JP2007157846A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂コート後の研磨が特に必要ではなく、しかも製造工程が比較的簡単で、場合によって半導体素子の下部には有効な電極端子を形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム材２３の表裏面に第１及び第２のレジスト膜２４、２５で表側及び裏側配線パターン２６、２７を形成して、これらの露出部分に耐エッチングめっき２０、２１処理を行う。裏面側の第２のレジスト膜２５を除去してハーフエッチングを行い、ハーフエッチングされた窪み部２９に樹脂１９を注入する。そして、リードフレーム材２３の表面側を耐エッチングめっき２０をレジスト膜としてエッチング処理を行って接合端子１４、１４ａ及びリード１７を備えたリードフレームベース１２を形成する。このリードフレームベース１２に半導体素子１３を搭載し、ワイヤーボンディングを行って、全体を樹脂封止する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＣＳＰ（チップサイズドパッケージ）の半導体装置の製造方法に係り、特に外部接続端子が封止樹脂の裏面側に突出した半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置の小型化の要請から、ポリイミド樹脂テープと半田ボールを用いたテープ−ＣＳＰ型の半導体装置や、ベースメタルを使用したＢＣＣ（バンプチップキャリア）型の半導体装置が知られている。しかしながら、テープ−ＣＳＰ型の半導体装置においては、ポリイミド樹脂テープが高価であり、軟質のためにストリップ搬送に適していないという問題がある。また、ＢＣＣ型の半導体装置においては、ベースメタルをエッチングによって除去すると固片になってしまうので、モールド面を粘着テープで固定する必要があり、コスト高となるという問題がある。
そこで、特許文献１及び特許文献２に記載のような半導体装置の製造方法が提案されており、一枚のリードフレーム材をエッチングして半導体チップに連結されるリード及び電極パッドを形成している。

特開２００１−２４１３５号公報 特開２００３−３０９２４２号公報

しかしながら、特許文献１によって製造された半導体装置は、電極端子上部にワイヤボンデングする配線の自由度が少ないので、電極端子の数が増えるとボンデンィグワイヤ（配線）が干渉し、回避が困難な場合があるという問題がある。また、半導体素子の下部に配置する電極端子に対しては、ワイヤボンディングができないという問題がある。
また、特許文献２には、１回目のエッチング処理後、一旦樹脂でハーフエッチングした部分を固定し、その後、実装面側をエッチングしているので、樹脂コート後、研磨が必要となり、手間と工数がかかるという問題がある。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、樹脂コート後の研磨が特に必要ではなく、しかも製造工程が比較的簡単で、場合によって半導体素子の下部には有効な電極端子を形成可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

前記目的に沿う第１の発明に係る半導体装置の製造方法は、裏面側に複数の端子パッドを有し、内部に半導体素子が樹脂封止された半導体装置の製造方法であって、
リードフレーム材の表裏面をそれぞれ第１及び第２のレジスト膜でコーティング処理を行った後、該第１及び第２のレジスト膜にそれぞれ露光処理及び現像処理を行い、該リードフレーム材の表面側に、前記半導体素子からのボンディングワイヤの接合端子及びこれに接合されるリードを露出させた表側配線パターンを、該リードフレーム材の裏面側に前記端子パッドを露出させた裏側配線パターンをそれぞれ形成する第１工程と、
前記第１及び第２のレジスト膜によって前記表側配線パターン及び前記裏側配線パターンが形成されたリードフレーム材の表裏露出部に耐エッチングめっき処理を行う第２工程と、
裏面側の前記第２のレジスト膜を除去して前記耐エッチングめっきをレジスト膜として前記リードフレーム材の裏面側のハーフエッチングを行う第３工程と、
表面側の前記第１のレジスト膜を除去すること、並びに前記第３工程で裏面側にハーフエッチングされた窪み部に樹脂を注入することを行う第４工程と、
前記リードフレーム材の表面側を前記耐エッチングめっきをレジスト膜としてエッチング処理を行って前記接合端子及び前記リードを備えたリードフレームベースを形成する第５工程と、
前記第５工程で形成されたリードフレームベースに前記半導体素子を搭載し、前記接合端子との間でワイヤーボンディングを行う第６工程と、
裏面に前記端子パッドを露出させた状態で、前記リードフレームベース、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤの樹脂封止を行う第７工程とを有する。

また、第２の発明に係る半導体装置の製造方法は、裏面側に複数の端子パッドを有し、内部に半導体素子が樹脂封止された半導体装置の製造方法であって、
リードフレーム材の表裏面をそれぞれ第１及び第２のレジスト膜でコーティング処理を行った後、該第１及び第２のレジスト膜にそれぞれ露光処理及び現像処理を行い、該リードフレーム材の表面側に、前記半導体素子からのボンディングワイヤの接合端子及びこれに接合されるリードを露出させた表側配線パターンを、該リードフレーム材の裏面側に前記端子パッドを露出させた裏側配線パターンをそれぞれ形成する第１工程と、
前記第１及び第２のレジスト膜によって前記表側配線パターン及び前記裏側配線パターンが形成されたリードフレーム材の表裏露出部に耐エッチングめっき処理を行う第２工程と、
表面側及び裏面側の前記第１、第２のレジスト膜を除去した後、表面側を更に第３のレジスト膜で被覆し、裏面側の前記耐エッチングめっきをレジスト膜として前記リードフレーム材の裏面側のハーフエッチングを行う第３工程と、
表面側の前記第３のレジスト膜を除去すること、並びに前記第３工程で裏面側にハーフエッチングされた窪み部に樹脂を注入することを行う第４工程と、
前記リードフレーム材の表面側を前記耐エッチングめっきをレジスト膜としてエッチング処理を行って前記接合端子及び前記リードを備えたリードフレームベースを形成する第５工程と、
前記第５工程で形成されたリードフレームベースに前記半導体素子を搭載し、前記接合端子との間でワイヤーボンディングを行う第６工程と、
裏面に前記端子パッドを露出させた状態で、前記リードフレームベース、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤの樹脂封止を行う第７工程とを有する。

また、第３の発明に係る半導体装置の製造方法は、裏面側に複数の端子パッドを有し、内部に半導体素子が樹脂封止された半導体装置の製造方法であって、
リードフレーム材の表裏面をそれぞれ第１及び第２のレジスト膜でコーティング処理を行った後、該第１及び第２のレジスト膜にそれぞれ露光処理及び現像処理を行い、該リードフレーム材の表面側に前記半導体素子からのボンディングワイヤの接合端子及びこれに接続されるリードを露出させた表側配線パターンを、該リードフレーム材の裏面側に前記端子パッドを隠す裏側配線パターンをそれぞれ形成する第１工程と、
前記リードフレーム材の前記第１のレジスト膜にマスクを被せてその全面（表側全面）を覆い、更にハーフエッチングして裏面側の前記端子パッドを除く部分を除去する第２工程と、
前記リードフレーム材の裏面側のハーフエッチング部分に樹脂を注入する第３工程と、
前記リードフレーム材の裏面側の第２のレジスト膜を剥離すると共に、表面側の前記マスクを除去して前記第１のレジスト膜によって形成された表側配線パターンを露出させた状態で、全面に耐エッチングめっき処理を行う第４工程と、
前記第１のレジスト膜を除去してエッチング処理を行い、前記接合端子及び前記リードを備えたリードフレームベースを形成する第５工程と、
前記第５工程で形成されたリードフレームベースに前記半導体素子を搭載し、前記接合端子との間でワイヤーボンディングを行う第６工程と、
裏面に前記端子パッドを露出させた状態で、前記リードフレームベース、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤの樹脂封止を行う第７工程とを有する。

第１〜第３の発明に係る半導体装置の製造方法において、裏面側に露出した前記端子パッドの表面は、厚めっき又は半田による肉盛り処理が行われ、前記端子パッドが該半導体装置の裏面から突出していること、又は製造された該半導体装置の裏面は樹脂が一部除去されて前記端子パッドが該半導体装置の裏面から突出していることが好ましい。これによって、半導体装置の配線が確実容易となる。
また、第１〜第３の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記耐エッチングめっきは貴金属めっき（例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ）であるのがよく、リードフレーム材によっては更にこの貴金属めっきの下層にＮｉ又はＡｇ（貴金属めっきがＡｇの場合を除く）等の下地めっきをしてもよい。

そして、第１〜第３の発明に係る半導体装置の製造方法において、製造された該半導体装置は前記半導体素子の直下にも前記端子パッドが設けられているのが、更に好ましい。なお、本発明はこのように半導体素子の直下にも端子パッドが設けられているタイプの他、半導体素子の周囲にのみ端子パッドが設けられているタイプの半導体装置の製造方法にも適用される。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、一枚のリードフレーム材を従来の工程より少ない工程で処理して、リードフレームベースを形成し、その上に半導体素子を搭載してワイヤーボンディングを行った後、樹脂封止しているので、より小型化した安価な半導体装置を提供できる。
また、リードフレームベースの表面側に形成されるボンディングワイヤの接合端子と、裏面側に形成される端子パッドの位置をリード（インナーリード）配線に支障のない範囲で自由に設計できる。従って、例えば、半導体素子の直下に端子パッドを設けることもでき、これによってより小型で多端子パッドの半導体装置を提供できる。
更には、端子パッドに厚めっき又は半田による肉盛りを行うことができる他、端子パッド側の樹脂を例えばレーザーで除去することにより端子パッドのスタンドオフを高くできる。

続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここで、図１（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第１、第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の説明図、図２（Ａ）〜（Ｋ）は本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の説明図、図３（Ａ）〜（Ｌ）は本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の説明図、図４は本発明が適用可能な他の半導体装置の説明図である。なお、図２（Ｅ）〜（Ｈ）、図３（Ｅ）〜（Ｈ）は上下逆に記載している。

まず、本発明の第１、第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によって製造する半導体装置１０について図１を参照しながら説明する。
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、半導体装置１０は裏面側にグリッドアレイ状に配置された複数の端子パッド１１を有するリードフレームベース１２と、リードフレームベース１２上に載置された半導体素子１３と、リードフレームベース１２の周囲に形成された接合端子１４、１４ａと半導体素子１３とを連結するボンディングワイヤ１５と、リードフレームベース１２の上側、半導体素子１３及びボンディングワイヤ１５を密封する封止樹脂１６とを有している。
リードフレームベース１２は裏面側底部にそれぞれの端子パッド１１が露出し、その表面側で、搭載される半導体素子１３の周囲には接合端子１４、１４ａがある。この実施の形態では半導体素子１３の周囲にある端子パッド１１はその上部にある接合端子１４と直接繋がっているが、半導体素子１３の直下に格子状に並んで配置された端子パッド１１はリード１７を介して接合端子１４ａに連結されている。なお、この実施の形態では接合端子１４ａは、リード１７の幅と同一となって、半導体素子１３の外側に位置するリード１７の先側が接合端子１４ａを形成する。従って、リードフレームベース１２の表面側に設けられている複数の接合端子１４、１４ａと裏面側に露出する複数の端子パッド１１とはそれぞれ１対１の関係で連結されている。

端子パッド１１、リードフレームベース１２の表面に露出するリード１７及び接合端子１４、１４ａは封止樹脂１６とは別の樹脂１９で固定されている。樹脂１９はリードフレームベース１２の高さの例えば４／５〜１／２倍とするのが好ましい。
また、リードフレームベース１２の上部（即ち、表面側）に露出する接合端子１４、１４ａ及びリード１７と、裏面側に露出する端子パッド１１は貴金属（例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ）めっき２０、２１がＮｉ又はＡｇ（貴金属めっきがＡｇめっきの場合を除く）の薄い下地めっきを介してなされている。この貴金属めっき２０、２１は０．２〜３μｍの厚みがあれば十分である。

半導体素子１３はこのリードフレームベース１２の中央にペースト又はシート材からなる接着剤を介して搭載されている。半導体素子１３の上に設けられている各電極パッド２２と対応する接合端子１４、１４ａとはボンディングワイヤ１５を介して連結されている。
封止樹脂１６はエポキシ系の樹脂であって、半導体素子１３、ボンディングワイヤ１５及びリードフレームベース１２を封止し、これらを保護している。

続いて、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を図２を参照して説明する。なお、実際には一枚のリードフレーム材２３に複数の半導体装置１０を格子状に並べて製造するのであるが、以下、１つの半導体装置１０のみに限定してその説明を行う。
図２（Ａ）に示すように、銅、銅合金、又は鉄合金等からなる所定厚みのリードフレーム材２３を用意し、図２（Ｂ）に示すように、その表裏面をそれぞれ第１及び第２のレジスト膜２４、２５でコーティング処理を行った後、図２（Ｃ）示すように、第１及び第２のレジスト膜２４、２５にそれぞれ露光処理及び現像処理を行う。そして、リードフレーム材２３の表面側に、半導体素子１３からのボンディングワイヤ１５の接合端子１４、１４ａ及びこれに接合されるリード１７となる部分を露出させた表側配線パターン２６を形成する。また、リードフレーム材２３の裏面側に端子パッド１１となる部分を露出させた裏側配線パターン２７を形成する（以上、第１工程）。

次に、図２（Ｄ）に示すように、第１及び第２のレジスト膜２４、２５によって表側配線パターン２６及び裏側配線パターン２７が形成されたリードフレーム材２３の表裏露出部に貴金属めっき２１（耐エッチングめっき処理）をそれぞれ行う。この貴金属めっき２０、２１は以下の工程で使用するエッチング液に対して溶解されず、耐エッチングめっき被膜として作用する（以上、第２工程）。

この後、図２（Ｅ）に示すように裏面側の第２のレジスト膜２５を除去して、図２（Ｆ）に示すように、貴金属めっき２０、２１を耐エッチング用のレジスト膜としてリードフレーム材２３の裏面側のハーフエッチングを行う。この場合、リードフレーム材２３の表面側は貴金属めっき２０と第１のレジスト膜２４で覆われているので、第２のレジスト膜２５で形成された裏側配線パターン２７の露出部分のみがハーフエッチングされて窪み部２９が形成される。ハーフエッチングの深さはリードフレーム材２３の厚みの例えば４／５〜１／２程度で十分である。これによって、グリッドアレイ状に配置された端子パッド１１となる部分が突出した状態になる（以上、第３工程）。

この後、図２（Ｇ）に示すように、表面側の第１のレジスト膜２４を除去する。そして、図２（Ｈ）に示すように、第３工程で裏面側にハーフエッチングされた窪み部２９に樹脂１９をモールド金型装置を用いて注入する。この金型装置においては、金型と端子パッド１１となる貴金属めっき２１との表面との間に隙間があると樹脂で端子パッド１１の表面が汚されることになるので、その隙間が十分小さくなるように（例えば、１０μｍ以下）、金型を貴金属めっき２１に押しつけながら行う。これによって、各端子パッド１１が樹脂１９によって連結されることになる（以上、第４工程）。なお、表面側の第１のレジスト膜２４の剥離は樹脂１９を窪み部２９に注入した後に行ってもよい。

次に、図２（Ｉ）に示すように、リードフレーム材２３の表面側のエッチング処理を行う。この場合、リードフレーム２３の表面側の貴金属めっき２０が耐エッチング用のレジスト膜として作用する。これによって、各接合端子１４と各リード１７に接合された接合端子１４ａが電気的に非接合状態で分離する。なお、分離した各接合端子１４、１４ａ及びリード１７は樹脂１９で連結されて、リードフレームベース１２を形成することになる（以上、第５工程）。

以上の工程で形成されたリードフレームベース１２の中央に、図２（Ｊ）に示すように、半導体素子１３を搭載し、接合端子１４、１４ａと半導体素子１３の各電極パッド２２とをボンディングワイヤ１５で連結するワイヤーボンディングを行う（以上、第６工程）。この後、図示しない金型装置を用いて、裏面に端子パッド１１を露出させた状態で、リードフレームベース１２、半導体素子１３及びボンディングワイヤ１５の樹脂封止を行う（以上、第７工程）。これによって、半導体装置１０が完成するが、裏面側に露出した端子パッド１１の表面に更に貴金属めっきや半田によって肉盛りしてもよいし、裏面側の樹脂１９を薬品又はレーザーによって一部除去して、端子パッド１１を突出させてもよい。この後、図２（Ｋ）に示すように、格子状に並べられた半導体装置１０の分離を行って個々の半導体装置１０が完成する。

なお、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の第３工程において、図２（Ｅ）に示すように、表面側を密閉シート材等で覆った状態で裏面側の第２のレジスト膜２５のみを除去しているが、図２（Ｅ）の処理で、表面側及び裏面側の第１、第２のレジスト膜２４、２５の完全除去を行い、次に、表側配線パターンの形成された表面側を第３のレジスト膜で覆った後、図２（Ｆ）に示すように裏面側をハーフエッチングすることもできる。この場合、次の図２（Ｇ）の処理では、第３のレジスト膜を除去し、次の図２（Ｈ）の処理で樹脂を注入することになる。

続いて、図３を参照しながら、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法と同一の構成要素には同一の符号を付す。
図３（Ａ）に示すように、銅、銅合金、又は鉄合金等からなる所定厚みのリードフレーム材２３を用意し、図３（Ｂ）に示すように、その表裏面をそれぞれ第１及び第２のレジスト膜２４、２５でコーティング処理を行った後、図３（Ｃ）に示すように、第１及び第２のレジスト膜２４、２５にそれぞれ露光処理及び現像処理を行う。そして、リードフレーム材２３の表面側に、半導体素子１３からのボンディングワイヤ１５の接合端子１４、１４ａ及びこれに接合されるリード１７となる部分を露出させた表側配線パターン２６を形成する。また、リードフレーム材２３の裏面側に端子パッド１１以外の部分を露出させた裏側配線パターン３２を形成する（以上、第１工程）。

次に、図３（Ｄ）に示すように、表側配線パターン２６に耐エッチング性のマスク３３を被せて、リードフレーム材２３の表面側がエッチングされない状態にして、図３（Ｅ）に示すように、リードフレーム材２３の裏面側のハーフエッチングを行う。これによって、端子パッド１１の周囲がハーフエッチングされて窪み部２９が形成される（以上、第２工程）。
そして、図３（Ｆ）に示すように、ハーフエッチング部分である窪み部２９に樹脂３４を注入する。この樹脂３４の高さは、第１の実施の形態に係る樹脂１９に比較して第２のレジスト膜２５の厚みだけ高くなる（以上、第３工程）。

この後、図３（Ｇ）に示すように、表側配線パターン２６を覆っていたマスク３３を除去すると共にリードフレーム材２３の裏面側に貼着されていて裏側配線パターン３２を形成した第２のレジスト膜２５を除去し、図３（Ｈ）に示すように、リードフレーム２３の露出した部分の表裏面に耐エッチング性を有する貴金属めっき３５、３６を行う（耐エッチングめっき処理）。この場合、貴金属めっき３５、３６に、例えば下地Ｎｉめっきを行うのがよいが、端子パッド１１が形成される部分は、第２のレジスト膜２５の厚みより厚くするのが好ましい。これによって、端子パッド１１が裏面側に突出する（以上、第４工程）。

図３（Ｉ）に示すように、この後、リードフレーム材２３の表面側に貼着して表側配線パターン２６を形成していた第１のレジスト膜２４を除去し、更に、図３（Ｊ）に示すように、エッチング処理を行う。これによって、隣り合う接合端子１４及びリード１７と連結する接合端子１４ａのそれぞれが独立に分離されて、これらに連結される端子パッド１１と一体となり、更に、端子パッド１１は樹脂３４によって連結されるているので、結局はリードフレームベース１２が形成される（以上、第５工程）。

以上の工程で形成されたリードフレームベース１２の中央に、図３（Ｋ）に示すように、半導体素子１３を搭載し、接合端子１４、１４ａと半導体素子１３の各電極パッド２２とをボンディングワイヤ１５で連結するワイヤーボンディングを行う（以上、第６工程）。この後、図示しない金型装置を用いて、裏面に端子パッド１１を露出させた状態で、リードフレームベース１２、半導体素子１３及びボンディングワイヤ１５の樹脂封止を行って半導体装置１０が完成する（以上、第７工程）が、これらは格子状に配置されているので、図３（Ｌ）に示すように各半導体装置１０を個別化して、単独の半導体装置１０が完成する。

前記第１、第２の実施の形態に製造された半導体装置１０は、図１に示すように、半導体素子１３の直下にも端子パッド１１を有しているが、図４に示すように、半導体素子１３の直下は単に半導体素子搭載部３７ａのみとなっている半導体装置３７であっても本発明は適用される。なお、半導体素子１３が半導体素子搭載部３７ａの上に搭載され、半導体素子搭載部３７の少なくとも裏面側には貴金属めっき３８がなされているので、半導体素子１３の放熱性がよい。なお、３９は半田又は厚めっきによる肉盛り部であり、この肉盛り部３９を省略することもできる。
本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲での工程の変更、部分的に改良が行われるものであっても、本発明が適用される。

（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第１、第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の説明図である。 （Ａ）〜（Ｋ）は本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の説明図である。 （Ａ）〜（Ｌ）は本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の説明図である。 本発明が適用可能な他の半導体装置の説明図である。

符号の説明

１０：半導体装置、１１：端子パッド、１２：リードフレームベース、１３：半導体素子、１４、１４ａ：接合端子、１５：ボンディングワイヤ、１６：封止樹脂、１７：リード、１９：樹脂、２０、２１：貴金属めっき、２２：電極パッド、２３：リードフレーム材、２４：第１のリジスト膜、２５：第２のレジスト膜、２６：表側配線パターン、２７：裏側配線パターン、２９：窪み部、３２：裏側配線パターン、３３：マスク、３４：樹脂、３５、３６：貴金属めっき、３７：半導体装置、３７ａ：半導体素子搭載部、３８：貴金属めっき、３９：肉盛り部

Claims (7)

1. 裏面側に複数の端子パッドを有し、内部に半導体素子が樹脂封止された半導体装置の製造方法であって、
   リードフレーム材の表裏面をそれぞれ第１及び第２のレジスト膜でコーティング処理を行った後、該第１及び第２のレジスト膜にそれぞれ露光処理及び現像処理を行い、該リードフレーム材の表面側に、前記半導体素子からのボンディングワイヤの接合端子及びこれに接合されるリードを露出させた表側配線パターンを、該リードフレーム材の裏面側に前記端子パッドを露出させた裏側配線パターンをそれぞれ形成する第１工程と、
   前記第１及び第２のレジスト膜によって前記表側配線パターン及び前記裏側配線パターンが形成されたリードフレーム材の表裏露出部に耐エッチングめっき処理を行う第２工程と、
   裏面側の前記第２のレジスト膜を除去して前記耐エッチングめっきをレジスト膜として前記リードフレーム材の裏面側のハーフエッチングを行う第３工程と、
   表面側の前記第１のレジスト膜を除去すること、並びに前記第３工程で裏面側にハーフエッチングされた窪み部に樹脂を注入することを行う第４工程と、
   前記リードフレーム材の表面側を前記耐エッチングめっきをレジスト膜としてエッチング処理を行って前記接合端子及び前記リードを備えたリードフレームベースを形成する第５工程と、
   前記第５工程で形成されたリードフレームベースに前記半導体素子を搭載し、前記接合端子との間でワイヤーボンディングを行う第６工程と、
   裏面に前記端子パッドを露出させた状態で、前記リードフレームベース、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤの樹脂封止を行う第７工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 裏面側に複数の端子パッドを有し、内部に半導体素子が樹脂封止された半導体装置の製造方法であって、
   リードフレーム材の表裏面をそれぞれ第１及び第２のレジスト膜でコーティング処理を行った後、該第１及び第２のレジスト膜にそれぞれ露光処理及び現像処理を行い、該リードフレーム材の表面側に、前記半導体素子からのボンディングワイヤの接合端子及びこれに接合されるリードを露出させた表側配線パターンを、該リードフレーム材の裏面側に前記端子パッドを露出させた裏側配線パターンをそれぞれ形成する第１工程と、
   前記第１及び第２のレジスト膜によって前記表側配線パターン及び前記裏側配線パターンが形成されたリードフレーム材の表裏露出部に耐エッチングめっき処理を行う第２工程と、
   表面側及び裏面側の前記第１、第２のレジスト膜を除去した後、表面側を更に第３のレジスト膜で被覆し、裏面側の前記耐エッチングめっきをレジスト膜として前記リードフレーム材の裏面側のハーフエッチングを行う第３工程と、
   表面側の前記第３のレジスト膜を除去すること、並びに前記第３工程で裏面側にハーフエッチングされた窪み部に樹脂を注入することを行う第４工程と、
   前記リードフレーム材の表面側を前記耐エッチングめっきをレジスト膜としてエッチング処理を行って前記接合端子及び前記リードを備えたリードフレームベースを形成する第５工程と、
   前記第５工程で形成されたリードフレームベースに前記半導体素子を搭載し、前記接合端子との間でワイヤーボンディングを行う第６工程と、
   裏面に前記端子パッドを露出させた状態で、前記リードフレームベース、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤの樹脂封止を行う第７工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 裏面側に複数の端子パッドを有し、内部に半導体素子が樹脂封止された半導体装置の製造方法であって、
   リードフレーム材の表裏面をそれぞれ第１及び第２のレジスト膜でコーティング処理を行った後、該第１及び第２のレジスト膜にそれぞれ露光処理及び現像処理を行い、該リードフレーム材の表面側に前記半導体素子からのボンディングワイヤの接合端子及びこれに接続されるリードを露出させた表側配線パターンを、該リードフレーム材の裏面側に前記端子パッドを隠す裏側配線パターンをそれぞれ形成する第１工程と、
   前記リードフレーム材の前記第１のレジスト膜にマスクを被せてその全面を覆い、更にハーフエッチングして裏面側の前記端子パッドを除く部分を除去する第２工程と、
   前記リードフレーム材の裏面側のハーフエッチング部分に樹脂を注入する第３工程と、
   前記リードフレーム材の裏面側の第２のレジスト膜を剥離すると共に、表面側の前記マスクを除去して前記第１のレジスト膜によって形成された表側配線パターンを露出させた状態で、全面に耐エッチングめっき処理を行う第４工程と、
   前記第１のレジスト膜を除去してエッチング処理を行い、前記接合端子及び前記リードを備えたリードフレームベースを形成する第５工程と、
   前記第５工程で形成されたリードフレームベースに前記半導体素子を搭載し、前記接合端子との間でワイヤーボンディングを行う第６工程と、
   裏面に前記端子パッドを露出させた状態で、前記リードフレームベース、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤの樹脂封止を行う第７工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、裏面側に露出した前記端子パッドの表面は、厚めっき又は半田による肉盛り処理が行われ、前記端子パッドが該半導体装置の裏面から突出していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、製造された該半導体装置の裏面は樹脂が一部除去されて前記端子パッドが該半導体装置の裏面から突出していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記耐エッチングめっきは貴金属めっきであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、製造された該半導体装置は前記半導体素子の直下にも前記端子パッドが設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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