JP2016038425A - 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
Description
このような構成において、画素の階調レベルに応じた電位のデータ信号が当該トランジスターのゲートに印加されると、当該トランジスターは、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を発光素子に供給する。これにより、当該発光素子は、階調レベルに応じた輝度で発光する。
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的のひとつは、発光強度の調節に用いるトランジスターの閾値電圧のばらつきを補償する補償動作の高速化を実現することである。
この態様によれば、一本の第1データ転送線に対して、MをNbで除した値であるK本の第2データ転送線が設けられている。また、第1データ転送線は、M行分(M個)の画素回路に対応して設けられ、第2データ転送線は、M行よりも少ないNb行分(Nb個)の画素回路に対応して設けられる。従って、第2データ転送線は第1データ転送線と比較して短い。これにより、第2データ転送線への充電又は放電に要する時間が短縮される。従って、従来の構成と比較して、第2データ転送線に付随する寄生容量への充電又は放電に要する時間が短縮されるため、補償期間自体が短縮される。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電子機器は、前記各態様のいずれかに係る電気光学装置を備えることを特徴とする。この態様によれば、前記各態様のいずれかに係る電気光学装置を備える電子機器が提供される。
図1に示すように、電気光学装置1は、表示パネル2と、表示パネル2の動作を制御する制御回路3とを備える。表示パネル2は、複数の画素回路と、当該画素回路を駆動する駆動回路とを備える。本実施形態において、表示パネル2が備える複数の画素回路及び駆動回路は、シリコン基板に形成され、画素回路には、発光素子の一例であるOLEDが用いられる。また、表示パネル2は、例えば、表示部で開口する枠状のケース82に収納されるとともに、FPC(Flexible Printed Circuits)基板84の一端が接続される。
FPC基板84には、半導体チップの制御回路3が、COF(Chip On Film)技術によって実装されるとともに、複数の端子86が設けられて、図示省略された上位回路に接続される。
制御回路3には、図示省略された上位回路よりデジタルの画像データVideoが同期信号に同期して供給される。ここで、画像データVideoとは、表示パネル2(厳密には、後述する表示部100)で表示すべき画像の画素の階調レベルを例えば8ビットで規定するデータである。また、同期信号とは、垂直同期信号、水平同期信号、及び、ドットクロック信号を含む信号である。
ここで、制御信号Ctrとは、パルス信号や、クロック信号、イネーブル信号など、複数の信号を含む信号である。
なお、制御信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)を、制御信号Selと総称し、制御信号/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)を、制御信号/Selと総称する場合がある。
また、制御回路3は電圧生成回路31を含む。電圧生成回路31は、表示パネル2に対して、各種電位を供給する。具体的には、制御回路3は、表示パネル2に対してリセット電位Vorst及び初期電位Vini等を供給する。
表示部100には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路110がマトリクス状に配列されている。詳細には、表示部100において、M行の走査線12が図において横方向(X方向)に延在して設けられ、また、3列毎にグループ化された(3N)列の第1データ転送線14−1が図において縦方向(Y方向)に延在し、かつ、各走査線12と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。
なお、図面の煩雑化を避けるために図2においては図示していないが、各々の第1データ転送線14−1に対しては、第2データ転送線14−2が電気的に接続可能に且つ縦方向(Y方向)に延在して設けられている(例えば図4参照)。そして、M行の走査線12と、(3N)列の第2データ転送線14−2とに対応して画素回路110が設けられている。このため、本実施形態において画素回路110は、縦M行×横(3N)列でマトリクス状に配列されている。
ここで、第1データ転送線14−1のグループを一般化して説明するために、1以上の任意の整数をnと表すと、左から数えてn番目のグループには、(3n−2)列目、(3n−1)列目及び(3n)列目の第1データ転送線14−1が属している、ということになる。
なお、走査線駆動回路20は、走査信号Gwr(1)〜Gwr(M)のほかにも、当該走査信号Gwrに同期した各種制御信号を行毎に生成して表示部100に供給するが、図2においては図示を省略している。また、フレームの期間とは、電気光学装置1が1カット(コマ)分の画像を表示するのに要する期間をいい、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が120Hzであれば、その1周期分の8.3ミリ秒の期間である。
図3に示すように、デマルチプレクサDMは、列毎に設けられたトランスミッションゲート34の集合体であり、各グループを構成する3列に、データ信号を順番に供給するものである。ここで、n番目のグループに属する(3n−2)、(3n−1)、(3n)列に対応したトランスミッションゲート34の入力端は互いに共通接続されて、その共通端子にそれぞれデータ信号Vd(n)が供給される。n番目のグループにおいて左端列である(3n−2)列に設けられたトランスミッションゲート34は、制御信号Sel(1)がHレベルであるとき(制御信号/Sel(1)がLレベルであるとき)にオン(導通)する。同様に、n番目のグループにおいて中央列である(3n−1)列に設けられたトランスミッションゲート34は、制御信号Sel(2)がHレベルであるとき(制御信号/Sel(2)がLレベルであるとき)にオンし、n番目のグループにおいて右端列である(3n)列に設けられたトランスミッションゲート34は、制御信号Sel(3)がHレベルであるとき(制御信号/Sel(3)がLレベルであるとき)にオンする。
制御回路3は、各列のトランスミッションゲート42に対して、制御信号Gcpl及び制御信号/Gcplを共通に供給する。このため、各列のトランスミッションゲート42は、制御信号GcplがHレベルであるとき(制御信号/GcplがLレベルであるとき)に一斉にオンする。
また、各列の保持容量41の他方の電極は、固定電位である電位Vssが供給される給電線63に共通に接続される。ここで、電位Vssは、論理信号である走査信号や制御信号のLレベルに相当するものであってもよい。なお、保持容量41の容量値をCrfとする。
各画素回路110については電気的にみれば互いに同一構成なので、ここでは、m行目に位置し、且つ、n番目のグループのうち左端列の(3n−2)列目に位置する、m行(3n−2)列の画素回路110を例にとって説明する。
つまり、第1データ転送線14−1と第2データ転送線14−2との間には、転送容量133と第1トランジスター126とが並列に接続される。
また、画素回路110は、第2データ転送線14−2に対して接続される。すなわち、画素回路110には、第1データ転送線14−1及び第2データ転送線14−2を介して、指定階調に応じた階調電位が供給される。
つまり、本実施形態では、二個の画素回路110が、一本の第2データ転送線14−2と、一つの転送容量133と、第1トランジスター126とを共用する。
ここで、一本の第2データ転送線14−2に対して接続される画素回路110の個数(Nb)は二個に限られず、一個以上であれば何個でもよい。なお、Nbを決定する際に考慮すべき事項は後に詳述する。
図5は、本実施形態に特有の構成を説明する図である。本実施形態では、第1データ転送線14−1には、図5に示すように二以上の第2データ転送線14−2が、それぞれ転送容量133を介して接続される。
ここで、第2データ転送線14−2と転送容量133とを介して、同一の第1データ転送線14−1に接続された画素回路110の集合を「画素列」と称する(図5における画素列L)。また、同一の第2データ転送線14−2に接続された画素回路110の集合を「ブロック」と称する(図5におけるブロックB)。
図5に示すように、画素列Lは複数のブロックBを含み、各ブロックBは複数の画素回路110を含む。つまり、本実施形態においては、第2データ転送線14−2は、画素列Lに含まれる画素回路110の個数よりも少ない個数の画素回路110に対して設けられている。
これに対して、従来の構成は図6に示すものである。図6は、比較例として示す従来の構成を説明する図である。同図に示すように、従来の構成では、第2データ転送線14−2が画素列Lに対して設けられ、その端部に転送容量133と第1データ転送線14−1とが設けられている。つまり、従来の構成では、一の画素列L(に含まれる全ての画素回路110)に対して、一本の第1データ転送線14−1と一本の第2データ転送線14−2とが設けられている。この点が、図5を参照して説明した本実施形態に特有の構成、すなわち第2データ転送線14−2が画素列Lを構成するブロックB単位で分割されて複数設けられている点と明確に相違する。
本実施形態では、Nbの値は2である。なお、1以上K以下の任意の整数として、kを用いる。
以降、図4に示すようにm1行目及びm2行目を含むブロックに対応する第1トランジスター126は、1行目から数えてk番目の第1トランジスター126であるとし、制御信号Gfix(k)が供給されるとする。
すなわち、走査線駆動回路20は、m行目に位置する画素回路に対して、走査信号Gwr(m)、制御信号Gel(m)、Gcmp(m)、Gorst(m)を、それぞれ、m行目の走査線12、制御線143、144、145を介して供給する。また、k行目に位置する第1トランジスター126に対して制御信号Gfix(k)を、k行目の制御線146を介して供給する。
以下では、走査線12、制御線143、制御線144、制御線145、及び制御線146を、「制御線」と総称する場合がある。すなわち、本実施形態に係る表示パネル2には、各行に走査線12を含む4本の制御線が設けられると共に、Nb行ごとに1本の制御線146が設けられる。
第2トランジスター122は、ゲートがm行目の走査線12に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が、第2データ転送線14−2に電気的に接続されている。また、第2トランジスター122は、ソースまたはドレインの他方が、駆動トランジスター121のゲートと、画素容量132の一方の電極とに、それぞれ電気的に接続されている。すなわち、第2トランジスター122は、駆動トランジスター121のゲートと転送容量133の第2電極133−2との間に電気的に接続されている。そして、第2トランジスター122は、駆動トランジスター121のゲートと、(3n−2)列目の第2データ転送線14−2に接続された転送容量133の第2電極133−2との間の電気的な接続を制御するトランジスターとして機能する。
ここで、給電線116には、画素回路110において電源の高位側となる電位Velが給電される。この駆動トランジスター121は、駆動トランジスター121のゲート及びソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターとして機能する。
第3トランジスター123は、ゲートが制御線143に電気的に接続され、制御信号Gcmp(m)が供給される。この第3トランジスター123は、駆動トランジスター121のゲートとドレインとの間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。よって、第3トランジスター123は、第2トランジスター122を介して駆動トランジスター121のゲート及びドレインの間を導通させるためのトランジスターである。なお、第3トランジスター123のソース及びドレインの一方と駆動トランジスター121のゲートとの間には第2トランジスター122が接続されているが、第3トランジスター123のソース及びドレインの一方は、駆動トランジスター121のゲートに電気的に接続されているとも解釈され得る。
第5トランジスター125は、ゲートが制御線145に電気的に接続され、制御信号Gorst(m)が供給される。また、第5トランジスター125のドレインは(3n−2)列目の給電線16に電気的に接続されてリセット電位Vorstに保たれている。この第5トランジスター125は、給電線16と、OLED130のアノード130aとの間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
この第1トランジスター126は、主として、第1データ転送線14−1と第2データ転送線14−2との間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
ここで、第1トランジスター126及び転送容量133は、同一の第2データ転送線14−2に接続されているNb個の画素回路110によって共用される。本実施形態では、図4に示すように、m1行目の画素回路110とm2行目の画素回路110との二個の画素回路110によって共用される。
なお、画素容量132としては、駆動トランジスター121のゲートgに寄生する容量を用いても良いし、シリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いても良い。
1水平走査期間(H)での動作は、各行の画素回路110にわたって共通である。そこで以下については、m1行目が水平走査される水平走査期間において、特にm1行(3n−2)列の画素回路110について着目して動作を説明する。
図7のタイミングチャートに示されるように、m1行目の発光期間では、走査信号Gwr(m1)がHレベルであり、制御信号Gel(m1)はLレベルであり、制御信号Gcmp(m1)はHレベルであり、制御信号Gfix(k)はHレベルである。
このため、図8に示されるようにm1行(3n−2)列の画素回路110においては、第4トランジスター124がオンする一方、トランジスター122、123,125,126がオフする。これにより、駆動トランジスター121は、画素容量132によって保持された電圧、すなわちゲート・ソース間の電圧Vgsに応じた駆動電流Idsを、OLED130に供給する。つまり、OLED130は、駆動トランジスター121によって各画素の指定階調に応じた階調電位に応じた電流が供給され、当該電流に応じた輝度で発光する。
次にm1行目の初期化期間が開始する。図7に示されるように、m1行目の初期化期間では、走査信号Gwr(m1)はHレベルであり、制御信号Gel(m1)はHレベルであり、制御信号Gcmp(m1)はHレベルであり、制御信号Gfix(k)はLレベルである。
このため、図9に示されるように、m1行(3n−2)列の画素回路110においてはトランジスター125,126がオンする一方、トランジスター122、123、124がオフする。これにより、OLED130に供給される電流の経路が遮断されるので、OLED130は、オフ(非発光)状態となる。
上述した(b)の初期化期間を終えると水平走査期間が開始する。まず、図7に示す(c)の補償期間が開始する。m1行目の補償期間では、走査信号Gwr(m1)がLレベルであり、制御信号Gel(m1)はHレベルであり、制御信号Gcmp(m1)はLレベルであり、制御信号Gfix(k)はHレベルである。
このため、図11に示されるように、m1行(3n−2)列の画素回路110においてはトランジスター122、123、125がオンする一方、第4トランジスター124、126がオフする。このとき、駆動トランジスター121のゲートgは、第2トランジスター122と第3トランジスター123とを介して自身のドレインに接続(ダイオード接続)され、駆動トランジスター121にはドレイン電流が流れてゲートgを充電する。
すなわち、駆動トランジスター121のドレインとゲートgとは、第2データ転送線14−2に接続され、駆動トランジスター121の閾値電圧をVthとすると、駆動トランジスター121のゲートgの電位Vgは、(Vel−Vth)に漸近していく。
m1行目の水平走査期間では、上述した(c)の補償期間を終えると、(d)の書込期間が開始する。m1行目の書込期間では、走査信号Gwr(m1)がLレベルであり、制御信号Gel(m1)はHレベルであり、制御信号Gcmp(m1)はHレベルであり、制御信号Gfix(k)はHレベルである。
このため、図12に示されるように、m1行(3n−2)列の画素回路110においてはトランジスター122、125がオンする一方、トランジスター123、124、126がオフする。
なお、書込期間におけるデマルチプレクサDM(n)では、制御信号Sel(1)がLレベルになるので、図12に示されるようにトランスミッションゲート34がオフする。
一方、制御回路3は、データ信号の電位の切り替えに合わせて制御信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)を順番に排他的にHレベルとする。制御回路3は、図示は省略しているが、制御信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)とは論理反転の関係にある制御信号/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)についても出力している。これによって、デマルチプレクサDMでは、各グループにおいてトランスミッションゲート34がそれぞれ左端列、中央列、右端列の順番でオンする。
ここでΔVとΔVgとの比を、下記の(式3)で示すように圧縮率Rとする。
つまり、書込期間における駆動トランジスター121のゲートgの電位Vgは、補償期間における電位Vgから、第1データ転送線14−1及び第1電極133−1の電位の変化量ΔVに対して、Rを乗じた値だけレベルシフトした(データ圧縮された)値となる。この書込期間を終えると、上述した(a)の発光期間が開始する。
ここで、第2データ転送線14−2に接続する画素回路110の個数Nb(1ブロック内に含まれる画素回路110の個数Nb)は、補償動作の完了に要する時間と、データ圧縮の圧縮率と、を鑑みて決定することが好ましい。以下、具体的に説明する。
まず、補償動作の完了に要する時間について説明する。補償期間を終えた時点の駆動トランジスター121のゲートgの電位Vg(補償点)が、階調電圧の中間階調に設定されていることが好ましいところ、Nbの値が小さいほど、駆動トランジスター121のゲートgに付随する寄生容量が小さくなるため、補償期間が極端に短くなってしまい、結果として走査信号Gwr(m)の立上がり(立下り)におけるなまりの影響を受けて、走査信号Gwr(m)を供給する側と供給される側とで補償期間が異なってしまう虞がある。この場合、当該虞をなくす程度に駆動能力の高い走査線駆動回路20が必要となってしまう。
また、データ圧縮の圧縮率については、(式2)に示されるように、Nbの値が小さいほど圧縮率が大きくなり、逆にNbの値が大きいほど圧縮率は小さくなる。
従って、補償動作の完了に要する時間と、データ圧縮の圧縮率とを鑑みて、Nbの値を適切な値に決定することが好ましい。例えば全行数Mが720行の場合、Nbを90個とし、総ブロック数Kを8個としてもよい。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば次に述べるような各種の変形が可能である。また、次に述べる変形の態様は、任意に選択された一または複数を、適宜に組み合わせることもできる。
上述した実施形態では、各画素回路110において第3トランジスター123は、駆動トランジスター121のドレインと第2データ転送線14−2との間に接続されているが、図13に示すように駆動トランジスター121のドレインとゲートgとの間に接続されていてもよい。
上述した実施形態の各画素回路110において、第5トランジスター125は設けなくてもよい。
上述した第1トランジスター126は、必ずしも画素回路110外に配置する必要はなく、各画素回路110内に配置してもよい。
上述した実施形態では、第1トランジスター126と転送容量133とを二個の画素回路110に対して各一個の割合で設けているが、画素回路110ごとに一対一対応で第2データ転送線14−1と第1トランジスター126と転送容量133とを設けてもよい。
上述した実施形態では、第1データ転送線14−1を3列毎にグループ化するとともに、各グループにおいて第1データ転送線14−1を順番に選択して、データ信号を供給する構成としたが、グループを構成するデータ線数は、「2」以上「3n」以下の所定数であればよい。例えば、グループを構成するデータ線数は、「2」であっても良いし、「4」以上であっても良い。
また、グループ化せずに、すなわちデマルチプレクサDMを用いないで各列の第1データ転送線14−1にデータ信号を一斉に線順次で供給する構成でも良い。
上述した実施形態では、トランジスター121〜126をPチャネル型で統一したが、Nチャネル型で統一しても良い。また、Pチャネル型及びNチャネル型を適宜組み合わせても良い。
例えば、トランジスター121〜126をNチャネル型で統一する場合、上述した実施形態における、データ信号Vd(n)とは、正負が逆転した電位を、各画素回路110に供給すればよい。また、この場合、トランジスター121〜126のソース及びドレインは、上述した実施形態及び変形例とは逆転した関係となる。
<変形例6>
上述した実施形態及び変形例では、電気光学素子として発光素子であるOLEDを例示したが、例えば無機発光ダイオードやLED(Light Emitting Diode)など、電流に応じた輝度で発光するものであれば良い。
次に、実施形態等や応用例に係る電気光学装置1を適用した電子機器について説明する。電気光学装置1は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ヘッドマウント・ディスプレイを例に挙げて説明する。
まず、図14に示されるように、ヘッドマウント・ディスプレイ300は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル310や、ブリッジ320、レンズ301L、301Rを有する。また、ヘッドマウント・ディスプレイ300は、図15に示されるように、ブリッジ320近傍であってレンズ301L、301Rの奥側(図において下側)には、左眼用の電気光学装置1Lと右眼用の電気光学装置1Rとが設けられる。
電気光学装置1Lの画像表示面は、図15において左側となるように配置している。これによって電気光学装置1Lによる表示画像は、光学レンズ302Lを介して図において9時の方向に出射する。ハーフミラー303Lは、電気光学装置1Lによる表示画像を6時の方向に反射させる一方で、12時の方向から入射した光を透過させる。
電気光学装置1Rの画像表示面は、電気光学装置1Lとは反対の右側となるように配置している。これによって電気光学装置1Rによる表示画像は、光学レンズ302Rを介して図において3時の方向に出射する。ハーフミラー303Rは、電気光学装置1Rによる表示画像を6時方向に反射させる一方で、12時の方向から入射した光を透過させる。
また、このヘッドマウント・ディスプレイ300において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置1Lに表示させ、右眼用画像を電気光学装置1Rに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる(3D表示)。
Claims (7)
- 走査線と、
第1データ転送線と、
第2データ転送線と、
前記第1データ転送線に接続された第1電極と、前記第2データ転送線に接続された第2電極とを含む第1容量と、
前記第1データ転送線と前記第2データ転送線とを、導通状態又は非導通状態にする第1トランジスターと、
前記第2データ転送線と前記走査線とに対応して設けられた画素回路と、
前記画素回路を駆動する駆動回路と、
を有し、
前記画素回路は、
ゲート電極、第1電流端、及び第2電流端を備える駆動トランジスターと、
前記第2データ転送線と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極との間に接続された第2トランジスターと、
前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させるための第3トランジスターと、
前記駆動トランジスターを介して供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、
を含み、
前記駆動回路は、
第1期間に、前記第1トランジスターをオンさせて前記第1データ転送線と前記第2データ転送線とを導通状態にすると共に、前記第2トランジスター及び前記第3トランジスターをオフさせて、前記第2データ転送線に初期電位を供給し、
前記第1期間に続く第2期間に、前記第1トランジスターをオフさせて前記第1データ転送線と前記第2データ転送線とを非導通状態にすると共に、前記第2トランジスター及び前記第3トランジスターをオンさせて、前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させ、
前記第1データ転送線には、二以上の前記第2データ転送線が、それぞれ前記第1容量を介して接続され、前記第2データ転送線を介して同一の前記第1データ転送線に接続された前記画素回路の集合を画素列とすると、
前記第2データ転送線は、前記画素列に含まれる前記画素回路の個数よりも少ない個数の前記画素回路に対して設けられてなる、
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記発光素子との間に接続された第4トランジスターを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記発光素子にリセット電位を供給するリセット電位供給線と、前記発光素子との間に接続された第5トランジスターを含む、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。 - 前記駆動回路は、
前記第2期間に続く第3期間において、前記第1トランジスター及び第3トランジスターをオフさせ、且つ、第2トランジスターをオンさせるとともに、指定階調に応じたデータ信号を保持する第2容量を、前記第1データ転送線に接続する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 第1データ転送線と、
第2データ転送線と、
前記第1データ転送線に接続された第1電極と、前記第2データ転送線に接続された第2電極とを含む第1容量と、
駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を前記第2電極及び前記第2データ転送線に出力する補償部と、
前記データ転送線及び前記第1電極の電位の変化量が階調レベルに応じた値となるように、前記データ転送線及び前記第1電極の電位を切り替えるデータ転送線駆動回路と、
前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位から前記変化量分に応じてシフトさせた電位に基づいて供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、
を含み、
前記第1データ転送線は、M個の画素に対応して設けられており、
前記第2データ転送線は、MをNbで除した値であるK本に分割され、1本の前記第2データ転送線にはNb個の画素が接続されてなる、
ことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の電気光学装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。 - 走査線と、
第1データ転送線と、
第2データ転送線と、
前記第1データ転送線に接続された第1電極と、前記第2データ転送線に接続された第2電極とを含む第1容量と、
前記第1データ転送線と前記第2データ転送線とを、導通状態又は非導通状態にする第1トランジスターと、
前記第2データ転送線と前記走査線とに対応して設けられた画素回路と、
を有し、
前記画素回路は、
ゲート電極、第1電流端、及び第2電流端を備える駆動トランジスターと、
前記第2データ転送線と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極との間に接続された第2トランジスターと、
前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させるための第3トランジスターと、
前記駆動トランジスターを介して供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、
を含み、前記第1データ転送線には、二以上の前記第2データ転送線が、それぞれ前記第1容量を介して接続され、前記第2データ転送線を介して同一の前記第1データ転送線に接続された前記画素回路の集合を画素列とすると、
前記第2データ転送線は、前記画素列に含まれる前記画素回路の個数よりも少ない個数の前記画素回路に対して設けられてなる、電気光学装置の駆動方法であって、
第1期間に、前記第1トランジスターをオンさせて前記第1データ転送線と前記第2データ転送線とを導通状態にすると共に、前記第2トランジスター及び前記第3トランジスターをオフさせて、前記第2データ転送線に初期電位を供給し、
前記第1期間に続く第2期間に、前記第1トランジスターをオフさせて前記第1データ転送線と前記第2データ転送線とを非導通状態にすると共に、前記第2トランジスター及び前記第3トランジスターをオンさせて、前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させる、
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
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