JP2009506557A - オプトエレクトロニクスデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
・半導体ボディを有しており、当該半導体ボディはオプトエレクトロニクスデバイスの作動中に第1の波長の電磁ビームを放出し、
・別個の光学素子を有しており、当該光学素子はその放射方向において間隔をあけて前記半導体ボディの後方に配置されており、当該光学素子は少なくとも1つの第1の波長変換材料を含んでおり、当該波長変換材料は前記第1の波長のビームを、前記第1の波長とは異なる第2の波長のビームに変換する。
・ビームを生成するエピタキシャル層列の、担体エレメントの方を向いた第1の主表面に反射層が被着または形成されており、この反射層は、エピタキシャル層列内で生成された電磁ビームの少なくとも一部分を反射して、このエピタキシャル層列に戻す;
・エピタキシャル層列は、20μmあるいはそれ以下の領域、殊に10μmの領域にある厚さを有している。
このよう場合に半導ボディは、デバイスケーシングの切り欠き内、例えばバスタブ状反射器内に配置される。択一的に半導体ボディを、プリント基板上に、またはプリント基板の冷却部材上に取り付けることも可能である。被覆は、半導体ボディを保護するのにも使用される。他方では被覆は有利には次のように配置される。すなわち、被覆が光学素子と半導体ボディの間の隙間を埋め、従って半導体ボディから光学素子へのビーム路上での屈折率の跳躍的な変化が低減され、有利には、境界面での反射に起因するビーム損失が低減されるように配置される。
図1Aは、第1の実施例に即したオプトエレクトロニクスデバイスの概略的な断面図であり、
図1Bは、図1Aに示されたオプトエレクトロニクスデバイスのためのデバイスケーシングの概略的な断面図であり、
図2〜5は、4つの別の実施例に示されたオプトエレクトロニクスデバイスの概略的な断面図であり、
図6は、別の実施例に示されたオプトエレクトロニクスデバイスの概略的な展開図である。
Claims (25)
- オプトエレクトロニクスデバイスであって:
半導体ボディ(3)と、別個にされた光学素子(9)とを有しており、
・前記半導体ボディはオプトエレクトロニクスデバイスの動作時に第1の波長の電磁ビームを放射し、
・前記光学素子は、放射方向において間隔をあけて前記半導体ボディ(3)の後方に配置されており、
前記光学素子(9)は少なくとも1つの第1の波長変換材料(10)を含み、当該波長変換材料は前記第1の波長のビームを、当該第1の波長とは異なる第2の波長のビームに変換する、
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクスデバイス。 - ・前記第1の波長変換材料(10)は粒子を含んでおり、
・前記光学素子(9)はマトリックス材料(91)を有しており、当該マトリックス材料内に前記第1の波長変換材料(10)の粒子が組み込まれている、請求項1記載のオプトエレクトロニクスデバイス。 - 前記第1の波長は、紫外、青色および/または緑色のスペクトル領域から発生する、請求項1または2記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記デバイスは多色混合ビームを送出し、前記混合ビームは前記第1の波長のビームおよび前記第2の波長のビームを含む、請求項1から3までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記混合ビームはCIE標準表色系の白色領域内に色位置を有している、請求項4記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記第1の波長は青色スペクトル領域から発生し、前記第2の波長は黄色スペクトル領域から発生する、請求項1から5までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記半導体ボディ(3)には、前記デバイスのビームに対して透過性の被覆(8)が設けられている、請求項1から6までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記被覆(8)はマトリックス材料(81)を含んでおり、当該マトリックス材料はシリコン材料および/または屈折率が整合された材料を含んでいる、請求項7記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記被覆(8)は、少なくとも1つの、前記第1の波長変換材料とは異なる第2の波長変換材料(12)を含む、請求項7または8記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記第2の波長変換材料(12)は、前記第1の波長のビームを、前記第1の波長および前記第2の波長とは異なる第3の波長のビームに変換し、これによってデバイスは混合ビームを送出し、当該混合ビームは前記第2の波長、前記第3の波長および場合によっては前記第1の波長のビームを含む、請求項9記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記第2の波長変換材料(12)は粒子を含んでおり、当該粒子は前記被覆(8)のマトリックス材料(81)内に組み込まれている、請求項9または10記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記被覆(8)と前記別個にされた光学素子(9)との間に、屈折率が整合された材料を含む結合層(11)が配置されている、請求項7から11までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記半導体ボディ(3)上に波長変換層(13)が被着されており、当該波長変換層は、前記第1の波長変換材料および場合によっては前記第2の波長変換材料(10、12)とは異なる第3の波長変換材料(14)を含む、請求項1から12までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記第3の波長変換材料(14)は、前記第1の波長のビームを、前記第1の波長、前記第2の波長および場合によっては前記第3の波長とは異なる第4の波長のビームに変換し、これによってデバイスは混合ビームを送出し、当該混合ビームは前記第3の波長、前記第4の波長、場合によっては前記第2の波長および場合によっては前記第1の波長のビームを含む、請求項13記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記波長変換層(13)の厚さは一定である、請求項13または14記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- ・前記第3の波長変換材料(14)は粒子を含んでおり、
前記波長変換層(13)はマトリックス材料(131)を有しており、当該マトリックス材料内には前記第3の波長変換材料(14)の粒子が組み込まれている、請求項13から15までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。 - 前記第1の波長変換材料(10)、前記第2の波長変換材料(12)および場合によっては前記第3の波長変換材料(14)は次のように配置されており、すなわち、前記第1のビームが各波長変換材料(10、12、14)によって変換される波長が、半導体ボディ(3)からみて、半導体チップの放射方向に関して先行する波長変換材料(10、12、14)が前記第1のビームを変換する波長よりも短いように配置されている、請求項9から16までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記第2の波長は緑色スペクトル領域から発生し、前記第3または前記第4の波長は赤色スペクトル領域から発生する、請求項9から17までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記第1の波長変換材料(10)および/または前記第2の波長変換材料(12)および/または前記第3の波長変換材料(14)は以下の材料から成るグループに由来し:当該材料は、希土類金属でドーピングされたガーネット、希土類金属でドーピングされたアルカリ土類硫化物、希土類金属でドーピングされたチオガレート、希土類金属でドーピングされたアルミ酸塩、希土類金属でドーピングされたオルトケイ酸塩、希土類金属でドーピングされたクロロシリケート、希土類金属でドーピングされたアルカリ土類ケイ素窒化物、希土類金属でドーピングされた酸窒化物、希土類金属でドーピングされたアルミニウム酸窒化物である、請求項1から18までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記第1の波長変換材料(10)または前記第2の波長変換材料(12)または前記第3の波長変換材料(14)として、YAG:Ceが使用される、請求項19記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記別個にされた光学素子(9)としてレンズが使用される、請求項1から20までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記別個にされた光学素子(9)として凸レンズが使用される、請求項21記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記光学素子のマトリックス材料(91)は以下のグループに由来し、当該グループは以下の材料によって構成されており:当該材料は、ガラス、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状オレフィン(COC)、シリコンまたはポリアクリルエステルイミド(PMMI)である、請求項2から22までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記第1の波長変換材料(10)の粒子は実質的に均一に、前記光学素子(9)のマトリックス材料(91)内に分布している、請求項2から23までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
- 前記第2の波長変換材料(12)の粒子は実質的に均一に、前記被覆(8)のマトリックス材料(81)内に分布している、請求項11から24までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
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