리는 와이어컷장치에 의해 가열된 와이어의 2차 용융 절삭으로 웨이퍼에서 완전하게 제거된다.
그러나, 상기 2차 와이어컷팅에 의해 제거되는 잔여유브이테이프 테두리 조각들이 다시 웨이퍼에 접착하는 경우, 웨이퍼 후면연마시 단차를 유발하여 웨이퍼의 균열 및 깨짐을 유발하고, 로딩 및 언로딩시 잔여유브이테이프 테두리 조각들이 다른 웨이퍼 또는 설비와 서로 접착하여 이송불량을 일으키는 등 설비의 에러를 발생시키는 경우가 빈발했다.
또한, 테두리 조각들이 와이어 열선에 융착되는 경우에는 컷팅불량을 일으키고, 척이나 캐리어에 고착되어 이물질의 흡착을 유도하는 오염원이 되는 등 많은 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 2차 와이어컷팅에 의해 제거되는 잔여유브이테이프 테두리 조각들이 웨이퍼나 설비 등에 접착하지 못하도록 테이프의 접착력을 소실하게 함으로써 설비의 에러를 방지하고 웨이퍼불량을 감소시키는 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템 및 이를 이용한 라미네이팅방법을 제공함에 있다.
도1은 본 발명의 첫번째 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템을 나타낸 블록도이다.
도2는 도1의 자외선조사장치를 나타낸 사시도이다.
도3은 본 발명의 두번째 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템을 나타낸 블록도이다.
도4는 도3의 자외선조사장치를 나타낸 사시도이다.
도5는 본 발명의 세번째 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템을 나타낸 블록도이다.
도6은 도5의 자외선조사장치를 나타낸 사시도이다.
도7은 도5의 자외선조사장치의 조사상태를 나타낸 개략도이다.
도8은 유브이테이프의 자외선 조사영역을 나타낸 정면도이다.
도9는 유브이테이프의 자외선 조사에 따른 접착강도의 변화 특성을 나타낸 그래프이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10: 로딩장치 12: 라미네이팅장치
14: 프리컷팅장치 16: 자외선조사장치
17: 프리컷팅 및 자외선조사장치 18: 와이어컷장치
19: 스윙암 21: 와이어
20: 언로딩장치 22: 웨이퍼
23: 풀리 24: 유브이테이프
26: 잔여유브이테이프 27: 바스킷
28: 잔여유브이테이프 테두리 29: 테이블
30: 자외선조사부 31: 나이프
32: 회전척
상기의 목적은 웨이퍼 또는 카세트를 공정이 수행될 특정위치로 이송하는 로딩장치와, 상기 로딩장치에 의해 이송된 웨이퍼의 전면에 로울러로 유브이테이프를 접착시키는 라미네이팅장치와, 상기 라미네이팅장치에 의해 웨이퍼에 접착된 유브이테이프를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 나이프로 1차 절단해 내는 프리컷팅장치와, 상기 프리컷팅장치에 의해 절단되고 남은 잔여유브이테이프 테두리를 와이어로 2차 정밀제거하는 와이어컷장치와, 상기 잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사하는 자외선조사장치 및 상기 잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사시킨 웨이퍼를 후속공정으로 이송하는 언로딩장치를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템과, 이를 이용하여 웨이퍼 또는 카세트를 공정이 수행될 특정위치로 이송하는 로딩단계와, 상기 로딩단계에 의해 이송된 웨이퍼의 전면에 로울러로 유브이테이프를 접착시키는 라미네이팅단계와, 상기 라미네이팅단계에 의해 웨이퍼에 접착된 유브이테이프를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 나이프로 1차 절단해 내는 프리컷팅단계와, 잔여유브이테이프 테두리의 접착성을 소실시키는 자외선조사단계와, 잔여유브이테이프 테두리를 와이어로 2차 정밀제거하는 와이어컷단계 및 잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사시킨 웨이퍼를 후속공정으로 이송하는 언로딩단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅방법에 의해 달성될 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명 한다.
도1은 본 발명의 첫번째 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템을 나타낸 블록도이다.
먼저 도1를 참조하여 설명하면 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템은 웨이퍼 또는 카세트를 공정이 수행될 특정위치로 이송하는 로딩장치(10)와, 상기 로딩장치(10)에 의해 이송된 웨이퍼의 전면에 로울러로 유브이테이프를 접착시키는 라미네이팅장치(12)와, 상기 라미네이팅장치(12)에 의해 웨이퍼에 접착된 유브이테이프를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 나이프로 1차 절단해 내는 프리컷팅장치(14)와, 잔여유브이테이프 테두리의 접착성을 소실시키는 자외선조사장치(16)와, 상기 자외선조사장치(16)에 의해 접착성을 소실한 잔여유브이테이프 테두리를 와이어로 2차 정밀제거하는 와이어컷장치(18) 및 잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사시킨 웨이퍼를 후속공정으로 이송하는 언로딩장치(20)를 구비한다.
또한, 도2에서와 같이 상기 와이어컷장치(18)는 스윙암(19)에 의해 장력이 유지되고, 열발생부에 의해 가열되며, 상기 스윙암(19)에 설치된 풀리(23)를 따라 연동하는 와이어(21)를 구비하고 회전하는 잔여유브이테이프 테두리를 웨이퍼와 접촉하여 마찰하여 절단한다.
또한, 상기 프리컷팅장치(14)는 로울러에 의해 밀착된 웨이퍼 상의 도7의 유브이테이프(24)를 웨이퍼(22)의 직경보다 큰 소정의 직경으로 웨이퍼(22)가 로딩된 테이블(29)의 하단에서 회전하며 절단하는 나이프(31)와, 상기 나이프(31)로 인한 유브이테이프(24) 절단시에 유브이테이프(24)를 고정시키기 위해 하강, 접촉하여 파지하는 바스킷(27)을 구비한다.
또한, 상기 자외선조사장치(16)는 도시하지 않았지만 자외선을 발생하는 자외선발생부와, 상기 자외선발생부에서 발생한 자외선을 필요한 조도 및 광량으로 맞추는 자외선조정부 및 상기 자외선조정부에서 조정된 자외선을 방출하는 자외선조사부(30)를 구비하여 이루어진다.
이러한 자외선조사장치(16)의 자외선발생부는 저압 수은램프, 중압 수은램프, 고압 수은램프, 메탈 할로겐램프, 무전극 램프 또는 비활성 기체 램프 등을 적용하는 것이 가능하다.
또한, 상기 자외선조정부는 필요한 조도와 광량을 전기적으로 제어하는 제어부(도면의 단순화를 위하여 도시하지 않음)를 구비한다.
자외선조사장치(16)의 자외선조사부(30)는, 도2에서와 같이, 상기 와이어(21) 전에 설치하여 잔여유브이테이프 테두리(28)를 와이어컷팅되기 전에 자외선으로 사전 조사하고, 조사된 상기 잔여유브이테이프 테두리(28)를 와이어컷장치(18)가 제거할 수 있도록 한다.
또한, 상기 잔여유브이테이프 테두리(28)를 웨이퍼(22)의 후면을 파지하는 회전척(32)이 회전함으로써 상기 자외선조사부(30)는 잔여유브이테이프 테두리(28)에 근접하여 고정, 설치되고, 회전하는 잔여유브이테이프 테두리(28)의 직경방향의 폭에 유브이테이프의 접착성 소실에 필요한 충분한 조도 및 광량으로 자외선을 집중하여 조사하도록 한다.
이와는 반대로 자외선조사부가 잔여유브이테이프 테두리(28)를 회전하며 조사하는 것도 가능하다.
자외선이 조사되면 유브이테이프의 접착성이 소실되도록 하기 위하여 상기 유브이테이프는 폴리올레핀계의 베이스 필림의 일면에 광경화성 개시제가 포함되는 아크릴레이트계의 접착제를 도포하고, 상기 광경화성 개시제는 카르보닐 그룹에 인접해 있는 C-C 시그마 결합을 분열시키는 노리쉬 타입(Norrish type)의 라디칼 반응물인 것이 사용된다.
상기 C-C 시그마 결합의 에너지는 90kcal/mole이며, 250nm의 라디에이션 에너지는 114kcal/mole이다.
이러한, 상기 유브이테이프는 도9에서와 같이 온도 23°C, 상대습도 50% 일 경우, 자외선 조사량을 증가시키면 30mJ/cm2에서 130mJ/cm2까지의 영역에서 접착강도가 급강하하여 종래에는 25g/inch에 도달하는 특징을 갖는다.
따라서 상기 자외선조사부는 온도 23°C, 상대습도 50% 이고, 상기 유브이테이프의 접착강도가 60g/inch이하로 요구되는 경우, 70mJ/cm2이상의 조사량으로 자외선을 조사하며, 상기 유브이테이프의 접착강도가 50g/inch이하로 요구되는 경우에, 100mJ/cm2이상의 조사량으로 자외선을 조사하고, 상기 유브이테이프의 접착강도가 40g/inch이하로 요구되는 경우에는, 130mJ/cm2이상의 조사량으로 자외선을 조사하는 것이 바람직하다.
따라서, 자외선의 단순조사에 의하여 상기 광경화성 개시제의 작용에 따른 라디칼반응에 의하여 접착제가 접착력을 소실케 되며, 이러한 접착력 소실의 메카니즘은 당해 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자에게는 용이하게 이해될 수 있을 정도의 공지된 것으로 이해될 수 있다.
그러나 일반적인 경우 자외선의 조사효율을 고려하여 상기 자외선조사부는 350mJ/cm2의 조사량으로 자외선을 조사하는 것이 일반적이다.
따라서, 적정조도가 맞지 않을 경우 광량이 많아도 유브이테이프 내의 접착성분이 반응하지 않거나 느린 점을 이용하여 선택된 조도로 조사되지 않은 영역은 접착성질을 보호할 수 있다.
또한, 도8에서와 같이 상기 잔여유브이테이프 테두리의 자외선 조사는 웨이퍼 직경보다 1mm를 초과하여 여유공간을 남기고 나머지 영역에 조사하는 것이 바람직하다.
이러한 자외선 조사영역이 웨이퍼(22) 내로 침범하여 조사되면 이후 후면연마공정에서 조사된 테두리 부분이 웨이퍼(22)와 이격되어 벌어지면서 이물질이 웨이퍼 패턴에 유입될 가능성이 높기 때문에 이러한 자외선 조사허용범위는 웨이퍼내로 자외선의 침범이 일어나지 않도록 1mm두께의 원형띠형태의 여유공간을 갖도록 한다.
한편, 상기 자외선조사부는 조사위치의 변경이 자유롭고 광전달이 용이한 광섬유를 포함하여 제작하는 것이 바람직하다.
따라서, 상기 로딩장치(10)에 의해 이송된 웨이퍼(22)의 전면에 도6에서와 같이 로울러(34)로 유브이테이프(24)가 접착되고, 웨이퍼(22)에 접착된 유브이테이프(24)를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 1cm 가량 남기고 나이프로 1차 절단하게 된다. 절단되고 남은 1cm 가량의 잔여유브이테이프 테두리(28)의 접착성을 소실시키기 위해서 잔여유브이테이프 테두리(28)를 웨이퍼(22)에 접촉, 파지하는 회전척(32)이 회전시키고 설비에 고정, 설치된 상기 자외선조사장치(16)가 회전하는 잔여유브이테이프 테두리(28)에 근접하여 자외선을 조사한다.
자외선조사의 효과를 높이기 위해서는 유브이테이프에 접착제가 도포되어 있는 접착면에 조사하는 것이 바람직하다.
자외선조사를 마친 잔여유브이테이프 테두리(28)를 가열된 와이어(21)로 2차 정밀제거하고, 후속공정인 후면연마설비로 이송하게 된다.
도3은 본 발명의 두번째 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템을 나타낸 블록도이다.
먼저 도3을 참조하여 설명하면 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템은 웨이퍼 또는 카세트를 공정이 수행될 특정위치로 이송하는 로딩장치(10)와, 상기 로딩장치(10)에 의해 이송된 웨이퍼의 전면에 로울러로 유브이테이프를 접착시키는 라미네이팅장치(12)와, 상기 라미네이팅장치(12)에 의해 웨이퍼에 접착된 유브이테이프를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 나이프로 1차 절단해 내는 프리컷팅장치(14)와, 상기 프리컷팅장치(14)에 의해 절단되고 남은 잔여유브이테이프 테두리를 와이어(21)로 2차 정밀제거하는 와이어컷장치(18)와, 상기 와이어컷장치(18)에 의해 제거된 상기 잔여유브이테이프 테두리(28)의 접착성을 소실시키는 자외선조사장치(16) 및 잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사시킨 웨이퍼를 후속공정으로 이송하는 언로딩장치(20)를 구비한다.
또한, 도4에서와 같이 상기 와이어컷장치(18)는 스윙암(19)에 의해 장력이 유지되고, 열발생부에 의해 가열되며, 상기 스윙암(19)에 설치된 풀리(23)를 따라 연동하는 와이어(21)를 구비하고 회전하는 잔여유브이테이프 테두리(28)를 웨이퍼(22)와 접촉하고 마찰하여 절단한다.
또한, 상기 프리컷팅장치(14)는 로울러(34)에 의해 밀착된 웨이퍼(22) 상의 유브이테이프(24)를 웨이퍼(22)의 직경보다 큰 소정의 직경으로 도7의 웨이퍼(22)가 로딩된 테이블(29)의 하단에서 회전, 절단하는 나이프(31)와, 상기 나이프(31)로 인한 유브이테이프(24) 절단시에 유브이테이프를 고정시키기 위해 유브이테이프에 접촉하여 파지하는 바스킷(27)을 구비한다.
또한, 상기 자외선조사장치(16)는 도시하지 않았지만 자외선을 발생하는 자외선발생부와, 상기 자외선발생부에서 발생한 자외선을 필요한 조도 및 광량으로 맞추는 자외선조정부 및 상기 자외선조정부에서 조정된 자외선을 방출하는 자외선조사부(30)를 구비하여 이루어진다.
이러한 프리컷팅 및 자외선조사장치(17)의 자외선조사부(30)는, 도4에서와 같이, 상기 와이어(21) 후에 설치하여 와이어컷장치(18)가 제거한 잔여유브이테이프 테두리(28)가 웨이퍼(22)나 설비에 접착되는 2차적인 불량원인을 방지하도록 자외선을 조사하여 접착성을 소실시키게 된다.
이러한 자외선조사장치(16)의 자외선발생부(도시 않함)는 저압 수은램프, 중압 수은램프, 고압 수은램프, 메탈 할로겐램프, 무전극 램프 또는 비활성 기체 램프 등을 적용하는 것이 가능하다.
상기 자외선조정부는 필요한 조도와 광량을 전기적으로 제어하는 제어부를 구비한다.
또한, 상기 잔여유브이테이프 테두리(28)를 웨이퍼(22)의 후면을 파지하는 회전척(32)이 회전시킴으로써 상기 자외선조사부(30)는 잔여유브이테이프 테두리(28)에 근접하여 고정 설치되고, 회전하는 잔여유브이테이프 테두리(28)의 직경방향의 폭에 유브이테이프의 접착성 소실에 필요한 충분한 조도 및 광량으로 자외선을 집중하여 조사하도록 한다.
이와는 반대로 자외선조사부가 잔여유브이테이프 테두리를 회전하며 조사하는 것도 가능하다.
따라서, 상기 로딩장치(10)에 의해 이송된 웨이퍼(22)의 전면에 로울러로 유브이테이프가 접착되고, 웨이퍼(22)에 접착된 유브이테이프를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 1cm 가량 남기고 나이프로 1차 절단하게 되며, 절단되고 남은 1cm 가량의 잔여유브이테이프 테두리(28)를 웨이퍼에 접촉 파지하는 척이 회전시키고, 가열된 와이어(21)로 2차 정밀제거한다.
제거된 상기 잔여유브이테이프 테두리(28)의 접착성을 소실시키기 위해서 설비에 고정 설치된 상기 자외선조사장치(16)가 제거되는 잔여유브이테이프 테두리(28)에 근접하여 자외선을 조사한다.
따라서 와이어컷 후에 조사가 이루어지므로 자외선조사영역의 정밀성이 요구되지 않으면서 잔여유브이테이프 테두리(28)의 완전한 접착성제거가 가능하지만 와이어컷시에 유브이테이프가 와이어(21)에 융착하여 발생하는 불량은 방지하기 어렵다.
자외선조사의 효과를 높이기 위해서는 유브이테이프의 접착성분이 도포되어 있는 접착면에 조사하는 것이 바람직하다.
도5는 본 발명의 세번째 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템을 나타낸 블록도이다.
도5를 참조하여 설명하면 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템은 웨이퍼 또는 카세트를 공정이 수행될 특정위치로 이송하는 로딩장치(10)와, 상기 로딩장치(10)에 의해 이송된 웨이퍼의 전면에 로울러로 유브이테이프를 접착시키는 라미네이팅장치(12)와, 상기 라미네이팅장치(12)에 의해 웨이퍼에 접착된 유브이테이프를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 나이프로 1차 절단해 내는 동시에 잔여유브이테이프 테두리(28)의 접착성을 소실시키는 프리컷팅 및 자외선조사장치(17)와, 상기 프리컷팅 및 자외선조사장치(17)에 의해 접착성을 소실한 잔여유브이테이프 테두리를 와이어(21)로 2차 정밀제거하는 와이어컷장치(18) 및 잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사시킨 웨이퍼를 후속공정으로 이송하는 언로딩장치(20)를 구비한다.
또한, 상기 프리컷팅 및 자외선조사장치(17)는 자외선조사장치를 기존의 프리컷팅장치(14)와 일체화하여 설치하고 자외선을 발생하는 자외선발생부와, 상기 자외선발생부에서 발생한 자외선을 필요한 조도 및 광량으로 맞추는 자외선조정부 및 상기 자외선조정부에서 조정된 자외선을 방출하는 자외선조사부(30)를 구비하여 이루어진다.
이러한 프리컷팅 및 자외선조사장치(17)의 자외선조사부(30)는, 도6 및 도7에서와 같이, 잔여유브이테이프 테두리(28)와 같은 형상의 원형링형태로 설비 내부에 설치되어 프리컷팅이 진행됨과 동시에 도7에서와 같이 저면에서 자외선을 전면 조사하게 되어 있으므로 빠르고 정밀한 조사가 가능해진다.
상기 자외선조사부(30)는 상기 프리컷팅장치 내부에 설치되어 잔여유브이테이프 테두리(28)를 자외선으로 조사하며, 상기 프리컷팅장치 내부의 테이블 (29) 하면 회전하는 나이프(31)의 회전 내경에 연접하여 설치되고, 나이프(31)에 의한 프리컷팅과 동시에 상면에 근접하는 잔여유브이테이프 테두리(28)를 자외선으로 조사한다.
또한, 상기 자외선조사부(30)는 상기 잔여유브이테이프 테두리(28)에 근접위치하여 고정되고 역시 고정된 상기 잔여유브이테이프 테두리(28)를 전면 조사하는 잔여유브이테이프 테두리 형태의 원형링형이고, 다수개의 분리형 자외선조사부재가 조립되어 원형링의 형태로 밀집, 제작되는 것도 가능하다.
이러한 원형링 형태의 자외선조사부는 자외선 조사의 효율을 높이기 위해 회전하는 것도 가능하다.
따라서, 상기 로딩장치에 의해 이송된 웨이퍼(22)의 전면에 로울러(34)로 유브이테이프(24)가 접착되고, 웨이퍼(22)에 접착된 유브이테이프(24)를 제외하고 남은 잔여유브이테이프(26)를 1cm 가량 남기고 나이프로 1차 절단하게 되며, 절단과 동시에 남은 1cm 가량의 잔여유브이테이프 테두리(28)를 설비 저면에 설치한 자외선조사장치가 접촉력을 소실시키며, 이후 가열된 와이어(21)로 와이어컷장치에 의해 잔여유브이테이프 테두리(28) 2차 정밀제거된다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템 및 이를 이용한 라미네이팅방법에 의하면, 2차 와이어컷팅에 의해 제거되는 잔여유브이테이프 테두리 조각들이 웨이퍼나 설비 등에 접착하지 못하도록 테이프의 접착력을 소실하게 함으로써 설비의 에러를 방지하고 웨이퍼불량을 감소시키는 효과를 갖는 것이다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (26)

  1. 웨이퍼 또는 카세트를 공정이 수행될 특정위치로 이송하는 로딩장치;
    상기 로딩장치에 의해 이송된 웨이퍼의 전면에 로울러로 유브이테이프를 접착시키는 라미네이팅장치;
    상기 라미네이팅장치에 의해 웨이퍼에 접착된 유브이테이프를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 나이프로 1차 절단해 내는 프리컷팅장치;
    상기 프리컷팅장치에 의해 절단되고 남은 잔여유브이테이프 테두리를 와이어로 2차 정밀제거하는 와이어컷장치;
    상기 잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사하는 자외선조사장치; 및
    상기 잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사시킨 웨이퍼를 후속공정으로 이송하는 언로딩장치;
    를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 와이어컷장치는 스윙암에 의해 장력이 유지되고, 열발생부에 의해 가열되며, 상기 스윙암에 설치된 풀리를 따라 연동하는 와이어에 의해서 회전하는 잔여유브이테이프 테두리를 웨이퍼와 접촉하여 마찰, 절단하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 프리컷팅장치는 로울러에 의해 밀착된 웨이퍼 상의 유브이테이프를 웨이퍼의 직경보다 큰 소정의 직경으로 웨이퍼가 로딩된 테이블의 하단에서 절단하는 나이프와, 상기 나이프로 인한 유브이테이프 절단시에 유브이테이프를 고정시키기 위해 접촉, 파지하는 바스킷을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네팅시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 자외선조사장치는 자외선을 발생하는 자외선발생부;
    상기 자외선발생부에서 발생한 자외선을 필요한 조도 및 광량으로 맞추는 자외선조정부; 및
    상기 자외선조정부에서 조정된 자외선을 방출하는 자외선조사부;
    를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 자외선발생부는 저압 수은램프, 중압 수은램프, 고압 수은램프, 메탈 할로겐램프, 무전극 램프 또는 비활성 기체 램프로 이루어진 그룹에서 선택하여 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 유브이테이프는 폴리올레핀계의 베이스 필림에 광경화성 개시제가 포함되는 아크릴레이트계의 접착제를 도포하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 광경화성 개시제는 카르보닐 그룹에 인접해 있는 C-C 시그마 결합을 분열시키는 노리쉬 타입의 라디칼반응의 반응물인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  8. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 유브이테이프는 온도 23°C, 상대습도 50% 일 경우, 자외선 조사량을 증가시키면 30mJ/cm2에서 130mJ/cm2까지의 영역에서 접착강도가 25g/inch로 저하되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 온도 23°C, 상대습도 50% 이고, 상기 유브이테이프의 접착강도가 60g/inch이하로 요구되는 경우, 70mJ/cm2이상의 조사량으로 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 온도 23°C, 상대습도 50% 이고, 상기 유브이테이프의 접착강도가 50g/inch이하로 요구되는 경우, 100mJ/cm2이상의 조사량으로 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  11. 제 4 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 온도 23°C, 상대습도 50% 이고, 상기 유브이테이프의 접착강도가 40g/inch이하로 요구되는 경우, 130mJ/cm2이상의 조사량으로 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 350mJ/cm2이상의 조사량으로 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 잔여유브이테이프 테두리의 자외선 조사는 웨이퍼 직경보다 1mm를 초과하여 여유공간을 남기고 나머지 영역에 조사하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  14. 제 4 항에 있어서,
    상기 자외선조정부는 필요한 조도와 광량을 전기적으로 제어하는 제어부를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  15. 제 4 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 조사위치의 변경이 자유롭고 광전달이 용이한 광섬유를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  16. 제 4 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 상기 와이어 전에 설치되어 잔여유브이테이프 테두리가 와이어컷팅이 되기 전에 자외선으로 사전 조사하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  17. 제 4 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 상기 와이어 후에 설치되어 잔여유브이테이프 테두리가 와이어컷팅이 된 후에 자외선으로 사후 조사하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  18. 제 4 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 상기 프리컷팅장치 내부에 설치되어 잔여유브이테이프 테두리를 자외선으로 조사하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  19. 제 4 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 상기 프리컷팅장치 내부의 테이블 하면 회전 나이프가 회전하는 내경에 연접하여 설치되고 나이프에 의한 프리컷팅과 동시에 상면에 근접하는 잔여유브이테이프 테두리를 자외선으로 조사하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  20. 제 18 항, 제 19 항 및 제 20 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 상기 잔여유브이테이프 테두리에 근접위치하여 고정되고, 회전척에 의해 회전하는 상기 잔여유브이테이프 테두리를 집중 조사하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  21. 제 18 항, 제 19 항 및 제 20 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 상기 잔여유브이테이프 테두리에 근접위치하여 회전되고, 고정된 상기 잔여유브이테이프 테두리를 집중 조사하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  22. 제 18 항, 제 19 항 및 제 20 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 상기 잔여유브이테이프 테두리에 근접위치하여 고정되고, 역시 고정된 상기 잔여유브이테이프 테두리를 전면 조사하는 잔여유브이테이프 테두리 형태의 원형링형 자외선조사부인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  23. (정정) 제 22 항에 있어서,
    상기 자외선조사부는 다수개의 분리형 자외선조사부재가 조립되어 원형링의 형태로 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅시스템.
  24. (정정) 웨이퍼 또는 카세트를 공정이 수행될 특정위치로 이송하는 로딩단계;
    상기 로딩단계에 의해 이송된 웨이퍼의 전면에 로울러로 유브이테이프를 접착시키는 라미네이팅단계;
    상기 라미네이팅단계에 의해 웨이퍼에 접착된 유브이테이프를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 나이프로 1차 절단해 내는 프리컷팅단계;
    상기 프리컷팅단계에 의해 절단되고 남은 잔여유브이테이프 테두리의 접착성을 소실시키는 자외선조사단계;
    상기 자외선조사단계를 마친 잔여유브이테이프 테두리를 와이어로 2차 정밀제거하는 와이어컷단계; 및
    잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사시킨 웨이퍼를 후속공정으로 이송하는 언로딩단계;
    를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅방법.
  25. (정정) 웨이퍼 또는 카세트를 공정이 수행될 특정위치로 이송하는 로딩단계;
    상기 로딩단계에 의해 이송된 웨이퍼의 전면에 로울러로 유브이테이프를 접착시키는 라미네이팅단계;
    상기 라미네이팅단계에 의해 웨이퍼에 접착된 유브이테이프를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 나이프로 1차 절단해 내는 프리컷팅단계;
    상기 프리컷팅단계에 의해 절단되고 남은 잔여유브이테이프 테두리를 와이어로 2차 정밀제거하는 와이어컷단계;
    상기 와이어컷단계를 마친 잔여유브이테이프 테두리의 접착성을 소실시키는 자외선조사단계; 및
    잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사시킨 웨이퍼를 후속공정으로 이송하는 언로딩단계;
    를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅방법.
  26. (정정) 웨이퍼 또는 카세트를 공정이 수행될 특정위치로 이송하는 로딩단계;
    상기 로딩단계에 의해 이송된 웨이퍼의 전면에 로울러로 유브이테이프를 접착시키는 라미네이팅단계;
    상기 라미네이팅단계에 의해 웨이퍼에 접착된 유브이테이프를 제외하고 남은 잔여유브이테이프를 나이프로 1차 절단하는 동시에 잔여유브이테이프 테두리의 접착성을 소실시키는 프리컷팅 및 자외선조사단계;
    상기 프리컷팅 및 자외선조사단계에 의해 절단되고 접착성을 소실한 남은 잔여유브이테이프 테두리를 와이어로 2차 정밀제거하는 와이어컷단계; 및
    잔여유브이테이프 테두리에 자외선을 조사시킨 웨이퍼를 후속공정으로 이송하는 언로딩단계;
    를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 테이프 라미네이팅방법.
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