JP2016119432A - レーザーダイシング用補助シート - Google Patents

レーザーダイシング用補助シート Download PDF

Info

Publication number
JP2016119432A
JP2016119432A JP2014259688A JP2014259688A JP2016119432A JP 2016119432 A JP2016119432 A JP 2016119432A JP 2014259688 A JP2014259688 A JP 2014259688A JP 2014259688 A JP2014259688 A JP 2014259688A JP 2016119432 A JP2016119432 A JP 2016119432A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base film
mass
auxiliary sheet
functional layer
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014259688A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6401043B2 (ja
Inventor
阿部 信行
Nobuyuki Abe
信行 阿部
隆之 倉科
Takayuki Kurashina
隆之 倉科
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kimoto Co Ltd
Original Assignee
Kimoto Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kimoto Co Ltd filed Critical Kimoto Co Ltd
Priority to JP2014259688A priority Critical patent/JP6401043B2/ja
Priority to TW104140555A priority patent/TWI689571B/zh
Priority to CN201510883367.7A priority patent/CN105728958B/zh
Priority to US14/969,540 priority patent/US20160189997A1/en
Priority to DE102015016840.1A priority patent/DE102015016840A1/de
Publication of JP2016119432A publication Critical patent/JP2016119432A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6401043B2 publication Critical patent/JP6401043B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】 高出力のレーザー光を用い、スキャン速度を高めて被加工物をダイシングしても、基材フィルムの加工用テーブルへの局所的な付着を生じることがなく、その後の作業性を低下させないレーザーダイシング用補助シートを提供する。【解決手段】基材フィルムの一方の面に粘着層が積層されたレーザーダイシング用補助シートにおいて、基材フィルムの他方の面(ダイシング時に加工用のチャックテーブルに接する面)に、機能層が積層してあり、前記機能層は、一次粒子の平均粒子径が5〜400nmの金属酸化物微粒子と、結着材としての熱可塑性樹脂のエマルション粒子とを含む混合物を用いて形成されたことを特徴とする。【選択図】 なし

Description

本発明は、レーザー光により半導体ウェハ等の被加工物をダイシングする際に使用するレーザーダイシング用補助シートに関する。
熱ダメージが少なく、高精細の加工が可能なレーザー光を用いた半導体ウェハの切断方法が知られている。この技術は、例えば、基板に様々な回路形成及び表面処理を行った被加工物をダイシング用補助シートに固定し、これとは相対的に所定速度で通過するレーザー光により被加工物をダイシングして、小片にチップ化する方法である(特許文献1)。また、基材フィルムを含む基材と、この基材の表面に形成された粘着層とから構成され、レーザー光により粘着層は切断されるが基材フィルムは切断されない(つまりフルカットされない)ダイシング用補助シートも提案されている(特許文献2)。
しかしながら、被加工物のダイシングにレーザー光を用いる場合、粘着層のみを切断し、基材フィルムを切断しないように制御することは難しい。仮に、粘着層のみを切断することができたとしても、レーザー光の照射部において、基材フィルムの背面(裏面)が、ダイシング装置における加工用のチャックテーブルに局所的に強固に付着することがある。そのため、以降の工程、つまり、基材フィルムを延伸して被加工物を剥離し、これを個々に回収する工程等に支障をきたすという問題があった。
このような問題を解決するものとして、基材フィルムの裏面(チャックテーブルと対向する側)に、特定の溶融保護層を形成する技術が提案されている(特許文献3)。この特許文献3では、溶融保護層に配合する無機粒子として、粒径が1μmから数百μmのものを用いる旨が記載されている(段落0016、段落0054)。
特開2004−79746号公報 特開2002−343747号公報 特開2008−49346号公報
特許文献3の技術によると、レーザー光の照射部において、局部にレーザー光のエネルギーが集中することにより生じる基材フィルムの溶融を効果的に防止することができ、その結果、基材フィルムの背面がダイシング装置における加工用テーブルに局所的に付着する現象を防止することができる。
ところで近年、半導体チップや光デバイスチップ等の被加工物のチップ化物に対し、より一層、小型化・薄型化することが求められてきている。これに対応するため、半導体ウェハや光デバイスウェハ等の基板も薄型化させる必要が生じてきた。かかる半導体ウェハや光デバイスウェハ等の基板を薄型化させると、通常、強度が低下することになるが、これを担保するために従来よりも高い硬度を有する基板、例えば、サファイア基板や銅に銀蒸着した基板等が用いられるようになってきた。
こうした高い硬度の基板を有する半導体ウェハ等をダイシングする場合、特許文献3による技術では、レーザー光の照射条件が緩く(平均出力:5W、スキャン速度:20mm/秒。段落0052)、この条件では高硬度の基板を有する被加工物のチップ化作業に時間がかかり(長時間、照射しないと被加工物がフルカットされない)、生産性の低下が懸念される。そこで、レーザー光の照射出力を上げ、かつスキャン速度を高めて検証してみたが、この場合、レーザー光の照射部において基材フィルムに溶融が見られ、その結果、基材フィルムの背面がダイシング装置における加工用テーブルに付着する現象を生じた。
本発明の一側面では、高出力のレーザー光を用い、スキャン速度を高めて被加工物をダイシングしても、基材フィルムの加工用テーブルへの局所的な付着を生じることがなく、その後の作業性を低下させないレーザーダイシング用補助シートを提供する。
本発明者らは、特許文献3の技術において、生産性を高めるべく、レーザー光の照射出力を上げ、かつスキャン速度を高めた場合、レーザー光の照射部において基材フィルムに溶融が見られたのは、配合した粒子の粒径が比較的大きかった(1μm以上)からではないかとの仮説をたて、鋭意検討した。その結果、基材フィルムの背面(ダイシング時に加工用のチャックテーブルに接する面)に、細かな微粒子を結着材としての熱可塑性樹脂のエマルション粒子とともに含む特定組成の混合物を用いて形成した機能層を積層することにより、上記性能を備えたレーザーダイシング用補助シートを得ることができることを見出し、本発明を完成させた。
本発明のレーザーダイシング用補助シートは、基材フィルムの一方の面に粘着層が積層されたものにおいて、前記基材フィルムの他方の面に、機能層が積層してあり、前記機能層は、一次粒子の平均粒子径が5〜400nmの金属酸化物微粒子と、結着材としての熱可塑性樹脂のエマルション粒子とを含む混合物を用いて形成されたことを特徴とする。
本発明は、以下の態様を含む。
(1)機能層は、厚みが0.5μm以上10μm以下に調整されていることが望ましい。
(2)機能層は、その露出側の表面粗さが、Ra:0.2μm以上、1.5μm以下に調整されていることが望ましい。
(3)機能層の形成に用いる混合物中の固形分の合計を100質量%としたとき、金属酸化物粒子と熱可塑性樹脂のエマルション粒子との割合を、固形分換算で、金属酸化物粒子:10〜90質量%、熱可塑性樹脂のエマルション粒子:90〜10質量%とすることができる。
本発明のレーザーダイシング用補助シートは、基材フィルムの背面(ダイシング時に加工用のチャックテーブルに接する面)に、特定組成の混合物を用いて形成した機能層を積層したので、高出力のレーザー光を用い、スキャン速度を高めて被加工物をダイシングしても、基材フィルムの加工用テーブルへの局所的な付着を生じることがなく、その後の作業性を低下させることがない。
以下、基材フィルムの一方の面を「表面」といい、基材フィルムの他方の面(「表面」とは反対面)を「裏面」ということもある。
本発明のレーザーダイシング用補助シートは、主として、基材フィルムと、基材フィルムの表面に積層された粘着層と、基材フィルムの裏面に積層された機能層とから構成される。以下、半導体ウェハの加工作業を例にとり、各構成要素の実施の形態について説明する。
<機能層>
基材フィルムの裏面に積層される機能層は、レーザー光の照射によって溶融しない、もしくは溶融しにくい層であって、レーザー光のエネルギーが集中する部位において、基材フィルムの溶融等によって基材フィルムが加工用テーブル等に付着しないように、基材フィルムの裏面側を保護するための層である。
機能層は、金属酸化物微粒子と、結着材としての熱可塑性樹脂とを含む混合物から形成される。
金属酸化物微粒子としては、例えば、ケイ素の酸化物、スズの酸化物、アルミニウムの酸化物、ジルコニウムの酸化物などの微粒子が挙げられる。具体的には、コロイダルシリカ、コロイダルアルミナ、酸化ジルコニウム/シリカ複合ゾル、酸化スズ/シリカ複合ゾル、アンチモン酸亜鉛ゾル、リンドープ酸化スズ水分散ゾル、微小コロイダルジルコニア水性ゾル等が用いられる。中でも、コロイダルシリカが好ましく用いられる。コロイダルシリカとしては、アルミニウムで表面処理されたコロイダルシリカが好ましく用いられる。コロイダルシリカの形状としては、球形のものが好ましく用いられる。
本発明で使用する金属酸化物微粒子は、凝集前の一次粒子の平均粒子径が5nm以上、好ましくは10nm以上であって、400nm以下、好ましくは250nm以下、より好ましくは150nm以下、さらに好ましくは100nm以下、最も好ましくは50nm以下である必要がある。金属酸化物微粒子であってもその一次粒子の平均粒子径が5nm未満であったり、また400nmを超えるものであると、基材フィルムの裏面に塗膜(機能層)を形成しても、レーザー光のエネルギーが集中する部位において、基材フィルムの溶融等による加工用テーブル等への付着を防止することができない。このように配合する金属酸化物微粒子の一次粒子の平均粒子径が、レーザー光のエネルギーが集中する部位における基材フィルムの溶融等に影響を与える理由は必ずしも明らかではないが、金属酸化物微粒子の一次粒子の平均粒子径が小さいと、レーザー光が金属酸化物微粒子により散乱または吸収されるので、レーザー光の強度が弱められる。レーザー光の強度が弱められると、機能層の樹脂の溶融が抑えられ、その結果、溶融しにくくなるのではないかと推測される。
上記平均粒子径は、例えば、動的光散乱法粒子径分布測定装置(ベックマンコールター社製、「サブミクロン粒子アナライザーDelsaNano S」)等の粒子径分布測定装置を用いて測定することができる。また例えば、透過型電子顕微鏡(TEM)や走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた画像解析を利用して測定(特定)することもできる。
上記平均粒子径を満足するコロイダルシリカとしては、市販品を用いることができる。市販品としては、例えば、スノーテックスST−50(粒子径20〜24nm)、スノーテックスST−30MI(粒子径20〜24nm)、スノーテックスST−C(粒子径10〜15nm、アルミニウム表面処理品)、スノーテックスST−CM(粒子径20〜24nm、アルミニウム表面処理品)、スノーテックスST−N(粒子径10〜15nm)、スノーテックスST−XL(粒子径40〜50nm)、スノーテックスST−YL(粒子径50〜80nm、アルカリ性ゾル)、スノーテックスST−ZL(粒子径70〜90nm)、スノーテックスMP−1040(粒子径100nm)、スノーテックスMP−2040(粒子径200nm)、スノーテックスMP−3040(粒子径300nm)(以上、日産化学工業社製)、アデライトAT−50(粒子径20〜30nm)(旭電化工業社製)等を用いることができる。以上列挙したコロイダルシリカは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
また、上記平均粒子径を満足する、コロイダルシリカ以外の金属酸化物微粒子についても市販品を用いることができる。例えば、ナノユースZR−30BS(粒子径30〜80nm、アルカリ性ゾル)、ナノユースZR−40BL(粒子径70〜110nm、アルカリ性ゾル)、ナノユースZR−30BFN(粒子径10〜30nm、アルカリ性ゾル)、セルナックスCX−Sシリーズ(CX―S301H等)、アルミナゾル100、アルミナゾル200(以上、日産化学工業社製)を用いることができる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂(PETなど)などが挙げられ、これらの中の1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
ポリオレフィン系樹脂は、特に限定されるものではなく、種々のポリオレフィンを用いることができる。例えば、エチレン単独重合体、プロピレン単独重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−α−オレフィン共重合体、及びプロピレン−α−オレフィン共重合体等が挙げられる。また、上記α−オレフィンは、通常、炭素数3〜20の不飽和炭化水素化合物であり、プロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−ヘプテン、3−メチル−1−ブテン、4−メチル−1−ペンテン等が挙げられる。
ポリオレフィン系樹脂は、酸変性されているもの、すなわち酸性基(例えば不飽和カルボン酸成分など)を有しているものが好ましい。
酸変性ポリオレフィン系樹脂中の不飽和カルボン酸成分の含有量は、0.1〜30質量%程度の少量であることが好ましい。この量は、後述する樹脂の水性化のし易さなどの観点から、0.5〜22質量%が好ましく、0.5〜15質量%がより好ましく、1〜10質量%がさらに好ましく、1〜5質量%が特に好ましい。不飽和カルボン酸成分の含有量が30質量%を超えると耐水性や基材との密着性が低下するおそれがある。
不飽和カルボン酸成分は、不飽和カルボン酸や、その無水物により導入され、具体的には、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、イタコン酸、無水イタコン酸、フマル酸、クロトン酸等のほか、不飽和ジカルボン酸のハーフエステル、ハーフアミド等が挙げられる。中でもアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸が好ましく、特にアクリル酸、無水マレイン酸が好ましい。また、不飽和カルボン酸成分は、酸変性ポリオレフィン系樹脂中に共重合されていればよく、その形態は限定されず、例えば、ランダム共重合、ブロック共重合、グラフト共重合等が挙げられる。
これらのポリオレフィン系樹脂は1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。即ち、ポリオレフィン系樹脂は上記重合体の混合物であってもよい。
ポリアミド樹脂は、アミド結合(−NH−CO−)を介して複数の単量体が重合されてなる鎖状骨格を有する重合体である。
ポリアミド樹脂を構成する単量体としては、アミノカプロン酸、アミノウンデカン酸、アミノドデカン酸、パラアミノメチル安息香酸等のアミノ酸、ε−カプロラクタム、ウンデカンラクタム、ω−ラウリルラクタム等のラクタム等が挙げられる。これらの単量体は1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
ポリアミド樹脂は、ジアミンとジカルボン酸との共重合により得ることもできる。この場合、単量体としてのジアミンとしては、エチレンジアミン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,6−ジアミノヘキサン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカン、1,11−ジアミノウンデカン、1,12−ジアミノドデカン、1,13−ジアミノトリデカン、1,14−ジアミノテトラデカン、1,15−ジアミノペンタデカン、1,16−ジアミノヘキサデカン、1,17−ジアミノヘプタデカン、1,18−ジアミノオクタデカン、1,19−ジアミノノナデカン、1,20−ジアミノエイコサン、2−メチル−1,5−ジアミノペンタン、2−メチル−1,8−ジアミノオクタン等の脂肪族ジアミン、シクロヘキサンジアミン、ビス−(4−アミノシクロヘキシル)メタン等の脂環式ジアミン、キシリレンジアミン(p−フェニレンジアミン及びm−フェニレンジアミン等)等の芳香族ジアミン等が挙げられる。これらの単量体は1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。単量体としてのジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、ブラシリン酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、オクタデカン二酸のような脂肪族ジカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸のような脂環式ジカルボン酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸のような芳香族ジカルボン酸等が挙げられる。これらの単量体は1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらのポリアミドは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明において混合物中の結着材(上記熱可塑性樹脂)は、エマルション粒子とする必要がある。エマルション粒子を用いると、上記非常に細かな金属酸化物微粒子を点結着することが可能となり、同量の溶剤可溶型結着材を用いた場合と比較して結着力が強くなる傾向があり、より少量の結着材で金属酸化物微粒子を結着することができる。
すなわち本発明では、上記熱可塑性樹脂として、水性のエマルションの状態で供給されるものを用いる。
中でも、本発明で使用する上記熱可塑性樹脂の水性エマルション(水性分散体)は、不揮発性水性化助剤を実質的に含有しないものであることが望ましい。
「不揮発性水性化助剤を実質的に含有しない」とは、本発明で使用する上記熱可塑性樹脂の水性エマルションの製造時に、不揮発性水性化助剤を積極的には系に添加しないことにより、結果的にこれらを含有しないことを意味する。不揮発性水性化助剤は、エマルション中の含有量がゼロであることが特に好ましいが、本発明の効果を損ねない範囲で、ポリオレフィン系樹脂成分に対して0.1質量%未満、含まれていても差し支えない。
ここで、「水性化助剤」とは、エマルションの製造において、水性化促進やエマルションの安定化の目的で添加される薬剤や化合物のことである。「不揮発性」とは、常圧で高沸点(例えば300度以上の沸点)であるか、沸点を有さないことを指す。
本発明でいう「不揮発性水性化助剤」としては、例えば、乳化剤、保護コロイド作用を有する化合物、変性ワックス類、高酸価の酸変性物、水溶性高分子などが挙げられる。
ポリオレフィン樹脂のエマルションとしては、ユニチカ社のアローベース(登録商標)シリーズ、および東洋紡績社のハードレン(登録商標)シリーズの各種エマルションが挙げられる。
アローベースシリーズのエマルションとしては、例えばCB−1010(PE骨格、有効成分濃度:20%)、CB−1200(PE骨格、有効成分濃度:23質量%)、CD−1200(PE骨格、有効成分濃度:20質量%)、SB−1200(PE骨格、有効成分濃度:25質量%)、SD−1200(PE骨格、有効成分濃度:20質量%)、SE−1200(PE骨格、有効成分濃度:20質量%、アニオン性)、TC−4010(PP骨格、有効成分濃度:25質量%)、TD−4010(PP骨格、有効成分濃度:25質量%)等の1種または2種以上が挙げられる。
ハードレンシリーズのエマルションとしては、塩素化ポリオレフィンであるEW−5303(塩素含有量:17質量%、樹脂濃度:30質量%)、EW−5504(塩素含有量:16質量%、樹脂濃度:40質量%)、EW−8511(塩素含有量:16質量%、樹脂濃度:30質量%)、EZ−1000(塩素含有量:21質量%、樹脂濃度:30質量%)、EZ−2000(塩素含有量:20質量%、樹脂濃度:30質量%)、EH−801J(塩素含有量:16質量%、樹脂濃度:30質量%)、EW5313−4(塩素含有量:10質量%、樹脂濃度:30質量%)、EW−5515(塩素含有量:15質量%、樹脂濃度:30質量%)、EZ−1001(塩素含有量:17質量%、樹脂濃度:30質量%)、EZ−2001(塩素含有量:14質量%、樹脂濃度:30質量%)、EZ−1001E(塩素含有量:16.5質量%、樹脂濃度:30質量%)等の1種または2種以上が挙げられる。
ポリアミド系樹脂のエマルションとしては、ユニチカ社の型番M3−C−2225(有効成分濃度:25質量%)、M4−C−X025(有効成分濃度:25質量%)、MC−2220(有効成分濃度:20質量%)、MA−X020(有効成分濃度:20質量%)、MD−X020(有効成分濃度:20質量%)、ME−X025(有効成分濃度:25質量%)、ME−X020(有効成分濃度:20質量%)等の1種または2種以上が挙げられる。
機能層の形成に用いる混合物には、本発明の効果を損なわない限りにおいて、必要に応じてレベリング剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤などの添加成分を配合してもよい。
機能層の形成に用いる混合物中の各成分の配合比率は、全体を100質量%としたとき、金属酸化物微粒子:10〜90質量%、熱可塑性樹脂のエマルション粒子:10〜90質量%、および添加成分:0〜10質量%であることが好ましい。
金属酸化物微粒子と熱可塑性樹脂のエマルション粒子との配合比率は、それぞれ、前記組成物の10〜90質量%と90〜10質量%の範囲とすることが好ましく、35〜65質量%と65〜35質量%の範囲とすることがより好ましく、40〜60質量%と60〜40質量%がさらに好ましい。最も好ましくは、金属酸化物微粒子:45〜55質量%、熱可塑性樹脂のエマルション粒子:55〜45質量%である。これらの配合であるとき、形成される機能層の、基材フィルムとは反対面(露出側)の表面粗さを後述の範囲に調整しやすく、これにより基材フィルムの融解等による加工テーブルへの付着を、より有効に防止することができる。特に、金属酸化物微粒子と熱可塑性樹脂のエマルション粒子との配合比率が、45〜55質量%と55〜45質量%(実質的に1:1)であるとき、機能層の前記表面粗さが最適となり、その結果、基材フィルムの融解等による加工テーブルへの付着を、より一層、有効に防止することが期待できる。
結着材としての熱可塑性樹脂のエマルション粒子の割合が90質量%を超えると、金属酸化物微粒子の割合が10質量%未満となり、基材フィルムの裏面に塗膜(機能層)を形成しても、レーザー光のエネルギーが集中する部位において、基材フィルムの溶融等による加工用テーブル等への付着を防止することができない。熱可塑性樹脂のエマルション粒子の割合が10質量%を下回る場合には、塗膜(機能層)形成がしにくくなり、クラックが生じやすくなる。添加成分の配合量は、金属酸化物微粒子、熱可塑性樹脂のエマルション粒子および添加成分からなる組成物の固形分中0〜10質量%であり、好ましくは1〜8質量%である。
機能層は、任意の方法で基材フィルムの裏面に積層することができる。例えば、上記各成分を分散媒中で混合、分散し、塗料(混合物の一例)を得た後、これを基材フィルムの裏面に当該分野で公知の方法により塗布し、乾燥する方法(塗布法)、上記各成分の混合溶融物(混合物の一例)を基材フィルムの裏面に積層する方法(溶融押出し法)、上記各成分の混合物と基材フィルムの構成物とを共押出しして機能層を基材フィルムの裏面に積層する方法(共押出し法)などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
塗布法による場合の、塗料中の分散媒は、環境や安全性の点から、水性媒体とすることが望ましい。水性媒体とは、水単独、または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒である。有機溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルスルホルアミド、テトラメチル尿素、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、γ-ブチロラクトン、イソプロパノールが挙げられる。
塗料の、混合、分散の手段は特に限定されず、ホモジナイザー、ディゾルバー、プラネタリミキサー等の公知の混合装置を用いることができる。金属酸化物微粒子、結着材および添加成分の合計固形分比率は、塗料全体の3〜20質量%が好ましく、より好ましくは5〜15質量%である。
塗料の塗布方法としては、バーコーター塗工、エアナイフ塗工、グラビア塗工、グラビアリバース塗工、リバースロール塗工、リップ塗工、ダイ塗工、ディップ塗工、オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷など種々の方法を採用することができる。
押出し法による場合の、溶融混練温度は、上記各成分の混合物が溶融し、混練するのに適した温度であればよい。押出方法は、特に制限されないが、インフレーション押出法、Tダイ押出法などであってよい。
機能層の厚みは、特に限定されないが、例えば0.5μm以上、好ましくは1μm以上であって、例えば10μm以下、好ましくは3μm以下、より好ましくは2μm以下程度とすることが望ましい。この範囲内の膜厚で機能層を形成することにより、基材フィルムの融解等による加工テーブルへの付着を、より有効に防止することができる。
なお、機能層の厚みが厚すぎると(例えば10μm超)、機能層にクラックが生じやすくなる。
機能層は、基材フィルムとは反対面(露出側)の表面粗さが0.2μm以上、好ましくは0.3μm以上であって、1.5μm以下、好ましくは1.0μm以下に調整されていることが望ましい。機能層の露出側の表面粗さを調整することにより、基材フィルムの融解等による加工テーブルへの付着を、より有効に防止することができる。
ここで、表面粗さとは、機能層の露出側のJIS B0601に定義された算術平均粗さ(Ra)を意味する。算術平均粗さ(Ra)は、例えば触針式表面粗さ測定機(商品名SURFCOM 1500SD2−3DF、東京精密社製)を使用して測定することができる。
<基材フィルム>
基材フィルムは、自己支持性の公知のフィルムから選択することができる。基材フィルムは、均一な厚みを有するシート状であることが好ましいが、メッシュ状等の形態であってもよい。また、基材フィルムは単一層であってもよいし、2層以上の多層構造であってもよい。
基材フィルムの材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、ポリアルキレングリコール系樹脂、ポリオレフィン系樹脂(ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂等)、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂等からなる高分子フィルム;銅、アルミニウム、ステンレス等の金属シート;PP、PVC、PE、PU、PS、POまたはPETなどのポリマー繊維、レーヨンまたは酢酸セルロースなどの合成繊維、綿、絹または羊毛などの天然繊維およびガラス繊維または炭素繊維などの無機繊維からなる不織布;これら材料の延伸加工、含浸加工等により物理的又は光学的な機能が付与されたシート;ジエン系(スチレン−ブタジエン共重合体、ブタジエン等)、非ジエン系(イソブチレン−イソプレン、塩素化ポリエチレン、ウレタン系等)、熱可塑性系(熱可塑性エラストマー等)等のゴム成分を含むシート;あるいはこれら1種以上を組み合わせたものなどが挙げられる。
中でも、ポリオレフィン系樹脂、具体的には、ポリエチレン(例えば、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン等)、ポリプロピレン(例えば、延伸ポリプロピレン、非延伸ポリプロピレン等)、エチレン共重合体、プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン共重合体等が好ましい。基材フィルムが多層構造の場合には、少なくとも1層がポリオレフィン系樹脂で形成されていることが好ましい。
特に、これらの基材フィルム材料は、以下に説明するように、光透過率、積層状態、破断伸度、吸光係数、融点、厚み、破断強度、比熱、エッチングレート、Tg、熱変形温度及び比重等の少なくとも1種の特性、2種以上の特性、好ましくは全ての特性を考慮して、被加工物を切断するレーザー光によって切断されにくいものを選択することが好ましい。
基材フィルムは、50μm以上の厚みを有することが好ましく、100μm以上、150μm以上がより好ましく、さらに50〜500μm程度が好ましい。これにより、例えば、半導体ウェハへの貼り合わせ、半導体ウェハの切断及び半導体チップからの剥離などの各工程における操作性や作業性を確保することができる。
基材フィルムは、適用範囲内の膜厚において、レーザー光の透過率、特に、波長355nm付近から600nm付近のレーザー光の透過率が50%程度以上、好ましくは55%程度以上、より好ましくは60%程度以上、さらに好ましくは65%程度以上であることが望ましい。光透過率は、例えば、紫外可視分光光度計を用いて測定することができる。これにより、基材フィルム自体のレーザー光による劣化を防止することができる。なお、基材フィルムの光透過率は、機能層が存在しない状態での値を意味する。
基材フィルムは、材料の異なる2層以上の積層構造を有することが好ましい。ここで材料が異なるとは、その組成が異なるもののみならず、組成は同じであるが、分子構造、分子量等の違いによって特性が異なるものが包含される。例えば、上述した吸光係数、融点、破断強度、破断伸度、光透過率、比熱、エッチングレート、熱伝導率、Tg、熱変形温度、熱分解温度、線膨張係数及び比重等の少なくとも1種の特性が異なるものを積層したものが適当である。
中でも、2層以上の積層構造のうち、少なくとも1層がベンゼン環を含有しない樹脂、鎖状の飽和炭化水素系樹脂、例えば、ポリオレフィン系樹脂であるものが好ましい。
ポリオレフィン系樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン共重合体、プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブタジエン、ポリビニルアルコール、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル等の1種以上を用いることができる。中でも、エチレン及びプロピレン系(共)重合体、さらに、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン共重合体、プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン共重合体の少なくとも1種であることが好ましい。これらの材料を選択することにより、適当な伸張性と、レーザー加工に対する適当な強度とのバランスを図ることができる。
基材フィルムが積層構造の場合は、ポリエチレン樹脂層とポリプロピレン樹脂層との双方を含むことが好ましい。特に、これらの層を含む2層又は3層構造であることがより好ましい。この場合、ポリプロピレン樹脂層が粘着層に遠い位置に配置されていることがより好ましい。例えば、2層構造の場合には、基材フィルムの背面側にポリプロピレン樹脂層、粘着層側にポリエチレン樹脂層が配置され、3層構造の場合には、基材フィルムの背面側又はそれより1層粘着層側にポリプロピレン樹脂層が配置され、粘着層側にポリエチレン樹脂層が配置されていることが好ましい。このような配置により、レーザー加工時に基材フィルムの一部が損傷しても、最も背面側に存在する、比較的軟質の樹脂であるポリプロピレン樹脂層によって、基材フィルムに適当な伸張性を確保することができるためである。
基材フィルムは、少なくとも破断伸度の異なる2層以上の層を含むことが好ましい。破断伸度は、例えば、万能引張試験機により引張速度200mm/分で、JIS K−7127に基づき測定することができる。破断伸度の差異は、特に限定されないが、例えば、100%程度以上、好ましくは300%程度以上である。この場合、破断伸度の大きい層が粘着層に遠い位置に配置されていることがより好ましい。つまり、基材フィルムの背面、つまり、レーザー光によって切断されにくい側において、伸張性が良好な層を配置することが好ましい。
特に、基材フィルムは、100%以上の破断伸度を有していることが好ましい。基材フィルムが積層構造である場合は、必ずしも全ての層が100%以上の破断伸度を有していなくてもよいが、少なくとも、基材フィルムの最も背面側に配置されていることが好ましい。特に、破断伸度が100%以上であり、かつ破断強度が上述した範囲の基材フィルムは、レーザーダイシングを行った後にダイシングシートを引き伸ばして、被加工物を切断して形成したチップを離間しやすくなり、好ましい。
基材フィルムは、少なくとも破断強度の異なる2層以上の層を含むことが好ましい。ここで、破断強度は、万能引張試験機により引張速度200mm/分で、JIS K−7127に基づいて測定することができる。破断強度の差異は、特に限定されないが、例えば、20MPa程度以上、好ましくは50MPa程度以上であることが適している。この場合、破断強度の大きい層が粘着層に遠い位置に配置されていることがより好ましい。つまり、基材フィルムの背面において、レーザー光によって切断されにくい強度を有する層を配置することが好ましい。
基材フィルムは、融点が90℃以上である層を含むことが好ましい。これにより、レーザー光の照射による基材フィルムの溶融を有効に防止することができる。融点は、好ましくは95℃以上、より好ましくは100℃以上、さらに好ましくは110℃以上であることが望ましい。基材フィルムが単層構造の場合は、それを構成する層自体の融点が90℃以上であることが必要であるが、基材フィルムが積層構造の場合は、必ずしも全ての層の融点が90℃以上でなくてもよく、少なくとも1層が、90℃以上の融点を有する層であることが好ましい。この場合、その1層は、レーザー加工の際に背面となる側(例えば、チャックテーブルに接触する側)に配置されることがより好ましい。
基材フィルムは、比熱が大きいものが好ましい。比熱は、例えば0.5J/g・K程度以上、好ましくは0.7J/g・K程度以上、より好ましくは0.8J/g・K程度以上、さらに好ましくは1.0J/g・K程度以上、さらにより好ましくは1.1J/g・K程度以上、最も好ましくは1.2J/g・K程度以上であることが望ましい。比熱が比較的大きいことにより、基材フィルム自体がレーザー光により発生する熱により温まりにくく、その熱の一部を基材フィルム外に逃がし易い。その結果、基材フィルムが加工されにくくなり、基材フィルムの切断を最小限に止め、かつ背面の加工用テーブルへの局所的な付着を防止することができる。比熱は、JIS K7123によって測定することができる。具体的には、示差走査熱量計(DSC)で、試料片を、10℃/mmで昇温させるために必要な熱量を実測して求めることができる。
基材フィルムは、エッチングレートが低いものが好ましい。例えば、エッチングレートは、1〜5J/cm程度のレーザー光強度で0.3〜1.5μm/パルスであることが好ましく、より好ましくは0.3〜1.2μm/パルス、さらに好ましくは0.3〜1.1μm/パルス程度であることが望ましい。特に、1〜2J/cm程度のレーザー光強度で0.9μm/パルス以下、好ましくは0.8μm/パルス以下、より好ましくは0.7μm/パルス以下であることが望ましい。エッチングレートが低いことにより、基材フィルム自体の切断を防止することができる。
基材フィルムは、ガラス転移点(Tg)が、50℃程度以下、好ましくは30℃程度以下、より好ましくは20℃程度以下又は0℃程度以下であるか、熱変形温度が、200℃程度以下、好ましくは190℃程度以下、より好ましくは180℃程度以下、さらに好ましくは170℃程度以下であるか、比重が、1.4g/cm程度以下、好ましくは1.3g/cm程度以下、より好ましくは1.2g/cm程度以下、さらに好ましくは1.0g/cm程度以下であることが望ましい。これらの特性を有することにより、基材フィルムの切断を最小限に止め、かつ背面の加工用テーブルへの局所的な付着を防止することにとって、有利である。
Tg及び熱変形温度は、例えば、JIS K7121の一般的なプラスチックの転移温度の測定方法(具体的には、示差熱分析(DTA)、示差走査熱量分析(DSC)等)を利用して測定することができる。また、比重は、例えば、JIS K7112の一般的に知られているプラスチックの密度(比重)測定方法(具体的には、水中置換法、ピクノメーター法、浮沈法、密度勾配法等)を利用して測定することができる。
なお、基材フィルムの表面は、加工装置におけるテーブル等、隣接する材料との密着性、保持性などを高めるために、例えば、クロム酸処理、オゾン曝露、火炎曝露、高圧電撃曝露及びイオン化放射線処理などの化学的又は物理的処理、あるいは下塗り剤(例えば、後述の粘着物質)によるコーティング処理等の公知の表面処理が施されていてもよい。
<粘着層>
基材フィルムの表面に積層される粘着層は、特に限定されず、例えば、紫外線、電子線等の放射線により硬化するエネルギー線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂などを含有する、当該分野で公知の粘着剤組成物を用いて形成することができる。特に、被加工物の剥離性を向上させるため、エネルギー線硬化型樹脂を用いることが好ましい。
エネルギー線を照射することにより、粘着剤内での三次元網目構造の形成のために、粘着強さを低下させることができ、使用後において剥離を容易にすることができるからである。これらの粘着剤は、限定されないが、例えば、特開2002−203816号、特開2003−142433号、特開2005−19607号、特開2005−279698号、特開2006−35277号、特開2006−111659号等に記載されているものを用いることができる。
具体的には、天然ゴムおよび種々の合成ゴムなどのゴム、またはアクリロニトリル及び炭素数1〜20程度の直鎖もしくは分枝のアルキル基を有するアクリル酸アルキル又はポリメタクリル酸アルキルから製造されるポリ(メタ)アクリル酸アルキルなどのアクリル系ポリマーを配合したものが挙げられる。
粘着剤には、多官能性モノマーを架橋剤として添加してもよい。架橋剤としては、ヘキサンジオールジ(メタ)アクレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレートおよびウレタンアクリレート等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
エネルギー線硬化型粘着剤とするために、光照射によって容易に反応しうるモノマーまたはオリゴマー、いわゆる光重合性化合物を組み合わせることが好ましい。それらの例としては、ウレタン、メタクリレート、トリメチルプロパントリメタクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタクリレートおよび4−ブチレングリコールジメタクリレート等が挙げられる。
この場合、光重合開始剤を含んでもよい。開始剤としては、4−(4−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトンなどのアセトフェノン化合物、ベンゾインエチルエーテルなどのベンゾインエーテル化合物、ケタール化合物、芳香族塩化スルホニル化合物、光活性オキシム化合物およびベンゾフェノン化合物が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
感熱粘着剤とするために、いわゆる熱発泡成分(分解型又はマイクロカプセル型)を用いてもよい。例えば、欧州特許第0523505号等に記載されているものを用いることができる。
粘着剤は、必要であれば、粘着付与剤、充填材、顔料、老化防止剤または安定化剤、軟化剤、などの任意の添加剤が混合されていてもよい。
粘着層の厚さは、特に限定されないが、十分な粘着強さを得るとともに、半導体ウェハ等から本発明のレーザーダイシング用補助シートを取り外した後に、そこに望ましくない粘着剤残渣を残存させないことを考慮して、例えば、300μm程度以下、3〜200μm程度が挙げられる。
基材フィルムの表面に積層される粘着層は、当該分野で公知の方法により形成することができる。例えば、上述したように、粘着剤成分を調製し、これを基材フィルムに塗布し乾燥することにより形成する。粘着剤成分の塗布方法としては、バーコーター塗工、エアナイフ塗工、グラビア塗工、グラビアリバース塗工、リバースロール塗工、リップ塗工、ダイ塗工、ディップ塗工、オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷など種々の方法を採用することができる。また、別途、剥離ライナーに粘着層を形成した後、それを基材フィルムに貼り合せる方法等を採用してもよい。
<レーザーダイシング用補助シートの使用方法>
本発明のレーザーダイシング用補助シートは、レーザー光を用いた各種加工、例えば以下のような半導体チップの製造工程等に好適に使用することができる。特に、本発明のレーザーダイシング用補助シートは、例えば7W以上など、レーザー光の高い照射出力が必要な用途、例えば、サファイア基板や銅に銀蒸着した基板等、高硬度基板を用いた光デバイスウェハ等の加工に使用することもできる。
以下、半導体チップの製造工程を例にとり、説明する。
半導体ウェハの回路が形成された面とは反対面に、本発明のレーザーダイシング用補助シートを貼付し、半導体ウェハの回路が形成された面からレーザー光を照射し、当該半導体ウェハを回路毎に個片化して半導体チップを製造する工程等に用いることができる。
当該ウェハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法等の従来公知の方法により行なわれる。回路は、当該ウェハの内周部表面に格子状に形成され、外周端から数mmの範囲には回路が存在しない余剰部分が残存する。当該ウェハの研削前の厚みは特に限定はされないが、通常は500〜1000μm程度である。
半導体ウェハの裏面を研削加工する際には、表面の回路を保護するために回路面側に表面保護シートを貼付してもよい。裏面研削加工は、当該ウェハの回路面側をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。裏面研削時には、まず裏面全面を所定の厚みまで研削した後に、表面の回路形成部分(内周部)に対応する裏面内周部のみを研削し、回路が形成されていない余剰部分に対応する裏面領域は研削せずに残存させる。この結果、研削後の半導体ウェハは、裏面の内周部のみがさらに薄く研削され、外周部分には環状の凸部が残存する。このような裏面研削方法は、従来公知の手法により行なうことができる。裏面研削工程の後、研削によって生成した破砕層を除去する処理が行なわれてもよい。
裏面研削工程に続いて、必要に応じ裏面にエッチング処理などの発熱を伴う加工処理や、裏面への金属膜の蒸着、有機膜の焼き付けのように高温で行われる処理を施してもよい。なお、高温での処理を行う場合には、表面保護シートを剥離した後に、裏面への処理を行なう。
裏面研削工程後、当該ウェハの回路面とは反対面に本発明のレーザーダイシング用補助シートの粘着層を対向させて貼付する。レーザーダイシング用補助シートの当該ウェハへの貼付は、マウンターと呼ばれる装置により行われるのが一般的だが、特にこれには限定されない。
次いで、ダイシング装置の加工用テーブル(チャックテーブル)上に、機能層面を下にして、レーザーダイシング用補助シート貼付した当該ウェハを配置した後、当該ウェハ側からレーザー光を照射し、当該ウェハをダイシングする。
本発明においては、高硬度の半導体ウェハをフルカットするために、エネルギー密度が高い短波長のレーザー光が好適に使用される。このような短波長レーザーとしては、例えば、400nm以下の発振波長を有するレーザー、具体的には、発振波長248nmのKrFエキシマレーザー、308nmのXeCIエキシマレーザー、Nd−YAGレーザーの第3高調波(355nm)、第4高調波(266nm)などが挙げられる。ただし、400nm以上の発振波長を有するレーザー(例えば、波長750〜800nm付近のチタンサファイヤレーザー等、パルス幅が1×10−9秒(0.000000001秒)以下)を用いてもよい。
レーザー光の強度、照度は、切断する当該ウェハの厚みに依存するが、当該ウェハをフルカットできる程度であればよい。
レーザー光は回路間のストリートに照射され、当該ウェハを回路毎にチップ化する。ひとつのストリートをレーザー光が走査する回数は1回であっても複数回であってもよい。好ましくは、レーザー光の照射位置と、回路間のストリートの位置をモニターし、レーザー光の位置合わせを行いながら、レーザー光の照射を行う。レーザー光のスキャン速度(加工送り速度)は、生産性を考慮すると、80mm/秒以上、好ましくは100mm/秒以上、より好ましくは130mm/秒以上であることが望ましい。
ダイシング終了後、レーザーダイシング用補助シートから半導体チップをピックアップする。ピックアップの方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の種々の方法を採用することができる。例えば、個々の半導体チップをレーザーダイシング用補助シート側からニードルによって突き上げて、突き上げられた半導体チップをピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、レーザーダイシング用補助シートの粘着層をエネルギー線硬化粘着剤で形成した場合には、ピックアップに先立ち、当該粘着層にエネルギー線(紫外線など)を照射して粘着力を低下した後にチップのピックアップを行う。
ピックアップされた半導体チップはその後、常法によりダイボンド、樹脂封止がされ半導体装置が製造される。
本発明のレーザーダイシング用補助シートを用い、半導体ウェハの回路が形成された面とは反対面を保持し、当該半導体ウェハの回路面側からレーザー光を照射してダイシングを行なうことで、当該レーザーダイシング用補助シートはフルカットされることなく半導体ウェハをフルカットすることができるため、作業性良く半導体チップを製造することができる。また、基材フィルムの裏面に機能層が積層してあるため、高硬度の半導体ウェハのダイシングに使用するレーザー光の照射出力(W)が例えば7W以上と高く、かつスキャン速度が例えば80mm/秒以上と早くても、レーザー光の照射部において、基材フィルムが溶融されず、その結果、基材フィルムの背面が、ダイシング装置における加工用テーブルに局所的に付着する現象を防止することができる。
以上、被加工物として半導体ウェハを用いた場合を例として説明したが、本発明のダイシング用補助シートはこれに限定されず、半導体パッケージ、サファイア基板や銅に銀蒸着した基板等を用いた光デバイスウェハ、ガラス基板、セラミック基板、FPC等の有機材料基板、精密部品等の金属材料等のダイシング用にも使用することができる。上述したが、本発明のダイシング用補助シートは、特に、レーザー光の高い照射出力が必要な、高硬度基板を用いた被加工物のダイシング用に好適である。
以下、本発明の実施形態をより具体化した実施例(機能層の形成法が塗布法による場合の一例)を挙げ、さらに詳細に説明する。本実施例において「部」、「%」は、特に示さない限り重量基準である。
なお、本例において、微粒子A及びB、樹脂C〜Eは次のものを用いた。
[微粒子A]コロイダルシリカ(スノーテックスST−C:日産化学工業社、シリカ微粒子分散液(シリカゾル)、固形分20%、一次粒子の平均粒子径:10〜15nm)
[微粒子B]ジルコニア(ナノユースZR−30BFN:日産化学工業社、ジルコニア微粒子分散液(ジルコニアゾル)、固形分30%、一次粒子の平均粒子径:10〜30nm)
[樹脂C]変性ポリオレフィン樹脂(アローベースTC4010:ユニチカ社、酸変性ポリオレフィン樹脂(PP骨格)水性分散体、有効成分濃度:25%、酸変性量:5質量%以下、融点:130〜150℃、乳化剤を不含有)
[樹脂D]ポリアミド樹脂(ME−X025:ユニチカ社、ポリアミド樹脂水性分散体、有効成分濃度:25%、融点:150〜160℃)
[樹脂E]ポリエステル樹脂(バイロンGK880:東洋紡績社、溶剤可溶型、有効成分濃度:100%、融点:84℃、重量平均分子量:18000)
[実験例1〜10]
<1.レーザーダイシング用補助シートの作製>
基材として厚み160μmのポリエチレンフィルムの一方の面に、下記組成の粘着層用塗布液を乾燥後の厚みが25μmとなるようにバーコーティング法により塗布、乾燥して粘着層を形成した。次に、ポリエチレンフィルムの他方の面に、下記組成の機能層用塗布液を乾燥後の厚みが1.5μmとなるようにバーコーティング法により塗布、乾燥して機能層を形成し、レーザーダイシング用補助シートを作製した。
<粘着層用塗布液の組成>
・アクリル系感圧接着剤 100部
(コーポニールN4823:日本合成化学社)
・イソシアネート化合物 0.44部
(コロネートL45E:日本ポリウレタン工業社)
・希釈溶剤 54部
<機能層用塗布液の組成>
・金属酸化物微粒子 表1記載の種類と配合量
・熱可塑性樹脂 表1記載の種類と配合量
・溶媒 表1記載の種類と配合量
Figure 2016119432
<2.レーザーダイシング用補助シートの評価>
2−1.機能層の表面粗さ値
作製した各レーザーダイシング用補助シート(以下、単に「補助シート」と略記する。)の機能層の、それぞれ任意位置の3箇所(位置n1、位置n2、位置n3)について、測定装置としての触針式表面粗さ測定機(商品名SURFCOM 1500SD2−3DF、東京精密社)を使用し、JIS B0601における算術平均粗さ(Ra)の値を測定した。最終的には測定値3点の平均(Ave.)を機能層露出側のRa値とした。結果を表2に示す。
2−2.カット適正
JIS K6253で規定されている2kgゴムローラーを用いて、準備したシリコンウェハ(8インチ)の上を一往復させる条件で、作製した各補助シートの粘着層面を当該ウェハ上に圧着した(工程1)。次に、石英ガラス製吸着板を有する、ダイシング装置のチャックテーブル上に、機能層面を下にして、補助シートに貼付したシリコンウェハを配置した(工程2)。次に、下記のレーザー照射条件に基づき、Nd−YAGレーザーを用いてレーザー光線をウェハ側から照射し、ウェハを切断加工(フルカットの切断)し(工程3)、以下の基準でカット適正を評価した。結果を表2に示す。
〇:補助シートの基材がフルカットされていなかった(優れている)。
×:補助シートの基材がフルカットされていた(不良)。
<レーザー照射条件>
波長:355nm
繰り返し周波数:100kHz
平均出力:7w
照射回数:6回/1ライン
パルス幅:50ns
集光スポット:楕円形(長軸100μm、短軸10μm)
加工送り速度:100mm/秒
2−3.チャックテーブルへの貼り付き防止性
上記2−2の工程1〜3の操作を行った後、個々の半導体チップとともに補助シートを搬送アームにて、チャックテーブルから引き上げ、以下の基準で貼り付き防止性を評価した。結果を表2に示す。
◎:補助シートのチャックテーブルに対する貼り付きは全くなく、抵抗なしに補助シートをチャックテーブルから引き上げることができた(非常に優れている)。
〇:補助シートの全面積の3%程度がチャックテーブルに貼り付いていたが、補助シートをチャックテーブルから引き上げることができた(優れている)。
△:補助シートの全面積の5%程度がチャックテーブルに貼り付いていたが、補助シートをチャックテーブルから引き上げることができた(良好)。
×:補助シートの全面積のすべて(100%)がチャックテーブルに貼り付いていた。その結果、補助シートをチャックテーブルから引き上げることができなかった(不良)。
Figure 2016119432
<3.考察>
表1及び表2に示すように、機能層用塗布液中の熱可塑性樹脂がエマルション形態である場合(実験例1〜8)、その塗布液を用いて形成したすべての機能層に有用性が確認された。特に、塗布液中の金属酸化物微粒子と熱可塑性樹脂の配合比率(固形分換算)が、金属酸化物微粒子55質量%、熱可塑性樹脂のエマルション粒子45質量%であり、熱可塑性樹脂として酸変性ポリオレフィン樹脂を用いた場合(実験例2)、最も効果的であることが確認された。
これに対し、熱可塑性樹脂として溶剤可溶型を用いた場合(実験例9及び10)、塗布液中の金属酸化物微粒子と熱可塑性樹脂の配合比率(固形分換算)が金属酸化物微粒子10〜90質量%、熱可塑性樹脂90〜10質量%と適切であっても、貼り付き防止性が劣ることが確認できた。
なお、表1及び表2には記載していないが、微粒子として平均粒子径が4μmのシリカフィラー(PLV−4、TATSUMORI社)を用いた場合、たとえ熱可塑性樹脂のエマルション粒子を適切な比率で配合しても、実験例1〜8と同等未満の評価しか得られないことも確認した。

Claims (4)

  1. 基材フィルムの一方の面に粘着層が積層されたレーザーダイシング用補助シートにおいて、前記基材フィルムの他方の面に、機能層が積層してあり、前記機能層は、一次粒子の平均粒子径が5〜400nmの金属酸化物微粒子と、結着材としての熱可塑性樹脂のエマルション粒子とを含む混合物を用いて形成されたことを特徴とするレーザーダイシング用補助シート。
  2. 前記機能層は、厚みが0.5μm以上10μm以下に調整されている、請求項1記載のレーザーダイシング用補助シート。
  3. 前記機能層は、その露出側の表面粗さが、Ra:0.2μm以上、1.5μm以下に調整されている、請求項1または2記載のレーザーダイシング用補助シート。
  4. 前記混合物中の固形分の合計を100質量%としたとき、前記金属酸化物粒子と前記熱可塑性樹脂のエマルション粒子との割合が、固形分換算で、金属酸化物粒子:10〜90質量%、熱可塑性樹脂のエマルション粒子:90〜10質量%に調整されている、請求項1〜3のいずれかに記載のレーザーダイシング用補助シート。
JP2014259688A 2014-12-24 2014-12-24 レーザーダイシング用補助シート Active JP6401043B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014259688A JP6401043B2 (ja) 2014-12-24 2014-12-24 レーザーダイシング用補助シート
TW104140555A TWI689571B (zh) 2014-12-24 2015-12-03 雷射切割用補助薄片
CN201510883367.7A CN105728958B (zh) 2014-12-24 2015-12-04 激光切割保护膜
US14/969,540 US20160189997A1 (en) 2014-12-24 2015-12-15 Auxiliary sheet for laser dicing
DE102015016840.1A DE102015016840A1 (de) 2014-12-24 2015-12-23 Hilfsfolie für das Laser-Schneiden

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014259688A JP6401043B2 (ja) 2014-12-24 2014-12-24 レーザーダイシング用補助シート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016119432A true JP2016119432A (ja) 2016-06-30
JP6401043B2 JP6401043B2 (ja) 2018-10-03

Family

ID=56116785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014259688A Active JP6401043B2 (ja) 2014-12-24 2014-12-24 レーザーダイシング用補助シート

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160189997A1 (ja)
JP (1) JP6401043B2 (ja)
CN (1) CN105728958B (ja)
DE (1) DE102015016840A1 (ja)
TW (1) TWI689571B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016119433A (ja) * 2014-12-24 2016-06-30 株式会社ディスコ 板状物のレーザー加工方法
WO2018066229A1 (ja) 2016-10-06 2018-04-12 株式会社きもと レーザーダイシング用補助シート
WO2019065358A1 (ja) * 2017-09-27 2019-04-04 日東電工株式会社 粘着フィルム

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108687448B (zh) * 2017-04-05 2020-12-18 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种pc复合材料激光切割方法
CN109799587A (zh) * 2018-11-22 2019-05-24 深圳阿珂法先进科技有限公司 一种对裸光纤或光器件进行临时或永久固定的方法
CN112045318B (zh) * 2020-08-13 2022-08-19 信阳舜宇光学有限公司 一种滤光片的切割方法
CN113478110B (zh) * 2021-07-19 2022-03-04 无锡昌盛胶粘制品有限公司 一种非复合离型膜的用于银镜玻璃激光切割的保护膜

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008049346A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Nitto Denko Corp レーザ加工用粘着シート
JP2008091765A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Nitto Denko Corp レーザ加工用粘着シート
JP2016119433A (ja) * 2014-12-24 2016-06-30 株式会社ディスコ 板状物のレーザー加工方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4123422C2 (de) 1991-07-15 1995-02-02 Deuter Sport & Leder Befestigungseinrichtung für eine Satteltasche
US5834551A (en) * 1994-06-10 1998-11-10 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Composite of thermosetting resin with metallic oxide and process for the preparation thereof
JP4623694B2 (ja) 2000-12-28 2011-02-02 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート
JP4886937B2 (ja) 2001-05-17 2012-02-29 リンテック株式会社 ダイシングシート及びダイシング方法
JP2003142433A (ja) 2001-08-10 2003-05-16 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シートおよびダイシング方法
JP2004079746A (ja) 2002-08-16 2004-03-11 Tokyo Seimitsu Co Ltd チップ製造方法
JP2005279698A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Nitto Denko Corp レーザー加工品の製造方法、およびそれに用いるレーザー加工用粘着シート
JP4531355B2 (ja) 2003-06-25 2010-08-25 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シートおよび半導体素子の製造方法
ATE553638T1 (de) * 2003-12-25 2012-04-15 Nitto Denko Corp Verfahren zur herstellung durch laser werkstücke
JP4873843B2 (ja) 2004-07-28 2012-02-08 日東電工株式会社 レーザー加工品の製造方法
JP2006111659A (ja) 2004-10-12 2006-04-27 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート及びこれを用いたレーザー加工品の製造方法
JP2009272421A (ja) * 2008-05-07 2009-11-19 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法
KR20110095915A (ko) * 2008-11-28 2011-08-25 키모토 컴파니 리미티드 피막을 갖는 시트 및 그의 제조방법
JP5580701B2 (ja) * 2010-09-13 2014-08-27 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
US20130260140A1 (en) * 2010-12-06 2013-10-03 Kimoto Co., Ltd. Auxiliary sheet for laser dicing
JP5888927B2 (ja) * 2011-10-06 2016-03-22 株式会社ディスコ ダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法
CN104178047B (zh) * 2014-08-20 2016-06-08 昆山博益鑫成高分子材料有限公司 一种柔性透明纳米隔热膜以及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008049346A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Nitto Denko Corp レーザ加工用粘着シート
JP2008091765A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Nitto Denko Corp レーザ加工用粘着シート
JP2016119433A (ja) * 2014-12-24 2016-06-30 株式会社ディスコ 板状物のレーザー加工方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016119433A (ja) * 2014-12-24 2016-06-30 株式会社ディスコ 板状物のレーザー加工方法
WO2018066229A1 (ja) 2016-10-06 2018-04-12 株式会社きもと レーザーダイシング用補助シート
WO2019065358A1 (ja) * 2017-09-27 2019-04-04 日東電工株式会社 粘着フィルム
JP2019059879A (ja) * 2017-09-27 2019-04-18 日東電工株式会社 粘着フィルム
JP7058096B2 (ja) 2017-09-27 2022-04-21 日東電工株式会社 粘着フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
JP6401043B2 (ja) 2018-10-03
TWI689571B (zh) 2020-04-01
US20160189997A1 (en) 2016-06-30
CN105728958B (zh) 2020-03-27
TW201625759A (zh) 2016-07-16
CN105728958A (zh) 2016-07-06
DE102015016840A1 (de) 2016-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6401043B2 (ja) レーザーダイシング用補助シート
JP4850625B2 (ja) レーザ加工用粘着シート
TWI709485B (zh) 半導體晶圓加工用片材用基材、半導體晶圓加工用片材、及半導體裝置之製造方法
TW574341B (en) Wafer machining adhesive tape, and its manufacturing method and using method
JP4767144B2 (ja) レーザ加工用粘着シート
JP4578050B2 (ja) ウェハダイシングテープ用基材
JP6617215B2 (ja) ダイシングシート
JP5556070B2 (ja) ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法
JP6264126B2 (ja) ウエハ加工用テープ
JP2016104851A (ja) レーザ切断用粘着フィルム
JP2010074136A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2012036374A (ja) ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
TW201500513A (zh) 黏著片材
JP5607843B2 (ja) 半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び半導体ウエハ加工用テープ
JP2010074135A (ja) 半導体装置の製造方法及びダイシングテープ一体型接着シート
JP2019065168A (ja) 粘着性フィルム
JP6472972B2 (ja) ダイシングテープ基材用樹脂組成物およびダイシングテープ基材
US10438831B2 (en) Base film for dicing sheets and dicing sheet
JP6399923B2 (ja) 板状物のレーザー加工方法
TW201813756A (zh) 雷射切割用輔助片
JP7049796B2 (ja) 粘着性フィルム
TW202204148A (zh) 積層薄膜及薄膜卷
JP2983721B2 (ja) 半導体ウエハ固定用粘着テープ
JP2013165206A (ja) ダイシング用粘着シート
JP6106526B2 (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171207

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180828

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180904

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180906

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6401043

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250