JP2015103586A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015103586A5
JP2015103586A5 JP2013241392A JP2013241392A JP2015103586A5 JP 2015103586 A5 JP2015103586 A5 JP 2015103586A5 JP 2013241392 A JP2013241392 A JP 2013241392A JP 2013241392 A JP2013241392 A JP 2013241392A JP 2015103586 A5 JP2015103586 A5 JP 2015103586A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
opening
electrode substrate
gas discharge
hole
substrate according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013241392A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015103586A (ja
JP5846185B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2013241392A external-priority patent/JP5846185B2/ja
Priority to JP2013241392A priority Critical patent/JP5846185B2/ja
Priority to EP20163801.2A priority patent/EP3690933B1/en
Priority to EP22185677.6A priority patent/EP4095895A3/en
Priority to PCT/JP2014/080649 priority patent/WO2015076301A1/ja
Priority to CN201811135601.8A priority patent/CN109616459A/zh
Priority to CN201811131924.XA priority patent/CN109616458B/zh
Priority to CN201480061865.7A priority patent/CN105765712B/zh
Priority to EP14864041.0A priority patent/EP3073523B1/en
Publication of JP2015103586A publication Critical patent/JP2015103586A/ja
Publication of JP2015103586A5 publication Critical patent/JP2015103586A5/ja
Publication of JP5846185B2 publication Critical patent/JP5846185B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to US15/159,323 priority patent/US10256176B2/en
Priority to US16/266,203 priority patent/US10580727B2/en
Priority to US16/743,145 priority patent/US10790221B2/en
Priority to US16/936,519 priority patent/US11362028B2/en
Priority to US17/725,627 priority patent/US20220246512A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

特願2005−514387号明細書 特願2010−548586号明細書 特願2003−513037号明細書 特願2011−528851号明細書 国際公開第2010/087483号 国際公開第2005/034594号 国際公開第2003/007370号 国際公開第2011/024921号 特許第4241202号 特許第4203277号 特許第4319831号 特許第4022180号 特許第4564342号 特許第4835141号 特許第5119623号 特開2009−23341号公報 特許第2976955号 特開2003−243396号公報 特開2003−198069号公報 特許第4012375号

Claims (16)

  1. 第1面の第1開口と第2面の第2開口とを貫通する貫通孔を有する基板と、
    前記貫通孔内に配置された充填物と、を備え、
    前記第2開口は前記第1開口よりも大きく、かつ、前記第1開口と前記第2開口との間に平面視における面積が最も小さい最小開口部が存在し、
    断面視において前記貫通孔の側壁の少なくとも一部が、変曲点を有する曲線を含み、
    前記第1面及び前記第2面の何れか一方に露出する前記充填物に接触するように配置された気体放出部を有することを特徴とする貫通電極基板。
  2. 第1面の第1開口と第2面の第2開口とを貫通し、前記第1開口と前記第2開口との間に第1部分並びに前記第1部分及び前記第1開口より平面視における面積が大きい第2部分を有する貫通孔を有する基板と、
    前記貫通孔内に配置された充填物と、を備え、
    断面視において前記貫通孔の側壁の少なくとも一部が、変曲点を有する曲線を含み、
    前記第1面及び前記第2面の何れか一方に露出する前記充填物に接触するように配置された気体放出部を有することを特徴とする貫通電極基板。
  3. 前記気体放出部は、前記貫通孔内の気体を外部に放出させる絶縁性樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載の貫通電極基板。
  4. 前記気体放出部の少なくとも一部は、前記貫通孔の側壁と前記充填物との間にも配置されることを特徴とする請求項1乃至の何れか一に記載の貫通電極基板。
  5. 前記気体放出部は開口を有し、前記気体放出部の開口は、前記基板側から離間するにしたがって平面視における面積が大きくなることを特徴とする請求項1乃至の何れか一に記載の貫通電極基板。
  6. 前記貫通孔の側壁と前記充填物との間には、導電膜が配置されることを特徴とする請求項1乃至の何れか一に記載の貫通電極基板。
  7. 前記貫通孔の側壁と前記充填物との間には、前記貫通孔の側壁側から絶縁膜及び導電膜が順に配置されることを特徴とする請求項1乃至の何れか一に記載の貫通電極基板。
  8. 前記導電膜は、前記第1面及び前記第2面上にも配置されることを特徴とする請求項1乃至の何れか一に記載の貫通電極基板。
  9. 前記充填物は、導電性材料であることを特徴とする請求項1乃至の何れか一に記載の貫通電極基板。
  10. 前記充填物は、絶縁性材料であることを特徴とする請求項1乃至の何れか一に記載の貫通電極基板。
  11. 前記基板は、絶縁性を有することを特徴とする請求項1乃至の何れか一に記載の貫通電極基板。
  12. 前記基板は、導電性を有することを特徴とする請求項1乃至の何れか一に記載の貫通電極基板。
  13. 前記気体放出部は、開口を有し、
    前記気体放出部の開口が前記第1開口及び前記第2開口と重畳することを特徴とする請求項1乃至の何れか一に記載の貫通電極基板。
  14. 前記気体放出部は、開口を有し、
    前記気体放出部の開口が前記第1開口及び前記第2開口と重畳しないことを特徴とする請求項1乃至の何れか一に記載の貫通電極基板。
  15. 前記気体放出部は、前記第1面及び前記第2面に配置され、
    前記第2面側の前記気体放出部が前記充填物に接触する面積が、前記第1面側の前記気体放出部が前記充填物に接触する面積よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至14の何れか一に記載の貫通電極基板。
  16. LSI基板と、半導体チップと、請求項1乃至15の何れか一項に記載の貫通電極基板とを有することを特徴とする半導体装置。
JP2013241392A 2013-11-21 2013-11-21 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置 Active JP5846185B2 (ja)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013241392A JP5846185B2 (ja) 2013-11-21 2013-11-21 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置
EP20163801.2A EP3690933B1 (en) 2013-11-21 2014-11-19 Through electrode substrate
EP22185677.6A EP4095895A3 (en) 2013-11-21 2014-11-19 Through electrode substrate and semiconductor device using through electrode substrate
PCT/JP2014/080649 WO2015076301A1 (ja) 2013-11-21 2014-11-19 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置
CN201811135601.8A CN109616459A (zh) 2013-11-21 2014-11-19 贯通电极基板及利用贯通电极基板的半导体装置
CN201811131924.XA CN109616458B (zh) 2013-11-21 2014-11-19 贯通电极基板及利用贯通电极基板的半导体装置
CN201480061865.7A CN105765712B (zh) 2013-11-21 2014-11-19 贯通电极基板及利用贯通电极基板的半导体装置
EP14864041.0A EP3073523B1 (en) 2013-11-21 2014-11-19 Through electrode substrate and semiconductor device using through electrode substrate
US15/159,323 US10256176B2 (en) 2013-11-21 2016-05-19 Through-hole electrode substrate and semiconductor device using through-hole electrode substrate
US16/266,203 US10580727B2 (en) 2013-11-21 2019-02-04 Through-hole electrode substrate
US16/743,145 US10790221B2 (en) 2013-11-21 2020-01-15 Through-hole electrode substrate
US16/936,519 US11362028B2 (en) 2013-11-21 2020-07-23 Through-hole electrode substrate
US17/725,627 US20220246512A1 (en) 2013-11-21 2022-04-21 Through-hole electrode substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013241392A JP5846185B2 (ja) 2013-11-21 2013-11-21 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015227286A Division JP6044697B2 (ja) 2015-11-20 2015-11-20 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015103586A JP2015103586A (ja) 2015-06-04
JP2015103586A5 true JP2015103586A5 (ja) 2015-08-20
JP5846185B2 JP5846185B2 (ja) 2016-01-20

Family

ID=53179561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013241392A Active JP5846185B2 (ja) 2013-11-21 2013-11-21 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (5) US10256176B2 (ja)
EP (3) EP4095895A3 (ja)
JP (1) JP5846185B2 (ja)
CN (3) CN109616458B (ja)
WO (1) WO2015076301A1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5846185B2 (ja) * 2013-11-21 2016-01-20 大日本印刷株式会社 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置
CN107027238B (zh) * 2016-01-29 2020-08-18 奥特斯(中国)有限公司 包括铜填充多径激光钻孔的元件载体
JP2017136711A (ja) 2016-02-02 2017-08-10 セイコーエプソン株式会社 配線基板、memsデバイス、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
US9847477B2 (en) * 2016-04-12 2017-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming a bottom electrode of a magnetoresistive random access memory cell
WO2017209296A1 (ja) 2016-06-03 2017-12-07 大日本印刷株式会社 貫通電極基板及びその製造方法、並びに実装基板
JP6341245B2 (ja) 2016-09-05 2018-06-13 大日本印刷株式会社 貫通電極基板の製造方法、貫通電極基板および半導体装置
US11078112B2 (en) * 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
JP6809511B2 (ja) * 2018-07-06 2021-01-06 大日本印刷株式会社 貫通電極基板および半導体装置
US20220165650A1 (en) * 2019-03-07 2022-05-26 Absolics Inc. Packaging substrate and semiconductor apparatus comprising same
CN113272951B (zh) 2019-03-12 2024-04-16 爱玻索立克公司 封装基板及包括其的半导体装置
WO2020185020A1 (ko) 2019-03-12 2020-09-17 에스케이씨 주식회사 유리를 포함하는 기판의 적재 카세트 및 이를 적용한 기판의 적재방법
JPWO2021157496A1 (ja) * 2020-02-07 2021-08-12
CN111199948A (zh) * 2020-03-04 2020-05-26 日月光半导体(上海)有限公司 封装基板及其制造方法
TWI752707B (zh) * 2020-11-03 2022-01-11 財團法人工業技術研究院 具有通孔的基板及其製造方法
JP7239045B2 (ja) * 2020-12-02 2023-03-14 大日本印刷株式会社 貫通電極基板および半導体装置
JP7088271B2 (ja) * 2020-12-02 2022-06-21 大日本印刷株式会社 貫通電極基板および半導体装置
WO2024010694A1 (en) * 2022-07-07 2024-01-11 Corning Incorporated Vias including an unsymmetric tapered through-hole, devices including the vias, and methods for fabricating the vias

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4835141B1 (ja) 1970-09-14 1973-10-26
JPS5119623B2 (ja) 1972-03-15 1976-06-18
JPH04154187A (ja) * 1990-10-18 1992-05-27 Mitsubishi Materials Corp スルーホール配線板の構造及びその製造方法
JP2976955B2 (ja) 1997-12-19 1999-11-10 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
CN100381026C (zh) * 1999-09-02 2008-04-09 伊比登株式会社 印刷布线板及其制造方法
SE9903995D0 (sv) 1999-11-03 1999-11-03 Astra Ab New combination
JP3789803B2 (ja) * 2001-01-30 2006-06-28 日本特殊陶業株式会社 配線基板およびその製造方法
JP4012375B2 (ja) 2001-05-31 2007-11-21 株式会社ルネサステクノロジ 配線基板およびその製造方法
JPWO2003007370A1 (ja) 2001-07-12 2004-11-04 株式会社日立製作所 配線ガラス基板およびその製造方法ならびに配線ガラス基板に用いられる導電性ペーストおよび半導体モジュールならびに配線基板および導体形成方法
JP2003133735A (ja) * 2001-10-23 2003-05-09 Kyocera Corp 配線基板およびその製造方法ならびに電子装置
DE60202662T2 (de) 2001-12-19 2006-01-05 Astrazeneca Ab NEUE FILMBESCHICHTUNG enthaltend ein Äthylacrylate/Methylmethacrylate-copolymer und Polyvinylacetat
JP4202641B2 (ja) 2001-12-26 2008-12-24 富士通株式会社 回路基板及びその製造方法
JP2003197811A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Hitachi Ltd ガラス基板及びその製造方法、並びに配線基板、半導体モジュール
JP3998984B2 (ja) 2002-01-18 2007-10-31 富士通株式会社 回路基板及びその製造方法
JP4154478B2 (ja) 2002-02-20 2008-09-24 独立行政法人産業技術総合研究所 感光性ポリイミドを用いた貫通電極形成方法
JP4022180B2 (ja) 2002-07-11 2007-12-12 大日本印刷株式会社 多層配線基板の製造方法
JP4203277B2 (ja) 2002-07-19 2008-12-24 大日本印刷株式会社 多層配線基板
JP4319831B2 (ja) 2002-12-11 2009-08-26 大日本印刷株式会社 多層配線基板の製造方法
JP2004363212A (ja) * 2003-06-03 2004-12-24 Hitachi Metals Ltd スルーホール導体を持った配線基板
JP4241202B2 (ja) 2003-06-12 2009-03-18 大日本印刷株式会社 めっきポスト型配線基板の製造方法
TWI251313B (en) 2003-09-26 2006-03-11 Seiko Epson Corp Intermediate chip module, semiconductor device, circuit board, and electronic device
WO2005034594A1 (ja) 2003-10-06 2005-04-14 Hoya Corporation 感光性ガラス基板の貫通孔形成方法
JP4564342B2 (ja) 2004-11-24 2010-10-20 大日本印刷株式会社 多層配線基板およびその製造方法
JP4345686B2 (ja) * 2005-02-22 2009-10-14 三菱マテリアル株式会社 絶縁回路基板およびパワーモジュール
US7485967B2 (en) * 2005-03-10 2009-02-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device with via hole for electric connection
JP2007067216A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法、回路基板およびその製造方法
JP4835141B2 (ja) 2005-12-13 2011-12-14 大日本印刷株式会社 多層配線基板
JP5119623B2 (ja) 2006-08-03 2013-01-16 大日本印刷株式会社 インターポーザ基板の製造方法
US20080192458A1 (en) 2007-02-12 2008-08-14 Intematix Corporation Light emitting diode lighting system
JP2009023341A (ja) 2007-06-21 2009-02-05 Dainippon Printing Co Ltd 中間転写記録媒体
EP2165362B1 (en) * 2007-07-05 2012-02-08 ÅAC Microtec AB Low resistance through-wafer via
JP5536322B2 (ja) * 2007-10-09 2014-07-02 新光電気工業株式会社 基板の製造方法
JP5331350B2 (ja) * 2008-02-18 2013-10-30 日立協和エンジニアリング株式会社 配線基板
JP5583332B2 (ja) * 2008-06-06 2014-09-03 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル スルーホール配置装置およびスルーホール配置方法
US8035219B2 (en) 2008-07-18 2011-10-11 Raytheon Company Packaging semiconductors at wafer level
JP5246103B2 (ja) * 2008-10-16 2013-07-24 大日本印刷株式会社 貫通電極基板の製造方法
JP5471268B2 (ja) * 2008-12-26 2014-04-16 大日本印刷株式会社 貫通電極基板及びその製造方法
JP4900508B2 (ja) * 2008-12-26 2012-03-21 大日本印刷株式会社 貫通電極基板及びその製造方法
JP2010165804A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Panasonic Corp 半導体装置およびそれを用いた電子機器ならびに半導体装置の製造方法
CN102300820B (zh) 2009-02-02 2014-02-26 旭硝子株式会社 半导体器件构件用玻璃基板及半导体器件构件用玻璃基板的制造方法
US8925192B2 (en) 2009-06-09 2015-01-06 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing the same
US20110048775A1 (en) * 2009-08-31 2011-03-03 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing the same
JP5697898B2 (ja) * 2009-10-09 2015-04-08 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. 半導体装置及びその製造方法
US9420707B2 (en) 2009-12-17 2016-08-16 Intel Corporation Substrate for integrated circuit devices including multi-layer glass core and methods of making the same
JP5560834B2 (ja) 2010-03-29 2014-07-30 住友ベークライト株式会社 絶縁基板、絶縁基板の製造方法、プリント配線基板および半導体装置
DE102010030760B4 (de) 2010-06-30 2014-07-24 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Halbleiterbauelement mit Durchgangskontaktierungen mit einem Verspannungsrelaxationsmechanismus und Verfahren zur Herstellung eines solchen
US9107306B2 (en) * 2010-10-14 2015-08-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Hybrid substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit package
US8736066B2 (en) * 2010-12-02 2014-05-27 Tessera, Inc. Stacked microelectronic assemby with TSVS formed in stages and carrier above chip
US20120229990A1 (en) * 2011-03-08 2012-09-13 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and method for manufacturing multilayer printed wiring board
US20120235969A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Thin film through-glass via and methods for forming same
CN103229605B (zh) * 2011-07-25 2016-06-08 日本特殊陶业株式会社 布线基板
US20130048355A1 (en) * 2011-08-30 2013-02-28 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board
CN103219302B (zh) * 2012-01-19 2016-01-20 欣兴电子股份有限公司 穿孔中介板
SE537874C2 (sv) * 2012-04-13 2015-11-03 Silex Microsystems Ab CTE-anpassad interposer och metod att tillverka en sådan
US8900008B2 (en) * 2012-05-25 2014-12-02 International Business Machines Corporation Universal press-fit connection for printed circuit boards
CN103258806B (zh) * 2013-05-08 2016-01-27 日月光半导体制造股份有限公司 具桥接结构的半导体封装构造及其制造方法
JP5846185B2 (ja) * 2013-11-21 2016-01-20 大日本印刷株式会社 貫通電極基板及び貫通電極基板を用いた半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015103586A5 (ja)
JP2010267805A5 (ja)
JP2017005277A5 (ja)
JP2011086927A5 (ja) 半導体装置
JP2015226056A5 (ja)
JP2013042154A5 (ja)
JP2012256836A5 (ja) 半導体装置
JP2016134615A5 (ja)
WO2016064134A3 (en) Light emitting device and method of fabricating the same
JP2012068627A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2013236066A5 (ja)
JP2016225457A5 (ja)
JP2010171377A5 (ja)
JP2015015313A5 (ja)
JP2015133388A5 (ja)
JP2018046253A5 (ja)
JP2017092477A5 (ja)
JP2013042117A5 (ja)
JP2010171107A5 (ja) 半導体装置
EP2769957A3 (en) Vacuum sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2018116227A5 (ja)
EP4283690A3 (en) Semiconductor device
JP2016082238A5 (ja) 半導体装置
JP2017120904A5 (ja) 半導体装置
JP2012160734A5 (ja)