JP2014187568A - 弾性波装置 - Google Patents

Abstract

【課題】不要スプリアスの少ない弾性波装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明の弾性波装置は、ＩＤＴ電極上に第１の誘電体膜と、第１の誘電体膜上に第２の誘電体膜とを有し、第２の誘電体膜は、電極指の先端部に薄膜部を有し、ＩＤＴ電極の中央部に厚膜部を有する。この構成により、高次横モードスプリアスと、主要弾性波以外の不要波によるスプリアスをともに抑制することができるものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、移動体通信機器等のフィルタやアンテナ共用器として使用される弾性波装置に関するものである。

従来移動体通信機器等のフィルタやアンテナ共用器として使用される弾性波装置として４２°回転Ｙカットタンタル酸リチウムを用いた弾性波装置が多用されてきた。近年、高性能で温度特性の良い弾性波装置が求められている。このような弾性波装置を実現するためにニオブ酸リチウムを圧電基板とし、ＩＤＴ電極上に酸化ケイ素膜を設けて温度特性の改善を図る取り組みがなされている。特に主要弾性波をレイリー波とするようなカット角を有したニオブ酸リチウムを用いた弾性波装置では高い共振Ｑが得られることが期待されている。しかしながら、このような弾性波装置においては高次横モードスプリアスや主要弾性波であるレイリー波以外の不要波によるスプリアスなど複数の原因のスプリアスが発生し、フィルタの通過帯域内特性を悪化させるという課題がある。スプリアスの内、高次横モードスプリアスを抑圧する方法としては特許文献１に記載されている技術がある。

特開２０１１−１０１３５０号公報

しかしながら、特許文献１に記載されているような従来の弾性波装置では高次横モードスプリアスは抑圧されるが、主要弾性波以外の不要波によるスプリアスを十分に抑圧できないという課題がある。

本発明は、上記課題を鑑みて実施されたものであり、高次横モードスプリアスと主要弾性波以外の弾性波によるスプリアスを共に抑圧し、通過帯域内特性の優れたフィルタ特性を有する弾性波装置を提供するものである。

上記目的を達成するために、本発明は、圧電基板と、前記圧電基板の上面に設けられたＩＤＴ電極と、前記圧電基板および前記ＩＤＴ電極の上面を覆う第１の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜の上面を覆う第２の誘電体膜とを備え、前記ＩＤＴ電極は対向する第１と第２の櫛電極を有し、前記第２の誘電体膜は膜厚の厚い厚膜部と膜厚の薄い薄膜部とを有し、前記第１の櫛電極の電極指の先端部を弾性波の伝播方向に延長した領域を第１の先端領域とし、前記第２の櫛電極の電極指の先端部を弾性波の伝播方向に延長した領域を第２の先端領域とし、前記第１の先端領域と前記第２の先端領域の間の領域を中央領域としたとき、前記第１の先端領域および前記第２の先端領域において前記薄膜部を有し、前記中央領域において前記厚膜部を有する。

上記の構成を有することにより、主要弾性波の高次横モードスプリアスを抑制すると共に主要弾性波以外の弾性波によるスプリアスも抑圧することができ、通過帯域内特性の優れたフィルタ特性を有する弾性波装置を得られるという優れた効果を有する。

本発明の実施の形態１における弾性波装置の上面図 （ａ）図１のＡ−Ａ′断面図、（ｂ）同Ｂ−Ｂ′断面図 本発明の実施の形態２における弾性波装置の模式図 （ａ）図３のＡ−Ａ′断面図、（ｂ）同Ｂ−Ｂ′断面図 本発明の実施の形態３における弾性波装置の上面図 （ａ）図５のＡ−Ａ′断面図、（ｂ）同Ｂ−Ｂ′断面図 比較例の弾性波装置の上面図 （ａ）図７のＡ−Ａ′断面図、（ｂ）同Ｂ−Ｂ′断面図 本発明の実施の形態３における弾性波装置の特性図

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における弾性波装置１０の上面模式図である。図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ′（弾性波伝播方向）における断面模式図である。図２（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ′（電極指延伸方向）における断面模式図である。

弾性波装置１０は、圧電基板１１と、圧電基板１１の上面に設けられたＩＤＴ（インタデジタルトランスデューサ）電極１２と、第１の誘電体膜１３と、第２の誘電体膜１４とを有する。ＩＤＴ電極１２は、互いに対向する櫛電極１５と、バスバー１６と、バスバー１６より伸びる電極指１７を有する。

圧電基板１１の上面において、電極指１７が伸びる方向が電極指延伸方向であり、電極指１７に垂直な方向が弾性波伝播方向である。ＩＤＴ電極１２が励振させる主要な弾性波が主要弾性波であり、例えば、レイリー波などがある。

バスバー１６を弾性波伝播方向に延長した領域をバスバー領域１８、電極指１７の先端と対向するバスバー１６との間のギャップを弾性波伝播方向に延長した領域をギャップ領域１９、対向する櫛電極の電極指が交互に配置されている領域を交互配置領域２０と呼ぶ。

さらに、櫛電極１５の電極指１７の先端部２１を弾性波の伝播方向に延長して連ねた領域を先端領域２２と呼び、２つの先端領域２２の間の領域を中央領域２３と呼ぶ。したがって、交互配置領域２０はギャップ領域１９に接する両側に先端領域２２を有し、その間に中央領域２３を有する。また、弾性波の伝播方向についてのＩＤＴ電極の端部を伝播方向端部２４と呼び、弾性波の伝播方向についてのＩＤＴ電極の中央部を伝播方向中央部２５と呼ぶ。

第１の誘電体膜１３は、ＩＤＴ電極１２の上面およびＩＤＴ電極１２が形成されていない圧電基板１１の上面に形成され、ＩＤＴ電極１２を圧電基板１１と第１の誘電体膜１３とで挟んでいる。第１の誘電体膜１３は、第１の誘電体膜１３を伝搬する横波の速さが、交互配置領域２０における圧電基板１１の表面を伝搬する主要弾性波の音速より遅い媒質からなる。

第２の誘電体膜１４は、第１の誘電体膜１３の上面に形成され、バスバー領域１８、ギャップ領域１９、交互配置領域２０を覆う。第２の誘電体膜１４は、第２の誘電体膜１４を伝搬する横波の速さが、第１の誘電体膜１３を伝搬する横波の速さより速い媒質からなる。

第２の誘電体膜１４は、膜厚の厚い厚膜部２６と膜厚の薄い薄膜部２７とを有する。中央領域２３の第２の誘電体膜１４は厚膜部２６とした。先端領域２２とギャップ領域１９とバスバー領域１８における伝播方向端部２４の第２の誘電体膜１４は厚膜部２６とした。先端領域２２とギャップ領域１９とバスバー領域１８における伝播方向中央部２５の第２の誘電体膜１４は薄膜部２７とした。第２の誘電体膜１４は薄膜部２７において凹部２８を形成する。

ＩＤＴ電極１２における伝播方向端部２４の寸法は、ＩＤＴ電極１２の伝播方向の寸法に対して、両端から３％〜７％の幅に設定するとよい。ＩＤＴ電極１２における伝播方向中央部２５の寸法は、ＩＤＴ電極１２の伝播方向の寸法に対して、８６％〜９４％に設定するとよい。

上記の構成により、伝播方向中央部２５における主要弾性波の横モード定在波の電極指延伸方向の変位分布は、相対的にバスバー１６に向けて広がった変位分布を有し、ＩＤＴ電極１２の伝播方向端部２４における主要弾性波の横モード定在波の電極指延伸方向の変位分布は相対的に中央領域２３に向けて集まった変位分布を有する。このように変位分布が異なることにより、高次横モードにおいて電極指１７上に発生する電荷が打ち消しあうため、高次横モードスプリアスを抑制できる。また、主要弾性波以外の弾性波の共振によるスプリアスも抑制できる。より具体的には、主要弾性波がレイリー波である場合、不要波としてＳＨ（Ｓｈｅａｒ Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）波が励振する。ＳＨ波は圧電基板１１を覆う第１および第２の誘電体膜１３、１４の表面に振動の変位が集中しており、表面の状態の影響を強く受ける。また、圧電基板１１上の誘電体膜の厚み構成は交互配置領域２０の中央領域２３で、ＳＨ波が励振しにくいように設定されるため、ＳＨ波変位は、比較的ＳＨ波が励振しやすい交互配置領域２０の先端領域２２に集中する。弾性波装置１０の先端領域２２においては、伝播方向中央部２５には薄膜部２７を設け、伝播方向端部２４には厚膜部２６を設け、音速の異なる領域を設けたためＳＨ波の共振が弱められる。そのため主要弾性波以外の弾性波の共振によるスプリアスが抑制される。なお、ＩＤＴ電極１２の電極指１７のピッチは全て等ピッチで構成するよりも、伝播方向端部２４の電極指ピッチを伝播方向中央部２５の電極指ピッチよりも狭ピッチとすることでスプリアス抑制効果は高まる。より望ましくは、電極指ピッチは端部に向かって徐々に小さくするとよい。等ピッチの電極指ピッチで構成されたＩＤＴ電極１２において、定在波の変位分布は伝播方向中央部２５に集中しているが、伝播方向端部２４において伝播方向中央部２５より狭ピッチとした場合には定在波の変位分布がＩＤＴ電極１２に均一に変位を持つようになる。

本実施の形態の弾性波装置１０の各構成について以下に詳述する。圧電基板１１は、例えば、伝播方向の異方性指数γが正（以降γ＞０と記す）であるニオブ酸リチウム基板である。本実施の形態ではニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）を用いている。ここで異方性指数γ＞０の圧電基板とは、主要弾性波の伝播方向に対する逆速度面が凸面となる圧電基板である。より具体的には、例えば回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）基板である。主要弾性波をレイリー波とする場合は、１２５°〜１３１°回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）基板が望ましい。

ＩＤＴ電極１２は、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム若しくはモリブデンからなる金属、又はこれらを主成分とする合金又はこれらの金属が積層された構成である。ＩＤＴ電極１２の厚さは、対向する櫛電極１５の電極指１７のピッチで決まる波長をλとした場合に、０．０１λ〜０．２λ程度である。

ギャップ領域１９の幅は０．２５λ〜３λ程度とすればよいが、ギャップ領域１９の幅が１λを超えると電極指の抵抗損失によりロスが増加する恐れがある。ギャップ領域１９の幅が０．２５λ未満では電極指１７の延伸方向に向けて主要弾性波が漏洩することによるロスが発生するため０．２５λ〜０．９５λがより望ましい。

第１の誘電体膜１３は、例えば、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化テルル（ＴｅＯ₂）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）等からなる。しかしこれらの材料に限らず、第１の誘電体膜１３を伝搬する横波の音速が、交互配置領域２０における主要弾性波の音速より遅い絶縁媒質であればよい。特に酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）は弾性波の音速の温度依存性が、圧電基板の弾性波の音速の温度依存性と逆符号の温度依存性を有し、弾性波装置の温度特性を改善する効果があるため望ましい。

第１の誘電体膜１３を酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）とする場合、第１の誘電体膜１３の膜厚は、２５λ〜４０λが望ましい。

第２の誘電体膜１４は、例えば、窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、窒化酸化（ＳｉＯＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の誘電体膜またはこれらの誘電体膜を積層した構成である。第２の誘電体膜１４は、第２の誘電体膜１４を伝搬する横波の音速が第１の誘電体膜１３を伝搬する横波の音速より速い媒質であればよい。窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）は横波の音速が速い上、水分子の透過などを防止するパッシベーション膜としての機能に優れているため望ましい。第２の誘電体膜１４として窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）を用いて形成する場合、第２の誘電体膜１４の膜厚としては、０．００７λ〜０．０１８λが望ましい。

第２の誘電体膜１４は先端領域２２において、厚膜部２６である伝播方向端部２４と、薄膜部２７である伝播方向中央部２５における主要弾性波の伝搬速度に差を生じさせればよい。その主要弾性波の伝搬音速差は、厚膜部２６の方が、薄膜部２７より３０ｍ／ｓ〜６０ｍ／ｓ速くすればよい。主要弾性波の伝搬音速差が３０ｍ／ｓ以下では、スプリアスの抑圧が不十分であり、６０ｍ／ｓ以上では第２の誘電体膜１４の膜厚感度が高く周波数バラツキが大きくなり、所望の周波数特性を得られにくくなる。

先端領域２２の電極指延伸方向における寸法は、０．５λ〜３λとすればよい。このような構成とすることで、主要弾性波の高次横モードスプリアスを抑制すると共に主要弾性波以外の弾性波によるスプリアスも抑圧することができ、通過帯域内特性の優れたフィルタ特性を有する弾性波装置が得られる。

更に第２の誘電体膜１４の凹部２８は、ギャップ領域１９およびバスバー領域１８にまで広げて形成してもよい。

なお、第２の誘電体膜１４の凹部２８は、第１の誘電体膜１３の上に第２の誘電体膜１４を全面形成した後、凹部２８を形成する箇所をドライエッチング若しくはウエットエッチングで除去して作成してもよいし、凹部２８となる箇所にレジストパターンを形成した後に、第２の誘電体膜１４を成膜し、リフトオフすることで作成してもよい。凹部２８をドライエッチングで形成する場合は、生産工程が少なく、生産効率が良くなる。

（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２における弾性波装置４０の上面模式図である。図４（ａ）は、図３のＡ−Ａ′（弾性波伝播方向）における断面模式図である。図４（ｂ）は、図３のＢ−Ｂ′（電極指延伸方向）における断面模式図である。本発明の実施の形態２における弾性波装置４０において、実施の形態１の弾性波装置１０と同じ構成部品には同じ符号を付して説明を省略する。

実施の形態１と実施の形態２の相違点は、実施の形態２における弾性波装置４０は、主要弾性波伝播方向にＩＤＴ電極１２をはさむように両側に反射器２９を設けた一端子対共振器とした点である。

反射器２９は、弾性波を反射させることにより主要弾性波を弾性波装置４０内に閉じ込める。反射器２９は、ＩＤＴ電極１２を構成する材料と同じ材料で構成する。反射器２９を覆うように第１の誘電体膜１３を設け、第１の誘電体膜１３の上には第２の誘電体膜１４を設ける。反射器２９の位置における第２の誘電体膜１４は厚膜部２６で構成し、薄膜部２７は設けない。特に、反射器２９における先端領域２２およびギャップ領域１９に対応する位置に薄膜部２７を設けると反射器２９のストップバンドの上端周波数が低周波数側にシフトし、ストップバンド幅が狭くなるため、主要弾性波が漏洩し、ロスの発生やスプリアスの発生する原因となる。

以上のように、本発明の実施の形態２の弾性波装置４０は、高次横モードスプリアスを低減できるとともに、反射器のストップバンドに起因するスプリアスの少ない共振器特性が得られる。

（実施の形態３）
図５〜図６に本発明の実施の形態３における弾性波装置５０を示す。図７〜図８に比較例の弾性波装置６０を示す。図５〜図６、図７〜図８の弾性波装置５０、６０において、実施の形態２に示した弾性波装置４０と同じ構成部品には同じ符号を付して説明を省略する。弾性波装置５０、６０が、実施の形態２に示した弾性波装置４０と異なる点は、一対の反射器２９の間に複数のＩＤＴ電極１２を有し、縦モード結合型弾性波フィルタを構成している点である。

図５は、本発明の実施の形態３における弾性波装置５０の上面模式図である。図６（ａ）は、図５のＡ−Ａ′（弾性波伝播方向）における断面模式図である。図６（ｂ）は、図５のＢ−Ｂ′（電極指延伸方向）における断面模式図である。

図７は、比較例の弾性波装置６０の上面模式図である。図８（ａ）は、図７のＡ−Ａ′（弾性波伝播方向）における断面模式図である。図８（ｂ）は、図７のＢ−Ｂ′（電極指延伸方向）における断面模式図である。

図５〜図６、図７〜図８において、弾性波装置５０、６０は、圧電基板１１と、５個のＩＤＴ電極１２と、一対の反射器２９と、第１の誘電体膜１３と、第２の誘電体膜１４を有し、圧電基板１１の表面にレイリー波などの弾性表面波を励振する。５個のＩＤＴ電極１２と反射器２９は、主要弾性波の伝播方向に並んで配置されている。ＩＤＴ電極１２のそれぞれは、対向する櫛電極１５を有し、各櫛電極はバスバー１６とバスバー１６より伸びる電極指１７を有する。各弾性波装置５０、６０における個々のＩＤＴ電極１２は、バスバーの寸法、電極指１７の本数、電極指１７の向き、電極指１７の寸法・ピッチにおいて異なる設計値を取りうる。ただし、本発明の実施の形態３における弾性波装置５０と比較例の弾性波装置６０は、比較のためにＩＤＴ電極１２と反射器２９の設計を同じにした。

弾性波装置５０、６０において、圧電基板１１は１２８°回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム、ＩＤＴ電極１２および反射器２９を構成する電極材料は、モリブデン（Ｍｏ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層電極とし、圧電基板１１の側から順にＭｏの膜厚を０．０５λ、Ａｌの膜厚を０．０８λとした。第１の誘電体膜１３は、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）であり、ＳｉＯ₂の膜厚は０．３４λとした。第２の誘電体膜１４は、窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）であり、薄膜部２７のＳｉ₃Ｎ₄の膜厚は０．００２、厚膜部２６の膜厚は０．０１２λとした。バスバー領域１８、ギャップ領域１９、交互配置領域２０、先端部２１、先端領域２２、中央領域２３、伝播方向端部２４、伝播方向中央部２５の各定義は本発明の実施の形態１、２と同じである。

本発明の実施の形態３の弾性波装置５０と比較例の弾性波装置６０が異なる点は、第２の誘電体膜１４における薄膜部２７と厚膜部２６の配置である。

本発明の実施の形態３の弾性波装置５０における第２の誘電体膜１４は、それぞれのＩＤＴ電極１２について、先端領域２２の伝播方向中央部２５に薄膜部２７を有し、先端領域２２の伝播方向端部２４に厚膜部２６を有し、薄膜部２７は凹部２８を形成する。また、弾性波装置５０は、中央領域２３の全体にわたって厚膜部２６を有し、ギャップ領域１９の伝播方向中央部２５およびバスバー領域１８の伝播方向中央部２５には薄膜部２７を有する。弾性波装置５０において、主要弾性波の伝播方向における伝播方向端部２４の寸法はＩＤＴ電極１２の幅の５±２％であり、主要弾性波の伝播方向における伝播方向中央部２５の寸法はＩＤＴ電極１２の幅の９０±４％である。

比較例の弾性波装置６０における第２の誘電体膜１４は、全てのＩＤＴ電極１２の先端領域２２の全体を覆うように薄膜部２７を有し、中央領域２３の全体にわたって厚膜部２６を有し、ギャップ領域１９およびバスバー領域１８には薄膜部２７を有する。

図９に本発明の実施の形態３の弾性波装置５０と比較例の弾性波装置６０のフィルタの通過特性比較を示す。図９において実線は本発明の実施の形態３の弾性波装置５０の通過特性であり、右の縦軸に対応する特性と左の縦軸に対応する特性を示す。図９において点線は比較例の弾性波装置６０の通過特性であり、右の縦軸に対応する特性と左の縦軸に対応する特性を示す。

矢印で示すリップルＬ１が不要波であるＳＨ波によるリップルである。図９から明らかなように、比較例の弾性波装置６０に比べ、本発明の実施の形態３の弾性波装置５０はＳＨ波によるリップルが小さいことがわかる。矢印で示すリップルＬ２は高次横モードスプリアスによるリップルである。図９から明らかなように、比較例の弾性波装置に比べ、本発明の実施の形態３の弾性波装置５０は高次横モードスプリアスによるリップルが小さいことがわかる。

以上のように本発明の実施の形態３の弾性波装置５０は、不要なスプリアスによるリップルの少ないフィルタ特性が得られる。

本発明の弾性波装置は、主要弾性波の高次横モードスプリアスを抑制すると共に主要弾性波以外の弾性波によるスプリアスも抑圧することができるという優れた効果を有するものであり、特に移動体通信などに用いられるフィルタやアンテナ共用器に適用することにより、通過帯域内特性の優れたフィルタ特性を有する弾性波装置を得られる。

１０、４０、５０、６０ 弾性波装置
１１ 圧電基板
１２ ＩＤＴ電極
１３ 第１の誘電体膜
１４ 第２の誘電体膜
１５ 櫛電極
１６ バスバー
１７ 電極指
１８ バスバー領域
１９ ギャップ領域
２０ 交互配置領域
２１ 先端部
２２ 先端領域
２３ 中央領域
２４ 伝播方向端部
２５ 伝播方向中央部
２６ 厚膜部
２７ 薄膜部
２８ 凹部
２９ 反射器

Claims (9)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板の上面に設けられたＩＤＴ電極と、
   前記圧電基板および前記ＩＤＴ電極の上面を覆う第１の誘電体膜と、
   前記第１の誘電体膜の上面を覆う第２の誘電体膜とを備え、
   前記ＩＤＴ電極は対向する第１と第２の櫛電極を有し、
   前記第２の誘電体膜は膜厚の厚い厚膜部と膜厚の薄い薄膜部とを有し、
   前記第１の櫛電極の電極指の先端部を弾性波の伝播方向に延長した領域を第１の先端領域とし、
   前記第２の櫛電極の電極指の先端部を弾性波の伝播方向に延長した領域を第２の先端領域とし、
   前記第１の先端領域と前記第２の先端領域の間の領域を中央領域としたとき、
   前記第１の先端領域および前記第２の先端領域において前記薄膜部を有し、
   前記中央領域において前記厚膜部を有する弾性波装置。
2. 前記第２の誘電体膜は複数の異なる層を積層してなる請求項１記載の弾性波装置。
3. 弾性波の伝播方向についての前記ＩＤＴ電極の端部を伝播方向端部とし、
   弾性波の伝播方向についての前記ＩＤＴ電極の中央部を伝播方向中央部としたとき、
   前記第１の先端領域および前記第２の先端領域は、
   前記伝播方向端部に前記厚膜部を有するとともに前記伝播方向中央部に前記薄膜部を有する請求項１記載の弾性波装置。
4. 前記ＩＤＴ電極の電極指周期をλとしたとき、
   前記厚膜部における第２の誘電体膜の膜厚は０．００７λ以上、かつ０．０１８λ以下であり、
   前記薄膜部における第２の誘電体膜の膜厚は０．００２λ以上、かつ０．００５λ以下である請求項１記載の弾性波装置。
5. 前記ＩＤＴ電極の電極指周期をλとしたとき、
   前記第１の櫛電極の電極指先端と前記第２の櫛電極のバスバーとの間の距離と、
   前記第２の櫛電極の電極指先端と前記第１の櫛電極のバスバーとの間の距離は、
   ０．２５λ以上、０．９５λ以下である請求項１記載の弾性波装置。
6. 前記ＩＤＴ電極はモリブデンを含む金属よりなることを特徴とする請求項１記載の弾性波装置。
7. 前記第２の誘電体膜は窒化ケイ素を主成分とする層からなることを特徴とする請求項１記載の弾性波装置。
8. 前記第１の先端領域および前記第２の先端領域の主要弾性波と、
   前記中央領域の主要弾性波の、
   音速差が３０ｍ／ｓ〜６０ｍ／ｓの範囲内であることを特徴とする請求項１記載の弾性波装置。
9. 弾性波の伝播方向についての前記ＩＤＴ電極の端部を伝播方向端部とし、
   弾性波の伝播方向についての前記ＩＤＴ電極の中央部を伝播方向中央部としたとき、
   前記伝播方向端部は前記伝播方向中央部よりも電極指ピッチの小さい箇所を有する請求項１記載の弾性波装置。

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