JP6056472B2 - リードフレームの製造方法、半導体装置の製造方法、リードフレーム、および半導体装置 - Google Patents
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Description
まず、図1および図2により、リードフレームの概略について説明する。図1および図2は、リードフレームを示す図である。
また、各Ag形成部16は、各電気接続領域15の全域に設けられていても良く、各電気接続領域15のうちの一部にのみ設けても良い。
次に、図3および図4により、半導体装置について説明する。図3および図4は、半導体装置(QFNタイプ)を示す概略断面図である。
次に、図1および図2に示すリードフレーム10の製造方法について、図5(a)−(e)、図6(a)−(d)、図7および図8を用いて説明する。
次に、図3および図4に示す半導体装置20の製造方法について、図9(a)−(e)を用いて説明する。
次に、図10および図11を参照して本発明の各種変形例について説明する。図10および図11は、本発明の各種変形例を示す図である。図10および図11に示す形態は、レジスト層35の構成が異なるものであり、他の構成は上述した実施の形態と略同一である。図10および図11において、図1乃至図9に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
11 ダイパッド
12 リード部
13 外枠
14 吊りリード
15 電気接続領域
16 Ag形成部
16a Agナノペースト
17 アウターリード部
19 銅ストライク層
20 半導体装置
21 半導体素子
22 ボンディングワイヤ
23 封止樹脂
24 接着剤
35 レジスト層
60 インクジェット装置
65、66 インクジェットヘッド
Claims (4)
- 半導体素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを備えたリードフレームの製造方法において、
銅合金製リードフレーム基材を準備する工程と、
リードフレーム基材をエッチング加工することにより、リードフレーム基材にダイパッドおよびリード部を形成するとともに、ダイパッドまたはリード部のうち所定位置に電気接続領域を形成する工程と、
リードフレーム基材の電気接続領域に純銅からなる銅ストライク層を形成する工程と、
電気接続領域上の銅ストライク層に、インクジェット法を用いてAgナノペーストを塗布する工程と、
銅ストライク層上のAgナノペーストを焼成することによりAg形成部を設ける工程とを備え、
電気接続領域上の銅ストライク層上にAgナノペーストを塗布する工程の前に、電気接続領域の周縁全周に沿ってAgナノペーストの流出を防止するレジスト層をインクジェット法を用いて形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 銅ストライク層は純銅を用いた部分銅めっきにより形成されることを特徴とする請求項1記載のリードフレームの製造方法。
- レジスト層は、Agナノペーストを焼成する前に除去されることを特徴とする請求項1記載のリードフレームの製造方法。
- 半導体装置の製造方法において、
請求項1乃至4のいずれか記載のリードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、
リードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
半導体素子とリードフレームのAg形成部とを接続部により電気的に接続する工程と、
ダイパッドと、リード部と、半導体素子と、接続部とを封止樹脂により封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2012288176A JP6056472B2 (ja) | 2012-12-28 | 2012-12-28 | リードフレームの製造方法、半導体装置の製造方法、リードフレーム、および半導体装置 |
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