JP2016105432A - リードフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】工程数や製造コストを増加させることなく、必要な箇所にのみ表面粗化処理を施すことが可能なリードフレームの製造方法を提供する。【解決手段】ハーフエッチング加工により形成された凹部１４を有するとともに、部分的に表面が粗化処理されたリードフレーム１５の製造方法であって、ハーフエッチング加工用パターン８４と貫通エッチング加工用パターン８３とを有するマスク８０を用いて金属板１０をエッチングし、金属板１０に凹部と貫通パターン１３を形成するエッチング工程と、ハーフエッチング加工用パターン８４を粗化処理用の開口８２に変形するマスク変形工程と、ハーフエッチング加工用パターン８４が粗化処理用の開口８２に変形されたマスク８０ａを用いて金属板１０を粗化処理する粗化処理工程と、を有する。【選択図】図３

Description

本発明は、リードフレームの製造方法に関し、特に、表面に粗化処理を施したリードフレームの製造方法に関する。

従来から、半導体素子を搭載して樹脂封止した半導体パッケージに用いられるリードフレームにおいて、リードフレームに樹脂との密着力を向上させる目的で粗化処理を行う場合、まず素材となる金属材料表裏面全体を粗化処理し、この材料を用いてリードフレームを成形していた。この場合、リードフレームを形成するエッチング加工面あるいはプレス加工面は粗化処理が成されないリードフレームが形成されていた。

また、リードフレーム形状を形成した後に粗化処理を施す場合は、表裏面と側面の全面が粗化されたリードフレームが形成されていた。

いずれの方法においても、リードフレーム表面が粗化されることから、光沢度が必要なリードフレームでは表面にめっきを施しても、要求される光沢度が得られない場合があるという問題があった。また、半導体素子を搭載する部分（ＰＡＤ部）では、搭載した半導体素子を接着するためのペーストがＰＡＤ部から流れ出る場合があるという問題もあった。

このような問題に対し、特許文献１では、めっきを先に形成し、そのめっきをマスクとしてエッチング液によりリードフレームを粗化する技術が開示されている。

特開２００８−１８７０４５号公報

しかしながら、特許文献１に記載の構成では、要求されるめっきの種類によってはめっき面が粗化される場合があり、エッチング液の選定も必要となる場合があり汎用的ではないという問題があった。また、粗化が不要な部分にめっきを形成する必要もあることからコストアップに繋がるという問題もあった。

ところで、近年、半導体パッケージの小型・薄型化が要求されることから、そのパッケージに用いられる樹脂とリードフレームとは熱膨張係数の差などによってその境界面から剥離が生じる問題が発生した。例えば、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ）タイプのパッケージでは、使用されるリードフレームの側面と表面は樹脂と接し、裏面はパッケージ下面に露出することから、リードフレームの表面側は、半導体素子を搭載し接着するためのペーストが流れ出る問題から粗化が必要とされない。同様に、半導体素子とワイヤボンディングにより電気的な接続が必要とされる部位も、ボンディングのために粗化が必要とされない。そして、樹脂と接する側面と、上述した通り、半導体素子の接着やボンディングに影響しない部位において表面粗化が要求されている。

しかしながら、リードフレームの表面と裏面を覆うマスクを形成して側面を粗化する方法や、全面を粗化したリードフレームの表面を平坦に戻す方法では、工程数の増加やコストアップとなることは明らかであり、これらの方法をそのまま採用することはできない。

そこで、本発明は、工程数や製造コストを増加させることなく、必要な箇所にのみ表面粗化処理を施すことが可能なリードフレームの製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るリードフレームの製造方法は、ハーフエッチング加工により形成された凹部を有するとともに、部分的に表面が粗化処理されたリードフレームの製造方法であって、
ハーフエッチング加工用パターンと貫通エッチング加工用パターンとを有するマスクを用いて金属板をエッチングし、該金属板に前記凹部と貫通パターンを形成するエッチング工程と、
前記ハーフエッチング加工用パターンを粗化処理用の開口に変形するマスク変形工程と、
前記ハーフエッチング加工用パターンが前記粗化処理用の開口に変形された前記マスクを用いて前記金属板を粗化処理する粗化処理工程と、を有する。

本発明によれば、新たな工程を追加すること無く、必要な領域にのみ粗化処理が施されたリードフレームを得ることができる。

本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法により製造されたリードフレームを用いた半導体パッケージの一例を示した図である。 本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法により製造されたリードフレームの半導体素子搭載部の粗化処理層の形成部分を拡大して示した図である。 本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法の一例の一連の工程を示した図である。図３（ａ）は、めっき層形成工程及びエッチングマスク形成工程の一例を示した図である。図３（ｂ）は、エッチング工程及びエッチングマスク変形工程の一例を示した図である。図３（ｃ）は、粗化処理工程の一例を示した図である。図３（ｄ）は、マスク除去工程の一例を示した図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。

図１は、本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法により製造されたリードフレームを用いた半導体パッケージの一例を示した図である。

本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法により製造されたリードフレームを用いた半導体パッケージ７０は、リードフレーム１５と、粗化処理層２０と、めっき層３０と、半導体素子４０と、ボンディングワイヤ５０と、樹脂６０とを有する。また、リードフレーム１５は、半導体素子搭載部１１と、端子部１２とを有する。半導体素子搭載部１１と端子部１２との間には、貫通パターン１３が形成され、半導体素子搭載部１１の表面には、凹部１４が形成されている。

リードフレーム１５は、表面上に半導体素子４０が搭載されるとともに、半導体素子４０の端子を端子部１２と電気的に接続し、端子部１２から放射状に外側に延びるリードを形成することにより、半導体素子４０の端子からの配線を外部に引き出す役割を果たす。よって、リードフレーム１５は、中央に半導体素子４０を搭載する半導体素子搭載部１１を有し、その周囲に配線を引き出すための端子部１２を有する。

半導体素子搭載部１１の表面１１ａ及び端子部１２の表面１２ａには、それぞれ窪んだ形状を有する凹部１４が形成されている。凹部１４は、半導体素子搭載部１１の表面積を増加させ、樹脂６０との接合性及び密着性を高めるために形成された構造部である。よって、凹部１４は、樹脂６０と接触する表面（上面）１１ａ、１２ａ側、即ち半導体素子搭載面側の面１１ａ、１２ａにのみ形成されており、樹脂６０と接触しない裏面（下面）１１ｂ側、即ち半導体素子非搭載面側の面１１ｂ、１２ｂには形成されていない。

なお、図１においては、半導体素子搭載部１１及び端子部１２の双方の表面１１ａ、１２ａの各々に凹部１４が形成された例が示されているが、用途に応じて、半導体素子搭載部１１の表面１１ａ又は端子部１２の表面１２ａのいずれか一方に凹部１４を形成してもよい。また、一般的に、端子部１２は複数存在するので、任意の端子部１２を選択し、任意の端子部１２の表面１２ａに選択的に凹部１４を形成してもよい。

粗化処理層２０は、凹部１４と同様、樹脂６０との接合性及び密着性を高めるために形成される。粗化処理層２０は、半導体素子搭載部１１及び端子部１２の側面１１ｃ、１２ｃと、凹部１４の窪んでいる領域の表面に形成されるが、半導体素子４０と直接接触する半導体素子搭載部１１の表面上及びボンディングワイヤ５０と直接接触する端子部１２の表面上には形成されない。半導体素子４０が接触する領域は、樹脂６０と接触しないため、粗化処理層２０を形成する必要が無く、また、ボンディングワイヤ５０が接触する領域には、めっき層３０を形成する必要があるためである。よって、本実施形態に係るリードフレーム１５の製造方法により製造されたリードフレーム１５では、樹脂６０と接触し、かつ、めっき層３０が形成されていない半導体素子搭載部１１及び端子部１２の側面１１ｃ、１２ｃと、凹部１４の表面にのみ粗化処理層２０を形成している。

粗化処理層２０は、リードフレーム１０の表面を粗化することができれば、種々の方法及び材料より形成されてよいが、例えば、粗化処理溶液をリードフレーム１０の表面に供給することにより形成してもよい。

めっき層３０は、半導体素子４０の底面に設けられた端子（図示せず）と半導体素子搭載部１１との電気的接続、及びワイヤボンディングによるボンディングワイヤ５０と端子部１２との電気的接続を良好にするために設けられる。よって、めっき層３０は、電気的接続を行う箇所に設けられる。

半導体素子４０は、半導体を含み、所定の機能を実現するための素子である。本実施形態に係るリードフレームの製造方法においては、半導体素子４０が発光ダイオード（ＬＥＤ、Light-emitting Diode）として構成された例を挙げて説明する。半導体素子４０が発光ダイオードとして構成されている場合、発光ダイオードはアノードとカソードの２端子を有する素子であり、一方の端子は半導体素子搭載部１１、他方の端子は端子部１２に電気的に接続される。よって、図１においては、半導体素子搭載部１１と半導体素子４０との間には、めっき層３０が設けられている。

一方、半導体素子４０が所定の機能を実現する電子回路を搭載した集積回路（ＩＣ、Integrated Circuit）である場合、半導体素子４０は、半導体素子搭載部１１上に接着剤で端子が上面になるように接着され、上面にある複数の端子と端子部１２とがボンディングワイヤ５０を介して電気的に接続される。この場合、半導体素子４０と半導体素子搭載部１１との間には、めっき層３０ではなく、接着層が設けられる。本発明は、半導体素子４０が発光ダイオードとして構成された場合と、集積回路として構成された場合の双方に適用できる。以後の説明では、半導体素子４０が発光ダイオードとして構成され、半導体素子４０と半導体素子搭載部１１との間はめっき層３０である例について説明するが、めっき層３０を接着層に置き換えることにより、半導体素子４０が集積回路として構成された場合にも適用することができる。

ボンディングワイヤ５０は、半導体素子４０の上面にある端子と、端子部１２上に形成されためっき層３０との電気的接続を行うための接続線である。半導体素子４０の上面の端子がボンディングワイヤ５０の一端に接続され、ボンディングワイヤ５０の他端が端子部１２のめっき層３０に接続されることにより、半導体素子４０の上面の端子と端子部１２との電気的接続がなされる。

樹脂６０は、半導体素子４０を搭載したリードフレーム１０を封止し、半導体素子４０を保護するとともに、１つの半導体パッケージ７０として成形し、部品化するための手段である。かかる樹脂６０による封止により、半導体パッケージ７０の取り扱いが容易となる。

図２は、本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法により製造されたリードフレーム１５の半導体素子搭載部１１の粗化処理層２０の形成部分を拡大して示した図である。図２に示すように、リードフレーム１５の半導体素子搭載部１１において、樹脂６０と接合する表面１１ａ側に凹部１４が形成され、表面１１ａ上にめっき層３０が形成されている。一方、樹脂６０との接合が行われない半導体素子搭載部１１の裏面１１ｂには、凹部１４もめっき層３０も形成されず、何ら加工が施されていない平坦面のままである。なお、凹部１４は、ハーフエッチング加工で形成される。

また、側面１１ｃは、貫通エッチング加工により貫通穴による貫通パターン１３が形成され、エッチングにより削れた側面１１ｃが形成される。そして、めっき層３０が形成されず、かつ樹脂６０と接触する側面１１ｃ及び凹部１４の表面上に粗化処理層２０が形成されている。かかる構成により、めっき層３０には何ら粗化処理の影響を与えず十分な電気的接続機能を確保するとともに、樹脂６０と接触する側面１１ｃ及び凹部１４の表面に粗化処理を施して粗化処理層２０を形成し、樹脂６０との接合性及び密着性を高めることができる。

次に、図３を用いて、かかる構成を有するリードフレームの製造方法について説明する。図３は、本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法の一例の一連の工程を示した図である。なお、今まで説明した構成要素と同様の構成要素には、今までの説明と同一の参照符号を付し、その説明を省略する。

図３（ａ）は、めっき層形成工程及びエッチングマスク形成工程の一例を示した図である。めっき層形成工程及びエッチングマスク形成工程においては、リードフレーム１５の材料となる金属板１０の表面上にめっき層３０及びエッチングマスク８０が形成される。

まず、リードフレーム１５の材料となる金属板１０であるが、例えば、銅材又は銅を含む合金からなる金属板１０が用いられてよい。金属板１０が用意されたら、金属板１０の表面上に所定領域にめっき層３０が形成される。めっき層３０は、上述のように、半導体素子４０が搭載される領域や、ボンディングワイヤ５０が接続される領域に形成される。めっき層３０は、種々の金属材料から構成されてよいが、例えば、金属板１０の表面上にＮｉめっき層を形成し、Ｎｉめっき層上にＰｄめっき層、更にＰｄめっき層上にＡｕめっき層を形成した３層から構成されてもよい。その他、用途に応じて種々のめっき材を用いることができる。

なお、めっき層３０の形成においては、めっき用のマスクを用いてめっき処理を行い、所定領域のみにめっき層３０を形成してもよい。

めっき層形成工程でめっき層３０を形成した後は、めっき層３０を含む金属板１０の表面上にレジスト層８１を形成する。レジスト層８１は、用途に応じて種々のレジスト材を用いることができるが、例えば、ドライフィルムレジストを金属板１０の表面に貼り付けてレジスト層８１を形成してもよい。

レジスト層８１は、露光及び現像により、不要部分が除去されることにより、所定のパターンを有するエッチングマスク８０に成形される。エッチングマスク８０は、残留したレジスト層８１と、除去されて開口８２となった部分とで、マスクパターンを形成する。なお、レジスト層８１がマスクパターンのマスク部、開口８２がマスクパターンの開口部を構成する。

開口８２は、貫通エッチング加工が施され、貫通エッチング加工用パターン８３として形成される領域である。一方、レジスト層８１と開口８２とを交互に形成し、レジスト層８１が縞状をなす、又は島残しのような状態となる部分を、ハーフエッチング加工用パターン８４として形成する。開口８２とレジスト層８１を交互に配置したレジストパターンにより、エッチング液の金属板１０との接触が通常の開口８２よりも制限され、大きく形成された開口８２よりもエッチングレートを小さくし、窪み形状を形成するハーフエッチング加工を行うことができる。なお、かかるハーフエッチング加工用パターン８４は、金属板１０の表面１０ａ側にのみ形成される。よって、表面１０ａ側には、大きな開口８２を含む貫通エッチング加工用パターン８３と、細いパターンのレジスト層８１と小さな開口８２とが交互に縞状又は島残し状に形成されたハーフエッチング加工用パターン８４の双方が形成される。

一方、金属板１０の裏面１０ｂ側には、大きな開口８２を有する貫通エッチング加工用パターン８３のみが形成される。

図３（ｂ）は、エッチング工程及びエッチングマスク変形工程の一例を示した図である。エッチング工程においては、湿式のエッチング処理が行われ、貫通エッチングパターン１３及び凹部１４が形成される。エッチング処理は、エッチングマスク８０に両面が覆われた金属板１０にエッチング液が供給され、金属板１０が両面からエッチング処理される。同じ時間エッチング液が供給された場合、大きな開口８２が形成された貫通エッチング加工用パターン８３の領域には貫通穴が形成されて貫通エッチングパターン１３が形成され。小さなレジスト層８１と開口８２が交互に形成されたハーフエッチング加工用パターン８４では、窪み形状の凹部１４が形成される。なお、貫通エッチングパターン１３の形成により、半導体素子搭載部１１と端子部１２が分離形成され、金属板１０はリードフレーム１５の形状に成形される。

なお、エッチング液は、金属板１０の材料に応じて、適切に金属板１０を食刻できるエッチング液が用いられてよく、例えば、金属板１０が銅材の場合。塩化第二鉄液を用いてもよい。また、エッチング処理は、エッチングマスク８０で覆われた金属板１０の両面にスプレーでエッチング液を所定時間噴射供給するスプレーエッチングにより行われてもよいし、エッチングマスク８０で覆われた金属板１０をエッチング液に所定時間浸漬させる浸漬式エッチングにより行ってもよい。エッチング方法は、用途に応じて種々の方法を採用することができる。

エッチング処理が終了した後、ハーフエッチング加工用パターン８４にあるレジスト層８１（マスク部）が除去され、ハーフエッチング加工用パターン８４は、粗化処理用の開口８２に変形される。これにより、エッチングマスク８０は、粗化処理用のマスク８０ａに変形され、凹部１４の窪み形状部分の表面全体に粗化処理を施すことが可能となる。

図３（ｃ）は、粗化処理工程の一例を示した図である。粗化処理工程においては、変形された粗化処理用のマスク８０ａに覆われたリードフレーム１５の形状を有する金属板１０（以下、「リードフレーム１５」と呼ぶ。）の表面に粗化処理液が供給され、マスク８０で覆われていない領域が粗化処理される。粗化処理液は、リードフレーム１５を粗化処理可能な種々の溶液が用いられてよい。また、粗化処理液の供給は、例えばスプレー噴射により行ってもよいし、マスク８０ａで覆われたリードフレーム１５を粗化処理液に浸漬させて行ってもよい。かかる粗化処理により、半導体素子搭載部１１の側面１１ａ、端子部１２の側面１２ｃ及び凹部１４の表面に粗化処理層２０が形成される。

図３（ｄ）は、マスク除去工程の一例を示した図である。マスク除去工程においては、粗化処理用のマスク８０ａが剥離除去される。マスク８０ａの除去は、例えば、剥離溶液にリードフレーム１５を浸漬させ、マスク８０ａを剥離除去してもよい。剥離溶液は、種々のものを用いてよいが、例えば、水酸化ナトリウム溶液を用いてもよい。

このようにして、リードフレーム１５が製造される。なお、図３の例においては、最初にめっき層３０を形成し、その後にリードフレーム１５の形状を形成したが、先にリードフレーム１５の形状を形成し、最後にめっき層を形成してもよい。この場合には、図３（ａ）において、めっき層３０を形成する工程を行わず、エッチングマスク８０を形成する工程のみを行う。そして、図３（ｄ）までの工程を終了した後、めっき層３０を形成すればよい。その際、形成したリードフレーム１５の全面にめっき層３０を形成することも可能であるし、めっきマスクを用いてめっき層３０が必要な所定領域にのみめっき層３０を形成することも可能である。

本実施形態に係るリードフレームの製造方法によれば、粗化処理の影響を与えることなくめっき層３０を形成するとともに、樹脂６０との接触面に凹部１４及び粗化処理層２０を形成し、樹脂６０との接合性及び密着性を向上させることができる。しかも、この製造方法は、新たな工程を追加すること無く簡素な工程のみで実現することができ、コストアップすること無く良好な密着性を有するリードフレームを製造することができる。

次に、本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法を実施した実施例について説明する。

金属板として厚さが０．２ｍｍの銅材を用いて、両面にドライフィルムレジスト（旭化成イーマテリアルズ株式会社：ＡＱ−２０５８）を貼り付け、レジスト層を形成した。

次に、めっきを形成するためのパターンが形成された上面側用と裏面側用のガラスマスクを用いて、露光・現像を行うことで、めっきを形成する部分のレジストを除去して部分的に金属板表面を露出させためっきマスクを形成した。

そしてめっき加工を行なって金属板表面の露出部分にめっき層を形成した。本実施例では、金属板側から順に、設定値１．０μｍのＮｉめっき、設定値０．０５μｍのＰｄめっき、設定値０．０２μｍのＡｕめっきを施して、３層のめっき層を形成した。

次に、金属板の両面に形成されているめっきマスクを３％の水酸化ナトリウム水溶液により剥離し、更に３％の硫酸による洗浄処理も行なった。

そして、めっきが形成された金属板の両面にドライフィルムレジスト（旭化成イーマテリアルズ株式会社：ＡＱ−４０９６）を再び貼り付け、レジスト層を形成し、リードフレームの形状とハーフエッチング処理用のパターンが形成されたガラスマスクを用いて両面を露光し現像を行って形成しためっきを覆うエッチングマスクを形成した。この時ハーフエッチングが行われる部位は、貫通エッチングと同じ量のエッチング液は不要であり、エッチング液量をコントロールするために独立した島残しの様な状態のマスクとして形成した。

そして、塩化第二鉄液を用いてスプレーエッチング加工を行い、リードフレームの形成を行った。このエッチング加工は、液温７０℃、比重１．４７の塩化第二鉄液を用い、搖動するスプレーノズルによって０．３ＭＰａの設定圧力で噴射させ、約１６０秒間の処理を行なった。このエッチング加工によりエッチングマスクは、新たな粗化処理用マスクとなった。

次にエッチング溶解面に付着した銅結晶をスプレー噴射による塩酸洗浄にて除去した後、粗化処理液（メック株式会社：ＣＺ８１００）にてスプレー噴射による粗化処理を行った。この粗化処理液は液温３５℃、比重１．１４５、銅濃度３５ｇ／Ｌに調液し、スプレー噴射にて２０秒の粗化処理を行った。粗化面の表面粗さはＳＲａ０．２〜０．４となった。

次に粗化面に付着した粗化処理液の残渣物をスプレー噴射による塩酸洗浄にて除去し、その後、水酸化ナトリウム水溶液を用いて粗化処理用マスクを剥離した。その後、硫酸による酸処理を行い、表面を乾燥させることによりエッチング溶解面が部分的に粗化されたリードフレームが完成した。

なお、上述のように、本実施例は、めっきを形成した後にリードフレーム形状を形成した例であるが、先にリードフレームを形成する場合は、めっきマスクの形成工程とめっき工程とめっきマスクの除去工程を使用せずエッチングマスクの形成工程からスタートすることで可能である。そして形成したリードフレームの全面にめっきを形成することも可能であり、めっきマスクを用いて必要な部位にめっきを形成することも可能である。

以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施形態及び実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。

１０ 金属板
１１ 半導体素子搭載部
１２ 端子部
１１ａ、１２ａ 表面
１１ｂ、１２ｂ 裏面
１１ｃ、１２ｃ 側面
１３ 貫通パターン
１４ 凹部
１５ リードフレーム
２０ 粗化処理層
３０ めっき層
４０ 半導体素子
５０ ボンディングワイヤ
６０ 樹脂
７０ 半導体パッケージ
８０、８０ａ マスク
８１ レジスト層
８２ 開口
８３ 貫通エッチング加工用パターン
８４ ハーフエッチング加工用パターン

Claims (12)

1. ハーフエッチング加工により形成された凹部を有するとともに、部分的に表面が粗化処理されたリードフレームの製造方法であって、
   ハーフエッチング加工用パターンと貫通エッチング加工用パターンとを有するマスクを用いて金属板をエッチングし、該金属板に前記凹部と貫通パターンを形成するエッチング工程と、
   前記ハーフエッチング加工用パターンを粗化処理用の開口に変形するマスク変形工程と、
   前記ハーフエッチング加工用パターンが前記粗化処理用の開口に変形された前記マスクを用いて前記金属板を粗化処理する粗化処理工程と、を有するリードフレームの製造方法。
2. 前記ハーフエッチング加工用パターンは、前記凹部を覆う領域内に開口部とマスク部とが交互に形成されたパターンを有する請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
3. 前記貫通エッチング加工用パターンは、前記リードフレームの外形に対応したパターンである請求項１又は２に記載のリードフレームの製造方法。
4. 前記ハーフエッチング加工用パターンと貫通エッチング加工用の開口とを有するマスクは、前記金属板の一方の面にのみ用いられる請求項１乃至３のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
5. 前記金属板の他方の面には、前記貫通エッチング加工用パターンを有するとともに前記ハーフエッチング加工用パターンを有しない第２のマスクが用いられ、
   前記エッチング工程における前記金属板のエッチングは、前記金属板の両面から同時に行われる請求項４に記載のリードフレームの製造方法。
6. 前記金属板を粗化処理する工程は、前記マスクで覆われた前記金属板に粗化処理液を供給することにより行われる請求項１乃至５のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
7. 前記粗化処理工程の後に、前記マスクを除去するマスク除去工程を更に有する請求項１乃至６のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
8. 前記エッチング工程の前に、前記金属板の所定領域にめっき層を形成するめっき工程を更に有する請求項１乃至７のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
9. 前記マスク除去工程の後に、前記金属板の所定領域にめっき層を形成するめっき工程を更に有する請求項７に記載のリードフレームの製造方法。
10. 前記マスクは、前記金属板の表面に形成されたレジスト層をパターニングすることにより形成される請求項１乃至９のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
11. 前記エッチング工程において形成される貫通パターンにより、半導体素子を搭載可能な半導体素子搭載部と、ワイヤボンディング接続が可能な端子部とが形成され、
    前記凹部は、前記半導体素子搭載部と前記端子部の少なくとも一方に形成される請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
12. 前記粗化処理工程は、前記半導体素子搭載部及び前記端子部の側面と、前記凹部の表面とに施される請求項１１に記載のリードフレームの製造方法。

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