JPH03177059A - 部分メッキ付リードフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の目的 〔産業上の利用分野〕 本発明は、部分メッキ付リードフレームの製造方法に関
するものであり、特にリードフレームへのフレームパタ
ーンの形成と、金または銀の部分メッキ処理とを一連の
工程中で行なえるとともに、部分メッキが所定箇所への
み高精度に行えるようにしたものである。

〔従来の技術〕

リードフレームは、トランジスタ・ＩＣチップ等をボン
ディングするために、ダイパッド（アイランドとも言う
）や外部接続用の多数のリードピン（以下単にピンとい
う）等からなる微細なフレームパターンを有する。該フ
レームパターン中で、ボンディングのための所定箇所に
は、金または銀の部分メッキが施されている。

この部分メッキ付リードフレームの製造は、従来一般に
、リードフレーム素材（例えば４２−Ａ１１０ＹやＣｕ
−Ａｌ　ＩＯＹ材）に、まず所定形状のフレームパター
ンを形成し、該フレームパターンの所定箇所に部分メッ
キを施すことが行われている。

上記製造工程のうち、まず、リードフレーム素材へのフ
レームパターン形成手段としては、多量生産用としてプ
レスによる打抜き加工法が広く行われてきた。しかし近
時は、トランジスタ・ＩＣチップ等の超高密度化でリー
ドフレームも多ビン化・微細化が要求され、かつ比較的
少量で多品種の生産が必要となっている。そこで、多ビ
ン化・微細化とコストダウンを日持して、写真技術を応
用してパターンを形成するフォトエツチング法が行われ
ている。

他面、所定箇所への部分メッキ手段としては、メッキ必
要箇所だけ開口の弾性材製シール材を、リードフームヘ
機械的に押圧してメッキ処理を行うものく例えば特公昭
５７−１５６７５号公報参照）や、メッキ必要箇所だけ
開口させた打抜きフィルムを、リードフレームにラミネ
ートさせてメッキ処理するもの、あるいはフォトレジス
トイクを、リードフレームの部分メッキネ要箇所に布し
てメッキ処理するもの（例えば特開昭５７７９１９４号
公報参照）等があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記の従来手段による部分メッキ付ｊ−ドフレ
ームの製造には、次の問題点があった。

イ）マス、リードフレーム素材へのフレームパターン形
成に関しては、プレス法では勿論のこｌフォトエツチン
グ法でも、部分メッキ処理とは多質のものであるからと
して、別個の分離した工ねで行われていた。そ、のため
、部分メッキ付リードフレームの製造が、連続処理でき
る一連のものとはならず、したがって各処理・検査・管
理等が非能率的であり、かつコストアップにもつながっ
ていた。

口）他面、メッキ必要箇所への部分メッキ処理に関して
、まず弾性材製シール材を用いるものは第５４図で示す
如く特にビン００）側面とシール材との間隙への液漏れ
があり、そこに置換メッキａｊが析出することが多かっ
た。これは、ビンの厚みが厚い程、表裏からのシール材
がビン間ニ入すｊｌいので液漏れも多かった。このＮ換
メッキＯｊの被膜は剥がれ易いため、多ビン化、微細化
テヒッ間力。

狭いと隣接のビンに接触してリークの原因となった。ま
た多ビン化・微細化でビン長も短くなり、置換メッキ被
膜がパッケージ外まではみ出して、パッケージ封止の効
果を損なうこともあった。

次に打抜きフィルムでメッキネ要箇所を被覆するものは
、フィルムが高価でコスト高になった。

さらに、フォトレジストを用いるものは、塗布時のレジ
ストインクが垂れ膜厚が不均一になったり、各ビンの角
部で膜厚が薄くなったりして、レジスト効果が維持でき
ず部分メッキネ要箇所にもメッキが付着することがあっ
た。

本発明は、従来の部分メッキ付リードフレームの製造方
法がもつ上記問題点の解決を課題とするものである。

本発明の第１の目的は、リードフレームへのフレームパ
ターン形成と部分メッキ処理の両工程を、相互に関連づ
けることにより、部分メッキ付リードフレームの製造工
程を地続処理可能な一連のものとして、各処理工程・検
査・管理等が能率的に行えるようにし、かつコストダウ
ンを図ることにある。

第２の目的は、トランジスタ・１ｃ等の高密度化で要求
されるリードフレームの多ビン化・微細化に対応して、
メッキ必要箇所へのみ高精度に部分メッキを行えるよう
にし、これにより、従来の置換メッキ等による品質の低
下が防止できる高品質な部分メッキ付リードフレームを
製造しようとするものである。

発明の構成 〔課題を解決するための手段Ｊ １　本発明に係る部分メッキ付リードフレームの製造方
法の内、第１の製造方法は、 リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッキ（２
）を施しく第２図参照）、 次に、表面の部分メッキ必要箇所（３）とその周辺部（
８）りけが露出すべくシールして、露出箇所に金または
銀の部分メッキ（４）を施しく第３図・第９図参照）、 次に、表裏の全面にフレームパターン形成用のフォトレ
ジスト膜（５ａ）を形成しく第４図・第１０図参照）、 次に、表裏両面からフレームパターン形成用（７）露光
をして現像しく第５参照）、 次に、先の部分メツ、キ（４）の中で、部分メッキネ要
箇所（６）へ付着のメッキを剥離させ（第６図参照）次
に、パターンエツチングしてフレームパターンを形成し
く第７図・第１１図・第９図参照）、次に、残ったフォ
トレジストＭ（５ａ）を剥離するとともに、露出した銅
メッキ（２）を剥離するようにして、部分メッキ付リー
ドフレームを製造するものである（第８図・第１２図参
照）。

■　本発明に係る部分メッキ付リードフレームの製造方
法の内、第２の製造方法は、 リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッキ（２
）を施しく第１４図参照）、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用の１回目
のフォトレジスト膜（５ｂ）を形成しく第１５図・第２
４図参照）、 次に、表面に部分メッキ必要箇所形成用の１回目の露光
をし現像して、部分メッキ必要箇所（３）を露出させ（
第１６図参照）、 次に、上記部分メッキ必要箇所（３）に、金または銀の
部分メッキ（４）を施しく第１７図・第２３図参照）、 次に、上記フォトレジスト膜（５ｂ）を剥離した後（第
１８図参照）、表裏の全面にフレームパターン形成用の
２回目のフォトレジス）　Ｍ　（５ａ）を形成しく第１
９図参照）、 次に、エツチングで予想されるオーバーハング分だけ寸
法補正したフレームパターン形成用のマスクにて、表裏
両面に２回目の露光をして現像しく第２０図参照）、 次に、パターンエツチングしてフレームパターンを形成
しく第２１図・第２５図・第２３図参照）次に、上記２
回目のフォトレジストＩＭ（５ａ）を剥離するとともに
、露出した綱メッキ（２）を！ｌ離するようにして、部
分メッキ付リードフレームを製造するものである（第２
２図・第２６図参照）。

■　本発明に係る部分メッキ付リードフレームの製造方
法の内、第３の製造方法は、 リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッキ（２
）を施しく第２８図参照）、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用蓋フレー
ムパターン形成用のポジ型のフォトレジスト膜（５）を
形成しく第２９図・第３６図参照）、次に、表面に部分
メッキ必要箇所形成用のマスクで１回目の露光をし現像
して、部分メンキ必要箇所（３）を露出させ（第３０図
参照）、次に、上記部分メッキ必要箇所（３）に、金ま
たは銀の部分メッキ（４）を施しく第３１図・第３５図
参照）、 次に、エツチングで予想されるオーパーツ＼ング分だけ
寸法補正したフレームパターン形成用のマスクにて、表
裏両面に２回目の露光をして現像しく３２図参照）、 次に、パターンエツチングしてフレームパターンを形成
しく第３３図・第３７図・第３５図参照）次に、残った
フォトレジスト膜（５）を剥離するとともに、露出した
銅メッキ（２）を剥離するようにしして、部分メッキ付
リードフレームを製造するものである（第３４図・第３
８図参照）。

■　本発明に係る部分メッキ付リードフレームの製造方
法の内、第４の製造方法は、 リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッキ（２
）を施しく第４０図参照）、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用筆フレー
ムパターン形成用のフォトレジスト膜（５）を形成しく
第４１図・第４９図参照）、次に、フレームパターン形
成用と部分メッキ必要箇所形成用の露光をし現像して、
フレームパターン用部（７）と、表面の部分メッキ必要
箇所（３）が露出したその周辺部（８）とに、フォトレ
ジスト膜（５）を残しく第４２図・第４８図参照）、 次に、部分メッキ必要箇所（３）とその周辺部（８）を
除きシールして（第４３図参照）、部分メッキ必要箇所
（３）に金または銀の部分メッキ（４）を施しく第４４
図・第４８図参照）、 次に、上記シール状態で、部分メッキ必要箇所（３）の
周辺部（８）の部分メッキ必要箇所形成用のフオトレジ
ス）Ｍ（５）を剥離しく第４５図参照）、次に、シール
を解きパターンエツチングしてフレームパターンを形成
しく第４６図・第５０図・第４８図参照）、 次に、残ったフレームパターン形成用のフォトレジスト
膜（５）を剥離するとともに、露出した銅メッキ（２）
を剥離して、部分メッキ付リードフレームを製造するも
のである（第４７図・第５１図参照）上記第１・第２・
第３・第４の各製造方法において、リードフレームの部
分メッキ必要箇所（３）とは、ＩＣチップ等をワイヤボ
ンデインクする場合は、グイパッド用部（９）とビンａ
ωのポンディングパッド用部αυとの両方をいう、しか
しボンディングを例えば導電性の接着剤で行う場合は、
ピンＯＩのポンディングパッド用部αυだけが、部分メ
ッキ必要箇所（３）となる。

フォトレジスト＃　（５）　（５ａ）　（５ｂ）は、上
記第１・第２・第４の製造方法ではポジ型でもネガ型で
もよいが、第３の製造方法では感光した部分が現像で溶
解するポジ型のものに限る。

〔作　　用〕

上記本発明に係る第１・第２・第３・第４の部分メッキ
付リードフレームの製造方法では、いずれもリードフレ
ーム素材（１）の部分メッキ必要箇所（３）に金または
銀の部分メッキ（４）を施してから、フレームパターン
のパターンエツチングが行われる。

そのため、部分メッキ工程の段階で、仮に部分メッキ必
要箇所（３）以外の箇所、即ち部分メッキネ要箇所（６
）にメッキが付着しても、後のパターンエツチング工程
の段階でその箇所は除去されるので、メッキは残らない
。部分メッキ必要箇所（３）にだけ高精度に部分メッキ
されたリードフレームが得られる。

また、リードフレーム素材（１）への部分メッキ工程と
フレームパターン形成工程とは、別個独立したものでは
なく一連の処理工程として連続的に行われる。そのため
、部分メッキ付リードフレームの製造で、各処理・検査
・管理等の工程は簡略化されている。

特に、上記第１の製造方法では、リードフレーム素材（
１）の部分メッキ必要箇所（３）に施す部分メッキ（４
）は、さほど高精度に行なう必要がない。なぜなら、部
分メッキネ要箇所（６）に付着したメッキは、後の部分
メッキ剥離工程で除去されるし、かつ上記の如くパター
ンエツチング工程でその箇所が除去されるからである。

また上記第２の製造方法では、部分メッキ必要箇所形成
用の１回目のフォトレジスト膜（５ｂ）と別に、フレー
ムパターン形成用の２回目のフォトレジスト膜（５ａ）
を形成しく第１９図参照）、露光・現像している。その
ため、パターンエツチングで予測されるオーバーハング
分だけ寸法補正したマスクを用いて露光し現像すること
により（第２０図参照）、エツチング時のオーバーハン
グによる問題が防止される（第２１図・第２２図参照）
。

なお、この第２の製造方法で部分メッキネ要箇所（６）
に付着したメッキは、上記の如くその箇所が後のパター
ンエツチングで除去されるため、不要メッキを剥離する
ための工程は省略される。

上記第３の製造方法では、フォトレジスト膜（５）を部
分メッキ必要箇所形成用兼フレームパターン形成用とし
てポジ型のものを用いている。そのため、１回のフォト
レジスト膜（５）を形成するだけで、部分メッキ必要箇
所形成用の露光・現像（第３０図参照）と、フレームパ
ターン形成用の露光・現像（第３２図参照）の両方を行
えるので、部分メッキ付リードフレームの製造工程が簡
素化される。

なお、この第３の製造方法でも、上記第２の製造方法と
同様に、２回目のフレームパターン形成用の露光時に、
パターンエツチングで予測されるオーバーハング分だけ
寸法補正したマスクで露光し現像することで（第３２図
参照）、エツチング時のオーバーハングによる問題が防
止される（第３３図・第３４図参照）。

また、部分メッキネ要箇所（６）に付着したメッキは、
上記第２の製造方法と同様にその箇所がパターンエツチ
ングで除去されるので、不要メッキを剥離する工程は必
要ない。

上記第４の製造方法では、部分メッキ必要箇所形成とフ
レームパターン形成とを、１回のフォトレジスト膜（５
）の形成と１回の露光・現像で行えるようになっている
。そのため、部分メッキ付リードフレームの製造工程が
、大幅にｆｉＪ素化される。

なおこの第４の製造方法でも、上記第２の製造方法と同
様に、部分メッキネ要箇所（６）に付着したメッキは、
後のパターンエツチングでその箇所が除去されるため、
不要メッキを剥離する工程は省略される。

〔実　施　例〕

上記の各製造方法での部分メッキ必要箇所（３）は、後
でＩＣチップ等をワイヤボンディングする場合は、ダイ
パッド用部（９）とビンα呻のボンディングパッド周部
αＤとであり、図示例ではこの両者（９）　Ｑｌ）に金
または銀の部分メッキ（４）を施している。しかしＩＣ
チップ等を導電性をもつ接着剤でボンディングする場合
は、ダイパッド用部（９）だけに部分メッキすればよい
。

フォトレジスト膜（５）　（５ａ）　（５ｂ）の形成は
、フォトレジストインクを塗布・硬化させて行えばよい
が、それに限らずドライフィイルムを貼付してもよい。

またフォトレジストＷ４　（５）、　（５ａ）　（５ｂ
）は、上記第３の製造方法ではポジ型を用いるが、第１
・第２・第４の製造方法では、露光時のマスクとの関係
でネガ型・ポジ型のいずれを使用してもよい。

上記第１・第４の製造方法で、部分メッキ必要箇所（３
）に部分メッキを施す際のシールは、弾性材製シール板
（２）の機械的押圧でよい。しかし打抜きフィルムをラ
ミネートさせてもよい。

なお、第１・第４の製造方法の如く、フレームパターン
の寸法補正をマスクで行えない場合は、エツチングノズ
ルやエツチング液の流速等の調節で、オーバーハングの
防止を図ればよい。

発明の効果 以上で明らかな如く、本発明に係る部分メッキ付リード
フレームの製造方法は、次の効果を奏する。

ｉ）部分メッキ付リードフレームの製造工程を一連のも
のにでき、各処理・検査・管理等の作業を能率的に行え
るとともに、コストダウンを図ることができる。

即ち、従来のリードフレームのパターン形成工程は、プ
レス法では勿論のことフォトエツチング法でも、部分メ
ッキ工程とは処理内容が異質のものとして、別個に分離
して行われていた。そのため、部分メッキ付リードフレ
ームの製造工程を、一連のものとして連続処理出来ず、
各処理・検査・管理等が非能率的でロスも多く、またコ
ストアップにつながっていた。

これに対して本発明の部分メッキ付リードフレームの製
造方法はいずれも、上記の如くフレームパターン形成工
程と部分メッキ工程とを相互に関連づけており、連続し
た一連の処理工程中で行うことができる。そのため、部
分メッキ付リードフレームの製造で、各処理・検査・管
理等を能率的に行うことができ、かつコストダウンを図
ることができることになる。

ｉｉ）リードフレームへの部分メッキを、メッキ必要箇
所へだけ高精度に行うことができ、かつ置換メッキ等が
原因の不良品の発生を防止できる。

即ち、従来の製造方法による部分メッキ付リードフレー
ムは、弾性材製シール材を押圧させる方法では、シール
が不完全なためメッキ液漏れによる置換メッキが析出す
ることが多く、特に微細化・多ビン化したリードフレー
ムでは、リークやパフケージ封止を損なう原因となって
いた。またフォトレジストでシールする方法では、微細
化・多ピン化したリードフレームでは、レジスト膜厚が
不均一になりレジスト効果を発揮できず、部分メッキネ
要箇所にもメッキが付着した。

これに対して本発明の部分メッキ付リードフレームの製
造方法はいずれも、リードフレーム素材のメッキ必要箇
所に部分メッキを施してから、フレームパターンをエツ
チング形成するようにしである。そのため、仮にメッキ
ネ要箇所にメッキが付着しても、後のパターンエツチン
グの段階でその箇所を不要メッキとともに除去できる。

それゆえ、部分メッキ必要箇所にだけ高精度にメッキさ
れたリードフレームを製造することができる。

ｉｉｉ　）本発明の部分メッキ付リードフレームの製造
方法のうち、特に上記第１の製造方法では、後の剥離処
理やパターンエツチングにより、メッキネ要箇所のメッ
キを除去する。そのため、部分メッキ必要箇所へのメッ
キをさほど高精度に行わずとも、高精度な部分メッキ付
リードフレームを製造できる。

ｉｖ　）また特に上記第２の製造方法では、パターンエ
ツチングによるオーバーハングを補正できる。

即ち、部分メッキ必要箇所の形成とは別に、フレームパ
ターン形成用として２回目のフォトレジスト膜を形成し
、露光・現像する。そのため、予測されるオーバーハン
グ分だけ寸法補正したマスクにより露光することによっ
て、エツチング時のオーバーハングを補正でき、寸法相
反が優れた部分メッキ付リードフレームを製造できる。

しかも、メッキネ要箇所に付着したメッキは、その付着
箇所がパターンエツチングで除去されるので、不要メッ
キを剥離する工程を省略できる。

ｖ）また特に上記第３の製造方法では、部分メッキ必要
箇所形成用の露光・現像と、フレームパターン形成用の
露光・現像を行うが、フォトレジスＨｆＱの形成は両者
を共通させて、単にポジ型のものを１回形成するだけで
よいようにしである。

そのため、部分メッキ付リードフレームの製造工程を簡
素化できる。

しかも、上記第２の製造方法と同様にしてオーバーハン
グを補正できるし、不要メッキ剥離工程を省略すること
ができる。

ｖｉ）また特に第４の製造方法では、メッキ必要箇所の
形成とフレームパターンの形成とを、１回のフォトレジ
ス）ＪＩ９の形成と１回の露光・現像で行うことができ
るようにしである。そのため、部分メッキ付リードフレ
ームの製造工程を大幅に簡略化できる。

しかも、上記第２の製造方法と同様に、メッキ必要箇所
に付着したメッキは、その付着箇所がパターンエツチン
グで除去されるので、不要メッキの剥離工程を省略でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図・第２図・第３図・第４図・第５図・第６図・第
７図・第８図は、本発明に係る第１の製造方法の実施例
を工程順に示すリードフレームの一部拡大縦断面図で、
第９図は部分メッキ状態を示す一部拡大平面図、第１０
図は第４図のＡ−Ａ断面図、第１１図は第７図のＢ−Ｂ
断面図、第１２図は第８図のＣ−Ｃ断面図であり、第１
３図・第１４図・第１５図・第１６図・第１７図・第１
８図・第１９図・第２０図・第２１図・第２２図は、本
発明に係る第２の製造方法の実施例を工程順に示すリー
ドフレームの一部拡大縦断面図で、第２３図は部分メッ
キ状態を示す一部拡大平面図、第２４図は第１５図のＤ
−Ｄ断面図、第２５図は第２１図のＥ−Ｃ断面図、第２
６図は第２２図のＦ−Ｆ断面図であり、２７図・第２８
図・第２９図・第３０図・第３１図・第３２図・第３３
図・第３４図は、本発明に係る第３の製造方法の実施例
を工程順に示すリードフレームの一部拡大縦断面図で、
第３５図は部分メッキ状態を示す一部拡大平面図、第３
６図は第２９図のＧ−Ｃ断面図、第３７図は第３３図の
Ｈ−Ｈ断面図、第３８図は第３４図のｒ−ｒｌｆｒ面図
であり、第３９図・第４０図・第４１図・第４２図・第
４３図・第４４図・第４５図・第４６図・第４７図は、
本発明に係る第４の製造方法の実施例を工程順に示すリ
ードフレームの一部拡大縦断面図で、第４８図は部分メ
ッキ状態を示す一部拡大平面図、第４９図は第４１図の
Ｊ−Ｊ線断面図、第５０は第４６図のＫＫ断面図、第５
１図は第４７図のＬ−Ｌ断面図であり、第５２図は本発
明に係る製造方法により製造した部分メッキ付リードフ
レームの一例を示す一部拡大斜視図、第５３図は本発明
に係る製造方法により製造した部分メッキ付リードフレ
ームのビンの一例を示す一部拡大斜視図、第５４図は従
来の製造方法により製造した部分メッキ付リードフレー
ムのピンの一例を示す一部拡大斜視図である。 図面符号 （１）−リードフレーム素材 （２）−銅メッキ （３）一部分メッキ必要箇所 （４）一部分メッキ （５）−フォトレジスト膜 （５ａ）−フォトレジスト膜 （５ｂ）−フォトレジスト膜 （６）一部分メッキ不要箇所 （７）−フレームパターン用部 （８）−周辺部 （９）−ダイパッド周部 α呻−ビン 卸−ボンディングパッド用部 （２）−シール材 Ｏｊ−置換メッキ 第 １ 図 第 図 図面符号 （１）−リードフレーム素材 （２）−銅メッキ （３）一部分メッキ必要箇所 （４１一部分メッキ （５）−フォトレジスト膜 （５ａ）−フォトレジスト膜 （５ｂ〉−）ｔトレジスト請 （６）一部分メッキ不要箇所 （７）−フレームパターン用部 （８）−周辺部 （９）−ダイパッド用部 ＱＧ−ビン ０１１−ポンディングパッド用部 （２）−シール材 ａｉ−ｗ＠メッキ 図面符号 ｆｉ＋−リードフレーム素材 伐）−綱メンキ （３）一部分メッキ必要箇所 ｆ４１一部分メッキ （５）−フォトレジスト族 （５ａ）−フォトレジスト族 （５ｂ）−フォトレジスト族 ｆ６１−９分メッキネ要箇所 （７）−フレームパターン用部 （８）−周辺部 （９）−ダイパッド用部 ０の一ビン ＯＤ−ポンディングパッド用部 Ｏ−シール材 −一置換メッキ 第１０図 図面符号 （１）−リードフレーム素材 （２）−銅メッキ Ｏ）一部分メッキ必要筐所 １４１一部分メッキ （５）−フォトレジスト膜 （５ａ）−７オトレジスト膜 （５ｂ）−フォトレジスト膜 （６）一部分メッキ不要賢所 （７）−フレームパターン用部 （８）−周辺部 （９）−ダイパッド用部 （ＩＩ−ビン 仙−ボンディングバッド周部 Ｏ−シール材 ６−置換メッキ 第１３図 図面符号 ＋１１−リードフレーム素材 （２）−銅メッキ （３）一部分メッキ必要箇所 （４）一部分メッキ （５）−フォトレジスト膜 （５ａ）−フォトレジスト膜 （５ｂ）−フォトレジスト膜 （６）一部分メッキ不要箇所 （ｎ−フレームパターン用部 （８）−周辺部 （９）−ダイパッド用部 Ｑｌ−ビン ６１１−ポンディングパッド用部 ＠−シール材 ａｉ−置換メッキ 図面符号 ＋１１−リードフレーム素材 （２）−銅メッキ （３）一部分メッキ必要箇所 （４）一部分メッキ （５）−フォトレジスト護 （５ａ）−フォトレジスト請 （５ｂ）−フォトレジスト護 ｆｉ＋一部分メッキ不要箇所 （ｎ−フレームパターン用部 （８）−周辺部 （９）−ダイパッド用部 ０トビン 仰−ボンディングパッド用部 ＠−ンール材 ａｊ−置換メッキ 第２４図 図面符号 ＋１１−リードフレーム素材 （２）−銅メッキ （お一部分メッキ必要１所 （４）一部分メッキ ＋５１−フォトレジスト護 （５ａ）−フォトレジスト護 （５ｂ）−フォトレジスト護 （６）一部分メッキ不要冒所 （カーフレームパターン用部 （８）−周辺部 （９１−ダイパッド用部 ａ＠−ビン 卸−ボンディングノでフド周部 Ｏ−シール材 ｄ−１！ｔｌｉメッキ 第２７図 ε 第３０図 図面符号 １１１−！Ｊ−ドフレーム素材 （２）−銅メッキ （３）一部分メッキ４Ａ要箇所 （４）一部分メッキ （５）−フォトレノスト膜 （５ａ）−フォトレジスト族 （５ｂ〉−）ｔトレジスト腹 （６）一部分メッキ不要箇所 ｍ−フレームパターン用部 （８）−周辺部 （９）−ダイバンド用部 ０・−ピン 卸−ボンデイ Ｏ−シール材 ０ラーＷＩＦ＃メッキ ングバフド周部 図面符号 ＋１１−リードフレーム素材 伐）−銅メッキ ＋３１一部分メッキ必要箇所 （４）一部分メッキ （５）−７オトレジスト股 （５ａ）−フォトレジスト膜 （５ｂ）−フォトレジスト族 （６）一部分メッキ不要箇所 （カーフレームパターン用部 （８）−周辺部 （９）−ダイバンド用部 ａω−ビン 卸−ボンディングバッド周部 ＠−シール材 ａｉ　−ｗｔ換メフキ 第３６図 第３７図 図面符号 １１１−リードフレーム素材 伐）−銅メッキ ０）一部分メッキ必要篇所 （４）一部分メッキ ＋５ｌ−７ｔ）レノスト贋 （５ａ）−フォトレジスト贋 （５ｂ〉−）ｔトレジスト請 （６１一部分メッキ不要箇所 り刀−フレームパターン用部 ｔｇ＋−周辺部 （９）−ダイパッド用部 ａ■−ビン ａｌｌ−ポンディングパッド用部 一一シール材 ａｉ−置換メッキ 第３９図 第４０図 第４１図 図面符号 ＋１１−リードフレーム素材 伐）−銅メッキ （３）一部分メッキ必要箇所 （４）一部分メッキ （５）−フォトレジスト膜 （５ａ〉−フォトレジスト膜 （５ｂ）−フォトレジスト膜 （６）一部分メッキ不要箇所 （７）−フレームパターン用部 （劇−周辺部 （９）−ダイパッド用部 Ｏトビン ａＤ−ポンディングパッド用部 Ｏ−シール材 ａｌ−置換メッキ 第４４図 ！ 第４５図 ！ 第４６図 第４７図 図面符号 ｆｉ＋−リードフレーム素材 （２）−銅メッキ （３１一部分メッキ必要箇所 （４）一部分メッキ （５）−フォトレジスト類 （５ａ）−フォトレジスト膜 （５ｂ）−フォトレジスト族 （６）一部分メッキ不要箇所 （７）−フレームパターン用部 （８）−周辺部 （９）−ダイパッド用部 ０トビン ａｌｌ−ボンディングバッド周部 Ｏ−シール材 ａｉ　−２Ｉ換メフキ 第４９図 第５１ 図 Ｕ 図面符号 ＋１＋−リードフレーム素材 （２）−銅メッキ （」一部分メッキ必要ｉ所 （４）一部分メッキ （５）−７オトレジスト頼 （５ａ）−フォトレジスト類 （５ｂ）−７オトレジスト膜 （６）一部分メッキ不要西漸 １７１−フレームパターン用部 （８）−周辺部 （９）−ダイパッド用部 Ｑｌ−ビン ａＤ−ボンディングバッド周部 〇−ンール材 αｊ−置換メッキ 図面符号 ＋１１−リードフレーム素材 （２）−銅メッキ （３）一部分メッキ必要西漸 ＋４１−９分メッキ （５）−フォトレジスト膜 （５ａ）−フォトレジスト膜 （５ｂ）−フォトレジスト膜 （６）一部分メッキ不要箇所 １７１−フレームパターン用部 （８）−周辺部 （９）−ダイパッド用部 Ｏ・−ビン Ｏｎ−ポンディングパッド用部 Ｏ−シール材 αｉ−を換メッキ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッ
   キ（２）を施し、 次に、表面の部分メッキ必要箇所（３）とその周辺部（
   ８）だけが露出すべくシールして、露出箇所に金または
   銀の部分メッキ（４）を施し、 次に、表裏の全面にフレームパターン形成用のフォトレ
   ジスト膜（５ａ）を形成し、 次に、表裏両面からフレームパターン形成用の露光をし
   て現像し、 次に、先の部分メッキ（４）の中で、部分メッキ不要箇
   所（６）へ付着のメッキを剥離させ、 次に、パターンエッチングしてフレームパターンを形成
   し、 次に、残ったフォトレジスト膜（５ａ）を剥離するとと
   もに、露出した銅メッキ（２）を剥離するようにした、
   部分メッキ付リードフレームの製造方法。
2. （２）リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッ
   キ（２）を施し、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用の１回目
   のフォトレジスト膜（５ｂ）を形成し、次に、表面に部
   分メッキ必要箇所形成用の１回目の露光をし現像して、
   部分メッキ必要箇所（３）を露出させ、 次に、上記部分メッキ必要箇所（３）に、金または銀の
   部分メッキ（４）を施し、 次に、上記フォトレジスト膜（５ｂ）を剥離した後、表
   裏の全面にフレームパターン形成用の２回目のフォトレ
   ジスト膜（５ａ）を形成し、 次に、エッチングで予想されるオーバーハング分だけ寸
   法補正したフレームパターン形成用のマスクで、表裏両
   面に２回目の露光をして現像し、次に、パターンエッチ
   ングしてフレームパターンを形成し、 次に、上記２回目のフォトレジスト膜（５ａ）を剥離す
   るとともに、露出した銅メッキ（２）を剥離するように
   した、部分メッキ付リードフレームの製造方法。
3. （３）リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッ
   キ（２）を施し、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用兼フレー
   ムパターン形成用のポジ型のフォトレジスト膜（５）を
   形成し、 次に、表面に部分メッキ必要箇所形成用のマスクで１回
   目の露光をし現像して、部分メッキ必要箇所（３）を露
   出させ、 次に、上記部分メッキ必要箇所（３）に、金または銀の
   部分メッキ（４）を施し、 次に、エッチングで予想されるオーバーハング分だけ寸
   法補正したフレームパターン形成用のマスクで、表裏両
   面に２回目の露光をして現像し、次に、パターンエッチ
   ングしてフレームパターンを形成し、 次に、残ったフォトレジスト膜（５）を剥離するととも
   に、露出した銅メッキ（２）を剥離するようにした、部
   分メッキ付リードフレームの製造方法。
4. （４）リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッ
   キ（２）を施し、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用兼フレー
   ムパターン形成用のフォトレジスト膜（５）を形成し、 次に、フレームパターン形成用と部分メッキ必要箇所形
   成用の露光をし現像して、フレームパターン用部（７）
   と、表面の部分メッキ必要箇所（３）が露出したその周
   辺部（８）とに、フォトレジスト膜（５）を残し、 次に、部分メッキ必要箇所（３）とその周辺部（８）を
   除きシールして、部分メッキ必要箇所（３）に金または
   銀の部分メッキ（４）を施し、 次に、上記シール状態で、部分メッキ必要箇所（３）の
   周辺部（８）の部分メッキ必要箇所形成用のフォトレジ
   スト膜（５）を剥離し、 次に、シールを解きパターンエッチングしてフレームパ
   ターンを形成し、 次に、残ったフレームパターン形成用のフォトレジスト
   膜（５）を剥離するとともに、露出した銅メッキ（２）
   を剥離するようにした、部分メッキ付リードフレームの
   製造方法。