JP2015015371A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015015371A
JP2015015371A JP2013141326A JP2013141326A JP2015015371A JP 2015015371 A JP2015015371 A JP 2015015371A JP 2013141326 A JP2013141326 A JP 2013141326A JP 2013141326 A JP2013141326 A JP 2013141326A JP 2015015371 A JP2015015371 A JP 2015015371A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
light emitting
emitting element
light
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013141326A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6291735B2 (ja
Inventor
大典 岩倉
Hironori Iwakura
大典 岩倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2013141326A priority Critical patent/JP6291735B2/ja
Priority to US14/323,684 priority patent/US9455382B2/en
Publication of JP2015015371A publication Critical patent/JP2015015371A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6291735B2 publication Critical patent/JP6291735B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/508Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】比重が互いに異なる蛍光体のそれぞれから、これらの発光波長が吸収波長に重なっている場合であっても重なっていない場合であっても、効率良く光を取り出すことができる発光装置を提供する。【解決手段】凹部を有するパッケージと、前記パッケージの凹部内に実装された発光素子と、前記発光素子の上方に設けられた透光性部材と、前記パッケージの凹部を封止する封止樹脂と、を備えた発光装置であって、前記透光性部材に含まれた第1蛍光体と、前記第1蛍光体とは比重が異なる前記封止樹脂に含まれた第2蛍光体と、を備え、前記第2蛍光体が前記発光素子の上方よりも前記発光素子の側方に多く分布するとともに、前記発光素子の側面が前記封止樹脂に対して露出している発光装置である。【選択図】図1

Description

本発明は、発光装置に関する。
従来、発光素子が実装されたパッケージの凹部内に比重が互いに異なる蛍光体を設ける発光装置が提案された(特許文献1参照)。
特開2007−103512号公報
しかしながら、上記従来の発光装置では、軽い方の蛍光体が重い方の蛍光体の上方に堆積されるため、重い方の蛍光体から効率良く光を取り出すことができないという問題があり、特に、重い方の蛍光体の発光波長が軽い方の蛍光体の吸収波長と重なっている場合には、重い方の蛍光体の光が軽い方の蛍光体により吸収されてしまうという問題があった。
そこで、本発明は、比重が互いに異なる蛍光体のそれぞれから、これらの発光波長が吸収波長に重なっている場合であっても重なっていない場合であっても、効率良く光を取り出すことができる発光装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、上記課題は、次の手段により解決される。
凹部を有するパッケージと、前記パッケージの凹部内に実装された発光素子と、前記発光素子の上方に設けられた透光性部材と、前記パッケージの凹部を封止する封止樹脂と、を備えた発光装置であって、前記透光性部材に含まれた第1蛍光体と、前記第1蛍光体とは比重が異なる前記封止樹脂に含まれた第2蛍光体と、を備え、前記第2蛍光体が前記発光素子の上方よりも前記発光素子の側方に多く分布するとともに、前記発光素子の側面が前記封止樹脂に対して露出していることを特徴する発光装置。
本発明の実施形態1に係る発光装置の概略構成を示す模式図である。 本発明の実施形態2に係る発光装置の概略構成を示す模式図である。 本発明の実施形態3に係る発光装置の概略構成を示す模式図である。 本発明の実施形態1〜3を好ましく適用することができるサイドビュー型発光装置の模式図である。 本発明の実施形態1〜3を好ましく適用することができるトップビュー型発光装置の模式図である。
以下に、添付した図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について説明する。
[本発明の実施形態1に係る発光装置]
図1は、本発明の実施形態1に係る発光装置の概略構成を示す模式図である。
図1に示すように、本発明の実施形態1に係る発光装置は、凹部Xを有するパッケージ10と、パッケージ10の凹部X内に実装された発光素子20と、発光素子20の上方に設けられた透光性部材30と、パッケージ10の凹部Xを封止する封止樹脂40と、を備えた発光装置であって、透光性部材30に含まれた第1蛍光体51と、第1蛍光体51とは比重が異なり封止樹脂40に含まれた第2蛍光体52と、を備え、第2蛍光体52が発光素子20の上方よりも発光素子20の側方に多く分布するとともに、発光素子20の側面が封止樹脂40に対して露出している発光装置である。
以下、順に説明する。
(パッケージ10)
パッケージ10には、例えば、PPA(ポリフタルアミド)、PPS(ポリフェニレンサルファイド)、液晶ポリマー、またはナイロンなどの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、またはアクリレート樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることができるほか、ガラスエポキシ樹脂、セラミックス、ガラスなどを用いることができる。なお、セラミックスとしては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、炭化ケイ素あるいは窒化ケイ素などを用いることが好ましい。特に、高反射で安価なアルミナとムライトが好ましい。
パッケージ10が有する凹部Xは、発光素子20を載置可能な程度に平坦な底面X3を有するとともに、封止樹脂40を充填可能な形状を有している。このような凹部Xの一例としては、例えば、断面台形の凹部(図1参照)を挙げることができる。断面台形の凹部を有するパッケージ10(図1参照)によれば、発光素子20から出射した光が凹部側壁X2にて凹部開口X1に向けて反射されるため、発光装置の光取り出し効率が向上する。
(発光素子20)
発光素子20には、例えば、発光ダイオードを用いることができる。発光ダイオードには、例えば、絶縁性且つ透光性の成長用基板(例:サファイア基板)と、この成長用基板上に形成された活性層を含む積層構造と、を備えたものを用いることができる。なお、活性層を含む積層構造は、種々の半導体(例:InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlNなどの窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体)によって形成することができる。
発光素子20の実装方法は特に限定されないが、発光素子20は、例えば、成長用基板側を載置面としてパッケージ10の凹部Xに実装することができる。この場合、発光素子20は、例えばワイヤボンディングによりパッケージ10の外部電極に電気的に接続される。他方、発光素子20は、活性層を含む積層構造側を載置面としてパッケージ10の凹部Xに実装することができる。この場合、発光素子20は、例えばフリップチップ実装によりパッケージ10の外部電極に電気的に接続される。
発光素子20の側面は、封止樹脂40に対して露出している。発光素子20の上方よりも発光素子20の側方に第2蛍光体52を多く分布させたとしても、透光性部材30が発光素子20の側面を覆ってしまうと、発光素子20の側面から出射した光が透光性部材30で反射(特に全反射)されてしまうため、発光素子20の側面から出射した光を第2蛍光体52の励起に効率的に用いることはできない。しかしながら、発光素子20の側面を封止樹脂40に対して露出させれば、発光素子20の側面が透光性部材30に覆われないため、発光素子20の側面から出射した光を第2蛍光体52の励起に効率的に用いることが可能になる。
(透光性部材30)
透光性部材30には、発光素子20からの光を透過する性質を有する部材を用いる。透過の程度は特に限定されないが、透光性部材30には、例えば、発光素子20から出射される光を100%透過させる部材のほか、70%程度以上、80%程度以上、90%程度以上、または95%程度以上透過させる性質を有する部材を用いることが好ましい。
透光性部材30は、発光素子20からの光を透過する性質に加えて、耐光性や絶縁性を有するものを用いることが好ましい。このような性質を有する部材の一例としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも1種以上含むハイブリッド樹脂などの有機物(例:シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物)などを挙げることができる。
透光性部材30は、発光素子20の上方に設けられていればよいが、発光素子20の上方のなかでも、透光性部材30と発光素子20とに挟まれた領域に分布する第2蛍光体52の量が少なくなる位置に設けられていることが好ましく、図1に示すように発光素子20の上面に設けられていることがより好ましい。これにより、発光素子20の上方に分布する第2蛍光体52の量が少なくなるため(あるいは0になるため)、第1蛍光体51から発せられる光が第2蛍光体52に反射される頻度が低下し、第1蛍光体51から発せられる光をパッケージ10の凹部開口X1から取り出し易くなる。
透光性部材30には、第2蛍光体52の堆積を妨げる表面を有する部材を用いることが好ましい。これにより、発光素子20の上方に分布する第2蛍光体52の量が少なくなるため(あるいは0になるため)、第1蛍光体51から発せられる光が第2蛍光体52に反射される頻度が低下し、第1蛍光体51から発せられる光をパッケージ10の凹部開口X1から取り出し易くなる。
また、透光性部材30には、パッケージ10の凹部開口X1に対して凸となる部材(図1参照)やパッケージ10の凹部開口X1に近接する高さを有する部材(図2参照)や発光素子20に対して凸になる部材(例:逆台形形状)などのほか、これらの形状が組み合わされた部材を用いることが好ましい。
パッケージ10の凹部開口X1に対して凸となる部材には、台形形状、ドーム形状、半円柱形状(二等分された円柱の曲面側をパッケージ10の凹部開口X1に向け、平面側を発光素子20に向けた形状)などの部材を用いることができるが、中でも、発光素子20からの光を全反射させにくい形状を有する部材を用いることが好ましい。このような部材の一例としては、封止樹脂40の高さが約100μmである場合に、曲率半径が長手で0.66mm、短手で0.16mmとなるレンズ型の部材を挙げることができる。
パッケージ10の凹部開口X1に対して凸となる部材は、例えば、発光素子20の上面に熱硬化性樹脂をポッティングし硬化させることにより設けることが好ましい。このようにすれば、熱硬化性樹脂の表面張力により、凸の表面が第2蛍光体52の堆積を妨げる形状となる。
透光性部材30の表面には、凹凸やマイクロレンズなどの微細構造を設けられていることが好ましい。このようにすれば、透光性部材30と封止樹脂40との界面での反射が減るため、発光装置の光取り出し効率が向上する。なお、封止樹脂40は、その形成過程においてはまだ硬化しておらず周囲に拡がり易いため、透光性部材30に凹凸が形成されていても、これに第2蛍光体52が溜まることはない(あるいは少量しか溜まらない)。
(封止樹脂40)
封止樹脂40には、例えば、上述した透光性部材30と同様の材料を用いることができる。
封止樹脂40は、例えば、パッケージ10の凹部X内にポッティングした樹脂を硬化することにより設けられる。
なお、発光素子20の高さ、透光性部材30の高さ、及び封止樹脂40の高さは、(封止樹脂40の高さ−発光素子20の高さ−透光性部材30の高さ)≦300μmという関係を有していることが好ましく、(封止樹脂40の高さ−発光素子20の高さ−透光性部材30の高さ)≦150μmという関係を有していることがより好ましく、(封止樹脂40の高さ−発光素子20の高さ−透光性部材30の高さ)≦50μmという関係を有していることがさらに好ましい。これにより、発光素子20の上方に分布する第2蛍光体52の量が少なくなるため(あるいは0になるため)、第1蛍光体51から発せられる光が第2蛍光体52に反射される頻度が低下し、第1蛍光体51から発せられる光をパッケージ10の凹部開口X1から取り出し易くなる。
(第1蛍光体51、第2蛍光体52)
第1蛍光体51は、透光性部材30に含まれており、第2蛍光体52は、封止樹脂40に含まれている。第2蛍光体52は、第1蛍光体51とは比重が異なる。第1蛍光体51または第2蛍光体52の一方の発光波長は、第1蛍光体51または第2蛍光体52の他方の吸収波長と重なっていてもよいし、重なっていなくてもよい。
第2蛍光体52は、発光素子20の上方よりも発光素子20の側方に多く分布している。これにより、発光素子20の上方に分布する第2蛍光体52の量が発光素子20の側方に分布する第2蛍光体52の量よりも少なくなるため(あるいは0になるため)、第1蛍光体51から発せられる光が第2蛍光体52に反射される頻度が低下し、第1蛍光体51から発せられる光をパッケージ10の凹部開口X1から取り出し易くなる。また、発光素子20の側方に分布する第2蛍光体52の量が発光素子20の上方に分布する第2蛍光体52の量よりも多くなるため、発光素子20の側面から出射した光を第2蛍光体52の励起に効率的に用いることが可能となる。発光素子20の側面から出射した光が第2蛍光体52の励起に効率的に用いられる場合は、発光素子20の側面から出射した光がパッケージ10の凹部側壁X2に達し難くなるため、発光素子20の側面から出射した光がパッケージ10の凹部側壁X2を通り抜けてパッケージ10の外に出てしまうことを抑制することが可能となる。
上記分布の一例としては、図1に示すような、第2蛍光体52がパッケージ10の凹部底面X3に堆積している形態を挙げることができる。このような形態は、例えば、封止樹脂40の硬化前にパッケージ10の凹部X内において第2蛍光体52を沈降させることにより形成することができる。
第1蛍光体51、第2蛍光体52には、発光素子20から出射される光により励起されて発光する蛍光物質を用いることができる。蛍光物質には、発光素子20から出射される光より短波長の光を発するものを用いることができるが、長波長の光を発するものを用いることがより好ましい。このようにすれば、効率良く蛍光体を発光させることができるため、発光装置の光取り出し効率が向上する。
発光素子20から出射される光より長波長の光を発する蛍光物質としては、例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、より具体的には、Eu賦活されたα又はβサイアロン型蛍光体、各種アルカリ土類金属窒化シリケート蛍光体、Eu等のランタノイド系の元素、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類のハロシリケート蛍光体、アルカリ土類金属シリケート蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体などを用いることができる。もっとも、これら蛍光物質と同様の性能や効果を有する蛍光物質も用いることができる。なお、発光素子20に窒化物半導体系の発光素子を用いる場合には、例えばYAG系蛍光体(黄色蛍光物質)やLAG系蛍光体(黄色蛍光物質)、CASN蛍光体(赤色蛍光体)、SCASN蛍光体(赤色蛍光体)、KSF蛍光体(赤色蛍光体)、βサイアロン蛍光体(緑〜黄色蛍光体)、クロロシリケート蛍光体(緑色蛍光体)などの蛍光体(蛍光物質)を用いることが好ましい。
第1蛍光体51と第2蛍光体52とが好ましく組み合わせられる場合の一例としては、第1蛍光体51の発光波長が、第2蛍光体52の発光波長よりも長い場合を挙げることができる。このようにすれば、短波側の第2蛍光体52の発光波長が長波側の第1蛍光体51の吸収波長と重なっても、短波側の第2蛍光体52の発光が長波側の第1蛍光体に吸収されにくくすることができる。
また、第1蛍光体51と第2蛍光体52とが好ましく組み合わせられる場合の他の一例としては、第1蛍光体51(SCASN蛍光体)/第2蛍光体52(YAG(LAG)蛍光体)、第1蛍光体51(CASN蛍光体)/第2蛍光体52(YAG(LAG)蛍光体)、第1蛍光体51(KSF蛍光体)/第2蛍光体52(YAG(LAG)蛍光体)、第1蛍光体51(KSF蛍光体)/第2蛍光体52(βサイアロンまたはクロロシリケート蛍光体)を挙げることができる。透光性部材30は、封止樹脂40よりも体積が小さいため(場合によっては圧倒的に小さいため)、透光性部材30に含めることができる第1蛍光体51の量は、封止樹脂40に含めることができる第2蛍光体52の量よりも少なくなる(場合によっては圧倒的に少なくなる)。しかるところ、第1蛍光体51(SCASN蛍光体)/第2蛍光体52(YAG(LAG)蛍光体)の場合を例に挙げると、YAG(LAG)蛍光体の発光波長は長波長側にブロードであり、SCASN蛍光体の発光波長と重なるため、赤色蛍光体と黄色蛍光体とからの光を合成して白色系の光を作り出すのに際しては、YAG(LAG)蛍光体がSCASN蛍光体よりも多量に必要となる。逆に言うと、SCASN蛍光体は、YAG(LAG)蛍光体よりも少量で済む(場合によっては圧倒的に少量で済む)。したがって、上記の例のように、第1蛍光体51としてSCASN蛍光体を用い、第2蛍光体52としてYAG(LAG)蛍光体を用いれば、小型の発光装置においても、白色系の光を得るために必要となる十分な量の第1蛍光体51及び第2蛍光体52を透光性部材30や封止樹脂40に含ませることができる。つまり、狙いの色調とするためには、より多く必要な蛍光体を第2蛍光体52として用いることが好ましく、他の組み合わせとしては第1蛍光体51(βサイアロンまたはクロロシリケート蛍光体)/第2蛍光体52(KSF蛍光体)が例示される。上記の例のKSF蛍光体は、青色光の吸収が少なく、また粒径が大きいことから、狙いの色調とするためには、βサイアロンまたはクロロシリケート蛍光体より多量に必要となる。
第2蛍光体52が発光素子20の側方において発光素子20の活性層よりも低く堆積している場合は、発光素子20における活性層よりも下方領域(例:成長用基板)の側面から出射した光が出射後すぐに第2蛍光体52に入射するため、発光素子20における活性層よりも下方領域(例:成長用基板)の側面から出射した光を第2蛍光体52の励起に効率的に用いることが可能となる。
他方、第2蛍光体52が発光素子20の側方において発光素子20の活性層よりも高く堆積している場合は、発光素子20における活性層よりも下方領域(例:成長用基板)の側面から出射した光に加えて、発光素子20の活性層の側面から出射した光が出射後すぐに第2蛍光体52に入射するため、発光素子20における活性層よりも下方領域(例:成長用基板)の側面から出射した光と発光素子20の活性層の側面から出射した光とを第2蛍光体52の励起に効率的に用いることが可能となる。
[本発明の実施形態2に係る発光装置]
図2は、本発明の実施形態2に係る発光装置の概略構成を示す模式図である。
図2に示すように、本発明の実施形態2に係る発光装置は、発光素子20がフリップチップ実装されている点及び透光性部材30がパッケージ10の凹部開口X1に近接する高さを有する点で、本発明の実施形態1に係る発光装置と相違する。
本発明の実施形態2に係る発光装置においても、本発明の実施形態1に係る発光装置と同様に、透光性部材30に第1蛍光体51が含まれ、第1蛍光体51とは比重が異なる第2蛍光体52が封止樹脂40に含まれ、第2蛍光体52が発光素子20の上方よりも発光素子20の側方に多く分布するとともに、発光素子20の側面が封止樹脂40に対して露出している。
(透光性部材30)
透光性部材30は、パッケージ10の凹部開口X1に近接する高さを有する。これにより、発光素子20の上方に分布する第2蛍光体52の量が少なくなるため(あるいは0になるため)、第1蛍光体51から発せられる光が第2蛍光体52に反射される頻度が低下し、第1蛍光体51から発せられる光をパッケージ10の凹部開口X1から取り出し易くなる。
なお、透光性部材30の上面とパッケージ10の凹部開口X1との距離が100μm程度になる場合や、透光性部材30とパッケージ10の凹部開口X1との距離が透光性部材30の厚みよりも短い場合や、透光性部材30とパッケージ10の凹部開口X1との距離が発光素子20の厚みよりも短い場合などは、透光性部材30がパッケージ10の凹部開口X1に近接する高さを有する場合の一例である。
透光性部材30は、発光素子20の上面に貼り付けられたものであることが好ましい。例えば同一面側に正負の電極を有するフリップチップ実装用の発光ダイオードを用いる場合は、発光素子20の上面から導通を取る必要がないため透光性部材30を容易に貼り付けることができる。
[本発明の実施形態3に係る発光装置]
図3は、本発明の実施形態3に係る発光装置の概略構成を示す模式図である。
図3に示すように、本発明の実施形態3に係る発光装置は、第2蛍光体52がパッケージ10の凹部底面X3に堆積していない点で、本発明の実施形態1に係る発光装置と相違する。
本発明の実施形態3に係る発光装置においても、本発明の実施形態1に係る発光装置と同様に、透光性部材30に第1蛍光体51が含まれ、第1蛍光体51とは比重が異なる第2蛍光体52が封止樹脂40に含まれ、第2蛍光体52が発光素子20の上方よりも発光素子20の側方に多く分布するとともに、発光素子20の側面が封止樹脂40に対して露出している。
以上のとおり、本発明の実施形態1〜3に係る発光装置では、第2蛍光体52が発光素子20の上方よりも発光素子20の側方に多く分布するとともに、発光素子20の側面が封止樹脂40に対して露出しているため、第1蛍光体51から発せられる光がパッケージ10の凹部開口X1から取り出し易くなり、また、発光素子20の側面から出射した光を第2蛍光体52の励起に効率的に用いることができる。したがって、本発明の実施形態1〜3によれば、比重が互いに異なる第1蛍光体51と第2蛍光体52とのそれぞれから、第1蛍光体51または第2蛍光体52の一方の発光波長が第1蛍光体51または第2蛍光体52の他方の吸収波長に重なっていない場合において、効率良く光を取り出すことができる。
また、本発明の実施形態1〜3によれば、比重が互いに異なる第1蛍光体51と第2蛍光体52とのそれぞれから、第1蛍光体51または第2蛍光体52の一方の発光波長が第1蛍光体51または第2蛍光体52の他方の吸収波長に重なっている場合においても、効率良く光を取り出すことができる。
例えば、第1蛍光体51の発光波長が第2蛍光体52の吸収波長と重なる場合であって、第2蛍光体52の比重が第1蛍光体51の比重よりも軽い場合は、沈降により、第1蛍光体51の上方に第2蛍光体52が堆積されてしまい、第1蛍光体51から発せられる光が第2蛍光体52により吸収されてしまう頻度が高くなる。しかし、本発明の実施形態1〜3によれば、第1蛍光体51が透光性部材30内に分布するものとされ、第2蛍光体52が発光素子の上方よりも側方に多く分布するものとされるため、第1蛍光体51の上方に分布する第2蛍光体52が少なくなる。したがって、本発明の実施形態1〜3によれば、第1蛍光体51から発せられる光が第2蛍光体52により吸収されてしまう頻度が低下し、第1蛍光体51から発せられる光を効率良く取り出すことができる。
また、例えば、第2蛍光体52の発光波長が第1蛍光体51の吸収波長と重なる場合であって、第1蛍光体51の比重が第2蛍光体52の比重よりも軽い場合は、沈降により、第2蛍光体52の上方に第1蛍光体51が堆積されてしまい、第2蛍光体52から発せられる光が第1蛍光体51により吸収されてしまう頻度が高くなる。しかし、本発明の実施形態1〜3によれば、第1蛍光体51が透光性部材30内に分布するものとされるため、第2蛍光体52の上方に分布する第1蛍光体51が少なくなる。したがって、本発明の実施形態1〜3によれば、第2蛍光体52から発せられる光が第1蛍光体51により吸収されてしまう頻度が低下し、第2蛍光体52から発せられる光を効率良く取り出すことができる。
本発明の実施形態1〜3は、たとえ反射部材を設けたとしても光が凹部側壁X2を通り抜けてしまうほどにパッケージ10の凹部側壁X2の厚みが薄い発光装置(例:パッケージ10の凹部側壁X2の厚みが0.1mm程度の発光装置)に特に好ましく適用することができる。本発明の実施形態1〜3によれば、発光素子20の側面から出射した光がパッケージ10の凹部側壁X2を通り抜けてパッケージ10の外に出てしまうことを抑制することができるため、パッケージ10の凹部側壁X2の厚みが薄い発光装置において、比重が互いに異なる蛍光体のそれぞれから効率良く光を取り出すことができる。
また、本発明の実施形態1〜3は、パッケージ10にセラミックスを用いた発光素子20にも好ましく適用することができる。セラミックスは、無機材料であるため劣化が少なく信頼性が高いが、光反射性部材を含有する樹脂材料よりも反射率が低く、発光素子20からの光を透過させやすいが、本発明の実施形態1〜3によれば、発光素子20の側面から出射した光がパッケージ10の凹部側壁X2を通り抜けてパッケージ10の外に出てしまうことを抑制することができるため、パッケージ10にセラミックスを用いた発光装置において、比重が互いに異なる蛍光体のそれぞれから効率良く光を取り出すことができる。
図4は、本発明の実施形態1〜3を好ましく適用することができるサイドビュー型発光装置の模式図であり、図4(a)は模式的平面図、図4(b)は(a)中のA−A断面の模式図、図4(c)は(a)中のB−B断面の模式図である。
本発明の実施形態は、例えば図4に示すようなサイドビュー型発光装置にも適用することができる。図4に示すサイドビュー型発光装置において、透光性部材30は、ワイヤ60を用いたワイヤボンディングにより発光素子20をパッケージ10の外部電極に電気的に接続した後に、発光素子20の上面にポッティングすることにより設けられており、ワイヤ60は、透光性部材30から突き出ている。
図5は、本発明の実施形態1〜3を好ましく適用することができるトップビュー型発光装置の模式図であり、図5(a)は模式的平面図、図5(b)は(a)中のC−C断面の模式図、図5(c)は(a)中のD−D断面の模式図である。
本発明の実施形態は、例えば図5に示すようなトップビュー型発光装置にも適用することができる。図5に示すトップビュー型発光装置は、複数の発光素子21、22を備えており、各発光素子21、22には、透光性部材31、32がそれぞれ設けられている。発光素子21、22は、ワイヤ60を用いて直列接続されており、発光素子21と発光素子22とを繋ぐワイヤ60の両端は、透光性部材31、32にそれぞれ被覆されている。第2蛍光体52は、発光素子21、22とパッケージ10の側壁X2との間のみならず、発光素子21と発光素子22との間にも分布している。
以上、本発明の実施形態について説明したが、これらの説明は、本発明の一例に関するものであり、本発明は、これらの説明によって何ら限定されるものではない。
10 パッケージ
20 発光素子
21 発光素子
22 発光素子
30 透光性部材
31 透光性部材
32 透光性部材
40 封止樹脂
51 第1蛍光体
52 第2蛍光体
60 ワイヤ
X 凹部
X1 凹部開口
X2 凹部側壁
X3 凹部底面

Claims (11)

  1. 凹部を有するパッケージと、前記パッケージの凹部内に実装された発光素子と、前記発光素子の上方に設けられた透光性部材と、前記パッケージの凹部を封止する封止樹脂と、を備えた発光装置であって、
    前記透光性部材に含まれた第1蛍光体と、
    前記第1蛍光体とは比重が異なる前記封止樹脂に含まれた第2蛍光体と、
    を備え、
    前記第2蛍光体が前記発光素子の上方よりも前記発光素子の側方に多く分布するとともに、前記発光素子の側面が前記封止樹脂に対して露出していることを特徴する発光装置。
  2. 前記第1蛍光体または前記第2蛍光体の一方の発光波長が前記第1蛍光体または前記第2蛍光体の他方の吸収波長と重なっていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記第2蛍光体は、前記パッケージの凹部底面に堆積していることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 前記第2蛍光体は、前記発光素子の活性層よりも低く堆積していることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記第2蛍光体は、前記発光素子の活性層よりも高く堆積していることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  6. 前記透光性部材は、前記第2蛍光体の堆積を妨げる表面を有していることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置。
  7. 前記透光性部材は、前記パッケージの凹部開口に対して凸となることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。
  8. 前記透光性部材は、前記パッケージの凹部開口に近接する高さを有することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の発光装置。
  9. 前記透光性部材は、前記発光素子の上面に設けられていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の発光装置。
  10. 前記透光性部材は、前記発光素子の上面に貼り付けられていることを特徴とする請求項9に記載の発光装置。
  11. 前記第1蛍光体の発光波長は、前記第2蛍光体の発光波長よりも長いことを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の発光装置。
JP2013141326A 2013-07-05 2013-07-05 発光装置 Active JP6291735B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013141326A JP6291735B2 (ja) 2013-07-05 2013-07-05 発光装置
US14/323,684 US9455382B2 (en) 2013-07-05 2014-07-03 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013141326A JP6291735B2 (ja) 2013-07-05 2013-07-05 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015015371A true JP2015015371A (ja) 2015-01-22
JP6291735B2 JP6291735B2 (ja) 2018-03-14

Family

ID=52132189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013141326A Active JP6291735B2 (ja) 2013-07-05 2013-07-05 発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9455382B2 (ja)
JP (1) JP6291735B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018006562A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びバックライト光源
JP2019036676A (ja) * 2017-08-21 2019-03-07 シチズン電子株式会社 発光装置
KR20190038452A (ko) * 2017-09-29 2019-04-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
JP2019102796A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2019212699A (ja) * 2018-06-01 2019-12-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2020129691A (ja) * 2017-09-29 2020-08-27 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2020167266A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10950764B2 (en) 2017-11-28 2021-03-16 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2021106184A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 日亜化学工業株式会社 発光装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150116986A (ko) * 2014-04-08 2015-10-19 삼성디스플레이 주식회사 퀀텀 도트 시트 및 이를 포함하는 라이트 유닛과 액정 표시 장치
JP6668996B2 (ja) 2016-07-29 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102017107834A1 (de) * 2017-04-11 2018-10-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes bauelement
WO2019120309A1 (zh) * 2017-12-22 2019-06-27 海迪科(南通)光电科技有限公司 一种晶圆级芯片级csp封装结构及其制备方法
EP3617291B1 (en) * 2018-08-27 2022-06-22 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005244075A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007103512A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Kyocera Corp 発光装置
JP2007214579A (ja) * 2006-01-16 2007-08-23 Philips Lumileds Lightng Co Llc 蛍光体変換発光デバイス
JP2008159708A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2009506557A (ja) * 2005-08-30 2009-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスデバイス
WO2009093427A1 (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Nichia Corporation 発光装置
JP2010050404A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2010538453A (ja) * 2007-08-31 2010-12-09 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光デバイスパッケージ
JP2012089539A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2012114416A (ja) * 2010-11-05 2012-06-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
CN103996787A (zh) * 2014-02-19 2014-08-20 浙江英特来光电科技有限公司 一种高显指高光效白光led结构

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5138145B2 (ja) 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
JP4389126B2 (ja) 2004-10-04 2009-12-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
DE102005046420B4 (de) * 2004-10-04 2019-07-11 Stanley Electric Co. Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung
JP5694875B2 (ja) 2005-02-23 2015-04-01 三菱化学株式会社 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
TWI255566B (en) * 2005-03-04 2006-05-21 Jemitek Electronics Corp Led
US7847302B2 (en) * 2005-08-26 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
JP5540466B2 (ja) 2008-01-19 2014-07-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US8547009B2 (en) * 2009-07-10 2013-10-01 Cree, Inc. Lighting structures including diffuser particles comprising phosphor host materials
US8330178B2 (en) * 2010-05-11 2012-12-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Package structure and package process of light emitting diode
JP2011249476A (ja) 2010-05-25 2011-12-08 Kyocera Corp 半導体発光装置
JP5569389B2 (ja) 2010-12-28 2014-08-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
US8541802B2 (en) * 2012-01-31 2013-09-24 Bridgelux, Inc. Phosphor placement in white light emitting diode assemblies
US8637887B2 (en) * 2012-05-08 2014-01-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Thermally enhanced semiconductor packages and related methods
JP6107475B2 (ja) * 2013-06-28 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005244075A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2009506557A (ja) * 2005-08-30 2009-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスデバイス
JP2007103512A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Kyocera Corp 発光装置
JP2007214579A (ja) * 2006-01-16 2007-08-23 Philips Lumileds Lightng Co Llc 蛍光体変換発光デバイス
JP2008159708A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2010538453A (ja) * 2007-08-31 2010-12-09 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光デバイスパッケージ
WO2009093427A1 (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Nichia Corporation 発光装置
JP2010050404A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2012089539A (ja) * 2010-10-15 2012-05-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2012114416A (ja) * 2010-11-05 2012-06-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
CN103996787A (zh) * 2014-02-19 2014-08-20 浙江英特来光电科技有限公司 一种高显指高光效白光led结构

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018006562A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びバックライト光源
US11168865B2 (en) 2016-06-30 2021-11-09 Nichia Corporation Light-emitting device and backlight
JP7092474B2 (ja) 2017-08-21 2022-06-28 シチズン電子株式会社 発光装置
JP2019036676A (ja) * 2017-08-21 2019-03-07 シチズン電子株式会社 発光装置
KR20190038452A (ko) * 2017-09-29 2019-04-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
JP2020129691A (ja) * 2017-09-29 2020-08-27 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102638560B1 (ko) 2017-09-29 2024-02-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
JP7096504B2 (ja) 2017-09-29 2022-07-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11257990B2 (en) 2017-09-29 2022-02-22 Nichia Corporation Light emitting device
JP2019102796A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10950764B2 (en) 2017-11-28 2021-03-16 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2019212699A (ja) * 2018-06-01 2019-12-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7100246B2 (ja) 2018-06-01 2022-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7227482B2 (ja) 2019-03-29 2023-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2020167266A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2021106184A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7481610B2 (ja) 2019-12-26 2024-05-13 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9455382B2 (en) 2016-09-27
JP6291735B2 (ja) 2018-03-14
US20150008464A1 (en) 2015-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6291735B2 (ja) 発光装置
US11254077B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
US11201271B2 (en) Method for manufacturing light emitting device including first and second reflectors
JP6107475B2 (ja) 発光装置
US10615315B2 (en) Light emitting device
US7939843B2 (en) Light emitting device and high refractive index layer
JP6291734B2 (ja) 発光装置
JP6256026B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2015220446A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2012216712A (ja) 発光ダイオード装置の製造方法および発光ダイオード素子
JP6724634B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2019176081A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2016119402A (ja) 発光装置の製造方法
JP2013140892A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6822526B2 (ja) 発光装置とその製造方法
JP2014082525A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6597135B2 (ja) 発光装置
JP2014075571A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6521119B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160524

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170426

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170905

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171204

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20171211

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180116

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180129

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6291735

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250