JP2021106184A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子からの光をより効率的に樹脂パッケージの外部に取り出す。【解決手段】発光装置は、凹部１１を有する樹脂パッケージと、少なくとも１つの発光素子４１と、光反射性部材５０と、第１母材および第１蛍光体を含有する波長変換部材８５と、第２母材を含有する封止部材７５とを備える。樹脂パッケージ１０は、第１リード２１および第２リード２２を含む複数のリードと、第１樹脂部３１、第２樹脂部３２、および、第１リードの素子載置領域を取り囲む第３樹脂部３３を含む樹脂体３０とを有する。複数のリードの上面の一部は、凹部の底面１１ｂに位置し、発光素子は、素子載置領域に配置されており、光反射性部材は、凹部の内側壁面と第３樹脂部との間に位置し、波長変換部材は、光反射性部材上に位置し、封止部材は、凹部内において発光素子および波長変換部材を覆っている。【選択図】図４

Description

本開示は、発光装置に関する。

凹部が設けられたパッケージの凹部内に発光素子を配置し、発光素子を樹脂材料で封止した発光装置が知られている。例えば、下記の特許文献１は、基体と、基体に支持された発光素子と、発光素子を取り囲むように形成された内周面を有する反射部材とを含む発光装置を開示している。反射部材の内周面は、光反射面としての機能を有し、発光素子から出射された光を発光素子の上方に向けて反射させる。特許文献１に記載の発光装置では、反射部材の内周面を波長変換層で覆っている。

特開２００６−０６６６５７号公報

発光装置の分野においては、輝度向上の要求がある。

本開示のある実施形態による発光装置は、第１リードおよび第２リードを含む複数のリード、ならびに、第１樹脂部、第２樹脂部および第３樹脂部を含む樹脂体を有する樹脂パッケージであって、前記複数のリード、前記第１樹脂部および前記第２樹脂部により形成される凹部を有する樹脂パッケージと、少なくとも１つの発光素子と、光反射性部材と、第１母材および第１蛍光体を含有する波長変換部材と、第２母材を含有する封止部材とを備え、前記第１樹脂部は、前記樹脂パッケージの外側面を構成し、前記第２樹脂部は、前記第１リードと前記第２リードとの間に位置し、前記複数のリードの上面の一部は、前記凹部の底面に位置し、前記第１リードは、前記凹部の前記底面に位置する素子載置領域を有し、前記第３樹脂部は、前記凹部の前記底面より上側の位置にあって前記素子載置領域を環状に取り囲んでおり、前記少なくとも１つの発光素子は、前記素子載置領域に配置されており、前記光反射性部材は、前記樹脂パッケージの前記凹部内において前記凹部の内側壁面と前記第３樹脂部との間に位置し、前記波長変換部材は、前記光反射性部材上に位置し、前記封止部材は、前記樹脂パッケージの前記凹部内において前記少なくとも１つの発光素子および前記波長変換部材を覆っている。

本開示の実施形態によれば、輝度が向上された発光装置を提供し得る。

本開示の実施形態による発光装置を上面側から見たときの外観の一例を模式的に示す斜視図である。 図１に示す発光装置１００を下面側から見たときの外観の一例を模式的に示す斜視図である。 発光装置１００から封止部材７５、波長変換部材８５および光反射性部材５０を取り除いた構造を樹脂パッケージ１０の上面１０ａの法線方向から見たときの外観の一例を模式的に示す平面図である。 図３に示すIV−IV線の位置で発光装置１００を樹脂パッケージ１０の上面１０ａに垂直に切断したときの模式的な断面を示す図である。 図３に示すＶ−Ｖ線の位置で発光装置１００を樹脂パッケージ１０の上面１０ａに垂直に切断したときの断面を示す模式的な図である。 図５に示す発光装置１００のＹＺ断面のうち第１発光素子４１とその周辺とを拡大して模式的に示す図である。 第１発光素子４１を覆う封止部材７６中の第２蛍光体の分布の例を参考例として模式的に示す図である。 本開示の他の実施形態による発光装置の模式的な断面を示す図である。 本開示のさらに他の実施形態による発光装置の模式的な断面を示す図である。 集合基板のうちリードフレームの一部を取り出して模式的に示す平面図である。 リードフレームの一部を取り出して示す図であり、図１０に示す面とは反対側の面を模式的に示す平面図である。 樹脂成形体付リードフレームのうち、図１０に示す４つの発光構造１００Ｌに相当する部分を取り出して模式的に示す平面図である。 素子載置領域２１Ｒに１つの発光素子を配置する例を示す模式的な平面図である。 第３樹脂部３３の頂部を覆うように光反射性部材５０を形成した例を示す模式的な断面図である。 凹部１１内に位置する光反射性部材の形状の他の例を示す模式的な断面図である。 積層構造を有する光反射性部材の例を示す模式的な断面図である。 第１リード相当領域２１Ａに設けられる溝部２１ｈの配置の他の例を説明するための模式的な平面図である。 実施例１のサンプルに関するスペクトルの測定結果を示すグラフである。 参考例１のサンプルに関するスペクトルの測定結果を示すグラフである。 実施例１のサンプルに関するスペクトルの測定結果と、参考例１のサンプルに関するスペクトルの測定結果とをあわせて１つに描いた図である。 実施例１に関する全光束の測定結果と、参考例１に関する全光束の測定結果とをあわせて示す図である。

以下、図面を参照しながら、本開示の発光装置を詳細に説明する。以下の実施形態は、例示であり、本開示による発光装置の構成は、以下の実施形態に限られない。以下の説明では、特定の方向または位置を示す用語（例えば、「上」、「下」およびそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。それらの用語は、参照した図面における相対的な方向または位置を分かりやすさのために用いているに過ぎない。図面が示す構成要素の大きさ、位置関係等は、分かりやすさのために誇張されている場合があり、実際の発光装置における構成要素の大きさおよび位置関係を反映していない場合がある。なお、過度に複雑になることを避けるために、図面において一部の要素の図示を省略することがある。

［発光装置１００］
図１および図２は、本開示の実施形態による発光装置の例示的な外観を示す。図１は、本開示の実施形態による発光装置を上面側から見たときの外観の一例を模式的に示し、図２は、図１に示す発光装置を下面側から見たときの外観の一例を模式的に示す。なお、図１および図２には、説明の便宜のために、互いに垂直なＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印があわせて図示されている。本開示の他の図面においてもこれらの方向を示す矢印を図示することがある。

図１に示す発光装置１００は、凹部１１を有する樹脂パッケージ１０と、少なくとも１つの発光素子と、発光素子を覆う封止部材７５とを有する。樹脂パッケージ１０は、発光装置１００の筐体であり、第１樹脂部３１、第２樹脂部３２および第３樹脂部３３を含む樹脂体３０と、発光素子を支持する複数のリードとを有する。図１に例示する構成において、発光装置１００は、２つの発光素子４１および４２を含んでいる。以下では、発光素子４１および４２をそれぞれ第１発光素子４１および第２発光素子４２と呼ぶ。これら第１発光素子４１および第２発光素子４２は、樹脂パッケージ１０の凹部１１内に位置する。

凹部１１は、封止部材７５で充填されている。封止部材７５の表面は、樹脂パッケージ１０の上面１０ａとともに発光装置１００の上面を構成する。封止部材７５は、透光性を有し、図１では、凹部１１の内部の構造を示すために封止部材７５を透明な部材として描いている。本開示の他の図面においても、封止部材７５を図１と同様に透明な部材として示すことがある。後述するように、封止部材７５は、蛍光体の粒子を含有することがある。なお、本明細書における「透光性」の用語は、入射した光に対して拡散性を示すことをも包含するように解釈され、「透明」であることに限定されない。

図１に示すように、凹部１１の内側には、波長変換部材８５と、樹脂パッケージ１０の樹脂体３０のうちの第３樹脂部３３とが配置されている。この例では、樹脂体３０の第３樹脂部３３は、第１発光素子４１および第２発光素子４２を環状に取り囲んでいる。また、この例では、波長変換部材８５も、第１発光素子４１および第２発光素子４２を環状に取り囲むようにして凹部１１の内側に形成されている。図１では、分かりやすさのために、凹部１１の内側に位置する構造のうち、波長変換部材８５に相当する部分に網掛けを付している。

後に図面を参照しながら詳しく説明するように、波長変換部材８５は、樹脂パッケージ１０の凹部１１の内側に設けられた光反射性部材上に位置する。本開示の典型的な実施形態において、光反射性部材は、凹部１１の内側壁面と第３樹脂部３３との間に位置し、第１発光素子４１および第２発光素子４２を取り囲むように形成される。凹部１１内において光反射性部材上に波長変換部材８５を配置することにより、第１発光素子４１および第２発光素子４２からの光の少なくとも一部を波長変換部材８５に入射させることができる。また、波長変換部材８５と光反射性部材との界面での反射を利用して、波長変換部材８５によって波長変換された光を樹脂パッケージ１０の外部に取り出すことができる。そのため、例えば、封止部材７５中の蛍光体の濃度を低下させたり、封止部材７５に蛍光体を含有させなくしたりすることが可能になる。その結果、光取出し効率が向上し、発光装置の輝度が増大する。また、後に実施例を参照しながら説明するように、このような構成によれば、封止部材７５中の蛍光体の濃度を低下させながらも、蛍光体の濃度の低下に伴うスペクトルの変調、すなわち色味の変化を抑制可能である。

以下、各構成要素を詳細に説明する。

［樹脂パッケージ１０］
樹脂パッケージ１０は、上面１０ａ、および、上面１０ａと反対側に位置する下面１０ｂを有する。図１および図２に例示する構成において、樹脂パッケージ１０は、上面視において略四角形状の外形を有する。図１において、樹脂パッケージ１０の上面１０ａの四角形状の一辺は、図１中に示すＸ方向またはＹ方向に一致している。

樹脂パッケージ１０は、４つの外側面１０ｃ、１０ｄ、１０ｅおよび１０ｆを含む。外側面１０ｄは、外側面１０ｃの反対側に位置し、外側面１０ｆは、外側面１０ｅの反対側に位置する。上述の第１樹脂部３１は、樹脂体３０のうち、樹脂パッケージ１０のこれら外側面１０ｃ、１０ｄ、１０ｅおよび１０ｆを構成する部分である。上面視における樹脂パッケージ１０の外形は、四角形状に限られず、他の形状であってもよい。なお、この例では、樹脂パッケージ１０の上面１０ａに位置する、凹部１１の開口１１ａは、略四角形状を有している。

樹脂パッケージ１０は、樹脂体３０に加えて、樹脂体３０と一体的に形成された複数のリードを含む。ここでは、樹脂パッケージ１０の複数のリードは、図２に示すように、互いに間隔をあけて配置された第１リード２１および第２リード２２を含む。第１リード２１と第２リード２２との間には、樹脂体３０の一部である第２樹脂部３２が位置し、これにより、第１リード２１および第２リード２２は、互いに電気的に絶縁されている。

図２に示すように、第１リード２１の下面２１ｂの一部および第２リード２２の下面２２ｂの一部は、樹脂パッケージ１０の樹脂体３０から露出される。第１リード２１の下面２１ｂのうち樹脂パッケージ１０の下面１０ｂにおいて露出された部分、および、第２リード２２の下面２２ｂのうち樹脂パッケージ１０の下面１０ｂにおいて露出された部分は、同一平面上に位置する。本明細書における「同一平面」には、±１０μｍ以内のずれがあるような配置関係も含まれる。第１リード２１および第２リード２２のうち樹脂パッケージ１０の下面１０ｂにおいて露出された部分は、第１発光素子４１および第２発光素子４２への給電用の端子として機能する。図２に例示するように、第１リード２１の下面２１ｂのうち樹脂体３０から露出された部分の形状と、第２リード２２の下面２２ｂのうち樹脂体３０から露出された部分の形状とを互いに異ならせてもよい。これらの形状を互いに異ならせることにより、樹脂体３０から露出された２つの部分の形状によって第１リード２１および第２リード２２の極性を判断することができる。

後述するように、第１リード２１は、１以上の延伸部２１ｓを有し、第２リード２２も１以上の延伸部２２ｓを有する。図１および図２に模式的に示すように、ここでは、第１リード２１の一部である延伸部２１ｓの端面が、樹脂パッケージ１０の外側面１０ｃ、１０ｅおよび１０ｆから露出されている。また、第２リード２２の一部である延伸部２２ｓの端面が、樹脂パッケージ１０の外側面１０ｄ、１０ｅおよび１０ｆから露出されている。

図３は、発光装置１００から封止部材７５、波長変換部材８５および光反射性部材を取り除いた構造を樹脂パッケージ１０の上面１０ａの法線方向から見たときの外観の一例を模式的に示す。第１リード２１は、下面２１ｂと反対側に位置する上面２１ａを有し、第２リード２２は、下面２２ｂと反対側に位置する上面２２ａを有する。第１リード２１の上面２１ａの一部および第２リード２２の上面２２ａの一部は、凹部１１の底面１１ｂにおいて樹脂体３０から露出される。すなわち、凹部１１の底面１１ｂには、第１リード２１の上面２１ａの一部および第２リード２２の上面２２ａの一部が位置する。なお、第１リード２１の上面２１ａの一部および第２リード２２の上面２２ａの一部と同様に、第２樹脂部３２の上面３２ａも、凹部１１の底面１１ｂに位置する。凹部１１の底面１１ｂとは、凹部１１の形状を規定する面のうち、第１リード２１の上面２１ａおよび第２リード２２の上面２２ａと同一平面にある部分を指す。

この例では、第１リード２１の上面２１ａ上に第１発光素子４１および第２発光素子４２が配置されている。すなわち、第１リード２１は、少なくとも１つの発光素子が配置される素子載置領域２１Ｒを上面２１ａに有する。輝度向上の観点から、第１リード２１の素子載置領域２１Ｒの表面に、発光素子（この例では第１発光素子４１および第２発光素子４２）からの光を反射するめっき層が形成されていることが好ましい。なお、この例では、第２リード２２の上面２２ａ上に保護素子６０が配置されている。

第１リード２１の素子載置領域２１Ｒは、凹部１１の底面１１ｂに位置する。樹脂体３０のうち第３樹脂部３３は、凹部１１の底面１１ｂから開口１１ａに向けて突出し、素子載置領域２１Ｒを取り囲む。この例では、第３樹脂部３３は、第２樹脂部３２上に位置する部分を含んでおり、切れ目なく環状に素子載置領域２１Ｒを取り囲んでいる。素子載置領域２１Ｒは、第１リード２１の上面２１ａのうち樹脂体３０から露出された領域であって、かつ、環状の第３樹脂部３３の内側の領域であるといってもよい。上面視において、環状の第３樹脂部３３の内縁の形状は、特に限定されず、例えば多角形状でもよく、円形状等であってもよい。

図３に模式的に示すように、第１発光素子４１および第２発光素子４２のそれぞれは、ワイヤ４３によって第１リード２１および第２リード２２に電気的に接続される。ここで第２リード２２に注目すると、第２リード２２は、ワイヤ接続領域２２Ｒを有している。ワイヤ接続領域２２Ｒは、第２リード２２の上面２２ａのうち樹脂体３０から露出された領域であって、発光素子との接続を有するワイヤが接続される領域である。素子載置領域２１Ｒと同様に、ワイヤ接続領域２２Ｒの表面にめっき層が位置してもよい。なお、図３では、分かりやすさのために、ワイヤ接続領域２２Ｒが網掛けの付された領域として描かれているが、第２リード２２の上面２２ａにおいて、ワイヤ接続領域２２Ｒと、その他の領域との間に必ずしも明確な境界が存在するわけではない。

ワイヤ接続領域２２Ｒは、凹部１１の底面１１ｂのうち樹脂体３０の第３樹脂部３３によって取り囲まれた領域の外側に位置する。この例では、発光装置１００が第１発光素子４１および第２発光素子４２の２つの素子を含むことに対応して、アノードまたはカソードとしての第２リード２２の上面２２ａに２つのワイヤ接続領域２２Ｒが設けられている。ワイヤ接続領域２２Ｒの数および配置は、発光装置に含まれる発光素子の数、複数の発光素子を直列に接続するかあるいは並列に接続するか等に応じて、第２リード２２の上面２２ａのうち第１樹脂部３１と第３樹脂部３３との間に位置する領域において適宜に変更することができる。

樹脂体３０の第１樹脂部３１は、凹部１１の内側壁面を構成する壁面３１ｃ、３１ｄ、３１ｅおよび３１ｆを有する。樹脂パッケージ１０の凹部１１は、複数のリードの上面と、第２樹脂部３２の上面と、樹脂体３０の第１樹脂部３１の内側壁面とにより形成される構造であるといえる。壁面３１ｃおよび壁面３１ｄは、互いに対向し、壁面３１ｅおよび壁面３１ｆは、互いに対向する。壁面３１ｃ、３１ｄ、３１ｅおよび３１ｆは、それぞれ、外側面１０ｃ、１０ｄ、１０ｅおよび１０ｆの反対側に位置する。図３に示す例では、壁面３１ｃ、３１ｄ、３１ｅおよび３１ｆのうち、隣接する２つは、曲面を構成するように滑らかに接続されており、２つの壁面の間に明瞭な境界は形成されていない。

図３に示す例では、凹部１１の開口１１ａは、上面視において、略四角形状を有し、４つの角部のうちの３つが丸まっている。図３に示す例では、開口１１ａの略四角形状の４つの角部のうちの１つが直線状に面取りされることにより、樹脂パッケージ１０にマークＭｋが形成されている。このマークＭｋは、第１リード２１および第２リード２２の極性を示すアノードマークあるいはカソードマークとして機能する。なお、この例では、凹部１１の底面１１ｂの外縁は、上面視において、４つの角部の位置で、開口１１ａの外縁の角部と比較して、より半径の大きい円弧を描くように丸まっている。

図４は、発光装置１００を発光装置１００の中央付近で樹脂パッケージ１０の上面１０ａに垂直に切断したときの断面を模式的に示す。図４に示す断面は、図３に示すIV−IV線の位置で発光装置１００を切断したときのＺＸ面断面である。ただし、図面が過度に複雑になることを避けるために、図４ではワイヤ４３等の一部の要素の図示を省略している。なお、図３は、発光装置１００から封止部材７５、波長変換部材８５および後述の光反射性部材５０を取り除いた模式的な平面図であるが、図４には、これら封止部材７５、波長変換部材８５および光反射性部材５０も表されている。

第３樹脂部３３は、樹脂体３０のうち凹部１１の底面１１ｂより上側の位置にある。図４に示すように、凹部１１の底面１１ｂのうち第１樹脂部３１の内側壁面（図４においては壁面３１ｅ、３１ｆ）と第３樹脂部３３との間の領域には、傾斜面５０ｓを有する光反射性部材５０が形成されている。第３樹脂部３３が凹部１１の底面１１ｂから突出する形状を有することにより、光反射性部材５０の形成の工程において、第３樹脂部３３を、光反射性部材５０の材料が素子載置領域２１Ｒに流入することを防止するダムとして機能させ得る。すなわち、樹脂体３０に第３樹脂部３３を設けることにより、光反射性部材５０の形成の工程において第１発光素子４１、第２発光素子４２の側面が光反射性部材５０で覆われることを抑制できる。

第３樹脂部３３の高さ、すなわち、凹部１１の底面１１ｂから第３樹脂部３３の頂部までの距離は、例えば７０μｍ以上１００μｍ以下程度の範囲である。なお、第３樹脂部３３の断面形状は、図４に例示する形状に限定されず、種々の断面形状を採用し得る。第３樹脂部３３の表面が、断面視において凹部１１の底面１１ｂに対して傾斜する傾斜部を含んでいてもよい。後述するように、第３樹脂部３３は、酸化チタンの粒子等の光反射性のフィラーを含有する樹脂材料から形成され得る。第３樹脂部３３が、発光素子に対向する傾斜部を有することにより、傾斜部の表面を反射面として利用することが可能である。すなわち、発光素子から出射されて第３樹脂部３３に入射した光を傾斜部の位置で凹部１１の開口１１ａ側に反射させることができるようになり、光の取出し効率が向上する。すなわち、より高い輝度が得られる。環状の第３樹脂部３３の全周にわたって傾斜部が設けられていると、発光装置の光の取出し効率の向上に有利である。

図４に例示する構成において、光反射性部材５０の傾斜面５０ｓは、凹部１１の底面１１ｂ側に窪んでいる。光反射性部材５０の表面は、樹脂体３０の第１樹脂部３１に向かって窪んだ凹面形状を有し得る。さらに本開示の実施形態では、光反射性部材５０上に波長変換部材８５が配置される。凹部１１のうちの残りの空間は、封止部材７５で充填されている。すなわち、封止部材７５は、凹部１１内において、素子載置領域２１Ｒに配置された発光素子（この例では第１発光素子４１および第２発光素子４２）と、波長変換部材８５とを覆う。

図４に例示する構成において、第１リード２１の上面２１ａは、溝部２１ｇを有しており、樹脂体３０の材料の一部は、この溝部２１ｇ内に位置している。図４は、樹脂体３０のうち第１リード２１の溝部２１ｇの内部に位置する部分が、樹脂体３０の第３樹脂部３３の材料と同一の材料から形成された例を示している。この例のように、第１リード２１の上面２１ａに設けた溝部２１ｇ内に樹脂体３０の材料の一部を配置し、その少なくとも一部が溝部２１ｇと重なるように第３樹脂部３３を形成することが好ましい。第３樹脂部３３が溝部２１ｇと重なる部分を含むことにより、第１リード２１の上面２１ａに直接に第３樹脂部３３を形成した場合と比較して、第１リード２１から第３樹脂部３３が剥離してしまうおそれを低減できる。図４に例示するように、樹脂体３０のうち第１リード２１の溝部２１ｇの内部に位置する部分の幅は、典型的には、その部分の直上に位置する第３樹脂部３３の幅よりも大きい。第３樹脂部３３の幅と比較して樹脂体３０のうち第１リード２１の溝部２１ｇの内部に位置する部分の幅を大きくすることにより、樹脂体３０と第１リード２１との間の界面の面積を大きくすることができるので、第１リード２１からの第３樹脂部３３の剥離をより効果的に抑制し得る。

図４に示す例では、樹脂体３０は、第１リード２１の上面２１ａの一部を覆う第４樹脂部３４をさらに有している。図３および図４に示すように、第４樹脂部３４は、第１樹脂部３１の壁面３１ｅと第３樹脂部３３とを接続している。この例のように、第１リード２１の上面２１ａを覆う第４樹脂部３４を樹脂体３０に設けることにより、樹脂体３０と第１リード２１との間の結合をより強固とすることができる。なお、図４に示す例において第４樹脂部３４の上面は、凹部１１の底面１１ｂよりも高い位置にある。

この例では、第１リード２１の上面２１ａは、２つの溝部２１ｈをさらに有している。溝部２１ｈは、第１発光素子４１、第２発光素子４２と重なる位置に上面２１ａに設けられている。図４に模式的に示すように、第１発光素子４１および第２発光素子４２は、樹脂あるいは半田等の接合部材４４によって第１リード２１の上面２１ａに接合される。このとき、第１発光素子４１、第２発光素子４２と重なる位置に溝部２１ｈを形成しておくことにより、接合部材４４の一部を溝部２１ｈの内部に配置させることができる。溝部２１ｈの内部に接合部材４４の一部を位置させることにより、第１リード２１と接合部材４４との間の接合強度を向上させる効果が得られる。

溝部２１ｈは、素子載置領域２１Ｒのうち発光素子と重なる領域に例えば直線状に形成される。溝部２１ｈの形状、本数、配置等は、発光素子の数、配置等に応じて適宜に変更可能であり、この例のような２本の直線状の形態に限定されない。なお、素子載置領域２１Ｒに配置される発光素子の数が１つである場合、発光素子が２本の溝部の間に配置されることもあり得る。

［第１発光素子４１、第２発光素子４２］
第１発光素子４１および第２発光素子４２としては、ＬＥＤ等の半導体発光素子を用いることができる。図４に例示する構成において、発光装置１００は、第１発光素子４１および第２発光素子４２の２つの発光素子を有する。しかしながら、本開示の実施形態による発光装置が有する発光素子の数は、この例に限定されず、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。

第１発光素子４１および第２発光素子４２は、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含み得る。第１発光素子４１および第２発光素子４２から発せられる光のスペクトルは、同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。例えば、第１発光素子４１が青色光を出射し、第２発光素子４２が緑色光を出射してもよい。発光装置が３つの発光素子を有する場合、３つの発光素子が、それぞれ、青色光、緑色光、赤色光を出射してもよい。以下では、第１発光素子４１および第２発光素子４２として、青色光を出射するＬＥＤを例示する。

［接合部材４４］
第１発光素子４１および第２発光素子４２は、接合部材４４によって第１リード２１の素子載置領域２１Ｒに固定される。接合部材４４としては、例えば、樹脂体３０の母材として用いられ得る樹脂材料を用いることができる。あるいは、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系もしくは金−錫系などの半田、銀、金もしくはパラジウム等を含有する導電性ペーストもしくはバンプ、低融点金属等のろう材、または、異方性導電材を接合部材４４として用いることができる。

［ワイヤ４３］
第１発光素子４１および第２発光素子４２は、ワイヤ４３によって第１リード２１および第２リード２２に電気的に接続される（図３参照）。図３に示す例では、第１発光素子４１および第２発光素子４２は、電気的に並列に接続されている。第１発光素子４１および第２発光素子４２が直列に接続されることもあり得る。

ワイヤ４３としては、例えば、金、銅、銀、白金、アルミニウム、パラジウム等の金属またはこれらの１種以上を含む合金のワイヤを用いることができる。ワイヤ４３の材料が金を含んでいると、熱抵抗等に優れ、封止部材７５からの応力による破断が生じにくいワイヤが得られるので有利である。ワイヤ４３の材料が銀を含んでいると、高い光反射率を示すワイヤが得られるので有利である。特に、金および銀の双方を含むワイヤを用いると有益である。ワイヤ４３が金および銀の双方を含むワイヤである場合、銀の含有比率を例えば１５％以上２０％以下、４５％以上５５％以下、７０％以上９０％以下または９５％％以上９９％以下の範囲とすることができる。特に、銀の含有比率が４５％以上５５％以下である場合、高い光反射率を得ながら、硫化の可能性を低減し得る。ワイヤ４３の断面の直径は、適宜選択でき、例えば５μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。ワイヤ４３の断面の直径は、１０μｍ以上４０μｍ以下であるとより好ましく、１５μｍ以上３０μｍ以下であるとよりいっそう好ましい。

［保護素子６０］
図３に例示するように、発光装置１００は、保護素子６０を有し得る。保護素子６０としては、ツェナーダイオードに代表される種々の保護素子を用いることができる。保護素子６０は、例えば第２リード２２の上面２２ａに配置され、光反射性部材５０内に埋め込まれる。保護素子６０を覆うように光反射性部材５０を形成することにより、第１発光素子４１、第２発光素子４２からの光が保護素子６０に吸収されることを抑制することができる。

保護素子６０は、典型的には、発光素子（ここでは第１発光素子４１および第２発光素子４２）と電気的に並列に接続される。図３に示す例では、保護素子６０の２つの端子のうちの一方が、ワイヤによって第１リード２１の上面２１ａに接続されている。保護素子６０の他方の端子は、例えば半田、導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、または、低融点金属等のろう材によって第２リード２２の上面２２ａに電気的に接続され得る。

［光反射性部材５０］
図１および図４から理解されるように、光反射性部材５０は、樹脂パッケージ１０の凹部１１内において、凹部１１の内側壁面（壁面３１ｃ、３１ｄ、３１ｅおよび３１ｆ）と、樹脂体３０の第３樹脂部３３との間の領域に位置する。光反射性部材５０は、発光素子からの光および／または外光に対する透過率が低いか、あるいは、発光素子からの光および／または外光を吸収しにくい材料を用いることができる。例えば、母材としての樹脂に光反射性のフィラーが分散された樹脂材料から光反射性部材５０を形成することができる。凹部１１の底面１１ｂのうち内側壁面と第３樹脂部３３との間の領域に未硬化の樹脂材料をポッティング等によって付与した後、付与された樹脂材料を硬化させることによって凹部１１内に光反射性部材５０を形成できる。

光反射性部材５０は、凹部１１の内側壁面と、素子載置領域２１Ｒを取り囲む第３樹脂部３３との間に形成される。平面視において第１発光素子４１および第２発光素子４２を取り囲むようにして凹部１１内に光反射性部材５０を形成することにより、第１発光素子４１、第２発光素子４２から出射され、光反射性部材５０に入射した光を傾斜面５０ｓで凹部１１の開口１１ａに向けて反射させることができる。すなわち、凹部１１内に光反射性部材５０を設けることにより、発光装置の光取り出し効率を向上させ得る。

図４に模式的に示すように、光反射性部材５０は、凹部１１の開口１１ａから、少なくとも第３樹脂部３３の位置にわたって形成され得る。図４に示す例のように、断面視において、光反射性部材５０の傾斜面５０ｓの上端部および下端部を結ぶ直線と、凹部１１の底面１１ｂとにより形成される傾斜角は、凹部１１の内側壁面（例えば壁面３１ｆ）の上端部および下端部を結ぶ直線と、凹部１１の底面１１ｂとにより形成される傾斜角よりも小さいことが好ましい。傾斜面５０ｓの傾斜が凹部１１の内側壁面の傾斜よりもなだらかであると、光反射性部材５０を発光素子のより近くにまで形成できる。発光素子の近傍にまで光反射性部材５０を形成することにより、第１発光素子４１、第２発光素子４２から出射されて光反射性部材５０に入射した光を効率的に開口１１ａへ向けて反射させることができる。第３樹脂部３３の頂部が発光素子の上面よりも低いことが好ましい。このような構成によれば、発光素子からの光を光反射性部材５０の傾斜面５０ｓに入射させやすくなるので、発光素子から出射した光を効率的に開口１１ａから外部へ出射させることが可能になる。

断面視において、光反射性部材５０の表面である傾斜面５０ｓの形状は、直線形状に限定されない。特にここでは、光反射性部材５０の傾斜面５０ｓは、樹脂体３０の第１樹脂部３１に向かって窪んだ凹面形状を有している。光反射性部材５０の表面が凹面であることにより、入射した光を凹部１１の底面１１ｂとは反対側に向けて反射させやすくなる。また、光反射性部材５０の表面を凹面とすることにより、光反射性部材５０上への波長変換部材８５の形成が容易になる。

光反射性部材５０の母材としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。母材の具体例は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、シリコーン樹脂等である。母材に分散させる光反射性のフィラーとしては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウム等の粒子を用いることができる。光反射性部材５０が白色を有すると有益である。母材としての樹脂に、発光素子からの光を吸収しにくくかつ母材との間の屈折率差の大きい反射部材を分散させてもよい。

［波長変換部材８５］
光反射性部材５０上に位置する波長変換部材８５は、樹脂等の母材（第１母材）と、母材中に分散された蛍光体の粒子とを含有し、入射した光の一部を吸収して、入射した光とは異なる波長の光を発する。光反射性部材５０上に波長変換部材８５を形成することにより、第１発光素子４１または第２発光素子４２から出射された光と、波長変換部材８５から発せられた光とにより、例えば白色光を取り出すことが可能になる。波長変換部材８５の母材としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂もしくはフッ素樹脂、または、これらの樹脂の２種以上を含む樹脂から選択された材料を用いることができる。

波長変換部材８５は、第１蛍光体を含む１種以上の蛍光体を含有する。波長変換部材８５の母材に分散させる蛍光体には、公知の材料を適用することができる。第１蛍光体としては、例えば、５２５ｎｍ超５３５ｎｍ以下の帯域に発光ピーク波長を有する蛍光体を適用することができる。５２５ｎｍ超５３５ｎｍ以下の帯域に発光ピーク波長を有する蛍光体の例は、Ｇ−ＹＡＧと呼ばれるＹＡＧ系蛍光体（例えばＹ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ_３ ^＋）である。ＹＡＧ系蛍光体は、青色光を黄色光〜黄緑色光に変換する。第１蛍光体として、ＫＳＦ系蛍光体等のフッ化物系蛍光体、ＣＡＳＮ等の窒化物系蛍光体、βサイアロン蛍光体等を適用してもよい。ＫＳＦ系蛍光体およびＣＡＳＮは、青色光を赤色光に変換する蛍光体の例であり、βサイアロン蛍光体は、青色光を緑色光に変換する蛍光体の例である。第１蛍光体は、量子ドット蛍光体であってもよい。

図１に例示するように、波長変換部材８５は、平面視において、素子載置領域２１Ｒに配置された１以上の発光素子を連続的に取り囲む形状を有し得る。平面視において発光素子を連続的に取り囲むように凹部１１内に波長変換部材８５を形成することにより、凹部１１内において波長変換部材８５が点在するような配置と比較して、発光面である封止部材７５の上面における色ムラをより効果的に抑制できる。

図４に例示するように、本開示の典型的な実施形態において、波長変換部材８５は、第１リード２１から離れている。また、図４には表れていないが、波長変換部材８５は、第２リード２２からも離れている。換言すれば、波長変換部材８５は、第１リード２１の上面２１ａと接している部分を有しておらず、また、第２リード２２の上面２２ａと接している部分も有しない。図４に示す例では、波長変換部材８５は、凹部１１の底面１１ｂのうち樹脂体３０の第３樹脂部３３で取り囲まれた領域の内側には延びていない。したがって、図４に例示する構成において、波長変換部材８５は、第１発光素子４１および第２発光素子４２のいずれからも離れている。このような構成によれば、素子載置領域２１Ｒに配置された発光素子が波長変換部材８５によって覆われない。そのため、発光素子からの光のうち波長変換部材８５によって反射された光が発光素子に吸収されることを抑制できる。これにより、発光装置の光取出し効率の低下を抑制することができる。

［封止部材７５］
封止部材７５は、樹脂等の第２母材を少なくとも含有し、凹部１１内において第１発光素子４１、第２発光素子４２、樹脂体３０の第３樹脂部３３、波長変換部材８５およびワイヤ４３等を覆っている。封止部材７５は、第１発光素子４１および第２発光素子４２を被覆することにより、これらを外力、埃、水分等から保護する機能を有する。

第２母材としては、波長変換部材８５の第１母材と同様の材料を適用できる。発光素子から出射される光に対して６０％以上の透過率を有する材料を第２母材に選択すると有益であり、発光素子から出射される光に対する第２母材の透過率が９０％以上であるとより有益である。第２母材の具体例は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂またはこれらの１つ以上を含む樹脂材料等である。封止部材７５は、単層であってもよいし、複数層から構成されてもよい。第２母材に、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム等の粒子を分散させてもよい。

素子載置領域２１Ｒ内の発光素子から出射されて凹部１１の内側壁面に向かって進行する光は、光反射性部材５０の傾斜面５０ｓの位置で凹部１１の開口１１ａに向けて反射される。換言すれば、波長変換部材８５と光反射性部材５０との間の界面は、反射面としての機能を有する。封止部材７５と波長変換部材８５との間の界面での全反射を低減させて、波長変換部材８５と光反射性部材５０との間の界面に効果的に光を到達させる観点からは、波長変換部材８５中の第１母材の屈折率と、封止部材７５中の第２母材の屈折率との間に実質的な差異が無いと有利である。より具体的には、波長変換部材８５中の第１母材の屈折率をｎ_１、封止部材７５中の第２母材の屈折率をｎ_２としたとき、｜ｎ_１−ｎ_２｜≦０．０５の関係が成立することが好ましい。封止部材７５と波長変換部材８５との間の界面での全反射が低減される結果、素子載置領域２１Ｒ内の発光素子からの光を波長変換部材８５に入射させやすくなる。これにより、発光素子からの光によって励起されることにより波長変換部材８５から発せられた光を発光装置１００の外部に取り出しやすくなる。第１母材および第２母材として、ともにフェニルシリコーン樹脂（少なくとも１つのフェニル基を分子中に有する有機ポリシロキサンを含有する樹脂）を選択することにより、｜ｎ_１−ｎ_２｜≦０．０５の関係を満足させることができる。

ここで、本明細書における「屈折率」は、素子載置領域２１Ｒに配置された発光素子の発光ピーク波長における屈折率を意味する。図４に示す例のように、素子載置領域２１Ｒに複数の発光素子が配置される場合、本明細書における「屈折率」は、それら発光素子のうちのいずれか１つの発光ピーク波長における屈折率として解釈される。

上述したように、波長変換部材８５と光反射性部材５０との間の界面は、反射面としての機能を有する。したがって、光反射性部材５０中の母材（第４母材）の屈折率が、波長変換部材８５中の第１母材の屈折率よりも小さいと有益である。光反射性部材５０中の母材が波長変換部材８５中の第１母材よりも小さい屈折率を有することにより、波長変換部材８５と光反射性部材５０との間の界面における全反射を利用して発光装置１００の光取出し効率を向上させ得る。例えば、波長変換部材８５中の第１母材としてフェニルシリコーン樹脂を選択し、光反射性部材５０中の母材として、ジメチルシリコーン樹脂（２つのメチル基がケイ素原子に結合したＤユニットを有する有機ポリシロキサンを含有する樹脂）を選択することにより、発光装置１００の輝度向上の効果が期待できる。

封止部材７５は、第１発光素子４１および／または第２発光素子４２からの光の波長を変換する１種以上の蛍光体を含有していてもよい。例えば、封止部材７５は、第２母材に加えて第２蛍光体を含有し得る。第２蛍光体として、波長変換部材８５中の第１蛍光体よりも長波長側に発光ピーク波長が位置する蛍光体を選択することが有益である。波長変換部材８５が第１蛍光体として例えばＧ−ＹＡＧを含有する場合、封止部材７５中に分散させる第２蛍光体として、５１５ｎｍ以上５２５ｎｍ以下の帯域に発光ピーク波長を有する蛍光体を用いることができる。このような蛍光体の例は、ＬＡＧ系蛍光体（例えばＬｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ_３）である。

封止部材７５中の第２蛍光体の発光ピーク波長が、封止部材７５と比較して発光素子からより遠くに位置する波長変換部材８５中の第１蛍光体の発光ピーク波長よりも長いことにより、第２蛍光体からの光による波長変換部材８５中の第１蛍光体の励起を回避し得る。換言すれば、第２蛍光体からの光が第１蛍光体に吸収されることによる、光取出し効率の低下を回避し得る。

封止部材７５は、第２蛍光体に加えてさらに別種の蛍光体を含有していてもよい。例えば、波長変換部材８５が第１蛍光体としてＧ−ＹＡＧを含有し、封止部材７５が第２蛍光体としてのＧ−ＹＡＧと、付加的にＹＡＧとを含有していてもよい。ただし、封止部材７５中の全体としての蛍光体の濃度は、波長変換部材８５中に含まれる全ての蛍光体（これは第１蛍光体を含む。）の濃度よりも低い。例えば、波長変換部材８５が第１蛍光体としてＧ−ＹＡＧを含有し、封止部材７５がＹＡＧと、第２蛍光体としてのＧ−ＹＡＧとを含有する場合、封止部材７５中の、ＹＡＧおよびＧ−ＹＡＧ全体としての濃度は、波長変換部材８５中のＧ−ＹＡＧの濃度よりも低くされる。

発光装置を構成する部材中の蛍光体の濃度は、発光装置を発光装置の中央付近で上面に垂直に切断したときの断面（例えば図３中のIV-IV断面）のＳＥＭ画像から算出できる。例えば封止部材７５中の蛍光体の濃度であれば、まず、発光装置の全体が含まれるようにして発光装置の断面に関する画像を取得する。そして得られた画像中の封止部材７５全体に対して封止部材７５中の蛍光体が占める面積の割合を、封止部材７５中の蛍光体の濃度とすることができる。波長変換部材８５中の蛍光体の濃度についても同様に、発光装置の断面に関する画像中に表れた波長変換部材８５中の蛍光体の面積を求め、波長変換部材８５全体の面積に対する割合を計算すればよい。なお、蛍光体の濃度を算出するための断面は、発光装置の上面の矩形状の一辺と平行、垂直のいずれであってもよい。あるいは、発光装置の上面の矩形状の対角線に沿って切断したときの断面画像に基づいて部材中の蛍光体の濃度を算出してもよい。

後に実施例を参照しながら説明するように、本発明者の検討によれば、波長変換部材８５と比較して発光素子のより近くに位置する部分を有する封止部材７５中の蛍光体の濃度を低下させることにより、光取出し効率を向上させ得る。封止部材７５中の、第２蛍光体を含む全ての蛍光体の濃度は、好ましくは、波長変換部材８５中の、第１蛍光体を含む全ての蛍光体の濃度の0．１倍以上０．５倍未満である。封止部材７５中の蛍光体の全体の濃度が、波長変換部材８５中の蛍光体の濃度の０．１倍以上であると、演色性向上の観点から有利である。

後述するように、封止部材７５は、波長変換部材８５の形成後、ポッティング等によって凹部１１を樹脂等の第２母材と少なくとも第２蛍光体とを含有する材料で充填後、充填された材料を硬化することにより形成できる。このとき、凹部１１内に充填された材料の硬化までに、第２母材に分散された第２蛍光体が沈降することがあり得る。

図５は、図３に示すＶ−Ｖ線の位置で発光装置１００を樹脂パッケージ１０の上面１０ａに垂直に切断したときの断面を模式的に示す。図３は、発光装置１００から封止部材７５、波長変換部材８５および光反射性部材５０を取り除いた模式的な平面図である。図４と同様に、図５においても、封止部材７５、波長変換部材８５および光反射性部材５０を省略せずにこれらの部材を図示している。図６は、図５に示す発光装置１００のＹＺ断面のうち第１発光素子４１とその周辺とを拡大して模式的に示す。なお、これらの図では、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示が省略されている。

図５および図６に例示する構成において、第１発光素子４１は、下面４１１ｂを有する支持基板４１１と、１以上の半導体層を含む半導体積層構造４１２とを有する。支持基板４１１は、例えばサファイア基板または窒化ガリウム基板である。図５および図６に示す例では、第１発光素子４１は、支持基板４１１の下面４１１ｂが第１リード２１の上面２１ａと対向するようにして、接合部材４４によって第１リード２１に接合されている。この例では、半導体積層構造４１２は、支持基板４１１の、下面４１１ｂとは反対側の主面上に形成されている。すなわち、ここでは、半導体積層構造４１２は、支持基板４１１に関して第１リード２１とは反対側に位置している。

半導体積層構造４１２は、活性層と、活性層を挟むｎ型半導体層およびｐ型半導体層とを含む。図５および図６に示す例では、半導体積層構造４１２上にｐ側およびｎ側の電極４１４が設けられている。この例では、支持基板４１１の下面４１１ｂは、第１発光素子４１の下面に一致しており、したがって、電極４１４は、第１発光素子４１の下面とは反対側の上面４１ａ側に位置するといえる。

上述したように、封止部材７５の形成の工程において、凹部１１内に充填された材料の硬化までに、第２母材に分散された第２蛍光体が沈降することがあり得る。したがって、封止部材７５中の第２蛍光体の濃度は、図のＺ方向に沿って凹部１１の底面１１ｂから開口１１ａに向かって低下するような勾配を有し得る。図６中、網掛けの丸７５ｐは、封止部材７５中の第２蛍光体を模式的に表している。図６に示す例では、素子載置領域２１Ｒに配置される発光素子、例えば第１発光素子４１の上面４１ａの高さにおける第２蛍光体の濃度は、第１発光素子４１の下面の高さ（ここでは支持基板４１１の下面４１１ｂの高さに一致）における第２蛍光体の濃度よりも小さい。換言すれば、図６に例示する構成において、封止部材７５のうち断面視において第１発光素子４１と第３樹脂部３３との間に位置する部分における第２蛍光体の濃度は、第１リード２１の上面２１ａの位置から第１発光素子４１の上面４１ａの位置に向かって低下している。

図７は、封止部材中の第２蛍光体の分布の他の例を参考例として模式的に示す。図７は、光反射性部材５０上への波長変換部材８５への形成が省略された構成を有する発光装置における封止部材中の第２蛍光体の分布の一例を模式的に示している。図６を参照しながら説明した例と比較して、図７に示す例では、第１発光素子４１を覆う封止部材７６中に、より多くの第２蛍光体７６ｐが分散されている。

上述したように、第２蛍光体の沈降が生じた場合、封止部材のうち凹部１１の底面１１ｂ付近に位置する部分の第２蛍光体の濃度が高くなりやすい。図７に示す例では、より多くの量の第２蛍光体７６ｐが封止部材７６中に含まれる結果、第１発光素子４１の上面と下面との間に位置する側面を覆うように第２蛍光体７６ｐが凹部１１の底面１１ｂ付近に位置している。この例のように発光素子の側面付近に多くの蛍光体が存在すると、発光素子の側面から出射された光の一部が蛍光体によって反射されて発光素子に吸収されることがある。すなわち、発光素子からの光が、発光素子の側面付近に位置する蛍光体によって反射されることを抑制することにより、発光装置の光取り出し効率を向上できる余地がある。

これに対し、本開示の実施形態では、発光素子を取り囲むようにして凹部１１内に形成される光反射性部材５０上に、波長変換部材８５を配置している。そのため、光反射性部材５０上に波長変換部材８５を有しない構成と比較して、封止部材７５中の蛍光体の濃度を低下させ得る。光反射性部材５０上に波長変換部材８５を有しない構成と比較して封止部材７５中の蛍光体の濃度を低下させることが可能であるので、発光素子の側面付近への蛍光体の堆積を抑制できる。これにより、発光素子の特に側面から出射された光が封止部材７５中の蛍光体によって反射されて発光素子に吸収されることを抑制し得る。すなわち、より多くの光を光反射性部材５０の傾斜面５０ｓに到達させることが可能になり、発光素子の側面付近への蛍光体の堆積に起因する光取出し効率の低下を抑制し得る。なお、封止部材７５中の蛍光体に沈降が生じていない場合でも、蛍光体の濃度の低下により、封止部材７５中の蛍光体によって反射されて発光素子に吸収されてしまう光を減少させ得る。すなわち、封止部材７５中の蛍光体に沈降が生じていない場合であっても、封止部材７５中の蛍光体の濃度の低下により、発光装置の輝度向上の効果が期待できる。また、反射面として機能する光反射性部材５０の表面を選択的に覆うようにして凹部１１内に波長変換部材８５を配置することにより、封止部材７５中の蛍光体の濃度を低下させながらも、封止部材７５中の蛍光体の濃度の低下に伴う、出射光の色味の変化を抑制することが可能になる。

素子載置領域２１Ｒに配置される発光素子の上面の高さにおける第２蛍光体の濃度、および、発光装置の下面の高さにおける第２蛍光体の濃度は、発光装置を構成する部材中の蛍光体の濃度と同様に、発光装置を上面に垂直に切断したときの断面画像から算出することができる。まず、発光装置の断面画像中に、一辺の長さが発光装置の高さ（上面と下面との間の距離）の例えば１／３の正方形の領域を想定する。そして、発光素子の下面の高さにおける第２蛍光体の濃度であれば、この正方形の領域の底辺が発光素子の下面の位置に一致するようにして、この領域全体の面積に占める蛍光体の面積の割合を求める。同様の面積比を複数箇所で算出し、それらの平均値を、発光素子の下面の高さにおける第２蛍光体の濃度とすることができる。発光素子の上面の高さにおける第２蛍光体の濃度であれば、正方形の領域の底辺に対向する辺が発光素子の上面の位置に一致するようにして、同様の手順で面積比の平均値を求め、これを発光素子の上面の高さにおける第２蛍光体の濃度とすればよい。なお、第２蛍光体の濃度の算出に利用する正方形の領域の一辺の長さは、発光装置の高さの１／３に限定されず、他の値を採用してもよい。

図８は、本開示の他の実施形態による発光装置の模式的な断面を示す。図４、図５等を参照しながら説明した発光装置１００と比較して、図８に示す発光装置１００Ａは、第１発光素子４１の上面４１ａ上に位置する被覆部材７５１をさらに有している。図８に例示する構成において、樹脂パッケージ１０の凹部１１内に位置する封止部材７５は、この被覆部材７５１をも覆っている。なお、図８では、図４に示す断面と同様に、発光装置１００Ａを発光装置１００Ａの中央付近で樹脂パッケージ１０の上面１０ａに垂直に切断したときのＺＸ断面を模式的に示している。

被覆部材７５１は、第３母材と、第３母材中に分散された第３蛍光体とを含有し得る。第３母材、第３蛍光体を含有する未硬化の状態の材料をポッティングによって第１発光素子４１の上面４１ａ上に付与し、付与された材料を硬化させることにより、被覆部材７５１を形成することができる。

ここで、第３蛍光体としては、波長変換部材８５中の第１蛍光体とは異なる蛍光体が選択され得る。例えば、第３蛍光体としては、波長変換部材８５中の第１蛍光体と比較して、より長い発光ピーク波長を有する蛍光体が用いられ得る。第１発光素子４１のより近くに配置された被覆部材７５１中の第３蛍光体の発光ピーク波長が波長変換部材８５中の第１蛍光体の発光ピーク波長よりも長波長側に位置することにより、第３蛍光体からの光による波長変換部材８５中の第１蛍光体の励起を回避し得る。すなわち、発光装置１００Ａの光取出し効率を向上させ得る。このように、本開示の実施形態では、発光素子からより離れた位置にある部材中の蛍光体ほど、より短い発光ピーク波長を示し得る。波長変換部材８５が第１蛍光体として例えばＧ−ＹＡＧを含有する場合、被覆部材７５１は、６０７ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の帯域に発光ピーク波長を有する蛍光体を第３蛍光体として含有し得る。６０７ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の帯域に発光ピーク波長を有する蛍光体の例は、ＳＣＡＳＮと呼ばれる窒化物系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ_２ ^＋）である。

一般的に、ＬＥＤ等の発光素子においては光軸付近の光強度が高い。図８に例示する構成のように、発光素子の上面を覆うようにして、第３蛍光体を含有する被覆部材７５１を発光素子の上面に形成することにより、発光装置１００Ａから出射される光のスペクトルの長波長側における強度を向上させ得る。すなわち、色温度を低下させる効果が得られる。

第３母材としては、波長変換部材８５中の第１母材または封止部材７５中の第２母材と同様の材料を適用できる。ただし、封止部材７５中の第２母材の屈折率ｎ_２と、被覆部材７５１中の第３母材の屈折率ｎ_３との間に、｜ｎ_２−ｎ_３｜≦０．０５の関係が成立することが好ましい。封止部材７５中の第２母材の屈折率と被覆部材７５１中の第３母材の屈折率との間に実質的な差異が無いことにより、封止部材７５と被覆部材７５１との界面における全反射を抑制でき、発光装置の光取出し効率の向上が期待できるからである。｜ｎ_２−ｎ_３｜≦０．０５の関係を満足する第２母材および第３母材の組み合わせとして、第２母材および第３母材ともにフェニルシリコーン樹脂を用いる構成を例示できる。

図９は、本開示のさらに他の実施形態による発光装置の模式的な断面を示す。素子載置領域２１Ｒに複数の発光素子が配置される場合、それら発光素子の上面上に被覆部材を形成してもよい。図８に示す発光装置１００Ａと比較して、図９に示す発光装置１００Ｂは、第１発光素子４１の上面４１ａ上に位置する被覆部材７５１に加えて、第２発光素子４２の上面４２ａ上に位置する被覆部材７５２を有する。なお、図９は、上述の図８と同様に、発光装置１００Ｂを発光装置１００Ｂの中央付近で樹脂パッケージ１０の上面１０ａに垂直に切断したときのＺＸ断面を模式的に示している。

第２発光素子４２上の被覆部材７５２は、蛍光体を含有していてもよいし、含有していなくてもよい。例えば、第１発光素子４１上に被覆部材７５１を配置するだけでは、樹脂パッケージ１０の外部に取り出される光の色温度が低すぎる場合等には、被覆部材７５２の母材中にＳＣＡＳＮ等の蛍光体を分散させてもよい。このとき、第１発光素子４１上の被覆部材７５１と第２発光素子４２上の被覆部材７５２との間で、蛍光体の濃度を異ならせてもよい。

被覆部材７５１中の蛍光体と、被覆部材７５２中の蛍光体とが共通であることは、必須ではない。すなわち、被覆部材７５２中の蛍光体が被覆部材７５１中の第３蛍光体と同じでないこともあり得る。例えば、被覆部材７５１には、青色光を赤色光に変換するＣＡＳＮ等の波長変換部材を第３蛍光体として含有させ、被覆部材７５２には、入射した光を赤色光よりも短波長の光（黄色光、緑色光または青色光）に変換する蛍光体を含有させてもよい。このとき、図９に例示する構成のように、被覆部材７５１および被覆部材７５２が独立して第１発光素子４１上および第２発光素子４２上にそれぞれ個別に形成されると、被覆部材７５１と被覆部材７５２とが空間的に離れて配置されることになる。このような被覆部材７５１および被覆部材７５２の配置によれば、被覆部材７５２中の蛍光体によって波長変換を受けた光による被覆部材７５１中の第３蛍光体の励起を抑制することが可能になる。すなわち、凹部１１の内部において被覆部材７５１と被覆部材７５２とを空間的に離して配置することにより、被覆部材７５２中の蛍光体によって波長変換を受けることにより生じる、赤色光よりも短波長の光が被覆部材７５１に吸収されることを抑制できる。そのため、被覆部材７５２から出射される、赤色光より短波長の光を取り出しやすくなる。なお、より高い輝度を得る観点からは、樹脂パッケージ１０の凹部１１の内部に複数の発光素子が配置される場合、蛍光体を含有する被覆部材を、図８の例のように複数の発光素子のうちの一部の発光素子の上面上に選択的に配置することが有利である。

被覆部材７５１および被覆部材７５２は、未硬化の状態の材料をポッティング法等により第１発光素子４１の上面および第２発光素子４２の上面に付与した後、付与された材料を硬化させることにより、形成できる。被覆部材７５１は、第１発光素子４１の側面を覆っていてもよい。同様に、被覆部材７５２は、第２発光素子４２の側面を覆っていてもよい。母材とは屈折率の異なる材料を分散させることにより、被覆部材７５１および／または被覆部材７５２に光拡散の機能を付与してもよい。

［発光装置の例示的な製造方法］
以下、本開示の実施形態による発光装置の例示的な製造方法を簡単に説明する。概略的には、発光装置の製造方法は、リードフレームをその一部に含む集合基板を準備する工程と、集合基板を個片化し、複数の発光装置を得る工程とを含む。

図１０および図１１は、集合基板のうちリードフレームの一部を取り出して示す。図１０は、リードフレームの表側（発光素子が配置される側）を示し、図１１は、図１０に示すリードフレーム２０２を裏返したときの外観を示す。図１０および図１１は、リードフレーム２０２のうち、集合基板の個片化後にそれぞれが発光装置となる４つの発光構造を含む範囲を取り出して示しており、図１０中の二点鎖線の矩形は、これら発光構造１００Ｌのうち１つに対応する部分を示す。リードフレーム２０２は、銅等の基材と、基材を被覆する金属層とを有し得る。

図１０および図１１に示すように、リードフレーム２０２は、それぞれが第１リード相当領域２１Ａおよび第２リード相当領域２２Ａを含む複数の組を有する。第１リード相当領域２１Ａおよび第２リード相当領域２２Ａは、リードフレーム２０２のうち集合基板の個片化後にそれぞれ上述の第１リード２１および第２リード２２となる部分である。図１０では、第１リード相当領域２１Ａ中の素子載置領域２１Ｒのおおよその位置を点線によって示している。それぞれが第１リード相当領域２１Ａおよび第２リード相当領域２２Ａを含むこれら複数の組は、連結部２４によって互いに連結され、全体としてリードフレーム２０２を構成する。これらの連結部２４は、集合基板の個片化後に上述の延伸部２１ｓおよび２２ｈとなる（図１および図２参照）。

第１リード相当領域２１Ａ、第２リード相当領域２２Ａおよび連結部２４の形状は、例えば、型を用いて板状の部材を所定の形状に打ち抜くことにより得ることができる。第１リード相当領域２１Ａを例えば部分的にエッチングすることにより、その上面２１ａに、素子載置領域２１Ｒの周囲の一部を囲む溝部２１ｇを形成してもよい。この例では、各第１リード相当領域２１Ａの上面２１ａに溝部２１ｈも形成している。また、各第２リード相当領域２２Ａの上面２２ａに弧状の溝部２２ｇを形成している。溝部２１ｇ、２１ｈおよび２２ｇの全部または一部をプレス加工によって形成してもよい。

図１１に例示する構成において、第１リード相当領域２１Ａの下面２１ｂは、長方形状の３辺に沿って形成された側縁溝部２１ｋを有する。側縁溝部２１ｋは、第１リード相当領域２１Ａの下面２１ｂから上面２１ａ側に窪んでいる。同様に、図１１に例示する構成において、第２リード相当領域２２Ａの下面２２ｂには、長方形状の３辺に沿って側縁溝部２２ｋが設けられている。側縁溝部２２ｋは、第２リード相当領域２２Ａの下面２２ｂから上面２２ａ側に窪んでいる。側縁溝部２１ｋおよび２２ｋは、エッチング加工、プレス加工等によって形成することができる。

上述の集合基板は、例えば、リードフレーム２０２に樹脂体３０が形成された樹脂成形体付リードフレームを得た後、樹脂成形体付リードフレームに第１発光素子４１、第２発光素子４２、ワイヤ４３等を配置し、光反射性部材５０、波長変換部材８５および封止部材７５をさらに形成することによって得ることができる。樹脂成形体付リードフレームは、例えば、上金型と下金型とを備える金型でリードフレーム２０２を挟み込み、金型内の空間に樹脂材料を流し込むことによって形成できる。例えば、トランスファモールド法により、上金型とリードフレーム２０２の上面との間に形成されるキャビティの形状に応じた形状を有する樹脂体３０を得ることができる。

樹脂体３０の母材としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。樹脂体３０の母材の例は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等の変性エポキシ樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂等の変性シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂等の樹脂である。特に、エポキシ樹脂および変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いると、同じ樹脂材料によって第１樹脂部３１、第２樹脂部３２、第３樹脂部３３および第４樹脂部３４を一体に形成しやすく有利である。樹脂体３０の母材に酸化チタンの粒子等の光反射性のフィラーを分散させてもよい。

樹脂体３０の材料の金型内への充填後、樹脂体３０の材料を仮硬化させる。その後、仮硬化がなされた樹脂材料が取り付けられたリードフレーム２０２を金型から抜き、仮硬化よりも高い温度のもとで樹脂材料の本硬化を行う。これにより、リードフレーム２０２に樹脂体３０が形成された樹脂成形体付リードフレームが得られる。

図１２は、樹脂成形体付リードフレームのうち、図１０に示す４つの発光構造１００Ｌに相当する部分を取り出して示す。図１２に模式的に示すように、第１リード相当領域２１Ａの上面２１ａに設けられた溝部２１ｇおよび第２リード相当領域２２Ａの上面２２ａに設けられた溝部２２ｇは、樹脂体３０の材料で充填される。この例では、樹脂体３０の材料がリードフレーム２０２の上面側および下面側の両方に位置し、かつ、第１樹脂部３１、第２樹脂部３２、第３樹脂部３３および第４樹脂部３４が共通の材料から一体的に形成される。そのため、リードフレーム２０２と樹脂体３０との間の剥離が生じにくい。

次に、接合部材４４により、素子載置領域２１Ｒに第１発光素子４１および第２発光素子４２を配置する。さらに、ワイヤ４３により、第１発光素子４１および第２発光素子４２の正極および負極の一方を第１リード相当領域２１Ａに電気的に接続し、正極および負極の他方を第２リード相当領域２２Ａのワイヤ接続領域２２Ｒに電気的に接続する（図３参照）。必要に応じて、保護素子６０を凹部１１内に配置する。

上述したように、素子載置領域２１Ｒに１つの発光素子を配置してもよい。この場合、図１３に例示するように、例えば第１発光素子４１は、第１リード相当領域２１Ａの上面２１ａに設けられた２つの溝部２１ｈの間に配置され得る。

次に、樹脂成形体付リードフレームに形成された複数の凹部１１のそれぞれの内部に光反射性部材５０を形成する。例えば、まず、未硬化の材料をポッティング等によって各凹部１１の内側壁面と第３樹脂部３３との間に付与する。本実施形態では、第３樹脂部３３を素子載置領域２１Ｒの周囲に環状に配置しているので、未硬化の樹脂材料を凹部１１内で移動させても、素子載置領域２１Ｒの中心への樹脂材料の流れを第３樹脂部３３によって堰き止めることができる。したがって、未硬化の樹脂材料の内縁の位置を第３樹脂部３３によって画定でき、光反射性部材５０を形成するための未硬化の樹脂材料を凹部１１の底面１１ｂに適切に配置可能である。その後、凹部１１内の所定の領域に付与された未硬化の樹脂材料を熱、光等により硬化させる。

図４等を参照しながら説明したように、光反射性部材５０は、基本的には、凹部１１の内側壁面と第３樹脂部３３との間に位置する。光反射性部材５０は、樹脂体３０の第３樹脂部３３の少なくとも一部を覆い得る。光反射性部材５０は、図１４に示すように、第３樹脂部３３のうち凹部１１の底面１１ｂから最も離れた部分（すなわち、頂部）を覆っていてもよい。光反射性部材５０が第３樹脂部３３の頂部を覆うことにより、樹脂パッケージ１０の一部である樹脂体３０に対して光反射性部材５０の接する領域が増大する結果、これらの部材間の接合をより強固とし得る。

第１発光素子４１、第２発光素子４２の側面が直接覆われない限りにおいて、光反射性部材５０の一部が素子載置領域２１Ｒ内に位置することは、許容され得る。なお、この場合において、光反射性部材５０が発光素子の側面の少なくても一部から離れていることが好ましく、光反射性部材５０が発光素子の側面の全体から離れていることがより好ましい。発光素子の側面の少なくても一部が発光素子の側面から離れていることにより、第１発光素子４１の側面から出た光または第２発光素子４２の側面から出た光が光反射性部材５０によって反射されて第１発光素子４１または第２発光素子４２によって吸収されることを抑制できる。

図１５は、凹部１１内に位置する光反射性部材の形状の他の例を示す。図１５に示す例では、素子載置領域２１Ｒには、図１３に示す例と同様に１つの第１発光素子４１が配置されている。図１５に例示する構成において、凹部１１内に位置する光反射性部材５０Ａは、樹脂体３０の第３樹脂部３３を越えて素子載置領域２１Ｒに位置する部分を含んでいる。この例では、光反射性部材５０Ａの一部は、第１発光素子４１の近くにまで達している。ただし、第１発光素子４１の側面は、光反射性部材５０Ａに覆われてはいない。

図１５に示す例のように、凹部１１の底面１１ｂのうち素子載置領域２１Ｒの少なくとも一部を被覆するように光反射性部材５０Ａを形成することにより、第１発光素子４１の近傍にまで光反射性部材５０Ａを設けることができる。このとき、発光素子（ここでは第１発光素子４１）の側面が直接覆われないように光反射性部材５０Ａを形成することにより、発光素子の側方に出る光が光反射性部材５０Ａに反射されて発光素子に吸収されることを抑制できる。特に、第１リード相当領域２１Ａに複数の溝部２１ｈを設けてこれらの溝部２１ｈの間に単一の発光素子を配置する構成によれば、光反射性部材５０Ａの内縁の位置を複数の溝部２１ｈによって画定し得る。換言すれば、凹部１１の底面１１ｂに溝部２１ｈを設けることにより、光反射性部材５０Ａの一部を素子載置領域２１Ｒ内に位置させながら、第１発光素子４１の側面が光反射性部材５０Ａに直接覆われることを回避し得る。この例のように、光反射性部材５０Ａの一部を素子載置領域２１Ｒ内に位置させることにより、凹部１１のうち光反射性部材５０で覆われる領域を拡大でき、輝度をさらに向上させる効果が得られることもあり得る。

発光素子（第１発光素子４１または第２発光素子４２）から出射される光に対する、光反射性部材５０の反射率が樹脂体３０の反射率よりも高いと有益である。例えば、光反射性部材５０中に分散された酸化チタン等の光反射性のフィラーの含有量は、樹脂体３０中に分散された光反射性のフィラーの含有量よりも多い。光反射性部材５０中の反射部材の含有量は、樹脂体３０中の光反射性物質の含有量の１．５倍以上であることが好ましく、２倍以上であることがより好ましく、２．５倍以上であることがさらに好ましい。例えば、樹脂体３０を形成するための未硬化の状態の樹脂材料に占める酸化チタンの割合は、１５重量％以上２０重量％以下であり得る。このとき、光反射性部材５０を形成するための未硬化の状態の樹脂材料に占める酸化チタンの割合は、３０重量％以上６０重量％以下であり得る。

図１６は、積層構造を有する光反射性部材の例を示す。図１６に例示する構成において、凹部１１内に位置する光反射性部材５０Ｂは、第１光反射性部材５１と、第１光反射性部材５１上に位置する第２光反射性部材５２とを含む。この例のように、光反射性部材は、２以上の光反射層を含む積層構造を有していてもよい。

凹部１１の底面１１ｂの所定の領域に第１光反射性部材５１を形成した後、第１光反射性部材５１上に第２光反射性部材５２を形成することは、光反射性部材５０Ｂの表面の形状すなわち傾斜面５０ｓの形状の制御を容易にする。第１光反射性部材５１は、第２光反射性部材５２によってその全体が覆われていてもよく、第２光反射性部材５２から露出する部分を有していてもよい。

第１光反射性部材５１の材料と、第２光反射性部材５２の材料とは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。例えば、第１光反射性部材５１の材料と、第２光反射性部材５２の材料との間で、光反射性のフィラーの濃度を異ならせてもよい。この場合、第２光反射性部材５２と比較して、第１光反射性部材５１中の光反射性のフィラーの濃度が低くされていると、第１光反射性部材５１の材料の未硬化の状態での粘度が低くなるために第１光反射性部材５１の形成が容易になり、有利である。また、第２光反射性部材５２中の光反射性のフィラーの濃度が相対的に高いことにより、第２光反射性部材５２の反射率が向上し、光取り出し効率を高めることができる。

第１光反射性部材５１中の光反射性のフィラーの濃度は、第２光反射性部材５２中の光反射性のフィラーの濃度と比較して、重量比で３％以上低いことが好ましく、５％以上低いことがより好ましい。第１光反射性部材５１と第２光反射性部材５２との間のフィラーの濃度差は、重量比で３０％以内であることが好ましく、１０％以内であることがより好ましい。フィラーの濃度差を３０％以内とすることにより、第１光反射性部材５１の反射率が極端に低くなることを抑制できる。

なお、図３、図１４、図１６等に示す例では、第１リード相当領域２１Ａの溝部２１ｈが、第１発光素子４１または第２発光素子４２と重なる位置に形成されている。しかしながら、溝部２１ｈの配置は、この例に限定されず、例えば、第１発光素子４１または第２発光素子４２と、第３樹脂部３３との間であってもよい。このような構成によると、溝部２１ｈは、光反射性部材５０を形成するための未硬化の樹脂材料が第３樹脂部３３を乗り越えて素子載置領域２１Ｒに進入した場合に、樹脂材料が第１発光素子４１または第２発光素子４２にさらに近づくことを防止する機能を発揮し得る。また、これらの例では、溝部２１ｈは、第１リード相当領域２１Ａおよび第２リード相当領域２２Ａが交互に配置された第１方向（図１２中のＹ方向）に概ね平行に延びているが、１以上の溝部２１ｈが、図１７に例示するように第１方向と交差する方向に延びるように形成されてもよい。このような溝部２１ｈの配置によっても、未硬化の樹脂材料が第３樹脂部３３を乗り越えた場合に、未硬化の樹脂材料が第１発光素子４１または第２発光素子４２にさらに近づくことを防止する機能を溝部２１ｈに発揮させ得る。

光反射性部材５０の形成後、第１母材と、第１蛍光体を含む１種以上の蛍光体とを含有する未硬化の材料をポッティング等により光反射性部材５０の表面に付与する。その後、光反射性部材５０の表面に付与された材料を硬化させることにより、波長変換部材８５を形成することができる。

波長変換部材８５の形成後、凹部１１内に位置する封止部材７５を形成する。ここでは、ポッティング等により、第２母材を含有する未硬化の状態の材料で凹部１１内を充填し、充填された材料を硬化させる。上述したように、封止部材７５の材料は、第２母材に加えて、少なくとも第２蛍光体を含む１種以上の蛍光体を含有していてもよい。凹部１１内に充填された材料の硬化により、少なくとも第１発光素子４１および第２発光素子４２ならびに第３樹脂部３３を被覆する封止部材７５を形成することができる。封止部材７５の形成により、複数の発光構造１００Ｌを有する集合基板が得られる。必要に応じ、素子載置領域２１Ｒへの発光素子の配置後、封止部材７５の形成までの間に、被覆部材７５１、７５２等の形成を実行してもよい。

次に、リードカット金型、ダイシングソー、レーザー光等を用い、互いに隣接する２つの発光構造１００Ｌの間の位置で集合基板を切断することにより、集合基板を個片化する。典型的には、集合基板の個片化の工程において、リードフレーム２０２と樹脂体３０とが一括して切断される。以上の工程により、図１に示す発光装置１００が得られる。

以下の工程に従い、複数の発光装置を実施例１のサンプルとして作製し、また、複数の発光装置を参考例１のサンプルとして作製して、実施例１と参考例１との間でスペクトルおよび全光束の比較を行った。

（実施例１）
上述した工程に従い、それぞれが、図８に示す発光装置１００Ａと概ね同様の構造を有する複数の発光装置を製作した。ただし、ここでは、図１０および図１１に示すリードフレーム２０２と同様の構造を有するリードフレームを準備し、各素子載置領域２１Ｒであって２つの溝部２１ｈの間の位置に１つの発光素子を配置した。それら発光素子のそれぞれの上面上には、被覆部材を形成した。樹脂成形体付リードフレームの樹脂体を形成するための材料としては、シリコーン樹脂中に酸化チタンの粒子が分散された樹脂材料を用いた。

樹脂成形体付リードフレームの各凹部の底面への発光素子、ワイヤ等の配置後、上述の手順に従って光反射性部材および波長変換部材を順次形成した。光反射性部材の材料には、母材としてのジメチルシリコーン樹脂と、光反射性のフィラーとしての酸化チタンの粒子とを含有する樹脂材料を用いた。

また、ここでは、波長変換部材を形成するための第１母材としてフェニルシリコーン樹脂を用いた。第１母材には、第１蛍光体としてのＧ−ＹＡＧの粒子とフィラーとしての二酸化ケイ素の粒子とを分散させた。ここで、第１母材の質量を１００としたときの第１蛍光体の質量が１００、フィラーの質量が０．８となるようにして波長変換部材の材料を調製した。このとき、波長変換部材の材料の全体に対する第１蛍光体の質量比は、１００／（１００＋１００＋０．８）＊１００＝５０（％）と計算される（式中、「＊」は、乗算を表す。）。以下では、説明の便宜のために、母材としての樹脂の含有量を１００として換算した、蛍光体全体の質量比を「蛍光体の濃度」と表記する。

ここでは、各ＬＥＤチップの上面を覆う被覆部材の材料として、第３母材と、第３蛍光体と、フィラーとしての二酸化ケイ素の粒子とを含有する樹脂材料を使用した。第３母材には、フェニルシリコーン樹脂を用い、第３蛍光体としてのＳＣＡＳＮの粒子を第３母材中に分散させた。このとき、第３母材の質量を１００としたときの第３蛍光体の質量が６７．２、フィラーの質量が１５．４となるようにして被覆部材の材料を調製した。したがって、実施例１の各サンプルの被覆部材に関する蛍光体の濃度は、およそ３７％である。

ＬＥＤチップおよび被覆部材を覆う封止部材の材料としては、第２母材としてのフェニルシリコーン樹脂、第２蛍光体としてのＬＡＧの粒子、および、フィラーを含有する樹脂材料を用いた。ここでは、第２蛍光体としてのＬＡＧの粒子に加えて、付加的にＧ−ＹＡＧの粒子も第２母材中に分散させた。このとき、第２母材の質量を１００としたときの全ての蛍光体（Ｇ−ＹＡＧおよび第２蛍光体としてのＬＡＧ）の質量が１３．８、フィラーの質量が１５．４となるようにして封止部材の材料を調製した。したがって、実施例１の各サンプルの封止部材に関する蛍光体の濃度は、およそ１１％である。以上の手順により、実施例１のサンプルとして合計で２８個の発光装置を準備した。

（参考例１）
実施例１のサンプルとほぼ同様の手順により、複数の発光装置を作製した。ただし、ここでは、光反射性部材上への波長変換部材の形成は行わなかった。なお、被覆部材の形成において、第３母材の質量を１００としたときの第３蛍光体の質量は、６８．０であった。ただし、参考例１の各サンプルの被覆部材に関する蛍光体の濃度は、およそ３７％であり、実施例１の各サンプルの被覆部材に関する蛍光体の濃度と実質的な差異はないといえる。封止部材の形成においては、第２母材の質量を１００としたときの、Ｇ−ＹＡＧおよび第２蛍光体としてのＬＡＧの全体としての質量が２６．８、フィラーの質量が１５．４となるようにして封止部材の材料を調製した。したがって、参考例１の各サンプルの封止部材に関する蛍光体の濃度は、およそ２７％である。以上の手順により、参考例１のサンプルとして合計で２０個の発光装置を準備した。

（スペクトルの比較）
実施例１のサンプルおよび参考例１のサンプルのそれぞれについて、点灯時のスペクトルを測定し、得られたスペクトルを比較した。図１８は、実施例１のサンプルに関するスペクトルの測定結果を示し、図１９は、参考例１のサンプルに関するスペクトルの測定結果を示す。図１８は、２８個の発光装置から１９個の発光装置を無作為に抽出して、１９個の発光装置のそれぞれについて全光束を測定し、波長ごとの測定値の平均値をプロットしたグラフである。図１８中の横軸および縦軸は、それぞれ、波長および規格化された全光束を表す。ここでは、ＪＩＳ−Ｃ−８１５２：２０１４に準じた方法で、積分球を使った全光束測定により発光スペクトルを測定した。図１９も同様に、参考例１の２０個の発光装置置のそれぞれについて全光束を測定し、波長ごとの測定値の平均値をプロットしたグラフである。

図２０は、実施例１のサンプルに関するスペクトルの測定結果と、参考例１のサンプルに関するスペクトルの測定結果とをあわせて１つに描いた図である。図２０中、黒丸のプロットは、実施例１のサンプルに関するスペクトルの測定結果を示す。他方、参考例１のサンプルに関するスペクトルの測定結果は、実線の曲線のグラフとして図２０中に示されている。図２０からわかるように、実施例１のサンプルと参考例１のサンプルとの間に顕著な差異は確認されなかった。つまり、実施例１のサンプルと参考例１のサンプルとの間で、スペクトルは、実質的に同じであるといってよいことがわかった。つまり、第１発光素子を覆う封止部材中の蛍光体の含有量を低下させたとしても、第１発光素子を取り囲む光反射性部材上に波長変換部材を配置することによって同様のスペクトルを再現可能であることがわかった。

（全光束の比較）
次に、ＪＩＳ Ｃ ８１５２−１：２０１４に準じた方法で実施例１の各サンプルおよび参考例１の各サンプルの全光束を測定した。実施例１の各サンプルについて全光束を測定し、得られた結果の平均値を求めると３６．７ｌｍであった。なお、全光束の測定に際しての各サンプルへの入力電流および入力電圧は、それぞれ、およそ６５ｍＡおよび２．８６Ｖであった。

次に、実施例１の各サンプルと同様にして、参考例１の各サンプルについて全光束を測定した。全光束の測定結果の平均値を求めると３６．９ｌｍであった。図２１は、実施例１に関する全光束の測定結果と、参考例１に関する全光束の測定結果とをあわせて１つの図に示す。参考例１と比較して、実施例１ではより大きな全光束が得られていることがわかった。

本開示の実施形態によれば、素子載置領域に位置する１以上の発光素子を取り囲む光反射性部材上に波長変換部材を配置している。これにより、光反射性部材上に波長変換部材を有しない構成と比較してスペクトルに実質的な差異を生じさせることなく、封止部材中の蛍光体の濃度を低下させることが可能になる。そのため、発光素子の側面付近への蛍光体の堆積を回避することができ、光反射性部材上に波長変換部材を有しない構成と比較して全光束を増大させることが可能になる。

本開示の実施形態による発光装置は、各種照明器具用光源、液晶ディスプレイ等のバックライト用光源、広告もしくは行き先案内等の各種表示装置用光源、プロジェクタ用光源に有用である。本開示の実施形態は、ファクシミリ、コピー機等のスキャナにも有利に適用できる。

１０ 樹脂パッケージ
１１ 樹脂パッケージの凹部
２１ 第１リード
２１Ｒ 素子載置領域
２２ 第２リード
２２Ａ 第２リード相当領域
３０ 樹脂体
３１ 樹脂体の第１樹脂部
３２ 樹脂体の第２樹脂部
３３ 樹脂体の第３樹脂部
４１ 第１発光素子
４２ 第２発光素子
５０、５０Ａ、５０Ｂ 光反射性部材
５１ 第１光反射性部材
５２ 第２光反射性部材
７５、７６ 封止部材
８５ 波長変換部材
１００、１００Ａ、１００Ｂ 発光装置
２０２ リードフレーム
７５１、７５２ 被覆部材

Claims (15)

1. 第１リードおよび第２リードを含む複数のリード、ならびに、第１樹脂部、第２樹脂部および第３樹脂部を含む樹脂体を有する樹脂パッケージであって、前記複数のリード、前記第１樹脂部および前記第２樹脂部により形成される凹部を有する樹脂パッケージと、
   少なくとも１つの発光素子と、
   光反射性部材と、
   第１母材および第１蛍光体を含有する波長変換部材と、
   第２母材を含有する封止部材と
   を備え、
   前記第１樹脂部は、前記樹脂パッケージの外側面を構成し、
   前記第２樹脂部は、前記第１リードと前記第２リードとの間に位置し、
   前記複数のリードの上面の一部は、前記凹部の底面に位置し、
   前記第１リードは、前記凹部の前記底面に位置する素子載置領域を有し、
   前記第３樹脂部は、前記凹部の前記底面より上側の位置にあって前記素子載置領域を環状に取り囲んでおり、
   前記少なくとも１つの発光素子は、前記素子載置領域に配置されており、
   前記光反射性部材は、前記樹脂パッケージの前記凹部内において前記凹部の内側壁面と前記第３樹脂部との間に位置し、
   前記波長変換部材は、前記光反射性部材上に位置し、
   前記封止部材は、前記樹脂パッケージの前記凹部内において前記少なくとも１つの発光素子および前記波長変換部材を覆っている、発光装置。
2. 前記封止部材は、少なくとも第２蛍光体を含有する、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第２蛍光体の発光ピーク波長は、前記第１蛍光体の発光ピーク波長よりも長い、請求項２に記載の発光装置。
4. 前記封止部材中の全ての蛍光体の濃度は、前記波長変換部材中の全ての蛍光体の濃度よりも低い、請求項２または３に記載の発光装置。
5. 前記封止部材中の全ての蛍光体の濃度は、前記波長変換部材中の全ての蛍光体の濃度の0．１倍以上０．５倍未満である、請求項４に記載の発光装置。
6. 前記少なくとも１つの発光素子は、上面および下面を有する第１発光素子を含み、
   前記第１発光素子は、支持基板と、前記支持基板上かつ前記支持基板に関して前記第１リードとは反対側に位置する半導体層とを有し、
   前記第１発光素子の前記上面の高さにおける前記第２蛍光体の濃度は、前記第１発光素子の前記下面の高さにおける前記第２蛍光体の濃度よりも小さい、請求項２から５のいずれかに記載の発光装置。
7. 前記第１発光素子の前記上面上に位置する被覆部材をさらに備え、
   前記封止部材は、前記樹脂パッケージの前記凹部内において前記被覆部材を覆っており、
   前記被覆部材は、第３母材および第３蛍光体を含有し、
   前記第３蛍光体の発光ピーク波長は、前記第１蛍光体の発光ピーク波長よりも長い、請求項６に記載の発光装置。
8. 前記第２母材および前記第３母材は、前記第２母材の屈折率をｎ_２、前記第３母材の屈折率をｎ_３としたとき、｜ｎ_２−ｎ_３｜≦０．０５の関係を満たす、請求項７に記載の発光装置。
9. 前記第１母材および前記第２母材は、前記第１母材の屈折率をｎ_１、前記第２母材の屈折率をｎ_２としたとき、｜ｎ_１−ｎ_２｜≦０．０５の関係を満たす、請求項１から８のいずれかに記載の発光装置。
10. 前記光反射性部材は、前記第１母材よりも小さな屈折率を有する第４母材を含有する、請求項１から９のいずれかに記載の発光装置。
11. 前記波長変換部材は、前記発光素子から離れている、請求項１から１０のいずれかに記載の発光装置。
12. 前記波長変換部材は、前記複数のリードから離れている、請求項１から１１のいずれかに記載の発光装置。
13. 前記波長変換部材は、平面視において前記発光素子を連続的に取り囲む形状を有する、請求項１から１２のいずれかに記載の発光装置。
14. 前記波長変換部材は、前記樹脂体の前記第３樹脂部の少なくとも一部を覆う、請求項１から１３のいずれかに記載の発光装置。
15. 前記光反射性部材の表面は、前記樹脂体の前記第１樹脂部に向かって窪んだ凹面形状を有する、請求項１から１４のいずれかに記載の発光装置。

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