JP2014130925A - リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リードフレーム10は、半導体素子21が搭載されるダイパッド11と、ダイパッド11の周囲に設けられたリード部12とを備えている。ダイパッド11またはリード部12のうち所定位置に、電気接続領域15が設けられ、当該電気接続領域15上に、インクジェット法を用いてAgナノペーストを塗布および焼成することにより形成されたAg形成部16が設けられている。Ag形成部16は、平面略楕円形状を有し、電気接続領域15上であってAg形成部16の周縁外側に、Ag形成部16に覆われない露出部19が形成されている。
【選択図】図1
Description
まず、図1乃至図3により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図1乃至図3は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
次に、図4および図5により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図4および図5は、本実施の形態による半導体装置(QFNタイプ)を示す図である。
次に、図1乃至図3に示すリードフレーム10の製造方法について、図6(a)−(f)および図7を用いて説明する。
上記においては、金属基板31をエッチング加工することにより、ダイパッド11およびリード部12を形成した後、リード部12の電気接続領域15上にインクジェット法を用いてAg形成部16を形成する場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限られるものではない。以下に説明するように、まず金属基板31のうち電気接続領域15に対応する領域15aにインクジェット法を用いてAg形成部16を形成し、その後、金属基板31をエッチング加工することにより、ダイパッド11およびリード部12を形成しても良い。
次に、図4および図5に示す半導体装置20の製造方法について、図9(a)−(e)を用いて説明する。
次に、図10および図11を参照して本発明の変形例について説明する。図10は、本発明の一変形例を示す平面図であり、図11は、図10の部分拡大平面図である。図10および図11に示す形態は、Ag形成部16がダイパッド11に設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した実施の形態と略同一である。図10および図11において、図1乃至図9に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
11 ダイパッド
12 リード部
13 外枠
14 吊りリード
15、15A 電気接続領域
16 Ag形成部
17 アウターリード部
19 露出部
20、20A 半導体装置
21 半導体素子
22 ボンディングワイヤ
23 封止樹脂
24 接着剤
Claims (10)
- リードフレームにおいて、
半導体素子が搭載されるダイパッドと、
ダイパッド周囲に設けられたリード部とを備え、
ダイパッドまたはリード部のうち所定位置に、電気接続領域が設けられ、
当該電気接続領域上に、インクジェット法を用いてAgナノペーストが塗布されるとともに焼成されることにより、Ag形成部が形成され、
Ag形成部は、平面略楕円形状を有し、
電気接続領域上であってAg形成部の周縁外側に、Ag形成部に覆われない露出部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。 - 電気接続領域は、リード部のうちダイパッド側に位置する内側端部に設けられていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
- Agナノペーストは、3nm〜100nmの径を有するAgのナノ粒子を含むことを特徴とする請求項1又は2記載のリードフレーム。
- 半導体装置において、
ダイパッドと、
ダイパッド周囲に設けられたリード部と、
ダイパッド上に搭載された半導体素子とを備え、
ダイパッドまたはリード部のうち所定位置に、電気接続領域が設けられ、
半導体素子と電気接続領域とが接続部により電気的に接続され、
ダイパッドと、リード部と、半導体素子と、接続部とが封止樹脂により封止され、
電気接続領域上に、インクジェット法を用いてAgナノペーストが塗布されるとともに焼成されることにより、Ag形成部が形成され、
Ag形成部は、平面略楕円形状を有し、
電気接続領域上であってAg形成部の周縁外側に、Ag形成部に覆われない露出部が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 電気接続領域は、リード部のうちダイパッド側に位置する内側端部に設けられていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
- Agナノペーストは、3nm〜100nmの径を有するAgのナノ粒子を含むことを特徴とする請求項4又は5記載の半導体装置。
- 半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを備えたリードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
金属基板をエッチング加工することにより、金属基板にダイパッドおよびリード部を形成するとともに、ダイパッドまたはリード部のうち所定位置に電気接続領域を形成する工程と、
電気接続領域上に、インクジェット法を用いてAgナノペーストを塗布するとともに焼成することにより、平面略楕円形状のAg形成部を形成する工程とを備え、
Ag形成部を形成する際、電気接続領域上であってAg形成部の周縁外側に、Ag形成部に覆われない露出部が形成されることを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを備えたリードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
金属基板のうち、ダイパッドまたはリード部の電気接続領域に対応する領域に、インクジェット法を用いてAgナノペーストを塗布するとともに焼成することにより、平面略楕円形状のAg形成部を形成する工程と、
金属基板をエッチング加工することにより、金属基板にダイパッドおよびリード部を形成する工程とを備え、
Ag形成部を形成する際、電気接続領域に対応する領域であってAg形成部の周縁外側に、Ag形成部に覆われない露出部が形成されることを特徴とするリードフレームの製造方法。 - Ag形成部を形成する際、Agナノペーストは、ホットプレート、オーブン、プラズマ装置、またはレーザー照射装置で焼成されることを特徴とする請求項7又は8記載のリードフレームの製造方法。
- 半導体装置の製造方法において、
請求項7乃至9のいずれか一項記載のリードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、
リードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
半導体素子とリードフレームの電気接続領域とを接続部により電気的に接続する工程と、
ダイパッドと、リード部と、半導体素子と、接続部とを封止樹脂により封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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