WO2018190046A1 - 基材、それを用いたモールドパーケージ、基材の製造方法、およびモールドパッケージの製造方法 - Google Patents

基材、それを用いたモールドパーケージ、基材の製造方法、およびモールドパッケージの製造方法 Download PDF

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小林　渉
和輝 神田
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株式会社デンソー
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    • H01L2224/85455—Nickel (Ni) as principal constituent
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    • H01L2224/85463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/85464—Palladium (Pd) as principal constituent
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Definitions

  • the present disclosure relates to a base material having a concavo-convex region having a concavo-convex shape, a mold package using the base material, a method for manufacturing the base material, and a method for manufacturing a mold package.
  • Patent Document 1 a semiconductor device in which a semiconductor chip or the like is mounted on one surface of a base material has been proposed (for example, see Patent Document 1). Specifically, in this semiconductor device, a concavo-convex region having a concavo-convex shape is formed in a region different from the region where the semiconductor chip is mounted on one surface of the base material. And mold resin is arrange
  • the substrate has an uneven area on one side. For this reason, the adhesiveness of one surface of a base material and mold resin can be improved, and it can suppress that mold resin peels from the one surface of a base material.
  • the mold resin when the base material as described above is sealed with the mold resin, it is also assumed that the side surface of the base material is sealed with the mold resin. In this case, since the side surface of the base material is not an uneven region, the mold resin may peel from the side surface.
  • This disclosure is intended to provide a base material capable of suppressing the peeling of the mold resin from the side surface, a mold package using the base material, a method for manufacturing the base material, and a method for manufacturing the mold package.
  • a base material that has one surface and a side surface continuous with the one surface, and the one surface and the side surface are sealed regions with a mold resin, constitutes a sealed region of the one surface.
  • a one-sided uneven region having a concavo-convex shape is configured, and in the region constituting the sealing region of the side surface, a side-shaped concavo-convex region having a concavo-convex shape is configured, the one-sided uneven region and the side-surfaced uneven region Is configured by laminating a plurality of metal particles.
  • the mold resin is prevented from peeling from the one surface and the side surface when sealed with the mold resin. it can.
  • the plurality of metal particles are stacked in a state where voids are formed between adjacent metal particles, and the voids are connected to each other and the metal particles are stacked. It is connected to the space outside the area.
  • the mold resin when sealed with the mold resin, the mold resin can enter the gap. For this reason, adhesiveness with mold resin can be improved and it can control that mold resin exfoliates further.
  • a mold package in which a mounting portion and a terminal portion are sealed with a mold resin includes a mounting portion having one side and a side continuous with one side, and a terminal having one side and a side continuous with one side.
  • a side uneven region having an uneven shape is formed, and the one surface uneven region and the side uneven region are configured by laminating a plurality of metal particles.
  • the mounting portion and the terminal portion each have one surface uneven area on one side and side surface uneven areas on the side surface. For this reason, it can be set as the mold package which suppressed that mold resin peeled from each one surface and each side surface of a mounting part and a terminal part.
  • a method for manufacturing a base material having one surface and a side surface continuous with the one surface, and the one surface and the side surface being a sealing region sealed with a mold resin includes the one surface and the side surface.
  • a base member made of a metal material forming a concavo-convex region having a concavo-convex shape in a region constituting a sealing region in one surface, and sealing in a side surface
  • the metal particles are suspended in the surface, and the floating metal particles are deposited on the groove portion of the one surface and the periphery of the groove portion to stack the metal particles, and are deposited on the side surface to stack the metal particles. Concave and concave areas And so as to form a region.
  • the side surface uneven region is formed on the side surface by forming the groove on one surface, it is not necessary to perform a special treatment on the side surface. For this reason, a side surface uneven
  • a method for manufacturing a base material having one surface and a side surface continuous with the one surface, and the one surface and the side surface being a sealing region sealed with a mold resin includes the one surface and the side surface.
  • Preparing a base member having, forming a concave / convex area on one surface of the sealing area on one side, and forming a concave / convex area on the side of the sealing area on the side Forming a side uneven region having a shape, forming a one-sided uneven region, and forming a side uneven region; preparing a target member made of a metal material; and The metal particles are suspended from the surface, and the floating metal particles are deposited and laminated on one surface and side surfaces, thereby forming one surface uneven region and side surface uneven region.
  • region is formed by preparing the target member and vapor-depositing the metal particle suspended from the target member. For this reason, the metal particle which comprises each uneven
  • the manufacturing method of the mold package by which the base material was mold-resin-sealed prepares the base material manufactured by said manufacturing method of a base material, and a base material
  • the molding resin is formed so that one surface and the side surface of the substrate are sealed, and the molding resin is formed in the gap by forming the molding resin.
  • the mold resin enters the void formed by laminating the metal particles, a mold package with improved adhesion between the base material and the mold resin can be manufactured.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 2.
  • FIG. 4 is an enlarged view of a region IV in FIG. 3. It is the top view seen from the arrow V direction in FIG. It is the top view seen from the arrow VI direction in FIG. It is a figure for demonstrating each area
  • the mold package 1 includes a mounting portion 10 and a plurality of terminal portions 20 arranged around the mounting portion 10. In FIG. 1, only one terminal portion 20 of the plurality of terminal portions 20 is illustrated.
  • the mounting portion 10 and the terminal portion 20 are provided with a lead frame (not shown) in which the mounting portion 10 and the terminal portion 20 are integrated with a tie bar, an outer peripheral frame, etc., and the tie bar, the outer peripheral frame, etc. are appropriately removed. It is composed by being separated. That is, the mounting portion 10 and the terminal portion 20 are configured using a common lead frame.
  • the mounting unit 10 includes a main metal part 11 made of a metal material and a metal thin film 12 formed so as to cover the main metal part 11.
  • the terminal portion 20 includes a main metal portion 21 made of a metal material and a metal thin film 22 formed so as to cover the main metal portion 21.
  • the main metal parts 11 and 21 are made of a metal material such as Cu (copper), Al (aluminum), Al alloy, Fe (iron), or Fe alloy.
  • the metal thin films 12 and 22 are plating films, and are made of, for example, a metal material such as Ni (nickel), Pd (palladium), Ag (silver), or Au (gold). In the present embodiment, the metal thin films 12 and 22 are made of a Ni plating film.
  • the mounting portion 10 has a plate shape, and has one surface 10a, the other surface 10b opposite to the one surface 10a, and four side surfaces 10c to 10f that connect the one surface 10a and the other surface 10b.
  • side surfaces 10c and 10e among the side surfaces 10c to 10f are shown.
  • the side surfaces 10d and 10f are side surfaces that connect the side surface 10c and the side surface 10e, respectively, as shown in FIG.
  • the mounting portion 10 is configured such that the main metal portion 11 is covered with the metal thin film 12. For this reason, each surface 10a to 10f of the mounting portion 10 is constituted by a surface of the metal thin film 12 opposite to the main metal portion 11 side.
  • the semiconductor chip 40 is mounted on the one surface 10 a of the mounting portion 10 via the bonding member 30.
  • the semiconductor chip 40 for example, a silicon substrate on which a diode element or a MOSFET (that is, a Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor) element is formed is used.
  • a diode element or a MOSFET that is, a Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor
  • the joining member 30 for example, Ag paste, solder, or the like is used.
  • the terminal portion 20 has a plate shape, and has one surface 20a, the other surface 20b opposite to the one surface 20a, and four side surfaces 20c to 20f connecting the one surface 20a and the other surface 20b.
  • the plurality of terminal portions 20 are arranged around the mounting portion 10 so that the one surface 20a is substantially parallel to the one surface 10a of the mounting portion 10.
  • a front side surface 20c on the mounting portion 10 side and a rear side surface 20e opposite to the mounting portion 10 side are shown.
  • the side surfaces 20d and 20f are lateral side surfaces 20d and 20f that connect the front side surface 20c and the rear side surface 20e, respectively, as shown in FIG. 2 described later.
  • the terminal portion 20 is configured such that the main metal portion 21 is covered with the metal thin film 22. For this reason, each surface 20a to 20f of the terminal portion 20 is constituted by a surface of the metal thin film 22 opposite to the main metal portion 21 side.
  • the terminal portion 20 is electrically connected to the semiconductor chip 40 via the bonding wire 50 on the mounting portion 10 side on the one surface 20a.
  • the bonding wire 50 is composed of, for example, an Al wire, an Au wire, or a Cu wire. In the present embodiment, the bonding wire 50 corresponds to a connection member.
  • the mold resin 60 is arranged.
  • the mold resin 60 is made of an epoxy resin. 1 shows the surface 10b of the mounting portion 10 exposed from the mold resin 60, but the surface 10b of the mounting portion 10 may also be sealed with the mold resin 60.
  • the mounting portion 10 and the terminal portion 20 are configured to have a concavo-convex region having a concavo-convex shape in the sealing region sealed with the mold resin 60.
  • the uneven area of the terminal portion 20 will be described with reference to FIGS.
  • the region sealed with the mold resin 60 in the terminal portion 20 will be described as the sealing region 23.
  • the terminal unit 20 has a region on the mounting unit 10 side as a sealing region 23.
  • the terminal part 20 has the wire area
  • the terminal part 20 has the one surface uneven
  • the wire region 24 corresponds to a connection region.
  • the terminal portion 20 has a plate shape whose longitudinal direction is a direction from the front side surface 20c side to the rear side surface 20e side.
  • the horizontal direction on the paper corresponds to the longitudinal direction.
  • region 25 the wire area
  • each one-side uneven region 25 the wire region 24 side is a first uneven region 25a, and the opposite side of the wire region 24 is the second uneven region 25b across the first uneven region 25a.
  • the one-side uneven region 25 located on the opposite side to the front side surface 20c side of the two one-side uneven regions 25 has the first uneven region 25a on the opposite side to the wire region 24 side with the second uneven region 25b interposed therebetween.
  • the sealing region 23 in the one surface 20a extends from the front side surface 20c side to the second uneven region 25b in the one surface uneven region 25 located on the opposite side of the front side surface 20c side.
  • the first uneven region 25 a farthest from the front side surface 20 c is located outside the sealing region 23.
  • region 23 may include all the one surface uneven
  • the first uneven region 25 a has an uneven shape having a minute uneven portion 71 configured by laminating a plurality of metal particles 70 on the metal thin film 22.
  • the fine uneven portion 71 has a plurality of metal particles 70 that taper from the metal thin film 22 side toward the opposite side of the metal thin film 22. It is comprised by laminating
  • the gap 72 is configured in a state where the spaces between the adjacent metal particles 70 are connected to each other, and is connected to a space outside the region where the metal particles 70 are stacked.
  • the metal particles 70 are stacked in a convex shape, it can be said that the void 72 is connected to a concave portion formed between adjacent convex portions, for example.
  • the gap 72 has a cross-sectional size in the direction orthogonal to the one surface 20a of about several nm to 100 nm.
  • the mold resin 60 is made of an epoxy resin, and the distance between molecular ends in a molten state is about 3 to 10 nm.
  • the metal particles 70 are laminated so that a void 72 into which the molten resin constituting the mold resin 60 can enter is formed.
  • the mold resin 60 enters the gap 72.
  • the maximum unevenness 71 has a maximum height of 300 nm or less. In other words, the maximum length between the portion farthest from the metal thin film 22 and the metal thin film 22 is set to 300 nm or less.
  • the metal particle 70 is made of an oxide made of the same material as that of the metal thin film 22. That is, in this embodiment, since the plating film is made of Ni, the fine uneven portion 71 is formed by stacking the metal particles 70 made of an oxide of Ni.
  • the second uneven region 25 b As shown in FIG. 3, in the second uneven region 25 b, a plurality of groove portions 73 of about several ⁇ m are formed in the metal thin film 22, and the minute uneven portions 71 are formed on the metal thin film 22 including the groove portions 73. It is made the uneven shape. That is, the second uneven region 25b is formed with a groove 73 that is not formed in the first uneven region 25a, and has an uneven shape having a height difference larger than that of the first uneven region 25a.
  • the above is the configuration of the one surface 20a of the terminal portion 20.
  • gap 72 is formed in the micro uneven
  • the entire front surface 20 c of the terminal portion 20 is a sealing region 23.
  • the front side surface 20 c has a region on the one surface 20 a side as a front side uneven region 26. That is, the front side surface 20 c has a front side uneven region 26 that is continuous with the second uneven region 25 b.
  • the length of the front side uneven region 26 between the lateral side surface 20d and the lateral side surface 20f is substantially equal to the portion farthest from the one surface 20a.
  • the front side uneven region 26 has the same configuration as that of the first uneven region 25a, and has an uneven shape formed by stacking a plurality of metal particles 70.
  • the side surfaces 20 d and 20 f of the terminal portion 20 have a region on the mounting portion 10 side as a sealing region 23.
  • the lateral side surface 20 d has a lateral side uneven region 27 on the one surface 20 a side in the sealing region 23.
  • the lateral side uneven region 27 is configured as a region continuous with the first uneven region 25a and the second uneven region 25b in the region on the one surface 20a side of the lateral side surface 20d.
  • region 27 has the short length from the area
  • the lateral side surface uneven region 27 has the same configuration as the first uneven region 25a, and has an uneven shape formed by laminating a plurality of metal particles 70.
  • the region connected to the first uneven region 25a in the lateral side surface 20d is, in other words, the region located immediately below the first uneven region 25a in the lateral side surface 20d.
  • the region connected to the second uneven region 25b in the side surface 20d is, in other words, the region located immediately below the second uneven region 25b in the side surface 20d.
  • the lateral side surface 20f has a lateral side uneven region 27 on the one surface 20a side in the same manner as the lateral side surface 20d.
  • the above is the configuration of the terminal portion 20 in the present embodiment.
  • a plurality of points indicating uneven shapes are shown in the one-surface uneven region 25 in FIG. 2, the front-side uneven region 26 in FIG. 5, and the lateral-side uneven region 27 in FIG. It is.
  • the configuration of the mounting unit 10 will be described. In the following, a region sealed with the mold resin 60 in the mounting portion 10 will be described as a sealing region 13.
  • the surface 10 a of the mounting portion 10 has a substantially central portion as a mounting region 14, and a region surrounding the mounting region 14 as a one-sided uneven region 15 having an uneven shape.
  • the mounting region 14 is a region where the semiconductor chip 40 is disposed via the bonding member 30. Then, on the one surface 10 a of the mounting portion 10, as shown in FIG. 1, the one-surface uneven region 15 becomes a sealing region 13 that is sealed with the mold resin 60.
  • the one-side uneven region 15 has a first uneven region 15a on the mounting region 14 side, and a second uneven region 15b on the opposite side of the first uneven region 15a. Similar to the first uneven region 25 a of the terminal portion 20, the first uneven region 15 a has an uneven shape in which a plurality of metal particles 70 are stacked to form a fine uneven portion 71. Further, in the second uneven region 15b, a plurality of groove portions 73 are formed as in the case of the second uneven region 25b of the terminal portion 20, and the minute uneven portion 71 is formed on the metal thin film 12 including the groove portion 73. The shape is uneven.
  • the entire side surfaces 10c to 10f of the mounting portion 10 are sealed regions 13 respectively.
  • region of the one surface 20a side is made into the side uneven
  • the side uneven region 16 has an uneven shape in which a plurality of metal particles 70 are stacked to form a minute uneven portion 71.
  • the length of the side uneven region 16 is substantially equal between the side surface 10d and the side surface 10f to the portion farthest from the one surface 10a.
  • the region on the one surface 10a side is the side surface uneven region 16 as in the side surface 10c.
  • a lead frame 80 in which the mounting portion 10 and the terminal portion 20 are integrated with a tie bar, an outer peripheral frame, or the like is prepared. 9 and 10, only one terminal portion 20 in the lead frame 80 is illustrated. In the present embodiment, the lead frame 80 corresponds to a base member.
  • the one-side uneven region 15 and the side uneven region 16 are formed on the mounting portion 10. Further, the one-side uneven region 25, the front side uneven region 26, and the lateral side uneven region 27 are formed in the terminal portion 20.
  • region 27 in the terminal part 20 is demonstrated concretely. Note that the process of forming the one-surface uneven area 15 and the side uneven area 16 on the mounting portion 10 is the same as the process of forming the one-surface uneven area 25, the front side uneven area 26, and the lateral side uneven area 27 on the terminal portion 20. .
  • a light source that oscillates the laser light L, a condenser lens, and the like are disposed as appropriate, and the region that becomes the second uneven region 25 b of the terminal portion 20 is irradiated with the laser light L.
  • the laser is applied to a plurality of locations along the direction orthogonal to the longitudinal direction of the terminal portion 20. Irradiate light L.
  • the light source is moved relative to the second uneven region 25b, and laser light is emitted to a plurality of positions along the arrow A.
  • L is irradiated.
  • the laser beam L may be irradiated using a so-called galvano scanner that arranges a mirror on the light source side and scans the laser beam L by rotating the mirror.
  • the metal particles 70 float and a groove 73 having a size of about several ⁇ m is formed.
  • the floating metal particles 70 are deposited around the area irradiated with the laser beam L.
  • the floating metal particles 70 are stacked to form the minute uneven portion 71.
  • the floating metal particles 70 are also deposited in a region around the region irradiated with the laser beam L. For this reason, on the one surface 20a, a plurality of metal particles 70 are laminated at a position adjacent to the second uneven region 25b to form the first uneven region 25a.
  • a plurality of metal particles 70 are laminated on the one surface 20a side adjacent to the second uneven region 25b, and the front side uneven region 26 and the lateral surface uneven region 27 are configured. Is done. In this way, by forming the concavo-convex shape on the front side surface 20c and the lateral side surfaces 20d, 20f, it is not necessary to perform special processing on the side surfaces 20c, 20d, 20f, and the manufacturing process can be simplified. .
  • the metal particles 70 are stacked so that the voids 72 are formed as described above. Further, on the lateral side surfaces 20d and 20f, the metal particles 70 are less likely to adhere as the distance from the second uneven region 25b increases. For this reason, as shown in FIG. 6, the length of the lateral side surface uneven region 27 to the portion farthest from the one surface 20a becomes shorter as the distance from the second uneven region 25b increases.
  • the metal thin film 22 is formed of a Ni plating film as in this embodiment, the energy density is 300 J / cm 2 or less, the pulse width is 1 ⁇ m second or less, and the surface temperature of the metal thin film 22 is 1500. What is necessary is just to irradiate the laser beam L so that it may become about degreeC.
  • the metal thin film 22 is comprised by Ni plating film
  • the metal particle 70 when the laser beam L is irradiated on the said conditions, the metal particle 70 will be the said from the metal thin film 22 side, as FIG. 4 shows. It vapor-deposits so that it may become a taper shape toward the metal thin film 22 and an other side.
  • the clear principle is not clear about this, when the floating metal particle 70 vapor-deposits, it is estimated that it is difficult to rearrange because the metal particle 70 has a small energy.
  • the one-side uneven region 25, the front side uneven region 26, and the lateral side uneven region 27 are formed in the terminal portion 20.
  • the laser beam L is irradiated to the second uneven region 15b also in the mounting portion 10.
  • the second uneven region 15b is formed with the groove 73 and the metal particles 70 are laminated to form an uneven shape.
  • region 15a is comprised by the circumference
  • the side surface uneven region 16 is configured by laminating metal particles 70 in a region on the one surface 10a side adjacent to the second uneven region 15b.
  • the semiconductor chip 40 is mounted on the mounting region 14 of the mounting unit 10 via the bonding member 30. And wire bonding is performed and the semiconductor chip 40 and the terminal part 20 are joined. Note that wire bonding is performed on the wire region 24 in the terminal portion 20.
  • the product subjected to the above steps is placed in a mold (not shown), and a molten resin constituting the mold resin 60 is poured into the mold and solidified. At this time, the molten resin is solidified in such a state that the gap 72 is large enough to enter the molten resin. Thereafter, the mold package is configured by appropriately removing the outer peripheral frame and the like.
  • the mounting unit 10 has the one surface uneven area 15 on the one surface 10a and the side surface uneven areas 16 on the side surfaces 10c to 10f. Therefore, it is possible to suppress the mold resin 60 from being peeled from the side surfaces 10c to 10f of the mounting portion 10.
  • the terminal portion 20 includes a single-sided uneven region 25 on one surface 20a, and side-surface uneven regions 26 and 27 on the side surfaces 20c, 20d, and 20f. For this reason, it can suppress that the mold resin 60 peels from the side surfaces 20c, 20d, and 20f of the terminal part 20.
  • a gap 72 is formed between the adjacent metal particles 70.
  • the mold resin 60 is also in a state where it enters the gap 72. For this reason, compared with the case where the space
  • the wire region 24 of the terminal portion 20 is also configured to have a concavo-convex shape with respect to the first embodiment, and the other aspects are the same as those in the first embodiment. Omitted.
  • the terminal portion 20 is in a state where the wire region 24 is a first uneven region 25 a and the wire region 24 is sandwiched between two second uneven regions 25 b. Yes.
  • the one surface 20 a of the terminal portion 20 is a single surface uneven region 25 in the sealing region 23.
  • corrugated shape is shown.
  • the periphery of the region to which the bonding wire 50 is actually connected is also made uneven. For this reason, the adhesion between the wire region 24 and the mold resin 60 can be improved.
  • wire bonding when wire bonding is performed on the wire region 24, for example, it is performed by applying ultrasonic vibration in a state where the wire is pressed against the wire region 24.
  • the present inventors have found that when the height difference of the unevenness is 300 nm or less, the bondability at the time of performing wire bonding does not deteriorate. And the 1st uneven
  • the metal particles 70 suspended from the second uneven region 25 b may be deposited on the wire region 24.
  • the metal particles 70 may be suspended from the second uneven region 25 b so that the metal particles 70 are deposited on the wire region 24.
  • the second uneven region 25 b is located adjacent to the wire region 24.
  • the lateral side surface 20d, 20f is also formed with the lateral side uneven region 27 in a portion connected to the wire region 24 in the region on the one surface 20a side.
  • a region different from the wire region 24 in the sealing region 23 of the one surface 20 a is a first uneven region 25 a, and the second uneven region 25b is not formed.
  • the front side surface 20 c has the entire region as a front side uneven region 26.
  • the lateral side surfaces 20 d and 20 f are all lateral side uneven regions 27 that become the sealing region 23.
  • the mounting portion 10 includes a first uneven region 15a in which the entire region different from the mounting region 14 is formed in the sealing region 23 of the one surface 10a, and the second uneven region 25b is formed. Absent. Although not particularly illustrated, the entire side surfaces 10c to 10f are the side surface uneven regions 16.
  • a lead frame 80 in which the mounting portion 10 and the terminal portion 20 are integrated with a tie bar, an outer peripheral frame, or the like is prepared. Then, a mask (not shown) is arranged on the wire region 24 in the mounting unit 10. Next, the target member 90 is disposed in the vicinity of the region of the terminal portion 20 where the metal particles 70 are to be laminated.
  • the target member 90 is made of Ni.
  • the target member 90 is irradiated with the laser beam L, and the metal particles 70 are floated from the target member 90 and deposited on the terminal portion 20 to be laminated.
  • the metal particle 70 is laminated
  • region 25a is comprised.
  • the mask formed in the wire region 24 is removed.
  • the one surface 20 a of the terminal portion 20 has a configuration in which the first uneven region 25 a is formed in a region different from the wire region 24.
  • a front side uneven region 26 and a lateral side uneven region 27 are formed, respectively.
  • the metal particles 70 can be stacked at desired locations on the side surfaces 20c, 20d, and 20f by moving the target member 90 or the like. In other words, in the present embodiment, by moving the target member 90 or the like, the metal particles 70 are stacked on all the regions of the side surfaces 20c, 20d, and 20f to form an uneven shape.
  • the metal particles 70 are 0.25 mm from the target member 90. Float to a certain height. For this reason, the metal particle 70 can be vapor-deposited on the terminal part 20 from the target member 90, and can be laminated
  • the energy density or the like of the laser light L applied to the target member 90 is increased, the floating distance of the metal particles 70 floating from the target member 90 becomes longer. For this reason, if the metal particles 70 are vapor-deposited from the target member 90 to the terminal portion 20, the energy density of the laser light L and the interval between the target member 90 and the terminal portion 20 can be changed as appropriate. However, as described above, if the energy density of the laser light L is excessively increased, metal particles may be scattered from the target member 90. Therefore, the energy density of the laser light L should be 300 J / cm 2 or less. Is preferred.
  • the metal particles 70 are suspended from the target member 90 and vapor-deposited on the mounting portion 10 even in the mounting portion 10.
  • the mounting part 10 can be set as the structure by which the metal particle 70 is not vapor-deposited in the mounting area
  • the uneven shape can be formed at a desired location.
  • an uneven shape can be formed on the other surface 20b side of the side surfaces 20c, 20d, and 20f of the terminal portion 20. Therefore, the adhesion with the mold resin 60 can be further improved.
  • the terminal portion 20 is an example in which the entire region of the front side surface 20 c is the front side uneven region 26 and the entire region that becomes the sealing region 23 of the side surfaces 20 d and 20 f is the side surface uneven region 27.
  • the terminal portion 20 for example, only one surface 20a side of the front side surface 20c is the front side uneven region 26, and only one surface 20a side that becomes the sealing region 23 of the side surfaces 20d and 20f is the side surface uneven region 27. It may be. That is, in this embodiment, since the metal particles 70 are suspended from the target member 90 to form the uneven shape, the uneven shape can be formed at a desired location, and the range in which the uneven shape is configured can be changed as appropriate.
  • a mask may not be formed in the wire region 24 of the terminal portion 20, and the wire region 24 may also be a first uneven region 25a as shown in FIG. That is, as for the terminal part 20, the whole area
  • the first uneven region 25a is configured by the minute uneven portion 71 having a maximum height of 300 nm or less, so that the adhesion with the molding resin 60 is improved and the bonding wire 50 is connected. It is possible to suppress a decrease in bondability.
  • the terminal portion 20 is composed of a main metal portion 21 composed of Al or an Al alloy, and the metal thin film 22 is not provided.
  • region 25a is made into the uneven
  • each surface 20 a to 20 f is composed of the main metal portion 21.
  • the minute uneven portion 71 of the present embodiment is configured by laminating a plurality of metal particles 70, and the plurality of metal particles 70 are arranged in a substantially layer shape. That is, in the present embodiment, the plurality of metal particles 70 are regularly arranged from the metal particles 70 described with reference to FIG.
  • grooved part 71 of this embodiment is comprised by the uneven
  • the maximum unevenness 71 has a maximum height of 300 nm or less.
  • a gap 72 is formed between adjacent metal particles 70.
  • the gap 72 has a size that allows the molten resin constituting the mold resin 60 to enter, as in the first embodiment. Then, the mold resin 60 enters the gap 72.
  • the second uneven region 25 b has an uneven shape in which the above-described substantially layered minute uneven portion 71 is formed on the metal thin film 22 including the groove portion 73.
  • region 27 are made into the uneven
  • the mounting portion 10 is composed of a main metal portion 11 composed of Al or an Al alloy, and the metal thin film 12 is not provided.
  • region 15a is set as the structure similar to the 1st uneven
  • the second uneven region 15 b has an uneven shape in which the substantially layered minute uneven portion 71 is formed on the metal thin film 12 including the groove 73.
  • the side uneven region 16 has an uneven shape in which the substantially layered minute uneven portion 71 is formed, like the first uneven region 25a.
  • each surface 10a to 10f is composed of the main metal portion 11.
  • Such an uneven shape is formed by irradiating the laser beam L under the same conditions as in the first embodiment.
  • the clear principle is not clear also about this, it estimates as follows. That is, Al or Al alloy has a melting point lower than Ni. For this reason, when the main metal portions 11 and 21 are made of Al or an Al alloy so that the laser beam L is irradiated, the metal thin films 12 and 22 are made of an Ni plating film so that the laser beam L is irradiated.
  • the floating metal particle 70 has a larger energy than the case of the above. Therefore, when the laser beam L is irradiated under the same conditions as in the first embodiment, when the floating metal particles 70 are deposited, the energy lost until the metal particles 70 are fixed increases. It is presumed that it becomes possible to arrange regularly after the deposition.
  • the concavo-convex shape may be substantially layered by laminating the metal particles 70. Further, such a concavo-convex shape has a larger proportion of the voids 72 than the concavo-convex shape of the first embodiment, and an amount of entering the voids 72 of the mold resin 60 is increased. For this reason, the adhesiveness of the mounting part 10 and the terminal part 20, and the mold resin 60 can be improved further.
  • the mold resin 60 may contain a filler such as alumina or silica for adjusting the linear expansion coefficient in the epoxy resin.
  • the metal thin film 22 has laminated
  • a material for forming the bonding wire 50 and a bonding plating film having high bonding properties may be laminated.
  • the metal particles 70 are laminated on the bonding plating film to form an uneven shape.
  • the target member 90 may be configured by using a metal material different from that of the metal thin film 22, and may be configured by, for example, Fe, Al, Sn (tin), or the like. Even if such a target member 90 is used, it is possible to form a concavo-convex shape by laminating metal particles 70 at desired locations of the mounting portion 10 and the terminal portion 20. That is, in the said 3rd Embodiment, what is comprised with the material different from the material which comprises the metal thin film 22 can be used as the target member 90, and the freedom degree of design can be improved.
  • stack can be changed suitably according to a use application, and the freedom degree of design can be improved.
  • the fourth embodiment is performed by irradiating the laser beam L under the same conditions as in the third embodiment.
  • the plurality of metal particles 70 are arranged in a substantially layered manner and stacked.
  • a flexible substrate made of a resin may be used as a base material, and metal particles 70 may be laminated on a desired region of the flexible substrate to form an uneven shape.
  • the groove 73 is formed and the metal particles 70 are floated, and the floating metal particles 70 are deposited and stacked. May be irradiated.
  • the principle of sputtering may be applied to cause metal particles to collide.
  • metal particles may collide with the target member 90 to float the metal particles 70 from the target member 90.

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Abstract

一面（２０ａ）、および一面（２０ａ）と連なる側面（２０ｃ、２０ｄ、２０ｆ）を有し、一面（２０ａ）および側面（２０ｃ、２０ｄ、２０ｆ）がモールド樹脂（６０）で封止された封止領域（２３）となる基材（２０）において、一面（２０ａ）のうちの封止領域（２３）を構成する領域に一面凹凸領域（２５）を構成し、側面（２０ｃ、２０ｄ、２０ｆ）のうちの封止領域（２３）を構成する領域に側面凹凸領域を構成する。

Description

基材、それを用いたモールドパーケージ、基材の製造方法、およびモールドパッケージの製造方法 関連出願への相互参照
　本出願は、２０１７年４月１４日に出願された日本特許出願番号２０１７－８０６７９号に基づくもので、ここにその記載内容が参照により組み入れられる。
　本開示は、凹凸形状とされた凹凸領域を有する基材、それを用いたモールドパーケージ、基材の製造方法、およびモールドパッケージの製造方法に関する。
　従来より、基材の一面に半導体チップ等を搭載した半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、この半導体装置では、基材の一面のうちの半導体チップが搭載される領域と異なる領域に凹凸形状とされた凹凸領域が構成されている。そして、基材の一面には、半導体チップを覆うように、モールド樹脂が配置されている。
　このような半導体装置では、基材は、一面に凹凸領域が構成されている。このため、基材の一面とモールド樹脂との密着性を向上でき、基材の一面からモールド樹脂が剥離してしまうことを抑制できる。
特開２０１６－２０００１号公報
　ところで、上記のような基材をモールド樹脂で封止する場合、当該モールド樹脂にて基材の側面を封止することも想定される。この場合、基材は、側面が凹凸領域とされていないため、当該側面からモールド樹脂が剥離してしまう可能性がある。
　本開示は、側面からもモールド樹脂が剥離することを抑制できる基材、それを用いたモールドパーケージ、基材の製造方法、およびモールドパッケージの製造方法を提供することを目的とする。
　本開示の１つの観点によれば、一面、および一面と連なる側面を有し、一面および側面がモールド樹脂で封止された封止領域となる基材は、一面のうちの封止領域を構成する領域には、凹凸形状とされた一面凹凸領域が構成され、側面のうちの封止領域を構成する領域には、凹凸形状とされた側面凹凸領域が構成され、一面凹凸領域および側面凹凸領域は、複数の金属粒子が積層されることで構成されている。
　これによれば、一面に一面凹凸領域が構成されていると共に、側面に側面凹凸領域が構成されているため、モールド樹脂で封止された際、一面および側面からモールド樹脂が剥離することを抑制できる。
　また、本開示の別の観点によれば、複数の金属粒子は、隣接する金属粒子の間に空隙が構成される状態で積層され、空隙は、互いに繋がっていると共に金属粒子が積層されている領域よりも外側の空間と繋がっている。
　これによれば、モールド樹脂で封止された際、モールド樹脂が空隙内に入り込むことができる。このため、モールド樹脂との密着性を向上でき、さらにモールド樹脂が剥離することを抑制できる。
　また、本開示の別の観点によれば、搭載部および端子部がモールド樹脂で封止されたモールドパッケージは、一面および一面と連なる側面を有する搭載部と、一面および一面と連なる側面を有する端子部と、搭載部の一面に搭載される半導体チップと、半導体チップと端子部とを電気的に接続する接続部材と、半導体チップおよび接続部材を封止しつつ、搭載部の一面および側面、端子部の一面および側面を封止するモールド樹脂と、を備え、搭載部および端子部は、モールド樹脂で封止される封止領域において、一面に凹凸形状とされた一面凹凸領域が構成され、側面に凹凸形状とされた側面凹凸領域が構成され、一面凹凸領域および側面凹凸領域は、複数の金属粒子が積層されることで構成されている。
　これによれば、搭載部および端子部は、それぞれ一面に一面凹凸領域が構成されていると共に側面に側面凹凸領域が構成されている。このため、搭載部および端子部の各一面および各側面からモールド樹脂が剥離することを抑制したモールドパッケージとできる。
　また、本開示の別の観点によれば、一面、および一面と連なる側面を有し、一面および側面がモールド樹脂で封止された封止領域となる基材の製造方法は、一面および側面を有し、金属材料で構成された基礎部材を用意することと、一面のうちの封止領域を構成する領域に、凹凸形状とされた一面凹凸領域を形成することと、側面のうちの封止領域を構成する領域に、凹凸形状とされた側面凹凸領域を形成することと、を行い、一面凹凸領域を形成すること、および側面凹凸領域を形成することでは、一面に、溝部を形成することで金属粒子を浮遊させ、浮遊した金属粒子を、一面のうちの溝部、および溝部の周囲に蒸着して当該金属粒子を積層すると共に、側面に蒸着して当該金属粒子を積層することにより、一面凹凸領域および側面凹凸領域を形成するようにしている。
　これによれば、一面に溝部を形成することで側面に側面凹凸領域を構成するため、側面に特別な処理を行う必要がない。このため、製造工程の簡略化を図りつつ、側面に側面凹凸領域を形成できる。
　また、本開示の別の観点によれば、一面、および一面と連なる側面を有し、一面および側面がモールド樹脂で封止された封止領域となる基材の製造方法は、一面および側面を有する基礎部材を用意することと、一面のうちの封止領域を構成する領域に、凹凸形状とされた一面凹凸領域を形成することと、側面のうちの封止領域を構成する領域に、凹凸形状とされた側面凹凸領域を形成することと、を行い、一面凹凸領域を形成すること、および側面凹凸領域を形成することでは、金属材料で構成されるターゲット部材を用意することと、ターゲット部材から金属粒子を浮遊させ、浮遊した金属粒子を一面および側面に蒸着して積層することにより、一面凹凸領域および側面凹凸領域を形成することと、を行うようにしている。
　これによれば、ターゲット部材を用意し、ターゲット部材から浮遊させた金属粒子を蒸着させることで各凹凸領域を形成している。このため、ターゲット部材を構成する材料を変更することにより、各凹凸領域を構成する金属粒子を変更できる。このため、使用用途に応じた金属粒子を用いて各凹凸領域を構成でき、設計の自由度を向上できる。
　また、本開示の別の観点によれば、基材がモールド樹脂封止されたモールドパッケージの製造方法は、上記の基材の製造方法にて製造された基材を用意することと、基材の一面および側面が封止されるように、モールド樹脂を形成することと、を行い、モールド樹脂を形成することでは、当該モールド樹脂が空隙内に入り込んだ状態とするようにしている。
　これによれば、金属粒子が積層されることで構成される空隙内にモールド樹脂が入り込んだ状態とするため、基材とモールド樹脂との密着性を向上したモールドパッケージを製造できる。
　なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
第１実施形態におけるモールドパッケージの断面図である。 図１に示す端子部における一面の各領域を説明するための図である。 図２中のIII－III線に沿った断面図である。 図３中の領域IVの拡大図である。 図２中の矢印V方向から視た平面図である。 図２中の矢印VI方向から視た平面図である。 図１に示す搭載部における一面の各領域を説明するための図である。 図７中の矢印VIII方向から視た平面図である。 端子部にレーザ光を照射する領域を示す図である。 端子部にレーザ光を照射した際の状態を示す模式図である。 第２実施形態における端子部の一面の各領域を説明するための図である。 第３実施形態における端子部の一面の各領域を説明するための図である。 図１２に示す端子部を形成する製造工程を示す図である。 第３実施形態の変形例における端子部の一面の各領域を説明するための図である。 第４実施形態における金属粒子の積層状態を示す模式図であり、図３中の領域IVに相当する部分の拡大図である。
　以下、本開示の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
　（第１実施形態）
　第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。まず、本実施形態のモールドパッケージの構成について説明する。図１に示されるように、モールドパッケージ１は、搭載部１０と、搭載部１０に周囲に配置された複数の端子部２０とを有している。なお、図１では、複数の端子部２０のうちの１本の端子部２０のみを図示している。
　搭載部１０および端子部２０は、本実施形態では、これら搭載部１０および端子部２０がタイバーや外周フレーム等で一体化された図示しないリードフレームを用意し、タイバーや外周フレーム等が適宜除去されて分離されることで構成される。つまり、搭載部１０および端子部２０は、共通のリードフレームを用いて構成されている。
　本実施形態では、搭載部１０は、金属材料から構成される主金属部１１と、当該主金属部１１を覆うように形成された金属薄膜１２とを有する構成とされている。同様に、端子部２０は、金属材料から構成される主金属部２１と、当該主金属部２１を覆うように形成された金属薄膜２２とを有する構成とされている。
　主金属部１１、２１は、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金、Ｆｅ（鉄）、またはＦｅ系合金等の金属材料で構成されている。金属薄膜１２、２２は、めっき膜であり、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、またはＡｕ（金）等の金属材料で構成される。なお、本実施形態では、金属薄膜１２、２２は、Ｎｉめっき膜で構成されている。
　搭載部１０は、板状とされており、一面１０ａ、一面１０ａと反対側の他面１０ｂ、および一面１０ａと他面１０ｂとを繋ぐ４つの側面１０ｃ～１０ｆを有している。図１中では、側面１０ｃ～１０ｆのうちの側面１０ｃ、１０ｅが示されている。なお、側面１０ｄ、１０ｆは、後述する図７に示されるように、それぞれ側面１０ｃと側面１０ｅとを繋ぐ側面である。また、上記のように、搭載部１０は、主金属部１１が金属薄膜１２に覆われた構成とされている。このため、搭載部１０の各面１０ａ～１０ｆは、金属薄膜１２のうちの主金属部１１側と反対側の面にて構成されている。
　搭載部１０の一面１０ａには、接合部材３０を介して半導体チップ４０が搭載されている。半導体チップ４０は、例えば、シリコン基板にダイオード素子やＭＯＳＦＥＴ（すなわち、Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）素子等が形成されたものが用いられる。接合部材３０は、例えば、Ａｇペーストやはんだ等が用いられる。
　端子部２０は、板状とされており、一面２０ａ、一面２０ａと反対側の他面２０ｂ、および一面２０ａと他面２０ｂとを繋ぐ４つの側面２０ｃ～２０ｆを有している。そして、複数の端子部２０は、一面２０ａが搭載部１０の一面１０ａと略平行となるように、それぞれ搭載部１０の周囲に配置されている。図１中では、側面２０ｃ～２０ｆのうちの搭載部１０側の前側面２０ｃ、搭載部１０側と反対側の後側面２０ｅが示されている。なお、側面２０ｄ、２０ｆは、後述する図２に示されるように、それぞれ前側面２０ｃと後側面２０ｅとを繋ぐ横側面２０ｄ、２０ｆである。また、上記のように、端子部２０は、主金属部２１が金属薄膜２２に覆われた構成とされている。このため、端子部２０の各面２０ａ～２０ｆは、金属薄膜２２のうちの主金属部２１側と反対側の面にて構成されている。
　また、端子部２０は、一面２０ａにおける搭載部１０側において、半導体チップ４０とボンディングワイヤ５０を介して電気的に接続されている。ボンディングワイヤ５０は、例えば、Ａｌワイヤ、Ａｕワイヤ、またはＣｕワイヤ等で構成される。なお、本実施形態では、ボンディングワイヤ５０が接続部材に相当している。
　そして、半導体チップ４０およびボンディングワイヤ５０を封止しつつ、搭載部１０の一面１０ａ、各側面１０ｃ～１０ｆ、および端子部２０における搭載部１０側の各面２０ａ～２０ｄ、２０ｆが封止されるように、モールド樹脂６０が配置されている。
　なお、本実施形態では、モールド樹脂６０は、エポキシ樹脂で構成されている。また、図１では、搭載部１０の他面１０ｂがモールド樹脂６０から露出したものを図示しているが、搭載部１０の他面１０ｂもモールド樹脂６０で封止されていてもよい。
　以上が本実施形態におけるモールドパッケージ１の基本的な構成である。そして、本実施形態では、搭載部１０および端子部２０は、モールド樹脂６０で封止される封止領域に、それぞれ凹凸形状とされた凹凸領域が構成されている。まず、端子部２０の凹凸領域について、図２～図６を参照しつつ説明する。なお、以下では、端子部２０のうちのモールド樹脂６０にて封止される領域を封止領域２３として説明する。
　端子部２０は、図１および図２に示されるように、搭載部１０側の領域が封止領域２３となる。そして、端子部２０は、図２に示されるように、一面２０ａのうちの封止領域２３に、ボンディングワイヤ５０と接続されるワイヤ領域２４を有している。また、端子部２０は、一面２０ａのうちの封止領域２３において、ワイヤ領域２４と異なる領域に凹凸形状とされた一面凹凸領域２５を有している。なお、本実施形態では、ワイヤ領域２４が接続領域に相当している。
　具体的には、端子部２０は、前側面２０ｃ側から後側面２０ｅ側に向かう方向を長手方向とする板状とされている。なお、図２中では、紙面左右方向が長手方向に相当する。そして、一面２０ａのうちの封止領域２３では、長手方向に沿って、前側面２０ｃ側から一面凹凸領域２５、ワイヤ領域２４、一面凹凸領域２５が順に位置している。つまり、一面２０ａのうちの封止領域２３では、ワイヤ領域２４を挟むように２つの一面凹凸領域２５が位置している。
　各一面凹凸領域２５は、ワイヤ領域２４側が第１凹凸領域２５ａとされ、第１凹凸領域２５ａを挟んでワイヤ領域２４と反対側が第２凹凸領域２５ｂとされている。なお、２つの一面凹凸領域２５のうちの前側面２０ｃ側と反対側に位置する一面凹凸領域２５は、第２凹凸領域２５ｂを挟んでワイヤ領域２４側と反対側にも第１凹凸領域２５ａを有している。そして、本実施形態では、一面２０ａのうちの封止領域２３は、前側面２０ｃ側から、前側面２０ｃ側と反対側に位置する一面凹凸領域２５のうちの第２凹凸領域２５ｂまでとされている。つまり、前側面２０ｃ側から最も離れた第１凹凸領域２５ａは、封止領域２３外に位置している。但し、封止領域２３は、前側面２０ｃ側と反対側に位置する一面凹凸領域２５が全て含まれていてもよい。
　第１凹凸領域２５ａは、図３および図４に示されるように、金属薄膜２２上に複数の金属粒子７０が積層されて構成される微小凹凸部７１を有する凹凸形状とされている。具体的には、本実施形態では、図４に示されるように、微小凹凸部７１は、金属薄膜２２側から当該金属薄膜２２と反対側に向かって先細り形状となるように複数の金属粒子７０が積層されることで構成されている。つまり、本実施形態では、微小凹凸部７１は、複数の金属粒子７０が凸状に積層されることで構成されている。そして、微小凹凸部７１は、隣接する金属粒子７０の間に空隙７２が形成された状態となっている。
　空隙７２は、隣接する金属粒子７０の間の空間が互いに繋がる状態で構成されていると共に、金属粒子７０が積層されている領域よりも外側の空間と繋がる状態で構成されている。本実施形態では、金属粒子７０が凸状に積層されるため、空隙７２は、例えば、隣接する凸部の間に構成される凹部と繋がっているともいえる。そして、空隙７２は、一面２０ａと直交する方向の断面の大きさが数ｎｍ～１００ｎｍ程度とされている。ここで、本実施形態では、モールド樹脂６０は、エポキシ樹脂で構成されており、溶融状態で分子の末端間距離が３～１０ｎｍ程度となる。このため、金属粒子７０は、モールド樹脂６０を構成する溶融樹脂が侵入可能な空隙７２が形成されるように積層されているともいえる。そして、特に図示しないが、空隙７２内には、モールド樹脂６０が入り込んだ状態となっている。また、本実施形態では、微小凹凸部７１は、最大高さが３００ｎｍ以下とされている。言い換えると、金属薄膜２２から最も離れている部分と当該金属薄膜２２との間の最大長さが３００ｎｍ以下とされている。
　なお、金属粒子７０は、本実施形態では、金属薄膜２２と同じ材料の酸化物で構成されている。つまり、本実施形態では、めっき膜がＮｉで構成されているため、Ｎｉの酸化物で構成される金属粒子７０が積層されることで微小凹凸部７１が構成されている。
　第２凹凸領域２５ｂは、図３に示されるように、金属薄膜２２に数μｍ程度の溝部７３が複数形成されていると共に、溝部７３上を含む金属薄膜２２上に上記微小凹凸部７１が形成された凹凸形状とされている。つまり、第２凹凸領域２５ｂは、第１凹凸領域２５ａには形成されていない溝部７３が形成されており、第１凹凸領域２５ａよりも大きな高低差を有する凹凸形状とされている。
　以上が端子部２０の一面２０ａにおける構成である。なお、微小凹凸部７１が形成されている領域は、上記のように、微小凹凸部７１内に空隙７２が形成されているため、多孔質領域となっているともいえる。
　端子部２０の前側面２０ｃは、図１に示されるように、全面が封止領域２３となる。そして、図５に示されるように、前側面２０ｃは、一面２０ａ側の領域が前側面凹凸領域２６とされている。つまり、前側面２０ｃは、第２凹凸領域２５ｂと連なる領域が前側面凹凸領域２６とされている。なお、前側面凹凸領域２６は、横側面２０ｄと横側面２０ｆとの間において、一面２０ａから最も離れた部分までの長さがほぼ等しくなっている。また、前側面凹凸領域２６は、第１凹凸領域２５ａと同様の構成とされており、複数の金属粒子７０が積層されることで構成される凹凸形状とされている。
　端子部２０の横側面２０ｄ、２０ｆは、図１に示されるように、搭載部１０側の領域が封止領域２３となる。そして、図６に示されるように、横側面２０ｄは、封止領域２３において、一面２０ａ側に横側面凹凸領域２７を有している。具体的には、横側面凹凸領域２７は、横側面２０ｄのうちの一面２０ａ側の領域において、第１凹凸領域２５ａおよび第２凹凸領域２５ｂと連なる領域に構成されている。また、横側面凹凸領域２７は、第２凹凸領域２５ｂと繋がる領域から当該第２凹凸領域２５ｂから離れるほど、一面２０ａから最も離れた部分までの長さが短くなっている。すなわち、横側面凹凸領域２７は、第１凹凸領域２５ａと繋がる領域では、当該第２凹凸領域２５ｂから離れるほど、一面２０ａから最も離れた部分までの長さが短くなっている。
　なお、横側面凹凸領域２７は、第１凹凸領域２５ａと同様の構成とされており、複数の金属粒子７０が積層されることで構成される凹凸形状とされている。また、横側面２０ｄのうちの第１凹凸領域２５ａと繋がる領域とは、言い換えると、横側面２０ｄのうちの第１凹凸領域２５ａの直下に位置する領域のことである。同様に、横側面２０ｄのうちの第２凹凸領域２５ｂと繋がる領域とは、言い換えると、横側面２０ｄのうちの第２凹凸領域２５ｂの直下に位置する領域のことである。また、特に図示しないが、横側面２０ｆは、横側面２０ｄと同様に、一面２０ａ側に横側面凹凸領域２７が構成されている。
　以上が本実施形態における端子部２０の構成である。なお、図２中の一面凹凸領域２５、図５中の前側面凹凸領域２６、図６中の横側面凹凸領域２７には、理解をし易くするために、凹凸形状を示す複数の点を示してある。次に、搭載部１０の構成について説明する。なお、以下では、搭載部１０のうちのモールド樹脂６０にて封止される領域を封止領域１３として説明する。
　搭載部１０の一面１０ａは、図７に示されるように、略中央部が搭載領域１４とされ、搭載領域１４を囲む領域が凹凸形状とされた一面凹凸領域１５とされている。なお、搭載領域１４は、接合部材３０を介して半導体チップ４０が配置される領域のことである。そして、搭載部１０の一面１０ａでは、図１に示されるように、一面凹凸領域１５がモールド樹脂６０で封止される封止領域１３となる。
　一面凹凸領域１５は、搭載領域１４側が第１凹凸領域１５ａとされ、第１凹凸領域１５ａを挟んで搭載領域１４と反対側が第２凹凸領域１５ｂとされている。第１凹凸領域１５ａは、端子部２０の第１凹凸領域２５ａと同様に、複数の金属粒子７０が積層されて微小凹凸部７１が構成された凹凸形状とされている。また、第２凹凸領域１５ｂは、端子部２０の第２凹凸領域２５ｂと同様に、溝部７３が複数形成されていると共に、溝部７３上を含む金属薄膜１２上に上記微小凹凸部７１が構成された凹凸形状とされている。
　搭載部１０の側面１０ｃ～１０ｆは、図１に示されるように、それぞれ全面が封止領域１３となる。そして、側面１０ｃは、図８に示されるように、一面２０ａ側の領域が側面凹凸領域１６とされている。側面凹凸領域１６は、第１凹凸領域１５ａと同様に、複数の金属粒子７０が積層されて微小凹凸部７１が構成された凹凸形状とされている。また、側面凹凸領域１６は、側面１０ｄと側面１０ｆとの間において、一面１０ａから最も離れた部分までの長さがほぼ等しくなっている。なお、特に図示しないが、他の側面１０ｄ、１０ｅ、１０ｆにおいても、側面１０ｃと同様に、一面１０ａ側の領域が側面凹凸領域１６とされている。また、図７中の一面凹凸領域１５、および図８中の側面凹凸領域１６には、理解をし易くするために、凹凸形状を示す複数の点を示してある。
　以上が本実施形態におけるモールドパッケージ１の構成である。次に、本実施形態のモールドパッケージ１の製造方法について、図９および図１０を参照しつつ説明する。
　まず、図９および図１０に示されるように、搭載部１０と端子部２０とがタイバーや外周フレーム等で一体化されたリードフレーム８０を用意する。なお、図９および図１０では、リードフレーム８０における１つの端子部２０のみを図示している。また、本実施形態では、リードフレーム８０が基礎部材に相当する。
　そして、搭載部１０に、一面凹凸領域１５および側面凹凸領域１６を形成する。また、端子部２０に、一面凹凸領域２５、前側面凹凸領域２６、および横側面凹凸領域２７を形成する。以下に、端子部２０に一面凹凸領域２５、前側面凹凸領域２６、および横側面凹凸領域２７を形成する工程について具体的に説明する。なお、搭載部１０に一面凹凸領域１５および側面凹凸領域１６を形成する工程は、端子部２０に一面凹凸領域２５、前側面凹凸領域２６、および横側面凹凸領域２７を形成する工程と同様である。
　すなわち、本実施形態では、レーザ光Ｌを発振する光源および集光レンズ等を適宜配置し、端子部２０の第２凹凸領域２５ｂとなる領域にレーザ光Ｌを照射する。本実施形態では、例えば、第２凹凸領域２５ｂにレーザ光Ｌを照射する場合、図９中の矢印Ａで示されるように、端子部２０の長手方向と直交する方向に沿った複数個所にレーザ光Ｌを照射する。この際、例えば、端子部２０を搭載したテーブルを走査すること、または光源を走査することにより、光源を第２凹凸領域２５ｂに対して相対移動させ、矢印Ａに沿った複数の位置にレーザ光Ｌを照射する。なお、光源側にミラーを配置し、当該ミラーを回転動作さることでレーザ光Ｌを走査させる、いわゆるガルバノスキャナを用いてレーザ光Ｌを照射するようにしてもよい。
　この場合、図１０に示されるように、レーザ光Ｌが照射された領域では、金属粒子７０が浮遊して数μｍ程度の溝部７３が形成される。そして、浮遊した金属粒子７０は、レーザ光Ｌが照射された領域の周囲に蒸着する。これにより、浮遊した金属粒子７０が積層されて微小凹凸部７１が構成される。この際、浮遊した金属粒子７０は、レーザ光Ｌが照射された領域の周囲の領域にも蒸着する。このため、一面２０ａでは、第２凹凸領域２５ｂと隣接する位置に複数の金属粒子７０が積層されて第１凹凸領域２５ａが構成される。また、前側面２０ｃ、横側面２０ｄ、および横側面２０ｆでは、第２凹凸領域２５ｂと隣接する一面２０ａ側に複数の金属粒子７０が積層され、前側面凹凸領域２６、横側面凹凸領域２７が構成される。このように前側面２０ｃおよび横側面２０ｄ、２０ｆに凹凸形状を構成することにより、各側面２０ｃ、２０ｄ、２０ｆに対して特別な処理を行う必要もなく、製造工程の簡略化を図ることもできる。
　なお、金属粒子７０は、上記のように、空隙７２が構成されるように積層される。また、横側面２０ｄ、２０ｆでは、第２凹凸領域２５ｂから離れるほど金属粒子７０が付着し難くなる。このため、図６に示されるように、横側面凹凸領域２７は、第２凹凸領域２５ｂから離れるほど、一面２０ａから最も離れた部分までの長さが短くなる。
　また、レーザ光Ｌを照射する場合は、金属粒子７０が飛散して製造装置に付着する等し、当該製造装置が汚染されないような条件で行われることが好ましい。例えば、本実施形態のようにＮｉめっき膜で金属薄膜２２を構成する場合は、エネルギー密度が３００Ｊ／ｃｍ２以下であって、パルス幅が１μｍ秒以下であり、金属薄膜２２の表面温度が１５００℃程度となるようにレーザ光Ｌを照射すればよい。
　また、本実施形態では、金属薄膜２２がＮｉめっき膜で構成されているため、上記条件でレーザ光Ｌを照射すると、金属粒子７０は、図４に示されるように、金属薄膜２２側から当該金属薄膜２２と反対側に向かって先細り形状となるように蒸着する。これについては、明確な原理が明らかではないが、浮遊した金属粒子７０が蒸着した際、当該金属粒子７０が有するエネルギーが小さいために再配列し難いためであると推測される。
　以上のようにして端子部２０には、一面凹凸領域２５、前側面凹凸領域２６および横側面凹凸領域２７が形成される。
　また、特に図示しないが、搭載部１０においても、第２凹凸領域１５ｂにレーザ光Ｌを照射する。これにより、第２凹凸領域１５ｂは、溝部７３が形成されると共に金属粒子７０が積層されて凹凸形状が構成される。また、一面１０ａにおける第２凹凸領域１５ｂの周囲は、金属粒子７０が積層されることで第１凹凸領域１５ａが構成される。そして、側面１０ｃ～１０ｆは、第２凹凸領域１５ｂと隣接する一面１０ａ側の領域に、金属粒子７０が積層されて側面凹凸領域１６が構成される。
　次に、搭載部１０の搭載領域１４に接合部材３０を介して半導体チップ４０を搭載する。そして、ワイヤボンディングを行い、半導体チップ４０と端子部２０とを接合する。なお、端子部２０には、ワイヤ領域２４に対してワイヤボンディングを行う。
　続いて、上記工程を行ったものを図示しない金型内に配置し、金型内にモールド樹脂６０を構成する溶融樹脂を流し込んで固化する。この際、溶融樹脂は、空隙７２が当該溶融樹脂が入り込める大きさとされているため、空隙７２にも入り込んだ状態で固化される。その後、適宜外周フレーム等を除去することにより、上記モールドパッケージが構成される。
　以上説明したように、本実施形態では、搭載部１０は、一面１０ａに一面凹凸領域１５が構成されていると共に、側面１０ｃ～１０ｆにも側面凹凸領域１６が構成されている。このため、搭載部１０の側面１０ｃ～１０ｆからモールド樹脂６０が剥離することを抑制できる。同様に、端子部２０は、一面２０ａに一面凹凸領域２５が構成されていると共に、側面２０ｃ、２０ｄ、２０ｆにも側面凹凸領域２６、２７が構成されている。このため、端子部２０の側面２０ｃ、２０ｄ、２０ｆからモールド樹脂６０が剥離することを抑制できる。
　また、隣接する金属粒子７０の間には、空隙７２が形成されている。そして、モールド樹脂６０は、空隙７２内にも入り込んだ状態となっている。このため、空隙７２が形成されていない場合と比較して、搭載部１０および端子部２０と、モールド樹脂６０との密着性を向上できる。このため、さらにモールド樹脂６０が剥離することを抑制でき、ひいては気密性を向上できる。
　（第２実施形態）
　第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、端子部２０のワイヤ領域２４にも凹凸形状が構成されたものであり、その他に関しては上記第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　本実施形態では、図１１に示されるように、端子部２０は、ワイヤ領域２４が第１凹凸領域２５ａとされ、当該ワイヤ領域２４が２つの第２凹凸領域２５ｂで挟まれた状態とされている。つまり、本実施形態では、端子部２０の一面２０ａは、封止領域２３において全て一面凹凸領域２５とされている。なお、図１１中の一面凹凸領域２５には、理解をし易くするために、凹凸形状を示す複数の点を示してある。
　これによれば、ワイヤ領域２４は、実際にボンディングワイヤ５０が接続される領域の周囲も凹凸形状とされる。このため、ワイヤ領域２４とモールド樹脂６０との密着性を向上できる。
　また、ワイヤ領域２４に対してワイヤボンディングを行う場合は、例えば、ワイヤ領域２４にワイヤを押し当てた状態で超音波振動を印加することによって行われる。ここで、本発明者らは、ワイヤボンディングを行う場合、凹凸の高低差が３００ｎｍ以下の場合には、ワイヤボンディングを行う際の接合性が低下しないことを見出している。そして、第１凹凸領域２５ａは、最大高さが３００ｎｍ以下とされた微小凹凸部７１で構成される。このため、本実施形態では、ボンディングワイヤ５０との接合性が低下することを抑制しつつ、さらにモールド樹脂６０との密着性を向上できる。
　なお、このようにワイヤ領域２４を第１凹凸領域２５ａとする場合には、第２凹凸領域２５ｂから浮遊させた金属粒子７０がワイヤ領域２４に蒸着するようにすればよい。言い換えると、ワイヤ領域２４に金属粒子７０が蒸着するように、第２凹凸領域２５ｂから金属粒子７０を浮遊させればよい。
　また、特に図示しないが、本実施形態では、第２凹凸領域２５ｂがワイヤ領域２４と隣接して位置している。このため、横側面２０ｄ、２０ｆは、一面２０ａ側の領域のうちのワイヤ領域２４と繋がる部分にも横側面凹凸領域２７が構成される。
　（第３実施形態）
　第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、端子部２０に第２凹凸領域２５ｂが形成されていないものであり、その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　本実施形態では、図１２に示されるように、端子部２０は、一面２０ａのうちの封止領域２３において、ワイヤ領域２４と異なる領域が第１凹凸領域２５ａとされており、第２凹凸領域２５ｂが形成されていない。また、特に図示しないが、前側面２０ｃは、全領域が前側面凹凸領域２６とされている。同様に、横側面２０ｄ、２０ｆは、封止領域２３となる全領域が横側面凹凸領域２７とされている。
　さらに、特に図示しないが、搭載部１０は、一面１０ａのうちの封止領域２３において、搭載領域１４と異なる全領域が第１凹凸領域１５ａとされており、第２凹凸領域２５ｂが形成されていない。また、特に図示しないが、各側面１０ｃ～１０ｆは、全領域が側面凹凸領域１６とされている。
　次に、このような端子部２０の製造方法について説明する。なお、搭載部１０の製造方法についても同様である。
　本実施形態では、図１３に示されるように、搭載部１０と端子部２０とがタイバーや外周フレーム等で一体化されたリードフレーム８０を用意する。そして、搭載部１０のうちのワイヤ領域２４上に図示しないマスクを配置する。次に、端子部２０のうちの金属粒子７０を積層させたい領域の近傍にターゲット部材９０を配置する。なお、本実施形態では、ターゲット部材９０として、Ｎｉで構成されたものを用いる。
　そして、ターゲット部材９０にレーザ光Ｌを照射し、ターゲット部材９０から金属粒子７０を浮遊させて端子部２０に蒸着させて積層する。これにより、端子部２０に金属粒子７０が積層されて第１凹凸領域２５ａが構成される。その後、ワイヤ領域２４に形成されたマスクを除去する。このようにして端子部２０の一面２０ａは、ワイヤ領域２４と異なる領域に第１凹凸領域２５ａが形成された構成となる。
　また、端子部２０の側面２０ｃ、２０ｄ、２０ｆでは、前側面凹凸領域２６および横側面凹凸領域２７がそれぞれ形成される。この際、ターゲット部材９０を移動させる等することにより、側面２０ｃ、２０ｄ、２０ｆの所望箇所に金属粒子７０を積層できる。つまり、本実施形態では、ターゲット部材９０を移動させる等することにより、側面２０ｃ、２０ｄ、２０ｆの全領域に金属粒子７０を積層して凹凸形状を構成する。
　なお、ターゲット部材９０にレーザ光Ｌを照射する場合、例えば、エネルギー密度を１０Ｊ／ｃｍ２とし、パルス幅を１μｍ秒以下としてレーザ光Ｌを照射すると、ターゲット部材９０から金属粒子７０が０．２５ｍｍ程度の高さまで浮遊する。このため、ターゲット部材９０と端子部２０との間隔を０．２５ｍｍ以下とすることにより、ターゲット部材９０から金属粒子７０を端子部２０に蒸着させて積層することができる。
　また、ターゲット部材９０に照射するレーザ光Ｌのエネルギー密度等を大きくすれば、ターゲット部材９０から浮遊する金属粒子７０の浮遊距離は長くなる。このため、ターゲット部材９０から端子部２０に金属粒子７０が蒸着するのであれば、レーザ光Ｌのエネルギー密度や、ターゲット部材９０と端子部２０との間隔は適宜変更可能である。但し、上記のように、レーザ光Ｌのエネルギー密度を大きくし過ぎると、ターゲット部材９０から金属粒子が飛散する可能性があるため、レーザ光Ｌのエネルギー密度は、３００Ｊ／ｃｍ２以下とすることが好ましい。
　また、特に図示しないが、搭載部１０においても、ターゲット部材９０から金属粒子７０を浮遊させて当該搭載部１０に金属粒子７０を蒸着させる。なお、搭載部１０は、例えば、搭載領域１４上にマスクを配置し、金属粒子７０を蒸着した後にマスクを除去することにより、搭載領域１４に金属粒子７０が蒸着していない構成とできる。
　以上説明した本実施形態によれば、ターゲット部材９０から金属粒子７０を浮遊させて凹凸形状を構成するため、所望箇所に凹凸形状を構成できる。例えば、端子部２０の側面２０ｃ、２０ｄ、２０ｆにおける他面２０ｂ側にも凹凸形状を構成できる。したがって、モールド樹脂６０との密着性をさらに向上できる。
　なお、上記では、端子部２０は、前側面２０ｃの全領域が前側面凹凸領域２６とされ、横側面２０ｄ、２０ｆの封止領域２３となる全領域が横側面凹凸領域２７とされている例について説明した。しかしながら、端子部２０は、例えば、前側面２０ｃの一面２０ａ側のみが前側面凹凸領域２６とされ、横側面２０ｄ、２０ｆの封止領域２３となる一面２０ａ側のみが横側面凹凸領域２７とされていてもよい。つまり、本実施形態では、ターゲット部材９０から金属粒子７０を浮遊させて凹凸形状を構成するため、所望箇所に凹凸形状を構成でき、凹凸形状が構成される範囲は適宜変更可能である。
　（第３実施形態の変形例）
　第３実施形態の変形例について説明する。第３実施形態において、端子部２０のワイヤ領域２４にマスクを形成せず、図１４に示されるように、ワイヤ領域２４も第１凹凸領域２５ａとされていてもよい。つまり、端子部２０は、封止領域２３における一面２０ａの全領域が第１凹凸領域２５ａとされていてもよい。このような構成としても、第１凹凸領域２５ａは、最大高さが３００ｎｍ以下とされた微小凹凸部７１で構成されるため、モールド樹脂６０との密着性を向上しつつ、ボンディングワイヤ５０との接合性が低下することを抑制できる。
　（第４実施形態）
　第４実施形態について説明する。本実施形態は、第３実施形態に対して、金属粒子７０の積層状態を変更したものであり、その他に関しては、第３実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　本実施形態では、端子部２０は、Ａｌ、またはＡｌ合金で構成される主金属部２１で構成され、金属薄膜２２が備えられていない。そして、本実施形態では、第１凹凸領域２５ａは、Ａｌの酸化物で構成される金属粒子７０が積層された微小凹凸部７１を有する凹凸形状とされている。なお、本実施形態では、端子部２０は、金属薄膜２２が備えられていないため、各面２０ａ～２０ｆは主金属部２１で構成されている。
　本実施形態の微小凹凸部７１は、図１５に示されるように、複数の金属粒子７０が積層されることで構成されているが、複数の金属粒子７０が略層状に配列されている。つまり、本実施形態では、複数の金属粒子７０は、上記図４で説明した金属粒子７０より規則的に配列されている。なお、本実施形態の微小凹凸部７１は、金属薄膜２２側と反対側に位置する金属粒子７０の配列に起因した凹凸形状にて構成される。また、本実施形態においても、微小凹凸部７１は、最大高さが３００ｎｍ以下とされている。
　そして、微小凹凸部７１には、隣接する金属粒子７０の間に空隙７２が形成されている。なお、この空隙７２は、上記第１実施形態と同様に、モールド樹脂６０を構成する溶融樹脂が侵入可能な大きさとされている。そして、空隙７２には、モールド樹脂６０が入り込んだ状態となる。
　また、第２凹凸領域２５ｂは、溝部７３上を含む金属薄膜２２上に、上記略層状の微小凹凸部７１が形成された凹凸形状とされている。そして、前側面凹凸領域２６、および横側面凹凸領域２７は、第１凹凸領域２５ａと同様に、上記略層状の微小凹凸部７１が形成された凹凸形状とされている。
　同様に、搭載部１０は、Ａｌ、またはＡｌ合金で構成される主金属部１１で構成され、金属薄膜１２が備えられていない。そして、第１凹凸領域１５ａは、端子部２０の第１凹凸領域２５ａと同様の構成とされ、上記略層状の微小凹凸部７１が形成された凹凸形状とされている。また、第２凹凸領域１５ｂは、溝部７３上を含む金属薄膜１２上に、上記略層状の微小凹凸部７１が形成された凹凸形状とされている。そして、側面凹凸領域１６は、第１凹凸領域２５ａと同様に、上記略層状の微小凹凸部７１が形成された凹凸形状とされている。なお、本実施形態では、搭載部１０は、金属薄膜１２が備えられていないため、各面１０ａ～１０ｆは主金属部１１で構成されている。
　このような凹凸形状は、上記第１実施形態と同様の条件でレーザ光Ｌを照射することにより形成される。なお、これについても明確な原理が明らかではないが、次のように推測される。すなわち、ＡｌまたはＡｌ合金は、融点がＮｉより低い。このため、主金属部１１、２１をＡｌまたはＡｌ合金で構成してレーザ光Ｌが照射されるようにすると、金属薄膜１２、２２をＮｉめっき膜で構成してレーザ光Ｌが照射されるようにした場合より、浮遊した金属粒子７０は、より大きなエネルギーを有することになる。したがって、上記第１実施形態と同様の条件でレーザ光Ｌを照射すると、浮遊した金属粒子７０が蒸着した際に当該金属粒子７０が固定化するまでに失えるエネルギーが大きくなり、金属粒子７０が蒸着した後に規則正しく配列することが可能になるためと推測される。
　以上説明したように、凹凸形状は、金属粒子７０が積層されて略層状とされていてもよい。また、このような凹凸形状は、上記第１実施形態の凹凸形状よりも空隙７２が占める割合が大きくなり、モールド樹脂６０の空隙７２内に入り込む量が多くなる。このため、さらに搭載部１０および端子部２０と、モールド樹脂６０との密着性を向上できる。
　（他の実施形態）
　本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
　例えば、上記各実施形態において、モールド樹脂６０は、エポキシ樹脂中に、線膨張係数を調整するためのアルミナやシリカ等のフィラーが混入されていてもよい。
　また、上記各実施形態において、ボンディングワイヤ５０としてＡｕワイヤやＣｕワイヤを用いる場合、ボンディングワイヤ５０との接合性を向上させるため、金属薄膜２２は、めっき膜上にＡｇめっき膜が積層されていてもよい。つまり、ボンディングワイヤ５０を構成する材料と接合性が高い接合用めっき膜が積層されていてもよい。この場合は、接合用めっき膜上に金属粒子７０が積層されて凹凸形状が構成される。
　さらに、上記第３実施形態において、ターゲット部材９０は、金属薄膜２２と異なる金属材料を用いて構成してもよく、例えば、Ｆｅ、Ａｌ、またはＳｎ（スズ）等で構成されていてもよい。このようなターゲット部材９０を用いたとしても、搭載部１０および端子部２０の所望箇所に金属粒子７０を積層して凹凸形状を構成できる。つまり、上記第３実施形態では、ターゲット部材９０として金属薄膜２２を構成する材料と異なる材料で構成されるものも用いることができ、設計の自由度を向上できる。言い換えると、上記第３実施形態では、使用用途に応じて積層する金属粒子７０を適宜変更でき、設計の自由度を向上できる。なお、例えば、上記第３実施形態において、ターゲット部材９０をＡｌまたはＡｌ合金で構成した場合には、上記第３実施形態と同様の条件でレーザ光Ｌを照射することにより、上記第４実施形態のように、複数の金属粒子７０が略層状に配列されて積層される。
　また、上記第３実施形態において、基材として樹脂で構成されるフレキシブル基板を用い、当該フレキシブル基板の所望領域に金属粒子７０を積層して凹凸形状を構成するようにしてもよい。
　また、上記第１、第２、第４実施形態において、溝部７３が形成されると共に金属粒子７０が浮遊し、浮遊した当該金属粒子７０が蒸着して積層されるのであれば、レーザ光Ｌ以外を照射するようにしてもよい。例えば、スパッタの原理を適用し、金属粒子を衝突させるようにしてもよい。同様に、上記第３実施形態においても、ターゲット部材９０に金属粒子を衝突させて当該ターゲット部材９０から金属粒子７０を浮遊させるようにしてもよい。

Claims (17)

  1. 　一面（１０ａ、２０ａ）、および前記一面と連なる側面（１０ｃ～１０ｆ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｆ）を有し、前記一面および前記側面がモールド樹脂（６０）で封止された封止領域（１３、２３）となる基材であって、
    　前記一面のうちの前記封止領域を構成する領域には、凹凸形状とされた一面凹凸領域（１５、２５）が構成され、
    　前記側面のうちの前記封止領域を構成する領域には、凹凸形状とされた側面凹凸領域（１６、２６、２７）が構成され、
    　前記一面凹凸領域および前記側面凹凸領域は、複数の金属粒子（７０）が積層されることで構成されている基材。
  2. 　前記複数の金属粒子は、隣接する前記金属粒子の間に空隙（７２）が構成される状態で積層され、
    　前記空隙は、互いに繋がっていると共に前記金属粒子が積層されている領域よりも外側の空間と繋がっている請求項１に記載の基材。
  3. 　前記複数の金属粒子は、最大高さが３００ｎｍ以下となる状態で積層されている請求項１または２に記載の基材。
  4. 　前記一面は、前記封止領域を構成する領域に接続部材（５０）と接続される接続領域（２４）を有し、
    　前記一面凹凸領域は、前記接続領域と異なる領域に構成されている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基材。
  5. 　前記一面凹凸領域は、前記接続領域側に構成された第１凹凸領域（２５ａ）と、前記第１凹凸領域を挟んで前記接続領域と反対側に構成された第２凹凸領域（２５ｂ）と、を有し、
    　前記第１凹凸領域は、前記複数の金属粒子が積層されることで構成され、
    　前記第２凹凸領域は、溝部（７３）が形成されていると共に、前記溝部を含む領域に前記複数の金属粒子が積層されることで構成され、前記第１凹凸領域よりも凹凸の高低差が大きくされている請求項４に記載の基材。
  6. 　前記一面は、前記封止領域を構成する領域に接続部材（５０）と接続される接続領域（２４）を有し、
    　前記一面凹凸領域は、前記接続領域を含む領域に構成された第１凹凸領域（２５ａ）と、前記第１凹凸領域と異なる領域に構成された第２凹凸領域（２５ｂ）と、を有し、
    　前記第１凹凸領域は、前記複数の金属粒子が積層されることで構成され、
    　前記第２凹凸領域は、溝部（７３）が形成されていると共に、前記溝部を含む領域に前記複数の金属粒子が積層されることで構成され、前記第１凹凸領域よりも凹凸の高低差が大きくされている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基材。
  7. 　前記側面凹凸領域は、前記側面のうちの前記第２凹凸領域と連なる領域を含んで構成されている請求項５または６に記載の基材。
  8. 　前記一面は、前記封止領域を構成する領域に接続部材（５０）と接続される接続領域（２４）を有し、
    　前記一面凹凸領域は、前記接続領域を含む領域に構成され、前記複数の金属粒子が積層されることで構成されている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基材。
  9. 　搭載部（１０）および端子部（２０）がモールド樹脂（６０）で封止されたモールドパッケージであって、
    　一面（１０ａ）および前記一面と連なる側面（１０ｃ～１０ｆ）を有する前記搭載部と、
    　一面（２０ａ）および前記一面と連なる側面（２０ｃ、２０ｄ、２０ｆ）を有する前記端子部と、
    　前記搭載部の一面に搭載される半導体チップ（４０）と、
    　前記半導体チップと前記端子部とを電気的に接続する接続部材（５０）と、
    　前記半導体チップおよび前記接続部材を封止しつつ、前記搭載部の前記一面および前記側面、前記端子部の前記一面および前記側面を封止する前記モールド樹脂と、を備え、
    　前記搭載部および前記端子部は、前記モールド樹脂で封止される封止領域（１３、２３）において、前記一面に凹凸形状とされた一面凹凸領域（１５、２５）が構成され、前記側面に凹凸形状とされた側面凹凸領域（１６、２６、２７）が構成され、
    　前記一面凹凸領域および前記側面凹凸領域は、複数の金属粒子（７０）が積層されることで構成されているモールドパッケージ。
  10. 　前記複数の金属粒子は、隣接する前記金属粒子の間に空隙（７２）が構成される状態で積層され、
    　前記モールド樹脂は、前記空隙内に入り込んでいる請求項９に記載のモールドパッケージ。
  11. 　一面（１０ａ、２０ａ）、および前記一面と連なる側面（１０ｃ～１０ｆ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｆ）を有し、前記一面および前記側面がモールド樹脂（６０）で封止された封止領域（１３、２３）となる基材の製造方法であって、
    　前記一面および前記側面を有し、金属材料で構成された基礎部材（８０）を用意することと、
    　前記一面のうちの前記封止領域を構成する領域に、凹凸形状とされた一面凹凸領域（１５、２５）を形成することと、
    　前記側面のうちの前記封止領域を構成する領域に、凹凸形状とされた側面凹凸領域（１６、２６、２７）を形成することと、を行い、
    　前記一面凹凸領域を形成すること、および前記側面凹凸領域を形成することでは、前記一面に、溝部（７３）を形成することで金属粒子（７０）を浮遊させ、浮遊した前記金属粒子を、前記一面のうちの前記溝部、および前記溝部の周囲に蒸着して当該金属粒子を積層すると共に、前記側面に蒸着して当該金属粒子を積層することにより、前記一面凹凸領域および前記側面凹凸領域を形成する基材の製造方法。
  12. 　前記基礎部材を用意することでは、前記一面に接続部材（５０）と接続される接続領域（２４）を有するものを用意し、
    　前記一面凹凸領域を形成することでは、前記一面のうちの前記接続領域と異なる領域に前記溝部を形成し、かつ、前記接続領域と異なる領域に前記金属粒子を蒸着して積層する請求項１１に記載の基材の製造方法。
  13. 　前記基礎部材を用意することでは、前記一面に接続部材（５０）と接続される接続領域を有するものを用意し、
    　前記一面凹凸領域を形成することでは、前記一面のうちの前記接続領域と異なる領域に前記溝部を形成し、かつ、前記接続領域を含む領域に前記金属粒子を蒸着して積層する請求項１１に記載の基材の製造方法。
  14. 　一面（１０ａ、２０ａ）、および前記一面と連なる側面（１０ｃ～１０ｆ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｆ）を有し、前記一面および前記側面がモールド樹脂（６０）で封止された封止領域（１３、２３）となる基材の製造方法であって、
    　前記一面および前記側面を有する基礎部材（８０）を用意することと、
    　前記一面のうちの前記封止領域を構成する領域に、凹凸形状とされた一面凹凸領域（１５、２５）を形成することと、
    　前記側面のうちの前記封止領域を構成する領域に、凹凸形状とされた側面凹凸領域（１６、２６、２７）を形成することと、を行い、
    　前記一面凹凸領域を形成すること、および前記側面凹凸領域を形成することでは、金属材料で構成されるターゲット部材（９０）を用意することと、前記ターゲット部材から金属粒子（７０）を浮遊させ、浮遊した前記金属粒子を前記一面および前記側面に蒸着して積層することにより、前記一面凹凸領域および前記側面凹凸領域を形成することと、を行う基材の製造方法。
  15. 　前記基礎部材を用意することでは、前記一面に接続部材（５０）と接続される接続領域を有するものを用意し、
    　前記一面凹凸領域を形成することでは、前記一面のうちの前記接続領域を含む領域に前記金属粒子を蒸着して積層する請求項１４に記載の基材の製造方法。
  16. 　前記金属粒子を蒸着して積層することでは、隣接する前記金属粒子の間で構成される空隙（７２）が互いに繋がると共に、前記空隙と前記金属粒子が積層されている領域よりも外側の空間とが繋がるようにする請求項１１ないし１５のいずれか１つに記載の基材の製造方法。
  17. 　基材（１０、２０）がモールド樹脂（６０）で封止されたモールドパッケージの製造方法であって、
    　請求項１６に記載の製造方法にて製造された前記基材を用意することと、
    　前記基材の一面および側面が封止されるように、前記モールド樹脂を形成することと、を行い、
    　前記モールド樹脂を形成することでは、当該モールド樹脂が前記空隙内に入り込んだ状態とするモールドパッケージの製造方法。
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