JP2015149386A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
ウェーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015149386A JP2015149386A JP2014021212A JP2014021212A JP2015149386A JP 2015149386 A JP2015149386 A JP 2015149386A JP 2014021212 A JP2014021212 A JP 2014021212A JP 2014021212 A JP2014021212 A JP 2014021212A JP 2015149386 A JP2015149386 A JP 2015149386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- adhesive sheet
- concave portion
- grinding
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 abstract 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】過度に加工装置を大型化させることなくウェーハを加工できるようにする。
【解決手段】デバイス領域W1に対応するウェーハWの裏面W2を研削して凹部3を形成するとともに凹部3を囲繞する環状凸部2を形成する研削ステップと、ウェーハWの外径サイズ以下かつ凹部3の外径以上のサイズを有し外的刺激により粘着力が低下する粘着シート5を凹部3の底部3aに貼着する粘着シート貼着ステップと、分割予定ラインSに沿ってウェーハWを個々のデバイスチップ8に分割する分割ステップと、デバイスチップ8に対応する粘着シート5に外的刺激を付与してデバイスチップ8をピックアップするピックアップステップとを実施し、ウェーハWの搬送、分割時においてリングフレームを不要とする。よって、リングフレームのサイズに合わせて過度に加工装置を大型化させることなくウェーハWを加工できる。
【選択図】図7
【解決手段】デバイス領域W1に対応するウェーハWの裏面W2を研削して凹部3を形成するとともに凹部3を囲繞する環状凸部2を形成する研削ステップと、ウェーハWの外径サイズ以下かつ凹部3の外径以上のサイズを有し外的刺激により粘着力が低下する粘着シート5を凹部3の底部3aに貼着する粘着シート貼着ステップと、分割予定ラインSに沿ってウェーハWを個々のデバイスチップ8に分割する分割ステップと、デバイスチップ8に対応する粘着シート5に外的刺激を付与してデバイスチップ8をピックアップするピックアップステップとを実施し、ウェーハWの搬送、分割時においてリングフレームを不要とする。よって、リングフレームのサイズに合わせて過度に加工装置を大型化させることなくウェーハWを加工できる。
【選択図】図7
Description
本発明は、ウェーハの加工方法に関する。
IC、LSI等のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウェーハは、裏面が研削され所定の厚みに形成された後、切削装置などによって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
ここで、研削によってウェーハが薄くなると、剛性が低下するため、その後の工程においてウェーハの取り扱いが困難となるという問題があることから、例えば下記の特許文献1では、ウェーハの裏面のうち、デバイスが複数形成されたデバイス領域に対応する領域に凹部を形成し、凹部の外周側に外周余剰領域を含むリング状の凸部を形成して剛性を高める発明が提案されている。また、同特許文献では、リング状の凸部を形成してから各種工程を経た後、ウェーハの分割時において凸部を除去する方法が開示されている。そして、凸部が除去されたウェーハは、ハンドリングを容易にするために粘着シートを介してリングフレームに貼着される。
しかしながら、近年においてはウェーハの大口径化にともないウェーハを加工する加工装置も大型化せざるをえなくなっており、できる限り装置を小型化することが切望されている。また、ウェーハと一体となった状態のリングフレームを搬送、保持する機構を装置に設けることとなると、ウェーハのサイズよりも大きいリングフレームのサイズに合わせて装置も過度に大型化してしまうという問題がある。
本発明は、上記の事情にかんがみてなされたものであり、過度に加工装置を大型化させることなくウェーハを加工できるようにすることを目的とする。
本発明は、交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウェーハの加工方法であって、該デバイス領域に対応するウェーハの裏面を研削して凹部を形成するとともに該凹部を囲繞する環状凸部を形成する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、ウェーハの外径サイズ以下かつ該凹部の外径以上のサイズを有し、外的刺激により粘着力が低下する粘着シートを該凹部の底部に貼着する粘着シート貼着ステップと、該粘着シート貼着ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿ってウェーハを分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後、デバイスに対応する該粘着シートに該外的刺激を付与してデバイスをピックアップするピックアップステップと、を備える。
また、本発明は、上記粘着シート貼着ステップを実施した後、上記分割ステップを実施する前に、上記粘着シートが貼着された上記凹部に埋め込み部材を埋め込む埋め込みステップを更に実施することができる。
本発明にかかるウェーハの加工方法は、研削ステップを実施してウェーハの裏面に凹部を形成するとともに該凹部を囲繞する環状凸部を形成した後、粘着シート貼着ステップにおいて、ウェーハの外径サイズ以下でかつ凹部の外径以上のサイズを有し、外的刺激で粘着力が低下する粘着シートをウェーハに形成された凹部の底部に貼着するため、粘着シートが底部に貼着された状態でウェーハをダイシングできるとともに分割された個々のデバイスをピックアップできる。
したがって、ウェーハの搬送や分割の際にリングフレームを使用する必要がないため、ウェーハのハンドリングが容易となるとともに、リングフレームのサイズに合わせて過度に加工装置を大型化させることなくウェーハを加工することができる。
したがって、ウェーハの搬送や分割の際にリングフレームを使用する必要がないため、ウェーハのハンドリングが容易となるとともに、リングフレームのサイズに合わせて過度に加工装置を大型化させることなくウェーハを加工することができる。
また、本発明の加工方法では、粘着シート貼着ステップを実施した後分割ステップを実施する前に、埋め込みステップを実施して埋め込み部材を隙間なくウェーハの凹部に埋めるため、従来の加工装置に備える平坦な保持面を有する保持テーブルでウェーハを保持し該分割ステップを実施できる。
以下では、図1(a)に示すウェーハWを個々のデバイスチップに形成するための加工方法について説明する。ウェーハWは、被加工物の一例であって、特に材質等が限定されるものではない。ウェーハWの表面Waには、縦横に交差する複数の分割予定ラインSによって区画された各領域にそれぞれデバイスDが形成されており、該表面Waは、デバイスDが形成されたデバイス領域W1とデバイス領域W1を囲繞する外周余剰領域W2とを備えている。一方、ウェーハWの表面Waと反対側にある面には、デバイスDは形成されておらず、研削によって薄化される裏面Wbとなっている。
(1)保護テープ貼着ステップ
まず、図1(a)に示すように、ウェーハWと略同径の保護テープ1をデバイス領域W1及び外周余剰領域W2を覆うようにしてウェーハWの表面Wa側に貼着する。これにより、図1(b)に示すように、ウェーハWと保護テープ1とが一体となって形成される。なお、保護テープ1の貼着に代えて、粘着剤を介してハードプレートを貼着するようにしてもよい。
まず、図1(a)に示すように、ウェーハWと略同径の保護テープ1をデバイス領域W1及び外周余剰領域W2を覆うようにしてウェーハWの表面Wa側に貼着する。これにより、図1(b)に示すように、ウェーハWと保護テープ1とが一体となって形成される。なお、保護テープ1の貼着に代えて、粘着剤を介してハードプレートを貼着するようにしてもよい。
(2)研削ステップ
保護テープ貼着ステップを実施した後、図2に示すように、研削手段10を用いて、被加工物を保持する保持手段20に保持されるウェーハWの裏面Wbに対して研削を施す。研削手段10は、鉛直方向に軸心を有するスピンドル11と、スピンドル11を回転可能に囲繞するスピンドルハウジング12と、スピンドル11の下端に連結された研削ホイール13と、研削ホイール13の下部に環状に固着された研削砥石14とを少なくとも備えている。研削手段10は、図示しないモータによってスピンドル11を所定の回転速度で回転させることにより、研削ホイール13を所定の回転速度で回転させることができる。研削砥石14は、自身の回転軌道の最外周の直径が、ウェーハWの直径よりも小さく、かつ、ウェーハWの半径と同等かウェーハWの半径よりもわずかに大きくなるように構成されている。
保護テープ貼着ステップを実施した後、図2に示すように、研削手段10を用いて、被加工物を保持する保持手段20に保持されるウェーハWの裏面Wbに対して研削を施す。研削手段10は、鉛直方向に軸心を有するスピンドル11と、スピンドル11を回転可能に囲繞するスピンドルハウジング12と、スピンドル11の下端に連結された研削ホイール13と、研削ホイール13の下部に環状に固着された研削砥石14とを少なくとも備えている。研削手段10は、図示しないモータによってスピンドル11を所定の回転速度で回転させることにより、研削ホイール13を所定の回転速度で回転させることができる。研削砥石14は、自身の回転軌道の最外周の直径が、ウェーハWの直径よりも小さく、かつ、ウェーハWの半径と同等かウェーハWの半径よりもわずかに大きくなるように構成されている。
研削手段10によってウェーハWを研削する際には、図1(b)で示した保護テープ1と一体となったウェーハWを、図2に示す保持テーブル20の保持面21に保護テープ1側から載置し、ウェーハWの裏面Wbを上向きに露出させる。その後、図示しない吸引源の作動により保持テーブル20の保持面21でウェーハWを吸引保持するとともに、保持手段20を研削手段10の下方に移動させ、保持テーブル20を例えば矢印A方向に回転させる。研削手段10は、スピンドル11が回転し、研削ホイール13を例えば矢印A方向に回転させながらウェーハWの裏面Wbに接近する方向に下降させ、回転するウェーハWの裏面Wbに研削砥石14を接触させて研削を行う。
このとき、研削手段10は、研削砥石14をウェーハWの裏面Wbの回転中心に常に接触させ、該裏面Wbのうち、図1(a)で示したデバイス領域W1に対応する領域、すなわちデバイス領域W1の裏側のみを研削する。このようにして、図2に示すように、ウェーハWの裏面Wbのうち、デバイス領域W1に対応する部分のみを除去して凹部3を形成するとともに、ウェーハWの裏面Wbのうち、図1(a)で示した外周余剰領域W2に対応するリング状の領域を残して、凹部3を囲繞する環状凸部2を形成する。
(3)金属膜形成ステップ
研削ステップを実施した後、図3に示すように、ウェーハWに形成された凹部3に金属膜4を形成する。金属膜4の形成は、例えばスパッタリングや蒸着によって行うことができる。また、CVDによる化学的蒸着によって凹部3に金属膜4を形成することも可能である。なお、本工程は必須ではない。
研削ステップを実施した後、図3に示すように、ウェーハWに形成された凹部3に金属膜4を形成する。金属膜4の形成は、例えばスパッタリングや蒸着によって行うことができる。また、CVDによる化学的蒸着によって凹部3に金属膜4を形成することも可能である。なお、本工程は必須ではない。
(4)粘着シート貼着ステップ
研削ステップを実施した後(金属膜形成ステップを実施した場合はその後)、図4及び図5に示すように、ウェーハWの裏面Wbに形成された凹部3の底部3aに粘着シート5を貼着する。このとき、図1(b)で示した保護テープ1をウェーハWの表面Waから剥離してもよいし、後記の埋め込みステップや分割ステップの前に剥離するようにしてもよい。金属膜形成ステップを実施した後の場合は、凹部3の底部3aに金属膜4を介して粘着シート5を貼着する。
研削ステップを実施した後(金属膜形成ステップを実施した場合はその後)、図4及び図5に示すように、ウェーハWの裏面Wbに形成された凹部3の底部3aに粘着シート5を貼着する。このとき、図1(b)で示した保護テープ1をウェーハWの表面Waから剥離してもよいし、後記の埋め込みステップや分割ステップの前に剥離するようにしてもよい。金属膜形成ステップを実施した後の場合は、凹部3の底部3aに金属膜4を介して粘着シート5を貼着する。
粘着シート5は、図5に示すように、ウェーハWの外径サイズ以下のサイズで、かつ凹部3の外径サイズ以上のサイズを有している。すなわち、粘着シート5は、少なくとも凹部3の底部3aを覆う程度の大きさとなっている。また、粘着シート5は、外的刺激によって粘着力が低下する性質を有しており、例えば紫外線や熱などを付与することによって発泡する発泡剤を含む発泡剥離テープを使用することができる。
このように構成される粘着シート5を、凹部3の底部3aを覆うように貼着することでウェーハWと粘着シート5とを一体として形成する。粘着シート5は、少なくとも凹部3の底部3aに沿って貼着されていればよいが、凹部3の内周側壁から環状凸部2の表面に至るまで粘着シート5を貼着してもよい。
(5)埋め込みステップ
次に、図6に示すように、図5で示した粘着シート5が貼着された凹部3に埋め込み部材6を埋め込む。埋め込み部材6としては、例えば紫外線硬化性の液状樹脂、樹脂シート及びシリコンなどを使用する。流動性を有する液状樹脂を埋め込み部材6として凹部3に流入させれば、隙間なく凹部3を埋めることができる。なお、上記粘着シート5が紫外線を受けて発泡する発泡剥離テープである場合には、埋め込み部材6としては、粘着シート5の発泡剤を発泡させる紫外線の波長と異なる波長で硬化する紫外線硬化性の液状樹脂や樹脂シートを用いることで、粘着シート5と埋め込み部材6とで個別に粘着力を低下させることができるため、後記のピックアップステップを円滑に行うことができる。粘着シート貼着ステップにおいてウェーハWの表面Waから保護テープ1を剥離しなかった場合は、埋め込みステップの実施前または実施中に保護テープ1を剥離してもよいが、ここでは剥離を行わず、後記の分割ステップの前に剥離を行うようにしてもよい。
次に、図6に示すように、図5で示した粘着シート5が貼着された凹部3に埋め込み部材6を埋め込む。埋め込み部材6としては、例えば紫外線硬化性の液状樹脂、樹脂シート及びシリコンなどを使用する。流動性を有する液状樹脂を埋め込み部材6として凹部3に流入させれば、隙間なく凹部3を埋めることができる。なお、上記粘着シート5が紫外線を受けて発泡する発泡剥離テープである場合には、埋め込み部材6としては、粘着シート5の発泡剤を発泡させる紫外線の波長と異なる波長で硬化する紫外線硬化性の液状樹脂や樹脂シートを用いることで、粘着シート5と埋め込み部材6とで個別に粘着力を低下させることができるため、後記のピックアップステップを円滑に行うことができる。粘着シート貼着ステップにおいてウェーハWの表面Waから保護テープ1を剥離しなかった場合は、埋め込みステップの実施前または実施中に保護テープ1を剥離してもよいが、ここでは剥離を行わず、後記の分割ステップの前に剥離を行うようにしてもよい。
また、埋め込み部材6として、ガラスなどの透明部材により形成されるハードプレートを使用してもよい。埋め込みステップは、上記粘着シート貼着ステップを実施した後、後記の分割ステップを実施する前に実施する。なお、本工程は必須ではない。
(6)分割ステップ
埋め込みステップを実施した後、図7に示すように、ウェーハWに切削を行う切削手段30によってウェーハWを個々のチップに分割する。切削手段30は、回転可能なスピンドル31と、スピンドル31の先端に着脱可能に装着された切削ブレード32とを少なくとも備えており、スピンドル31の回転によって切削ブレード32も回転する構成となっている。
埋め込みステップを実施した後、図7に示すように、ウェーハWに切削を行う切削手段30によってウェーハWを個々のチップに分割する。切削手段30は、回転可能なスピンドル31と、スピンドル31の先端に着脱可能に装着された切削ブレード32とを少なくとも備えており、スピンドル31の回転によって切削ブレード32も回転する構成となっている。
図7に示すように、ウェーハWを、図6に示した凹部3に埋め込まれた埋め込み部材6側を保持テーブル20aの保持面21に載置する。この段階で、ウェーハWの表面Waから保護テープ1が剥離されていない場合は、保護テープ1を表面Waから剥離する。分割ステップにおける分割直前に保護テープ1を剥離するようにすると、粘着シート到着ステップ及び埋め込みステップにおいて、保護テープ1によってデバイスDが保護されるため、好ましい。その後、図示しない吸引源の作動により、保持テーブル20aの保持面21でウェーハWを吸引保持する。このとき、凹部3に埋め込まれた埋め込み部材6の下面が平坦な状態となっているため、ウェーハWは保持テーブル20aの保持面21上で平坦に保持される。
その後、切削手段30のスピンドル31が回転し、切削ブレード32を例えば矢印B方向に回転させつつ、切削手段30を鉛直方向に下降させ、回転する切削ブレード32をウェーハWの表面Waに切り込ませる。この際、切削ブレード32を、粘着シート5に至るまで切り込ませて切削を行うことにより金属膜4を切断して溝7を形成する。このような切削を図4に示した縦横に交差する全ての分割予定ラインSに沿って切削ブレード32によって行い、分割予定ラインSの全てに溝7を形成し、ウェーハWを個々のデバイスチップ8に分割する。
埋め込みステップを実施しないで分割ステップを実施する場合には、図5に示したウェーハWの凹部3に嵌合する保持面を有する保持テーブルでウェーハWを保持させ、分割ステップを実施することが望ましい。
なお、分割ステップは、切削手段30によるダイシングに限定されるものではない。例えば、レーザ加工装置を用いたレーザダイシングやプラズマエッチング装置を用いたプラズマダイシングによって分割ステップを実施してもよい。
(7)ピックアップステップ
分割ステップを実施した後、図8に示すように、コレット50によってデバイスチップ8毎に搬送する。コレット50は、デバイスチップ8を吸着する吸着面を有しており、上下方向及び水平方向に移動可能となっている。各デバイスチップ8を搬送する際には、ウェーハWの下方に配置されているUVランプ40によって、各デバイスチップ8に対応する粘着シート5に紫外線を照射して粘着力を低下させる。
分割ステップを実施した後、図8に示すように、コレット50によってデバイスチップ8毎に搬送する。コレット50は、デバイスチップ8を吸着する吸着面を有しており、上下方向及び水平方向に移動可能となっている。各デバイスチップ8を搬送する際には、ウェーハWの下方に配置されているUVランプ40によって、各デバイスチップ8に対応する粘着シート5に紫外線を照射して粘着力を低下させる。
ここで、粘着シート5が発泡剥離テープである場合には、UVランプ40は、粘着シート5の発泡剤を発泡させる波長の紫外線を、粘着シート5のうち搬送しようとするデバイスチップ8に対応する部分のみに向けて照射する。これにより、発泡剤が発泡して粘着シート5の粘着力が低下するため、粘着シート5からデバイスチップ8を剥離しやすくなる。埋め込み部材6として、粘着シート5の発泡剤を発泡させる紫外線の波長と異なる波長で硬化する紫外線硬化性樹脂を用いた場合は、埋め込み部材6を硬化させずに粘着シート5の発泡剤を発泡させる波長の紫外線を使用することで、埋め込み部材6の粘着力を低下させることなく粘着シート5のみの粘着力を低下させることができる。
次いで、コレット50は、デバイスチップ8の上面を吸着するとともに上昇し、デバイスチップ8を粘着シート5からピックアップする。そして、粘着シート5から全てのデバイスチップ8がピックアップされて搬送された時点でピックアップステップが終了する。
以上のとおり、本発明の加工方法は、粘着シート貼着ステップを実施した後に分割ステップを実施するため、ウェーハWの外径よりも小さいがデバイス領域W1に対応する凹部3の外径よりも大きい粘着シート5を凹部3の底部3aに貼着した状態でウェーハWを個々のデバイスチップ8に分割できる。凹部3の外周側に環状凸部2が形成されたウェーハWは、厚さが均一なウェーハよりも剛性が高い上に、粘着シート5を凹部3の底部3aに貼着したことにより、ウェーハWの搬送、分割時においてリングフレームを使用する必要がないため、ウェーハWのハンドリングが容易となるとともに、リングフレームのサイズに合わせて過度に加工装置を大型化させることなくウェーハWを加工することが可能となる。また、粘着シート5が凹部3の底部3aに貼着されている状態でウェーハWを分割するため、分割によって形成されたデバイスがバラバラにならず、後のピックアップステップによってピックアップすることができる。
また、本発明の加工方法では、粘着シート貼着ステップを実施した後分割ステップを実施する前に、埋め込みステップを実施するため、埋め込み部材6を隙間なくウェーハWの凹部3に埋めることができ、平坦な保持面を有する従来の保持テーブルを用いてウェーハWを保持し分割ステップを実施できる。
また、本発明の加工方法では、粘着シート貼着ステップを実施した後分割ステップを実施する前に、埋め込みステップを実施するため、埋め込み部材6を隙間なくウェーハWの凹部3に埋めることができ、平坦な保持面を有する従来の保持テーブルを用いてウェーハWを保持し分割ステップを実施できる。
従来において、ウェーハに形成された環状凸部と凹部との境界を切削ブレードで切削して環状凸部を除去した後にウェーハを個々のデバイスチップに分割する場合、当該境界の切削時にウェーハを破損させないようにするためには、環状凸部の内周に沿って境界の比較的内側を切削して環状凸部を除去しなくてはならず、デバイス領域を狭めてしまうという問題があるが、本発明の加工方法では、環状凸部を除去することなく分割ステップを実施するため、デバイス領域として使用可能なウェーハWの有効領域を広げることが可能となる。
W:ウェーハ Wa:表面 Wb:裏面
S:分割予定ライン D:デバイス W1:デバイス領域 W2:外周余剰領域
1:保護テープ 2:環状凸部 3:凹部 3a:底部 4:金属膜 5:粘着シート 6:埋め込み部材 7:溝 8:デバイスチップ
10:研削手段 11:スピンドル 12:スピンドルハウジング 13:研削ホイール
14:研削砥石
20,20a:保持テーブル 21:保持面
30:切削手段 31:スピンドル 32:切削ブレード
40:UVランプ 50:コレット
S:分割予定ライン D:デバイス W1:デバイス領域 W2:外周余剰領域
1:保護テープ 2:環状凸部 3:凹部 3a:底部 4:金属膜 5:粘着シート 6:埋め込み部材 7:溝 8:デバイスチップ
10:研削手段 11:スピンドル 12:スピンドルハウジング 13:研削ホイール
14:研削砥石
20,20a:保持テーブル 21:保持面
30:切削手段 31:スピンドル 32:切削ブレード
40:UVランプ 50:コレット
Claims (2)
- 交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウェーハの加工方法であって、
該デバイス領域に対応するウェーハの裏面を研削して凹部を形成するとともに該凹部を囲繞する環状凸部を形成する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、ウェーハの外径サイズ以下かつ該凹部の外径以上のサイズを有し、外的刺激により粘着力が低下する粘着シートを該凹部の底部に貼着する粘着シート貼着ステップと、
該粘着シート貼着ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿ってウェーハを分割する分割ステップと、
該分割ステップを実施した後、デバイスに対応する該粘着シートに該外的刺激を付与してデバイスをピックアップするピックアップステップと、を備えたウェーハの加工方法。 - 前記粘着シート貼着ステップを実施した後、前記分割ステップを実施する前に、前記粘着シートが貼着された前記凹部に埋め込み部材を埋め込む埋め込みステップを更に備えたウェーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014021212A JP2015149386A (ja) | 2014-02-06 | 2014-02-06 | ウェーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014021212A JP2015149386A (ja) | 2014-02-06 | 2014-02-06 | ウェーハの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015149386A true JP2015149386A (ja) | 2015-08-20 |
Family
ID=53892533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014021212A Pending JP2015149386A (ja) | 2014-02-06 | 2014-02-06 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015149386A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017073438A (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 株式会社ディスコ | デバイスの製造方法 |
JP2020032518A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP7497121B2 (ja) | 2020-09-25 | 2024-06-10 | 株式会社ディスコ | 保持テーブル |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141276A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009158536A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2009212440A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
-
2014
- 2014-02-06 JP JP2014021212A patent/JP2015149386A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141276A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009158536A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2009212440A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017073438A (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 株式会社ディスコ | デバイスの製造方法 |
JP2020032518A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP7111562B2 (ja) | 2018-08-31 | 2022-08-02 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP7497121B2 (ja) | 2020-09-25 | 2024-06-10 | 株式会社ディスコ | 保持テーブル |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4462997B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
KR102216978B1 (ko) | 서포트 플레이트, 서포트 플레이트의 형성 방법 및 웨이퍼 가공 방법 | |
KR102432506B1 (ko) | 웨이퍼 가공 방법 및 중간 부재 | |
JP2010062375A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2015217461A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
CN103700584A (zh) | 表面保护部件以及加工方法 | |
JP2010186971A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2012015256A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5762213B2 (ja) | 板状物の研削方法 | |
JP2011216763A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
KR20180131389A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2007287796A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2015149386A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
TW201822267A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP2014003199A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5912805B2 (ja) | 板状物の転写方法 | |
JP6621338B2 (ja) | 被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法 | |
JP6016569B2 (ja) | 表面保護テープの剥離方法 | |
JP2013041908A (ja) | 光デバイスウェーハの分割方法 | |
JP5912310B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2011124265A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR102535551B1 (ko) | 피가공물의 연삭 방법 | |
JP7184621B2 (ja) | 剥離方法 | |
JP5908672B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2013187281A (ja) | 被加工物の加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170831 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170830 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180327 |