JP2018041859A

JP2018041859A - 積層体、積層体の製造方法および貼着光半導体素子の製造方法

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Publication number: JP2018041859A
Application number: JP2016175382A
Authority: JP
Inventors: 近藤　隆; Takashi Kondo; 隆近藤; 悠紀江部; Yuki Ebe; 良平垣内; Ryohei Kakiuchi
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2016-09-08
Filing date: 2016-09-08
Publication date: 2018-03-15

Abstract

【課題】膜厚精度、積層体の界面における密着性に優れ、ボイドの発生を抑制することができる積層体、その製造方法および貼着光半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】積層体１は、光半導体素子１５に直接的または間接的に貼着するように使用される積層体１であって、蛍光体層２と、その厚み方向一方面に設けられる透明層３とを備える。蛍光体層２および透明層３を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、ともに、極小値を有する。蛍光体層２および透明層３について、極小値における温度Ｔが、ともに、４０℃以上、２００℃以下の範囲にある。蛍光体層２および透明層３について、前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある。蛍光体層２および透明層３について、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、８１，０００Ｐａ以下である。
【選択図】図１

Description

本発明は、積層体、積層体の製造方法および貼着光半導体素子、詳しくは、積層体、その積層体を製造する製造方法、および、その積層体を用いる貼着光半導体素子の製造方法に関する。

従来より、蛍光体層が透明層に積層された積層体を、ＬＥＤに貼着し、それによって、発光装置を得ることが知られている。

例えば、硬化性シリコーン組成物を含有する第１の単層シート（透明層）および硬化性シリコーン組成物を含有する第２の単層シート（蛍光体層）の積層体が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。上記した積層体は、ＬＥＤチップに対して、熱プレスされる。

特表２０１６−５０４４６１号公報

しかし、特許文献１に記載される積層体は、膜厚が不均一になり易いという不具合がある。そのため、積層体に蛍光体などを含有していると、発光装置の色均一性が低下する。

また、積層体をＬＥＤに熱プレスした発光装置においては、ＬＥＤと積層体との密着性が良好であり、その密着部分に空気などのボイドが生じていないことが求められる。

本発明の目的は、積層体の膜厚精度、および、積層体と光半導体素子との密着性が良好であり、ボイドの発生を抑制することができる積層体、その製造方法および貼着光半導体素子の製造方法を提供することにある。

本発明［１］は、光半導体素子に直接的または間接的に貼着するように使用される積層体であって、第１層と、その厚み方向一方面に設けられる第２層とを備え、前記第１層および前記第２層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、ともに、極小値を有し、前記第１層および前記第２層について、前記極小値における温度Ｔが、ともに、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、前記第１層および前記第２層について、前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあり、前記第１層および前記第２層について、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、８１，０００Ｐａ以下である、積層体を含んでいる。

本発明［２］は、前記第１層が、蛍光体を含有する、［１］に記載の積層体を含んでいる。

本発明［３］は、前記第１層が、反射粒子を含有する、［１］に記載の積層体を含んでいる。

本発明［４］は、光半導体素子に直接的または間接的に貼着するように使用される積層体の製造方法であって、第１層および第２層を用意する用意工程、ならびに、前記第１層および前記第２層を、１００℃以下の条件で、ロールラミネーターを用いて、積層する積層工程を備え、前記用意工程では、前記第１層および前記第２層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、ともに、極小値を有し、前記第１層および前記第２層について、前記極小値における温度Ｔが、ともに、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、前記第１層および前記第２層について、前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあり、前記第１層および前記第２層について、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、８１，０００Ｐａ以下であるように調整する、積層体の製造方法を含んでいる。

本発明［５］は、光半導体素子に直接的または間接的に貼着するように使用される積層体の製造方法であって、第１層および第２層を用意する用意工程、ならびに、前記第１層および前記第２層を、１００℃以下の条件で、真空プレスを実施して、積層する積層工程を備え、前記用意工程では、前記第１層および前記第２層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、ともに、極小値を有し、前記第１層および前記第２層について、前記極小値における温度Ｔが、ともに、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、前記第１層および前記第２層について、前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあり、前記第１層および前記第２層について、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、８１，０００Ｐａ以下であるように調整する、積層体の製造方法を含んでいる。

本発明［６］は、前記積層工程では、０．８０ＭＰａ以下の圧力で、積層する、［４］または［５］に記載の積層体の製造方法を含んでいる。

本発明［７］は、［１］〜［３］のいずれかに記載の積層体を用意する用意工程、および、前記積層体を、前記光半導体素子に対して熱プレスすることにより、光半導体素子を貼着する熱プレス工程を備える、貼着光半導体素子の製造方法を含んでいる。

本発明の積層体を用いた本発明の貼着光半導体素子の製造方法によれば、積層体の膜厚精度が良好であり、積層体と光半導体素子との密着性が良好であり、さらに、ボイドの発生を抑制することができる貼着光半導体素子を得ることができる。本発明の積層体の製造方法によれば、積層体の膜厚精度が良好である積層体を得ることができる。

図１は、本発明の積層体の一実施形態の断面図を示す。図２Ａ〜図２Ｅは、図１の積層体の製造方法の第１実施形態の工程図を示し、図２Ａは、蛍光体層シートを用意する工程、図２Ｂは、透明層シートを用意する工程、図２Ｃは、蛍光体層シートおよび透明層シートを対向配置する工程、図２Ｄは、蛍光体層シートおよび透明層シートをロールラミネーターにより積層する工程、図２Ｅは、積層体を得る工程を示す。図３Ａ〜図３Ｂは、図１の積層体の製造方法の第１実施形態の別例（真空プレスによる積層工程）の工程図を示し、図３Ａは、蛍光体層シートおよび透明層シートをプレス機にセットする工程、図３Ｂは、蛍光体層を透明層シートに押圧する工程を示す。図４Ａ〜図４Ｅは、本発明の貼着光半導体素子の製造方法の第１実施形態の工程図を示し、図４Ａは、封止光半導体素子を基材に仮固定する工程、図４Ｂは、積層体を封止光半導体素子に貼着する工程、図４Ｃは、剥離シートを積層体から引き剥がして、積層体を完全硬化させる工程、図４Ｄは、貼着光半導体素子を基材から引き剥がす工程、図４Ｅは、貼着光半導体素子を基板に実装する工程を示す。図５Ａ〜図５Ｅは、図４Ａに示す封止光半導体素子を用意する工程図を示し、図５Ａは、光半導体素子を複数用意する工程、図５Ｂは、複数の光半導体素子を基材の上に仮固定する工程、図５Ｃは、封止層を形成する工程、図５Ｄは、封止層の上側部分を除去する工程、図５Ｅは、封止光半導体素子を基材から引き剥がす工程を示す。図６Ａ〜図６Ｄは、本発明の貼着光半導体素子の製造方法の変形例（積層体を、光半導体素子に間接的に貼着する実施形態）の工程図を示し、図６Ａは、封止光半導体素子を基材に仮固定する工程、図６Ｂは、積層体を封止光半導体素子に貼着する工程、図６Ｃは、剥離シートを積層体から引き剥がして、積層体を完全硬化させる工程、図６Ｄは、貼着光半導体素子を基材から引き剥がす工程、を示す。図７は、各実施例および各比較例で用いた蛍光体層、透明層および反射層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す。

図１において、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向）であり、紙面下側が下側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面上側が上側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。

＜本発明の積層体の一実施形態＞
図１〜図３Ｂを参照して、本発明の一実施形態に係る積層体１を説明する。

１．積層体の製造方法
積層体１の製造方法の一実施形態を説明する。積層体１の製造方法は、例えば、用意工程、および、積層工程を備える。以下、各工程について順次説明する。

１−１．用意工程
用意工程では、第１層の一例としての蛍光体層２、および、第２層の一例としての透明層３を用意する。

具体的には、図２Ａに示すように、第１剥離シート４と、その上面（厚み方向他方面）に配置される蛍光体層２とを備える蛍光体層シート５を作製する。別途、図２Ｂに示すように、第２剥離シート６と、その上面（厚み方向他方面）に配置される透明層３とを備える透明層シート７を作製する。

１−１−１．蛍光体層シート
（第１剥離シート）
第１剥離シート４は、図２Ａに示すように、蛍光体層２に剥離可能に貼着される剥離層である。第１剥離シート４は、可撓性フィルムからなる。また、第１剥離シート４の上面、つまり、蛍光体層２に対する接触面は、必要によりフッ素処理などの剥離処理がなされている。

第１剥離シート４としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。第１剥離シート４は、平面視略矩形状（短冊状、長尺状を含む）などを有している。

第１剥離シート４の平均膜厚は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

（蛍光体層）
蛍光体層２は、第１剥離シート４の上面に設けられている。蛍光体層２は、蛍光組成物から形成される層（シート）状を有している。また、蛍光体層２は、後述する図４Ｂに示すように、光半導体素子１５に直接的に貼着するように使用される。

蛍光組成物は、例えば、蛍光体および樹脂を含有している。

蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。

黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_２ＳｉＯ_４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ_３Ａｌ_３Ｏ_１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。

赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ_２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。

蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。

蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。

蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。

蛍光体は、単独使用または併用することができる。

蛍光体の含有割合は、蛍光組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上であり、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８０質量％以下である。

樹脂としては、透明性および粘着性（すなわち、常温（２５℃）での表面タック性）の樹脂が挙げられる。樹脂としては、具体的には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、好ましくは、Ｂステージとなることができる熱硬化性樹脂が挙げられる。このような熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。

２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、ＡステージからＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、ＢステージからＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージとなることができる熱硬化性樹脂である。Ｂステージは、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの弾性率よりも小さい半固体または固体状態である。

１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、ＡステージからＣステージ化（完全硬化）することができる。このような１段反応硬化性樹脂として、好ましくは、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、ＡステージからＢステージとなることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、ＢステージからＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂である。

熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。

上記した熱硬化性樹脂は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。

シリコーン樹脂としては、透明性、耐久性、耐熱性、耐光性の観点から、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などのシリコーン樹脂組成物が挙げられ、好ましくは、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。

付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、１段反応硬化性樹脂組成物であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。

アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有する。アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（１）で示される。

平均組成式（１）：
Ｒ^１ _ａＲ^２ _ｂＳｉＯ_{（４−ａ−ｂ）／２}
（式中、Ｒ^１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ^２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
式（１）中、Ｒ^１で示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙げられる。Ｒ^１で示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基などの炭素数３〜１０のシクロアルケニル基が挙げられる。

Ｒ^１として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数２〜４のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基が挙げられる。

Ｒ^１で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。

Ｒ^２で示される１価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価の炭化水素基である。

非置換の１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数１〜１０のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数３〜６のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの炭素数６〜１０のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数７〜８のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。

一方、置換の１価の炭化水素基は、上記した非置換の１価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものが挙げられる。

置換基としては、例えば、塩素原子などのハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基などが挙げられる。

置換の１価の炭化水素基としては、具体的には、３−クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基などが挙げられる。

１価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。

Ｒ^２で示される１価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられ、より好ましくは、メチル基およびフェニル基の併用が挙げられる。

ａは、好ましくは、０．１０以上、０．４０以下である。

ｂは、好ましくは、１．５以上、１．７５以下である。

アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１０，０００以下、好ましくは、５，０００以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。

アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。

また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に２個以上のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（２）で示される。

平均組成式（２）：
Ｈ_ｃＲ^３ _ｄＳｉＯ_{（４−ｃ−ｄ）／２}
（式中、Ｒ^３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
式（２）中、Ｒ^３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基は、式（１）のＲ^２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。

ｃは、好ましくは、０．５以下である。

ｄは、好ましくは、１．３以上、１．７以下である。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１０，０００以下、好ましくは、５，０００以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。

また、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。

上記した平均組成式（１）および平均組成式（２）中、Ｒ^２およびＲ^３の少なくともいずれか一方の炭化水素基は、好ましくは、フェニル基を含み、より好ましくは、Ｒ^２およびＲ^３の両方の炭化水素が、フェニル基を含む。なお、Ｒ^２およびＲ^３の少なくともいずれか一方の炭化水素基がフェニル基を含む場合には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂組成物とされる。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合（アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数／ヒドロシリル基のモル数）が、例えば、１／３０以上、好ましくは、１／３以上、また、例えば、３０／１以下、好ましくは、３／１以下となるように、調整される。

ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応（ヒドロシリル付加）の反応速度を向上させる物質（付加触媒）であれば、特に限定されず、例えば、金属触媒が挙げられる。金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒などが挙げられる。

ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量（具体的には、金属原子）として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、例えば、１．０ｐｐｍ以上であり、また、例えば、１０，０００ｐｐｍ以下、好ましくは、１，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは、５００ｐｐｍ以下である。

付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより、調製される。

上記した付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、まず、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を配合することによって、Ａステージ（液体）状態として調製されて使用される。

上記したように、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、所望条件の加熱により、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、その後、ヒドロシリル化付加反応が、一旦、停止する。これによって、ＡステージからＢステージ（半硬化）状態となることができる。

その後、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、さらなる所望条件の加熱により、上記したヒドロシリル化付加反応が再開されて、完結する。これによって、ＢステージからＣステージ（完全硬化）状態となることができる。

縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、２段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開２０１０−２６５４３６号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報などに記載される第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開２０１３−０９１７０５号公報、特開２０１３−００１８１５号公報、特開２０１３−００１８１４号公報、特開２０１３−００１８１３号公報、特開２０１２−１０２１６７号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。なお、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。

そして、上記した樹脂は、少なくともＢステージ（半硬化）状態にあるとき、すなわち、蛍光体層２を形成しているときの樹脂は、固体状である。そして、このようなＢステージとなる樹脂は、熱可塑性および熱硬化性を併有する。つまり、樹脂は、加熱により、一旦、可塑化した後、完全硬化する。より具体的には、樹脂は、昇温とともに、粘度が次第に下降し、その後、昇温を継続すると、粘度が次第に上昇する。

なお、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、Ｂステージにおいて、さらなる加熱において、軟化する（極小点を示す）ものの、そのＢステージ状態は、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などの一般的なシリコーン樹脂よりも硬い。

樹脂（好ましくは、熱硬化性樹脂）の屈折率Ｒ１は、例えば、１．４５以上、好ましくは、１．５０以上であり、また、例えば、１．７５以下、好ましくは、１．６５以下である。

樹脂の含有割合は、蛍光組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、２０質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９５質量％以下である。

さらに、蛍光組成物は、チクソ付与粒子、充填材（後述）などの粒子を含有することもできる。好ましくは、蛍光組成物は、チクソ付与粒子を含有する。

チクソ付与粒子は、光拡散組成物にチクソ性を付与または向上させるための粒子であって、好ましくは、光拡散性の観点から、ヒュームドシリカ（煙霧シリカ）などのナノシリカなどが挙げられる。

ヒュームドシリカとしては、例えば、ジメチルジクロロシラン、シリコーンオイルなどの表面処理剤により表面が疎水化された疎水性煙霧シリカ、および、表面処理されていない親水性煙霧シリカのいずれであってもよい。

ナノシリカ（特にヒュームドシリカ）の平均粒子径は、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上であり、また、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下である。また、ナノシリカ（特にヒュームドシリカ）の比表面積（ＢＥＴ法）は、例えば、５０ｍ^２／ｇ以上、好ましくは、２００ｍ^２／ｇ以上であり、また、例えば、５００ｍ^２／ｇ以下である。

蛍光組成物がチクソ付与粒子を含有する場合、チクソ付与粒子の含有割合は、蛍光組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．５質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、３質量％以下である。

さらに、蛍光組成物は、上記粒子以外にもその他の添加剤などを含有することもできる。

蛍光体層２の平均膜厚は、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、４０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。

（蛍光体層シートの作製）
蛍光体層シート５を作製するには、例えば、蛍光体と、樹脂と、必要により配合される粒子とを配合して、蛍光組成物（ワニス）を調製し、続いて、それを、第１剥離シート４の上面に塗布する。次いで、蛍光組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、蛍光組成物を、Ｂステージ化する。具体的には、蛍光組成物を、加熱（ベイク）する。

加熱（ベイク）条件は、蛍光体層２において動的粘弾性測定における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が後述する所望の範囲となるように、適宜設定される。

つまり、加熱温度は、蛍光組成物における熱硬化性樹脂の組成によって適宜設定され、具体的には、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱温度が上記下限以上、および／または、加熱温度が上記上限以下であれば、上記した貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値を所望の範囲に設定することができる。

加熱時間は、例えば、２．５分以上、好ましくは、５．５分以上であり、また、例えば、４時間以下、好ましくは、１時間以下である。特に、蛍光組成物が、フェニル系シリコーン樹脂組成物を含有する場合、加熱温度が７０〜１００℃（特に、８０℃）であれば、加熱時間は、好ましくは、１２〜１５分程度である。加熱時間が上記下限以上、および／または、上記上限以下であれば、上記した貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値を所望の範囲に設定することができる。

これにより、図２Ａに示すように、第１剥離シート４と、その上面に形成される蛍光体層２とを備える蛍光体層シート５が得られる。なお、蛍光体層２が熱硬化性樹脂を含有する場合は、蛍光体層２は、Ｂステージである。

（蛍光体層の物性）
（１）動的粘弾性
このような蛍光体層２を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線は、図７が参照されるように、極小値を有する。なお、極小値を複数有する場合には、極小値は、貯蔵剪断弾性率Ｇ’が最も低い値に位置する極小値を意味する。

そして、そのような極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある。また、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、好ましくは、２，０００Ｐａ以上であり、また、好ましくは、８５，０００Ｐａ以下の範囲にある。

極小値における温度Ｔが４０℃未満であれば、後述する積層工程において、蛍光体層２と透明層３との界面の密着力が低下する不具合が生じる。極小値における温度Ｔが２００℃超過であれば、後述する積層工程において、蛍光体層２と透明層３との界面の密着力が低下する不具合が生じる。

極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、上記した下限を下回れば、蛍光体層２が過度に柔らかいため、蛍光体層２の膜厚（厚み）が不均一となる。すなわち、膜厚精度が低下する。そのため、その後の熱プレス工程によって得られる貼着光半導体素子８（図４Ｄ参照）においても、蛍光体層２や透明層３の膜厚が不均一になり、貼着光半導体素子８の色均一性が低下する不具合がある。

極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、上記した上限を上回れば、蛍光体層２の粘度が十分に下降しないので、後述する積層工程において、蛍光体層２と透明層３との界面の密着力が低下する不具合が生じる。また、貼着光半導体素子８においても、蛍光体層２と光半導体素子１５との間にボイドが発生したり、蛍光体層２の光半導体素子１５に対する密着力が低下したり、色均一性が低下する不具合がある。

１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、８１，０００Ｐａ以下であり、好ましくは、８０，０００Ｐａ以下である。また、例えば、１，０００Ｐａ以上、好ましくは、２，０００Ｐａ以上である。

１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、上記した上限を上回れば、蛍光体層２の粘度が十分に下降しないので、後述する積層工程において、蛍光体層２と透明層３との界面の密着力が低下する不具合が生じる。また、貼着光半導体素子８においても、蛍光体層２と光半導体素子１５との間にボイドが発生する不具合がある。また、蛍光体層２の光半導体素子１５に対する密着力が低下する不具合がある。また、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、上記した下限を下回れば、蛍光体層２の膜厚精度が低下し、貼着光半導体素子８の色均一性が低下する場合がある。

８０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、例えば、２，０００Ｐａ以上、好ましくは、３，０００Ｐａ以上であり、また、例えば、１００，０００Ｐａ以下、好ましくは、９０，０００Ｐａ以下である。

６０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、例えば、５，０００Ｐａ以上、好ましくは、１０，０００Ｐａ以上であり、また、例えば、１５０，０００Ｐａ以下、好ましくは、１３０，０００Ｐａ以下である。

２５℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、例えば、５０，０００Ｐａ以上、好ましくは、１００，０００Ｐａ以上であり、また、例えば、３００，０００Ｐａ以下、好ましくは、１５０，０００Ｐａ以下である。

８０℃、６０℃、２５℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した下限以上であれば、積層体１の膜厚精度をより一層向上させることができる。８０℃、６０℃、２５℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した上限以下であれば、貼着光半導体素子８において、ボイドの発生をより一層抑制することができ、また、蛍光体層２の光半導体素子１５に対する密着力をより一層向上させることができる。

また、ＬＯＧ_１０（２５℃の貯蔵剪断弾性率Ｇ’）−ＬＯＧ_１０（貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値）は、例えば、０．２０以上、好ましくは、０．２５以上であり、また、例えば、２．００以下、好ましくは、１．７０以下、より好ましくは、１．００以下である。

「ＬＯＧ_１０（２５℃の貯蔵剪断弾性率Ｇ’）−ＬＯＧ_１０（貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値）」は、図７に示され、貯蔵剪断弾性率Ｇ’が対数で表される曲線において、２５℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’と、貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値との間の長さを意味する。

「ＬＯＧ_１０（２５℃の貯蔵剪断弾性率Ｇ’）−ＬＯＧ_１０（貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値）」が上記上限以下、および／または、上記下限以上であれば、蛍光体層２が優れた密着力で光半導体素子１５に貼着しながら、光半導体素子１５に貼着した蛍光体層２の膜厚を均一にすることができる。

（２）圧縮弾性率
蛍光体層２の２５℃における圧縮弾性率は、例えば、１．０ＭＰａ以上、好ましくは、５．０ＭＰａ以上であり、また、例えば、４０ＭＰａ以下、好ましくは、２５ＭＰａ以下である。

（３）トルエン可溶分
蛍光体層２に含有される樹脂のトルエン可溶分は、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上、より好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、６０質量％以下、より好ましくは、５０質量％以下である。

樹脂のトルエン可溶分が上記上限以下、および／または、上記下限以上であれば、貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値を所望の範囲に設定でき、それによって、蛍光体層２が優れた密着力で光半導体素子１５に貼着しながら、光半導体素子１５に貼着した蛍光体層２の膜厚を均一にすることができる。

樹脂のトルエン可溶分は、下記式により算出される。

樹脂のトルエン可溶分（質量％）＝トルエン可溶分の質量／樹脂の質量×１００
樹脂のトルエン可溶分は、蛍光体層２を用いて測定される。そのため、蛍光体層２における蛍光組成物が蛍光体および／または粒子を含有する場合には、下記の手順（１）〜（６）に従って、蛍光体および粒子の質量を差し引いて、樹脂のトルエン可溶分を算出する。

手順（１）：樹脂組成物シートの断面ＳＥＭ観察を行い、蛍光体および粒子の有無、および、粒子の種類（無機粒子および有機粒子のいずれか）を確認する。

（１−１）無機粒子が確認された場合は、蛍光体層２を焼成して、残渣として無機粒子の質量を測定する。

（１−２）有機粒子が確認された場合は、有機粒子の断面ＳＥＭの体積分率に有機粒子の一般的な密度１．２５ｇ／ｃｍ^３を乗じて有機粒子の質量を算出する。

手順（２）：蛍光体層２を精秤して、ＰＴＦＥシートに包み、２５℃で、トルエンで２４時間浸漬、振とうさせる。

手順（３）：トルエン不溶分を分離し、乾燥によりトルエンを除去した後、トルエン不溶分の質量を測定する。

手順（４）：精秤した試料質量からトルエン不溶分の質量を差し引くことにより、トルエン可溶分の質量を算出する。

手順（５）：仕込みの蛍光体層２の質量から、蛍光体および粒子の質量を差し引いて、樹脂の質量を算出する。

手順（６）：下記式により、トルエン可溶分を算出する。

トルエン可溶分（質量％）＝トルエン可溶分の質量／樹脂の質量×１００
なお、蛍光組成物が、トルエンに可溶な有機粒子を含有する場合は、試料質量からトルエン不溶分の質量および有機粒子の質量を差し引くことにより、樹脂におけるトルエン可溶分の質量を算出する。
（４）アルケニル基およびヒドロシリル基の含量
樹脂が、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、蛍光体層２におけるアルケニル基（具体的には、ビニル基：ＣＨ_２＝ＣＨ−基）の蛍光体層２における含量は、例えば、４％以上であり、また、例えば、２０％以下、好ましくは、１０％以下である。また、ヒドロシリル基（Ｈ−Ｓｉ基）の蛍光体層２における含量は、例えば、２％以上、好ましくは、５％以上、より好ましくは、１０％以上であり、また、例えば、３０％以下、好ましくは、２０％以下である。

アルケニル基および／またはヒドロシリル基の含量が、上記下限以上、および／または、上記上限以下であれば、蛍光体層２が優れた密着力で光半導体素子１５に貼着しながら、光半導体素子１５に貼着した蛍光体層２の膜厚を均一にすることができる。

上記したビニル基およびヒドロシリル基の算出方法は、後述する実施例において、詳述される。

１−１−２．透明層シート
（第２剥離シート）
第２剥離シート６は、図２Ｂに示すように、透明層３に剥離可能に貼着される剥離層である。第２剥離シート６は、可撓性フィルムからなり、具体的には、第１剥離シート４と同様のものを用いることができる。

（透明層）
透明層３は、第２剥離シート６の上面に設けられている。透明層３は、透明組成物から形成される層（シート）状を有している。

透明組成物は、例えば、透明樹脂を含有している。

透明樹脂としては、透明性および粘着性（すなわち、常温（２５℃）での表面タック性）の樹脂が挙げられる。樹脂としては、蛍光組成物で上述した樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられ、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。また、好ましくは、透明組成物における樹脂は、蛍光組成物における樹脂と同一である。これにより、積層体１において、蛍光体層２と透明層３との界面の密着力をより一層向上させることができる。

透明樹脂の含有割合は、透明組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、２０質量％以上であり、また、例えば、１００質量％以下、好ましくは、９９質量％以下、より好ましくは、９５質量％以下である。

さらに、透明組成物は、充填材、チクソ付与粒子などの粒子を含有することもできる。

充填材としては、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。

無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）、タルク（Ｍｇ_３（Ｓｉ_４Ｏ_１０）（ＨＯ）_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。

有機粒子の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。

これら無機粒子および有機粒子は、例えば、後述するトルエンなどの溶剤に不溶である。なお、有機粒子は、例えば、溶剤に溶解するものを含むこともできる。

充填材は、単独使用または併用することができる。

充填材としては、好ましくは、無機粒子が挙げられ、より好ましくは、シリカ粒子、ガラス粒子が挙げられ、さらに好ましくは、ガラス粒子が挙げられる。

充填材の屈折率Ｒ２は、樹脂の屈折率Ｒ１との差の絶対値（｜Ｒ１−Ｒ２｜）が、例えば、０．０３以下、好ましくは、０．０１以下となるように設定される。これにより、透明層３の透明性を確保しつつ、完全硬化（キュア）後の透明層３の硬度を向上させることができる。

充填材の平均粒子径は、例えば、１．０μｍ以上、好ましくは、２．０μｍ以上、より好ましくは、４．０μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下である。本発明において、平均粒子径は、粒度分布測定装置により、体積基準のＤ５０値として求められる。

透明組成物が充填材を含有する場合、充填材の含有割合は、透明組成物に対して、例えば、１質量％以上、より好ましくは、５質量％以上であり、また、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８０質量％以下である。

チクソ付与粒子としては、蛍光組成物で上記したものと同様のものが挙げられ、好ましくは、ヒュームドシリカが挙げられる。

透明組成物がチクソ付与粒子を含有する場合、チクソ付与粒子の含有割合は、透明組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．５質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、３質量％以下である。

なお、透明組成物は、粒子として、光拡散粒子を含有することもできる。これにより、光半導体素子１５から発光された光を、透明層３において散乱させ、均一に発光させることができる。

光拡散粒子では、その屈折率Ｒ３と樹脂の屈折率Ｒ１との差の絶対値（｜Ｒ１−Ｒ３｜）が、例えば、０．０４以上、好ましくは、０．１１以上であり、また、例えば、０．２５以下、好ましくは、０．２０以下となるように設定される。光拡散粒子の材料としては、例えば、上記した充填材と同様のものが挙げられる。

透明層３の平均膜厚は、例えば、４０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。

蛍光体層２の平均膜厚に対する、透明層３の平均膜厚の比（透明層／蛍光体層）は、例えば、０．０８以上、好ましくは、０．１７以上であり、また、例えば、１６以下、好ましくは、７．５以下である。

（透明層シートの作製）
透明層シート７を作製するには、例えば、樹脂と、必要により配合される粒子とを配合して、透明組成物（ワニス）を調製し、続いて、それを、第２剥離シート６の上面に塗布する。次いで、透明組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、透明組成物を、Ｂステージ化する。具体的には、透明組成物を、加熱（ベイク）する。

加熱（ベイク）条件は、透明層３において動的粘弾性測定における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が後述する所望の範囲となるように、適宜設定される。

具体的には、加熱条件は、蛍光体層シート５の作製と同様の条件が挙げられる。

これにより、図２Ｂに示すように、第２剥離シート６と、その上面に形成される透明層３とを備える透明層シート７が得られる。なお、透明層３が、熱硬化性樹脂を含有する場合は、透明層３は、Ｂステージである。

（透明層の物性：動的粘弾性）
このような透明層３は、上記した蛍光体層２と同様の物性を有する。

具体的には、透明層３を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線は、極小値を有する。

そして、そのような極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある。また、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、好ましくは、２，０００Ｐａ以上であり、また、好ましくは、８５，０００Ｐａ以下、より好ましくは、３０，０００Ｐａ以下の範囲にある。

極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、上記した下限を下回れば、透明層３が過度に柔らかいため、透明層３の膜厚（厚み）が不均一となる。すなわち、膜厚精度が低下する。そのため、その後の熱プレス工程によって得られる貼着光半導体素子８（図４Ｄ参照）においても、透明層３や蛍光体層２の膜厚が不均一になり、貼着光半導体素子８の色均一性が低下する不具合がある。

極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、上記した上限を上回れば、透明層３の粘度が十分に下降しないので、後述する積層工程において、蛍光体層２と透明層３との界面の密着力が低下する不具合が生じる。

１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、上記した上限を上回れば、透明層３の粘度が十分に下降しないので、後述する積層工程において、蛍光体層２と透明層３との界面の密着力が低下する不具合が生じる。また、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、上記した下限を下回れば、透明層３の膜厚精度が低下する。そのため、その後の熱プレス工程によって得られる貼着光半導体素子８（図４Ｄ参照）においても、透明層３や蛍光体層２の膜厚が不均一になり、貼着光半導体素子８の色均一性が低下する不具合がある。

８０℃、６０℃、２５℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’、ＬＯＧ_１０（２５℃の貯蔵剪断弾性率Ｇ’）−ＬＯＧ_１０（貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値）、圧縮弾性率、トルエン可溶分などの他の物性も、上記した蛍光体層２における値（好ましい値を含めて）と同様である。

１−２．積層工程
積層工程では、蛍光体層２と透明層３とを積層させる。

具体的には、まず、図２Ｃに示すように、蛍光体層シート５および透明層シート７を、蛍光体層２および透明層３が対向するように配置する。続いて、透明層３および蛍光体層２のいずれか一方を他方に対して押圧する。

押圧方法としては、好ましくは、ロールラミネーターによる方法、真空プレスによる方法が挙げられる。

（１）ロールラミネーター
この方法では、２つの回転可能なロール３０が互いに僅かな隙間を隔てるように対向配置されたロールラミネーターを用意する（図２Ｄ参照）。ロール３０には、加熱装置（図示しない）が設けられており、ロール３０を所定の温度に加熱する。

加熱温度は、１００℃以下であり、好ましくは、８０℃以下、より好ましくは、６０℃以下である。また、例えば、２５℃以上、好ましくは、４０℃以上である。加熱温度を上記した上限以下とすることにより、積層時における蛍光体層２および透明層３の物性の変化を抑制することができ、積層後の蛍光体層２および透明層３も、積層前の蛍光体層２および透明層３の物性を維持することができる。

続いて、図２Ｄに示すように、蛍光体層２および透明層３が接触するように、蛍光体層シート５および透明層シート７を２つのロール３０の隙間を通過させる。

ロール３０を通過する際の圧力は、例えば、０．８０ＭＰａ以下、好ましくは、０．５０ＭＰａ以下であり、また、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．１０ＭＰａ以上である。

圧力を上記した上限以下とすることにより、積層前後の蛍光体層２および透明層３の膜厚を精度よく維持することができる。

このようにして、図２Ｅに示すように、蛍光体層２と、その下面（厚み方向一方面）に設けられる透明層３とを備える積層体１が、第１剥離シート４および第２剥離シート６に挟まれた状態で、得られる。

ロールラミネーターによる方法では、比較的低温かつ短時間で積層工程を完了させることができるため、積層時における蛍光体層２および透明層３の物性の変化を抑制することができ、積層後の蛍光体層２および透明層３の物性を、積層前の蛍光体層２および透明層３の物性を維持することができる。また、積層後の蛍光体層２および透明層３の膜厚も、積層前の蛍光体層２および透明層３の膜厚を精度よく維持することができる。

（２）真空プレス
この方法では、下板３１と、下板３１の上に間隔を隔てて対向配置され、プレス時には下板３１の上面まで移動可能な上板３２とを備える熱プレス機３３を用意する（図３Ａ参照）。下板３１および上板３２には、加熱装置（図示しない）が設けられている。

続いて、蛍光体層シート５を、透明層シート７に直接配置する。具体的には、蛍光体層２の表面が透明層３の表面に接触するように、蛍光体層シート５を、透明層シート７に、載置する。

続いて、図３Ａに示すように、蛍光体層シート５および透明層シート７を、透明層シート７が下板３１に載置されるように、プレス機３３にセットする。

続いて、図３Ｂに示すように、上板３２を下方に移動し、蛍光体層２を透明層３に対して押圧する。このとき、蛍光体層シート５、透明層シート７およびプレス機３３を含む空間を、真空または低圧にし、別途、加熱装置を用いて、下板３１および上板３２を加熱する。

真空度は、例えば、１０ｋＰａ以下、好ましくは、１ｋＰａ以下であり、例えば、０．１ｋＰａ以上である。

プレス圧力は、例えば、０．８０ＭＰａ以下、好ましくは、０．５０ＭＰａ以下であり、また、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．１０ＭＰａ以上である。圧力を上記した上限以下とすることにより、積層前後の蛍光体層２および透明層３の膜厚を精度よく維持することができる。

プレス時間は、例えば、３００秒以下、好ましくは、６０秒以下であり、また、例えば、５秒以上である。

このようにして、蛍光体層２と透明層３とを備える積層体１が、第１剥離シート４および第２剥離シート６に挟まれた状態で、得られる。

真空プレスによる方法では、積層体１の蛍光体層２と透明層３との界面のボイドの発生を抑制できるため、積層時における蛍光体層２および透明層３の物性の変化を抑制することができ、積層後の蛍光体層２および透明層３は、積層前の蛍光体層２および透明層３の物性を維持することができる。また、積層後の蛍光体層２および透明層３の膜厚も、積層前の蛍光体層２および透明層３の膜厚を精度よく維持することができる。

２．積層体
このようにして得られる積層体１は、後述する貼着光半導体素子８（図４Ｄ参照）ではなく、また、光半導体装置２１（図４Ｅ参照）でもない。すなわち、積層体１は、貼着光半導体素子８および光半導体装置２１の一部品であり、すなわち、貼着光半導体素子８および光半導体装置２１を作製するための部品である。そのため、積層体１は、光半導体素子１５および電極基板１６（図４Ｅ参照）を含まず、積層体１そのものが、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

積層体１における蛍光体層２の物性は、蛍光体層シート５における蛍光体層２（すなわち、積層前の蛍光体層２）の物性と同一であり、積層体１における透明層３の物性は、透明層シート７における透明層３（すなわち、積層前の透明層３）の物性と同一である。

具体的には、蛍光体層２および透明層３が、熱硬化性樹脂を含有する場合は、積層体における蛍光体層２および透明層３は、Ｂステージである。

また、積層体１において、蛍光体層２および透明層３のそれぞれを、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、ともに、極小値を有し、その極小値における温度Ｔが、ともに、４０℃以上、２００℃以下の範囲にある。

また、積層体１における蛍光体層２および透明層３のそれぞれについて、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある。これらの好ましい値も、蛍光体層シート５における蛍光体層２、および、透明層シート７における透明層３にて上述した値と同様である。

また、積層体１における蛍光体層２および透明層３のそれぞれについて、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、ともに、８１，０００Ｐａ以下である。これらの好ましい値も、蛍光体層シート５における蛍光体層２、および、透明層シート７における透明層３にて上述した値と同様である。

積層体１における蛍光体層２および透明層３のそれぞれについて、これらの８０℃、６０℃および２５℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’も、蛍光体層シート５における蛍光体層２、および、透明層シート７における透明層３にて、上述した値（好ましい値を含めて）と同様である。

積層体１全体（すなわち、蛍光体層２および透明層３）を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線も、極小値を有する。

そして、そのような極小値における温度Ｔは、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、例えば、１，０００Ｐａ以上、好ましくは、２，０００Ｐａ以上であり、また、例えば、９０，０００Ｐａ以下、好ましくは、８５，０００Ｐａ以下の範囲にある。

極小値における温度Ｔが４０℃以上２００℃以下とすることにより、後述する熱プレス工程において、積層体１と光半導体素子１５との密着力が向上する。

極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、上記した下限以上とすることにより、熱プレス工程において、積層体１の膜厚を均一に維持することができ、貼着光半導体素子８の色均一性を良好にすることができる。

極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、上記した上限以下とすることにより、熱プレス工程において、積層体１と光半導体素子１５との界面の密着力との密着力が向上する。また、貼着光半導体素子８において、ボイドの発生を抑制したり、色均一性を良好にすることができる。

積層体１全体において、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、例えば、８１，０００Ｐａ以下、好ましくは、８０，０００Ｐａ以下である。また、例えば、１，０００Ｐａ以上、好ましくは、２，０００Ｐａ以上である。また、８０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、例えば、２，０００Ｐａ以上、好ましくは、３，０００Ｐａ以上であり、また、例えば、１００，０００Ｐａ以下、好ましくは、９０，０００Ｐａ以下である。また、６０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、例えば、５，０００Ｐａ以上、好ましくは、１０，０００Ｐａ以上であり、また、例えば、１５０，０００Ｐａ以下、好ましくは、１３０，０００Ｐａ以下である。

１００℃、８０℃、６０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した下限以上であれば、積層体１の膜厚精度をより一層向上させることができる。１００℃、８０℃、６０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が上記した上限以下であれば、貼着光半導体素子８において、ボイドの発生をより一層抑制することができ、また、蛍光体層２の、光半導体素子１５に対する密着力をより一層向上させることができる。

積層体１の平均膜厚は、例えば、６０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

＜本発明の貼着光半導体素子の製造方法の一実施形態＞
図４Ａ〜図４Ｅを参照して、本発明の一実施形態に係る貼着光半導体素子８の製造方法を説明する。

貼着光半導体素子８の製造方法は、例えば、シート用意工程、素子用意工程、熱プレス工程、個片化工程、剥離工程を備える。以下、各工程について順次説明する。

１−１．シート用意工程
シート用意工程では、図１に示すように、上記した積層体１の製造方法で記載したように、積層体１を用意する。

１−２．素子用意工程
素子用意工程では、図４Ａに示すように、基材１２に配置される光半導体素子１５を用意する。

具体的には、まず、基材１２と、基材１２に仮固定される封止光半導体素子２５とを用意する。

基材１２は、支持板１３と、支持板１３の上面に配置される粘着シート１４とを備えている。

支持板１３は、上記した第１剥離シート４と同様の材料から形成されている。また、支持板１３は、ガラス、シリコンウエハなどの無機材料から形成されていてもよい。支持板１３の膜厚は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１，２００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

粘着シート１４は、例えば、加熱および／または紫外線照射により、後で詳述する封止光半導体素子２５が容易に剥離できるシート（すなわち、封止光半導体素子２５を仮固定できる仮固定シート）から形成されている。粘着シート１４の膜厚は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。

基材１２は、支持板１３の表面に、粘着シート１４を配置することにより得られる。基材１２の膜厚は、例えば、２００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、また、例えば、５，０００μｍ以下、好ましくは、４，０００μｍ以下である。

封止光半導体素子２５は、図５Ｅに示すように、光半導体素子１５と、封止層２４とを備える。

光半導体素子１５は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。好ましくは、光半導体素子１５は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子１５は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器を含まない。

光半導体素子１５は、上下方向に直交する面方向に沿う略平板形状を有している。光半導体素子１５は、電極側面１７と、対向面としての露出面１８と、周側面１９とを有している。

電極側面１７は、図５Ｅに示す光半導体素子１５における上面（図４Ａに示す光半導体素子１５における下面）である。電極側面１７には、電極２２が設けられている。電極２２は、電極側面１７から上側に突出する形状を有している。

露出面１８は、図５Ｅに示す光半導体素子１５における下面（図４Ａに示す光半導体素子１５における上面）であって、電極側面１７に対して下側に間隔を隔てて対向配置されている。

周側面１９は、電極側面１７の周端縁と、露出面１８の周端縁とを連結している。

光半導体素子１５の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（上下方向長さ）が、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。また、光半導体素子１５を厚み方向に投影したときの投影面積（すなわち、露出面１８の面積）は、例えば、０．０１ｍｍ^２以上、好ましくは、０．０２ｍｍ^２以上であり、また、例えば、４ｍｍ^２以下、好ましくは、３ｍｍ^２以下である。

封止層２４は、図４Ａに示すように、基材１２の上において、光半導体素子１５の電極側面１７および周側面１９を被覆している。これによって、封止層２４は、電極側面１７および周側面１９を封止している。一方、封止層２４は、光半導体素子１５の露出面１８を露出している。

また、封止層２４は、電極２２の周側面を被覆している。図５Ｅに示す封止層２４は、電極２２の上面を露出している。

封止層２４は、例えば、特開２０１２−１７５０６８号公報などに記載される封止樹脂組成物から形成されている。また、封止層２４は、白色粒子（後述）などの反射粒子を含有させた反射層とすることもできる。

封止光半導体素子２５は、特開２０１２−１７５０６８号公報の記載に準拠して得られる。

具体的には、まず、図５Ａに示すように、電極２２が設けられた光半導体素子１５を複数用意する。

次いで、図５Ｂに示すように、複数の光半導体素子１５を、仮固定基材２３に仮固定する。

仮固定基材２３は、上記した図４Ａに示す基材１２と同様に構成されており、具体的には、支持板１３および粘着シート１４を備える。

具体的には、複数の光半導体素子１５の露出面１８を、粘着シート１４の上面に接触させる。

次いで、図５Ｃに示すように、封止樹脂組成物を、電極２２を含む複数の光半導体素子１５を被覆するように、つまり、電極２２を含む光半導体素子１５の厚みより厚く、基材１２の上に塗布する。その後、封止樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、封止樹脂組成物を、加熱により硬化させる。

これによって、封止層２４を、電極２２および光半導体素子１５を埋設するように、基材１２の上に配置する。

なお、上記した塗布に代えて、圧縮成形によって、封止樹脂組成物からなる封止層２４を、電極２２および光半導体素子１５を埋設するように、基材１２の上に配置することができる。あるいは、封止樹脂組成物からなるシート状の封止層２４によって、電極２２および光半導体素子１５を埋設して、封止層２４を基材１２の上に配置することもできる。

次いで、図５Ｄに示すように、封止層２４の上側部分を、電極２２の上面が露出するように、例えば、グラインド加工などによって、除去する。

これによって、上面が露出する電極２２が設けられた光半導体素子１５と、光半導体素子１５の電極側面１７および周側面１９を被覆する封止層２４とを備える封止光半導体素子２５を、仮固定基材２３によって仮固定された状態で、得る。

その後、図５Ｅに示すように、封止光半導体素子２５を、仮固定基材２３から引き剥がす。

これによって、光半導体素子１５の露出面１８、および、電極２２の上面が封止層２４から露出する封止光半導体素子２５を得る。

続いて、図４Ａに示すように、図５Ｅに示す封止光半導体素子２５を上下反転させて、封止光半導体素子２５の下面を、基材１２に配置する。具体的には、電極２２の下面、および、電極２２から露出する封止層２４の下面を、粘着シート１４の上面に仮固定する。

１−３．熱プレス工程
熱プレス工程では、まず、積層体１から第１剥離シート４を剥離して蛍光体層２表面を露出させ、続いて、積層体１を、基材１２に仮固定された封止光半導体素子２５の上面に直接的に配置する。具体的には、蛍光体層２の表面が、光半導体素子１５の露出面１８、および、封止層２４の上面（露出面１８と面一に形成されている上面）に接触するように、積層体１を載置する。

続いて、封止光半導体素子２５および積層体１を、下板３１と上板３２との間に配置して、プレス機３３にセットする。

続いて、図４Ｂに示すように、上板３２を下方に移動し、積層体１を封止光半導体素子２５に対して押圧する。

熱プレス条件は、蛍光体層２における貼着組成物が可塑化し、続いて、蛍光組成物の硬化がわずかに進行する条件に適宜設定される。

具体的には、熱プレスの温度は、４０℃以上、好ましくは、５０℃以上であり、また、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下、より好ましくは、１５０℃以下である。

熱プレスの圧力は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．１０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０．００ＭＰａ以下、好ましくは、５．００ＭＰａ以下、より好ましくは、３．００ＭＰａ以下である。熱プレスの圧力が上記上限以下であれば、熱プレス工程後における積層体１の膜厚を均一にすることができる。熱プレスの圧力が上記下限以上であれば、熱プレス工程後における蛍光体層２の封止光半導体素子２５に対する良好な密着性を確保することができる。

とりわけ、蛍光体層２および透明層３の上記した極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、１０，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある場合において、熱プレスの圧力を比較的高く設定することができる。具体的には、０．１０ＭＰａ以上、好ましくは、０．５０ＭＰａ以上、より好ましくは、１．００ＭＰａ以上、さらに好ましくは、２．００ＭＰａ以上で、例えば、１０．００ＭＰａ以下に設定することができる。

熱プレスの時間は、例えば、０．２分以上、好ましくは、５分以上であり、また、例えば、３０分以下、好ましくは、１０分以下である。

また、熱プレスは、複数回実施することができる。

上記した熱プレスによって、蛍光体層２は、まず、樹脂が可塑化することに基づいて、封止光半導体素子２５の上面（光半導体素子１５の露出面１８、および、封止層２４の上面）に直接的に貼着する。続いて、蛍光体層２は、樹脂がわずかに硬化することに基づいて、封止光半導体素子２５の上面に対して、強固に密着する。また、透明層３も、蛍光体層２と同様に、蛍光体層２に対して強固に密着する。

続いて、図４Ｃに示すように、封止光半導体素子２５、積層体１および基材１２をプレス機３３から取り出した後に、第２剥離シート６を積層体１から剥離する。

その後、封止光半導体素子２５、積層体１および基材１２を、例えば、オーブンなどによって、加熱する。蛍光組成物および／または透明組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂が完全硬化（Ｃステージ化）する。

加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１６０℃以下である。また、加熱時間が、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、４８０分以下、好ましくは、３００分以下である。なお、加熱を、異なる温度で複数回実施することもできる。

これによって、樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、熱硬化性樹脂を硬化（Ｃステージ化）させる。これによって、熱硬化性樹脂を完全に反応させて生成物を生成する。

（生成物）
シリコーン樹脂組成物の反応（Ｃステージ化反応）では、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル付加反応がさらに促進される。その後、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基、あるいは、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基が消失して、ヒドロシリル付加反応が完結することによって、Ｃステージのシリコーン樹脂組成物、つまり、生成物（あるいは硬化物）が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、シリコーン樹脂組成物において、硬化性（具体的には、熱硬化性）が発現する。

上記した生成物は、下記平均組成式（３）で示される。

平均組成式（３）：
Ｒ^５ _ｅＳｉＯ_{（４−ｅ）／２}
（式中、Ｒ^５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、１．０以上、３．０以下である。）
Ｒ^５で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基としては、式（１）のＲ^２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、および、式（２）のＲ^３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用が挙げられる。

そして、生成物の平均組成式（３）のＲ^５におけるフェニル基の含有割合は、例えば、３０モル％以上、好ましくは、３５モル％以上であり、また、例えば、５５モル％以下、好ましくは、５０モル％以下である。

生成物の平均組成式（３）のＲ^５におけるフェニル基の含有割合は、生成物のケイ素原子に直接結合する１価の炭化水素基（平均組成式（３）においてＲ^５で示される）におけるフェニル基濃度である。

生成物の平均組成式（３）のＲ^５におけるフェニル基の含有割合は、^１Ｈ−ＮＭＲおよび^２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。Ｒ^５におけるフェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、例えば、ＷＯ２０１１／１２５４６３などの記載に基づいて、^１Ｈ−ＮＭＲおよび^２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。

これによって、積層体１の蛍光体層２が封止光半導体素子２５の上面に対して貼着する。

そして、封止光半導体素子２５と、封止光半導体素子２５の上面に貼着する積層体１とを備える貼着光半導体素子８が、基材１２によって支持された状態で、得られる。

１−４．個片化工程
個片化工程では、図４Ｄの１点破線で示すように、隣接する光半導体素子１５間における封止層２４および積層体１を、ダイシングなどによって切断する。これによって、光半導体素子１５を個片化する。

これによって、１つの光半導体素子１５と、光半導体素子１５の電極側面１７および周側面１９を封止する封止層２４と、光半導体素子１５および封止層２４の上面に貼着する積層体１とを備える貼着光半導体素子８が、基材１２に支持された状態で、複数得られる。

１−５．剥離工程
剥離工程では、図４Ｄの矢印および仮想線で示すように、貼着光半導体素子８を基材１２から引き剥がす。具体的には、電極２２の下面および封止層２４の下面を、粘着シート１４の上面から引き剥がす。

これによって、１つの光半導体素子１５と、封止層２４と、積層体１とを備える貼着光半導体素子８が、複数得られる。

貼着光半導体素子８は、光半導体装置２１（図４Ｅ参照）ではなく、つまり、光半導体装置２１に備えられる電極基板１６を含まない。つまり、貼着光半導体素子８は、電極２２が、光半導体装置２１の電極基板１６に設けられる端子（図示せず）とまだ電気的に接続されないように、構成されている。また、貼着光半導体素子８は、光半導体装置２１の一部品、すなわち、光半導体装置２１を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

貼着光半導体素子８は、好ましくは、光半導体素子１５と、封止層２４と、積層体１とのみからなる。

なお、図４Ｅが参照されるように、貼着光半導体素子８を、ダイオード基板などの電極基板１６に実装することにより、発光ダイオード装置などの光半導体装置２１が得られる。

電極基板１６は、略平板形状を有し、具体的には、絶縁基板の上面に、導体層が回路パターンとして積層された積層板から形成されている。絶縁基板は、例えば、シリコン基板、セラミックス基板、プラスチック基板（例えば、ポリイミド樹脂基板）などからなる。導体層は、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。導体層は、単数の光半導体素子１５と電気的に接続するための電極（図示せず）を備えている。電極基板１６の膜厚は、例えば、２５μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。

貼着光半導体素子８を電極基板１６に実装するには、貼着光半導体素子８における電極２２を、電極基板１６の端子（図示せず）と接触させて、電気的に接続させる。つまり、貼着光半導体素子８の光半導体素子１５を電極基板１６に対してフリップチップ実装する。これとともに、封止層２４の下面を、電極基板１６の上面に接触させる。

これにより、電極基板１６と、電極基板１６に実装される貼着光半導体素子８とを備える光半導体装置２１を得る。好ましくは、光半導体装置２１は、電極基板１６と、貼着光半導体素子８とのみからなる。

＜作用効果＞
この積層体１は、蛍光体層２および透明層３を備え、蛍光体層２および透明層３を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、ともに、極小値を有している。また、蛍光体層２および透明層３について、極小値における温度Ｔが、ともに、４０℃以上、２００℃以下の範囲にある。また、極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にある。また、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、８１，０００Ｐａ以下である。このため、蛍光体層２および透明層３との界面の密着力に優れる。また、積層体１を光半導体素子１５に貼着する場合、積層体１の膜厚精度が良好であるため、貼着光半導体素子８の色均一性を良好にできる。また、積層体１の蛍光体層２が光半導体素子１５に強固に密着しつつ、積層体１と光半導体素子１５との間にボイドの発生を抑制することができる。結果、この積層体１を用いれば、層間剥離が生じにくく、色均一性などに優れた貼着光半導体素子８および光半導体装置２１を得ることができる。

また、この積層体１では、蛍光体層２が、蛍光体を含有しているので、光半導体素子１５から発光される光を波長変換して、所望の色（特に、白色）を発光できる貼着光半導体素子８を得ることができる。特に、色のばらつきを抑制できているため、貼着光半導体素子8は、均一な白色を発光できる。

また、この積層体１の製造方法によれば、積層工程において、蛍光体層２および透明層３を、１００℃以下の条件で、ロールラミネーターを用いて、積層しているか、または、１００℃以下の条件で、真空プレスを実施して、積層している。そのため、積層体１について、積層前の透明層３および蛍光体層２の膜厚を精度よく維持して、より一層均一な膜厚とすることができる。

この貼着光半導体素子８の製造方法によれば、積層体１を用意し、封止光半導体素子２５に対して熱プレスする。そのため、層間剥離が生じにくく、色均一性などに優れた貼着光半導体素子８を、容易に得ることができる。

＜変形例＞
第１実施形態では、図４Ａに示すように、光半導体素子１５の電極側面１７および周側面１９の両面を、封止層２４によって封止している。しかし、光半導体素子１５の少なくとも周側面１９を封止層２４によって封止すればよく、例えば、図示しないが、光半導体素子１５の電極側面１７を被覆せず、光半導体素子１５の周側面１９のみを封止層２４によって封止することもできる。

第１実施形態では、積層体１を、光半導体素子１５に直接的に貼着するように使用している。しかし、図６Ａ〜図６Ｄに示すように、積層体１を、光半導体素子１５に間接的に貼着するように使用することもできる。

具体的には、図６Ａが示すように、基材１２に仮固定された複数の光半導体素子１５における少なくとも対向面１８（具体的には、対向面１８および周側面１９、または、電極側面１７、対向面１８および周側面１９）が封止層２４によって被覆された貼着光半導体素子８を用意する。

熱プレス工程では、図６Ｂが示すように、積層体１を、貼着光半導体素子８の封止層２４の上面に直接的に貼着する。つまり、積層体１を、光半導体素子１５に対して間接的に貼着する。すなわち、積層体１を、光半導体素子１５に対して、対向面１８の上側に位置する封止層２４を介して、貼着する。その後、積層体１を、封止層２４に対して熱プレスする。

その後、第１実施形態と同様にして、図６Ｃが示すように、第２剥離シート６を積層体１から剥離し、必要に応じて加熱する。続いて、図６Ｄが示すように、個片化工程および剥離工程を実施する。

＜積層体の第２実施形態＞
第１実施形態の積層体１では、第１層が、蛍光体層２であるが、例えば、図示しないが、第１層を、透明層３とすることもできる。

すなわち、第２実施形態の積層体１は、第１層としての透明層３と、その厚み方向一方面に設けられる第２層としての透明層３とを備えている。

この第２実施形態の積層体１も、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。すなわち、各透明層３間の界面の密着力に優れる。また、積層体１を光半導体素子１５に貼着する場合、積層体１の膜厚精度が良好である。また、積層体１の透明層３が光半導体素子１５に強固に密着しつつ、積層体１と光半導体素子１５との間にボイドの発生を抑制することができる。

＜積層体の第３実施形態＞
第３実施形態の積層体１では、第１層が、蛍光体層２であるが、例えば、図示しないが、第１層を、反射層とすることもできる。

すなわち、第２実施形態の積層体１は、第１層としての反射層と、その厚み方向一方面に設けられる第２層としての透明層３とを備えている。

反射層は、反射組成物から形成されている。反射組成物は、例えば、反射粒子および樹脂を含有している。

反射粒子としては、好ましくは、反射性および非発光時の外観の観点から、白色粒子が挙げられる。白色粒子としては、例えば、白色無機粒子、白色有機粒子が挙げられ、好ましくは、放熱性、耐久性の観点から、白色無機粒子が挙げられる。

白色無機粒子を構成する材料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムなどの酸化物、例えば、鉛白（塩基性炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンなどの粘土鉱物などが挙げられる。明るさ、放熱性の観点から、好ましくは、酸化物が挙げられ、より好ましくは、酸化チタンが挙げられる。

白色粒子の平均粒子径は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、２．０μｍ以下である。白色粒子の平均粒子径を上記範囲内とすることにより、反射性をより一層向上させることができる。

白色粒子の含有割合は、反射組成物に対して、例えば、０．０１質量％以上、好ましくは、０．１質量％以上であり、また、例えば、３０質量％以下、好ましくは、１０質量％以下である。

樹脂としては、透明性および粘着性（すなわち、常温（２５℃）での表面タック性）の樹脂が挙げられる。樹脂としては、蛍光組成物で上述した樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられ、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。また、好ましくは、透明組成物における樹脂は、蛍光組成物における樹脂と同一である。

樹脂の含有割合は、反射組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、２０質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９５質量％以下である。

さらに、反射組成物は、上述した充填材、光拡散性粒子、チクソ付与粒子などの粒子を含有することもできる。反射組成物は、好ましくは、充填材を含有する。

充填材としては、好ましくは、無機粒子が挙げられ、より好ましくは、ガラス粒子が挙げられる。

反射組成物が充填材を含有する場合、充填材の含有割合は、反射組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下である。

この第３実施形態の積層体１も、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。すなわち、蛍光体層２と白色層との界面の密着力に優れる。また、積層体１を光半導体素子１５に貼着する場合、積層体１の膜厚精度が良好である。また、積層体１の白色層が光半導体素子１５に強固に密着しつつ、積層体１と光半導体素子１５との間にボイドの発生を抑制することができる。

また、この第３実施形態の積層体１では、第１層が、反射粒子を含有する反射層であり、積層体１の膜厚精度が良好であるため、光半導体素子１５からの光を均一に反射・拡散させて、色均一性をより一層良好にすることができる。また、反射粒子として、白色顔料を用いると、反射層が白色層として、非発光時の外観（白色性）に優れる。

＜積層体の第４実施形態＞
第１〜３実施形態の積層体１では、第２層が、透明層３であるが、例えば、図示しないが、第２層を、蛍光体層２または反射層、特に、反射層とすることもできる。この第４実施形態の積層体１も、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。

＜積層体の製造方法の第２実施形態＞
第１実施形態では、積層工程において、蛍光体層２および透明層３を、ロールラミネーターを用いて、または、真空プレスを実施しているが、例えば、図示しないが、蛍光体層シート５の蛍光体層２の表面に、透明組成物（ワニス）を塗布し、乾燥してもよい。または、透明層シート７の透明層３の表面に、蛍光組成物（ワニス）を塗布し、乾燥してもよい。

好ましくは、第１実施形態の製造方法が挙げられる。第１実施形態の製造方法によれば、透明層３を蛍光体層２の表面に均一に形成できる。すなわち、膜厚精度を良好にすることができる。一方、第２実施形態の製造方法である場合、例えば、蛍光体層シート５の蛍光体層２の表面に、蛍光組成物（ワニス）を塗布する場合、蛍光組成物の塗膜表面が、塗布面（透明層表面）の影響を大きく受け、膜厚精度が低下する。その結果、色均一性が低下する場合が生じる。

以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

＜アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンの合成＞
合成例１
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン７２９．２ｇとフェニルトリメトキシシラン３３０．５ｇとの混合物を１時間かけて滴下し、その後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。その後、酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＡを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＡの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。

平均単位式：
（（ＣＨ_２＝ＣＨ）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２）_０．１５（ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_２／２）_０．６０（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_０．２５
平均組成式：
（ＣＨ_２＝ＣＨ）_０．１５（ＣＨ_３）_０．９０（Ｃ_６Ｈ_５）_０．８５ＳｉＯ_１．０５
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＡは、Ｒ^１がビニル基、Ｒ^２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．１５、ｂ＝１．７５である上記平均組成式（１）で示される。

また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＡのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、２，３００であった。

合成例２
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン１７３．４ｇとフェニルトリメトキシシラン３００．６ｇとの混合物を１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＢを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＢの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。

平均単位式：
（ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２）_０．３１（（Ｃ_６Ｈ_５）_２ＳｉＯ_２／２）_０．２２（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_０．４７
平均組成式：
（ＣＨ_２＝ＣＨ）_０．３１（ＣＨ_３）_０．６２（Ｃ_６Ｈ_５）_０．９１ＳｉＯ_１．０８
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＢは、Ｒ^１がビニル基、Ｒ^２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．３１、ｂ＝１．５３である上記平均組成式（１）で示される。

また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＢのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１，０００であった。

合成例３
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン３２５．９ｇ、フェニルトリメトキシシラン５６４．９ｇ、およびトリフルオロメタンスルホン酸２．３６ｇを投入して混合し、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１３４．３ｇを加え、撹拌しつつ酢酸４３２ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ５０℃に昇温して３時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、よく混合して静置し、下層（水層）を分離して除去した。その後、上層（トルエン溶液）を３回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（架橋剤Ｃ）を得た。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。

平均単位式：
（Ｈ（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２）_０．３３（（Ｃ_６Ｈ_５）_２ＳｉＯ_２／２）_０．２２（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_０．４５
平均組成式：
Ｈ_０．３３（ＣＨ_３）_０．６６（Ｃ_６Ｈ_５）_０．８９ＳｉＯ_１．０６
つまり、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣは、Ｒ^３がメチル基およびフェニル基であり、ｃ＝０．３３、ｄ＝１．５５である上記平均組成式（２）で示される。

また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１，０００であった。

＜その他の原料＞
アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサン以外の原料について、以下に詳述する。
［その他、使用した材料］
白金カルボニル錯体：
商品名「ＳＩＰ６８２９．２」、Ｇｅｌｅｓｔ社製、白金濃度２．０質量％
蛍光体：
商品名「Ｙ４６８」、ＹＡＧ：Ｃｅ、平均粒子径１７μｍ、ネモト・ルミマテリアル社製
ガラス粒子：
屈折率１．５５、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５の無機粒子、屈折率１．５５、平均粒子径：２０μｍ
ヒュームドシリカ：
商品名「Ｒ９７６Ｓ」、屈折率１．４６、平均粒子径７ｎｍ、エボニック社製
白色粒子：
酸化チタン、平均粒子径０．５μｍ、堺化学社製
＜シリコーン樹脂組成物の調製＞
調製例１
アルケニル基含有ポリシロキサンＡ２０ｇ、アルケニル基含有ポリシロキサンＢ２５ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ２５ｇ、白金カルボニル錯体５ｍｇを混合させて、シリコーン樹脂組成物を調製した。シリコーン樹脂組成物のＣステージにおける屈折率は、１．５６であった。

＜積層体の作製＞
実施例１
（蛍光体層シートＡの作製）
第１層として、蛍光体層を下記のように作製した。

シリコーン樹脂組成物３９質量％、蛍光体６０質量％、ヒュームドシリカ１質量％を加えて、それらを３分間撹拌し、蛍光組成物Ａを調製した。

次に、蛍光組成物を、第１剥離シート（セパレータ、品名「ＳＥ−１」、膜厚５０μｍ、フジコー社製）の表面に、膜厚（平均膜厚）１４５μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、８０℃で１２分加熱（ベイク）した。これにより、第１剥離シートと、Ｂステージの蛍光体層Ａとを備える蛍光体層シートＡを得た（図２Ａ参照）。

（透明層シートＢの作製）
第２層として、透明層Ｂを下記のように作製した。

シリコーン樹脂組成物６９質量％、ガラス粒子３０質量％、ヒュームドシリカ１質量％を加えて、それらを３分間撹拌し、透明組成物を調製した。

次に、透明組成物を、第２剥離シート（上記と同一）の表面に、膜厚１５２μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、８０℃で１３分加熱（ベイク）した。これにより、第２剥離シートと、Ｂステージの透明層Ｂとを備える透明層シートＢを得た（図２Ｂ参照）。

（積層体の作製）
蛍光体層シートＡおよび透明層シートＢを、蛍光体層Ａおよび透明層Ｂが接触するように、ロールラミネーターを用いて、積層した（図２Ｄ参照）。このとき、ロールの加熱温度を６０℃、ロールを通過する際にかかる圧力を０．２０ＭＰａ、各シートの搬送速度を０．５ｍ／ｍｉｎとなるように設定した。これにより、積層体を作製した（図２Ｅ参照）。

実施例２
第１層として、蛍光体層Ｃを作製した。具体的には、加熱（ベイク）条件および膜厚を表１に示す条件および膜厚に変更した以外は、実施例１の第１層と同様にして、剥離シートと、蛍光体層Ｃとを備える蛍光体層シートＣを得た。

第２層として、透明層Ｂを作製した。具体的には、実施例１の第２層と同様にして、透明層シートＢを得た。ただし、透明層Ｂの膜厚は、表１に記載の膜厚とした。

次いで、蛍光体層シートＣおよび透明層シートＢを、積層条件を表１に示す条件に変更した以外は実施例１と同様にして、積層体を作製した。

実施例３
第１層として、蛍光体層Ｄを作製した。具体的には、加熱（ベイク）条件および膜厚を表１に示す条件および膜厚に変更した以外は、実施例１の第１層と同様にして、剥離シートと、蛍光体層Ｄとを備える蛍光体層シートＤを得た。

次いで、蛍光体層シートＤおよび透明層シートＢを、積層条件を表１に示す条件に変更した以外は実施例１と同様にして、積層体を作製した。

実施例４
第１層として、蛍光体層Ｅを作製した。具体的には、加熱（ベイク）条件を表１に示す条件に変更した以外は、実施例１の第１層と同様にして、剥離シートと、蛍光体層Ｅとを備える蛍光体層シートＥを得た。

次いで、蛍光体層シートＥおよび透明層シートＢを、積層条件を表１に示す条件に変更した以外は実施例１と同様にして、積層体を作製した。

実施例５
第１層として、蛍光体層Ｃを作製した。具体的には、実施例２の第１層と同様にして、蛍光体層シートＣを得た。ただし、蛍光体層Ｃの膜厚は、表１に記載の膜厚とした。

蛍光体層シートＣおよび透明層シートＢを、蛍光体層および透明層が接触するように、プレス機を用いて、積層した（図３Ａ、図３Ｂ参照）。このとき、加熱温度６０℃、圧力０．２０ＭＰａ、真空度０．５ｋＰａ、プレス時間１０秒となるように設定した。これにより、積層体を作製した。

実施例６
第１層として、蛍光体層Ｃを作製した。具体的には、実施例２の第１層と同様にして、蛍光体層シートＣを得た。ただし、蛍光体層Ｃの膜厚は、表１に記載の膜厚とした。

次いで、蛍光体層シートＣの蛍光体層Ｃの表面に、透明組成物を、膜厚１５３μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、８０℃で１３分間乾燥して、透明層Ｂを形成することにより、積層体を作製した。

実施例７
第１層として、透明層Ｂを作製した。具体的には、実施例１の第２層と同様にして、透明層シートＢを得た。ただし、透明層Ｂの膜厚は、表２に記載の膜厚とした。

第２層として、透明層Ｂを作製した。具体的には、実施例１の第２層と同様にして、透明層シートＢを得た。ただし、透明層Ｂの膜厚は、表２に記載の膜厚とした。

次いで、これら２つの透明層シートＢを、実施例１と同様の条件で積層して、積層体を作製した。

実施例８
第１層として、反射層Ｆを下記のように作製した。

シリコーン樹脂組成物６９質量％、酸化チタン粒子１質量％、ガラス粒子３０質量％を加えて、それらを３分間撹拌し、反射組成物を調製した。

次に、反射組成物Ｆを、剥離シート（上記と同一）の表面に、膜厚１５１μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、８０℃で１３分加熱（ベイク）した。これにより、剥離シートと、反射層Ｆとを備える反射層シートＦを得た。

第２層として、透明層Ｂを作製した。具体的には、実施例１の第２層と同様にして、透明層シートＢを得た。

次いで、反射層シートＦおよび透明層シートＢを、実施例１と同様の条件で積層して、積層体を作製した。

実施例９
第１層として、蛍光体層Ｇを下記のように作製した。

シリコーン樹脂組成物５９質量％、蛍光体４０質量％、ヒュームドシリカ１質量％を加えて、それらを３分間撹拌し、蛍光組成物Ｇを調製した。

次に、蛍光組成物Ｇを、第１剥離シートの表面に、膜厚１４５μｍとなるようにコンマコーターで塗布し、続いて、８０℃で１２分加熱（ベイク）した。これにより、第１剥離シートと、Ｂステージの蛍光体層Ｇとを備える蛍光体層シートＧを得た（図２Ａ参照）。

第２層として、反射層Ｆを作製した。具体的には、実施例８の第１層と同様にして、反射シートＦを得た。

次いで、蛍光体層シートＧおよび反射層シートＦを、実施例１と同様の条件で積層して、積層体を作製した。

比較例１〜３
第１層として、蛍光体層Ｈ，ＩまたはＪを作製した。具体的には、加熱（ベイク）条件および膜厚を表２に示す条件および膜厚に変更した以外は、実施例１の第１層と同様にして、剥離シートと、蛍光体層Ｈ，ＩまたはＪとを備える蛍光体層シートＨ，Ｉ，Ｊを得た。

次いで蛍光体層シートＨ，Ｉ，Ｊおよび透明層シートＢを、積層条件を表２に示す条件に変更した以外は実施例１と同様にして、積層体を作製した。

比較例４
第１層として、蛍光体層Ｋを作製した。具体的には、加熱（ベイク）条件を８０℃、１３分の加熱、および、その後、１５０℃、８時間の加熱に変更し、膜厚を１４７μｍに変更した以外は、実施例１の第１層と同様にして、剥離シートと、蛍光体層Ｋとを備える蛍光体層シートＫを得た。

第２層として、上記と同様にして、蛍光体層Ｋを作製した。ただし、この蛍光体層Ｋの膜厚は、表２に記載の膜厚とした。

次いで、これら２つの蛍光体層シートＫを、積層条件を表２に示す条件に変更した以外は実施例１と同様にして、積層体を作製した。

＜貼着光半導体素子の製造＞
実施例１
＜素子用意工程＞
まず、特開２０１２−１７５０６８号公報の実施例３の方法に準拠して、封止層と、光半導体素子とを備える封止光半導体素子を用意した（図５Ｅ参照）。

具体的には、まず、電極が上面に設けられた光半導体素子（１．１ｍｍ角、高さ（厚み）１８０μｍ、エピスター社製）を複数用意した（図５Ａ参照）。次いで、支持板（ステンレスキャリア）と、支持板の上面に配置される粘着シート（「リバアルファ」、日東電工社製）とを備える仮固定基材の上に、１．６４ｍｍピッチで、前後方向に２０個、左右方向に２０個、整列配置した（図５Ｂ参照）。このとき、光半導体素子の下面（対向面）を粘着シートの上面に接触させた。

次いで、封止層を、電極および光半導体素子を被覆するように、粘着層の上に形成した（図５Ｃ参照）。なお、封止層を、封止材として東レダウコーニング社製から販売される「ＯＥ−６６３０」から、調製した。

続いて、封止層の上側部分を、電極の上面（露出面）が露出するように、グラインド加工した（図５Ｄ参照）。これによって、封止層と、封止層によって、周側面および上面（電極面）が被覆された封止光半導体素子を、仮固定基材に支持された状態で、得た。

その後、封止光半導体素子を、粘着シートから引き剥がした（図５Ｅ参照）。

そして、上記の仮固定基材と同様の構成を有する基材を別途用意し、次いで、封止光半導体素子（図５Ｅ参照）を基材に配置した（図４Ａ参照）。具体的には、上記した封止光半導体素子における電極の露出面と、上記した露出面と面一に形成された封止層の下面を、粘着シートの上面に仮固定した。

＜熱プレス工程＞
次いで、各実施例および各比較例の積層体を封止光半導体素子に貼着した（図４Ｂ参照）。

具体的には、まず、各実施例および各比較例において、第１剥離シートを剥がした。次いで、第１層を、光半導体素子の上面（対向面）と、上記した上面と面一に形成されている封止層の上面とに対向配置し、続いて、平板熱プレス機によって、６０℃、５分間、０．４８ＭＰａの圧力で熱プレスした。

＜完全硬化工程＞
その後、第２剥離シートを第２層から引き剥がし、次いで、基材、封止光半導体素子および積層体を、１００℃のオーブンに１０分間放置し、その後、オーブンの温度を１５０℃に設定し、その後、８時間、放置することにより、積層体を完全硬化させた（図４Ｃ参照）。

＜個片化工程＞
次いで、隣接する光半導体素子間における封止層および積層体を、切断して、光半導体素子を個片化した。これにより、１つの光半導体素子、封止層および積層体を備える貼着光半導体素子を、基材に支持された状態で、得た（図４Ｄの１点破線参照）。

＜剥離工程＞
続いて、貼着光半導体素子を基材から引き剥がした（図４Ｄの矢印および仮想線参照）。

＜実装工程＞
その後、貼着光半導体素子を、基板に実装した。

具体的には、貼着光半導体素子における光半導体素子を、基板に対して、フリップチップ実装した（図４Ｅ参照）。

これによって、基板と、貼着光半導体素子とを備える光半導体装置を得た。

実施例２〜９および比較例１〜４
実施例２〜９および比較例１〜４の積層体についても、実施例１と同様にして、貼着光半導体素子を得、続いて、光半導体装置を得た。

＜評価＞
（貯蔵剪断弾性率Ｇ’）
各実施例および各比較例にて作製した蛍光体層シート、透明層シートおよび反射層シートにおける第１層および第２層（蛍光体層Ａ〜Ｋ、透明層Ｂおよび反射層Ｆ）を、それぞれ、下記の条件で動的粘弾性測定した。

また、各実施例および各比較例で得られた積層体（第１層および第２層の積層体）についても、下記の条件で、動的粘弾性測定した。

［条件］
粘弾性装置：回転式レオメータ（Ｃ−ＶＯＲ装置、マルバーン社製）
サンプル形状：円板形状
サンプル寸法：膜厚１５０μｍ、直径８ｍｍ
歪量：１０％
周波数：１Ｈｚ
プレート径：８ｍｍ
プレート間ギャップ：１３０μｍ
昇温速度：２０℃／分
温度範囲：２０〜２００℃
貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線を図７に示す。

また、貯蔵剪断弾性率Ｇ’の極小値、および、２５、６０、８０、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’を表１〜２に示す。

（圧縮弾性率）
蛍光体層Ａ〜Ｋ、透明層Ｂおよび反射層Ｆの２５℃における圧縮弾性率を、精密荷重測定機（アイコーエンジニアリング社製）により、測定した。

（トルエン可溶分）
各層（蛍光体層Ａ〜Ｋ、透明層Ｂおよび反射層Ｆ）における樹脂のトルエン可溶分を、下記の手順に従って、算出した。

手順（１）：積層体を焼成して、残渣の質量（無機粒子の質量）を計量した。

手順（２）：各層１．１ｇ（試料質量）を精秤し、これをＰＴＦＥシート（孔径０．２μｍ）で包み、２５℃で、トルエン１００ｇで２４時間浸漬、振とうさせた。

手順（３）：トルエン不溶分を分離して採取し、これを乾燥させた後、トルエン不溶分の質量を測定した。

手順（４）：試料質量からトルエン不溶分の質量を差し引くことにより、トルエン可溶分の質量を算出した。

手順（５）：仕込みの試料質量から、蛍光体および粒子の質量を差し引いて、樹脂の質量を算出した。

手順（６）：下記式により、トルエン可溶分を算出した。

トルエン可溶分（質量％）＝トルエン可溶分の質量／樹脂の質量×１００
つまり、トルエン可溶分の質量を各層における熱硬化性樹脂の質量（試料質量から無機粒子の質量を差し引いた質量）で除して得られた百分率をトルエン可溶分（質量％）として算出した。その結果を表１〜２に示す。

（ＮＭＲ測定）
１．ＣＨ_２＝ＣＨ−基の含量
蛍光体層Ａ〜Ｋ、透明層Ｂおよび反射層ＦにおけるＣＨ_２＝ＣＨ−基（ビニル基）の含有量を固体ＮＭＲ測定により算出した。具体的には、ワニスの状態での含有量を１００％として計算した。その結果を表１〜２に示す。

２．Ｈ−Ｓｉ基の含量
蛍光体層Ａ〜Ｋ、透明層Ｂおよび反射層ＦにおけるＨ−Ｓｉ基の含有量（ヒドロシリル基）を固体ＮＭＲ測定により算出した。具体的には、ワニスの状態での含有量を１００％として計算した。その結果を表１〜２に示す。

（積層前後の物性）
実施例１において、積層後における積層体の蛍光体層Ａおよび透明層Ｂのそれぞれの物性を測定したところ、積層前の蛍光体層シートにおける蛍光体層Ａおよび透明層Ｂのそれぞれの物性と同一であった。その他の実施例および比較例についても、同様の評価であった。

（膜厚の測定）
各実施例および各比較例で用いた蛍光体層シート、透明層シートおよび反射層シートにおける第１層および第２層（蛍光体層Ａ〜Ｋ、透明層Ｂおよび反射層Ｆ）の膜厚（平均膜厚）を、リニアゲージにより測定した。なお、膜厚の測定に関し、面方向に等間隔となるように１０箇所を選択し、その１０箇所の膜厚を測定し、その平均値を膜厚とした。

また、各実施例および各比較例で得られた積層体（第１層および第２層の積層体）の膜厚（平均膜厚）についても、同様に測定した。

積層体の膜厚のばらつきをリニアゲージにより測定した。具体的には、上記積層体で測定した１０箇所の膜厚のうち、最大値と最小値との差をばらつきとして、算出した。

これらの結果を表１〜２に示す。

（積層体における第１層と第２層との密着性）
各実施例および各比較例で得られた積層体について、第１層と第２層とを手作業で剥離した。このときの第１層と第２層との界面における破壊モードを測定した。凝集破壊を○と評価し、界面破壊を×と評価した。なお、比較例４については、第１層と第２層とが貼着しておらず、容易に剥離した。結果を表１〜２に示す。

（貼着光半導体素子における積層体と光半導体素子との密着性）
各実施例および各比較例で得られた貼着光半導体素子について、第１層と光半導体素子とを手作業で剥離した。このときの第１層と光半導体素子との界面における破壊モードを測定した。凝集破壊であった場合を○と評価し、界面剥離であった場合を×と評価した。結果を表１〜２に示す。

（貼着光半導体素子におけるボイドの発生）
各実施例および各比較例で得られた貼着光半導体素子について、第１層と光半導体素子との界面にボイド（空隙）が発生しているか否かを目視にて確認した。ボイドの発生が確認されなかった場合を○と評価し、ボイドの発生が確認された場合を×と評価した。結果を表１〜２に示す。

（貼着光半導体素子における色度の検査）
各実施例および各比較例で得られた光半導体装置における光半導体素子を３００ｍＡで発光させた。

このときの発光の色度ＣＩＥ（ｘ，ｙ）をマルチチャンネル分光器（ＭＣＰＤ−９８００、大塚電子社製）により測定し、ＣＩＥ，ｙ値の幅を測定した。結果を表１〜２に示す。なお、幅が０．００９以下であると、色均一性が良好である。

（シリコーン樹脂組成物の反応により得られる生成物の炭化水素基（Ｒ^５）におけるフェニル基の含有割合の測定）
シリコーン樹脂組成物（つまり、蛍光体および粒子が含まれていないシリコーン樹脂組成物）の反応により得られる生成物中、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基（平均組成式（３）のＲ^５）におけるフェニル基の含有割合（モル％）を、^１Ｈ−ＮＭＲおよび^２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出した。

具体的には、Ａステージのシリコーン樹脂組成物を、蛍光体および粒子を添加せずに、１００℃１時間で、反応（完全硬化、Ｃステージ化）させて、生成物を得た。

次いで、得られた生成物の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定することで、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基（Ｒ^５）におけるフェニル基が占める割合（モル％）を算出した。

その結果、シリコーン樹脂組成物の反応により得られる生成物の炭化水素基（Ｒ^５）におけるフェニル基の含有割合は、４８％であった。

なお、実施例１〜８および比較例１〜３における第２層としての蛍光体層Ｂの物性は、実施例７で用いた第１層としての透明層Ｂと同一の物性を示しているので、表への記載を省略している。実施例９における第２層としての反射層Ｆの物性は、実施例８で用いた第１層としての反射層Ｆと同一物性を示しているので、表への記載を省略している。比較例４において、第２層の蛍光体層Ｋの物性も、第１層の蛍光体層Ｋの物性と同一であるため、省略している。

１積層体
２蛍光体層
３透明層
８貼着光半導体素子
３０ロールラミネーター

Claims

光半導体素子に直接的または間接的に貼着するように使用される積層体であって、
第１層と、その厚み方向一方面に設けられる第２層とを備え、
前記第１層および前記第２層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、ともに、極小値を有し、
前記第１層および前記第２層について、前記極小値における温度Ｔが、ともに、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、
前記第１層および前記第２層について、前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあり、
前記第１層および前記第２層について、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、８１，０００Ｐａ以下であることを特徴とする、積層体。
前記第１層が、蛍光体を含有することを特徴とする、請求項１に記載の積層体。
前記第１層が、反射粒子を含有することを特徴とする、請求項１に記載の積層体。
光半導体素子に直接的または間接的に貼着するように使用される積層体の製造方法であって、
第１層および第２層を用意する用意工程、ならびに、
前記第１層および前記第２層を、１００℃以下の条件で、ロールラミネーターを用いて、積層する積層工程
を備え、
前記用意工程では、
前記第１層および前記第２層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、ともに、極小値を有し、
前記第１層および前記第２層について、前記極小値における温度Ｔが、ともに、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、
前記第１層および前記第２層について、前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあり、
前記第１層および前記第２層について、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、８１，０００Ｐａ以下であるように調整することを特徴とする、積層体の製造方法。
光半導体素子に直接的または間接的に貼着するように使用される積層体の製造方法であって、
第１層および第２層を用意する用意工程、ならびに、
前記第１層および前記第２層を、１００℃以下の条件で、真空プレスを実施して、積層する積層工程
を備え、
前記用意工程では、
前記第１層および前記第２層を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線が、ともに、極小値を有し、
前記第１層および前記第２層について、前記極小値における温度Ｔが、ともに、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、
前記第１層および前記第２層について、前記極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、１，０００Ｐａ以上、９０，０００Ｐａ以下の範囲にあり、
前記第１層および前記第２層について、１００℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、ともに、８１，０００Ｐａ以下であるように調整することを特徴とする、積層体の製造方法。
前記積層工程では、０．８０ＭＰａ以下の圧力で、積層することを特徴とする、請求項４または５に記載の積層体の製造方法。
請求項１〜３のいずれかに記載の積層体を用意する用意工程、および、
前記積層体を、前記光半導体素子に対して熱プレスすることにより、光半導体素子を貼着する熱プレス工程
を備えることを特徴とする、貼着光半導体素子の製造方法。