TW201438291A - 光半導體裝置之製造方法 - Google Patents
光半導體裝置之製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201438291A TW201438291A TW103104986A TW103104986A TW201438291A TW 201438291 A TW201438291 A TW 201438291A TW 103104986 A TW103104986 A TW 103104986A TW 103104986 A TW103104986 A TW 103104986A TW 201438291 A TW201438291 A TW 201438291A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- stage
- phosphor sheet
- manufacturing
- optical semiconductor
- led
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 155
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 166
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims abstract description 62
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 57
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 14
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 14
- -1 (Ba Chemical compound 0.000 description 13
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 11
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 11
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 9
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 9
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical group CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N n-butylhexane Natural products CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- MFAWEYJGIGIYFH-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trimethoxymethyl)dodecoxymethyl]oxirane Chemical compound C(C1CO1)OCCCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC MFAWEYJGIGIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JZHKIUBMQMDQRG-UHFFFAOYSA-N C(=C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C(=C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC JZHKIUBMQMDQRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- XTDKZSUYCXHXJM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyoxane Chemical compound COC1CCCCO1 XTDKZSUYCXHXJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000254158 Lampyridae Species 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGLKELDWPZFFKF-UHFFFAOYSA-N OC(C1=CC=CC=C1C(O)=O)=O.OC(C1=CC=CC=C1C(O)=O)=O.OC(C1=CC=CC=C1C(O)=O)=O.P.P Chemical compound OC(C1=CC=CC=C1C(O)=O)=O.OC(C1=CC=CC=C1C(O)=O)=O.OC(C1=CC=CC=C1C(O)=O)=O.P.P IGLKELDWPZFFKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920002675 Polyoxyl Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229940044949 eucalyptus oil Drugs 0.000 description 1
- 239000010642 eucalyptus oil Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007901 soft capsule Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000004964 sulfoalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本發明之光半導體裝置之製造方法係藉由螢光體片材被覆光半導體元件者。其具備試製步驟，其試製試製品並進行評價；決定步驟，其基於試製品之評價，決定用以製造光半導體裝置之製造條件；及製造步驟，其基於決定步驟所決定之製造條件，製造藉由B階段之螢光體片材被覆光半導體元件，並使該螢光體片材進行C階段化之光半導體裝置。試製步驟具備製備包含螢光體及硬化性樹脂之清漆之清漆製備步驟，由清漆形成B階段之螢光體片材之B階段化步驟，使階段之螢光體片材進行C階段化之C階段化步驟，及評價C階段之螢光體片材之評價步驟。
Description
本發明係關於一種光半導體裝置之製造方法，詳細而言，係關於一種藉由螢光體片材被覆光半導體元件之光半導體裝置之製造方法。
先前，已知藉由包含螢光體之螢光體片材將LED(Light-Emitting Diode，發光二極體)被覆並密封，從而製造LED裝置。
於此種LED裝置中，藉由螢光體片材使自LED發出之光進行波長轉換，將經波長轉換之光照射至外部。
自LED裝置照射之光之色溫除依存LED之發光波長以外，進而，較大地依存例如螢光體片材之光學特性，具體而言，為螢光體片材之形狀、螢光體片材對於LED之配置、螢光體片材中之螢光體之含有比率等。
因此，作為可照射所期望之色溫之光之LED裝置的製造方法，提出以下之方法(例如，參照下述專利文獻1)。
即，於下述專利文獻1中，由注入螢光體之柔軟之膠囊材料預形成螢光體片材，使該螢光體片材覆蓋安裝於基板上之LED，其後，對LED施加電壓，使LED發光，從而測定色溫並進行檢查。
於檢查中，若色溫適當，則於檢查後，藉由加熱，使螢光體片材硬化，並對LED及基板進行永久性層壓處理。
另一方面，於檢查中，若色溫不適當，則於檢查後，將螢光體
片材自LED及基板剝離，繼而，使其他種類之螢光體片材再次覆蓋安裝於基板上之LED，其後，以與上述相同之方式，進行檢查。
對於下述專利文獻1所提出之方法，若色溫不適當，則將螢光體片材更換為其他螢光體片材，另一方面，安裝於基板上之LED可直接再利用，故而提高基板及LED之良率。
[專利文獻1]日本專利特開2007-123915號公報
然而，於上述專利文獻1所提出之方法中，硬化前之螢光體層藉由硬化，易於產生伴隨硬化收縮之翹曲等變形，若如此，則自LED發出之光之螢光體層中之光程長度發生變化。因此，硬化之螢光體層之光學特性、及檢查時之硬化前之螢光體層之光學特性產生較大之偏差(變動)。
其結果，有不易於獲得目標LED裝置之異常。
又，於上述專利文獻1所提出之方法中，若使硬化前之螢光體片材於檢查之前硬化，則於檢查中，於色溫不適當之情形時，C階段化之螢光體片材接著於基板及LED，故而有無法再利用基板及LED之異常。
進而，根據上述專利文獻1所提出之方法，歸根究底，檢查每個製品，判斷色溫是否適當，於不適當之情形時，隨時更換螢光體片材，故而有無法充分提高LED裝置之製造效率之異常。
本發明之目的在於提供一種半導體裝置之製造方法，其可藉由一面使用B階段之螢光體片材，一面謀求製造效率之提高，並且提高製造條件之精度，而獲得發光可靠性優異之光半導體裝置。
本發明之光半導體裝置之製造方法之特徵在於：其係藉由螢光體片材被覆光半導體元件者，其具備：試製步驟，其試製試製品並進行評價；決定步驟，其基於上述試製品之評價，決定用以製造上述光半導體裝置之製造條件；及製造步驟，其基於上述決定步驟所決定之上述製造條件，製造藉由B階段之上述螢光體片材被覆上述光半導體元件，並使該螢光體片材進行C階段化之上述光半導體裝置，上述試製步驟具備製備包含螢光體及硬化性樹脂之清漆之清漆製備步驟，由上述清漆形成B階段之上述螢光體片材之B階段化步驟，使B階段之上述螢光體片材進行C階段化之C階段化步驟，及評價C階段之上述螢光體片材之評價步驟。
根據該方法，決定步驟係基於包含C階段之螢光體片材之試製品之評價，決定製造條件。並且，製造步驟係基於決定步驟所決定之製造條件，製造光半導體裝置。
若如此，則成為評價對象之試製品之螢光體片材為C階段。因此，於製造條件中，考慮到於螢光體片材中，由上述C階段化所引起之光學特性之變動。
其結果，於製造步驟中，可製造發光可靠性優異之光半導體裝置。
並且，基於根據試製品之評價而決定之製造條件，而製造光半導體裝置，故而可以優異之精度量產光半導體裝置。因此，可充分地提高光半導體裝置之製造效率。
又，於本發明之光半導體裝置之製造方法中，較佳為於上述C階段化步驟中，藉由上述螢光體片材被覆上述光半導體元件，於上述評價步驟中，評價藉由上述螢光體片材被覆上述光半導體元件之上述光半導體裝置。
根據該方法，於C階段化步驟中，藉由螢光體片材被覆光半導體元件。即，可將藉由螢光體片材被覆光半導體元件之試製品與作為實際製品之光半導體裝置設為相同之構成。
因此，可基於構成與實際製品相同之試製品的評價，決定實際製品之製造條件。
其結果，可更進一步高精度地決定製造條件，可製造發光可靠性更進一步優異之光半導體裝置。
又，於本發明之光半導體裝置之製造方法中，較佳為上述試製步驟進而具備試製條件決定步驟，其基於在本次以前試製上述試製品之試製條件及評價之資訊，決定用以本次試製上述試製品之試製條件。
根據該方法，基於在本次以前試製試製品之試製條件及評價之資訊，決定用以本次試製試製品之試製條件，故而可累積於本次以前進行試製之試製條件，可基於累積之試製條件及評價，提高製造條件之精度。因此，可獲得發光可靠性優異之光半導體裝置。
根據本發明，可更進一步高精度地決定製造條件，可獲得發光可靠性更優異之光半導體裝置。又，可充分地提高光半導體裝置之製造效率。
1‧‧‧LED裝置(雷射二極體裝置)
2‧‧‧螢光體片材
3‧‧‧LED(雷射二極體)
4‧‧‧脫模片材
5‧‧‧基板
6‧‧‧試製品
7‧‧‧清漆
13‧‧‧分配器
20‧‧‧壓製機
21‧‧‧平板
51‧‧‧攪拌機
52‧‧‧容器
54‧‧‧加熱器
55‧‧‧烘箱
S1‧‧‧試製步驟
S2‧‧‧決定步驟
S3‧‧‧製造步驟
S4‧‧‧試製條件決定步驟
S5‧‧‧清漆製備步驟
S6‧‧‧B階段化步驟
S7‧‧‧C階段化步驟
S8‧‧‧評價步驟
S9‧‧‧記錄步驟
S11‧‧‧清漆製備步驟
S12‧‧‧B階段化步驟
S13‧‧‧C階段化步驟
圖1表示作為本發明之光半導體裝置之製造方法之一實施形態的LED裝置之製造方法之流程圖。
圖2表示圖1所示之試製步驟之流程圖。
圖3表示圖1所示之製造步驟之流程圖。
圖4係說明圖2之試製步驟中之清漆製備步驟之圖式。
圖5係說明圖2之試製步驟中之B階段化步驟之清漆之塗佈的圖
式。
圖6係說明圖2之試製步驟中之B階段化步驟之清漆之加熱的圖式。
圖7係說明圖2之試製步驟中之C階段化步驟，即藉由B階段之螢光體片材被覆LED前之狀態的圖式。
圖8係說明圖2之試製步驟中之C階段化步驟，即藉由B階段之螢光體片材被覆LED後之狀態的圖式。
圖9係圖2所示之試製步驟之變化例。
參照圖1~圖8，說明作為本發明之光半導體裝置之製造方法之一實施形態的LED裝置1之製造方法。
LED裝置1之製造方法為參照圖8所示，製造作為藉由螢光體片材2被覆作為光半導體元件之LED3之光半導體裝置的LED裝置1之方法。
LED裝置1之製造方法如圖1所示，具備試製步驟S1，其試製試製品6並進行評價；決定步驟S2，其基於試製品6之評價，決定用以製造LED裝置1之製造條件；及製造步驟S3，其基於決定步驟所決定之製造條件，製造藉由B階段之螢光體片材2被覆LED3，並使該螢光體片材2進行C階段化之LED裝置1。
試製步驟S1利用與繼而說明之製造步驟S3相同之製造裝置(製造設備)。又，試製步驟S1係試製相較於製造步驟S3中量產之LED裝置1相對少量之試製品6。於試製步驟S1中試製之LED裝置1之個數例如為100個以下，較佳為10個以下，例如為1個以上。即，於試製步驟S1中，以小規模試製試製品6。再者，LED裝置1之個數與LED3之個數無關，對應1塊基板5，數作1個。
試製步驟S1如圖2所示，具備試製條件決定步驟S4、製備包含螢光體及硬化性樹脂之清漆之清漆製備步驟S5、由清漆形成B階段之螢光體片材2之B階段化步驟S6、使B階段之螢光體片材2進行C階段化之C階段化步驟S7、及評價C階段之螢光體片材2之評價步驟S8。
於試製步驟S1中，清漆製備步驟S5、B階段化步驟S6及C階段化步驟S7係分別基於試製條件決定步驟S4所決定之試製條件而實施。
試製條件決定步驟S4為基於在本次以前試製試製品6之試製條件及評價之資訊，決定用以本次試製試製品6之試製條件之步驟。
作為試製條件之資訊，例如可列舉關於清漆之資訊、關於基板5之資訊、關於螢光體片材2之資訊等。作為關於清漆之資訊，可列舉例如螢光體之調配比率、最大長度之平均值(於球狀之情形時，平均粒徑)、吸收峰波長，例如A階段之硬化性樹脂之種類、黏度、調配比率等。作為關於基板5之資訊，可列舉例如基板5之外形形狀、尺寸、表面形狀(凹部之有無)，例如安裝於基板5上之LED3之形狀、尺寸、發光峰波長、基板5上之每單位面積之LED3之安裝數、每塊基板5上之LED3之安裝數等。作為關於螢光體片材2之資訊，可列舉例如清漆7之塗佈條件(具體而言，清漆7之形狀、厚度等)、B階段化中之清漆7之加熱條件、活性能量線之照射條件，例如C階段化中之螢光體片材2之加熱條件、活性能量線之照射條件、壓製條件、C階段之螢光體片材2之厚度等。
作為評價之資訊，例如可列舉試製品6之色溫、試製品6之總光通量等。
為了決定試製條件，基於過去之試製條件及評價之資訊，以成為本次試製之LED裝置1中之目標色溫及/或總光通量之方式，決定用以本次試製之試製條件。
再者，於本次以前進行試製之試製條件及評價之資訊記憶於管理該製造方法之步驟之電腦的記憶體等中。
於清漆製備步驟S5中，首先，分別準備螢光體及硬化性樹脂，將該等加以混合，製備清漆作為含螢光體之硬化性樹脂組合物。
螢光體具有波長轉換功能，例如可列舉可將藍光轉換為黃光之黃色螢光體、可將藍光轉換為紅光之紅色螢光體等。
作為黃色螢光體，可列舉例如(Ba,Sr,Ca)2SiO4：Eu、(Sr,Ba)2SiO4：Eu(正矽酸鋇(BOS))等矽酸鹽螢光體，例如Y3Al5O12：Ce(YAG(釔-鋁-石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(鋱-鋁-石榴石)：Ce)等具有石榴石型結晶構造之石榴石型螢光體，例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體等。
作為紅色螢光體，例如可列舉CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物螢光體等。
作為螢光體之形狀，例如可列舉球狀、板狀、針狀等。就流動性之觀點而言，較佳可列舉球狀。
螢光體之最大長度之平均值(於球狀之情形時，平均粒徑)例如為0.1μm以上，較佳為1μm以上，又，例如為2μm以下，較佳為100μm以下。
螢光體之吸收峰波長例如為300nm以上，較佳為430nm以上，又，例如為550nm以下，較佳為470nm以下。
螢光體可單獨使用，或可併用。
螢光體之調配比率相對於硬化性樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，例如為80質量份以下，較佳為50質量份以下。
作為硬化性樹脂，例如可列舉具有2階段之反應機制，且利用第
1階段之反應進行B階段化(半硬化)，利用第2階段之反應進行C階段化(完全硬化)之2階段硬化型樹脂。
作為2階段硬化型樹脂，可列舉例如藉由加熱而硬化之2階段硬化型熱硬化性樹脂，例如藉由活性能量線(例如，紫外線、電子束等)之照射而硬化之2階段硬化型活性能量線硬化性樹脂等。較佳可列舉2階段硬化型熱硬化性樹脂。
具體而言，作為2階段硬化型熱硬化型樹脂，例如可列舉聚矽氧樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。就透光性及耐久性之觀點而言，較佳可列舉2階段硬化型聚矽氧樹脂。
作為2階段硬化型聚矽氧樹脂，例如可列舉具有縮合反應與加成反應此2種反應系之縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂等。
作為此種縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂，可列舉：例如含有矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、含烯基之三烷氧基矽烷、有機氫聚矽氧烷、縮合觸媒及矽氫化觸媒之第1縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂，例如含有矽烷醇基兩封端聚矽氧烷(參照下述式(1))、含乙烯系不飽和烴基之矽化物(參照下述式(2))、含乙烯系不飽和烴基之矽化物(參照下述式(3))、有機氫聚矽氧烷、縮合觸媒及矽氫化觸媒之第2縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂，例如含有兩封端之矽烷醇型矽油、含烯基之二烷氧基烷基矽烷、有機氫聚矽氧烷、縮合觸媒及矽氫化觸媒之第3縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂，例如含有於1分子中具有至少2個烯矽烷基之有機聚矽氧烷、於1分子中具有至少2個矽氫基之有機聚矽氧烷、矽氫化觸媒及硬化延遲劑之第4縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂，例如含有於1分子中併有至少2個乙烯系不飽和烴基與至少2個矽氫基之第1有機聚矽氧烷、不含乙烯系不飽和烴基且於1分子中具有至少2個矽氫基之第2有機聚矽氧烷、矽氫化觸
媒及矽氫化抑制劑之第5縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂，例如含有於1分子中併有至少2個乙烯系不飽和烴基與至少2個矽烷醇基之第1有機聚矽氧烷、不含乙烯系不飽和烴基且於1分子中具有至少2個矽氫基之第2有機聚矽氧烷、矽氫化抑制劑、及矽氫化觸媒之第6縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂，例如含有矽化物、及硼化物或鋁化合物之第7縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂，例如含有聚鋁矽氧烷及矽烷偶合劑之第8縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂等。
作為縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂，較佳可列舉第2縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂，具體而言，詳細記載於日本專利特開2010-265436號公報等中，例如含有矽烷醇基兩封端之聚二甲基矽氧烷、乙烯基三甲氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷、二甲基聚矽氧烷-共聚-甲基氫聚矽氧烷、氫氧化四甲基銨及鉑-羰基錯合物。具體而言，第2縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂例如藉由首先，一次性加入作為縮合原料之含乙烯系不飽和烴基之矽化物及含乙烯系不飽和烴基之矽化物、及縮合觸媒，其次，加入作為加成原料之有機氫聚矽氧烷，其後，加入矽氫化觸媒(加成觸媒)，而進行製備。
藉此，製備A階段之2階段硬化型樹脂。
A階段之2階段硬化型樹脂之黏度例如為3000mPa．s以上，較佳為5000mPa．s以上，又，例如為20000mPa．s以下，較佳為11000mPa．s以下。再者，A階段之2階段硬化型樹脂之黏度係將A階段之2階段硬化型樹脂溫度調節為25℃，使用E型圓錐，於旋轉數99s-1下進行測定。以下之黏度藉由與上述相同之方法進行測定。
2階段硬化型樹脂之調配比率相對於含螢光體之硬化性樹脂組合物(清漆)，例如為30質量%以上，較佳為40質量%以上，更佳為50質量%以上，又，例如為98質量%以下，較佳為95質量%以下，更佳為
90質量%以下。
又，含螢光體之硬化性樹脂組合物中，根據需要，亦可含有填充劑及/或溶劑。
作為填充劑，可列舉例如聚矽氧粒子(具體而言，包含聚矽氧橡膠粒子)等有機微粒子，例如二氧化矽(例如，煙熏二氧化矽等)、滑石、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽等無機微粒子。又，填充劑之最大長度之平均值(於球狀之情形，平均粒徑)例如為0.1μm以上，較佳為1μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為100μm以下。填充劑可單獨使用或併用。填充劑之調配比率相對於硬化性樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，又，例如為70質量份以下，較佳為50質量份以下。
作為溶劑，可列舉例如己烷等脂肪族烴，例如二甲苯等芳香族烴，例如乙烯基甲基環狀矽氧烷、兩封端之乙烯基聚二甲基矽氧烷等矽氧烷等。溶劑以含螢光體之硬化性樹脂組合物成為下述黏度之調配比率，調配為含螢光體之硬化性樹脂組合物。
為了製備含螢光體之硬化性樹脂組合物，將2階段硬化型樹脂、螢光體、根據需要調配之填充劑及/或填充劑加以調配並進行混合。
為了製備含螢光體之硬化性樹脂組合物，具體而言，如圖4所示，於具備攪拌機51之混合容器52內，基於決定步驟S2中所決定之關於清漆之資訊，具體而言，基於例如螢光體之調配比率、螢光體之吸收峰波長、最大長度之平均值(於球狀之情形時，平均粒徑)，例如A階段之硬化性樹脂之種類、黏度、調配比率等，將上述各成分進行調配。繼而，使用攪拌機51將該等混合。
藉此，製備清漆作為A階段之含螢光體之硬化性樹脂組合物。
清漆之於25℃、1氣壓之條件下之黏度例如為1,000mPa．s以上，較佳為4,000mPa．s以上，又，例如為1,000,000mPa．s以下，
較佳為100,000mPa．s以下。
於如圖2所示之B階段化步驟S6中，由清漆形成B階段之螢光體片材2。
為了形成B階段之螢光體片材2，如圖5所示，例如，首先，將清漆塗佈於脫模片材4之表面。
作為脫模片材4，可列舉例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET(Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)等)等聚合物膜，例如陶瓷片材，例如金屬箔等。較佳可列舉聚合物膜。又，亦可於脫模片材4之表面，實施氟處理等剝離處理。又，脫模片材4之形狀並無特別限定，例如，形成為俯視大致矩形狀(包含短條狀、長條狀)等。
為了將清漆塗佈於脫模片材4之表面，例如，使用分配器、敷料器、狹縫式塗佈機等塗佈裝置。較佳為使用圖5所示之分配器13。
又，以螢光體片材2之厚度例如成為10μm以上，較佳為成為50μm以上，又，例如成為2000μm以下，較佳為成為1000μm以下之方式，將清漆塗佈於脫模片材4上。
清漆7塗佈為於俯視下例如大致矩形狀(包含短條狀、長條狀)，例如圓形狀等適當之形狀。構成上述形狀之清漆7亦可相互隔開間隔而形成。
又，可將清漆7塗佈於例如俯視大致矩形狀(長條狀除外)之脫模片材4上，藉由繼而說明之B階段化，製成單片式之螢光體片材2，或者亦可連續地塗佈於長條狀之脫模片材4上，藉由繼而說明之B階段化，製成連續式之螢光體片材2。再者，將螢光體片材2設為單片式之情形，即於相同之脫模片材4中，製造複數片螢光體片材2之情形時，將清漆7斷續地塗佈。
其後，使所塗佈之清漆7進行B階段化(半硬化)。
於清漆7含有2階段硬化型熱硬化性樹脂之情形時，例如，對塗佈之清漆7進行加熱。
為了加熱清漆7，例如，如圖6所示，使用具備對向配置於脫模片材4之上側及/或下側之加熱器54之烘箱55。
關於加熱條件，加熱溫度例如為40℃以上，較佳為80℃以上，更佳為100℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為150℃以下，更佳為140℃以下。加熱時間例如為1分鐘以上，較佳為5分鐘以上，更佳為10分鐘以上，又，例如為24小時以下，較佳為1小時以下，更佳為0.5小時以下。
或者，於清漆7含有2階段硬化型活性能量線硬化性樹脂之情形時，對清漆7照射活性能量線。具體而言，使用紫外線燈等對清漆7照射紫外線。
藉此，清漆7一方面進行B階段化(半硬化)，另一方面不進行C階段化(完全硬化)，即，形成C階段化(完全硬化)前之螢光體片材2，即，B階段之螢光體片材2。
藉此，如圖6所示，製造積層於脫模片材4之表面之B階段之螢光體片材2。
具體而言，基於決定步驟S2中所決定之清漆7之塗佈條件(具體而言，清漆7之形狀、厚度等)、B階段化中之清漆7之加熱條件、活性能量線之照射條件，由清漆7形成B階段之螢光體片材2。
該片材製造步驟S3中所製造之螢光體片材2之於25℃時之壓縮彈性模數例如為0.040MPa以上，較佳為0.050MPa以上，更佳為0.075MPa以上，進而較佳為0.100MPa以上，又，例如為0.145MPa以下，較佳為0.140MPa以下，更佳為0.135MPa以下，進而較佳為0.125MPa以下。
若壓縮彈性模數超出上述上限，則於C階段化步驟S7中，在藉由螢光體片材2被覆LED3之時，LED3打線結合連接於基板5之情形時，有線(未圖示)發生變形之情形。
另一方面，若壓縮彈性模數未達上述下限，則變得難以確保螢光體片材2之形狀。即，有清漆7不形成螢光體片材2之形狀之情形。
其後，亦可根據需要，將連續式之B階段之螢光體片材2與連續之脫模片材4一起，切斷為特定形狀，製成單片式之螢光體片材2。
於圖2所示之C階段化步驟S7中，如圖7及圖8所示，首先，藉由B階段之螢光體片材2被覆LED3，其次，使B階段之螢光體片材2進行C階段化。
為藉由B階段之螢光體片材2被覆LED3，如圖7所示，首先，準備安裝有LED3之基板5。
基板5例如包含矽基板、陶瓷基板、聚醯亞胺樹脂基板、於金屬基板上積層有絕緣層之積層基板等絕緣基板。
又，於基板5之表面，形成有具備用以與繼而說明之LED3之端子(未圖示)電性連接之電極(未圖示)、及與其連接之配線之導體圖案(未圖示)。導體圖案例如由金、銅、銀、鎳等導體形成。
又，基板5之表面形成為平坦狀。或者，雖未圖示，亦可於基板5之安裝有LED3之表面上，形成朝下方凹下之凹部。
基板5之外形形狀並無特別限定，例如，可列舉俯視大致矩形狀、俯視大致圓形狀等。適當選擇基板5之尺寸，例如最大長度例如為2mm以上，較佳為10mm以上，又，例如為300mm以下，較佳為100mm以下。
LED3係將電能轉換為光能之光半導體元件，例如，形成為厚度較面方向長度(對於厚度方向之正交方向長度)更短之剖面觀察大致矩
形狀。
作為LED3，例如可列舉發藍光之藍色LED(發光二極體元件)。LED3之尺寸根據用途及目的而適當設定，具體而言，厚度例如為10~1000μm，最大長度例如為0.05mm以上，較佳為0.1mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為2mm以下。
LED3之發光峰波長例如為400nm以上，較佳為430nm以上，又，例如為500nm以下，較佳為470nm以下。
LED3對於基板5，例如，進行倒裝晶片安裝，或者進行打線結合連接。
又，可對於1塊基板5，如圖5所示，安裝複數個(圖7中為3個)LED3。每塊基板5之LED3之安裝數例如為1個以上，較佳為4個以上，又，例如為2000個以下，較佳為400個以下。
並且，安裝有LED3之基板5係基於決定步驟S2中所決定之關於上述基板5之資訊，例如，基板5之外形形狀、尺寸、表面形狀(凹部之有無)，例如，安裝於基板5上之LED3之形狀、尺寸、LED3之發光峰波長、基板5之每單位面積之LED3之安裝數、每塊基板5之LED3之安裝數等，進行選擇並準備。
其次，於該方法中，將安裝有LED3之基板5設置於圖7所示之壓製機20中。
作為壓製機20，例如，採用具備於上下方向上隔開間隔而對向配置之2片平板21之平板壓製機等。
將安裝有LED3之基板5設置於如圖7所示之壓製機20時，具體而言，係將安裝有LED3之基板5設置於下側之平板21上。
繼而，將積層於脫模片材4之上表面之螢光體片材2(參照圖6)上下反轉，對向配置於LED3之上側。即，以使螢光體片材2朝向LED3之方式，進行配置。
其次，如圖8所示，藉由螢光體片材2被覆LED3。具體而言，藉由螢光體片材2埋設LED3。
又，基於決定步驟S2中所決定之壓製條件，藉由螢光體片材2被覆LED3。
具體而言，如圖7之箭頭所示，使螢光體片材2下降(下壓)。詳細而言，對於安裝有LED3之基板5壓製螢光體片材2。
壓製壓力例如為0.05MPa以上，較佳為0.1MPa以上，又，例如為1MPa以下，較佳為0.5MPa以下。
藉此，藉由螢光體片材2被覆LED3。即，LED3埋設於螢光體片材2內。
藉此，藉由螢光體片材2密封LED3。
其後，使螢光體片材2進行C階段化。
例如，基於決定步驟S2中所決定之C階段化中之螢光體片材2之加熱條件、活性能量線之照射條件，使螢光體片材2進行C階段化。
具體而言，於2階段硬化型樹脂為2階段硬化型熱硬化性樹脂之情形時，對螢光體片材2進行加熱。具體而言，一面維持利用平板21之對螢光體片材2之壓製狀態，一面投入烘箱內。藉此，加熱螢光體片材2。
加熱溫度例如為80℃以上，較佳為100℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為180℃以下。又，加熱時間例如為10分鐘以上，較佳為30分鐘以上，又，例如為10小時以下，較佳為5小時以下。
藉由螢光體片材2之加熱，使螢光體片材2進行C階段化(完全硬化)。
再者，於2階段硬化型樹脂為2階段硬化型活性能量線硬化性樹脂之情形時，藉由對螢光體片材2照射活性能量線，使螢光體片材2進行C階段化(完全硬化)。具體而言，使用紫外線燈等對螢光體片材2照
射紫外線。
藉此，試製具備螢光體片材2、藉由螢光體片材2密封之LED3、及安裝有LED3之基板5之試製品6。
於圖8中，於1個試製品6中，設有複數個(3個)LED3。
其後，將脫模片材4如圖8之假想線所示般，自螢光體片材2剝離。
再者，其後，根據需要，於複數個LED3安裝於1塊基板5上之情形時，亦可對應於各LED3，將螢光體片材2切斷並單片化。
於評價步驟S8中，為了評價C階段之螢光體片材2，例如，實施對試製品6(具體而言，藉由螢光體片材2被覆LED3之試製品6)之基板5之導體圖案(未圖示)流過電流，使LED3發光之點燈試驗。
具體而言，於點燈試驗中，對試製品6之基板5流過電流，測定剛流過電流後之光之色溫及/或總光通量。
具體而言，將試製品6供於點燈試驗時，光之色溫之測定值作為試製品6之評價，於圖2所示之記錄步驟S9中被記錄。
具體而言，於記錄步驟S9中，記錄試製品6之試製條件及評價，作為過去(以前)之試製品6之資訊而保管。
決定步驟S2為於試製步驟S1之後實施之步驟。於決定步驟S2中，基於試製品6之評價，決定用以製造LED裝置1之製造條件。
例如，基於試製步驟S1中所記錄之試製條件及評價，決定製造條件。
具體而言，若試製品6之光之色溫之測定值在目標範圍內，則於記錄步驟S9中所記錄之試製條件直接成為製造條件。
於目標光之顏色為晝白色之情形時，目標色溫例如為4600 K以
上，又，例如為5500 K以下。又，於目標光之顏色為溫白色之情形時，目標色溫例如為3250 K以上，又，例如為3800 K以下。
另一方面，若試製品6之光之色溫之測定值在目標範圍外，則根據於記錄步驟S9中所記錄之試製條件及評價，以成為目標色溫之方式決定製造條件。具體而言，以成為目標色溫之方式，修正試製條件，從而設為製造條件。例如，如上所述，修正關於清漆之資訊、關於基板5之資訊、關於螢光體片材2之資訊，較佳為修正關於清漆之資訊，更佳為修正螢光體之調配比率、螢光體之形狀、螢光體之最大長度之平均值、螢光體之吸收峰波長等，從而設為製造條件。
參照圖1，製造步驟S3為於決定步驟S2之後實施之步驟。製造步驟S3為基於決定步驟S2所決定之製造條件，製造LED裝置1之步驟。
製造步驟S3如圖3所示，具備清漆製備步驟S11、B階段化步驟S12及C階段化步驟S13。
於製造步驟S3(圖1)中，除使清漆製備步驟S11、B階段化步驟S12及C階段化步驟S13分別基於決定步驟S2所決定之製造條件以外，以分別與試製步驟S1中之清漆製備步驟S5、B階段化步驟S6及C階段化步驟S7(圖2)相同之方式實施。
藉此，製造構造與試製品6相同之LED裝置1。
製造步驟S3中量產之LED裝置1之個數例如為100個以上，較佳為500個以上，更佳為1000個以上，又，例如為100000個以下。
並且，根據該方法，決定步驟S2係基於包含C階段之螢光體片材2之試製品6之評價，決定製造條件。並且，製造步驟S3係基於決定步驟所決定之製造條件，製造LED裝置1。
若如此，則成為評價對象之試製品6之螢光體片材2為C階段。因此，於製造條件中，考慮到螢光體片材2中，因上述C階段化所引起
之光學特性之變動。具體而言，於製造條件中，藉由階段化，會預先導入因伴隨硬化收縮之翹曲等變形所引起之螢光體片材2之光學特性之變動。
其結果，於製造步驟S3中，可製造發光可靠性優異之LED裝置1。
而且，基於根據試製品6之評價而決定之製造條件，而製造LED裝置1，故而可以優異精度量產(即，大量生產)LED裝置1。因此，可充分提高LED裝置1之製造效率。
再者，試製步驟S1及決定步驟S2於用以量產不同類型之LED裝置1之製造步驟S3之前實施。進而，試製步驟S1及決定步驟S2係於螢光體及/或LED3被批量變更之情形時，於每次該等變更時，具體而言，於螢光體之最大長度之平均值、吸收峰波長、或LED3之發光峰波長每次變更時實施。
於圖8所示之實施形態中，於C階段化步驟S7中，首先，藉由B階段之螢光體片材被覆LED3，其次，使B階段之螢光體片材2進行C階段化。然而，例如，參照圖6，亦可使積層於脫模片材4之B階段之螢光體片材2直接進行C階段化。
於該情形時，於評價步驟S8中，測定C階段之螢光體片材2之伴隨硬化收縮之翹曲量。翹曲量係以螢光體片材2中之中央部向下側凹下之凹下量與周端部向上側突出之突出量之差而獲得。
較佳為如圖8所示之實施形態般，於C階段化步驟S7中，首先，藉由B階段之螢光體片材2被覆LED3，其次，使B階段之螢光體片材2進行C階段化。
根據此種方法，可將藉由螢光體片材2被覆LED3之試製品6與作為實際之製品之LED裝置1設為相同之構成。
因此，可基於構成與實際之製品(LED裝置1)相同之試製品6之評價，決定實際之製品(LED裝置1)之製造條件。
其結果，可更進一步高精度地決定製造條件，可製造發光可靠性更進一步優異之LED裝置1。
又，於圖2之實施形態中，試製條件決定步驟S4係基於過去之試製條件及評價之資訊，決定試製條件，但亦可例如，如圖9所示，不基於過去之試製條件及評價之資訊，而基於記錄步驟S9中所記錄之試製條件及評價，於圖1所示之決定步驟S2中，預測製造條件而進行決定。
較佳為於試製條件決定步驟S4中，基於過去之試製條件及評價之資訊，決定試製條件。
根據此種方法，可累積本次以前進行試製之試製條件，可基於累積之試製條件及評價，提高製造條件之精度。因此，可獲得發光可靠性優異之LED裝置1。
又，於圖7及圖8之實施形態中，C階段化步驟S7(參照圖2)中，首先，藉由B階段之螢光體片材2被覆LED3，其次，使B階段之螢光體片材2進行C階段化，例如，亦可同時實施B階段之螢光體片材2之對LED3之被覆與C階段化。
又，於圖8中，於1個LED裝置1上設有複數個LED3，雖未圖示，例如，亦可設有單數個LED3。
又，於圖8之實施形態中，作為本發明之光半導體元件及光半導體裝置，分別將LED3及LED裝置1作為一例進行說明，例如，亦可分別設為LD(雷射二極體)3及雷射二極體裝置1。
以下所示之實施例及比較例中之數值可由上述實施形態中所記載之對應數值(即，上限值或下限值)代替。
首先，對於加溫至40℃之矽烷醇基兩封端之聚二甲基矽氧烷[以下述式(1)中之R1全部為甲基，n=155所表示之化合物，平均分子量11,500]2031g(0.177mol)，將乙烯基三甲氧基矽烷[以下述式(2)中之R2為乙烯基，X1全部為甲氧基所表示之化合物]15.76g(0.106mol)作為含乙烯系不飽和烴基之矽化物，及(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷[以下述式(3)中之R3為3-縮水甘油氧基丙基，X2全部為甲氧基所表示之化合物]2.80g(0.0118mol)作為含乙烯系不飽和烴基之矽化物[矽烷醇基兩封端之聚二甲基矽氧烷之SiOH基之莫耳數與含乙烯系不飽和烴基之矽化物之SiX1基及含乙烯系不飽和烴基之矽化物之SiX2基之總莫耳數的比[SiOH/(SiX1+SiX2)=1/1]，加以攪拌並進行混合後，加入氫氧化四甲基銨甲醇溶液(濃度10質量%)0.97mL(觸媒量：0.88mol，相對於矽烷醇基兩封端之聚二甲基矽氧烷100莫耳為0.50莫耳，相對於縮合原料100g為4.0mg)作為縮合觸媒，於40℃下攪拌1小時。將所獲得之油一面於40℃下攪拌1小時，一面進行減壓(10mmHg)，除去揮發成分。其次，使反應液恢復至常壓後，以烯基相對於矽氫基之莫耳比成為SiR2/SiH=1/3.0之方式加入有機氫聚矽氧烷(二甲基聚矽氧烷-共聚-甲基氫聚矽氧烷)，於40℃下攪拌1小時。其後，加入鉑-羰基錯合物(鉑濃度2.0質量%)0.038mL(鉑含量相對於有機聚矽氧烷為0.375ppm，即，相對於縮合原料100g為0.375×10-4g)作為矽氫化觸媒，於40℃下攪拌10分鐘，從而製備A階段之聚矽氧樹脂組合物(第2縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂)。A階段之聚矽氧樹脂組合物之於25℃、1氣壓之條件下之黏度為8000mPa．s。
[化1]
[化2]R2-Si-(X1)3 (2)
[化3]R2-Si-(X1)3 (2)
將聚矽氧樹脂組合物100質量份、聚矽氧橡膠粒子(球狀，平均粒徑7μm)20質量份、及作為黃色螢光體之YAG粒子(球狀，平均粒徑7μm)10質量份投入具備攪拌機之混合容器中，使用攪拌機將該等混合。藉此，製備A階段之清漆。清漆之於25℃、1氣壓之條件下之黏度為20000mPa．s。
其次，利用分配器(參照圖5)將清漆於包含PET之脫模片材之表面上塗佈為俯視矩形狀(尺寸：10mm×100mm)，繼而，利用135℃之烘箱加熱15分鐘，藉此製造積層於脫模片材之厚度600μm之B階段之密封片材。
測定剛製造後之B階段之密封片材之於25℃時之壓縮彈性模數，為0.040MPa(參照表1)。具體而言，藉由Aikoh Engineering公司製造
之精密荷重測定機，算出25℃時之壓縮彈性模數。
準備俯視為矩形狀之厚度150μm之安裝有LED之基板(參照圖7)。LED及基板之形狀、個數及尺寸記載於以下。
基板之形狀：俯視正方形狀
基板之尺寸：1邊8mm，最大長度11mm
LED之形狀：俯視正方形狀
LED之尺寸：1邊0.3mm，最大長度0.4mm
LED之安裝數：9
LED之密度：基板之每單位面積(mm2)之LED之安裝數為0.14個/mm2
：每塊基板之LED之安裝數為9
LED之發光峰波長：452nm
繼而，將安裝有LED之基板設置於壓製機中(參照圖7)。
另外，將B階段之密封片材配置於設置有基板之壓製機中(參照圖7)。
繼而，藉由密封片材密封LED(參照圖8)。
具體而言，藉由平板壓製，於室溫下將密封片材壓下，以壓力0.2Mpa，利用密封片材埋設LED。藉此，藉由密封片材密封LED。
其後，將壓製密封片材及基板之平板投入烘箱中，將密封片材於150℃下加熱30分鐘，使密封片材進行C階段化。
其後，將脫模片材自密封片材剝離(參照圖8之箭頭)。
藉此，試製試製品。
再者，試製品之個數為1個。
其後，評價試製品之螢光體片材。
具體而言，於試製品之基板上流過100mA之電流，實施藉由Intensified Multichannel Photodetector(MCPD-9800，大塚電子公司製造)測定剛流過電流後之光之色溫之點燈試驗。
將其結果示於表1。
又，測定試製品之螢光體片材之翹曲量。
將其結果示於表1。
已知試製品之光之色溫之測定值大致達到作為目標範圍之5450 K，故而使螢光體之調配比率相對於聚矽氧樹脂組合物100質量份，保持為10質量份，而決定製造條件。
於製造步驟S3中，於決定步驟S2所決定之製造條件(螢光體之調配比率相對於聚矽氧樹脂組合物100質量份為10質量份)下，以分別與試製步驟S1中之清漆製備步驟S5、B階段化步驟S6及C階段化步驟S7相同之方式實施。藉此，製造LED裝置。
再者，LED裝置之個數為1000個。
測定所製造之LED裝置之色溫，色溫成為作為目標之5450 K，其偏差亦在作為目標範圍之5425~5475 K之內。
除於<B階段化步驟S6>後，對較<C階段化步驟S7>前之B階段之螢光體片材實施<評價步驟S8>以外，以與實施例1相同之方式實施。
如將<評價步驟S8>中之B階段之螢光體片材之「A.色溫」及
「B.翹曲量」的結果示於表1般，無法判斷製造之LED裝置之色溫是否達到目標值。
實施例1及比較例1之色溫(Tc)之差約為18 K，可知原因為因伴隨C階段化之硬化收縮所引起之翹曲量較大。
因此，實施例1之決定步驟中所決定之製造條件中，考慮到因翹曲量較大所引起之色溫之變動，藉此，作為製品之LED裝置之色溫在目標範圍內。
另一方面，比較例1之決定步驟中所決定之製造條件中，未考慮因翹曲量較大所引起之色溫之變動，因此，作為製品之LED裝置之色溫在目標範圍外。
再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，不可限定性地解釋。由該技術領域之業者明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。
光半導體裝置之製造方法用於製造LED裝置或LD裝置。
S4‧‧‧試製條件決定步驟
S5‧‧‧清漆製備步驟
S6‧‧‧B階段化步驟
S7‧‧‧C階段化步驟
S8‧‧‧評價步驟
S9‧‧‧記錄步驟
Claims (3)
- 一種光半導體裝置之製造方法，其特徵在於：其係藉由螢光體片材被覆光半導體元件者，其具備：試製步驟，其試製試製品並進行評價；決定步驟，其基於上述試製品之評價，決定用以製造上述光半導體裝置之製造條件；及製造步驟，其基於上述決定步驟所決定之上述製造條件，製造藉由B階段之上述螢光體片材被覆上述光半導體元件，並使該螢光體片材進行C階段化之上述光半導體裝置，上述試製步驟具備製備包含螢光體及硬化性樹脂之清漆之清漆製備步驟，由上述清漆形成B階段之上述螢光體片材之B階段化步驟，使B階段之上述螢光體片材進行C階段化之C階段化步驟，及評價C階段之上述螢光體片材之評價步驟。
- 如請求項1之光半導體裝置之製造方法，其中於上述C階段化步驟中，藉由上述螢光體片材被覆上述光半導體元件，於上述評價步驟中，評價藉由上述螢光體片材被覆上述光半導體元件之上述光半導體裝置。
- 如請求項1之光半導體裝置之製造方法，其中上述試製步驟進而具備試製條件決定步驟，其基於在本次以前試製上述試製品之試製條件及評價之資訊，決定用以本次試製上述試製品之試製條件。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013066293A JP2014192326A (ja) | 2013-03-27 | 2013-03-27 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201438291A true TW201438291A (zh) | 2014-10-01 |
Family
ID=51622884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103104986A TW201438291A (zh) | 2013-03-27 | 2014-02-14 | 光半導體裝置之製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2014192326A (zh) |
| KR (1) | KR20150135286A (zh) |
| CN (1) | CN104995755A (zh) |
| TW (1) | TW201438291A (zh) |
| WO (1) | WO2014155850A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10158051B2 (en) * | 2015-08-18 | 2018-12-18 | Jiangsu Cherity Optronics Co., Ltd. | Process method for refining photoconverter to bond-package LED and refinement equipment system |
| JP6593237B2 (ja) | 2016-03-22 | 2019-10-23 | 豊田合成株式会社 | 発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法 |
| CN109074453B (zh) | 2016-04-26 | 2021-10-26 | 三菱电机株式会社 | 入侵检测装置、入侵检测方法以及计算机能读取的存储介质 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4692059B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-06-01 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| US7344952B2 (en) * | 2005-10-28 | 2008-03-18 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs |
| US20090117672A1 (en) * | 2007-10-01 | 2009-05-07 | Intematix Corporation | Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of fabrication thereof |
| EP2196503B1 (en) * | 2008-12-12 | 2015-02-18 | Nitto Denko Corporation | Thermosetting silicone resin composition, silicone resin, silicone resin sheet and use thereof |
| JP2010159411A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-07-22 | Nitto Denko Corp | 半硬化状シリコーン樹脂シート |
| JP5566088B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2014-08-06 | 日東電工株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物 |
| JP5226774B2 (ja) * | 2009-07-27 | 2013-07-03 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
| JP5767062B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-08-19 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法 |
| JP2011077551A (ja) * | 2010-12-29 | 2011-04-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| JP2011066460A (ja) * | 2010-12-29 | 2011-03-31 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| US20140339582A1 (en) * | 2011-06-07 | 2014-11-20 | Nobuo Matsumura | Resin sheet laminate, method for manufacturing the same and method for manufacturing led chip with phosphor-containing resin sheet |
| JP5831013B2 (ja) * | 2011-07-28 | 2015-12-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
-
2013
- 2013-03-27 JP JP2013066293A patent/JP2014192326A/ja not_active Ceased
- 2013-12-10 KR KR1020157026060A patent/KR20150135286A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-12-10 WO PCT/JP2013/083084 patent/WO2014155850A1/ja active Application Filing
- 2013-12-10 CN CN201380072837.0A patent/CN104995755A/zh active Pending
-
2014
- 2014-02-14 TW TW103104986A patent/TW201438291A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014192326A (ja) | 2014-10-06 |
| KR20150135286A (ko) | 2015-12-02 |
| CN104995755A (zh) | 2015-10-21 |
| WO2014155850A1 (ja) | 2014-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI536614B (zh) | 含螢光體片材、使用該片材的ｌｅｄ發光裝置及其製造方法 | |
| US9219015B2 (en) | Phosphor layer-covered optical semiconductor element, producing method thereof, optical semiconductor device, and producing method thereof | |
| US9117979B2 (en) | Phosphor sheet, LED and light emitting device using the same and method for manufacturing LED | |
| KR101932982B1 (ko) | 형광체 함유 수지 시트 및 발광 장치 | |
| TW201312811A (zh) | 密封片材、其製造方法、發光二極體裝置及其製造方法 | |
| TW201340414A (zh) | 螢光密封片材、發光二極體裝置及其製造方法 | |
| US20150179482A1 (en) | Producing method of encapsulating layer-covered semiconductor element and producing method of semiconductor device | |
| TW201338217A (zh) | 密封片、發光二極體裝置及其製造方法 | |
| KR20160055141A (ko) | 파장 변환 시트, 봉지 광 반도체 소자 및 광 반도체 소자 장치 | |
| TW201438291A (zh) | 光半導體裝置之製造方法 | |
| JP2013138106A (ja) | 封止シート、光半導体装置の製造方法、光半導体装置および照明装置 | |
| TW201421747A (zh) | 密封片、光半導體裝置及其製造方法 | |
| TWI447967B (zh) | A system, a manufacturing condition determining device, and a manufacturing management device | |
| JP2018006499A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| WO2014156696A1 (ja) | 光半導体装置の製造方法、システム、製造条件決定装置および製造管理装置 | |
| JP2015109340A (ja) | 光半導体装置の製造方法、システム、製造条件決定装置および製造管理装置 |