CN111919384B - 弹性波装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种能够有效地抑制横模的弹性波装置。本发明的弹性波装置具备倒速度面为凸的压电性基板(2)和设置在压电性基板(2)上的IDT电极(7)。在将弹性波传播方向设为第1方向(X)并将与第1方向(X)正交的方向设为第2方向(Y)时，IDT电极(7)的第1电极指(14)和第2电极指(16)在第1方向(X)上相互重叠的部分为交叉区域(A)。交叉区域(A)包含：中央区域(B)，位于第2方向(Y)上的中央侧；和第1边缘区域(Ca)及第2边缘区域(Cb)，配置在中央区域(B)的两侧。在位于第1边缘区域(Ca)及第2边缘区域(Cb)的压电性基板(2)中，在设置有多个第1电极指(14)的部分与设置有多个第2电极指(16)的部分之间的部分分别设置有凹部(17)及凹部(18)。
Description
技术领域
本发明涉及弹性波装置。
背景技术
以往，弹性波装置被广泛用于便携式电话机的滤波器等。在下述的专利文献1记载了弹性波装置的一个例子。该弹性波装置的IDT电极具有中央激励区域、与中央激励区域的两侧相邻的内缘区域、以及与内缘区域相邻的外缘区域。通过在内缘区域设置质量附加膜或者使内缘区域的电极指宽度变宽，从而降低了内缘区域中的声速。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2011/088904号
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1记载的弹性波装置中，通过使各区域的声速相互不同，从而谋求了横模的抑制。但是，近年来，在追求更低损耗、低杂散之中，存在得不到充分的横模的抑制效果的情况。
本发明的目的在于，提供一种能够有效地抑制横模的弹性波装置。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波装置具备：
压电性基板，倒速度面为凸；以及
IDT电极，设置在所述压电性基板上，
所述IDT电极具有：相互对置的第1汇流条以及第2汇流条；多个第1电极指，一端与所述第1汇流条连接；以及多个第2电极指，一端与所述第2汇流条连接，且与所述多个第1电极指相互交替***，
在将弹性波传播方向设为第1方向并将与所述第1方向正交的方向设为第2方向时，所述第1电极指和所述第2电极指在所述第1方向上相互重叠的部分为交叉区域，
所述交叉区域包含：中央区域，位于所述第2方向上的中央侧；第1边缘区域，配置在所述中央区域的所述第1汇流条侧；以及第2边缘区域，配置在所述中央区域的所述第2汇流条侧，
所述IDT电极具有：第1间隙区域，位于所述第1边缘区域与所述第1汇流条之间；以及第2间隙区域，位于所述第2边缘区域与所述第2汇流条之间，
在位于所述第1边缘区域以及所述第2边缘区域的所述压电性基板中，在设置有所述多个第1电极指的部分与设置有所述多个第2电极指的部分之间的部分，分别设置有凹部。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够有效地抑制横模的弹性波装置。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
图2是示出本发明的第1实施方式的压电性基板中的倒速度面的示意图。
图3是沿着图1中的I-I线的剖视图。
图4是沿着图1中的II-II线的剖视图。
图5是示出本发明的第1实施方式、第1比较例以及第2比较例的弹性波装置的阻抗频率特性的图。
图6是示出本发明的第1实施方式、第1比较例以及第2比较例的弹性波装置的谐振频率附近的回波损耗的图。
图7是示出本发明的第1实施方式、第1比较例以及第2比较例的弹性波装置的反谐振频率附近的回波损耗的图。
图8是本发明的第1实施方式的第1变形例涉及的弹性波装置的剖视图。
图9是本发明的第1实施方式的第2变形例涉及的弹性波装置的剖视图。
图10是本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
图11是本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的剖视图。
图12是本发明的第3实施方式涉及的弹性波装置的剖视图。
图13是本发明的第3实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
图14是本发明的第4实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
图15是本发明的第5实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
图16是本发明的第5实施方式涉及的弹性波装置的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，由此明确本发明。
另外，预先指出的是，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是第1实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图2是示出第1实施方式的压电性基板中的倒速度面的示意图。图3是沿着图1中的I-I线的剖视图。另外，在图1中，通过影线示出后述的凹部。在图1以后的俯视图中也是同样的。
如图1所示，弹性波装置1具有压电性基板2。如图2所示，在压电性基板2中，倒速度面为凸。如图3所示，在本实施方式中，压电性基板2是依次层叠了支承基板3、高声速膜4、低声速膜5以及压电体层6的层叠体。在本实施方式中，压电体层6包含钽酸锂(LiTaO3)。
在压电性基板2的压电体层6上设置有IDT电极7。通过对IDT电极7施加交流电压，从而激励弹性波。在IDT电极7的弹性波传播方向两侧配置有反射器8以及反射器9。像这样，本实施方式的弹性波装置1是弹性波谐振器。
在此，支承基板3例如包含尖晶石、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC(类金刚石碳)膜、硅(Si)、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、玻璃、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、金刚石、氧化镁、或以上述各材料为主成分的材料、以上述各材料的混合物为主成分的材料中的任一者。另外，支承基板3的材料并不限定于上述。
高声速膜4是本实施方式中的高声速构件。高声速构件是传播的体波(bulk wave)的声速比在压电体层6传播的弹性波的声速高的构件。高声速膜4例如包含氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC膜或金刚石、以上述材料为主成分的介质、以上述材料的混合物为主成分的介质等。高声速膜4的材料只要是相对高声速的材料即可。
低声速膜5是传播的体波的声速比在压电体层6传播的体波的声速低的膜。低声速膜5例如包含氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽，此外包含氧化硅中添加了氟、碳、硼的化合物等、以上述材料为主成分的介质。低声速膜5的材料只要是相对低声速的材料即可。
IDT电极7、反射器8以及反射器9可以包含层叠了多个金属层的层叠金属膜，也可以包含单层的金属膜。
在本实施方式的弹性波装置1中，压电性基板2具有层叠了高声速膜4、低声速膜5以及压电体层6的结构，因此能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层6侧。在此，在本实施方式中，在作为高声速构件的高声速膜4上隔着低声速膜5间接地设置有压电体层6。另外，压电体层6也可以直接地设置在高声速构件上。
也可以在压电性基板2上设置有包含适当的电介质的保护膜，使得覆盖IDT电极7。由此，不易产生IDT电极7的破损。
以下，对本实施方式的IDT电极7的结构的详情进行说明。
如图1所示，IDT电极7具有彼此相互对置的第1汇流条13以及第2汇流条15。IDT电极7具有一端与第1汇流条13连接的多个第1电极指14。进而，IDT电极7具有一端与第2汇流条15连接的多个第2电极指16。多个第1电极指14和多个第2电极指16彼此相互交替***。
在此，将弹性波传播方向设为第1方向X，将与第1方向X正交的方向设为第2方向Y。IDT电极7的、第1电极指14和第2电极指16在第1方向X上相互重叠的部分为交叉区域A。交叉区域A具有：中央区域B，位于第2方向Y上的中央侧；和第1边缘区域Ca以及第2边缘区域Cb，位于中央区域B的第2方向Y上的两侧。第1边缘区域Ca位于中央区域B的第1汇流条13侧。第2边缘区域Cb位于中央区域B的第2汇流条15侧。
如图1以及图3所示，在第1边缘区域Ca中，在压电性基板2的设置有多个第1电极指14的部分与设置有多个第2电极指16的部分之间的部分，分别设置有凹部17。同样地，在第2边缘区域Cb中，在压电性基板2的设置有多个第1电极指14的部分与设置有多个第2电极指16的部分之间的部分，分别设置有凹部18。由此，第1边缘区域Ca以及第2边缘区域Cb中的声速比中央区域B中的声速低。在此，将中央区域B中的声速设为V1，将第1边缘区域Ca以及第2边缘区域Cb中的声速设为V2，此时，V1＞V2。
在本实施方式中，在压电性基板2中，在设置有反射器8的多个电极指的部分之间的部分，分别设置有凹部19a以及凹部19b。凹部19a位于上述凹部17的弹性波传播方向的延长线上。凹部19b位于上述凹部18的弹性波传播方向的延长线上。同样地，在压电性基板2中，还在设置有反射器9的多个电极指的部分之间的部分，分别设置有凹部19c以及凹部19d。凹部19c位于上述凹部17的弹性波传播方向的延长线上。凹部19d位于上述凹部18的弹性波传播方向的延长线上。不过，在压电性基板2中的设置有反射器8以及反射器9的电极指的部分之间的部分，也可以不设置凹部19a、凹部19b、凹部19c以及凹部19d。
另外，凹部17、凹部18、凹部19a、凹部19b、凹部19c以及凹部19d设置于压电性基板2中的压电体层6，未到达低声速膜5。
IDT电极7具有位于第1边缘区域Ca与第1汇流条13之间的第1间隙区域Da。IDT电极7具有位于第2边缘区域Cb与第2汇流条15之间的第2间隙区域Db。
在第1间隙区域Da中，仅配置有第1电极指14以及第2电极指16之中的第1电极指14。在第2间隙区域Db中，仅配置有第1电极指14以及第2电极指16之中的第2电极指16。由此，第1间隙区域Da以及第2间隙区域Db中的声速比第1边缘区域Ca以及第2边缘区域Cb中的声速高。在此，将第1间隙区域Da以及第2间隙区域Db中的声速设为V3，此时，V3＞V2。另外，在本实施方式中，第1间隙区域Da以及第2间隙区域Db中的声速比中央区域B中的声速低，V1＞V3。
图4是沿着图1中的II-II线的剖视图。
如图1以及图4所示，在本实施方式中，在第1间隙区域Da以及第2间隙区域Db未设置凹部。仅在第1边缘区域Ca以及第2边缘区域Cb设置有凹部17以及凹部18。另外，也可以是，还在第1间隙区域Da以及第2间隙区域Db设置有凹部。
如图1所示，IDT电极7具有：第1汇流条区域Ea，设置有第1汇流条13；和第2汇流条区域Eb，设置有第2汇流条15。在弹性波装置1中，第1汇流条区域Ea以及第2汇流条区域Eb中的声速比中央区域B中的声速高。在此，将第1汇流条区域Ea以及第2汇流条区域Eb中的声速设为V4，此时，V4＞V1。
弹性波装置1中的各声速的关系为V4＞V1＞V3＞V2。
另外，在本发明中，并不限于该声速关系，优选满足V1＞V2且V3＞V2。像这样，弹性波装置1利用活塞模式。将该声速的关系示于图1。另外，在图1中的示出声速的关系的部分中，示出各声速的高低的线位于越靠左侧的位置，表示声速越高。在图1以后的附图中的示出声速的关系的部分中也是同样的。
本实施方式的特征在于，压电性基板2的倒速度面为凸，且在压电性基板2中的位于第1边缘区域Ca以及第2边缘区域Cb的部分设置有凹部17以及凹部18。由此，能够有效地抑制横模。通过将本实施方式与第1比较例以及第2比较例进行比较，从而对此进行说明。
第1比较例与本实施方式的不同点在于，在压电性基板未设置凹部。第1比较例的弹性波装置未利用活塞模式。第2比较例与本实施方式的不同点在于：在压电性基板未设置凹部；以及，在第1边缘区域以及第2边缘区域中，在多个第1电极指上以及多个第2电极指上设置有质量附加膜。因为设置有上述质量附加膜，所以第1边缘区域以及第2边缘区域中的声速低。第2比较例的弹性波装置是利用活塞模式的以往的弹性波装置。
图5是示出第1实施方式、第1比较例以及第2比较例的弹性波装置的阻抗频率特性的图。图6是示出第1实施方式、第1比较例以及第2比较例的弹性波装置的谐振频率附近的回波损耗的图。图7是示出第1实施方式、第1比较例以及第2比较例的弹性波装置的反谐振频率附近的回波损耗的图。图5～图7中的实线示出第1实施方式的结果，虚线示出第1比较例的结果，单点划线示出第2比较例的结果。在图5～图7中，将第1实施方式、第1比较例以及第2比较例的弹性波装置的谐振频率设为相同的频率而将横轴合并示出。
如图5所示，在第1比较例中，在谐振频率与反谐振频率之间产生了多个由横模造成的大的纹波。相对于此，在第1实施方式中，在谐振频率与反谐振频率之间未产生纹波，有效地抑制了横模。
在此，在使用弹性波谐振器构成了滤波器装置时，弹性波谐振器在谐振频率或反谐振频率处构成衰减极。因此，谐振频率附近以及反谐振频率附近的回波损耗特别重要。然而，如图6以及图7所示，在谐振频率附近以及反谐振频率附近，在第1比较例中产生了由横模造成的杂散。进而，可知在第2比较例中，对由横模造成的杂散的抑制也是不充分的。
相对于它们，可知在第1实施方式中，有效地抑制了谐振频率附近以及反谐振频率附近的由横模造成的杂散。因而，在使用第1实施方式的弹性波装置1构成了滤波器装置的情况下，能够有效地抑制对滤波器装置的陡峭性等特性的影响。另外，所谓陡峭性，是指通带的高频侧或低频侧的端部等处的、***损耗的变化相对于频率的变化的大小。
可是，在以往的利用活塞模式的弹性波装置中，存在如下情况，即，在第1边缘区域以及第2边缘区域中，多个第1电极指以及多个第2电极指的宽度变得比其它部分宽。由此，存在第1边缘区域以及第2边缘区域中的声速变低的情况。另外，所谓第1电极指以及第2电极指的宽度，是第1电极指以及第2电极指的沿着第1方向X的尺寸。在上述弹性波装置的第1边缘区域以及第2边缘区域中，相邻的第1电极指和第2电极指的距离变短。相对于此，在第1实施方式中，第1电极指14以及第2电极指16的宽度是固定的。因而，能够使相邻的第1电极指14和第2电极指16的距离在整个第2方向Y上变长。因此，在IDT电极7中不易产生静电破坏。
或者，以往还存在如下情况，即，在压电性基板上设置有电介质膜以使得覆盖IDT电极，在第1边缘区域以及第2边缘区域中，在上述电介质膜上设置有质量附加膜。相对于此，在本实施方式中，能够在不设置包含金属或电介质的上述质量附加膜的情况下利用活塞模式。因而，不会导致在包含金属的质量附加膜与IDT电极之间产生静电电容、或质量附加膜和电介质膜剥离这样的不良，能够有效地抑制横模。
在此，在第1实施方式中，凹部17以及凹部18的深度浅至不足100nm。像这样，在制造时，能够减少磨削压电性基板2的量，因此能够提高弹性波装置1的生产率。
以下，示出压电性基板的结构与第1实施方式不同的、第1实施方式的第1变形例以及第2变形例。在第1变形例以及第2变形例中，也与第1实施方式同样地，能够有效地抑制横模。
如图8所示，在第1变形例的压电性基板22A中，高声速构件是支承基板23。另外，与第1实施方式同样地，在高声速构件与压电体层6之间设置有低声速膜5。本变形例中的支承基板23例如包含氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC膜或金刚石、以上述材料为主成分的介质、以上述材料的混合物为主成分的介质等。作为高声速构件的支承基板23的材料只要是相对高声速的材料即可。
如图9所示，第2变形例与第1变形例的不同点在于，压电性基板22B不具有低声速膜。像这样，未必一定要设置低声速膜。另外，高声速构件也可以是与第1实施方式同样的高声速膜。在该情况下，压电性基板成为依次层叠了支承基板、高声速膜以及压电体层的层叠体。
图10是第2实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图11是第2实施方式涉及的弹性波装置的剖视图。图11示出相当于沿着图1中的II-II线的部分的剖面。
如图10所示，本实施方式与第1实施方式的不同点在于，设置于压电性基板2的凹部37从第1边缘区域Ca到达第1间隙区域Da。如图10以及图11所示，本实施方式与第1实施方式的不同点还在于，设置于压电性基板2的凹部38从第2边缘区域Cb到达第2间隙区域Db。除了上述的点以外，本实施方式的弹性波装置具有与第1实施方式的弹性波装置1同样的结构。
更具体地，设置于压电性基板2的凹部37从第1边缘区域Ca到达第1间隙区域Da的整体。同样地，设置于压电性基板2的凹部38从第2边缘区域Cb到达第2间隙区域Db的整体。由此，第1间隙区域Da以及第2间隙区域Db中的声速变得比中央区域B中的声速低。另一方面，第1间隙区域Da以及第2间隙区域Db中的声速比第1边缘区域Ca以及第2边缘区域Cb中的声速高。在此，将第1间隙区域Da以及第2间隙区域Db中的声速设为V33，此时，变成V4＞V1＞V33＞V2。
在本实施方式中，也与第1实施方式同样地，能够有效地抑制由横模造成的杂散。不过，优选像图1所示的第1实施方式那样，在压电性基板2中，仅在第1边缘区域Ca设置有凹部17，且仅在第2边缘区域Cb设置有凹部18。在该情况下，能够更加有效地抑制由横模造成的杂散。
另外，图10所示的凹部37也可以从第1边缘区域Ca到达第1间隙区域Da的一部分。凹部38也可以从第2边缘区域Cb到达第2间隙区域Db的一部分。即，也可以是，第1边缘区域中设置于压电性基板的凹部在第1间隙区域中到达压电性基板的设置有多个第1电极指的部分之间的部分，第2边缘区域中设置于压电性基板的凹部在第2间隙区域中到达压电性基板的设置有多个第2电极指的部分之间的部分。在该情况下，能够有效地抑制横模。
图12是第3实施方式涉及的弹性波装置的剖视图。图12示出相当于沿着图1中的I-I线的部分的剖面。
如图12所示，本实施方式的压电性基板42是压电基板。压电性基板42包含铌酸锂(LiNbO3)。与第1实施方式同样地，在压电性基板42中倒速度面为凸。另外，在本实施方式中，倒速度面为椭圆。更具体地，满足kx 2+(1+Γ)×ky 2＝k0 2以及Γ＞-1。在此，kx是波数矢量的纵向分量，ky是波数矢量的横向分量，k0是主传播方向的波数矢量。
图13是第3实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
如图13所示，弹性波装置41中的IDT电极47的第1汇流条43具有多个开口部43d。多个开口部43d沿着第1方向X配置。更具体地，第1汇流条43具有隔着多个开口部43d相互对置的内侧汇流条部43a以及外侧汇流条部43b。内侧汇流条部43a以及外侧汇流条部43b在第1方向X上延伸。在内侧汇流条部43a连接有多个第1电极指14的一端。进而，第1汇流条43具有对内侧汇流条部43a以及外侧汇流条部43b进行连接的多个连接部43c。各开口部43d被内侧汇流条部43a、外侧汇流条部43b以及两根连接部43c包围。在本实施方式中，连接部43c位于第1电极指14的延长线上。另外，连接部43c的位置并不限定于上述。
本实施方式的第1汇流条区域Ea包含：第1内侧汇流条区域Fa，设置有内侧汇流条部43a；第1开口部形成区域Ga，设置有多个开口部43d；以及第1外侧汇流条区域Ha，设置有外侧汇流条部43b。
第2汇流条45也与第1汇流条43同样地构成。更具体地，第2汇流条45具有多个开口部45d。多个开口部45d沿着第1方向X配置。第2汇流条45具有内侧汇流条部45a、外侧汇流条部45b以及多个连接部45c。第2汇流条区域Eb包含：第2内侧汇流条区域Fb，设置有内侧汇流条部45a；第2开口部形成区域Gb，设置有多个开口部45d；以及第2外侧汇流条区域Hb，设置有外侧汇流条部45b。
在压电性基板42中，与第1实施方式同样地，在第1边缘区域Ca中设置有凹部17，在第2边缘区域Cb中设置有凹部18。由此，第1边缘区域Ca以及第2边缘区域Cb中的声速比中央区域B中的声速低。另一方面，本实施方式的压电性基板42是不具有像第1实施方式那样的层叠构造的压电基板。因此，第1间隙区域Da以及第2间隙区域Db中的声速比中央区域中的声速高。因而，各声速的关系为V3＞V1＞V2。
在本实施方式中，第1内侧汇流条区域Fa、第2内侧汇流条区域Fb、第1外侧汇流条区域Ha以及第2外侧汇流条区域Hb中的声速比中央区域B中的声速低。在此，将第1内侧汇流条区域Fa以及第2内侧汇流条区域Fb中的声速设为V45，将第1外侧汇流条区域Ha以及第2外侧汇流条区域Hb中的声速设为V47，此时，V1＞V45＝V47。另一方面，第1开口部形成区域Ga以及第2开口部形成区域Gb中的声速比中央区域B中的声速高。在此，将第1开口部形成区域Ga以及第2开口部形成区域Gb中的声速设为V46，此时，V46＞V1。
弹性波装置41中的各声速的关系为V3＞V1＞V2且V46＞V1＞V45＝V47。
在本实施方式中，与第1实施方式同样地，通过设置凹部17以及凹部18，从而第1边缘区域Ca以及第2边缘区域Cb的声速低。而且，IDT电极47还在第1间隙区域Da以及第2间隙区域Db的第2方向Y上的外侧具有作为高声速的区域的第1开口部形成区域Ga以及第2开口部形成区域Gb。因此，能够有效地抑制横模。
另外，在第1实施方式、该第1实施方式的第1变形例或第2变形例中的压电性基板2、压电性基板22A或压电性基板22B上也可以设置有第3实施方式中的IDT电极47。在这些情况下，也能够有效地抑制横模。
在本实施方式中，与IDT电极47同样地，反射器48具有多个开口部48d，反射器49具有多个开口部49d。不过，反射器48以及反射器49也可以与第1实施方式同样地不具有开口部48d以及开口部49d。
在弹性波装置41的压电性基板42中，在设置有反射器48以及反射器49的多个电极指的部分之间的部分，未设置凹部。另外，也可以与第1实施方式同样地，设置有与图1所示的凹部19a、凹部19b、凹部19c以及凹部19d相当的凹部。
图14是第4实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
本实施方式与第3实施方式的不同点在于，与第2实施方式同样地设置有凹部37以及凹部38。除了上述的点以外，本实施方式的弹性波装置具有与第3实施方式的弹性波装置41同样的结构。
更具体地，设置于压电性基板42的凹部37从第1边缘区域Ca到达第1间隙区域Da的整体。设置于压电性基板42的凹部38从第2边缘区域Cb到达第2间隙区域Db的整体。另外，凹部37也可以到达第1间隙区域Da的一部分。凹部38也可以到达第2间隙区域Db的一部分。或者，凹部37也可以到达内侧汇流条部43a或各开口部43d的一部分。凹部38也可以到达内侧汇流条部45a或各开口部45d的一部分。
在本实施方式中，也与第3实施方式同样地，能够有效地抑制横模。
图15是第5实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图16是第5实施方式涉及的弹性波装置的剖视图。图16示出相当于沿着图1中的II-II线的部分的剖面。
如图15所示，本实施方式与第3实施方式的不同点在于：IDT电极57的第1汇流条13以及第2汇流条15不具有开口部；以及，在第1汇流条13上以及第2汇流条15上分别设置有高声速化层52。与第3实施方式的不同点还在于，反射器8以及反射器9不具有开口部。另外，高声速化层52是提高第1汇流条区域Ea以及第2汇流条区域Eb中的声速的膜。除了上述的点以外，本实施方式的弹性波装置具有与第3实施方式的弹性波装置41同样的结构。
高声速化层52未到达第1汇流条13上以及第2汇流条15上以外的部分。高声速化层52例如包含矾土、氮化铝或氮化硅等电介质。如图15以及图16所示，通过在第1汇流条13上以及第2汇流条15上设置有高声速化层52，从而第1汇流条区域Ea以及第2汇流条区域Eb的声速高。由此，与第3实施方式同样地，能够有效地抑制横模。
另外，在第1实施方式、该第1实施方式的第1变形例或第2变形例中的第1汇流条13上以及第2汇流条15上也可以设置有第5实施方式中的高声速化层52。在这些情况下，也能够有效地抑制横模。
附图标记说明
1：弹性波装置；
2：压电性基板；
3：支承基板；
4：高声速膜；
5：低声速膜；
6：压电体层；
7：IDT电极；
8、9：反射器；
13：第1汇流条；
14：第1电极指；
15：第2汇流条；
16：第2电极指；
17、18、19a～19d：凹部；
22A、22B：压电性基板；
23：支承基板；
37、38：凹部；
41：弹性波装置；
42：压电性基板；
43：第1汇流条；
43a：内侧汇流条部；
43b：外侧汇流条部；
43c：连接部；
43d：开口部；
45：第2汇流条；
45a：内侧汇流条部；
45b：外侧汇流条部；
45c：连接部；
45d：开口部；
47：IDT电极；
48、49：反射器；
48d、49d：开口部；
52：高声速化层；
57：IDT电极。
Claims (11)
1.一种弹性波装置，具备：
压电性基板，倒速度面为凸；以及
IDT电极，设置在所述压电性基板上，
所述IDT电极具有：相互对置的第1汇流条以及第2汇流条；多个第1电极指，一端与所述第1汇流条连接；以及多个第2电极指，一端与所述第2汇流条连接，且与所述多个第1电极指相互交替***，
在将弹性波传播方向设为第1方向并将与所述第1方向正交的方向设为第2方向时，所述第1电极指和所述第2电极指在所述第1方向上相互重叠的部分为交叉区域，
所述交叉区域包含：中央区域，位于所述第2方向上的中央侧；第1边缘区域，配置在所述中央区域的所述第1汇流条侧；以及第2边缘区域，配置在所述中央区域的所述第2汇流条侧，
所述IDT电极具有：第1间隙区域，位于所述第1边缘区域与所述第1汇流条之间；以及第2间隙区域，位于所述第2边缘区域与所述第2汇流条之间，
在位于所述第1边缘区域以及所述第2边缘区域的所述压电性基板中，在设置有所述多个第1电极指的部分与设置有所述多个第2电极指的部分之间的部分，分别设置有凹部。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述第1边缘区域以及所述第2边缘区域中的声速比所述中央区域中的声速低，
所述第1间隙区域中的声速比所述第1边缘区域中的声速高，
所述第2间隙区域中的声速比所述第2边缘区域中的声速高。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述第1边缘区域中设置于所述压电性基板的所述凹部在所述第1间隙区域中到达所述压电性基板的设置有所述多个第1电极指的部分之间的部分，
所述第2边缘区域中设置于所述压电性基板的所述凹部在所述第2间隙区域中到达所述压电性基板的设置有所述多个第2电极指的部分之间的部分。
4.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述第1汇流条以及所述第2汇流条分别具有多个开口部，
在所述第1汇流条以及所述第2汇流条中，所述多个开口部沿着所述第1方向配置。
5.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极具有：第1汇流条区域，设置有所述第1汇流条；和第2汇流条区域，设置有所述第2汇流条，
在所述第1汇流条上以及所述第2汇流条上设置有提高所述第1汇流条区域以及所述第2汇流条区域中的声速的高声速化层。
6.根据权利要求5所述的弹性波装置，其中，
所述高声速化层包含矾土、氮化铝或氮化硅。
7.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中，
所述压电性基板是包含铌酸锂的压电基板。
8.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述压电性基板具有高声速构件和直接或间接地设置在所述高声速构件上的压电体层，
在所述高声速构件传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高，
所述压电体层包含钽酸锂。
9.根据权利要求8所述的弹性波装置，其中，
在所述高声速构件与所述压电体层之间设置有低声速膜，
在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述压电体层传播的体波的声速低。
10.根据权利要求8所述的弹性波装置，其中，
所述高声速构件是支承基板。
11.根据权利要求8所述的弹性波装置，其中，
还具备支承基板，
所述高声速构件是设置在所述支承基板与所述压电体层之间的高声速膜。
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