JP6652221B2 - 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents

Description

本発明は、レイリー波を利用した弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。

近年では、携帯情報端末におけるデータ通信の高速化のニーズがますます高まっており、キャリアアグリゲーションなどにより多数の帯域で同時に通信を行う技術や、１つの帯域においても広帯域化する技術が必要となっている。同時に、携帯情報端末の小型化に対する要求も常に存在するため、携帯情報端末に使用される弾性波装置においても、より一層の小型化が要求されている。

上記小型化の要求を満たすために、同一の圧電基板上において、通過帯域が異なる複数の帯域通過型フィルタを構成する技術が求められている。このためには、同一の圧電基板上に、電極指ピッチが大きく異なる複数のＩＤＴ電極を形成する必要がある。また、同一圧電基板上に単一のフィルタを形成する場合においても、広帯域化のため、電極指ピッチが大きく異なる複数のＩＤＴ電極を同一の圧電基板上に形成する技術が求められている。

ここで、下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が記載されている。この弾性波装置は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板を伝搬するレイリー波を利用する。圧電基板上には、ＩＤＴ電極を覆うように誘電体層が設けられている。

国際公開第２０１７／００６７４２号

本発明の目的は、電極指ピッチが異なる複数のＩＤＴ電極が同一の圧電基板上に設けられている場合においても、不要波を効果的に抑制することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。

本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板と、前記圧電基板上に設けられており、かつ第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極を含む複数のＩＤＴ電極と、前記複数のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に設けられている誘電体膜とが備えられており、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極が主電極層を有し、前記第１のＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλ_１、前記第２のＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλ_２、前記波長λ_１及び前記波長λ_２の平均値をλ_０＝（λ_１＋λ_２）／２とし、λ_１／λ_０＝１＋Ｘであり、かつλ_２／λ_０＝１−Ｘとしたときに、０．０５≦Ｘ≦０．６５であり、前記複数のＩＤＴ電極のうち前記第１のＩＤＴ電極の前記波長λ_１が最も長く、かつ前記第２のＩＤＴ電極の前記波長λ_２が最も短く、前記第１のＩＤＴ電極の前記主電極層及び前記第２のＩＤＴ電極の前記主電極層のうち少なくとも一方の膜厚を前記平均値λ_０で規格化した膜厚をＴ、前記主電極層の材料とＰｔとの密度比をｒとしたときに、前記圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるφが０°±５°であり、ψが０°±１０°であり、θが下記式１を満たす。

−Ａ_１／（Ｔ×ｒ−Ｂ_１）＋Ｃ_１≦θ≦−Ａ_２／（Ｔ×ｒ−Ｂ_２）＋Ｃ_２…式１

Ｂ_１＜Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０であり、かつＢ_２＜Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０であり、上記式１におけるＡ_１、Ｂ_１、Ｃ_１、Ａ_２、Ｂ_２及びＣ_２が、Ｘを用いた下記式２〜式８により表される。

Ａ_１＝０．０５６×１０^{−４．９３×Ｘ}＋０．００１６…式２
Ｂ_１＝−０．０８８×Ｘ^２＋０．０６６×Ｘ＋０．０３８６ （０．０５≦Ｘ≦０．３７５）…式３
Ｂ_１＝０．０５１ （０．３７５≦Ｘ≦０．６５）…式４
Ｃ_１＝０．７１４×１０^{−５．２６×Ｘ}＋２９．３７…式５
Ａ_２＝０．０９８７×Ｘ^２−０．０９１８×Ｘ＋０．０６４４…式６
Ｂ_２＝−０．０６５１×Ｘ^２＋０．１１１４×Ｘ＋０．０３５１…式７
Ｃ_２＝０．７８３０×Ｘ^２−１．７４２４×Ｘ＋３２．７０…式８

本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板と、前記圧電基板上に設けられており、かつ第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極を含む複数のＩＤＴ電極と、前記複数のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に設けられている誘電体膜とが備えられており、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極が主電極層を有し、前記第１のＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλ_１、前記第２のＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλ_２、前記波長λ_１及び前記波長λ_２の平均値をλ_０＝（λ_１＋λ_２）／２とし、λ_１／λ_０＝１＋Ｘであり、かつλ_２／λ_０＝１−Ｘとしたときに、０．０５≦Ｘ≦０．６５であり、前記複数のＩＤＴ電極のうち前記第１のＩＤＴ電極の前記波長λ_１が最も長く、かつ前記第２のＩＤＴ電極の前記波長λ_２が最も短く、前記第１のＩＤＴ電極の前記主電極層及び前記第２のＩＤＴ電極の前記主電極層のうち少なくとも一方の膜厚を前記平均値λ_０で規格化した膜厚をＴ、前記主電極層の材料とＰｔとの密度比をｒとしたときに、前記圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるφが０°±５°であり、ψが０°±１０°であり、θが下記式１を満たす。

−Ａ_１／（Ｔ×ｒ−Ｂ_１）＋Ｃ_１≦θ≦−Ａ_２／（Ｔ×ｒ−Ｂ_２）＋Ｃ_２…式１

Ｂ_１＜Ｔ×ｒ≦０．１２λ_０であり、かつＢ_２＜Ｔ×ｒ≦０．１２λ_０であり、
上記式１におけるＡ_１、Ｂ_１、Ｃ_１、Ａ_２、Ｂ_２及びＣ_２が、Ｘを用いた下記式２〜式８により表される。

Ａ_１＝０．０５６×１０^{−４．９３×Ｘ}＋０．００１６…式２
Ｂ_１＝−０．０８８×Ｘ^２＋０．０６６×Ｘ＋０．０３８６ （０．０５≦Ｘ≦０．３７５）…式３
Ｂ_１＝０．０５１ （０．３７５≦Ｘ≦０．６５）…式４
Ｃ_１＝０．７１４×１０^{−５．２６×Ｘ}＋２９．３７…式５
Ａ_２＝０．０９８７×Ｘ^２−０．０９１８×Ｘ＋０．０６４４…式６
Ｂ_２＝−０．０６５１×Ｘ^２＋０．１１１４×Ｘ＋０．０３５１…式７
Ｃ_２＝０．７８３０×Ｘ^２−１．７４２４×Ｘ＋３２．７０…式８

本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第１のＩＤＴ電極の前記主電極層及び前記第２のＩＤＴ電極の前記主電極層の膜厚及び材料が実質的に同じであり、前記誘電体膜における前記第１のＩＤＴ電極上に設けられた部分の膜厚及び前記第２のＩＤＴ電極上に設けられた部分の膜厚が実質的に同じである。

本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記誘電体膜が酸化ケイ素を主成分とする。この場合には、周波数温度特性を改善することができる。

本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記圧電基板において、通過帯域が異なる通信バンドに属する複数の帯域通過型フィルタが構成されている。

本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記圧電基板上に、アンテナに接続されるアンテナ端子が設けられており、前記アンテナ端子に前記複数の帯域通過型フィルタが共通接続されており、複合フィルタが構成されている。

本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記複数の帯域通過型フィルタにより複合フィルタが構成されていない。

本発明に係る高周波フロントエンド回路は、本発明に従い構成された弾性波装置と、パワーアンプとを備える。

本発明に係る通信装置は、本発明に従い構成された高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路とを備える。

本発明に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置によれば、電極指ピッチが異なる複数のＩＤＴ電極が同一の圧電基板上に設けられている場合においても、不要波を効果的に抑制することができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態における第１の弾性波共振子の電極構造を示す模式的平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態における第１のＩＤＴ電極の拡大正面断面図である。 図５は、比較例の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を１．００λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。 図６は、比較例の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を０．９０λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。 図７は、比較例の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を０．９５λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。 図８は、比較例の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を１．０５λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。 図９は、比較例の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を１．１０λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を１．００λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を０．９０λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を０．９５λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。 図１３は、本発明の第１の実施形態の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を１．０５λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。 図１４は、本発明の第１の実施形態の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を１．１０λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。 図１５は、ＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である弾性波共振子の、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが２８°である場合のリターンロスを示す図である。 図１６は、本発明のＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である弾性波共振子の、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが２９°である場合のリターンロスを示す図である。 図１７は、本発明のＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である弾性波共振子の、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが３０°である場合のリターンロスを示す図である。 図１８は、本発明のＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である弾性波共振子の、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが３１°である場合のリターンロスを示す図である。 図１９は、本発明のＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である弾性波共振子の、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが３２°である場合のリターンロスを示す図である。 図２０は、ＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である弾性波共振子における、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθと、不要波の比帯域との関係を示す図である。 図２１は、Ｘ＝０．０５の場合の、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の波長、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθ及び不要波の比帯域の関係を示す図である。 図２２は、Ｘ＝０．０５の場合の、弾性波共振子における不要波の比帯域が０．００５％以下となる圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθの上限値及び下限値と、主電極層の膜厚との関係を示す図である。 図２３は、Ｘ＝０．１０の場合の、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の波長、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθ及び不要波の比帯域の関係を示す図である。 図２４は、Ｘ＝０．１０の場合の、弾性波共振子における不要波の比帯域が０．００５％以下となる圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθの上限値及び下限値と、主電極層の膜厚との関係を示す図である。 図２５は、Ｘ＝０．１５の場合の、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の波長、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθ及び不要波の比帯域の関係を示す図である。 図２６は、Ｘ＝０．１５の場合の、弾性波共振子における不要波の比帯域が０．００５％以下となる圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθの上限値及び下限値と、主電極層の膜厚との関係を示す図である。 図２７は、Ｘ＝０．２０の場合の、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の波長、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθ及び不要波の比帯域の関係を示す図である。 図２８は、Ｘ＝０．２０の場合の、弾性波共振子における不要波の比帯域が０．００５％以下となる圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθの上限値及び下限値と、主電極層の膜厚との関係を示す図である。 図２９は、高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。 図３０は、弾性波フィルタの通過帯域内に大きさが０．２ｄＢのスプリアスが生じた場合の弾性波フィルタの通過特性を示す図である。 図３１は、弾性波フィルタの通過帯域内に大きさが０．２７ｄＢのスプリアスが生じた場合の弾性波フィルタの通過特性を示す図である

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。

弾性波装置１は、アンテナに接続されるアンテナ端子１２と、アンテナ端子１２に共通接続されている複数の帯域通過型フィルタを有する。複数の帯域通過型フィルタの通過帯域は互いに異なる。本実施形態の弾性波装置１は、キャリアアグリゲーションなどに用いられる複合フィルタ装置である。

複数の帯域通過型フィルタは、第１の帯域通過型フィルタ３Ａ、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂ及び第３の帯域通過型フィルタ３Ｃを含む。弾性波装置１は、第１の帯域通過型フィルタ３Ａ、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂ及び第３の帯域通過型フィルタ３Ｃ以外の帯域通過型フィルタも有する。なお、帯域通過型フィルタの個数は特に限定されない。

複数の帯域通過型フィルタのうち、第１の帯域通過型フィルタ３Ａの通過帯域は最も低周波側に位置する。他方、複数の帯域通過型フィルタのうち、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの通過帯域は最も高周波側に位置する。

ここで、弾性波装置１は圧電基板を有する。第１の帯域通過型フィルタ３Ａと、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、同一圧電基板上において構成されている。

第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、第１の弾性波共振子を含む複数の弾性波共振子を有する。同様に、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、第２の弾性波共振子を含む複数の弾性波共振子を有する。第１の帯域通過型フィルタ３Ａ、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂ及び第３の帯域通過型フィルタ３Ｃは、ラダー型フィルタであってもよく、あるいは、縦結合共振子型弾性波フィルタを有していてもよい。第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、少なくとも第１の弾性波共振子を有していればよい。第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、少なくとも第２の弾性波共振子を有していればよい。第１の帯域通過型フィルタ３Ａ、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂ及び第３の帯域通過型フィルタ３Ｃの回路構成は特に限定されない。

図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。

図２に示す圧電基板２は、ＬｉＮｂＯ_３からなる。本実施形態では、圧電基板２のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるφは０°±５°であり、ψは０°±１０°である。オイラー角（０°±５°，θ，０°±１０°）におけるθについては後述する。なお、本明細書においては、例えば、０°±５°は−５°以上、５°以下の範囲を示す。

圧電基板２において、上記第１の弾性波共振子１３Ａ及び上記第２の弾性波共振子１３Ｂが構成されている。なお、図２においては、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂは隣り合う位置に配置されているが、第１の弾性波共振子１３Ａ及び第２の弾性波共振子１３Ｂの配置は、特に限定されない。

図３は、第１の実施形態における第１の弾性波共振子の電極構造を示す模式的平面図である。

第１の弾性波共振子１３Ａは、圧電基板上に設けられている第１のＩＤＴ電極４Ａを有する。第１のＩＤＴ電極４Ａに交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。弾性波装置１は、弾性波としてレイリー波を利用する。第１のＩＤＴ電極４Ａの弾性波伝搬方向両側には、反射器７ａ及び反射器７ｂが配置されている。

第１のＩＤＴ電極４Ａは、互いに対向し合う第１のバスバー５ａ及び第２のバスバー６ａを有する。第１のＩＤＴ電極４Ａは、第１のバスバー５ａに一端が接続されている、複数の第１の電極指５ｂを有する。さらに、第１のＩＤＴ電極４Ａは、第２のバスバー６ａに一端が接続されている、複数の第２の電極指６ｂを有する。複数の第１の電極指５ｂと複数の第２の電極指６ｂとは、互いに間挿し合っている。

図４は、第１の実施形態における第１のＩＤＴ電極の拡大正面断面図である。

第１のＩＤＴ電極４Ａは、圧電基板２上に設けられている主電極層１４ａと、主電極層１４ａ上に設けられている導電補助電極層１４ｂとを有する。本明細書において、主電極層は、ＩＤＴ電極を構成する金属層のうち、最も大きな質量を占める金属層である。

第１のＩＤＴ電極４Ａに用いられる材料は、特に限定されないが、本実施形態では、主電極層１４ａはＰｔからなる。なお、主電極層１４ａには、Ｐｔ以外にも、例えば、Ａｕ、Ｗ、ＭｏまたはＣｕなど、比較的密度が高い金属が好適に用いられる。導電補助電極層１４ｂはＡｌからなる。比較的電気抵抗が小さい導電補助電極層１４ｂを有することにより、第１のＩＤＴ電極４Ａの電気抵抗を小さくすることができる。なお、第１の弾性波共振子の反射器は、第１のＩＤＴ電極４Ａと同様の各金属層からなる。

本実施形態では、第１のＩＤＴ電極４Ａは主電極層１４ａ及び導電補助電極層１４ｂからなるが、密着層を有していてもよい。密着層は、例えば、圧電基板２と主電極層１４ａとの間や導電補助電極層１４ｂ上に配置することができる。密着層には、例えば、ＮｉＣｒ、ＴｉやＣｒを用いることができる。主電極層１４ａと導電補助電極層１４ｂとの間には、拡散防止層が設けられていてもよい。拡散防止層には、例えば、Ｔｉを用いることができる。なお、第１のＩＤＴ電極４Ａは主電極層１４ａのみからなっていてもよい。

第１の弾性波共振子と同様に、第２の弾性波共振子も、図２に示す第２のＩＤＴ電極４Ｂ及び反射器を有する。第１の帯域通過型フィルタ及び第２の帯域通過型フィルタの他の複数の弾性波共振子も、それぞれＩＤＴ電極及び反射器を有する。本実施形態においては、第１の帯域通過型フィルタ及び第２の帯域通過型フィルタにおける第１のＩＤＴ電極４Ａ、第２のＩＤＴ電極４Ｂ、他の複数のＩＤＴ電極及び各反射器の膜厚及び材料は、実質的に同じである。本明細書において、実質的に同じとは、弾性波装置１の電気的特性を劣化させない程度に同じであることをいう。例えば、実際には、複数のＩＤＴ電極や各反射器などを同じ膜厚となるように形成した際にも、膜厚に製造ばらつきが生じるが、電気的特性を劣化させない程度の膜厚の差であれば、実質的に同じ膜厚といえる。

ここで、第１のＩＤＴ電極４Ａの電極指ピッチにより規定される波長をλ_１、第２のＩＤＴ電極４Ｂの電極指ピッチにより規定される波長をλ_２とする。このとき、複数のＩＤＴ電極の波長のうち第１のＩＤＴ電極の波長λ_１が最も長く、かつ第２のＩＤＴ電極の波長λ_２が最も短い。本実施形態では、波長λ_１及び波長λ_２の平均値をλ_０＝（λ_１＋λ_２）／２とし、λ_１／λ_０＝１＋Ｘとし、かつλ_２／λ_０＝１−Ｘとしたときに、０．０５≦Ｘ≦０．６５である。

図２に示すように、圧電基板２上には、第１の誘電体膜８が設けられている。第１の誘電体膜８は第１のＩＤＴ電極４Ａ、第２のＩＤＴ電極４Ｂ及び各反射器を覆っている。第１の誘電体膜８における第１のＩＤＴ電極４Ａ上に設けられた部分の膜厚及び第２のＩＤＴ電極４Ｂ上に設けられた部分の膜厚は、実質的に同じである。

本実施形態では、第１の誘電体膜８はＳｉＯ_２などの酸化ケイ素を主成分とする。これにより、周波数温度係数の絶対値を小さくすることができ、周波数温度特性を改善することができる。加えて、複数のＩＤＴ電極の表面を保護することができ、複数のＩＤＴ電極が破損し難い。本明細書において、主成分とは５０重量％以上含む成分をいう。なお、第１の誘電体膜８の材料は上記に限定されず、例えば、酸窒化ケイ素や酸化テルルなどであってもよい。

第１の誘電体膜８上には、第２の誘電体膜９が設けられている。本実施形態では、第２の誘電体膜９はＳｉＮなどの窒化ケイ素からなる。第２の誘電体膜９の膜厚を調整することにより、周波数調整を容易に行うことができる。なお、第２の誘電体膜９の材料は上記に限定されず、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムや酸窒化ケイ素であってもよい。

本実施形態の特徴は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板２と、圧電基板２上に設けられており、かつ第１のＩＤＴ電極４Ａ及び第２のＩＤＴ電極４Ｂを含む複数のＩＤＴ電極と、複数のＩＤＴ電極を覆うように、圧電基板２上に設けられている第１の誘電体膜８とを備えており、かつ、以下の構成を有することにある。１）第１のＩＤＴ電極４Ａ及び第２のＩＤＴ電極４Ｂにおいて、λ_１／λ_０＝１＋Ｘであり、λ_２／λ_０＝１−Ｘであり、かつ０．０５≦Ｘ≦０．６５である。２）第１のＩＤＴ電極４Ａの主電極層及び第２のＩＤＴ電極４Ｂの主電極層のうち少なくとも一方の膜厚を平均値λ_０により規格化される膜厚をＴ、主電極層の材料とＰｔとの密度比をｒとしたときに、圧電基板２のオイラー角（０°±５°，θ，０°±１０°）におけるθが下記式１〜式８を満たす。なお、密度比ｒは、主電極層の材料の密度をＰｔの密度により割った値である。

−Ａ_１／（Ｔ×ｒ−Ｂ_１）＋Ｃ_１≦θ≦−Ａ_２／（Ｔ×ｒ−Ｂ_２）＋Ｃ_２…式１

Ｂ_１＜Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０であり、かつＢ_２＜Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０である。式１におけるＡ_１、Ｂ_１、Ｃ_１、Ａ_２、Ｂ_２及びＣ_２は、Ｘを用いた下記式２〜式８により表される。

Ａ_１＝０．０５６×１０^{−４．９３×Ｘ}＋０．００１６…式２
Ｂ_１＝−０．０８８×Ｘ^２＋０．０６６×Ｘ＋０．０３８６ （０．０５≦Ｘ≦０．３７５）…式３
Ｂ_１＝０．０５１ （０．３７５≦Ｘ≦０．６５）…式４
Ｃ_１＝０．７１４×１０^{−５．２６×Ｘ}＋２９．３７…式５
Ａ_２＝０．０９８７×Ｘ^２−０．０９１８×Ｘ＋０．０６４４…式６
Ｂ_２＝−０．０６５１×Ｘ^２＋０．１１１４×Ｘ＋０．０３５１…式７
Ｃ_２＝０．７８３０×Ｘ^２−１．７４２４×Ｘ＋３２．７０…式８

上記構成を有することによって、電極指ピッチが異なる複数のＩＤＴ電極が同一の圧電基板上に設けられている場合においても、不要波を効果的に抑制することができる。これを、第１の実施形態と比較例とを比較することにより示す。

なお、比較例は、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）が上記式１を満たさない点において、第１の実施形態と異なる。第１の実施形態及び比較例において利用する弾性波はレイリー波であり、ＳＨ波が不要波となる。

第１の実施形態の弾性波共振子のＩＤＴ電極及び比較例の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を変化させて、リターンロス特性を比較した。波長は、第１のＩＤＴ電極の波長λ_１及び第２のＩＤＴ電極の波長λ_２の平均値λ_０を基準値として、０．９０λ_０以上、１．１０λ_０以下の範囲において変化させた。なお、第１の実施形態においては以下の条件とした。

圧電基板：材料ＬｉＮｂＯ_３、オイラー角（０°，３０°，０°）
主電極層：材料Ｐｔ、膜厚０．０８５λ_０
導電補助電極層：材料Ａｌ、膜厚０．０８λ_０
デューティ比：０．６０
第１の誘電体膜：材料ＳｉＯ_２、膜厚０．３５λ_０
第２の誘電体膜：材料ＳｉＮ、膜厚０．０１λ_０

比較例においては以下の条件とした。

圧電基板：材料ＬｉＮｂＯ_３、オイラー角（０°，１９°，０°）
主電極層：材料Ｐｔ、膜厚０．０４２５λ_０
導電補助電極層：材料Ａｌ、膜厚０．０８λ_０
デューティ比：０．６０
第１の誘電体膜：材料ＳｉＯ_２、膜厚０．３５λ_０
第２の誘電体膜：材料ＳｉＮ、膜厚０．０１λ_０

図５は、比較例の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を１．００λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。図６は、比較例の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を０．９０λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。図７は、比較例の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を０．９５λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。図８は、比較例の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を１．０５λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。図９は、比較例の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を１．１０λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。これらの図において、横軸は各弾性波共振子の共振周波数で規格化した、規格化周波数である。

図５に示すように、比較例においては、ＩＤＴ電極の波長を１．００λ_０とした場合には、スプリアスは抑制されている。しかしながら、図６〜図９に示すように、波長が０．９５λ_０以下である場合及び波長が１．０５λ_０以上である場合においては、不要波による大きなスプリアスが生じていることがわかる。

ここで、Ｘ＝０．１０とすると、λ_１＝１．１０λ_０、λ_２＝０．９０λ_０であり、第１の弾性波共振子のリターンロス特性が図９に相当し、第２の弾性波共振子のリターンロス特性が図６に相当する。このとき、ＩＤＴ電極の波長が、０．９０λ_０以上、１．１０λ_０以下の範囲のいかなる値をとる場合においても不要波によるスプリアスを抑制できることが望ましい。しかしながら、図５〜図９に示すように、ＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０の場合はスプリアスが生じていないものの、０．９０λ_０、０．９５λ_０、１．０５λ_０、１．１０λ_０の場合には大きなスプリアスが生じている。一方、このとき、Ａ_１＝０．０１９６、Ｂ_１＝０．０３１１、Ｃ_１＝２９．５８、Ａ_２＝０．０５６２、Ｂ_２＝０．０４５６、Ｃ_２＝３２．５３となるため、Ｔ×ｒ＜Ｂ_２となって、上述したＢ_２＜Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０の条件を満たさない。従って、比較例の場合は、所望のＩＤＴ電極の波長の範囲内において、大きなスプリアスが生じる場合があり、同一の圧電基板上においてＩＤＴ電極の電極指ピッチが異なり波長が異なると、不要波を抑制することは困難となる。

図１０は、第１の実施形態の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を１．００λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。図１１は、第１の実施形態の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を０．９０λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。図１２は、第１の実施形態の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を０．９５λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。図１３は、第１の実施形態の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を１．０５λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。図１４は、第１の実施形態の弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長を１．１０λ_０とした場合のリターンロスを示す図である。

図１０〜図１４に示すように、第１の実施形態においては、ＩＤＴ電極の波長を０．９０λ_０以上、１．１０λ_０以下の範囲において変化させた場合においても、不要波が効果的に抑制されていることがわかる。

ここで、上記と同様に、Ｘ＝０．１０とすると、λ_１＝１．１０λ_０、λ_２＝０．９０λ_０であり、第１の弾性波共振子のリターンロス特性が図１４に相当し、第２の弾性波共振子のリターンロス特性が図１１に相当する。図１０〜図１４に示すように、ＩＤＴ電極の波長が０．９０λ_０以上、１．１０λ_０以下の範囲のいかなる値をとっても不要波によるスプリアスが効果的に抑制されていることがわかる。一方、このときのＡ_１、Ｂ_１、Ｃ_１、Ａ_２、Ｂ_２、Ｃ_２の値は上記の比較例の場合と同一である。この場合、第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の主電極層の膜厚Ｔに対しては、式１は、２９．０９≦θ≦３１．２７となり、第１の実施形態のθは式１を満たす。従って、同一の圧電基板上においてＩＤＴ電極の電極指ピッチが異なり波長が異なっていても、不要波を効果的に抑制することができる。

以下において、上記式１〜式８の詳細を説明する。そのために、まず下記の図１５〜図２０を用いて、不要波を十分に抑制することができる不要波の比帯域の基準を示す。次に、Ｘの値を変化させた場合の各例を示し、上記式１〜式８を満たすことにより、不要波を効果的に抑制し得ることを示す。

下記の図１５〜図１９は、図１０で示したリターンロスの測定に用いた第１の実施形態の弾性波共振子と同様の条件である弾性波共振子において、θを変化させてリターンロスを測定した結果を示す。ＩＤＴ電極の波長は１．００λ_０とし、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるθを２８°以上、３２°以下の範囲において変化させた。なお、上述した通り、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるφを０°とし、ψを０°とした。

図１５は、ＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である弾性波共振子の、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが２８°である場合のリターンロスを示す図である。図１６は、ＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である弾性波共振子の、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが２９°である場合のリターンロスを示す図である。図１７は、ＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である弾性波共振子の、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが３０°である場合のリターンロスを示す図である。図１８は、ＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である弾性波共振子の、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが３１°である場合のリターンロスを示す図である。図１９は、ＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である弾性波共振子の、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが３２°である場合のリターンロスを示す図である。

図１５に示すように、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが２８°である場合には、不要波によるスプリアスが十分に抑制されていないことがわかる。一般的に、弾性波共振子のリターンロスにおいて、不要波によるスプリアスの絶対値の大きさが０．３ｄＢより大きい場合に、弾性波装置の特性が大きく劣化し、問題となる。

例えば、スプリアスを生じる弾性波共振子を用いてラダー型の弾性波フィルタを形成した場合、弾性波フィルタの通過帯域内に、弾性波共振子のリターンロスにおいて見られているスプリアスの大きさの１／２〜２／３の大きさのスプリアスが生じることがわかっている。従って、弾性波共振子のリターンロスにおいて、不要波によるスプリアスの絶対値の大きさが０．３ｄＢの場合には、弾性波フィルタの通過帯域内に大きさ０．１５ｄＢ〜０．２ｄＢのスプリアスが生じることになる。

ここで、弾性波フィルタの通過帯域内に大きさが０．２ｄＢのスプリアスが生じた場合の弾性波フィルタの通過特性を図３０に示す。なお、図３０の横軸は、スプリアスが生じる周波数を１とした規格化周波数である。図３０に示す程度のスプリアスは一般的に問題とはならない。従って、弾性波共振子のリターンロスにおいて、不要波によるスプリアスの絶対値の大きさが０．３ｄＢであれば、この弾性波共振子を用いた弾性波フィルタや高周波フロントエンド回路、及び、通信装置の動作に悪影響を与えることは大きく抑制される。

一方、弾性波共振子のリターンロスにおいて、不要波によるスプリアスの絶対値の大きさが０．４ｄＢの場合には、弾性波フィルタの通過帯域内に大きさ０．２〜０．２７ｄＢのスプリアスが生じることになる。弾性波フィルタの通過帯域内に大きさが０．２７ｄＢのスプリアスが生じた場合の弾性波フィルタの通過特性を図３１に示す。なお、図３１の横軸は、スプリアスが生じる周波数を１とした規格化周波数である。図３１に示す程度の大きさのスプリアスは、弾性波フィルタにおいて問題となる場合がある。従って、弾性波共振子のリターンロスにおいて、不要波によるスプリアスの絶対値の大きさが０．４ｄＢのときには、この弾性波共振子を用いた弾性波フィルタや高周波フロントエンド回路、及び、通信装置の動作に悪影響を与え得ることがわかる。

以上より、弾性波共振子のリターンロスにおいて、不要波によるスプリアスの絶対値の大きさが０．３ｄＢより大きければ、この弾性波共振子を用いた弾性波フィルタや高周波フロントエンド回路、及び、通信装置の動作に悪影響を与える可能性がある。従って、スプリアスの絶対値の大きさを、弾性波共振子のリターンロス特性において０．３ｄＢ以下に抑制することにより、この弾性波共振子を用いた弾性波フィルタや高周波フロントエンド回路、及び、通信装置のフィルタ特性の劣化を抑制することができる。

図１６〜図１８に示すように、ＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である場合、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθを２９°以上、３１°以下とした場合において、スプリアスの絶対値の大きさを０．３ｄＢ以下に抑制することができている。他方、図１９に示すように、θが３２°の場合においては、不要波によるスプリアスを十分に抑制することができていない。

図２０は、ＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０である弾性波共振子における、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθと、不要波の比帯域との関係を示す図である。なお、図２０における不要波はＳＨ波である。不要波の比帯域の大きさと、スプリアスの大きさは対応するため、比帯域の大きさが小さいほどスプリアスを抑制することができる。図２０における測定に用いた弾性波共振子は、図１０で示したリターンロスの測定に用いた第１の実施形態の弾性波共振子と、θを変化させたこと以外は同様の条件である。後述する図２１、図２３、図２５、図２７における弾性波共振子も同様である。

図２０に示すように、ＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０の場合には、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが３０°付近の場合において、不要波の比帯域がほぼ０％となっている。θが３０°から離れた値になるほど、不要波の比帯域が大きくなっている。上記において、図１６を用いて、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθが２９°である場合に、不要波によるスプリアスの絶対値の大きさを０．３ｄＢ以下とすることができ、十分に抑制し得ることを示した。図２０に示すように、θが２９°のとき、不要波の比帯域は０．００５％以下の値となっていることがわかる。よって、不要波の比帯域が０．００５％以下となるθの範囲において、不要波によるスプリアスを十分に抑制することができる。

図２０に示す第１の実施形態の条件において、不要波の比帯域が、０．００５％以下となるθの範囲は、２８．９°≦θ≦３１．４°である。従って、ＩＤＴ電極の波長が１．００λ_０で単一の場合には、上記のθの範囲を選ぶことによって、不要波によるスプリアスを十分に抑制することができる。

次に、以下においてＸの値を変化させた各例を示す。

第１の実施形態の弾性波装置１においては、複数のＩＤＴ電極のうち、第１のＩＤＴ電極の波長λ_１が最も長く、第２のＩＤＴ電極の波長λ_２が最も短い。上述したように、波長λ_１及び波長λ_２は、波長λ_１及び波長λ_２の平均値λ_０を用いて、λ_１＝（１＋Ｘ）λ_０及びλ_２＝（１−Ｘ）λ_０と表すことができる。以下において、弾性波装置１において、複数のＩＤＴ電極のうち、波長がλ_２以上、λ_１以下のいかなる値をとった場合においても不要波によるスプリアスを十分に抑制することができるθの範囲を求める。

ここで、Ｘ＝０．０５とした場合に、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極において、不要波の比帯域が０．００５％以下となる上記θの範囲を下記の図２１に示す。

図２１は、Ｘ＝０．０５の場合の、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の波長、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθ及び不要波の比帯域の関係を示す図である。実線はＩＤＴ電極の波長がλ_０である場合の結果を示す。破線は波長が１．０５λ_０である、第１のＩＤＴ電極に相当する結果を示す。一点鎖線は波長が０．９５λ_０である、第２のＩＤＴ電極に相当する結果を示す。なお、実線により示す結果は、図２０において示した結果と同様である。

図２１に示すように、不要波の比帯域が０．００５％以下となる、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθの範囲は、ＩＤＴ電極の波長により異なることがわかる。ＩＤＴ電極の波長が０．９５λ_０以上、１．０５λ_０以下の範囲においては、図２１中の矢印Ｄ１により示す２９．０１°≦θ≦３１．２９°の範囲において、不要波の比帯域を０．００５％以下とすることができる。ＩＤＴ電極の波長が０．９５λ_０以上、１．０５λ_０以下の範囲の場合のθと比帯域の関係を表す線は、図２１中の破線と一点鎖線との間の領域に存在するため、矢印Ｄ１に示す範囲のθを選ぶことにより、ＩＤＴ電極の波長が０．９５λ_０以上、１．０５λ_０以下の範囲のいかなる値をとっても不要波を十分に抑制することができる。

ＩＤＴ電極の主電極層の膜厚が異なる場合には、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるθと不要波の比帯域の関係が変化する。主電極層の厚みを変化させて図２１と同様の評価を行い、主電極層の膜厚と、不要波の比帯域が０．００５％以下となるθの上限値及び下限値との関係を求めた。その結果を下記の表１及び図２２に示す。

図２２は、Ｘ＝０．０５の場合の、弾性波共振子における不要波の比帯域が０．００５％以下となる圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθの上限値及び下限値と、主電極層の膜厚との関係を示す図である。図２２中の実線で示す曲線Ｅ１は、主電極層の膜厚と、不要波の比帯域が０．００５％以下となるθの下限値との関係を示す。破線で示す曲線Ｆ１は、主電極層の膜厚と、不要波の比帯域が０．００５％以下となるθの上限値との関係を示す。

図２２中の曲線Ｅ１は、主電極層の膜厚をＴ_Ｐｔとしたときに、θ＝−０．０２８／（Ｔ_Ｐｔ−０．０４３）＋２９．７０により表される。曲線Ｆ１は、θ＝−０．０６０／（Ｔ_Ｐｔ−０．０４１）＋３２．６２により表される。図２２における曲線Ｅ１及び曲線Ｆ１により囲まれる領域が、不要波を十分に抑制することができる領域である。この領域は下記の式９により表すことができる。

−０．０２８／（Ｔ_Ｐｔ−０．０４３）＋２９．７０≦θ≦−０．０６０／（Ｔ_Ｐｔ−０．０４１）＋３２．６２…式９

上述したように第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の主電極層はＰｔからなる。式９中のＴ_Ｐｔは、主電極層がＰｔである場合の膜厚をλ_０で規格化した値である。Ｘ＝０．０５の場合の膜厚Ｔ_Ｐｔの下限値は、曲線Ｅ１と曲線Ｆ１との交点における膜厚であり、０．０４９λ_０である。

他方、主電極層の膜厚が大きくなりすぎると、ＩＤＴ電極のアスペクト比が過度に大きくなり、ＩＤＴ電極の形成が困難となる。さらに、ＩＤＴ電極のアスペクト比が大きい場合には、ＩＤＴ電極間のギャップのアスペクト比も大きくなり、この部分の第１の誘電体膜中にボイドやクラックが生じ易くなる。よって、主電極層がＰｔからなる場合の膜厚Ｔ_Ｐｔは、０．１２λ_０以下であることが好ましく、０．１０λ_０以下であることがより好ましい。なお、本明細書において、ＩＤＴ電極のアスペクト比は、ＩＤＴ電極の電極指の膜厚の、電極指の横断方向に沿う寸法に対する比である。ＩＤＴ電極間のギャップのアスペクト比は、ギャップを隔てて隣り合う電極指の膜厚の、ギャップの横断方向に沿う寸法に対する比である。

主電極層にＰｔ以外の金属を用いる場合には、主電極層の膜厚は、上記金属とＰｔとの密度比に応じた膜厚とすればよい。より具体的には、Ｐｔの密度をρ_Ｐｔ、主電極層に用いる金属の密度をρとしたときに、密度比はρ／ρ_Ｐｔにより表される。主電極層の膜厚をＴ、密度比をｒ＝ρ／ρ_Ｐｔとしたときに、膜厚Ｔと上記式９中の膜厚Ｔ_Ｐｔとの関係は、Ｔ_Ｐｔ＝Ｔ／（ρ_Ｐｔ／ρ）＝Ｔ×ｒにより表される。これを式９に代入することにより、下記の式１０を求めることができる。

−０．０２８／（Ｔ×ｒ−０．０４３）＋２９．７０≦θ≦−０．０６０／（Ｔ×ｒ−０．０４１）＋３２．６２…式１０

なお、式１０中におけるＴ×ｒは、０．０４９λ_０≦Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０の範囲であることが好ましい。

式１０は、Ｘ＝０．０５の場合において、不要波を効果的に抑制することができるθの範囲を示す。式１０は、下記の式１におけるＡ_１、Ｂ_１、Ｃ_１、Ａ_２、Ｂ_２及びＣ_２に各数値を代入した式である。

−Ａ_１／（Ｔ×ｒ−Ｂ_１）＋Ｃ_１≦θ≦−Ａ_２／（Ｔ×ｒ−Ｂ_２）＋Ｃ_２…式１

Ｘが０．０５以外の場合においても、式１におけるＡ_１、Ｂ_１、Ｃ_１、Ａ_２、Ｂ_２及びＣ_２に各数値を代入した式により、不要波を効果的に抑制することができるθの範囲を示すことができる。以下において、Ｘが０．０５以外の場合の例を示し、上記式１〜式８を満たすことにより、Ｘを変化させても不要波を抑制し得ることを示す。

図２３は、Ｘ＝０．１０の場合の、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の波長、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθ及び不要波の比帯域の関係を示す図である。実線はＩＤＴ電極の波長がλ_０である場合の結果を示す。破線は波長が１．１０λ_０の結果を示す。一点鎖線は波長が０．９０λ_０の結果を示す。

図２３に示すように、ＩＤＴ電極の波長が０．９０λ_０以上、１．１０λ_０以下の範囲においては、矢印Ｄ２により示す２９．１１°≦θ≦３１．１３°の範囲において、不要波の比帯域を０．００５％以下とすることができる。ＩＤＴ電極の波長が０．９０λ_０以上、１．１０λ_０以下の範囲の場合のθと比帯域の関係を表す線は、図２３中の破線と一点鎖線との間の領域に存在するため、矢印Ｄ２に示す範囲のθを選ぶことにより、ＩＤＴ電極の波長が０．９０λ_０以上、１．１０λ_０以下の範囲のいかなる値をとっても不要波を十分に抑制することができる。

さらに、主電極層の厚みを変化させて図２３と同様の評価を行い、主電極層の膜厚と、不要波の比帯域が０．００５％以下となるオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθの上限値及び下限値との関係を求めた。その結果を下記の表２及び図２４に示す。

図２４は、Ｘ＝０．１０の場合の、弾性波共振子における不要波の比帯域が０．００５％以下となる圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθの上限値及び下限値と、主電極層の膜厚との関係を示す図である。図２４中の実線で示す曲線Ｅ２は、主電極層の膜厚と、不要波の比帯域が０．００５％以下となるθの下限値との関係を示す。破線で示す曲線Ｆ２は、主電極層の膜厚と、不要波の比帯域が０．００５％以下となるθの上限値との関係を示す。

図２４における曲線Ｅ２及び曲線Ｆ２により囲まれる領域が、Ｘ＝０．１０の場合において、不要波を十分に抑制することができる領域である。この領域は、Ｔ_Ｐｔ＝Ｔ×ｒとすることにより、下記の式１１により表すことができる。なお、Ｘ＝０．１０の場合のＴ×ｒの下限値は、曲線Ｅ２と曲線Ｆ２との交点であり、０．０５８λ_０である。

−０．０２０／（Ｔ×ｒ−０．０４４）＋２９．６１≦θ≦−０．０５７／（Ｔ×ｒ−０．０４５）＋３２．５３…式１１

式１１中におけるＴ×ｒは、０．０５８λ_０≦Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０の範囲であることが好ましい。

図２５は、Ｘ＝０．１５の場合の、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の波長、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθ及び不要波の比帯域の関係を示す図である。実線はＩＤＴ電極の波長がλ_０である場合の結果を示す。破線は波長が１．１５λ_０の結果を示す。一点鎖線は波長が０．８５λ_０の結果を示す。

図２５に示すように、ＩＤＴ電極の波長が０．８５λ_０以上、１．１５λ_０以下の範囲においては、矢印Ｄ３により示す２９．１８°≦θ≦３０．９４°の範囲において、不要波の比帯域を０．００５％以下とすることができる。ＩＤＴ電極の波長が０．８５λ_０以上、１．１５λ_０以下の範囲の場合のθと比帯域の関係を表す線は、図２５中の破線と一点鎖線との間の領域に存在するため、矢印Ｄ３に示す範囲のθを選ぶことにより、ＩＤＴ電極の波長が０．８５λ_０以上、１．１５λ_０以下の範囲のいかなる値をとっても不要波を十分に抑制することができる。

さらに、主電極層の厚みを変化させて図２５と同様の評価を行い、主電極層の膜厚と、不要波の比帯域が０．００５％以下となるオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθの上限値及び下限値との関係を求めた。その結果を下記の表３及び図２６に示す。

図２６は、Ｘ＝０．１５の場合の、弾性波共振子における不要波の比帯域が０．００５％以下となる圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθの上限値及び下限値と、主電極層の膜厚との関係を示す図である。図２６中の実線で示す曲線Ｅ３は、主電極層の膜厚と、不要波の比帯域が０．００５％以下となるθの下限値との関係を示す。破線で示す曲線Ｆ３は、主電極層の膜厚と、不要波の比帯域が０．００５％以下となるθの上限値との関係を示す。

図２６における曲線Ｅ３及び曲線Ｆ３により囲まれる領域が、Ｘ＝０．１５の場合において、不要波を十分に抑制することができる領域である。この領域は、Ｔ_Ｐｔ＝Ｔ×ｒとすることにより、下記の式１２により表すことができる。なお、Ｘ＝０．１５の場合のＴ×ｒの下限値は、曲線Ｅ３と曲線Ｆ３との交点であり、０．０６４λ_０である。

−０．０１２／（Ｔ×ｒ−０．０４７）＋２９．５０≦θ≦−０．０５５／（Ｔ×ｒ−０．０４９）＋３２．４８…式１２

式１２中におけるＴ×ｒは、０．０６４λ_０≦Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０の範囲であることが好ましい。

図２７は、Ｘ＝０．２０の場合の、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の波長、圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθ及び不要波の比帯域の関係を示す図である。実線はＩＤＴ電極の波長がλ_０である場合の結果を示す。破線は波長が１．２０λ_０の結果を示す。一点鎖線は波長が０．８０λ_０の結果を示す。

図２７に示すように、ＩＤＴ電極の波長が０．８０λ_０以上、１．２０λ_０以下の範囲においては、矢印Ｄ４により示す２９．２４°≦θ≦３０．７３°の範囲において、不要波の比帯域を０．００５％以下とすることができる。ＩＤＴ電極の波長が０．８０λ_０以上、１．２０λ_０以下の範囲の場合のθと比帯域の関係を表す線は、図２７中の破線と一点鎖線との間の領域に存在するため、矢印Ｄ４に示す範囲のθを選ぶことにより、ＩＤＴ電極の波長が０．８０λ_０以上、１．２０λ_０以下の範囲のいかなる値をとっても不要波を十分に抑制することができる。

さらに、主電極層の厚みを変化させて図２７と同様の評価を行い、主電極層の膜厚と、不要波の比帯域が０．００５％以下となるオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθの上限値及び下限値との関係を求めた。その結果を下記の表４及び図２８に示す。

図２８は、Ｘ＝０．２０の場合の、弾性波共振子における不要波の比帯域が０．００５％以下となる圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるθの上限値及び下限値と、主電極層の膜厚との関係を示す図である。図２８中の実線で示す曲線Ｅ４は、主電極層の膜厚と、不要波の比帯域が０．００５％以下となるθの下限値との関係を示す。破線で示す曲線Ｆ４は、主電極層の膜厚と、不要波の比帯域が０．００５％以下となるθの上限値との関係を示す。

図２８における曲線Ｅ４及び曲線Ｆ４により囲まれる領域が、Ｘ＝０．２０の場合において、不要波を十分に抑制することができる領域である。この領域は、Ｔ_Ｐｔ＝Ｔ×ｒとすることにより、下記の式１３により表すことができる。なお、Ｘ＝０．２０の場合のＴ×ｒの下限値は、曲線Ｅ４と曲線Ｆ４との交点であり、０．０６９λ_０である。

−０．００８／（Ｔ×ｒ−０．０４８）＋２９．４５≦θ≦−０．０５０／（Ｔ×ｒ−０．０５４）＋３２．３６…式１３

式１３中におけるＴ×ｒは、０．０６９λ_０≦Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０の範囲であることが好ましい。

上記においては、Ｘが０．０５、０．１０、０．１５及び０．２０である場合において、不要波を効果的に抑制することができる上記θの範囲を求めた。同様に、Ｘが０．２５以上、０．６５以下である場合においても、不要波を効果的に抑制することができる上記θの範囲を求めた。Ｘを変化させた場合の各θの範囲は、それぞれ、下記の式１におけるＡ_１、Ｂ_１、Ｃ_１、Ａ_２、Ｂ_２及びＣ_２に各数値を代入した式として求めた。それぞれのＡ_１、Ｂ_１、Ｃ_１、Ａ_２、Ｂ_２及びＣ_２の値を下記の表５に示す。

これらの結果に基づき、Ａ_１、Ｂ_１、Ｃ_１、Ａ_２、Ｂ_２及びＣ_２を、それぞれＸを用いた下記の式２〜式８として求めた。

−Ａ_１／（Ｔ×ｒ−Ｂ_１）＋Ｃ_１≦θ≦−Ａ_２／（Ｔ×ｒ−Ｂ_２）＋Ｃ_２…式１

式１におけるＡ_１、Ｂ_１、Ｃ_１、Ａ_２、Ｂ_２及びＣ_２は、Ｘを用いた下記の式２〜式８により表される。

Ａ_１＝０．０５６×１０^{−４．９３×Ｘ}＋０．００１６…式２
Ｂ_１＝−０．０８８×Ｘ^２＋０．０６６×Ｘ＋０．０３８６ （０．０５≦Ｘ≦０．３７５）…式３
Ｂ_１＝０．０５１ （０．３７５≦Ｘ≦０．６５）…式４
Ｃ_１＝０．７１４×１０^{−５．２６×Ｘ}＋２９．３７…式５
Ａ_２＝０．０９８７×Ｘ^２−０．０９１８×Ｘ＋０．０６４４…式６
Ｂ_２＝−０．０６５１×Ｘ^２＋０．１１１４×Ｘ＋０．０３５１…式７
Ｃ_２＝０．７８３０×Ｘ^２−１．７４２４×Ｘ＋３２．７０…式８

以上のように、式１〜式８を満たすことにより、電極指ピッチが異なるＩＤＴ電極が同一の圧電基板に形成されている場合においても、不要波を効果的に抑制することができる。

なお、式１の左辺において、Ｔ×ｒ＝Ｂ_１となった場合には分母が０になりθが発散する。同様に、式１の右辺において、Ｔ×ｒ＝Ｂ_２となった場合には分母が０になりθが発散する。さらに、上述したように、ＩＤＴ電極の主電極層の膜厚は、０．１２λ_０以下であることが好ましく、０．１０λ_０以下であることがより好ましい。よって、本実施形態においては、Ｂ_１＜Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０であり、かつＢ_２＜Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０としている。主電極層の膜厚が０．１０λ_０以下である場合、Ｘが０．６５を超えると、上記θが不要波を十分に抑制し得る範囲を有しなくなる。よって、第１の実施形態においては、Ｘを０．６５以下としている。

弾性波装置１においては、図２に示すように、第１のＩＤＴ電極４Ａの膜厚及び第２のＩＤＴ電極４Ｂの膜厚が実質的に同じである。第１の誘電体膜８における第１のＩＤＴ電極４Ａ上に設けられた部分の膜厚及び第２のＩＤＴ電極４Ｂ上に設けられた部分の膜厚も実質的に同じである。よって、弾性波装置１における第１の帯域通過型フィルタ及び第２の帯域通過型フィルタは、同時に形成することができる。このように、第１の実施形態においては、工程の煩雑化を招くことなく、不要波を効果的に抑制することができる。

第１の実施形態の弾性波装置１は、キャリアアグリゲーションなどに用いられる複合フィルタ装置である。以下において、弾性波装置１が、多様な通信バンドの組み合わせにおいて、不要波を効果的に抑制し得ることを説明する。下記の表６に、キャリアアグリゲーションにおいて用いられる通信バンドの組み合わせの例及び各通信バンドの受信帯域の中心周波数比を示す。

帯域通過型フィルタの通過帯域を所望の帯域とするためには、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長を、所望の帯域に応じた波長とする必要がある。組み合わせた通信バンドの中心周波数比が大きいほど、一方の帯域通過型フィルタと他方の帯域通過型フィルタとの間において、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極の電極指ピッチの差は大きくなる。

ここで、上述したように、図１に示す第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、波長が最も長いλ_１である第１のＩＤＴ電極を含む第１の弾性波共振子を有する。よって、弾性波装置１における弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長はλ_１以下である。他方、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、波長が最も短いλ_２である第２のＩＤＴ電極を含む第２の弾性波共振子を有する。よって、弾性波装置１における弾性波共振子のＩＤＴ電極の波長はλ_２以上である。

第１の帯域通過型フィルタ３Ａの弾性波共振子と第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの弾性波共振子とにおける最大の波長比は、λ_１／λ_２＝（１＋Ｘ）λ_０／（１−Ｘ）λ_０＝（１＋Ｘ）／（１−Ｘ）により表すことができる。よって、第１の帯域通過型フィルタ３Ａの通過帯域を構成する弾性波共振子と、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの通過帯域を構成する弾性波共振子との間における波長比は、（１＋Ｘ）／（１−Ｘ）以下である。第１の帯域通過型フィルタ３Ａが属する通信バンドと、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂが属する通信バンドとの間における中心周波数比が（１＋Ｘ）／（１−Ｘ）以下である場合には、第１の実施形態の構成とすることができる。この場合には、不要波を効果的に抑制することができる。

ここで、第１の実施形態では０．０５≦Ｘ≦０．６５である。例えば、Ｘ＝０．０５である場合、λ_１／λ_２＝（１＋Ｘ）／（１−Ｘ）＝１．１０５となる。他方、表６に示すＢａｎｄ４−Ｂａｎｄ３０間の中心周波数比は１．１０４である。よって、Ｂａｎｄ４−Ｂａｎｄ３０間の中心周波数比以下の通信バンドの組み合わせとした場合において、不要波を効果的に抑制することができる。

さらに、例えば、Ｘ＝０．２０である場合、λ_１／λ_２＝１．５０となる。よって、表６に示すＢａｎｄ６６−Ｂａｎｄ１１間の中心周波数比以下の通信バンドの組み合わせとした場合において、不要波を効果的に抑制することができる。このように、多様な通信バンドの組み合わせにおいて、不要波を効果的に抑制することができる。

第１の実施形態の弾性波装置１は複合フィルタである。本発明の弾性波装置は、上記に限られず、例えば、同一の圧電基板上に構成されており、かつ共通接続されていない複数の弾性波フィルタを有する弾性波装置であってもよい。共通接続された複数の弾性波フィルタと、共通接続されていない弾性波フィルタとが混在していてもよい。あるいは、本発明の弾性波装置は、ラダー型フィルタであってもよい。これらの場合のように、電極指ピッチが異なる複数のＩＤＴ電極が同一の圧電基板上に設けられていても、不要波を効果的に抑制することができる。

上記弾性波装置は、高周波フロントエンド回路のデュプレクサなどとして用いることができる。この例を下記において説明する。

図２９は、通信装置及び高周波フロントエンド回路の構成図である。なお、同図には、高周波フロントエンド回路２３０と接続される各構成要素、例えば、アンテナ素子２０２やＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）２０３も併せて図示されている。高周波フロントエンド回路２３０及びＲＦ信号処理回路２０３は、通信装置２４０を構成している。なお、通信装置２４０は、電源、ＣＰＵやディスプレイを含んでいてもよい。

高周波フロントエンド回路２３０は、スイッチ２２５と、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと、フィルタ２３１，２３２と、ローノイズアンプ回路２１４，２２４と、パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂとを備える。なお、図２９の高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０は、高周波フロントエンド回路及び通信装置の一例であって、この構成に限定されるものではない。

デュプレクサ２０１Ａは、フィルタ２１１，２１２を有する。デュプレクサ２０１Ｂは、フィルタ２２１，２２２を有する。デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂは、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。なお、上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂであってもよいし、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２であってもよい。

さらに、上記弾性波装置は、例えば、３つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、６つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサなど、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサについても適用することができる。

すなわち、上記弾性波装置は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサを含む。そして、該マルチプレクサは、送信フィルタ及び受信フィルタの双方を備える構成に限らず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもかまわない。

スイッチ２２５は、制御部（図示せず）からの制御信号に従って、アンテナ素子２０２と所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ素子２０２と接続される信号経路は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路２３０は、キャリアアグリゲーションに対応していてもよい。

ローノイズアンプ回路２１４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ａを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。ローノイズアンプ回路２２４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ｂを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。

パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ａ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。パワーアンプ回路２４４ａ，２４４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ｂ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。

ＲＦ信号処理回路２０３は、アンテナ素子２０２から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路２０３は、入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂへ出力する。ＲＦ信号処理回路２０３は、例えば、ＲＦＩＣである。なお、通信装置は、ＢＢ（ベースバンド）ＩＣを含んでいてもよい。この場合、ＢＢＩＣは、ＲＦＩＣで処理された受信信号を信号処理する。また、ＢＢＩＣは、送信信号を信号処理し、ＲＦＩＣに出力する。ＢＢＩＣで処理された受信信号や、ＢＢＩＣが信号処理する前の送信信号は、例えば、画像信号や音声信号等である。

以上のように構成された高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０によれば、不要波を効果的に抑制することができる。

なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上記デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂに代わり、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂの変形例に係るデュプレクサを備えていてもよい。

他方、通信装置２４０におけるフィルタ２３１，２３２は、ローノイズアンプ回路２１４，２２４及びパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂを介さず、ＲＦ信号処理回路２０３とスイッチ２２５との間に接続されている。フィルタ２３１，２３２も、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと同様に、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。

以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態及びその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

本発明は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話機などの通信装置に広く利用できる。

１…弾性波装置
２…圧電基板
３Ａ〜３Ｃ…第１〜第３の帯域通過型フィルタ
４Ａ，４Ｂ…第１，第２のＩＤＴ電極
５ａ，６ａ…第１，第２のバスバー
５ｂ，６ｂ…第１，第２の電極指
７ａ，７ｂ…反射器
８，９…第１，第２の誘電体膜
１２…アンテナ端子
１３Ａ，１３Ｂ…第１，第２の弾性波共振子
１４ａ…主電極層
１４ｂ…導電補助電極層
２０１Ａ，２０１Ｂ…デュプレクサ
２０２…アンテナ素子
２０３…ＲＦ信号処理回路
２１１，２１２…フィルタ
２１４…ローノイズアンプ回路
２２１，２２２…フィルタ
２２４…ローノイズアンプ回路
２２５…スイッチ
２３０…高周波フロントエンド回路
２３１，２３２…フィルタ
２３４ａ，２３４ｂ…パワーアンプ回路
２４０…通信装置
２４４ａ，２４４ｂ…パワーアンプ回路

Claims (9)

1. ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられており、かつ第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極を含む複数のＩＤＴ電極と、
   前記複数のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に設けられている誘電体膜と、
   を備え、
   前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極が主電極層を有し、
   前記第１のＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλ_１、前記第２のＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλ_２、前記波長λ_１及び前記波長λ_２の平均値をλ_０＝（λ_１＋λ_２）／２とし、λ_１／λ_０＝１＋Ｘであり、かつλ_２／λ_０＝１−Ｘとしたときに、０．０５≦Ｘ≦０．６５であり、
   前記複数のＩＤＴ電極のうち前記第１のＩＤＴ電極の前記波長λ_１が最も長く、かつ前記第２のＩＤＴ電極の前記波長λ_２が最も短く、
   前記第１のＩＤＴ電極の前記主電極層及び前記第２のＩＤＴ電極の前記主電極層のうち少なくとも一方の膜厚を前記平均値λ_０で規格化した膜厚をＴ、前記主電極層の材料とＰｔとの密度比をｒとしたときに、前記圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるφが０°±５°であり、ψが０°±１０°であり、θが下記式１を満たし、
   −Ａ_１／（Ｔ×ｒ−Ｂ_１）＋Ｃ_１≦θ≦−Ａ_２／（Ｔ×ｒ−Ｂ_２）＋Ｃ_２…式１
   Ｂ_１＜Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０であり、かつＢ_２＜Ｔ×ｒ≦０．１０λ_０であり、
   上記式１におけるＡ_１、Ｂ_１、Ｃ_１、Ａ_２、Ｂ_２及びＣ_２が、Ｘを用いた下記式２〜式８により表される、弾性波装置。
   Ａ_１＝０．０５６×１０^{−４．９３×Ｘ}＋０．００１６…式２
   Ｂ_１＝−０．０８８×Ｘ^２＋０．０６６×Ｘ＋０．０３８６ （０．０５≦Ｘ≦０．３７５）…式３
   Ｂ_１＝０．０５１ （０．３７５≦Ｘ≦０．６５）…式４
   Ｃ_１＝０．７１４×１０^{−５．２６×Ｘ}＋２９．３７…式５
   Ａ_２＝０．０９８７×Ｘ^２−０．０９１８×Ｘ＋０．０６４４…式６
   Ｂ_２＝−０．０６５１×Ｘ^２＋０．１１１４×Ｘ＋０．０３５１…式７
   Ｃ_２＝０．７８３０×Ｘ^２−１．７４２４×Ｘ＋３２．７０…式８
2. ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられており、かつ第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極を含む複数のＩＤＴ電極と、
   前記複数のＩＤＴ電極を覆うように、前記圧電基板上に設けられている誘電体膜と、
   を備え、
   前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極が主電極層を有し、
   前記第１のＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλ_１、前記第２のＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλ_２、前記波長λ_１及び前記波長λ_２の平均値をλ_０＝（λ_１＋λ_２）／２とし、λ_１／λ_０＝１＋Ｘであり、かつλ_２／λ_０＝１−Ｘとしたときに、０．０５≦Ｘ≦０．６５であり、
   前記複数のＩＤＴ電極のうち前記第１のＩＤＴ電極の前記波長λ_１が最も長く、かつ前記第２のＩＤＴ電極の前記波長λ_２が最も短く、
   前記第１のＩＤＴ電極の前記主電極層及び前記第２のＩＤＴ電極の前記主電極層のうち少なくとも一方の膜厚を前記平均値λ_０で規格化した膜厚をＴ、前記主電極層の材料とＰｔとの密度比をｒとしたときに、前記圧電基板のオイラー角（φ，θ，ψ）におけるφが０°±５°であり、ψが０°±１０°であり、θが下記式１を満たし、
   −Ａ_１／（Ｔ×ｒ−Ｂ_１）＋Ｃ_１≦θ≦−Ａ_２／（Ｔ×ｒ−Ｂ_２）＋Ｃ_２…式１
   Ｂ_１＜Ｔ×ｒ≦０．１２λ_０であり、かつＢ_２＜Ｔ×ｒ≦０．１２λ_０であり、
   上記式１におけるＡ_１、Ｂ_１、Ｃ_１、Ａ_２、Ｂ_２及びＣ_２が、Ｘを用いた下記式２〜式８により表される、弾性波装置。
   Ａ_１＝０．０５６×１０^{−４．９３×Ｘ}＋０．００１６…式２
   Ｂ_１＝−０．０８８×Ｘ^２＋０．０６６×Ｘ＋０．０３８６ （０．０５≦Ｘ≦０．３７５）…式３
   Ｂ_１＝０．０５１ （０．３７５≦Ｘ≦０．６５）…式４
   Ｃ_１＝０．７１４×１０^{−５．２６×Ｘ}＋２９．３７…式５
   Ａ_２＝０．０９８７×Ｘ^２−０．０９１８×Ｘ＋０．０６４４…式６
   Ｂ_２＝−０．０６５１×Ｘ^２＋０．１１１４×Ｘ＋０．０３５１…式７
   Ｃ_２＝０．７８３０×Ｘ^２−１．７４２４×Ｘ＋３２．７０…式８
3. 前記第１のＩＤＴ電極の前記主電極層及び前記第２のＩＤＴ電極の前記主電極層の膜厚及び材料が実質的に同じであり、
   前記誘電体膜における前記第１のＩＤＴ電極上に設けられた部分の膜厚及び前記第２のＩＤＴ電極上に設けられた部分の膜厚が実質的に同じである、請求項１または２に記載の弾性波装置。
4. 前記誘電体膜が酸化ケイ素を主成分とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
5. 前記圧電基板において、通過帯域が異なる通信バンドに属する複数の帯域通過型フィルタが構成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
6. 前記圧電基板上に、アンテナに接続されるアンテナ端子が設けられており、
   前記アンテナ端子に前記複数の帯域通過型フィルタが共通接続されており、複合フィルタが構成されている、請求項５に記載の弾性波装置。
7. 前記複数の帯域通過型フィルタは共通接続されていない、請求項５に記載の弾性波装置。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
   パワーアンプと、
   を備える、高周波フロントエンド回路。
9. 請求項８に記載の高周波フロントエンド回路と、
   ＲＦ信号処理回路と、
   を備える、通信装置。

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