JP2015220255A - 裏面照射型cmos型撮像素子、及び、裏面照射型cmos型撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】感度を改善するとともに、映像中で移動している物体の像が移動方向における前方に流れて見えることを改善する裏面照射型CMOS型撮像素子、及び、裏面照射型CMOS型撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】裏面照射型CMOS型撮像素子は、p型エピタキシャル層で形成される光電変換層と、光電変換層の表面側に配設され、n型エピタキシャル層で形成される電荷収集層と、電荷収集層の表面側で平面視で画素の中心に形成される電荷集積部と、電荷収集層の表面側で平面視で画素の境界部に形成されるp型のウェルとを含み、p型のウェルの厚さは、境界部で最も厚く、境界部から中心へ向かって薄くなっており、電荷収集層は、厚さ3μm〜6μmで不純物濃度1E14cm−3から3E14cm−3のn型エピタキシャル層であり、光電変換層は、厚さ4μm〜7μmで不純物濃度2E13cm−3以下のp型エピタキシャル層である。【選択図】図11
Description
本発明は、裏面照射型CMOS型撮像素子、及び、裏面照射型CMOS型撮像素子の製造方法に関する。
従来より、CMOS型撮像素子において、画素共有技術を使用しない場合、1画素あたり4トランジスタの構成が基本である。しかしながら、この画素の基本動作はローリングシャッタなので、高速で移動する物体の形が変形する現象が発生する。これに対する対策として、高速で移動する物体の形が変形しないグローバルシャッタの機能を搭載することが実現されている。グローバルシャッタ機能を実現する画素構造の構成としては様々な方法がある(例えば、非特許文献1参照)。
しかしながら、一例として、画素内に、基本構成より2個多い6個のトランジスタと、電荷保持容量(SD)を作る必要があるので、フォトダイオード(PD)の占有面積が狭くなり、感度が低下する課題があった。
CMOS型撮像素子において、感度を高める方法として裏面照射型が知られている(例えば、非特許文献2参照)。裏面照射型では、マイクロレンズから光電変換部までの間に配線がないため集光率を高めることができ、裏面側に画素トランジスタの領域が必要ないため開口率を高めることができる。裏面照射型CMOS型撮像素子の構成として、半導体チップの膜厚が8μm以上であり、光電変換部がp型半導体部又はn型半導体部の少なくとも一方を含み、該光電変換部の膜厚方向に3μm以上の範囲における不純物濃度が、該光電変換部の平坦な面に対して一定であり、且つ表面から裏面への方向に該n型半導体部では単調減少し、該p型半導体部では単調増加することを特徴とする固体撮像素子が発明されている(例えば、特許文献1参照)。しかし、特許文献1はグローバルシャッタに関するものではなく、グローバルシャッタに関する開示はない。
International Image Sensor Workshop 2011, R55, (2011)
2006 IEEE International Solid−State Circuits Conference, 16.8, pp. 302−303, (2006)
ところで、6トランジスタのグローバルシャッタ用画素を裏面照射型CMOS型撮像素子にした場合、電荷保持容量(SD)に光が到達することで発生した電子が前のフレームの信号電荷に混入するおそれがある。
このように電荷保持容量(SD)において、前のフレームの信号電荷に混入する電荷の量が増えると、感度が低下すると同時に、映像中で移動している物体の像が移動方向における前方に流れて見えるという課題があった。
そこで、感度を改善し、グローバルシャッタ動作をすることができ、かつ、映像中で移動している物体の像が移動方向における前方に流れて見えることがない裏面照射型CMOS型撮像素子、及び、裏面照射型CMOS型撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の実施の形態の裏面照射型CMOS型撮像素子は、マトリクス状に配置される複数の画素を有する裏面照射型CMOS撮像素子であって、p型エピタキシャル層で形成される光電変換層と、光電変換層の表面側に配設され、n型エピタキシャル層で形成される電荷収集層と、電荷収集層の光電変換層が配置される裏面とは反対の表面側において、裏面からの平面視で画素の中心に形成される電荷集積部と、電荷収集層の表面側において、裏面からの平面視で画素の境界部に形成されるp型のウェルとを含み、p型のウェルの厚さは、境界部で最も厚く、境界部から中心へ向かって薄くなっており、電荷収集層は、厚さ3μm〜6μmで不純物濃度1E14cm−3から3E14cm−3のn型エピタキシャル層であり、光電変換層は、厚さ4μm〜7μmで不純物濃度2E13cm−3以下のp型エピタキシャル層である。
本発明によれば、感度を改善し、グローバルシャッタ動作をすることができ、かつ、映像中で移動している物体の像が移動方向における前方に流れて見えることがない裏面照射型CMOS型撮像素子、及び、裏面照射型CMOS型撮像素子の製造方法を提供することができる。
以下、本発明のグローバルシャッタ機能を搭載した裏面照射型CMOS型撮像素子、及び、裏面照射型CMOS型撮像素子の製造方法を適用した実施の形態について説明する。
<実施の形態>
図1は、裏面照射型CMOS型撮像素子の平面レイアウトの一例を示す図である。図2は、図1に示す裏面照射型CMOS型撮像素子の等価回路を示す図である。図3は、図2に示す裏面照射型CMOS型撮像素子の駆動波形の一例を示す図である。
図1は、裏面照射型CMOS型撮像素子の平面レイアウトの一例を示す図である。図2は、図1に示す裏面照射型CMOS型撮像素子の等価回路を示す図である。図3は、図2に示す裏面照射型CMOS型撮像素子の駆動波形の一例を示す図である。
裏面照射型CMOS型撮像素子では、図1に示す画素構造が列方向に所定数配列され、行方向にn(nは任意の整数)行配列されている。
図1に示すように、裏面照射型CMOS型撮像素子は、画素毎に、フォトダイオード(PD:Photodiode)、浮遊拡散容量(FD: Floating Diffusion)、電荷保持容量(SD: Storage Diode)、フォトダイオードリセットトランジスタ(RPD)、浮遊拡散容量リセットトランジスタ(RFD)、転送トランジスタ1(TX1)、転送トランジスタ2(TX2)、SFトランジスタ(SF)、選択トランジスタ(SEL)を含む。
図1に示す画素構造では、フォトダイオード(PD)の出力側に、転送トランジスタ1(TX1)、電荷保持容量(SD)、転送トランジスタ2(TX2)、浮遊拡散容量(FD)の順に接続され、浮遊拡散容量(FD)には、SFトランジスタ(SF)のゲートが接続される。
SFトランジスタ(SF)は、画素電源VDDと選択トランジスタ(SEL)との間に接続され、選択トランジスタ(SEL)には画素出力OUTが接続される。SFトランジスタ(SF)は、ソースフォロワ回路を構築しており、浮遊拡散容量(FD)の電圧を電流に変化させるために設けられている。
また、フォトダイオード(PD)と画素電源VDDとの間にはフォトダイオードリセットトランジスタ(RPD)が接続され、浮遊拡散容量(FD)と画素電源VDDとの間には浮遊拡散容量リセットトランジスタ(RFD)が接続される。すなわち、フォトダイオードリセットトランジスタ(RPD)及び浮遊拡散容量リセットトランジスタ(RFD)は、それぞれ、フォトダイオード(PD)及び浮遊拡散容量(FD)をリセットするために設けられている。
なお、電荷保持容量(SD)は、フォトダイオード(PD)で蓄積している電荷に対して1フレーム前の電荷を溜めておく容量であり、すべての画素についてフォトダイオード(PD)から電荷保持容量(SD)に同時に電荷が移動されることにより、グローバルシャッタを実現している。
また、浮遊拡散容量(FD)は、電荷を電圧に変換して、SFトランジスタ(SF)のゲートに与えるために設けられている。浮遊拡散容量(FD)には、一行ずつ電荷が移動させられる。
以上のような画素構造は、各画素において同様である。以下、図1に示す画素構造が列方向に所定数配列され、行方向にn行あるものとして説明する。
図3には、電荷の蓄積を行う蓄積時間(Integration time)を黒い太線で示す。
TX1(1〜n)は、1〜n行の転送トランジスタ1(TX1)をまとめて駆動するために、転送トランジスタ1(TX1)のゲートに入力する信号を示す。また、RPD(1〜n)は1〜n行のフォトダイオード(PD)をまとめてリセットするために、フォトダイオードリセットトランジスタ(RPD)のゲートに入力する信号を示す。
SEL(1)、SEL(2)、・・・、SEL(n)は、1行目、2行目、・・・、n行目の選択トランジスタ(SEL)のゲート信号を示す。TX2(1)、TX2(2)、・・・、TX2(n)は、1行目、2行目、・・・、n行目の転送トランジスタ2(TX2)のゲート信号を示す。RFD(1)、RFD(2)、・・・、RFD(n)は、1行目、2行目、・・・、n行目の浮遊拡散容量リセットトランジスタ(RFD)のゲート信号を示す。
なお、フレーム間隔は、フォトダイオードリセット(RPD(1〜n))のパルスの間隔である。
初めに、1〜n行のフォトダイオードリセットトランジスタ(RPD)をゲート信号(RPD(1〜n))でオンにして1行からn行までのフォトダイオード(PD)をリセットする。リセット後からフォトダイオード(PD)では電荷の蓄積が始まる。1行からn行までの転送トランジスタ1(TX1)をゲート信号(TX1(1〜n))でオンすることで、フォトダイオード(PD)に蓄積した電荷を電荷保持容量(SD)へ転送する。
この後、1〜n行のフォトダイオードリセットトランジスタ(RPD)をゲート信号(RPD(1〜n))でオンにしてフォトダイオード(PD)をリセットすることで、次のフレームの蓄積を始める。
また、1行目の選択トランジスタ(SEL)をゲート信号(SEL(1))でオンしている最中に、浮遊拡散容量(FD)をゲート信号(RFD(1))でリセットした後、転送トランジスタ2(TX2)をゲート信号(TX2(1))でオンすることで、電荷保持容量(SD)に保持していた信号電荷を浮遊拡散容量(FD)へ転送し、1行目の出力電荷量を出力電圧値へ変換し、読み出す。
引き続き、2行目からn行目までの選択トランジスタ(SEL)、浮遊拡散容量(FD)のリセット(RFD)、転送トランジスタ2(TX2)の動作により、2行目からn行目までの出力電荷量を出力電圧値へ変換し、読み出す。
この動作により、電荷の蓄積は1行目からn行目まで同時で、読み出しは1行目からn行目まで1行ずつ実施されるので、グローバルシャッタ動作になる。
図4は、厚さが薄い裏面照射型CMOS型撮像素子の断面を示す図である。図5は、厚さが厚い裏面照射型CMOS型撮像素子の断面を示す図である。まず、図4に示す裏面照射型CMOS撮像素子10Aについて説明する。なお、図4及び図5に示す断面は、図1に示すXYZ座標では、VDD、RPD、PD、TX1、SD、TX2、FDの順に、X軸方向からY軸方向に、Y軸方向から−X軸方向に、2回曲がった断面である。
図4に示す裏面照射型CMOS撮像素子10Aは、電荷収集層111、n+型の拡散領域113、p型のウェル114、p+型の表面バリア領域115、n型の電荷集積領域116、p+型の表面バリア領域117、n型の電荷保持領域118、n+型の浮遊拡散容量119、ホール除去層130、カラーフィルタ150、マイクロレンズ160を含む。
また、裏面照射型CMOS撮像素子10Aは、さらに、ゲート酸化膜120A、転送ゲート電極121、122、及びリセット電極123を含む。転送ゲート電極121、122、及びリセット電極123は、例えば、n+型ポリシリコンで構成される。
n−型エピタキシャル層111の内部にp型のウェル114及びn型の電荷集積領域116が形成され、p型のウェル114内にn+型の拡散領域113とn+型の拡散領域119が形成され、n型の電荷集積領域116上にp+型の表面バリア領域115が形成される。また、p型のウェル114内にn型の電荷保持領域118が形成され、n型の電荷保持領域118の上にp+型の表面バリア領域117が形成される。
n+型の拡散領域119は浮遊拡散容量(FD)を構築し、p+型の表面バリア領域115とn型の電荷集積領域116はフォトダイオード(PD)を構築し、p+型の表面バリア領域117及びn型の電荷保持領域118は電荷保持容量(SD)を構築する。
電荷収集層111は、例えばn―型のエピタキシャル層を成膜した基板を使用することで形成される。n+型の拡散領域113、p型のウェル114、p+型の表面バリア領域115、n型の電荷集積領域116、p+型の表面バリア領域117、n型の電荷保持領域118、n+型の拡散領域119は、それぞれ、例えば、シリコン製のエピタキシャル基板に不純物を注入又は拡散することによって形成される。
n型の不純物材料としては、例えば、リン(P)、ヒ素(As)等が挙げられる。p型の不純物材料としては、例えば、ボロン(B)等が挙げられる。
なお、n型エピタキシャル層111は、不純物濃度が2.0×1014cm−3であることが好ましい。
ここで、マイクロレンズ160は、各画素に対応して1つずつ配置されるため、隣り合うマイクロレンズ160同士の境界が画素の境界と一致することになる。
裏面照射型CMOS撮像素子10Aでは、電荷を電荷集積領域116に集積するために、p型のウェル114付近の電位が、電荷集積領域116付近の電位より低く、かつp型のウェル114の形状が、画素の境界で最も厚く、画素の境界から画素の中心へ向かって薄くなる様に形成されている。
このような構造により、電荷収集層111は電荷を電荷集積領域116に集積でき、裏面照射型CMOS撮像素子10Aにおいて、隣接画素の電気的分離が可能になる。
図5に示す厚さが厚い裏面照射型CMOS撮像素子10Bは、図4に示す厚さが薄い裏面照射型CMOS撮像素子10Aの電荷収集層111とホール除去層130との間に、p−型エピタキシャル層から構成される光電変換部112をさらに含む。
光電変換部112の厚さは、特に限定されないが、厚い程、光吸収率を高めることができる。このため、光電変換部112の厚さと電荷収集層111の厚さとの和は、約10μmであることが好ましい。この場合、n−型エピタキシャル層(電荷収集層111)の厚さは、約4μm、p−型エピタキシャル層(光電変換部112)の厚さは、約6μmとしてもよい。なお、光電変換部112を厚くし、光吸収率を高めることで、裏面照射型CMOS撮像素子10Bの感度が向上し、暗部で撮影した撮像画像の画像品位は向上する。
光電変換部112の材料としては、例えば、エピタキシャル成長したシリコン層等を用いることができる。p型エピタキシャル層112は、不純物濃度が7.0×1012cm−3以下であることが好ましく、不純物材料としては、例えば、ボロン(B)等が挙げられる。
図5に示すn−型エピタキシャル層から構成される電荷収集層111と、p−型エピタキシャル層から構成される光電変換部112とは、np二重エピタキシャル層を構築する。裏面から表面側の蓄積部(n)まで連続的に強い電界の分布を作るために、np二重エピタキシャル構造にしている。
図6は、発生電子数と表面からの深さの関係を示す図である。表面からの深さは、図4では厚さが薄い裏面照射型CMOS撮像素子10Aの電荷収集層111の下面から上方向に向かう深さであり、図5では厚さが厚い裏面照射型CMOS撮像素子10Bの光電変換部112の下面から上方向に向かう深さである。
図6に示すように、裏面(図4及び図5におけるマイクロレンズ160の下側にある入射面)から入射した光は、光電変換により電子に変換されながら、深くなるにつれて徐々に減衰する。裏面側及びフォトダイオード(PD)の領域の深い位置(図4及び図5における下方)で発生した電子は、フォトダイオード(PD)の表面側の電荷集積領域116に集まる。
また、電荷保持容量(SD)の領域の深い位置で発生した電子は、電荷保持容量(SD)の電荷保持領域118に集まる。すなわち、電荷集積領域116に集積されてから転送トランジスタ1(TX1)によって電荷保持領域118に転送されるのではなく、p型のウェル114内の電荷保持領域118に光が到達し、発生した電荷が直接的に入り込むことが生じうる。この影響で、p型ウェル内の電荷保持容量(SD)の領域の裏面から深い位置で発生した電子は、前のフレームの信号に混入する。
図7は、信号量に対する電荷保持容量118に混じる電荷量の割合の比較を示す図である。電荷保持容量118に混じる電荷とは、上述したように、p型のウェル114内の電荷保持容量118に直接的に入り込む電子である。すなわち、信号量に対する電荷保持容量118に混じる電荷量の割合とは、電荷集積領域116に集積されてから転送トランジスタ1(TX1)によって電荷保持領域118に転送される電荷の量に対する、p型のウェル114内の電荷保持領域118に直接的に入り込む電荷の量の割合である。
一般的な裏面照射型CMOS型撮像素子の厚さは約3μmであり、図7中黒丸で示す。これは、例えば、図4に示す厚さが薄い裏面照射型CMOS型撮像素子10Aの厚さを3μmに設定した場合に相当する。また、厚さが10μmの裏面照射型CMOS型撮像素子とは、例えば、図5に示す厚さが厚い裏面照射型CMOS型撮像素子10Bである。
波長によっても変わるが、波長550nmの緑色光において、厚さ3μmの場合、2.8%が電荷保持容量(SD)へ混入する。なお、図7の見積もりは、マイクロレンズによる集光の効果がなく、一様な平行光が光電変換部へ入射した場合について計算した。また、表面側平面レイアウトの1画素の面積に対するフォトダイオード(PD)の有効面積は42%、電荷保持容量(SD)の有効面積は18%として計算した。また、電荷保持容量(SD)に混入する時間的な割合は、1水平走査期間の100%として計算した。
ここで、図8乃至図11を用いて、実施の形態の裏面照射型CMOS型撮像素子の製造方法について説明する。
図8乃至図11は、実施の形態の裏面照射型CMOS型撮像素子の製造工程を示す図である。
まず、図8に示すように、素子作製用の基板として、np二重エピタキシャル構造の基板11を使用する。基板11は、p+基板130A上に、一例として、厚さ6μmで不純物濃度2E13cm−3以下のp−エピタキシャル層112Aと、厚さ4μmで不純物濃度1E14cm−3から3E14cm−3の範囲のn−エピタキシャル層111Aを形成したものである。
次に、図8に示すn−エピタキシャル層111Aの内部に、n+型の拡散領域113、p型のウェル114、p+型の表面バリア領域115、n型の電荷集積領域116、p+型の表面バリア領域117、n型の電荷保持領域118、n+型の浮遊拡散容量119を形成する(図9参照)。これにより、図8に示すn−エピタキシャル層111Aは、図9に示す電荷収集層111になる。
p型のウェル114については、断面が略同心半円形状となる様に形成されることが好ましい。n−エピタキシャル層111Aの表面からイオン注入を行い、熱処理を行うことにより、上述のような形状とすることが可能である。なお、p型のウェル114付近の電位分布は、p型のウェル114の形状に依存して変化する。
また、熱処理に続いて熱拡散を行う。熱拡散は、例えば、酸化雰囲気中で行うことができる。不純物領域を、熱拡散によりドライブインさせることで、p型のウェル114を形成する。なお、熱拡散を利用して、p型のウェル114を広げることができるため、イオン注入工程の際に、注入エネルギーを比較的低くすることもできる。
熱拡散は、p型のウェル114が、n型の電荷集積領域116が形成されることになる位置に到達するまで、行うことが好ましい。また、熱拡散は、p型のウェル114がp+型の表面バリア領域115及びn型の電荷集積領域116の下部において重ならない程度まで、行うことが好ましい。
熱拡散の温度は、約1000℃〜1200℃とすることが好ましく、例えば、1000℃としても良い。熱拡散の時間は、約10時間〜15時間とすることが好ましく、例えば、10時間としても良い。熱拡散の温度、時間等を適宜調整し、p型のウェル114を広げることで、p型のウェル114を、画素の境界で最も厚く、画素の境界から画素の中心へ向かって薄くなる形状とすることができる。このようなp型のウェル114は、画素を分離する画素分離領域としての役割も担う。
また、配線層120を形成する。配線層120の絶縁層は例えばシリコン酸化膜であり、内部には転送ゲート電極121、122、フォトダイオードリセット電極123、及び配線125が含まれる。
図9において、表面(配線層120を形成する前の状態におけるn−エピタキシャル層111A(図8参照)の上面)から形成する不純物濃度分布は、深い部分の不純物濃度分布から浅い部分の不純物濃度分布の順番に構成される。
不純物濃度分布は、マスクレイアウトをレジストに転写した後イオン注入により不純物を注入し、レジストをイオン注入後酸素プラズマ等でアッシングして剥離して、活性化及びドライブインのための加熱を行う。これを繰り返すことで、表面側の不純物濃度分布を形成する。その後、表面を酸化させてゲート酸化膜120Aを形成し、n型のポリシリコンを成膜する。ゲート電極の形状をマスクからレジストに転写して、ポリシリコンに形状を転写し、レジストは剥離する。これにより、ゲート酸化膜120Aの上に転送ゲート電極121、122、及びフォトダイオードリセット電極123が形成される。その後、酸化膜の堆積と配線の形成を繰り返すことで、配線層120を形成する。
次に、図10に示すように、表面側の配線層120の上に支持基板170を貼り合わせた後、裏面側のp+基板130Aを薄く研磨する。これにより、p+基板130Aはホール除去層130になる。
そして最後に、図11に示すように、カラーフィルタ150とマイクロレンズ160を形成することで裏面照射型CMOS型撮像素子100が完成する。裏面照射型CMOS型撮像素子100の構成は、断面構造では、図5に示す裏面照射型CMOS型撮像素子10Bに、配線層120及び配線125を加えたものであり、さらに、電荷収集層111及び光電変換部112の厚さと不純物濃度の最適化を図ったものである。
電荷収集層111及び光電変換部112の厚さについては、図7の結果から10μm以上あることが好ましいことが分かり、電荷収集層111が3μm〜6μmで、光電変換部112が4μm〜7μmであることが好ましい。この場合に、電荷収集層111が3μm〜6μmで、光電変換部112が7μm〜4μmで、電荷収集層111と光電変換部112の合計の厚さが10μmになるようにしてもよいし、合計の厚さが7μm〜13μmになるようにしてもよい。厚さが厚いほうが光の吸収率が高く、信号量に対する電荷保持容量に混入する電荷量の割合が低いという利点がある。しかし、厚さが厚いと裏面からの電位の傾きが弱くなるので、電子の移動時間が長くなるという欠点がある。
以下では、電荷収集層111及び光電変換部112の不純物濃度について説明する。
図12は、図1のA−A矢視断面に対応する厚さが厚い裏面照射型CMOS型撮像素子10Bの断面における電位を模式的に示す図である。図13は、図1のB−B矢視断面に対応する厚さが厚い裏面照射型CMOS型撮像素子10Bの断面における電位を模式的に示す図である。図12及び図13には等電位線が示されている。
図12における表面側には画素電源(VDD)とフォトダイオード(PD)が示されている。裏面側矢印の位置が画素の境界である。図13における表面側にはフォトダイオード(PD)と電荷保持容量(SD)が示されている。裏面側矢印の位置が画素の境界である。
光電変換部112(図10参照)の電荷発生位置300A、300Bにおいて、光が光電変換され、電荷が発生する。電荷は、電位が低い位置から高い位置へ移動する。光電変換部112の深い側(下側)の方が上側よりも電位より低いため、電荷は太い破線で示すように裏面側から表面側へ移動する。
なお、図12及び図13では、電荷発生位置300A、300Bに発生する電荷の移動経路のみを示すが、実際には、電荷は、光電変換部112の全体に発生する。
次に、画素分離位置(p型のウェル114の最も厚い位置)301A、301Bにおいて、電荷は移動方向を変えて横方向に移動する。このとき、p型のウェル114が電荷の移動を妨げる障壁(電位障壁)となるため、フォトダイオード(PD)の中央に向かって移動する。この結果、隣接する画素同士は、電気的に分離される。
次に、図12及び図13に示す様に、フォトダイオード(PD)の中央において、電荷は再び移動方向を変えて表面側に移動し、電荷集積位置302に到達する。
画素分離位置301A、301Bの電位は、電荷集積位置302の電位より低いため、電荷の方向転換は電位の傾きに沿って行われる。電荷の移動は、電荷発生位置300A、300Bの電位、画素分離位置301A、301Bの電位、電荷集積位置302の電位等に依存するため、各電位は適宜調整することが好ましい。
以上のようにして、光電変換部112の画素の四隅に発生する電荷は、裏面側から見た画素の中心(フォトダイオード(PD)の中心)に集積する。これはp型のウェル114の画素分離領域としての役割によるものである。
図14は、電荷移動時間とp−エピタキシャル層(光電変換部112)の不純物濃度の関係を示す図である。図14は、計算結果である。
p−エピタキシャル層(光電変換部112)の不純物濃度が2E13cm−3以下において電荷移動時間が小さくなっていることが分かる。従って、光電変換部112の不純物濃度を2E13cm−3以下に設定することが好ましいことが分かる。
図15は、n−エピタキシャル層(電荷収集層111)からのp型のウェル114の電位障壁高さとp−エピタキシャル層(光電変換部112)の不純物濃度の関係を示す図である。黒丸は電荷保持容量(SD)の位置における電位障壁高さを示し、白丸は浮遊拡散容量(FD)の位置における電位障壁高さを示す。
浮遊拡散容量(FD)の位置の方が電荷保持容量(SD)の位置よりもフォトダイオード(PD)の中心から遠いので、電位障壁高さが高くなっている。電位障壁高さの目標値としては、電子エネルギーの平均と電子エネルギーの分布から、0.117eV以上が望ましい。
電荷保持容量(SD)の電位障壁高さが目標の0.117eVを満たすp−エピタキシャル層の不純物濃度は7E12cm−3以下である。したがって、電荷移動時間が小さいこと及び電荷保持容量(SD)の電位障壁高さが0.117eV以上あることのp−不純物濃度の関係より、両条件を満たす不純物濃度は7E12cm−3以下であり、余裕代を考慮すると不純物濃度2E13cm−3以下であることが好ましい。
図16は、電荷移動時間とn−エピタキシャル層(電荷収集層111)の不純物濃度の関係を示す図である。n−エピタキシャル層(電荷収集層111)の不純物濃度が1E14cm−3以上2.5E14cm−3以下において電荷移動時間が小さくなっている。
n−エピタキシャル層(電荷収集層111)の不純物濃度3E14cm−3以上では、フォトダイオード(PD)の中央の真下のあたりに電位の井戸が発生し、電子が捕獲されてしまい、表面側電荷蓄積部へ到達しないので、電子の収集には不向きである。
図17は、n−エピタキシャル層(電荷収集層111)から見たp形のウェル114の電位障壁高さとn−エピタキシャル層(電荷収集層111)の不純物濃度の関係を示す図である。黒丸は電荷保持容量(SD)の位置における電位障壁高さを示し、白丸は浮遊拡散容量(FD)の位置における電位障壁高さを示す。
浮遊拡散容量(FD)の位置の方が電荷保持容量(SD)の位置よりもフォトダイオード(PD)の中心から遠いので、電位障壁高さが高くなっている。電位障壁高さの目標としては、電子エネルギーの平均と電子エネルギーの分布から、0.117eV以上が望ましい。
従って、電荷保持容量(SD)の電位障壁高さが目標の0.117eVを満たす不純物濃度は、約2.3E14cm−3以上である。したがって、電荷移動時間が小さいこと及び電荷保持容量(SD)の電位障壁高さが0.117eV以上あることのn−不純物濃度の関係より、両条件を満たす不純物濃度は2.3E14cm−3以上2.5E14cm−3以下であり、少し余裕代を考慮すると、不純物濃度1E14cm−3以上3E14cm−3以下であることが好ましい。
以上より、実施の形態の裏面照射型CMOS型撮像素子100(図11参照)は、厚さ6μm以上で不純物濃度2E13cm−3以下のp−エピタキシャル層(光電変換部112)と、厚さ4μm以上で不純物濃度1E14cm−3から3E14cm−3の範囲のn−エピタキシャル層(電荷収集層111)とによって構成されるnp二重エピタキシャル層を含むものである。
図7に示すように、裏面照射型CMOS型撮像素子100の厚さを従来の一般的な3μmから10μmへ厚くすることによって、前のフレームへの電荷の混入が、波長550nmにおいて2.8%から0.018%へと低減させることができ、感度を改善するとともに、映像中で移動している物体の像が移動方向における前方に流れて見えることを改善することができる。
実施の形態によれば、グローバルシャッタを実現できる6トランジスタの画素において、光電変換部を厚くすることで、電荷保持容量に漏れ込む電荷量を低減できる裏面照射型CMOS型撮像素子100を提供することができる。
なお、以上の説明における撮像素子の厚さ、不純物濃度等の値は一例に過ぎず、その数値以外の値を除外する趣旨ではない。
以上、本発明の例示的な実施の形態の裏面照射型CMOS型撮像素子、及び、裏面照射型CMOS型撮像素子の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
100 裏面照射型CMOS撮像素子
111 電荷収集層
112 光電変換部
113 n+型の拡散領域
114 p型のウェル
115 p+型の表面バリア領域
116 n型の電荷集積領域
117 p+型の表面バリア領域
118 n型の電荷保持領域
119 浮遊拡散容量
120 配線層
120A ゲート酸化膜
121、122 転送ゲート電極
123 リセット電極
125 配線
130 ホール除去層
150 カラーフィルタ
160 マイクロレンズ
111 電荷収集層
112 光電変換部
113 n+型の拡散領域
114 p型のウェル
115 p+型の表面バリア領域
116 n型の電荷集積領域
117 p+型の表面バリア領域
118 n型の電荷保持領域
119 浮遊拡散容量
120 配線層
120A ゲート酸化膜
121、122 転送ゲート電極
123 リセット電極
125 配線
130 ホール除去層
150 カラーフィルタ
160 マイクロレンズ
Claims (3)
- マトリクス状に配置される複数の画素を有する裏面照射型CMOS撮像素子であって、
p型エピタキシャル層で形成される光電変換層と、
前記光電変換層の表面側に配設され、n型エピタキシャル層で形成される電荷収集層と、
前記電荷収集層の前記光電変換層が配置される裏面とは反対の表面側において、裏面からの平面視で画素の中心に形成される電荷集積部と、
前記電荷収集層の前記表面側において、裏面からの平面視で画素の境界部に形成されるp型のウェルと
を含み、
前記p型のウェルの厚さは、前記境界部で最も厚く、前記境界部から前記中心へ向かって薄くなっており、
前記電荷収集層は、厚さ3μm〜6μmで不純物濃度1E14cm−3から3E14cm−3のn型エピタキシャル層であり、
前記光電変換層は、厚さ4μm〜7μmで不純物濃度2E13cm−3以下のp型エピタキシャル層である、裏面照射型CMOS型撮像素子。 - 前記光電変換層の前記表面側とは反対の裏面側において、前記画素毎に配設されるマイクロレンズをさらに含む、請求項1記載の裏面照射型CMOS型撮像素子。
- マトリクス状に配置される複数の画素を有する裏面照射型CMOS撮像素子の製造方法であって、
厚さ6μm以上で不純物濃度2E13cm−3以下の光電変換層を形成する工程と、
前記光電変換層の表面側に、厚さ4μm以上で不純物濃度1E14cm−3から3E14cm−3のn型エピタキシャル層から構成される電荷収集層を形成する工程と、
前記電荷収集層の表面側に、裏面からの平面視における画素の中心に電荷集積領域を形成する工程と、
前記電荷収集層の前記光電変換層が配設される裏面側とは反対の表面側に、裏面からの平面視における画素の境界部にp型のウェルを形成する工程と、
含み、
前記p型のウェルを形成する工程は、
裏面からの平面視における前記画素の境界領域において、前記電荷収集層の前記表面からイオン注入を行う工程と、
前記イオン注入により形成される画素分離領域が、前記電荷集積領域が形成される位置に到達するまで、熱処理を行う工程と、
を有し、前記p型のウェルの厚さが、前記境界部で最も厚く、前記境界部から前記中心へ向かって薄くなるように形成する工程である、裏面照射型CMOS撮像素子の製造方法。
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