JP2015069019A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】電源ノイズで変動した基準電圧による複数の回路ユニットへの悪影響を抑制する。【解決手段】基準電圧発生回路で基準電圧を生成し、生成された同じ基準電圧を複数の回路ユニットで電圧生成のために利用する半導体装置において、回路ユニットに規準電圧を与えるために基準電圧のサンプルホールド回路を設け、サンプルホールド回路を制御するサンプルホールド制御回路には、前記基準電圧発生回路の電源ノイズが所定範囲に収まる状態で前記半導体装置が動作するときは前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示させ、前記電源ノイズが所定範囲を超える状態で前記半導体装置が動作するときは前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示させる。【選択図】図1

Description

本発明は、電源ノイズに起因する基準電圧の変動による影響を緩和する技術に係り、例えば一つの基準電圧発生回から電源の異なる複数の回路に基準電圧を分配して使用する半導体装置に関し、更に具体的には液晶表示パネルを駆動するLCD(Liquid Crystal Display)コントローラLSI(Large Scale Integrated circuit)などに適用して有効な技術に関する。
基準電圧を用いて所望の電圧の信号を生成する回路を複数個持つ場合に、複数個の回路に基準電圧発生回路を共通化すれば、基準電圧発生回路だけでなくそのトリミング回路の数も減らすことができ、回路規模の縮小に寄与することができる。例えば、液晶表示パネルを駆動する為のLCDコントローラLSIは液晶表示パネルのコモン電極駆動電圧を生成してコモン電極を駆動する回路、液晶表示パネルのソース電極駆動電圧を生成してソース電極を駆動する回路、及びタッチパネルの駆動及びタッチ検出のための電圧を生成してタッチパネルを制御する回路等を有し、それらは基準電圧を利用して必要な電圧の生成を行う。特許文献1には基準電圧を用いてそのようなコモン電極駆動電圧やソース電極駆動電圧を生成するLCDコントローラLSIについて記載がある。
特開2003−316328号公報
LCDコントローラLSIを一例とすると、液晶表示パネルのコモン電極駆動電圧を生成してコモン電極を駆動する回路、液晶表示パネルのソース電極駆動電圧を生成してソース電極を駆動する回路、及びタッチパネルの駆動及びタッチ検出のための電圧を生成してタッチパネルを制御する回路等に一つの基準電圧発生回路で生成した基準電圧を供給する場合には、以下の問題点の有ることが本発明者によって見出された。
例えばLCDコントローラLSIにおいて、仮にコモン電極を駆動する回路及びソース電極を駆動する回路、及びタッチパネルを制御する回路の夫々に基準電圧発生回路を個別に設ければ、一の回路で発生した電源ノイズの影響は他の回路の基準電圧発生回路に直接影響し難い。しかしながら、コモン電極を駆動する回路及びソース電極を駆動する回路、及びタッチパネルを制御する回路に供給される基準電圧が変動すると、その全ての回路が影響を受けて表示状態が乱れ、また、タッチ検出精度が低下する。特に、基準電圧の変動として基準電圧発生回路の電源ノイズに着目すると、これを同じ電源を使う回路の動作に起因して基準電圧が変動する。そのような電源変動が表示タイミングと非同期で生ずる場合には表示の乱れが表示画面に対してランダム且つ局部的になり、表示品質が著しく低下してしまう。ここで言う電源ノイズとは回路素子の消費電流が基板やパッケージの電源経路に流れることによって発生する電源変動ノイズであり、IRドロップやグランドバウンズなどを挙げることができる。そのような電源ノイズによる影響は夫々の電源が外部電源として独立している場合だけでなく、外部から与えられる電源を昇圧して生成したいくつかの内部電源をそれらの回路に振り分けるようにした場合もほぼ同様である。
上記並びにその他の課題と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される実施の形態のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、基準電圧発生回路で基準電圧を生成し、生成された同じ基準電圧を複数の回路ユニットで電圧生成のために利用する半導体装置において、回路ユニットに規準電圧を与えるために基準電圧のサンプルホールド回路を設ける。サンプルホールド回路を制御するサンプルホールド制御回路には、前記基準電圧発生回路の電源ノイズが所定範囲に収まる状態で前記半導体装置が動作するときは前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示させ、前記電源ノイズが所定範囲を超える状態で前記半導体装置が動作するときは前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示させる。
本願において開示される実施の形態のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、電源ノイズで変動した基準電圧による複数の回路ユニットへの悪影響を抑制することができる。
図1は半導体装置の一例であるLCDコントローラLSIを例示するブロック図である。 図2は別のLCDコントローラを例示するブロック図である。 図3は電源ノイズを検出してサンプルホールド制御を行う構成を原理的に例示する説明図である。 図4はノイズ検出回路の具体例を示す回路図である。 図5はノイズ源になる回路の非活性/活性に応じてサンプルホールド制御を行う構成を原理的に例示する説明図である。 図6はロジック回路によるサンプルホールド制御の具体例を示すブロック図である。 図7は図6の動作タイミングを例示するタイミングチャートである。 図8は表示期間と非表示期間に着目したサンプルホールド制御の原理を例示する説明図である。 図9は図2の昇圧電源レギュレータの一例を示す回路図である。 図10はサンプルホールド回路の容量を外付けとし一方の電極をグランド電源に接続する場合を例示する回路図である。 図11はサンプルホールド回路の容量を外付けとし一方の電極を高圧電源に接続する場合を例示する回路図である。
1.実施の形態の概要
先ず、本願において開示される実施の形態について概要を説明する。実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
〔1〕<<基準電圧のサンプルホールド>>
半導体装置(1,1A)は、第1回路ユニット(20,30,31,32)と、基準電圧(Vref)を発生する基準電圧発生回路(21)と、前記基準電圧のサンプルホールド回路(40)と、前記サンプルホールド回路を制御するサンプルホールド制御回路(60,70,70A)と、前記サンプルホールド回路でサンプルホールドされた基準電圧を入力して動作する複数の第2回路ユニット(10cct、11cct、12cct)と、を含む。前記サンプルホールド制御回路は、前記基準電圧発生回路の電源ノイズが所定範囲に収まる状態で前記半導体装置が動作するときは前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示し、前記電源ノイズが所定範囲を超える状態で前記半導体装置が動作するときは前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示する。
これによれば、基準電圧発生回路の電源ノイズが所定範囲に収まらなくなる場合にはサンプルホールド回路が変動前の基準電圧をホールドするので、第2回路ユニットは基準電圧発生回路の電源ノイズによって変動する前の基準電圧を継続的に利用することができる。したがって、電源ノイズで変動した基準電圧による第2回路ユニットへの悪影響を抑制することができる。また、複数の第2回路ユニットに個別に基準電圧発生回路を設けることを要しないから回路規模の縮小、並びに基準電圧発生回路に対するトリミング調整の手間を軽減することができる。
〔2〕<<複数電源の使用>>
項1において、前記基準電圧発生回路は第1電源(Iovcc)を用い、前記第1回路ユニットは第1電源(Iovcc)又は前記第1電源を降圧した電源(Lvcc)を用い、前記第2回路ユニットは前記第1電源よりも絶対値的に高圧の第2電源(Vci,Vcl,Vsp,Vsn)を用いる。
これによれば、低電位電源で生成した基準電圧を高電位電源で動作する第2回路ユニットで用いる場合にも基準電圧の変動の影響は同様に抑制される。第1電源と第2電源は半導体装置の外部から個別に与えられる外部電源であってもよいし、また、第2電源は半導体装置の外部から与えられる第1電源を半導体装置の内部で昇圧して形成した電源であってもよい。
〔3〕<<電源ノイズを検出してVrefのサンプルホールド制御>>
項2において前記サンプルホールド制御回路(60)は、前記基準電圧発生回路の電源に所定の電源変動を生じたか否かを判別し、所定の電源変動を検出した場合はその変動に対して所定の時定数で決まる期間で前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示し、前記電源変動が検出されていないときは前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示する。
これによれば、前記基準電圧発生回路の電源ノイズを直接把握してサンプルホールド制御を行うことができる。
〔4〕<<ノイズ源になる回路の非活性/活性に応じたサンプルホールド制御>>
項2において、前記サンプルホールド制御回路(70,70A)は、前記第1回路ユニットの所定動作の活性化期間に前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示し、前記所定動作の非活性化期間に前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示する。
これによれば、第1回路ユニットにおける電流消費量の大きな動作に着目することによって、必要なタイミングマージンなどを予め見積もることができ、基準電圧の変動の波及に対する防止精度を向上させることができる。
〔5〕<<メモリとアクセス制御回路>>
項4において、前記第1回路ユニットは表示データを格納するメモリ(31)であり、前記第2回路ユニットは前記基準電圧を用いて生成した駆動電圧により表示用の走査電極及び信号電極を駆動する表示用電極駆動回路(10cct、11cct)を含む。前記サンプルホールド制御回路(70A)は前記メモリをアクセス制御するロジック回路であり、前記所定動作の活性化期間は前記ロジック回路による前記メモリに対するアクセス期間である。
これによれば、表示データの格納などのメモリアクセスが表示用電極駆動回路の表示動作と非同期で生じても、基準電圧の変動は表示用電極駆動回路に波及せず、基準電圧発生回路の電源ノイズによって表示状態が局部的に劣化する事態を防止することができる。
〔6〕<<非表示/表示期間に応じたサンプルホールド制御>>
半導体装置(1,1A)は、第1回路ユニット(20,30,3,1,32)と、基準電圧(Vref)を発生する基準電圧発生回路(21)と、前記基準電圧のサンプルホールド回路(40)と、前記サンプルホールド回路を制御するサンプルホールド制御回路(30)と、前記サンプルホールド回路でサンプルホールドされた基準電圧を入力して動作する複数の第2回路ユニット(10cct,11cct,12cct)と、を含む。前記第2回路ユニットは前記基準電圧を用いて生成した駆動電圧により表示用の走査電極及び信号電極を駆動するための複数の駆動電圧を生成する表示用電極駆動回路(10cct、11cct)を含む。前記サンプルホールド制御回路は、前記走査電極及び信号電極を駆動する表示期間に前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示し、非表示期間に前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示する。
これによれば、表示期間の表示駆動で消費される大きな消費電流の影響によって基準電圧発生回路に電源ノイズが発生しても、表示用電極駆動回路はそれによって生ずる基準電圧の変動の影響を受け難い。
〔7〕<<表示制御とタッチ検出制御を行う半導体装置への適用>>
項6において、前記第2回路ユニットは更に、前記基準電圧を用いて生成した電圧により前記非表示期間にタッチパネルの駆動及びタッチ検出を制御するタッチ検出制御回路(12cct)を含む。
これによれば、表示期間の表示駆動で消費される大きな消費電流の影響によって基準電圧発生回路に電源ノイズが発生しても、タッチ検出制御回路はそれによって生ずる基準電圧の変動の影響を受け難く、高いタッチ検出精度が保証される。
〔8〕<<ノイズ源回路の動作を検出してVrefのサンプルホールド制御>>
半導体装置(1,1A)は、第1電源(Vref)又は前記第1電源を降圧した電源(Lvcc)を用いる第1回路ブロック(13)と、前記第1電源よりも絶対値的に高圧の電源(Vsp,Vsn,Vci,Vcl)を用いる複数の第2回路ブロック(10,11,12)とを含む。前記第1回路ブロックは基準電圧を発生する基準電圧発生回路(21)を含む。前記第2回路ブロックは前記基準電圧のサンプルホールド回路(40)を含み、自らのサンプルホールド回路でサンプルホールドした基準電圧を用いて動作する。前記第1回路ブロックは更に自らの所定の内部回路の活性化期間に前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示し、前記内部回路の非活性化期間に前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示するロジック回路(70,70A)を含む。
これによれば、第1回路ブロックにおける電流消費量の大きな内部回路動作に着目することによって、当該内部回路動作の活性化期間に第2回路ブロックのサンプルホールド回路は前記基準電圧を変動前にホールドするので、第2回路ブロックは基準電圧発生回路の電源ノイズによって変動する前の基準電圧を継続的に利用することができる。したがって、電源ノイズで変動した基準電圧による第2回路ブロックへの悪影響を抑制することができる。特に、第1回路ブロックにおける電流消費量の大きな動作に着目することによって、必要なタイミングマージンなどを予め見積もることができ、基準電圧の変動の波及に対する防止精度を向上させることができる。また、複数の第2回路ブロックに個別に基準電圧発生回路を設けることを要しないから回路規模の縮小、並びに基準電圧発生回路に対するトリミング調整の手間を軽減することができる。更に、電源が異なれば電源間での電源ノイズの伝播は本来ないはずであり、基準電圧の共通化によってもその状態を保証することができる。
〔9〕<<メモリ非アクセス/メモリアクセスに応じたサンプルホールド制御>>
項8において、前記所定の内部回路はメモリ(31)であり、前記ロジック回路は前記メモリを複数ビット並列にアクセスするアクセス制御回路(70A)を含む。前記活性化期間は前記ロジック回路による前記メモリの書き込みアクセス期間である。
これによれば、メモリアクセスが第2回路ブロックの動作と非同期で生じても、基準電圧の変動は第2回路ブロックに波及せず、基準電圧発生回路の電源ノイズによって第2回路ブロックの動作状態が局部的に劣化する事態を防止することができる。
〔10〕<<サンプルホールド制御に書き込みイネーブル信号を流用>>
項9において、前記ロジック回路は前記メモリに対する書き込みイネーブル信号(71A)を前記第2回路ブロックに供給する。前記サンプルホールド回路は、前記書き込みイネーブル信号のイネーブルの期間に前記基準電圧のホールド動作を行い、前記書き込みイネーブル信号のディスエーブル期間に前記基準電圧のサンプリング動作を行う。
これによれば、メモリアクセス制御信号として本来備えられている書き込みイネーブル信号を流用することによって、サンプルホールド回路のサンプルホールド制御を容易に実現することができる。
〔11〕<<電源レギュレータに参照電圧を供給する基準電圧発生回路>>
項9において、外部電源を入力して昇圧し、前記第1電源よりも絶対値的に高圧の電源として昇圧電源を生成する昇圧レギュレータ(50)を更に有し、前記第2回路ブロックは前記昇圧レギュレータで生成された昇圧電源を動作電源に利用する。
これによれば、第2回路ブロックが昇圧電源を用いる場合にも基準電圧発生回路の電源ノイズによる悪影響を防止することができる。
〔12〕<<昇圧レギュレータの昇圧動作期間/非昇圧動作期間に応じたサンプル/ホールド制御>>
項11において、前記ロジック回路は更に、前記ディスエーブル期間であっても前記昇圧レギュレータの昇圧動作期間には前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示する。
昇圧回路の昇圧動作による大きな電流消費による電源ノイズが基準電圧発生回路に波及することによって第2回路ブロックに悪影響が生ずる虞を未然に防止することができる。
〔13〕<<電源ノイズを検出してVrefのサンプルホールド制御>>
半導体装置は、第1電源又は前記第1電源を降圧した電源を用いる第1回路ブロックと、第1電源よりも絶対値的に高圧の電源を用いる複数の第2回路ブロックとを含む。前記第1回路ブロックは基準電圧を発生する基準電圧発生回路(21)とサンプルホールド制御回路(60)とを含む。前記第2回路ブロックは前記基準電圧のサンプルホールド回路(40)を含み、自らのサンプルホールド回路でサンプルホールドした基準電圧を用いて動作する。前記サンプルホールド制御回路は、前記基準電圧発生回路の電源に所定の電源変動を生じたか否かを判別し、所定の電源変動を検出した場合はその変動に対して所定期間で前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示し、前記電源変動が検出されていないときは前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示する。
これによれば、基準電圧発生回路の電源ノイズを直接把握し、所定の電源変動を検出することによってサンプルホールド回路は前記基準電圧を変動前にホールドするから、第2回路ブロックは基準電圧発生回路の電源ノイズによって変動する前の基準電圧を継続的に利用することができる。したがって、電源ノイズで変動した基準電圧による第2回路ブロックへの悪影響を抑制することができる。また、複数の第2回路ブロックに個別に基準電圧発生回路を設けることを要しないから回路規模の縮小、並びに基準電圧発生回路に対するトリミング調整の手間を軽減することができる。更に、電源が異なれば電源間での電源ノイズの伝播は本来ないはずであり、基準電圧の共通化によってもその状態を保証することができる。
〔14〕<<電源変動に応じたサンプルホールド制御の収束性>>
項13において、前記サンプルホールド制御回路は、所定の電源変動を検出した場合はその変動に対して所定の時定数で決まる期間で前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示する。
これによれば、小刻みな電源変動があっても制御の収束性を保証することができる。
2.実施の形態の詳細
実施の形態について更に詳述する。
<<LCDコントローラLSI1>>
図1には半導体装置の一例としてLCDコントローラLSI1が例示される。図1にはLCDコントローラLSI1と共に、液晶表示パネル2とタッチパネル3が図示される。液晶表示パネル2は例えばTFT型のトランジスタを用いて形成されたが画素がマトリクス状に配置されて表示フレームを構成する。タッチパネル3は、特に制限されないが、液晶表示パネル2と一体に形成されたインセル構造を有し、表示フレームに重ねてタッチ検出フレームが形成されていて、静電容量の相違によってタッチ検出を可能にするものである。
同図に示されるLCDコントローラLSI1は、液晶表示パネル2の表示走査電極を駆動する駆動電圧を生成して表示走査電極を駆動する回路(表示走査電極駆動回路)10、液晶表示パネル2の信号電極を駆動する駆動電圧を生成して信号電極を駆動する回路(信号電極駆動回路)11、及びタッチパネル3の駆動及びタッチ検出のための電圧を生成してタッチパネルを制御する回路(タッチ検出制御回路)12を有する。表示走査電極駆動回路10、信号電極駆動回路11、及びタッチ検出制御回路12は回路ブロックの一例とされる。表示走査電極は画素トランジスタのゲートに接続するゲート線を意味し、更には画素トランジスタのコモン電極線を意味する。信号電極は画素トランジスタのソースに接続するソース線を意味する。
システムインタフェース20は、図示を省略するホストプロセッサから表示コマンド、書き込みコマンド及びタッチ検出コマンドなどを受け取ると共に、表示データを受け取り、また、タッチ検出データをホストプロセッサに出力する。
表示コマンドは表示制御回路30に供給される。表示制御回路30はシステムインタフェース20に供給された表示データを書き込みコマンドに応答して表示フレームメモリ31に格納する。表示制御回路30は表示コマンドに応答して、表示データを表示フレームメモリ31から読み出してラッチ回路32に転送し、垂直同期タイミングに従って表示走査電極駆動回路10に液晶表示パネル2の表示走査電極を駆動させる。これに並行して表示制御回路30はラッチ回路32の表示データを用いて信号電極駆動回路11に信号電極を駆動させる。
タッチ検出コマンドはタッチ検出制御回路12に供給される。タッチ検出制御回路12はタッチパネル3の走査線を順次駆動したときの静電容量の変化に応じた信号を検出し、検出信号を閾値と比較することによってタッチ検出フレームにおける夫々の検出位置でのタッチの有無を判別する。判別結果のデータはタッチ検出フレーム単位でシステムインタフェース20を介してホストプロセッサに与えられる。
LCDコントローラLSI1の電源はその回路部分によって相違される。
LCDコントローラLSI1は、特に制限されないが、外部電源として、外部入出力用の高電位電源IOVCC及び低電位電源GNDと、表示走査電極駆動用の高電位電源VCI、低電位電源AGND及び高電位負電源VCLと、信号電極駆動用の高電位電源VSP及び高電位負電源VSNと、タッチ検出用の高電位電源AVDD及び低電位電源SAGNDとを入力する。
外部入出力用の電源IOVCC,GNDは、Iovcc,Gndとして内部の電源配線に供給され、そこからシステムインタフェース20、基準電圧発生回路21、論理回路用電源レギュレータ23に渡される。例えばIovccは1.8V、Gndは0Vである。
基準電圧発生回路30は例えばシリコンのバンドギャップを利用し、又はnチャネル型MOSトランジスタとpチャネル型MOSトランジスタの閾値電圧の差を利用して、電源IOVCC,GNDから1.2〜1.3V程度の基準電圧Vrefを生成する。
論理回路用電源レギュレータ23は基準電圧Vrefを参照電圧として電源IOVCC,GNDから論理回路用の高電位電源Lvccを生成する。電源Lvccは例えば0.8Vである。電源Lvccは低電位電源Gndと共に電源配線を介して表示制御回路30、表示フレームメモリ31、及びラッチ回路32に供給される。
表示走査電極駆動用の高電位電源VCI、低電位電源AGND及び高電位負電源VCLはVci,Agnd,Vclとして内部の電源配線に供給され、そこから表示走査電極駆動回路10に供給される。例えばVciは3.0V、Vclは−3.0V、Agndは0Vである。表示走査電極駆動回路10は基準電圧Vrefを参照電圧として電源Vci,Vclを増幅することによって液晶表示パネルの走査電極を駆動するための複数の正、負の駆動電圧を生成し、生成した駆動電圧を用いて走査電極を駆動する。
信号電極駆動用の高電位電源VSP及び高電位負電源VSNはVsp,Vsnとして内部の電源配線に供給され、そこから信号電極駆動回路11に供給される。例えばVspは6.0V、Vsnは−6.0V、Agndは0Vである。信号電極駆動回路11は基準電圧Vrefを参照電圧として電源Vsp,Vsnから複数の階調電圧レベルを生成し、生成された階調電圧を用いて液晶表示パネル2の信号電極を駆動する。信号電極駆動回路11は表示データに対応して画素毎に選ばれた階調電圧によって液晶表示パネル2の信号電極を駆動することになる。
タッチ検出用の高電位電源AVDD及び低電位電源SAGNDはAvdd,Sagndとして内部の電源配線に供給され、そこからタッチ検出制御回路12に渡される。例えばAvddは5.0V、Sagndは0Vである。タッチ検出制御回路12の基準電圧Vrefを参照電圧として電源Avdd、Sagndから所要の電圧レベルに増幅されてタッチパネルの走査駆動電圧及びタッチ検出電圧を生成し、生成した走査駆動電圧及びタッチ検出電圧を用いてタッチ検出制御を行う。
基準電圧Vrefは表示走査電極駆動回路10、信号電極駆動回路11、及びタッチ検出制御回路12に共通の基準電圧発生回路21で生成されて各回路10,11,12に供給される。基準電圧発生回路21の電源はIovcc,Gndであり、電源Iovcc,Gndの電源ノイズは基準電圧Vrefに影響することになる。例えば表示制御回路30が表示データを表示フレームメモリ31に書き込むとき大きな消費電流が電源Lvccの配線からGndの配線に流れると、電源Iovcc,Gndに波及し、基準電圧発生回路21に電源ノイズが発生すると考えられる。また、システムインタフェース20がタッチ検出フレームのタッチ検出データを外部に出力することによって、大きな消費電流が電源IOvccの配線からGndの配線に流れると、上記同様に基準電圧発生回路21に電源ノイズが発生すると考えられる。
基準電圧Vrefを参照電圧として電圧を生成する表示走査電極駆動回路10、信号電極駆動回路11、及びタッチ検出制御回路12において変動した基準電圧Vrefを用いないようにするために夫々の回路がサンプルホールド回路40を有し、基準電圧Vrefに変動を来たす場合には事前に基準電圧をホールドするようになっている。
図2には別のLCDコントローラ1Aの例が示される。図1との相違点は、外部電源として、外部入出力用の高電位電源IOVCC及び低電位電源GNDと、表示走査電極駆動用の高電位電源VCI及び低電位電源AGNDを入力とし、それに応じて、高電位電源VCI及び低電位電源AGNDを動作電源とする昇圧電源レギュレータ50を新たに採用したことである。この場合、昇圧電源レギュレータ50は高電位電源VCI及び低電位電源AGNDを動作電源として、前記高電位負電源Vcl、高電位電源Vsp、高電位負電源Vsn、タッチ検出用の高電位電源Avdd、及び低電位電源Sagndを生成して、各部に供給する。
この場合も基準電圧Vrefを参照電圧として電圧を生成する表示走査電極駆動回路10、信号電極駆動回路11、及びタッチ検出制御回路12において、変動した基準電圧Vrefを用いないようにするために夫々の回路がサンプルホールド回路40を有し、基準電圧Vrefに変動を来たす場合には事前に基準電圧をホールドするようになっていることは上記と同様である。
特に図示はしないが、システムインタフェース20、表示制御回路30、表示フレームメモリ31、及びラッチ回路32が電源Iovcc、Gndを動作電源とすることも考えられる。この場合も、表示走査電極駆動回路10、信号電極駆動回路11、及びタッチ検出制御回路12において、変動した基準電圧Vrefを用いないようにするために夫々の回路がサンプルホールド回路40を有し、基準電圧Vrefに変動を来たす場合には事前に基準電圧をホールドするようになっていることは言うまでもない。
<<電源ノイズを検出してサンプルホールド制御>>
図3には電源ノイズを検出してサンプルホールド制御を行う構成が原理的に例示される。ここでは信号電極駆動回路11のサンプルホールド回路を一例とする。サンプルホールド回路40は基準電圧発生回路21から基準電圧Vrefが供給される経路に配置されたスイッチSW1とスイッチSW1の後段で低電位電源Agndとの間に配置された容量C1とによって構成される。11cctは回路ブロックとしての信号電極駆動回路11に対してサンプルホールド回路40を除く回路ユニット(信号電極駆動ユニット)とされる。21cctは基準電圧発生回路21の回路構成を総称する。
ノイズ検出回路60はサンプルホールド制御回路を意味し、高電位電源Iovccの電源ノイズ、即ち基準電圧発生回路の電源ノイズが所定範囲に収まっているのか又は逸脱しているかを判別する。その電源ノイズが所定範囲に収まっているときはサンプルホールド制御信号61によってサンプルホールド回路40のスイッチSW1をオンにして基準電圧Vrefのサンプリング動作を指示する。前記電源ノイズが所定範囲を超えている場合はサンプルホールド回路40のスイッチSW1をオフにして基準電圧Vrefのホールド動作を指示する。ノイズ検出回路60は基準電圧発生回路21の近傍に配置するのがよい。
高電位電源Iovccにノイズが発生するタイミングでスイッチSW1を開いて、サンプルホールド回路40で基準電圧Vrefを保持することで、次段回路11cctの基準電圧は電源Iovccのノイズの影響を受けない安定した電圧を保持することができる。信号電極駆動回路11だけでなく表示走査電極駆動回路10及びタッチ検出制御回路12においても同様であり、システムインタフェース回路20や表示フレームメモリ31などその他の回路の動作の影響で電源Iovccにノイズが発生したとしても、基準電圧Vrefを受け渡されて動作する信号電極駆動回路11、表示走査電極駆動回路10及びタッチ検出制御回路12では、ノイズの影響を受けない安定した基準電圧Vrefで回路を動作させることができる。
また、上記のように異なる電源ブロック間で、電源ノイズの影響を受けない安定した基準電圧Vrefの受け渡しを行えることによって、基準電圧発生回路21をそれぞれの電源ブロック毎に個別に搭載することなく、一基の基準電圧回路21で発生した電圧をブロック間で引き渡すことによって、基準電圧回路21の回路規模を小さく抑え、トリミング回路22等での出荷調整が必要な場合も、複数のブロックの基準電圧を一括してトリミング調整することで、LCDコントローラLSIの製造コストへの負担を最低限にすることができる。
図4にはノイズ検出回路60の具体例が示される。図4では高電位電源Iovccと低電位電源Agndとの間に抵抗R1と容量C2を直列に配置し、高電位電源Iovccの上昇によって抵抗R1の両端に電位差が形成されるとき電流を流すpチャネル型MOSトランジスタM1と、高電位電源Iovccの降下によって抵抗R1の両端に電位差が形成されるとき電流を流すpチャネル型MOSトランジスタM2とを設ける。MOSトランジスタM1又はM2に流れる電流はnチャネル型MOSトランジスタM3を介してnチャネル型MOSトランジスタM4のコンダクタンスを制御し、MOSトランジスタM4のコンダクタンスに応じて当該MOSトランジスタM4と抵抗R2との結合ノードの電圧に従ってサンプルホールド制御信号61を生成する。サンプルホールド制御信号61のハイレベルでスイッチSW1をオンにして基準電圧Vrefをサンプリングし、ローレベルでスイッチSW1をオフにすることで基準電圧Vrefをホールドする。ホールド期間は抵抗R1と容量C2の時定数で決まる時間になる。
<<ノイズ源になる回路の非活性/活性に応じたサンプルホールド制御>>
図5にはノイズ源になる回路の非活性/活性に応じてサンプルホールド制御を行う構成が原理的に例示される。ここでは信号電極駆動回路11のサンプルホールド回路を一例とする。サンプルホールド回路40は基準電圧発生回路21から基準電圧Vrefが供給される経路に配置されたスイッチSW1とスイッチSW1の後段で低電位電源Agndとの間に配置された容量C1とによって構成される。11cctはサンプルホールド回路40を除く信号電極駆動回路11の回路構成を総称し、21cctは基準電圧発生回路21の回路構成を総称する。
ここでは、サンプルホールド制御を行うサンプルホールド制御回路としてのロジック回路70は、基準電圧発生回路Vrefの電源ノイズが所定範囲に収まる範囲で電流消費されるLCDコントローラLSI1(1A)の動作に対しては制御信号71にてサンプルホールド回路40に基準電圧Vrefのサンプリング動作を指示し、電源ノイズが所定範囲を超えるほどに電流消費すると想定されるLCDコントローラLSI1(1A)の動作に対しては制御信号71にてサンプルホールド回路40に基準電圧Vrefのホールド動作を指示する。
実際の電源ノイズを検出して対処する場合に比べ、予め不所望な電源ノイズを発生する動作を予測して対処するから、必要なタイミングマージンなどを予め見積もることができ、変動した基準電圧Vrefの波及に対する防止精度を向上させることができる。
図6にはロジック回路によるサンプルホールド制御の具体例が示される。図6において13は電源Iovcc及び電源Iovccを論理回路用電源レギュレータ23で降圧した降圧電源Lvccを用いて動作される第1回路ブロックの一例である。これに対して表示走査電極駆動回路10、信号電極駆動回路11、及びタッチ検出制御回路12は電源Iovccよりも絶対値的に高圧の電源を用いて動作される第2回路ユニットの一例として位置付けられる。図6において12cctは回路ブロックとしてのタッチ検出制御回路12に対してそのサンプルホールド回路40を除く回路ユニット(タッチ検出制御ユニット)とされる。同様に10cctは回路ブロックとしての表示走査電極駆動回路10に対してそのサンプルホールド回路40を除く回路ユニット(表示走査電極駆動ユニット)とされる。
ここでは、ロジック回路70として表示制御回路30に含まれるメモリ書き込みロジック回路70Aを用いる。メモリ書き込みロジック回路70Aは、ホストプロセッサからのアクセスコマンドに応答して例えばSRAMなどで構成された表示フレームメモリ31に対するか書き込み制御を行う。メモリ書き込みロジック回路70Aは表示フレームメモリ31に表示データの書き込みを行うたびに書き込みイネーブル信号71Aをイネーブル(活性化レベル)にする。表示フレームメモリ31は書き込みイネーブル信号71Aがイネーブルにされると、供給された表示データを書き込みアドレスに従ってメモリアレイに書き込む動作を行う。書き込み動作では複数の書き込みアンプなどを並列的に動作させて複数バイトの表示データが並列的に書き込まれる。この書き込み動作では大きな消費電流が電源ラインに流れ、電源Iovcc,Gndに電源ノイズを発生させることが予想される。
このとき、書き込みイネーブル信号71Aをサンプルホールド回路40のサンプルホールド制御信号として流用する。書き込みイネーブル信号71Aのディスエーブル(非活性化)レベルによってサンプルホールド回路40にサンプリング動作が指示され、書き込みイネーブル信号71Aのイネーブルレベルによってサンプルホールド回路40にホールド動作を指示する。図7にその動作タイミングが例示される。
これによって、表示フレームメモリ31に対する表示データの書き込み動作によって基準電圧Vrefが変動しても表示走査電極駆動回路10、信号電極駆動回路11、及びタッチ検出制御回路12はその影響を受けない。したがって、表示動作とは非同期でホストプロセッサから表示データの書き込みが要求されても、表示画面が局部的に乱れる事態の発生を防止することができる。要するに、表示動作と非同期で基準電圧Vrefが変動することによって突発的に且つ不連続に表示画面が乱れてしまう事態を阻止することができる。
<<非表示/表示期間に応じたサンプルホールド制御>>
図8には表示期間と非表示期間に着目したサンプルホールド制御の原理が示される。信号電極駆動回路11における液晶表示用のソース出力は液晶表示パネル2を駆動する表示期間に表示画像に合わせた様々な電圧を出力するため、出力電圧の振幅が極端に変化することによって電源ノイズを発生しやすくなり、基準電圧発生回路への影響が懸念される。これに対して垂直帰線期間のような液晶表示パネル2を駆動しない非表示期間中は、正極、負極の極性毎に一定の電圧を出力するか、電源Gndの出力、又は高インピーダンス(Hi-z)状態とするため、電源ノイズは発生し難く、基準電圧発生回路への影響はない。このことに着眼して、表示制御回路30は、サンプルホールド回路40を、垂直帰線期間のような非表示期間でサンプル状態とし、表示期間ではホールド状態にすることで、ノイズの少ない基準電圧を供給しようとするものである。即ち、表示期間の表示駆動で消費される大きな消費電流の影響によって基準電圧発生回路21に電源ノイズが発生しても、表示走査電極駆動回路10、信号電極駆動回路11、及びタッチ検出制御回路12はそれによって生ずる基準電圧の変動の影響を受けないようになる。この非表示/表示期間に応じたサンプルホールド制御の態様は、単独で用いてもよいが、上記電源変動の検出結果に応じた制御、上記メモリ書き込みアクセスに可否に応じた制御と共に用いることも可能である。制御手法を混在させる場合に指示が競合するときはホールド指示を優先させればよい。
これと共に、タッチ検出制御回路12は、垂直帰線期間のような非表示期間にタッチパネル3の駆動及びタッチ検出を制御する。したがって、表示期間の表示駆動で消費される大きな消費電流の影響によって基準電圧発生回路21に電源ノイズが発生しても、タッチ検出制御回路12はそれによって生ずる基準電圧Vrefの変動の影響を受け難く、高いタッチ検出精度が保証されることになる。
<<昇圧レギュレータの昇圧動作期間/非昇圧動作期間に応じたサンプルホールド制御>>
図9には図2の昇圧電源レギュレータ50の一例が示される。ここでは外部電源VCIに基づいて高圧正電源Vspと高圧負電源Vsnを昇圧する回路例が示される。電源Vsp、Vsn共に負荷電流が少なく、電圧降下がない状態ではマスク信号80A,80Bにより動作クロック81を停止する。ここでは、マスク信号80A,80Bをサンプルホールド制御信号として流用して、昇圧電源レギュレータ50の動作中はサンプルホールド回路40にホールド動作を指示し、昇圧電源レギュレータ50が停止中はサンプルホールド回路40にサンプル動作を指示する。これによって、昇圧電源レギュレータ50の動作で生じた電源ノイズが基準電圧発生回路21に与える影響を回避することができる。
この昇圧動作に着目したサンプルホールド制御の態様は、上記電源変動の検出結果に応じた制御、メモリ書き込みアクセスに可否に応じた制御、表示/非表示に応じた制御と共に用いることも可能である。制御手法を混在させる場合に指示が競合するときはホールド指示を優先させればよい。
<<サンプルホールド回路のホールド容量>>
サンプルホールド回路40のホールド用の容量C1は半導体装置1,1Aの内蔵容量であっても良いし、図10及び図11に例示されるように半導体装置1,1Aの外付け容量であってもよい。外付け容量とする場合には図10のように容量C1の一方の電極を外部のグランド電源AGND、SAGNDに接続しても良いし、図11のように容量C1の一方の電極を高圧電源Vsp,Avddに接続してもよい。特に、外付け容量C1に接続するグラン電源又は高圧電源は基準電圧Vrefが供給される回路と共通のグラン電源又は高圧電源とする。
本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、電源変動の検出結果に応じた制御とメモリ書き込みアクセスに可否に応じた制御とは夫々単独でも、或いは双方ともに用いることも可能である。後者の場合に指示が競合するときはホールド指示を優先させればよい。
本発明の半導体装置はLCDドライバLSIに限定されない。LCDドライバLSIの場合にもタッチパネルの駆動及び検出機能を有しないものであっても良い。本発明は基準電圧を用いて内部電圧を生成する機能を備えた半導体装置に広く適用することができる。半導体装置はシングルチップに限定されず、マルチチップをモジュール化したものであってもよい。
1、1A LCDコントローラLSI
2 液晶表示パネル
3 タッチパネル
10 表示走査電極駆動回路
11 信号電極駆動回路
12 タッチ検出制御回路
20 システムインタフェース
21 基準電圧発生回路
23 論理回路用電源レギュレータ
30 表示制御回路
31 表示フレームメモリ
32 ラッチ回路
IOVCC、Iovcc 外部入出力用の高電位電源
GND、Gnd 外部入出力用の低電位電源
VCI、Vci 表示走査電極駆動用の高電位電源
AGND、Agnd 表示走査電極駆動用の低電位電源
VCL、Vcl 表示走査電極駆動用の高電位負電源
VSP、Vsp 信号電極駆動用の高電位電源
VSN、Vsn 信号電極駆動用の高電位負電源
AVDD、Avdd タッチ検出用の高電位電源
SAGND、Sagnd タッチ検出用の低電位電源
Vref 基準電圧
50 昇圧電源レギュレータ
40 サンプルホールド回路
SW1 スイッチ
C1 容量
60 ノイズ検出回路
61 サンプルホールド制御信号
70 ロジック回路
70A メモリ書き込みロジック回路
71 制御信号
71A 書き込みイネーブル信号
80A,80B マスク信号

Claims (14)

  1. 第1回路ユニットと、
    基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
    前記基準電圧のサンプルホールド回路と、
    前記サンプルホールド回路を制御するサンプルホールド制御回路と、
    前記サンプルホールド回路でサンプルホールドされた基準電圧を入力して動作する複数の第2回路ユニットと、を含む半導体装置であって、
    前記サンプルホールド制御回路は、前記基準電圧発生回路の電源ノイズが所定範囲に収まる状態で前記半導体装置が動作するときは前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示し、前記電源ノイズが所定範囲を超える状態で前記半導体装置が動作するときは前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示する、半導体装置。
  2. 請求項1において、前記基準電圧発生回路は第1電源を用い、前記第1回路ユニットは第1電源又は前記第1電源を降圧した電源を用い、前記第2回路ユニットは前記第1電源よりも絶対値的に高圧の第2電源を用いる、半導体装置。
  3. 請求項2において前記サンプルホールド制御回路は、前記基準電圧発生回路の電源に所定の電源変動を生じたか否かを判別し、所定の電源変動を検出した場合はその変動に対して所定の時定数で決まる期間で前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示し、前記電源変動が検出されていないときは前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示する、半導体装置。
  4. 請求項2において、前記サンプルホールド制御回路は、前記第1回路ユニットの所定動作の活性化期間に前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示し、前記所定動作の非活性化期間に前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示する、半導体装置。
  5. 請求項4において、前記第1回路ユニットは表示データを格納するメモリであり、
    前記第2回路ユニットは前記基準電圧を用いて生成した複数の駆動電圧により表示用の走査電極及び信号電極を駆動する表示用電極駆動回路を含み、
    前記サンプルホールド制御回路は前記メモリをアクセス制御するロジック回路であり、
    前記所定動作の活性化期間は前記ロジック回路による前記メモリに対するアクセス期間である、半導体装置。
  6. 第1回路ユニットと、
    基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
    前記基準電圧のサンプルホールド回路と、
    前記サンプルホールド回路を制御するサンプルホールド制御回路と、
    前記サンプルホールド回路でサンプルホールドされた基準電圧を入力して動作する複数の第2回路ユニットと、を含む半導体装置であって、
    前記第2回路ユニットは前記基準電圧を用いて生成した駆動電圧により表示用の走査電極及び信号電極を駆動するための複数の駆動電圧を生成する表示用電極駆動回路を含み、
    前記サンプルホールド制御回路は、前記走査電極及び信号電極を駆動する表示期間に前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示し、非表示期間に前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示する、半導体装置。
  7. 請求項6において、前記第2回路ユニットは更に、前記基準電圧を用いて生成した電圧により前記非表示期間にタッチパネルの駆動及びタッチ検出を制御するタッチ検出制御回路を含む、半導体装置。
  8. 第1電源又は前記第1電源を降圧した電源を用いる第1回路ブロックと、前記第1電源よりも絶対値的に高圧の電源を用いる複数の第2回路ブロックと、を含む半導体装置であって、
    前記第1回路ブロックは基準電圧を発生する基準電圧発生回路を含み、
    前記第2回路ブロックは前記基準電圧のサンプルホールド回路を含み、自らのサンプルホールド回路でサンプルホールドした基準電圧を用いて動作し、
    前記第1回路ブロックは更に自らの所定の内部回路の活性化期間に前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示し、前記内部回路の非活性化期間に前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示するロジック回路を含む、半導体装置。
  9. 請求項8において、前記所定の内部回路はメモリであり、
    前記ロジック回路は前記メモリを複数ビット並列にアクセスするアクセス制御回路を含み、
    前記活性化期間は前記ロジック回路による前記メモリの書き込みアクセス期間である、半導体装置。
  10. 請求項9において、前記ロジック回路は前記メモリに対する書き込みイネーブル信号を前記第2回路ブロックに供給し、
    前記サンプルホールド回路は、前記書き込みイネーブル信号のイネーブルの期間に前記基準電圧のホールド動作を行い、前記書き込みイネーブル信号のディスエーブル期間に前記基準電圧のサンプリング動作を行う、半導体装置。
  11. 請求項9において、外部電源を入力して昇圧し、前記第1電源よりも絶対値的に高圧の電源として昇圧電源を生成する昇圧レギュレータを更に有し、
    前記第2回路ブロックは前記昇圧レギュレータで生成された昇圧電源を動作電源に利用する、半導体装置。
  12. 請求項11において、前記ロジック回路は更に、前記ディスエーブル期間であっても前記昇圧レギュレータの昇圧動作期間には前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示する、半導体装置。
  13. 第1電源又は前記第1電源を降圧した電源を用いる第1回路ブロックと、第1電源よりも絶対値的に高圧の電源を用いる複数の第2回路ブロックと、を含む半導体装置であって、
    前記第1回路ブロックは基準電圧を発生する基準電圧発生回路とサンプルホールド制御回路とを含み、
    前記第2回路ブロックは前記基準電圧のサンプルホールド回路を含み、自らのサンプルホールド回路でサンプルホールドした基準電圧を用いて動作し、
    前記サンプルホールド制御回路は、前記基準電圧発生回路の電源に所定の電源変動を生じたか否かを判別し、所定の電源変動を検出した場合はその変動に対して所定期間で前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示し、前記電源変動が検出されていないときは前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のサンプリング動作を指示する、半導体装置。
  14. 請求項13において、前記サンプルホールド制御回路は、所定の電源変動を検出した場合はその変動に対して所定の時定数で決まる期間で前記サンプルホールド回路に前記基準電圧のホールド動作を指示する、半導体装置。
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