JP2014192326A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】Ｂステージの蛍光体シートを用いながら、製造効率の向上を図りつつ、製造条件の精度を向上させることによって、発光信頼性に優れる光半導体装置を得ることのできる光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】試作品６を試作して評価する試作工程Ｓ１、試作品６の評価に基づいて、ＬＥＤ装置１を製造するための製造条件を決定する決定工程Ｓ２、および、決定工程Ｓ２で決定される製造条件に基づいて、Ｂステージの蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆し、その蛍光体シート２をＣステージ化する、ＬＥＤ装置１を製造する製造工程Ｓ３を備え、試作工程Ｓ１は、蛍光体および硬化性樹脂を含むワニスを調製するワニス調製工程Ｓ５、ワニスからＢステージの蛍光体シート２を形成するＢステージ化工程Ｓ６、Ｂステージの蛍光体シート２をＣステージ化するＣステージ化工程Ｓ７およびＣステージの蛍光体シート２を評価する評価工程Ｓ８を備える。
【選択図】図２
【解決手段】試作品６を試作して評価する試作工程Ｓ１、試作品６の評価に基づいて、ＬＥＤ装置１を製造するための製造条件を決定する決定工程Ｓ２、および、決定工程Ｓ２で決定される製造条件に基づいて、Ｂステージの蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆し、その蛍光体シート２をＣステージ化する、ＬＥＤ装置１を製造する製造工程Ｓ３を備え、試作工程Ｓ１は、蛍光体および硬化性樹脂を含むワニスを調製するワニス調製工程Ｓ５、ワニスからＢステージの蛍光体シート２を形成するＢステージ化工程Ｓ６、Ｂステージの蛍光体シート２をＣステージ化するＣステージ化工程Ｓ７およびＣステージの蛍光体シート２を評価する評価工程Ｓ８を備える。
【選択図】図２
Description
本発明は、光半導体装置の製造方法、詳しくは、蛍光体シートによって光半導体素子を被覆する光半導体装置の製造方法に関する。
従来、蛍光体を含む蛍光体シートによってＬＥＤを被覆して封止し、ＬＥＤ装置を製造することが知られている。
このようなＬＥＤ装置では、ＬＥＤから発光される光を蛍光体シートによって波長変換し、波長変換された光を外部に照射している。
ＬＥＤ装置から照射される光の色温度は、ＬＥＤの発光波長に加え、さらに、例えば、蛍光体シートの光学特性、具体的には、蛍光体シートの形状、蛍光体シートのＬＥＤに対する配置、蛍光体シートにおける蛍光体の含有割合などに大きく依存する。
そこで、所望の色温度の光を照射することのできるＬＥＤ装置の製造方法として、以下の方法が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
すなわち、特許文献１では、蛍光体が注入された柔軟なカプセル材料から蛍光体シートを予備形成し、この蛍光体シートを、基板に実装されたＬＥＤにかぶせ、その後、ＬＥＤに電圧を印加して、ＬＥＤを発光させ、色温度を測定して検査する。
検査において、色温度が適切であれば、検査後に、加熱によって、蛍光体シートを硬化させてＬＥＤおよび基板に対して恒久的にラミネート処理する。
一方、検査において、色温度が適切でなければ、検査後に、蛍光体シートをＬＥＤおよび基板から引き剥がし、次いで、別の種類の蛍光体シートを、再度、基板に実装されたＬＥＤにかぶせ、その後、上記と同様に、検査する。
特許文献１で提案される方法は、色温度が適切でなければ、蛍光体シートを別の蛍光体シートに取り替える一方、基板に実装されるＬＥＤはそのまま再利用できるため、基板およびＬＥＤの歩留まりを向上させている。
しかしながら、上記した特許文献１で提案される方法では、硬化前の蛍光体層は、硬化によって、硬化収縮に伴う反りなどの変形を生じ易く、そうすると、ＬＥＤから発光された光の、蛍光体層における光路長が変化する。そのため、硬化した蛍光体層の光学特性と、検査時の硬化前の蛍光体層の光学特性とに、大きなずれ（変動）を生じる。
その結果、目的とするＬＥＤ装置が得られにくいという不具合がある。
また、特許文献１で提案される方法において、硬化前の蛍光体シートを、検査の前に硬化させると、検査において、色温度が適切でない場合には、Ｃステージ化した蛍光体シートが基板およびＬＥＤに接着されているので、基板およびＬＥＤを再利用できないという不具合がある。
さらに、特許文献１で提案される方法によれば、そもそも、製品毎に検査して、色温度が適切であるか否かを判断し、適切でない場合には、その都度、蛍光体シートを取り替えるので、ＬＥＤ装置の製造効率を十分に向上させることができないという不具合がある。
本発明の目的は、Ｂステージの蛍光体シートを用いながら、製造効率の向上を図りつつ、製造条件の精度を向上させることによって、発光信頼性に優れる光半導体装置を得ることのできる光半導体装置の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の光半導体装置の製造方法は、蛍光体シートによって光半導体素子を被覆する光半導体装置の製造方法であり、試作品を試作して評価する試作工程、前記試作品の評価に基づいて、前記光半導体装置を製造するための製造条件を決定する決定工程、および、前記決定工程で決定される前記製造条件に基づいて、Ｂステージの前記蛍光体シートによって前記光半導体素子を被覆し、その蛍光体シートをＣステージ化する、前記光半導体装置を製造する製造工程を備え、前記試作工程は、蛍光体および硬化性樹脂を含むワニスを調製するワニス調製工程、前記ワニスからＢステージの前記蛍光体シートを形成するＢステージ化工程、Ｂステージの前記蛍光体シートをＣステージ化するＣステージ化工程、および、Ｃステージの前記蛍光体シートを評価する評価工程を備えることを特徴としている。
この方法によれば、決定工程は、Ｃステージの蛍光体シートを含む試作品の評価に基づいて、製造条件を決定する。そして、製造工程は、決定工程で決定された製造条件に基づいて、光半導体装置を製造する。
そうすると、評価対象となる試作品の蛍光体シートは、Ｃステージである。そのため、製造条件には、蛍光体シートにおいて、上記したＣステージ化に起因する光学特性の変動が考慮されている。
その結果、製造工程においては、発光信頼性に優れる光半導体装置を製造することができる。
しかも、試作品の評価に基づいて決定された製造条件に基づいて、光半導体装置を製造するので、優れた精度で光半導体装置を量産することができる。そのため、光半導体装置の製造効率を十分に向上させることができる。
また、本発明の光半導体装置の製造方法において、前記Ｃステージ化工程では、前記蛍光体シートによって前記光半導体素子を被覆し、前記評価工程では、前記蛍光体シートによって前記光半導体素子が被覆される前記光半導体装置を評価することが好適である。
この方法によれば、Ｃステージ化工程では、蛍光体シートによって光半導体素子を被覆する。つまり、蛍光体シートによって光半導体素子を被覆した試作品と、実際の製品としての光半導体装置とを、同一の構成とすることができる。
そのため、実際の製品と構成が同一である試作品の評価に基づいて、実際の製品の製造条件を決定することができる。
その結果、製造条件をより一層精度よく決定することができ、発光信頼性により一層優れる光半導体装置を製造することができる。
また、本発明の光半導体装置の製造方法では、前記試作工程は、前記試作品を今回試作するための試作条件を、前記試作品を今回以前に試作した試作条件および評価の情報に基づいて、決定する試作条件決定工程をさらに備えることが好適である。
この方法によれば、試作品を今回試作するための試作条件を、試作品を今回以前に試作した試作条件および評価の情報に基づいて、決定するので、今回以前に試作した試作条件を蓄積することができ、蓄積した試作条件および評価に基づいて、製造条件の精度を向上させることができる。そのため、発光信頼性に優れる光半導体装置を得ることができる。
本発明によれば、製造条件をより一層精度よく決定することができ、発光信頼性により一層優れる光半導体装置を得ることができる。また、光半導体装置の製造効率を十分に向上させることができる。
図１〜図８を参照して、本発明の光半導体装置の製造方法の一実施形態であるＬＥＤ装置１の製造方法を説明する。
ＬＥＤ装置１の製造方法は、図８が参照されるように、蛍光体シート２によって光半導体素子としてのＬＥＤ３を被覆する光半導体装置としてのＬＥＤ装置１を製造する方法である。
ＬＥＤ装置１の製造方法は、図１に示すように、試作品６を試作して評価する試作工程Ｓ１、試作品６の評価に基づいて、ＬＥＤ装置１を製造するための製造条件を決定する決定工程Ｓ２、および、決定工程で決定される製造条件に基づいて、Ｂステージの蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆し、その蛍光体シート２をＣステージ化する、ＬＥＤ装置１を製造する製造工程Ｓ３を備える。
［試作工程Ｓ１］
試作工程Ｓ１は、次に説明する製造工程Ｓ３と同一の製造装置（製造設備）を利用する。また、試作工程Ｓ１は、製造工程Ｓ３において量産するＬＥＤ装置１に比べて、相対的に少量の試作品６を試作する。試作工程Ｓ１で試作するＬＥＤ装置１の数は、例えば、１００以下、好ましくは、１０以下であり、例えば、１以上である。つまり、試作工程Ｓ１では、小規模で試作品６を試作する。なお、ＬＥＤ装置１の数は、ＬＥＤ３の数に関係なく、１つの基板５に対応して、１つとして数えられる。
試作工程Ｓ１は、次に説明する製造工程Ｓ３と同一の製造装置（製造設備）を利用する。また、試作工程Ｓ１は、製造工程Ｓ３において量産するＬＥＤ装置１に比べて、相対的に少量の試作品６を試作する。試作工程Ｓ１で試作するＬＥＤ装置１の数は、例えば、１００以下、好ましくは、１０以下であり、例えば、１以上である。つまり、試作工程Ｓ１では、小規模で試作品６を試作する。なお、ＬＥＤ装置１の数は、ＬＥＤ３の数に関係なく、１つの基板５に対応して、１つとして数えられる。
試作工程Ｓ１は、図２に示すように、試作条件決定工程Ｓ４と、蛍光体および硬化性樹脂を含むワニスを調製するワニス調製工程Ｓ５、ワニスからＢステージの蛍光体シート２を形成するＢステージ化工程Ｓ６、Ｂステージの蛍光体シート２をＣステージ化するＣステージ化工程Ｓ７、および、Ｃステージの蛍光体シート２を評価する評価工程Ｓ８を備える。
試作工程Ｓ１において、ワニス調製工程Ｓ５、Ｂステージ化工程Ｓ６およびＣステージ化工程Ｓ７のそれぞれは、試作条件決定工程Ｓ４で決定された試作条件に基づいて、実施される。
＜試作条件決定工程Ｓ４＞
試作条件決定工程Ｓ４は、試作品６を今回試作するための試作条件を、試作品６を今回以前に試作した試作条件および評価の情報に基づいて、決定する工程である。
試作条件決定工程Ｓ４は、試作品６を今回試作するための試作条件を、試作品６を今回以前に試作した試作条件および評価の情報に基づいて、決定する工程である。
試作条件の情報としては、例えば、ワニスに関する情報、基板５に関する情報、蛍光体シート２に関する情報などが挙げられる。ワニスに関する情報としては、例えば、蛍光体の配合割合、最大長さの平均値（球形状である場合には、平均粒子径）、吸収ピーク波長、例えば、Ａステージの硬化性樹脂の種類、粘度、配合割合などが挙げられる。基板５に関する情報としては、例えば、基板５の外形形状、寸法、表面形状（凹部の有無）、例えば、基板５に実装されるＬＥＤ３の形状、寸法、発光ピーク波長、基板５の単位面積当たりのＬＥＤ３の実装数、１つの基板５当たりのＬＥＤ３の実装数などが挙げられる。蛍光体シート２に関する情報としては、例えば、ワニス７の塗布条件（具体的には、ワニス７の形状、厚みなど）、Ｂステージ化におけるワニス７の加熱条件、活性エネルギー線の照射条件、例えば、Ｃステージ化における蛍光体シート２の加熱条件、活性エネルギー線の照射条件、プレス条件、Ｃステージの蛍光体シート２の厚みなどが挙げられる。
評価の情報としては、例えば、試作品６の色温度、試作品６の全光束などが挙げられる。
試作条件を決定するには、過去の試作条件および評価の情報に基づいて、今回試作するＬＥＤ装置１における目標が色温度および／または全光束となるように、今回試作するための試作条件を決定する。
なお、今回以前に試作した試作条件および評価の情報は、この製造方法の工程を管理するコンピュータのメモリなどに記憶されている。
＜ワニス調製工程Ｓ５＞
ワニス調製工程Ｓ５では、まず、蛍光体および硬化性樹脂のそれぞれを用意し、これらを混合して、ワニスを蛍光体含有硬化性樹脂組成物として調製する。
ワニス調製工程Ｓ５では、まず、蛍光体および硬化性樹脂のそれぞれを用意し、これらを混合して、ワニスを蛍光体含有硬化性樹脂組成物として調製する。
蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
蛍光体の吸収ピーク波長は、例えば、３００ｎｍ以上、好ましくは、４３０ｎｍ以上であり、また、例えば、５５０ｎｍ以下、好ましくは、４７０ｎｍ以下である。
蛍光体は、単独使用または併用することができる。
蛍光体の配合割合は、硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
硬化性樹脂としては、例えば、２段階の反応機構を有しており、１段階目の反応でＢステージ化（半硬化）し、２段階目の反応でＣステージ化（完全硬化）する２段階硬化型樹脂が挙げられる。
２段階硬化型樹脂としては、例えば、加熱により硬化する２段階硬化型熱硬化性樹脂、例えば、活性エネルギー線（例えば、紫外線、電子線など）の照射により硬化する２段階硬化型活性エネルギー線硬化性樹脂などが挙げられる。好ましくは、２段階硬化型熱硬化性樹脂が挙げられる。
具体的には、２段階硬化型熱硬化型樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、透光性および耐久性の観点から、２段階硬化型シリコーン樹脂が挙げられる。
２段階硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、縮合反応と付加反応との２つの反応系を有する縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。
このような縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、シラノール両末端ポリシロキサン、アルケニル基含有トリアルコキシシラン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第１の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、シラノール基両末端ポリシロキサン（後述する式（１）参照）、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物（後述する式（２）参照）、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物（後述する式（３）参照）、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、両末端シラノール型シリコーンオイル、アルケニル基含有ジアルコキシアルキルシラン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第３の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、１分子中に少なくとも２個のアルケニルシリル基を有するオルガノポリシロキサン、１分子中に少なくとも２個のヒドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒および硬化遅延剤を含有する第４の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、少なくとも２つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも２つのヒドロシリル基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒およびヒドロシリル化抑制剤を含有する第５の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、少なくとも２つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも２つのシラノール基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化抑制剤、および、ヒドロシリル化触媒を含有する第６の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、ケイ素化合物、および、ホウ素化合物またはアルミニウム化合物を含有する第７の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、ポリアルミノシロキサンおよびシランカップリング剤を含有する第８の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。
縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂として、好ましくは、第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂が挙げられ、具体的には、特開２０１０−２６５４３６号公報などに詳細に記載され、例えば、シラノール基両末端ポリジメチルシロキサン、ビニルトリメトキシシラン、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシラン、ジメチルポリシロキサン−ｃｏ−メチルハイドロジェンポリシロキサン、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび白金−カルボニル錯体を含有する。具体的には、第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂は、例えば、まず、縮合原料であるエチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物およびエチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物と、縮合触媒とを一度に加え、次いで、付加原料であるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを加え、その後、ヒドロシリル化触媒（付加触媒）を加えることによって、調製される。
これによって、Ａステージの２段階硬化型樹脂を調製する。
Ａステージの２段階硬化型樹脂の粘度は、例えば、３０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、５０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、２００００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、１１０００ｍＰａ・ｓ以下である。なお、Ａステージの２段階硬化型樹脂の粘度は、Ａステージの２段階硬化型樹脂を２５℃に温度調節し、Ｅ型コーンを用いて、回転数９９ｓ−１で測定される。以下の粘度は、上記と同様の方法によって、測定される。
２段階硬化型樹脂の配合割合は、蛍光体含有硬化性樹脂組成物（ワニス）に対して、例えば、３０質量％以上、好ましくは、４０質量％以上、より好ましくは、５０質量％以上であり、また、例えば、９８質量％以下、好ましくは、９５質量％以下、より好ましくは、９０質量％以下である。
また、蛍光体含有硬化性樹脂組成物には、必要により、充填剤および／または溶媒を含有させることもできる。
充填剤としては、例えば、シリコーン粒子（具体的には、シリコーンゴム粒子を含む）などの有機微粒子、例えば、シリカ（例えば、煙霧シリカなど）、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子が挙げられる。また、充填剤の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。充填剤は、単独使用または併用することができる。充填剤の配合割合は、硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
溶媒としては、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、例えば、キシレンなどの芳香族炭化水素、例えば、ビニルメチル環状シロキサン、両末端ビニルポリジメチルシロキサンなどのシロキサンなどが挙げられる。溶媒は、蛍光体含有硬化性樹脂組成物が後述する粘度となるような配合割合で、蛍光体含有硬化性樹脂組成物に配合される。
蛍光体含有硬化性樹脂組成物を調製するには、２段階硬化型樹脂と、蛍光体と、必要により配合される充填剤および／または充填剤とを、配合して混合する。
蛍光体含有硬化性樹脂組成物を調製するには、具体的には、図４に示すように、撹拌機５１を備える混合容器５２内に上記した各成分を、決定工程Ｓ２において決定された、ワニスに関する情報、具体的には、例えば、蛍光体の配合割合、蛍光体の吸収ピーク波長、最大長さの平均値（球形状である場合には、平均粒子径）、例えば、Ａステージの硬化性樹脂の種類、粘度、配合割合などに基づいて、配合する。続いて、撹拌機５１を用いてそれらを混合する。
これによって、ワニスをＡステージの蛍光体含有硬化性樹脂組成物として調製する。
ワニスの２５℃、１気圧の条件下における粘度は、例えば、１，０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、４，０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、１，０００，０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、１００，０００ｍＰａ・ｓ以下である。
＜Ｂステージ化工程Ｓ６＞
図２に示すＢステージ化工程Ｓ６では、ワニスからＢステージの蛍光体シート２を形成する。
図２に示すＢステージ化工程Ｓ６では、ワニスからＢステージの蛍光体シート２を形成する。
Ｂステージの蛍光体シート２を形成するには、図５に示すように、例えば、まず、ワニスを、離型シート４の表面に塗布する。
離型シート４としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーフィルムが挙げられる。また、離型シート４の表面には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。また、離型シート４の形状は、特に限定されず、例えば、平面視略矩形状（短冊状、長尺状を含む）などに形成されている。
ワニスを離型シート４の表面に塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置が用いられる。好ましくは、図５に示すディスペンサ１３が用いられる。
また、蛍光体シート２の厚みが、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下となるように、ワニスを離型シート４に塗布する。
ワニス７は、平面視において、例えば、略矩形状（短冊状、長尺状を含む）、例えば、円形状など、適宜の形状に塗布される。上記した形状を構成するワニス７は、互いに間隔を隔てて形成されていてもよい。
また、ワニス７を、例えば、平面視略矩形状（長尺状を除く）の離型シート４に塗布して、次に説明するＢステージ化によって、枚葉式の蛍光体シート２としたり、あるいは、長尺状の離型シート４に連続して塗布して、次に説明するＢステージ化によって、連続式の蛍光体シート２とすることもできる。なお、蛍光体シート２を枚葉式とする場合であって、同一の離型シート４において、複数の蛍光体シート２を製造する場合には、ワニス７を断続的に塗布する。
その後、塗布されたワニス７をＢステージ化（半硬化）する。
ワニス７が２段階硬化型熱硬化性樹脂を含有する場合には、例えば、塗布されたワニス７を、加熱する。
ワニス７を加熱するには、例えば、図６に示すように、離型シート４の上側および／または下側に対向配置されるヒータ５４を備えるオーブン５５が用いられる。
加熱条件は、加熱温度が、例えば、４０℃以上、好ましくは、８０℃以上、より好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１５０℃以下、より好ましくは、１４０℃以下である。加熱時間は、例えば、１分間以上、好ましくは、５分間以上、より好ましくは、１０分間以上であり、また、例えば、２４時間以下、好ましくは、１時間以下、より好ましくは、０．５時間以下である。
あるいは、ワニス７が２段階硬化型活性エネルギー線硬化性樹脂を含有する場合には、ワニス７に活性エネルギー線を照射する。具体的には、紫外線ランプなどを用いてワニス７に紫外線を照射する。
これによって、ワニス７は、Ｂステージ化（半硬化）する一方、Ｃステージ化（完全硬化）せず、すなわち、Ｃステージ化（完全硬化）前の蛍光体シート２、すなわち、Ｂステージの蛍光体シート２が形成される。
これによって、図６に示すように、離型シート４の表面に積層されるＢステージの蛍光体シート２を製造する。
具体的には、決定工程Ｓ２において決定された、ワニス７の塗布条件（具体的には、ワニス７の形状、厚みなど）、Ｂステージ化におけるワニス７の加熱条件、活性エネルギー線の照射条件に基づいて、ワニス７からＢステージの蛍光体シート２を形成する。
このシート製造工程Ｓ３で製造された蛍光体シート２の２５℃における圧縮弾性率は、例えば、０．０４０ＭＰａ以上、好ましくは、０．０５０ＭＰａ以上、より好ましくは、０．０７５ＭＰａ以上、さらに好ましくは、０．１００ＭＰａ以上であり、また、例えば、０．１４５ＭＰａ以下、好ましくは、０．１４０ＭＰａ以下、より好ましくは、０．１３５ＭＰａ以下、さらに好ましくは、０．１２５ＭＰａ以下である。
圧縮弾性率が上記した上限を超えると、Ｃステージ化工程Ｓ７において、蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆する際に、ＬＥＤ３が基板５にワイヤボンディング接続されている場合には、ワイヤ（図示せず）が変形する場合がある。
一方、圧縮弾性率が上記した下限に満たないと、蛍光体シート２の形状を確保することが困難となる。つまり、ワニス７が蛍光体シート２の形状を成さない場合がある。
その後、必要により、連続式のＢステージの蛍光体シート２を、連続する離型シート４とともに、所定形状に切断して、枚葉式の蛍光体シート２とすることもできる。
＜Ｃステージ化工程Ｓ７＞
図２に示すＣステージ化工程Ｓ７では、図７および図８に示すように、まず、Ｂステージの蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆して、次いで、Ｂステージの蛍光体シート２をＣステージ化する。
図２に示すＣステージ化工程Ｓ７では、図７および図８に示すように、まず、Ｂステージの蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆して、次いで、Ｂステージの蛍光体シート２をＣステージ化する。
Ｂステージの蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆するには、図７に示すように、まず、ＬＥＤ３が実装された基板５を用意する。
基板５は、例えば、シリコン基板、セラミック基板、ポリイミド樹脂基板、金属基板に絶縁層が積層された積層基板などの絶縁基板からなる。
また、基板５の表面には、次に説明するＬＥＤ３の端子（図示せず）と電気的に接続するための電極（図示せず）と、それに連続する配線とを備える導体パターン（図示せず）が形成されている。導体パターンは、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。
また、基板５の表面は、平坦状に形成されている。あるいは、図示しないが、基板５におけるＬＥＤ３が実装される表面に、下方に向かって凹む凹部が形成されていてもよい。
基板５の外形形状は、特に限定されず、例えば、平面視略矩形状、平面視略円形状などが挙げられる。基板５の寸法は適宜選択され、例えば、最大長さが、例えば、２ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、３００ｍｍ以下、好ましくは、１００ｍｍ以下である。
ＬＥＤ３は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する光半導体素子であり、例えば、厚みが面方向長さ（厚み方向に対する直交方向長さ）より短い断面視略矩形状に形成されている。
ＬＥＤ３としては、例えば、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）が挙げられる。ＬＥＤ３の寸法は、用途および目的に応じて適宜設定され、具体的には、厚みが、例えば、１０〜１０００μｍ、最大長さが、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。
ＬＥＤ３の発光ピーク波長は、例えば、４００ｎｍ以上、好ましくは、４３０ｎｍ以上であり、また、例えば、５００ｎｍ以下、好ましくは、４７０ｎｍ以下である。
ＬＥＤ３は、基板５に対して、例えば、フリップチップ実装され、あるいは、ワイヤボンディング接続されている。
また、ＬＥＤ３を、１つの基板５に対して図５に示すように、複数（図７では３つ）実装することができる。１つの基板５当たりのＬＥＤ３の実装数は、例えば、１以上、好ましくは、４以上であり、また、例えば、２０００以下、好ましくは、４００以下である。
そして、ＬＥＤ３が実装される基板５は、決定工程Ｓ２において決定された、上記した基板５に関する情報、例えば、基板５の外形形状、寸法、表面形状（凹部の有無）、例えば、基板５に実装されるＬＥＤ３の形状、寸法、ＬＥＤ３の発光ピーク波長、基板５の単位面積当たりのＬＥＤ３の実装数、１つの基板５当たりのＬＥＤ３の実装数などに基づいて、選択されて用意される。
次いで、この方法では、ＬＥＤ３が実装された基板５を、図７に示すプレス機２０に設置する。
プレス機２０としては、例えば、上下方向に間隔を隔てて対向配置される２枚の平板２１を備える平板プレス機などが採用される。
ＬＥＤ３が実装された基板５を、図７に示すプレス機２０に設置するには、具体的には、ＬＥＤ３が実装された基板５を、下側の平板２１に設置する。
続いて、離型シート４の上面に積層される蛍光体シート２（図６参照）を、上下反転させて、ＬＥＤ３の上側に対向配置させる。つまり、蛍光体シート２を、ＬＥＤ３に向かうように、配置する。
次いで、図８に示すように、蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆する。具体的には、蛍光体シート２によってＬＥＤ３を埋設する。
また、決定工程Ｓ２において決定されたプレス条件に基づいて、蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆する。
具体的には、図７の矢印で示すように、蛍光体シート２を降下させる（押し下げる）。詳しくは、蛍光体シート２をＬＥＤ３が実装される基板５に対してプレスする。
プレス圧は、例えば、０．０５ＭＰａ以上、好ましくは、０．１ＭＰａ以上であり、また、例えば、１ＭＰａ以下、好ましくは、０．５ＭＰａ以下である。
これによって、蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆する。つまり、ＬＥＤ３が蛍光体シート２内に埋設される。
これによって、蛍光体シート２によって、ＬＥＤ３を封止する。
その後、蛍光体シート２をＣステージ化する。
例えば、決定工程Ｓ２において決定された、Ｃステージ化における蛍光体シート２の加熱条件、活性エネルギー線の照射条件に基づいて、蛍光体シート２をＣステージ化する。
具体的には、２段階硬化型樹脂が２段階硬化型熱硬化性樹脂である場合には、蛍光体シート２を加熱する。具体的には、平板２１による蛍光体シート２に対するプレス状態を維持しながら、オーブン内に投入する。これによって、蛍光体シート２を加熱する。
加熱温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１０分間以上、好ましくは、３０分間以上であり、また、例えば、１０時間以下、好ましくは、５時間以下である。
蛍光体シート２の加熱によって、蛍光体シート２がＣステージ化（完全硬化）する。
なお、２段階硬化型樹脂が２段階硬化型活性エネルギー線硬化性樹脂である場合には、蛍光体シート２に活性エネルギー線を照射することによって、蛍光体シート２をＣステージ化（完全硬化）させる。具体的には、紫外線ランプなどを用いて蛍光体シート２に紫外線を照射する。
これによって、蛍光体シート２と、蛍光体シート２によって封止されるＬＥＤ３と、ＬＥＤ３が実装された基板５とを備える、試作品６が試作される。
図８では、１つの試作品６において、複数（３つ）のＬＥＤ３が設けられている。
その後、離型シート４を、図８の仮想線で示すように、蛍光体シート２から引き剥がす。
なお、その後、必要により、複数のＬＥＤ３が１つの基板５に実装される場合には、各ＬＥＤ３に対応して、蛍光体シート２を切断して個片化することもできる。
＜評価工程Ｓ８＞
評価工程Ｓ８において、Ｃステージの蛍光体シート２を評価するには、例えば、試作品６（具体的には、蛍光体シート２によってＬＥＤ３が被覆される試作品６）の基板５の導体パターン（図示せず）に電流を流し、ＬＥＤ３を発光させる点灯試験を実施する。
評価工程Ｓ８において、Ｃステージの蛍光体シート２を評価するには、例えば、試作品６（具体的には、蛍光体シート２によってＬＥＤ３が被覆される試作品６）の基板５の導体パターン（図示せず）に電流を流し、ＬＥＤ３を発光させる点灯試験を実施する。
具体的には、点灯試験では、試作品６の基板５に電流を流し、電流を流した直後の光の色温度および／または全光束を測定する。
具体的には、試作品６を点灯試験に供したときに、光の色温度の測定値が、試作品６の評価として、図２に示す記録工程Ｓ９において、記録される。
具体的には、記録工程Ｓ９では、試作品６の試作条件および評価が、記録されて、過去（以前）の試作品６の情報として保管される。
［決定工程Ｓ２］
決定工程Ｓ２は、試作工程Ｓ１の後に実施される工程である。決定工程Ｓ２では、試作品６の評価に基づいて、ＬＥＤ装置１を製造するための製造条件を決定する。
決定工程Ｓ２は、試作工程Ｓ１の後に実施される工程である。決定工程Ｓ２では、試作品６の評価に基づいて、ＬＥＤ装置１を製造するための製造条件を決定する。
例えば、試作工程Ｓ１において記録された試作条件および評価に基づいて、製造条件を決定する。
具体的には、試作品６の光の色温度の測定値が目標の範囲内にあれば、記録工程Ｓ９において記録された試作条件がそのまま製造条件となる。
目標とする光の色が昼白色である場合には、目標となる色温度が、例えば、４６００Ｋ以上であり、また、例えば、５５００Ｋ以下である。また、目標とする光の色が温白色である場合には、目標となる色温度が、例えば、３２５０Ｋ以上であり、また、例えば、３８００Ｋ以下である。
一方、試作品６の光の色温度の測定値が目標となる範囲外にあれば、記録工程Ｓ９において記録された試作条件および評価から、目標となる色温度となるように製造条件を決定する。具体的には、目標となる色温度となるように、試作条件を修正して、製造条件とする。例えば、上記したように、ワニスに関する情報、基板５に関する情報、蛍光体シート２に関する情報を修正し、好ましくは、ワニスに関する情報を修正し、より好ましくは、蛍光体の配合割合、蛍光体の形状、蛍光体の最大長さの平均値、蛍光体の吸収ピーク波長などを修正して、製造条件とする。
［製造工程Ｓ３］
図１が参照されるように、製造工程Ｓ３は、決定工程Ｓ２の後に実施される工程である。製造工程Ｓ３は、決定工程Ｓ２で決定される製造条件に基づいて、ＬＥＤ装置１を製造する工程である。
図１が参照されるように、製造工程Ｓ３は、決定工程Ｓ２の後に実施される工程である。製造工程Ｓ３は、決定工程Ｓ２で決定される製造条件に基づいて、ＬＥＤ装置１を製造する工程である。
製造工程Ｓ３は、図３に示すように、ワニス調製工程Ｓ１１、Ｂステージ化工程Ｓ１２およびＣステージ化工程Ｓ１３を備える。
製造工程Ｓ３（図１）では、ワニス調製工程Ｓ１１、Ｂステージ化工程Ｓ１２およびＣステージ化工程Ｓ１３のそれぞれを、決定工程Ｓ２で決定される製造条件に基づく以外は、試作工程Ｓ１におけるワニス調製工程Ｓ５、Ｂステージ化工程Ｓ６およびＣステージ化工程Ｓ７のそれぞれ（図２）と同様にして実施する。
これによって、試作品６と同一構造のＬＥＤ装置１を製造する。
製造工程Ｓ３において量産するＬＥＤ装置１の数は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上、より好ましくは、１０００以上であり、また、例えば、１０００００以下である。
そして、この方法によれば、決定工程Ｓ２は、Ｃステージの蛍光体シート２を含む試作品６の評価に基づいて、製造条件を決定する。そして、製造工程Ｓ３は、決定工程で決定された製造条件に基づいて、ＬＥＤ装置１を製造する。
そうすると、評価対象となる試作品６の蛍光体シート２は、Ｃステージである。そのため、製造条件には、蛍光体シート２において、上記したＣステージ化に起因する光学特性の変動が考慮されている。具体的には、製造条件には、ステージ化によって、硬化収縮に伴う反りなどの変形に起因する蛍光体シート２の光学特性の変動が予め織り込まれることとなる。
その結果、製造工程Ｓ３においては、発光信頼性に優れるＬＥＤ装置１を製造することができる。
しかも、試作品６の評価に基づいて決定された製造条件に基づいて、ＬＥＤ装置１を製造するので、優れた精度でＬＥＤ装置１を量産（つまり、大量生産）することができる。そのため、ＬＥＤ装置１の製造効率を十分に向上させることができる。
なお、試作工程Ｓ１および決定工程Ｓ２は、異なるタイプのＬＥＤ装置１の量産をするための製造工程Ｓ３の前に実施される。さらには、試作工程Ｓ１および決定工程Ｓ２は、蛍光体および／またはＬＥＤ３のロット変更された場合には、それらの変更毎に、具体的には、蛍光体の最大長さの平均値、吸収ピーク波長や、ＬＥＤ３の発光ピーク波長の変更毎に、実施される。
（変形例）
図８に示す実施形態では、Ｃステージ化工程Ｓ７において、まず、Ｂステージの蛍光体シートによってＬＥＤ３を被覆して、次いで、Ｂステージの蛍光体シート２をＣステージ化している。しかし、例えば、図６が参照されるように、離型シート４に積層されるＢステージの蛍光体シート２を、そのまま、Ｃステージ化することもできる。
図８に示す実施形態では、Ｃステージ化工程Ｓ７において、まず、Ｂステージの蛍光体シートによってＬＥＤ３を被覆して、次いで、Ｂステージの蛍光体シート２をＣステージ化している。しかし、例えば、図６が参照されるように、離型シート４に積層されるＢステージの蛍光体シート２を、そのまま、Ｃステージ化することもできる。
その場合には、評価工程Ｓ８において、Ｃステージの蛍光体シート２の硬化収縮に伴う反り量を測定する。反り量は、蛍光体シート２における中央部が下側に凹む凹み量と、周端部が上側に突出する突出量との差として得られる。
好ましくは、図８に示す実施形態のように、Ｃステージ化工程Ｓ７において、まず、Ｂステージの蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆して、次いで、Ｂステージの蛍光体シート２をＣステージ化する。
このような方法によれば、蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆した試作品６と、実際の製品としてのＬＥＤ装置１とを、同一の構成とすることができる。
そのため、実際の製品（ＬＥＤ装置１）と構成が同一である試作品６の評価に基づいて、実際の製品（ＬＥＤ装置１）の製造条件を決定することができる。
その結果、製造条件をより一層精度よく決定することができ、発光信頼性により一層優れるＬＥＤ装置１を製造することができる。
また、図２の実施形態において、試作条件決定工程Ｓ４は、過去の試作条件および評価の情報に基づいて、試作条件を決定しているが、例えば、図９に示すように、過去の試作条件および評価の情報に基づくことなく、記録工程Ｓ９において記録した試作条件および評価に基づいて、図１に示す決定工程Ｓ２において、製造条件を予測して決定することもできる。
好ましくは、試作条件決定工程Ｓ４では、過去の試作条件および評価の情報に基づいて、試作条件を決定する。
このような方法によれば、今回以前に試作した試作条件を蓄積することができ、蓄積した試作条件および評価に基づいて、製造条件の精度を向上させることができる。そのため、発光信頼性に優れるＬＥＤ装置１を得ることができる。
また、図７および図８の実施形態において、Ｃステージ化工程Ｓ７（図２参照）では、まず、Ｂステージの蛍光体シート２によってＬＥＤ３を被覆して、次いで、Ｂステージの蛍光体シート２をＣステージ化しているが、例えば、Ｂステージの蛍光体シート２の、ＬＥＤ３に対する被覆と、Ｃステージ化とを同時に実施することもできる。
また、図８では、１つのＬＥＤ装置１に複数のＬＥＤ３を設けているが、図示しないが、例えば、単数のＬＥＤ３を設けることもできる。
また、図８の実施形態では、本発明における光半導体素子および光半導体装置として、それぞれ、ＬＥＤ３およびＬＥＤ装置１を一例として説明しているが、例えば、それぞれ、ＬＤ（レーザーダイオード）３およびレーザーダイオード装置１とすることもできる。
以下に示す実施例および比較例における数値は、上記の実施形態において記載される対応する数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。
実施例１
［試作工程Ｓ１］
＜ワニス調製工程Ｓ５＞
まず、４０℃に加温したシラノール基両末端ポリジメチルシロキサン［下記式（Ｉ）中のＲ１が全てメチル基、ｎ＝１５５で表される化合物、平均分子量１１，５００］２０３１ｇ（０．１７７ｍｏｌ）に対して、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物として、ビニルトリメトキシシラン［下記式（ＩＩ）中のＲ２がビニル基、Ｘ１が全てメトキシ基で表される化合物］１５．７６ｇ（０．１０６ｍｏｌ）、および、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物として、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシラン［下記式（ＩＩＩ）中のＲ３が３−グリシドキシプロピル基、Ｘ２が全てメトキシ基で表される化合物］２．８０ｇ（０．０１１８ｍｏｌ）［シラノール基両末端ポリジメチルシロキサンのＳｉＯＨ基のモル数と、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物のＳｉＸ１基およびエチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物のＳｉＸ２基の総モル数との比［ＳｉＯＨ／（ＳｉＸ１＋ＳｉＸ２）＝１／１］を攪拌して混合した後、縮合触媒として水酸化テトラメチルアンモニウムメタノール溶液（濃度１０質量％）０．９７ｍＬ（触媒量：０．８８ｍｏｌ、シラノール基両末端ポリジメチルシロキサン１００モルに対して０．５０モル、縮合原料１００ｇに対して４．０ｍｇ）を加え、４０℃で１時間攪拌した。得られたオイルを、４０℃で１時間攪拌しながら減圧（１０ｍｍＨｇ）し、揮発分を除去した。次に、反応液を常圧に戻した後、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（ジメチルポリシロキサン−ｃｏ−メチルハイドロジェンポリシロキサン）を、アルケニル基のヒドロシリル基に対するモル比がＳｉＲ２／ＳｉＨ＝１／３．０となるように加えて、４０℃で１時間攪拌した。その後、ヒドロシリル化触媒として白金−カルボニル錯体（白金濃度２．０質量％）０．０３８ｍＬ（白金含有量はオルガノポリシロキサンに対して０．３７５ｐｐｍ、つまり、縮合原料１００ｇに対して０．３７５×１０−４ｇ）を加えて、４０℃で１０分間攪拌し、Ａステージのシリコーン樹脂組成物（第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂）を調製した。Ａステージのシリコーン樹脂組成物の２５℃、１気圧の条件下における粘度は、８０００ｍＰａ・ｓであった。
［試作工程Ｓ１］
＜ワニス調製工程Ｓ５＞
まず、４０℃に加温したシラノール基両末端ポリジメチルシロキサン［下記式（Ｉ）中のＲ１が全てメチル基、ｎ＝１５５で表される化合物、平均分子量１１，５００］２０３１ｇ（０．１７７ｍｏｌ）に対して、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物として、ビニルトリメトキシシラン［下記式（ＩＩ）中のＲ２がビニル基、Ｘ１が全てメトキシ基で表される化合物］１５．７６ｇ（０．１０６ｍｏｌ）、および、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物として、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシラン［下記式（ＩＩＩ）中のＲ３が３−グリシドキシプロピル基、Ｘ２が全てメトキシ基で表される化合物］２．８０ｇ（０．０１１８ｍｏｌ）［シラノール基両末端ポリジメチルシロキサンのＳｉＯＨ基のモル数と、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物のＳｉＸ１基およびエチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物のＳｉＸ２基の総モル数との比［ＳｉＯＨ／（ＳｉＸ１＋ＳｉＸ２）＝１／１］を攪拌して混合した後、縮合触媒として水酸化テトラメチルアンモニウムメタノール溶液（濃度１０質量％）０．９７ｍＬ（触媒量：０．８８ｍｏｌ、シラノール基両末端ポリジメチルシロキサン１００モルに対して０．５０モル、縮合原料１００ｇに対して４．０ｍｇ）を加え、４０℃で１時間攪拌した。得られたオイルを、４０℃で１時間攪拌しながら減圧（１０ｍｍＨｇ）し、揮発分を除去した。次に、反応液を常圧に戻した後、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（ジメチルポリシロキサン−ｃｏ−メチルハイドロジェンポリシロキサン）を、アルケニル基のヒドロシリル基に対するモル比がＳｉＲ２／ＳｉＨ＝１／３．０となるように加えて、４０℃で１時間攪拌した。その後、ヒドロシリル化触媒として白金−カルボニル錯体（白金濃度２．０質量％）０．０３８ｍＬ（白金含有量はオルガノポリシロキサンに対して０．３７５ｐｐｍ、つまり、縮合原料１００ｇに対して０．３７５×１０−４ｇ）を加えて、４０℃で１０分間攪拌し、Ａステージのシリコーン樹脂組成物（第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂）を調製した。Ａステージのシリコーン樹脂組成物の２５℃、１気圧の条件下における粘度は、８０００ｍＰａ・ｓであった。
シリコーン樹脂組成物１００質量部、シリコーンゴム粒子（球形状、平均粒子径７μｍ）２０質量部、および、黄色蛍光体であるＹＡＧ粒子（球形状、平均粒子経７μｍ）１０質量部を、撹拌機を備える混合容器に投入し、撹拌機を用いてそれらを混合した。これによって、Ａステージのワニスを調製した。ワニスの２５℃、１気圧の条件下における粘度は、２００００ｍＰａ・ｓであった。
＜Ｂステージ化工程Ｓ６＞
次いで、ワニスを、ＰＥＴからなる離型シートの表面に、ディスペンサ（図５参照）で平面視矩形状（サイズ：１０ｍｍ×１００ｍｍ）に塗布し、続いて、１３５℃のオーブンにて１５分間加熱することにより、離型シートに積層される、厚み６００μｍのＢステージの封止シートを製造した。
次いで、ワニスを、ＰＥＴからなる離型シートの表面に、ディスペンサ（図５参照）で平面視矩形状（サイズ：１０ｍｍ×１００ｍｍ）に塗布し、続いて、１３５℃のオーブンにて１５分間加熱することにより、離型シートに積層される、厚み６００μｍのＢステージの封止シートを製造した。
製造直後のＢステージの封止シートの２５℃における圧縮弾性率を測定したところ、０．０４０ＭＰａであった（表１参照）。具体的には、アイコーエンジニアリング社製 精密荷重測定機により、２５℃における圧縮弾性率を算出した。
＜Ｃステージ化工程Ｓ７＞
平面視矩形状の厚み１５０μｍのＬＥＤが実装された基板を用意した（図７参照）。ＬＥＤおよび基板の形状、数および寸法を以下に記載する。
平面視矩形状の厚み１５０μｍのＬＥＤが実装された基板を用意した（図７参照）。ＬＥＤおよび基板の形状、数および寸法を以下に記載する。
基板の形状：平面視正方形状
基板の寸法：１辺８ｍｍ、最大長さ１１ｍｍ
ＬＥＤの形状：平面視正方形状
ＬＥＤの寸法：１辺０．３ｍｍ、最大長さ０．４ｍｍ
ＬＥＤの実装数：９
ＬＥＤの密度：基板の単位面積（ｍｍ２）当たりのＬＥＤの実装数 ０．１４個／ｍｍ２
：１つの基板当たりのＬＥＤの実装数 ９
ＬＥＤの発光ピーク波長：４５２ｎｍ
続いて、ＬＥＤが実装された基板をプレス機に設置した（図７参照）。
基板の寸法：１辺８ｍｍ、最大長さ１１ｍｍ
ＬＥＤの形状：平面視正方形状
ＬＥＤの寸法：１辺０．３ｍｍ、最大長さ０．４ｍｍ
ＬＥＤの実装数：９
ＬＥＤの密度：基板の単位面積（ｍｍ２）当たりのＬＥＤの実装数 ０．１４個／ｍｍ２
：１つの基板当たりのＬＥＤの実装数 ９
ＬＥＤの発光ピーク波長：４５２ｎｍ
続いて、ＬＥＤが実装された基板をプレス機に設置した（図７参照）。
別途、Ｂステージの封止シートを、基板が設置されたプレス機に配置した（図７参照）。
続いて、封止シートによって、ＬＥＤを封止した（図８参照）。
具体的には、平板プレスによって、室温で、封止シートを押し下げて、圧力０．２ＭＰａで、封止シートによってＬＥＤを埋設した。これによって、封止シートによって、ＬＥＤを封止した。
その後、封止シートおよび基板をプレスしている平板をオーブンに投入し、封止シートを１５０℃、３０分間加熱して、封止シートをＣステージ化した。
その後、離型シートを封止シートから剥離した（図８の矢印参照）。
これによって、試作品を試作した。
なお、試作品の数は、１であった。
＜評価工程Ｓ８＞
Ａ．色温度
その後、試作品の蛍光体シートを評価した。
Ａ．色温度
その後、試作品の蛍光体シートを評価した。
具体的には、試作品の基板に１００ｍＡの電流を流し、電流を流した直後の光の色温度を瞬間マルチ測光システム（ＭＣＰＤ−９８００、大塚電子社製）により測定する点灯試験を実施した。
その結果を表１に示す。
Ｂ．反り量
また、試作品の蛍光体シートの反り量を測定した。
また、試作品の蛍光体シートの反り量を測定した。
その結果を表１に示す。
［決定工程Ｓ２］
試作品の光の色温度の測定値が目標となる範囲である５４５０Ｋにほぼ到達することが分かったので、蛍光体の配合割合を、シリコーン樹脂組成物１００質量部に対して、１０質量部のままで、製造条件を決定した。
試作品の光の色温度の測定値が目標となる範囲である５４５０Ｋにほぼ到達することが分かったので、蛍光体の配合割合を、シリコーン樹脂組成物１００質量部に対して、１０質量部のままで、製造条件を決定した。
［製造工程Ｓ３］
製造工程Ｓ３では、決定工程Ｓ２で決定した製造条件（蛍光体の配合割合がシリコーン樹脂組成物１００質量部に対して１０質量部）で、試作工程Ｓ１におけるワニス調製工程Ｓ５、Ｂステージ化工程Ｓ６およびＣステージ化工程Ｓ７のそれぞれと同様にして実施した。これによって、ＬＥＤ装置を製造した。
製造工程Ｓ３では、決定工程Ｓ２で決定した製造条件（蛍光体の配合割合がシリコーン樹脂組成物１００質量部に対して１０質量部）で、試作工程Ｓ１におけるワニス調製工程Ｓ５、Ｂステージ化工程Ｓ６およびＣステージ化工程Ｓ７のそれぞれと同様にして実施した。これによって、ＬＥＤ装置を製造した。
なお、ＬＥＤ装置の数は、１０００であった。
［製品の評価］
製造したＬＥＤ装置の色温度を測定したところ、色温度が、目標である５４５０Ｋとなり、そのばらつきも目標となるとなる範囲である５４２５〜５４７５Ｋの内にあった。
製造したＬＥＤ装置の色温度を測定したところ、色温度が、目標である５４５０Ｋとなり、そのばらつきも目標となるとなる範囲である５４２５〜５４７５Ｋの内にあった。
比較例１
＜評価工程Ｓ８＞を、＜Ｂステージ化工程Ｓ６＞後で、＜Ｃステージ化工程Ｓ７＞より前のＢステージの蛍光体シートに対して、実施した以外は、実施例１と同様にして実施した。
＜評価工程Ｓ８＞を、＜Ｂステージ化工程Ｓ６＞後で、＜Ｃステージ化工程Ｓ７＞より前のＢステージの蛍光体シートに対して、実施した以外は、実施例１と同様にして実施した。
＜評価工程Ｓ８＞におけるＢステージの蛍光体シートの「Ａ．色温度」および「Ｂ．反り量」の結果を表１に示すように、製造するＬＥＤ装置の色温度が目標値に到達するか否かを判断できなかった。
（考察）
実施例１および比較例１の色温度（Ｔｃ）の差は、約１８Ｋであり、Ｃステージ化に伴う硬化収縮に起因する反り量が大きいことが原因であることが分かった。
実施例１および比較例１の色温度（Ｔｃ）の差は、約１８Ｋであり、Ｃステージ化に伴う硬化収縮に起因する反り量が大きいことが原因であることが分かった。
従って、実施例１の決定工程において決定される製造条件には、反り量が大きいことに起因する色温度の変動を考慮されており、それによって、製品としてのＬＥＤ装置の色温度が、目標となる範囲内にあった。
一方、比較例１の決定工程において決定される製造条件には、反り量が大きいことに起因する色温度の変動が考慮されず、そのため、製品としてのＬＥＤ装置の色温度が、目標となる範囲外にあった。
１ ＬＥＤ装置（レーザーダイオード装置）
２ 蛍光体シート
３ ＬＥＤ（レーザーダイオード）
６ 試作品
７ ワニス
Ｓ１ 試作工程
Ｓ２ 決定工程
Ｓ３ 製造工程
Ｓ４ 試作条件決定工程
２ 蛍光体シート
３ ＬＥＤ（レーザーダイオード）
６ 試作品
７ ワニス
Ｓ１ 試作工程
Ｓ２ 決定工程
Ｓ３ 製造工程
Ｓ４ 試作条件決定工程
Claims (3)
- 蛍光体シートによって光半導体素子を被覆する光半導体装置の製造方法であり、
試作品を試作して評価する試作工程、
前記試作品の評価に基づいて、前記光半導体装置を製造するための製造条件を決定する決定工程、および、
前記決定工程で決定される前記製造条件に基づいて、Ｂステージの前記蛍光体シートによって前記光半導体素子を被覆し、その蛍光体シートをＣステージ化する、前記光半導体装置を製造する製造工程を備え、
前記試作工程は、
蛍光体および硬化性樹脂を含むワニスを調製するワニス調製工程、
前記ワニスからＢステージの前記蛍光体シートを形成するＢステージ化工程、
Ｂステージの前記蛍光体シートをＣステージ化するＣステージ化工程、および、
Ｃステージの前記蛍光体シートを評価する評価工程
を備えることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。 - 前記Ｃステージ化工程では、前記蛍光体シートによって前記光半導体素子を被覆し、
前記評価工程では、前記蛍光体シートによって前記光半導体素子が被覆される前記光半導体装置を評価することを特徴とする、請求項１に記載の光半導体装置の製造方法。 - 前記試作工程は、
前記試作品を今回試作するための試作条件を、前記試作品を今回以前に試作した試作条件および評価の情報に基づいて、決定する試作条件決定工程
をさらに備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の光半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018527744A (ja) * | 2015-08-18 | 2018-09-20 | ジアンスー チェリティ オプトロニクス カンパニー リミテッドＪｉａｎｇｓｕ Ｃｈｅｒｒｉｔｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 精製光変換体でｌｅｄを貼り合せてパッケージするプロセス方法及び精製設備システム |
| US10096585B2 (en) | 2016-03-22 | 2018-10-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting element and light emitting device including forming resin film including phosphor containing layer |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109074453B (zh) | 2016-04-26 | 2021-10-26 | 三菱电机株式会社 | 入侵检测装置、入侵检测方法以及计算机能读取的存储介质 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303373A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置の製造方法と該発光装置を用いた照明器具 |
| JP2007123915A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | Ｌｅｄを覆う蛍光体を含んだカプセル封入ラミネート膜 |
| JP2010159411A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-07-22 | Nitto Denko Corp | 半硬化状シリコーン樹脂シート |
| JP2010541284A (ja) * | 2007-10-01 | 2010-12-24 | インテマティックス・コーポレーション | 蛍光体波長変換を備える発光デバイスおよびその製造方法 |
| JP2010285593A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-12-24 | Nitto Denko Corp | 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物 |
| WO2011013188A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | 株式会社 東芝 | 発光装置 |
| JP2011066460A (ja) * | 2010-12-29 | 2011-03-31 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| JP2011077551A (ja) * | 2010-12-29 | 2011-04-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| WO2012169289A1 (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-13 | 東レ株式会社 | 樹脂シート積層体、その製造方法およびそれを用いた蛍光体含有樹脂シート付きｌｅｄチップの製造方法 |
| JP2013030594A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2196503B1 (en) * | 2008-12-12 | 2015-02-18 | Nitto Denko Corporation | Thermosetting silicone resin composition, silicone resin, silicone resin sheet and use thereof |
| JP5767062B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-08-19 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法 |
-
2013
- 2013-03-27 JP JP2013066293A patent/JP2014192326A/ja not_active Ceased
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-
2014
- 2014-02-14 TW TW103104986A patent/TW201438291A/zh unknown
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303373A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置の製造方法と該発光装置を用いた照明器具 |
| JP2007123915A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | Ｌｅｄを覆う蛍光体を含んだカプセル封入ラミネート膜 |
| JP2010541284A (ja) * | 2007-10-01 | 2010-12-24 | インテマティックス・コーポレーション | 蛍光体波長変換を備える発光デバイスおよびその製造方法 |
| JP2010159411A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-07-22 | Nitto Denko Corp | 半硬化状シリコーン樹脂シート |
| JP2010285593A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-12-24 | Nitto Denko Corp | 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物 |
| WO2011013188A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | 株式会社 東芝 | 発光装置 |
| JP2011066460A (ja) * | 2010-12-29 | 2011-03-31 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| JP2011077551A (ja) * | 2010-12-29 | 2011-04-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| WO2012169289A1 (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-13 | 東レ株式会社 | 樹脂シート積層体、その製造方法およびそれを用いた蛍光体含有樹脂シート付きｌｅｄチップの製造方法 |
| JP2013030594A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018527744A (ja) * | 2015-08-18 | 2018-09-20 | ジアンスー チェリティ オプトロニクス カンパニー リミテッドＪｉａｎｇｓｕ Ｃｈｅｒｒｉｔｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 精製光変換体でｌｅｄを貼り合せてパッケージするプロセス方法及び精製設備システム |
| US10096585B2 (en) | 2016-03-22 | 2018-10-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting element and light emitting device including forming resin film including phosphor containing layer |
Also Published As
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