JP2014067503A - 有機電界発光素子および発光装置 - Google Patents

有機電界発光素子および発光装置 Download PDF

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Abstract

【課題】光取り出し効率の向上を図ることができる有機電界発光素子および発光装置を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る有機電界発光素子は、第1電極と、前記第1電極と対峙して設けられた反射層と、前記第1電極と、前記反射層と、の間に設けられた有機発光層と、前記有機発光層と、前記反射層と、の間に設けられた第2電極と、前記第2電極と、前記反射層と、の間に設けられた光学バッファ層と、前記光学バッファ層の前記第2電極が設けられる側、前記光学バッファ層の前記反射層が設けられる側、および、前記光学バッファ層の内部の少なくともいずれかに設けられ、前記光学バッファ層の屈折率とは異なる屈折率を有する複数の光取り出し部と、を備えている。
【選択図】図1

Description

後述する実施形態は、有機電界発光素子および発光装置に関する。
有機電界発光素子は、陰極側電極と、陽極側電極と、陰極側電極と陽極側電極との間に設けられた有機発光層と、を有している。
有機電界発光素子においては、陰極側電極と陽極側電極との間に電圧を印加することで、陰極側電極から有機発光層に電子を注入し、陽極側電極から有機発光層に正孔を注入する。注入された電子と正孔とは、再結合し、再結合に伴い生成された励起子が放射失活する際に光が発生する。
この様な有機電界発光素子においては、光取り出し効率の向上が望まれている。
特開2006−92936号公報
本発明が解決しようとする課題は、光取り出し効率の向上を図ることができる有機電界発光素子および発光装置を提供することである。
実施形態に係る有機電界発光素子は、第1電極と、前記第1電極と対峙して設けられた反射層と、前記第1電極と、前記反射層と、の間に設けられた有機発光層と、前記有機発光層と、前記反射層と、の間に設けられた第2電極と、前記第2電極と、前記反射層と、の間に設けられた光学バッファ層と、前記光学バッファ層の前記第2電極が設けられる側、前記光学バッファ層の前記反射層が設けられる側、および、前記光学バッファ層の内部の少なくともいずれかに設けられ、前記光学バッファ層の屈折率とは異なる屈折率を有する複数の光取り出し部と、を備えている。
(a)、(b)は、第1の実施形態に係る有機電界発光素子1、1aを例示する模式図である。 (a)、(b)は、比較例に係る有機電界発光素子100に設けられた有機発光層30内の発光位置33で発生した光の損失を例示する模式図である。 第1の実施形態に係る有機電界発光素子1、1aにおける光取り出し効率を例示するグラフ図である。 (a)、(b)は、界面40a、40bにおける屈折を例示するための模式図である。 第2の実施形態に係る有機電界発光素子1bを例示する模式図である。 (a)、(b)は、界面40a、40bにおける屈折を例示するための模式図である。 (a)〜(c)は、第3の実施形態に係る有機電界発光素子1cを例示する模式図である。 第4の実施形態に係る有機電界発光素子1dを例示する模式図である。 (a)、(b)は、複数の光取り出し部80を有する光学バッファ層40の形成方法を例示する模式図である。 (a)〜(e)は、第5の実施形態に係る有機電界発光素子1eを例示する模式図である。 第6の実施形態に係る有機電界発光素子1fを例示する模式図である。 第7の実施形態に係る有機電界発光素子1gを例示する模式図である。 複数の光取り出し部80aの形成方法を例示する模式図である。 第8の実施形態に係る有機電界発光素子1hを例示する模式図である。 (a)、(b)は、複数の光取り出し部80bの形成方法を例示する模式図である。 複数の光取り出し部80bの形成方法を例示する模式図である。 第9の実施形態に係る有機電界発光素子1iを例示する模式図である。 第10の実施形態に係る有機電界発光素子1jを例示する模式図である。 (a)、(b)は、光路制御層65の作用を例示するための模式図である。 光取り出し効率を例示するためのグラフ図である。 発光装置11を例示するための模式図である。
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して述べたものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
[第1の実施形態]
図1(a)、(b)は、第1の実施形態に係る有機電界発光素子1、1aを例示する模式図である。
図1(a)は有機電界発光素子1の模式断面図である。図1(b)は第1機能層31と、第2機能層32とをさらに含む有機電界発光素子1aの模式断面図である。
図1(a)に示すように、有機電界発光素子1は、第1電極10と、第2電極20と、有機発光層30と、光学バッファ層40と、反射層50と、光取り出し部80とを含む。
第1電極10は、有機発光層30から放出された光に対して透過性を有する。
第1電極10は、例えば、陽極として機能する。第1電極10の厚み寸法は、例えば、50ナノメートル(nm)以上とすることができる。
第1電極10は、例えば、In、Sn、Zn及びTiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む酸化物を含む。第1電極10は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)膜である。
第2電極20は、有機発光層30と、反射層50との間に設けられている。第2電極20は、有機発光層30から放出される光に対して透過性を有する。
第2電極20は、例えば、陰極として機能する。第2電極20の厚み寸法は、例えば、10ナノメートル(nm)以下とすることができる。
第2電極20の材料は導電性を有していれば特に限定はない。ただし、屈折率が低く、且つ、消衰係数が低い材料とすることが好ましい。例えば、第2電極20は、Ag、Au、Ca、及びアルカリ金属からなる群より選ばれた少なくとも1種を含むものとすることができる。
また、例えば、第2電極20は、含まれるAgのモル分率が0.4以上のマグネシウム銀合金からなるものであってもよい。
なお、第1電極10を陰極とし第2電極を陽極とすることも可能である。
有機発光層30は、第1電極10と、第2電極20との間に設けられている。有機発光層30は、可視光の波長の成分を含む光を放出する。有機発光層30の厚み寸法は、例えば、50ナノメートル(nm)以上とすることができる。
有機発光層30は、例えば、Alq、F8BT及びPPVなどを含む。有機発光層30には、ホスト材料と、ホスト材料に添加されるドーパントと、の混合材料を用いることができる。ホスト材料としては、例えば、CBP、BCP、TPD、PVK及びPPTなどを用いることができる。ドーパント材料としては、例えば、Flrpic、Ir(ppy)及びFlr6などを用いることができる。
また、図1(b)に示すように、有機電界発光素子1aは、第1機能層31と、第2機能層32とをさらに含むことができる。
第1機能層31は、有機発光層30と第1電極10との間に設けられる。第1機能層31の厚み寸法は、例えば、1ナノメートル(nm)程度とすることができる。第1機能層31は、必要に応じて設けられる。
第1機能層31は、例えば、正孔注入層として機能する。第1機能層31が正孔注入層として機能する場合には、例えば、PEDPOT:PPS、CuPc及びMoOなどを含む。
第1機能層31は、例えば、正孔輸送層として機能する。第1機能層31が正孔輸送層として機能する場合には、例えば、α−NPD、TAPC、m−MTDATA、TPD及びTCTAなどを含む。
なお、第1機能層31は、正孔注入層として機能する層と、正孔輸送層として機能する層と、が積層されたものであってもよい。
第2機能層32は、有機発光層30と第2電極20との間に設けられる。第2機能層32の厚み寸法は、例えば、1ナノメートル(nm)程度とすることができる。第2機能層32は、必要に応じて設けられる。
第2機能層32は、例えば、電子輸送層として機能する。第2機能層32は、例えば、Alq、BAlq、POPy、Bphen及び3TPYMBなどを含む。
あるいは、第2機能層32は、例えば、電子注入層として機能する。
なお、第2機能層32は、電子輸送層として機能する層と、電子注入層として機能する層と、が積層されたものであってもよい。この場合、電子注入層として機能する層は、電子の注入特性を向上させるためのものである。また、電子注入層として機能する層は、電子輸送層として機能する層と第2電極20との間に設けられる。
光学バッファ層40は、第2電極20と、反射層50との間に設けられている。そのため、有機発光層30と反射層50との間の距離を、少なくとも光学バッファ層40の厚み寸法分だけ離すことができる。その結果、プラズモン損失を低減させることができる。
光学バッファ層40の光取り出し部80が設けられていない部分の厚み寸法は、50ナノメートル(nm)以上とすることができる。
光学バッファ層40の材料は、有機発光層30から放出された光に対して透過性があれば特に限定はない。ただし、光学バッファ層40の屈折率は、光取り出し部80の屈折率とは異なるものとなっている。
また、光学バッファ層40は、界面40a、40b、40cを有している。
界面40aは、有機発光層30の第2電極20が設けられる側の面が伸びる方向(図1における紙面奥行き方向)と交差する方向に沿っている。
なお、有機発光層30の第2電極20が設けられる側の面が伸びる方向と、界面40aが伸びる方向とが直交する場合を例示したが、これに限定されるわけではない。有機発光層30の第2電極20が設けられる側の面が伸びる方向と、界面40aが伸びる方向とが非平行であればよい。
界面40bは、有機発光層30の第2電極20が設けられる側の面が伸びる方向に沿っている。
界面40cは、光取り出し部80が設けられていない領域における界面である。
なお、プラズモン損失の低減、光学バッファ層40の屈折率、光学バッファ層40の厚み寸法、界面40a、40b、40cにおける屈折に関する詳細は後述する。
反射層50は、光学バッファ層40の第2電極20が設けられる側とは反対側に設けられている。すなわち、反射層50は、第1電極10と対峙して設けられている。反射層50は、有機発光層30から放出された光に対して反射性を有する。反射層50の厚み寸法は、例えば、100ナノメートル(nm)程度とすることができる。
反射層50は、例えば、Ag、Mg:Ag(マグネシウム銀合金)、Alなどの金属を含むものとすることができる。反射層50は、例えば、誘電体多層膜とすることもできる。
光取り出し部80は、光学バッファ層40の第2電極20が設けられる側に複数設けられ、光学バッファ層40の屈折率とは異なる屈折率を有する。すなわち、光取り出し部80は、第2電極20と、有機発光層30との間に複数設けられている。光取り出し部80は、光学バッファ層40の第2電極20が設けられる側から光学バッファ層40の内部に向けて突出している。光取り出し部80を設けることで、光学バッファ層40に界面40a、40bが形成される。
光取り出し部80の形態は、光学バッファ層40に少なくとも界面40aが形成されるのであれば特に限定はない。例えば、光取り出し部80は、メッシュ状、ライン状、ドット状の形態を有していてもよい。また、光取り出し部80の断面形状が矩形の場合を例示したが、これに限定されるわけではない。例えば、光取り出し部80の断面形状は、三角形、台形、半円、半楕円など任意の形状とすることができる。
図1(a)、(b)に例示をした有機電界発光素子1、1aは、第1電極10の有機発光層30が設けられる側とは反対側に基板60を含む。すなわち、第1電極10は基板60と有機発光層30との間に設けられている。基板60は、有機発光層30から放出される光に対して透過性を有する。基板60は、例えば、ガラス基板である。
有機電界発光素子1、1aは、ボトムエミッション型の有機電界発光素子である。有機発光層30から放出された光のうち基板60を通過する光の強度は、有機発光層30から放出された光のうち第2電極20を通過する光の強度よりも高い。有機発光層30から放出された光は、主に第1電極10の側(基板60の側)から取り出される。
また、有機電界発光素子1、1aは、基板60の第1電極10が設けられる側とは反対側の面に複数のマイクロレンズ90を含む。例えば、マイクロレンズ90の形態は半球状とすることができる。マイクロレンズ90の高さ寸法(基板60の厚み方向に沿う長さ)は、例えば、1μm以上、50μm以下とすることができる。この場合、マイクロレンズ90の直径寸法は、2μm以上、100μm以下となる。ただし、マイクロレンズ90の形態や寸法は、例示をしたものに限定されるわけではなく、適宜変更することができる。複数のマイクロレンズ90を基板60に設ける場合には、複数のマイクロレンズ90をマトリクス状に並べたマイクロレンズシートを予め形成し、マイクロレンズシートを基板60に貼り付けるようにすることができる。
なお、第2電極20の界面40a’は、第2電極20と接する面であり、光学バッファ層40の界面40aと対向する。第2電極20の界面40b’は、第2電極20と接する面であり、光学バッファ層40の界面40bと対向する。
次に、前述したプラズモン損失の低減についてさらに説明する。
図2(a)、(b)は、比較例に係る有機電界発光素子100に設けられた有機発光層30内の発光位置33で発生した光の損失を例示する模式図である。
なお、図2(a)は、有機発光層30内の発光位置33で発生した光の行方を例示する模式断面図である。図2(b)は、各光学モードにおける分配率を例示するグラフ図である。図2(b)は、光取り出し効率のシミュレーション結果の例を表したものである。図2(b)の横軸は、発光位置33から第2電極120までの距離である。図2(b)の縦軸は、光取り出し効率である。シミュレーションの条件は、以下のようにした。第1電極10はITOからなり、屈折率を1.8〜2.2、厚み寸法を110ナノメートル(nm)とした。有機発光層30は、屈折率を1.9とし、厚み寸法は発光位置33から第2電極120までのそれぞれの距離(図2(b)の横軸におけるそれぞれの距離)に80ナノメートル(nm)を加えたものとした。第2電極120はAlからなり、厚み寸法を150ナノメートル(nm)とした。基板60は屈折率を1.5とした。有機発光層30内の発光位置33で発生した光の波長は525ナノメートル(nm)とした。
図2(a)に示すように、比較例に係る有機電界発光素子100は、第1電極10と、金属からなる第2電極120と、有機発光層30と、基板60とを含む。すなわち、比較例に係る有機電界発光素子100は、一般的な有機電界発光素子の構成を有している。そのため、比較例に係る有機電界発光素子100は、前述した光学バッファ層40と、反射層50と、光取り出し部80とを有していない。また、第2電極120は、有機発光層30から放出された光に対して透過性を有していない。
図2(a)に示すように、有機電界発光素子100において、有機発光層30内の発光位置33で発生した光の行方は、大きく分けて4つに分類される。発光位置33で発生した光は、外部モード成分L1と、基板モード成分L2と、薄膜層モード成分L3と、金属からなる第2電極120における損失成分L4と、を含む。以下においては、「金属からなる第2電極120における損失成分L4」を、単に「損失成分L4」と言う。
外部モード成分L1は、有機電界発光素子100の外部に取り出すことのできる成分である。基板モード成分L2は、基板60には到達するが、基板60と外気との界面で全反射する成分である。薄膜層モード成分L3は、第1電極10には到達するが、第1電極10と基板60との界面で全反射する成分である。この場合、基板モード成分L2は、基板60の面60a、面60b以外の面、例えば、面60aまたは面60bに交差する面から外部に取り出すことができる。また、同様に、薄膜層モード成分L3も第1電極10から外部に取り出すことができる。すなわち、外部モード成分L1と、基板モード成分L2と、薄膜層モード成分L3とは、外部に取り出すことが可能な成分である。
これに対して、損失成分L4は、金属からなる第2電極120によって損失する成分である。
ここで、第2電極120に入射する光は、伝搬光と、非伝搬光と、を有する。
伝搬光および非伝搬光は、有機発光層30から放出される光の成分である。
伝搬光は、吸収のない媒質中であれば無限遠まで伝搬できる光である。
非伝搬光は、伝搬距離とともに指数関数的に強度が減衰する光である。
また、発光位置33から第2電極120の間に屈折率が異なる境界がある場合、全反射によって伝搬光の一部は非伝搬光となり、第2電極120に到達する場合がある。
損失成分L4は、伝搬光の損失と、非伝搬光の損失と、を含む。
伝搬光の損失(以下、伝搬光損失)は、第2電極120に吸収されることによる損失である。伝搬光損失は、発光位置33と第2電極120との間の距離に依存しない。
非伝搬光の損失(以下、非伝搬光損失)は、エバネッセント光と第2電極120の金属中の電子との相互作用によって生じる。この非伝搬光損失はプラズモン損失と呼ばれる。プラズモン損失(非伝搬光損失)は、発光位置33と第2電極120との間の距離に依存し、発光位置33と第2電極120との間の距離が長くなるほど小さくなる。
図2(b)に示すように、外部モード成分L1、基板モード成分L2、薄膜層モード成分L3、及び損失成分L4は、例えば、発光位置33から第2電極20までの距離によって変化する。
有機電界発光素子100の光取り出し効率を向上させるためには、外部に取り出すことができない損失成分L4のうちプラズモン損失に係る分を低減させればよい。そして、プラズモン損失を低減させるためには、発光位置33と第2電極120との間の距離が長くなるようにすればよい。
そこで、本実施の形態に係る有機電界発光素子1、1aにおいては、有機発光層30から放出される光に対して透過性を有する第2電極20としている。そのため、第2電極20におけるプラズモン損失を低減させることができる。
また、第2電極20と、反射層50との間に光学バッファ層40が設けられている。そのため、発光位置33と反射層50との間の距離を長くすることができるので、反射層50におけるプラズモン損失を低減させることができる。
次に、前述した光学バッファ層40の屈折率と、光学バッファ層40の厚み寸法とについてさらに説明する。
図3は、第1の実施形態に係る有機電界発光素子1、1aにおける光取り出し効率を例示するグラフ図である。
図3の横軸は、光学バッファ層40の光取り出し部80が設けられていない部分の厚み寸法(第2電極20と、反射層50との間の距離)である。図3の縦軸は、光取り出し効率である。
図3は、光取り出し効率のシミュレーション結果の例を表したものである。
シミュレーションの条件は、以下のようにした。第1電極10は、ITOからなるものとし、厚み寸法を110ナノメートル(nm)とした。有機発光層30は、屈折率を1.8とし、厚み寸法を120ナノメートル(nm)とした。第2電極20は、Agからなるものとし、厚み寸法を5ナノメートル(nm)とした。反射層50は、Agからなるものとし、厚み寸法を150ナノメートル(nm)とした。有機発光層30内の発光位置33で発生した光の波長は525ナノメートル(nm)とした。基板60は屈折率を1.5とした。そして、光学バッファ層40の屈折率を1.0、1.5、1.8とし、それぞれの場合における光取り出し効率を求めた。
図3中のA1、B1、C1は外部モード成分L1を表している。A1は、光学バッファ層40の屈折率を1.0とした場合である。B1は、光学バッファ層40の屈折率を1.5とした場合である。C1は光学バッファ層40の屈折率を1.8とした場合である。
図3中のA2、B2、C2は、外部モード成分L1と基板モード成分L2との和を表している。A2は、光学バッファ層40の屈折率を1.0とした場合である。B2は、光学バッファ層40の屈折率を1.5とした場合である。C2は光学バッファ層40の屈折率を1.8とした場合である。
図3中のA3、B3、C3は、外部モード成分L1と基板モード成分L2と薄膜層モード成分L3との和を表している。A3は、光学バッファ層40の屈折率を1.0とした場合である。B3は、光学バッファ層40の屈折率を1.5とした場合である。C3は光学バッファ層40の屈折率を1.8とした場合である。
図3から分かるように、光学バッファ層40の屈折率を低くすれば、外部モード成分L1、基板モード成分L2、薄膜層モード成分L3において光取り出し効率をそれぞれ向上させることができる。この場合、光学バッファ層40の屈折率は、有機発光層30の屈折率(例えば、1.8〜2.2)よりも低くすればよい。
また、図3から分かるように、光学バッファ層40の光取り出し部80が設けられていない部分の厚み寸法を50ナノメートル(nm)以上とすれば、外部モード成分L1、基板モード成分L2、薄膜層モード成分L3において光取り出し効率をそれぞれ向上させることができる。
次に、界面40a、40b、40c、40a’、40b’における屈折についてさらに説明する。
なお、界面40cにおける屈折は、光取り出し部80を設けることとは関係がないため説明を省略する。
光取り出し部80の屈折率が、光学バッファ層40の屈折率と異なる場合には、光取り出し部80と光学バッファ層40との屈折率差により屈折が生じる。この屈折が、光取り出しの機能として作用する。
図4(a)、(b)は、界面40a、40b、40c、40a’、40b’における屈折を例示するための模式図である。
なお、図4(a)は、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも低い場合である。図4(b)は、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも高い場合である。
なお、光学バッファ層40、光取り出し部80のうち、屈折率が低いものは、SiO、LiF、CaF、MgFなどや、空気、窒素ガス、希ガスなどの気体からなるものとすることができる。
図4(a)に示すように、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも低い場合には、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が界面40a’、40aを透過する際に屈折し、スネルの法則から界面40a’への入射角よりも界面40aでの屈折角が大きくなる。界面40aにおける屈折角が大きくなれば、反射層50への入射角が小さくなるので、前述した外部モード成分L1となりやすくなる。そのため、光取り出し効率を向上させることができる。
一方、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が界面40b’、40bを透過して屈折する際には、スネルの法則から界面40b’への入射角よりも界面40bでの屈折角が大きくなる。ところが、界面40bにおける屈折角が大きくなると、反射層50への入射角が大きくなる。そのため、界面40bに入射した光は、光取り出し効率が低くなるおそれがある。
すなわち、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも低い場合には、界面40a’、40aの面積を大きくし、界面40b’、40bの面積を小さくすることが好ましい。例えば、光取り出し部80の断面形状を三角形、台形、半円などとすることができる。また、光取り出し部80の断面形状を界面40a’、40a側が長辺となる長方形としてもよい。
図4(b)に示すように、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも高い場合には、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が界面40a’、40aを透過して屈折する際に、屈折角が小さくなる。そのため、界面40a’、40aに入射した光は、光取り出し効率が低くなるおそれがある。
一方、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が界面40b’、40bを透過して屈折する際には、屈折角が小さくなる。そのため、界面40b’、40bに入射した光は、光取り出し効率を向上させることができる。
すなわち、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも高い場合には、界面40a’、40aの面積を小さくし、界面40b’、40bの面積を大きくすることが好ましい。例えば、光取り出し部80の断面形状を界面40b’、40b側が長辺となる長方形とすることができる。
[第2の実施形態]
図5は、第2の実施形態に係る有機電界発光素子1bを例示する模式図である。
図6(a)、(b)は、界面40a、40bにおける屈折を例示するための模式図である。
なお、図6(a)は、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも低い場合である。図6(b)は、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも高い場合である。
図5に示すように、有機電界発光素子1bは、第1電極10と、第2電極20と、有機発光層30と、光学バッファ層40と、反射層50と、光取り出し部80とを含む。なお、前述した有機電界発光素子1aと同様に、第1機能層31と、第2機能層32とをさらに含むようにしてもよい。また、基板60と、マイクロレンズ90とをさらに含むようにしてもよい。
光取り出し部80は、光学バッファ層40の第2電極20が設けられる側に複数設けられ、光学バッファ層40の屈折率とは異なる屈折率を有する。すなわち、光取り出し部80は、第2電極20と光学バッファ層40との間に複数設けられている。光取り出し部80は、光学バッファ層40の第2電極20が設けられる側から光学バッファ層40の内部に向けて突出している。複数の光取り出し部80をこの様な位置に設けるようにしても、光学バッファ層40に界面40a、40bが形成される。
光学バッファ層40と光取り出し部80のうち、屈折率が低い方は、SiO、LiF、CaF、MgFなどを含むものとすることができる。また、光学バッファ層40と光取り出し部80のうち、屈折率が低い方は、空気、窒素ガス、希ガスなどの気体からなるものとすることもできる。
光取り出し部80を設けることにより界面40a、40bが形成され、界面40a、40bにおいて屈折が生じる。
図6(a)に示すように、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも低い場合には、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が界面40aにおいて屈折する際に、屈折角が大きくなる。そのため、界面40aに入射した光は、前述したものと同様に光取り出し効率を向上させることができる。
一方、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が界面40bにおいて屈折する際に、屈折角が大きくなる。ところが、界面40bにおける屈折角が大きくなると、反射層50への入射角が大きくなる。そのため、界面40bに入射した光は、光取り出し効率が低くなるおそれがある。
すなわち、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも低い場合には、界面40aの面積を大きくし、界面40bの面積を小さくすることが好ましい。例えば、光取り出し部80の断面形状を三角形、台形、半円などとすることができる。また、光取り出し部80の断面形状を界面40a側が長辺となる長方形としてもよい。
図6(b)に示すように、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも高い場合には、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が界面40aにおいて屈折する際に、屈折角が小さくなる。そのため、界面40aに入射した光は、光取り出し効率が低くなるおそれがある。
一方、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が界面40bにおいて屈折する際に、屈折角が小さくなる。そのため、界面40bに入射した光は、光取り出し効率を向上させることができる。
すなわち、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも高い場合には、界面40aの面積を小さくし、界面40bの面積を大きくすることが好ましい。例えば、光取り出し部80の断面形状を界面40b側が長辺となる長方形とすることができる。
[第3の実施形態]
図7(a)〜(c)は、第3の実施形態に係る有機電界発光素子1cを例示する模式図である。
なお、図7(a)は有機電界発光素子1cの模式断面図である。図7(b)は光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも低い場合における屈折を例示する模式図である。図7(c)は光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも高い場合における屈折を例示する模式図である。
図7(a)に示すように、有機電界発光素子1cは、第1電極10と、第2電極20と、有機発光層30と、光学バッファ層40と、反射層50と、光取り出し部80とを含む。なお、前述した有機電界発光素子1aと同様に、第1機能層31と、第2機能層32とをさらに含むようにしてもよい。また、基板60と、マイクロレンズ90とをさらに含むようにしてもよい。
光取り出し部80は、光学バッファ層40の反射層50が設けられる側に複数設けられ、光学バッファ層40の屈折率とは異なる屈折率を有する。すなわち、光取り出し部80は、反射層50と光学バッファ層40との間に複数設けられている。光取り出し部80は、光学バッファ層40の反射層50が設けられる側から光学バッファ層40の内部に向けて突出している。複数の光取り出し部80をこの様な位置に設けるようにしても、光学バッファ層40に界面40a、40bが形成される。
光学バッファ層40と光取り出し部80のうち、屈折率が低い方は、SiO、LiF、CaF、MgFなどを含むものとすることができる。また、光学バッファ層40と光取り出し部80のうち、屈折率が低い方は、空気、窒素ガス、希ガスなどの気体からなるものとすることもできる。
光取り出し部80を設けることにより界面40a、40bが形成され、界面40a、40bにおいて屈折が生じる。
図7(b)に示すように、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも低い場合には、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が界面40aにおいて屈折する際に、屈折角が小さくなる。そのため、界面40aに入射した光は、光取り出し効率が低くなるおそれがある。
一方、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が界面40bにおいて屈折する際に、屈折角が小さくなる。そのため、界面40bに入射した光は、光取り出し効率を向上させることができる。
すなわち、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも低い場合には、界面40aの面積を小さくし、界面40bの面積を大きくすることが好ましい。例えば、光取り出し部80の断面形状を界面40b側が長辺となる長方形とすることができる。
図7(c)に示すように、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも高い場合には、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が界面40aにおいて屈折する際に、屈折角が大きくなる。そのため、界面40aに入射した光は、光取り出し効率を向上させることができる。
一方、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が界面40bにおいて屈折する際に、屈折角が大きくなる。そのため、界面40bに入射した光は、光取り出し効率が低くなるおそれがある。
すなわち、光学バッファ層40の屈折率が、光取り出し部80の屈折率よりも高い場合には、界面40aの面積を大きくし、界面40bの面積を小さくすることが好ましい。例えば、光取り出し部80の断面形状を三角形、台形、半円などとすることができる。また、光取り出し部80の断面形状を界面40a側が長辺となる長方形としてもよい。
[第4の実施形態]
図8は、第4の実施形態に係る有機電界発光素子1dを例示する模式図である。
図8に示すように、有機電界発光素子1dは、第1電極10と、第2電極20と、有機発光層30と、光学バッファ層40と、反射層50と、光取り出し部80とを含む。なお、前述した有機電界発光素子1aと同様に、第1機能層31と、第2機能層32とをさらに含むようにしてもよい。また、基板60と、マイクロレンズ90とをさらに含むようにしてもよい。
光取り出し部80は、光学バッファ層40の内部に複数設けられ、光学バッファ層40の屈折率とは異なる屈折率を有する。複数の光取り出し部80は、光学バッファ層40の内部に分散して設けられている。光取り出し部80をこの様に設けるようにしても、光学バッファ層40に界面40a、40bが形成される。
光学バッファ層40と光取り出し部80のうち、屈折率が低い方は、SiO、LiF、CaF、MgFなどを含むものとすることができる。また、光取り出し部80の屈折率を低くする場合には、光取り出し部80は、空気、窒素ガス、希ガスなどの気体からなるものとすることもできる。
光取り出し部80を設けることにより界面40a、40bが形成され、界面40a、40bにおいて屈折が生じる。また、複数の光取り出し部80を分散して設けることにより散乱が生じる。
この場合、界面40a、40bにおける屈折は、図7(b)、(c)において例示をした場合と同様である。
また、光学バッファ層40の内部に複数の光取り出し部80を分散して設ければ、有機発光層30内の発光位置33で発生した光が光学バッファ層40の内部において散乱し、基板60側に導かれる。
そのため、界面40a、40bにおける屈折と、複数の光取り出し部80を分散して設けたことによる散乱と、により光取り出し効率を向上させることができる。
図9(a)、(b)は、複数の光取り出し部80を有する光学バッファ層40の形成方法を例示する模式図である。
図9(a)に示すように、複数の光取り出し部80が分散して設けられた膜状の光学バッファ層40を予め形成し、第2電極20の有機発光層30が設けられる側とは反対側の面に貼り付けるようにすることができる。
図9(b)に示すように、反射層50の第2電極20側の面に、複数の光取り出し部80が分散して設けられた膜状の光学バッファ層40を予め形成し、反射層50と光学バッファ層40とを、第2電極20の有機発光層30が設けられる側とは反対側の面に設けるようにすることができる。なお、光学バッファ層40は、既知の蒸着法などを用いて、反射層50の一方の面に形成することができる。
[第5の実施形態]
図10(a)〜(e)は、第5の実施形態に係る有機電界発光素子1eを例示する模式図である。
図10(a)に示すように、有機電界発光素子1eは、第1電極10と、第2電極20と、有機発光層30と、光学バッファ層40と、反射層50と、基板60と、基板61と、封止部70とを含む。なお、前述した有機電界発光素子1aと同様に、第1機能層31と、第2機能層32とをさらに含むようにしてもよい。また、マイクロレンズ90をさらに含むようにしてもよい。
基板61は、基板60と対峙させて設けられている。
基板61は、有機発光層30から放出される光に対して透過性を有していてもよいし、透過性を有していなくてもよい。
反射層50は、基板61の基板60と対峙する側の面に設けられている。
そして、図10(b)、(c)に示すように、反射層50と光学バッファ層40との間には空間44が設けられている。
なお、図10(b)は、前述した有機電界発光素子1dにおいて、反射層50と光学バッファ層40との間に空間44がさらに設けられた場合である。
図10(c)は、前述した有機電界発光素子1cにおいて、反射層50と光学バッファ層40との間に空間44がさらに設けられた場合である。
また、図10(d)、(e)に示すように、反射層50と第2電極20との間には空間44が設けられている。
なお、図10(d)は、前述した有機電界発光素子1において、光学バッファ層40が空間44に充填された気体からなるものの場合である。
図10(e)は、前述した有機電界発光素子1bにおいて、光学バッファ層40が空間44に充填された気体からなるものの場合である。
図10(a)に示すように、封止部70の一方の端部側は、基板60の周縁を囲うように設けられている。封止部70の他方の端部側は、基板61の周縁を囲うように設けられている。封止部70は、例えば、フリット材料などから形成され、基板60と基板61と封止部70とによって画された空間71を封止する。
空間71には、例えば、空気、窒素ガス、希ガスなどの気体が充填されている。
そのため、空間44にも気体が充填されることになる。
図3において説明したように、光学バッファ層の屈折率を低くすれば、外部モード成分L1、基板モード成分L2、薄膜層モード成分L3において光取り出し効率をそれぞれ向上させることができる。
一般的に、気体は、固体や液体より屈折率が低いので、反射層50と光学バッファ層40との間に気体からなる層をさらに設けたり、光学バッファ層40自体を気体からなるものとしたりすれば、光取り出し効率を向上させることができる。
ここで、反射層50を誘電体多層膜とすれば、反射率を向上させることができる。
しかしながら、一般的には、誘電体多層膜は蒸着法などを用いて形成される。そして、誘電体多層膜を形成する際の温度が、有機電界発光素子を構成する有機物が損傷を受ける温度にまで達するおそれがある。そのため、光学バッファ層40の第2電極20が設けられる側とは反対側の面に誘電体多層膜を形成すると、光学バッファ層40などにダメージが発生するおそれがある。
本実施の形態においては、反射層50を基板61に設けるようにしている。そのため、既知の蒸着法などを用いて誘電体多層膜である反射層50を形成しても、光学バッファ層40などにダメージが発生するおそれがない。
そのため、反射層50を誘電体多層膜とすることが可能となる。
[第6の実施形態]
図11は、第6の実施形態に係る有機電界発光素子1fを例示する模式図である。
図11に示すように、有機電界発光素子1fは、第1電極10と、第2電極20と、有機発光層30と、光学バッファ層40と、反射層50と、光取り出し部80aとを含む。なお、前述した有機電界発光素子1aと同様に、第1機能層31と、第2機能層32とをさらに含むようにしてもよい。また、基板60と、マイクロレンズ90とをさらに含むようにしてもよい。
前述した有機電界発光素子1、1a〜1eにおいては、複数の光取り出し部80は光学バッファ層40の内部に向けて突出して設けられたり、光学バッファ層40の内部に分散して設けられたりしている。
これに対して、本実施の形態に係る有機電界発光素子1fにおいては、複数の光取り出し部80aは、光学バッファ層40の反射層50が設けられる側の面41から、光学バッファ層40の外部に向けて突出して設けられている。複数の光取り出し部80aは、互いに離隔して設けられている。
光取り出し部80aは、有機発光層30の第2電極20が設けられる側の面が伸びる方向と交差する方向に沿った斜面80a1を有している。
この場合、有機発光層30の第2電極20が設けられる側の面が伸びる方向と、斜面80a1が伸びる方向とが直交しないようにすることが好ましい。
そして、反射層50は、光学バッファ層40の面41と、複数の光取り出し部80aの斜面80a1とを覆うように設けられている。
そのため、有機発光層30内の発光位置33で発生し、光取り出し部80aの斜面80a1に入射した光は、光取り出し部80aの斜面80a1に設けられた反射層50により反射される。光取り出し部80aの斜面80a1に設けられた反射層50により反射された光は、前述した外部モード成分L1となりやすくなる。その結果、光取り出し効率を向上させることができる。
光取り出し部80aの断面形状が三角形の場合を例示したが、これに限定されるわけではない。例えば、光取り出し部80aの断面形状は、台形などとすることもできる。
また、斜面80a1が平面の場合を例示したが、これに限定されるわけではない。例えば、斜面80a1は、曲面などとすることもできる。この場合、光取り出し部80aの断面形状は、半円、半楕円などとすることもできる。
[第7の実施形態]
図12は、第7の実施形態に係る有機電界発光素子1gを例示する模式図である。
図12に示すように、有機電界発光素子1gは、第1電極10と、第2電極20と、有機発光層30と、反射層50と、光取り出し部80aとを含む。なお、前述した有機電界発光素子1aと同様に、第1機能層31と、第2機能層32とをさらに含むようにしてもよい。また、基板60と、マイクロレンズ90とをさらに含むようにしてもよい。
前述した有機電界発光素子1fにおいては、複数の光取り出し部80aは、光学バッファ層40の反射層50が設けられる側の面41に設けられている。
これに対して、本実施の形態に係る有機電界発光素子1gにおいては、複数の光取り出し部80aは、第2電極20の反射層50が設けられる側の面21から第2電極20の外部に向けて突出して設けられている。複数の光取り出し部80aは、互いに離隔して設けられている。なお、有機電界発光素子1gにおいては、光学バッファ層40が設けられておらず、複数の光取り出し部80aが光学バッファ層40の役割をも果たすことになる。
そして、反射層50は、第2電極20の面21と、複数の光取り出し部80aの斜面80a1とを覆うように設けられている。
そのため、有機発光層30内の発光位置33で発生し、光取り出し部80aの斜面80a1に入射した光は、光取り出し部80aの斜面80a1に設けられた反射層50により反射される。光取り出し部80aの斜面80a1に設けられた反射層50により反射された光は、前述した外部モード成分L1となりやすくなる。その結果、光取り出し効率を向上させることができる。
光取り出し部80aの断面形状が三角形の場合を例示したが、これに限定されるわけではない。例えば、光取り出し部80aの断面形状は、台形などとすることもできる。
また、斜面80a1が平面の場合を例示したが、これに限定されるわけではない。例えば、斜面80a1は、曲面などとすることもできる。この場合、光取り出し部80aの断面形状は、半円、半楕円などとすることもできる。
また、反射層50が導電性材料を含むものとすれば、反射層50の一部が第2電極20と接しているので、反射層50を補助電極とすることができる。
なお、補助電極に関しては後述する。
図13は、複数の光取り出し部80aの形成方法を例示する模式図である。
図13に示すように、複数の光取り出し部80aを予め作成し、第2電極20を含む積層体11の第2電極20の面21上に複数の光取り出し部80aを散布する。その後、既知の成膜法を用いて、第2電極20の面21と、複数の光取り出し部80aの斜面80a1とを覆うように反射層50を形成する。
この様にすれば、第2電極20の面21上に複数の光取り出し部80aを容易に設けることができる。
[第8の実施形態]
図14は、第8の実施形態に係る有機電界発光素子1hを例示する模式図である。
図14に示すように、有機電界発光素子1hは、第1電極10と、第2電極20と、有機発光層30と、光学バッファ層40と、反射層50と、光取り出し部80bとを含む。なお、前述した有機電界発光素子1aと同様に、第1機能層31と、第2機能層32とをさらに含むようにしてもよい。また、基板60と、マイクロレンズ90とをさらに含むようにしてもよい。
前述した有機電界発光素子1gにおいては、複数の光取り出し部80aは、第2電極20の反射層50が設けられる側の面21に設けられている。
これに対して、本実施の形態に係る有機電界発光素子1hにおいては、複数の光取り出し部80bは、反射層50の光学バッファ層40が設けられる側の面51に設けられている。複数の光取り出し部80bは、面51から光学バッファ層40の内部に向けて突出している。複数の光取り出し部80bは、互いに離隔して設けられている。
光取り出し部80bは、有機発光層30の第2電極20が設けられる側の面が伸びる方向と交差する方向に沿った斜面80b1を有している。
この場合、有機発光層30の第2電極20が設けられる側の面が伸びる方向と、斜面80b1が伸びる方向とが直交しないようにすることが好ましい。
複数の光取り出し部80bは、反射層50と同じ材料から形成することができる。
反射層50は、光学バッファ層40の面41を覆うように設けられている。
有機発光層30内の発光位置33で発生し、光取り出し部80bの斜面80b1に入射した光は、光取り出し部80bの斜面80b1により反射される。光取り出し部80bの斜面80b1により反射された光は、前述した外部モード成分L1となりやすくなる。その結果、光取り出し効率を向上させることができる。
光取り出し部80bの断面形状が三角形の場合を例示したが、これに限定されるわけではない。例えば、光取り出し部80bの断面形状は、台形などとすることもできる。
また、斜面80b1が平面の場合を例示したが、これに限定されるわけではない。例えば、斜面80b1は、曲面などとすることもできる。この場合、光取り出し部80bの断面形状は、半円、半楕円などとすることもできる。
図15(a)、(b)、および、図16は、複数の光取り出し部80bの形成方法を例示する模式図である。
まず、図15(a)に示すように、複数の光取り出し部80bを形成するための複数の溝42が設けられた膜状の光学バッファ層40を予め形成し、第2電極20の有機発光層30が設けられる側とは反対側の面に貼り付ける。
次に、図15(b)に示すように、光学バッファ層40の複数の溝42が設けられた側の面を覆うように反射層50を形成する。反射層50を形成する際に、反射層50を形成するための材料により複数の溝42が埋め込まれることで、複数の光取り出し部80bを形成することができる。反射層50の形成は、既知の成膜法を用いて行うことができる。
また、図16に示すように、光学バッファ層40の第2電極20側が設けられる側とは反対側の面に、複数の光取り出し部80bを形成するための複数の溝42を形成する。そして、光学バッファ層40の複数の溝42が設けられた側の面を覆うように反射層50を形成する。反射層50を形成する際に、反射層50を形成するための材料により複数の溝42が埋め込まれることで、複数の光取り出し部80bを形成することができる。反射層50の形成は、既知の成膜法を用いて行うことができる。
その後、反射層50と、複数の光取り出し部80bと、光学バッファ層40とを、第2電極20の有機発光層30が設けられる側とは反対側の面に設けるようにすることができる。
図15(a)、(b)、および、図16に例示をした形成方法によれば、反射層50の光学バッファ層40が設けられる側の面51に複数の光取り出し部80bを容易に設けることができる。
[第9の実施形態]
図17は、第9の実施形態に係る有機電界発光素子1iを例示する模式図である。
図17に示すように、有機電界発光素子1iは、第1電極10と、第2電極20と、有機発光層30と、光学バッファ層40と、導電性材料を含む反射層50と、導電性材料を含む光取り出し部80bとを含む。なお、前述した有機電界発光素子1aと同様に、第1機能層31と、第2機能層32とをさらに含むようにしてもよい。また、基板60と、マイクロレンズ90とをさらに含むようにしてもよい。
前述した有機電界発光素子1hにおいては、複数の光取り出し部80bは、反射層50の光学バッファ層40が設けられる側の面51に設けられている。この場合、複数の光取り出し部80bは、光学バッファ層40の反射層50側に設けられている。
これに対して、本実施の形態に係る有機電界発光素子1iにおいては、光取り出し部80bの先端部80b2が第2電極20に到達している。すなわち、反射層50と第2電極20とが、光取り出し部80bを介して電気的に接続されている。そのため、反射層50を補助電極として用いることができる。
第2電極20の電気抵抗を充分に低いものとすることができない場合がある。第2電極20の電気抵抗が高くなると、外部電源との接続部分から近い部分と遠い部分との間における電位差が大きくなるおそれがある。外部電源との接続部分から近い部分と遠い部分との間における電位差が大きくなると、輝度ムラが生じるおそれがある。
本実施の形態においては、反射層50を補助電極として用いることができるので、外部電源との接続部分から近い部分と遠い部分との間における電位差が小さくなるようにすることができる。そのため、輝度ムラを抑制することができる。
なお、図17においては、各光取り出し部80bの先端部80b2が第2電極20に到達している場合を例示したが、これに限定されるわけではない。輝度ムラが生じる領域に設けられた光取り出し部80bの先端部80b2が第2電極20に到達するようにしてもよい。
また、前述した有機電界発光素子1、1a〜1fなどにおいても、反射層50が導電性材料を含み、反射層50の一部が第2電極20と接しているようにすることができる。例えば、反射層50と、第2電極20との間に柱状の導電体を設けて、反射層50と、第2電極20とを電気的に接続するようにしてもよい。
[第10の実施形態]
図18は、第10の実施形態に係る有機電界発光素子1jを例示する模式図である。
図19(a)、(b)は、光路制御層65の作用を例示するための模式図である。
なお、図19(a)は、光路制御層65が設けられていない場合を例示するための模式図である。図19(b)は、光路制御層65が設けられている場合を例示するための模式図である。
図18に示すように、有機電界発光素子1jは、第1電極10と、第2電極20と、有機発光層30と、光学バッファ層40と、反射層50と、光取り出し部80bと、光路制御層65とを含む。なお、前述した有機電界発光素子1aと同様に、第1機能層31と、第2機能層32とをさらに含むようにしてもよい。また、基板60と、マイクロレンズ90とをさらに含むようにしてもよい。
すなわち、有機電界発光素子1jは、前述した有機電界発光素子1hにおいて、第1電極10と基板60との間にさらに光路制御層65を設けた場合である。
図19(a)に示すように、光路制御層65が設けられていない場合には、基板60と、反射層50と、の間を反射しながら光が伝搬する。
図19(b)に示すように、光路制御層65が設けられている場合にも、基板60と、反射層50と、の間を反射しながら光が伝搬する。ところが、光路制御層65が設けられている場合には、基板60と、反射層50と、の間の距離が光路制御層65の厚み寸法分だけ長くなる。そのため、基板60と、反射層50と、の間における反射回数を少なくすることができる。反射回数を少なくすることができれば、反射による損失を少なくすることができる。その結果、光取り出し効率を向上させることができる。
光路制御層65は、有機発光層30から放出された光に対して透過性を有する。
光路制御層65の材料は、有機発光層30から放出された光に対して透過性があれば特に限定はない。ただし、光路制御層65の屈折率は、有機発光層30の屈折率よりも高くなるようにすることが好ましい。
光路制御層65の厚み寸法は、基板60と、反射層50と、の間に設けられる各層の厚み寸法や屈折率などに応じて適宜設定することができる。
図18においては、前述した有機電界発光素子1hに光路制御層65を設ける場合を例示したが、これに限定されるわけではない。例えば、前述した有機電界発光素子1、1a〜1g、1iなどにおいても光路制御層65を設けることができる。
図20は、光取り出し効率を例示するためのグラフ図である。
図20は、No.1〜No.4に示す構成における光取り出し効率のシミュレーション結果の例を表したものである。
図20の縦軸は、光取り出し効率である。
No.1に示す構成は、比較例に係る有機電界発光素子の場合であり、光取り出し部80が設けられていない場合である。
No.2に示す構成は、前述した有機電界発光素子1の場合であり、マイクロレンズ90が設けられていない場合である。
No.3に示す構成は、No.2に示す構成にさらに複数のマイクロレンズ90を設けた場合である。
No.4に示す構成は、前述した有機電界発光素子1fの場合であり、マイクロレンズ90が設けられていない場合である。
シミュレーションの条件は、以下のようにした。
基板60は、厚み寸法が700マイクロメートル(μm)、屈折率が1.5とした。
第1電極10は、厚み寸法が100ナノメートル(nm)、屈折率が1.8とした。
有機発光層30は、厚み寸法が100ナノメートル(nm)、屈折率が1.8とした。
No.1〜No.3における光学バッファ層40は、厚み寸法が100マイクロメートル(μm)、屈折率が1.0とした。すなわち、No.1〜No.3における光学バッファ層40は、空気からなるものとした。
No.4における光学バッファ層40は、厚み寸法が100マイクロメートル(μm)、屈折率が1.8とした。
第2電極20は、厚み寸法が5ナノメートル(nm)とした。
第1電極10をITOからなるものとし、第2電極20をAgからなるものとし、反射層50をAgからなるものとし、有機発光層30内の発光位置33で発生した光の波長を525ナノメートル(nm)とした。
マイクロレンズ90は、直径寸法が30マイクロメートル(μm)の半球状とし、六方最密充填されているものとした。なお、充填率は82%である。
No.2、No.3における光取り出し部80は、立方体状とし、一辺の長さ寸法は50マイクロメートル(μm)とした。光取り出し部80同士の間の距離は、50マイクロメートル(μm)とした。また、光取り出し部80の屈折率は、1.8とした。光取り出し部80の配置は、格子状とした。
No.4における光取り出し部80aは、正四角錐状とし、底面における一辺の長さ寸法は80マイクロメートル(μm)とした。高さ寸法は、60マイクロメートル(μm)とした。光取り出し部80a同士の間の距離は、80マイクロメートル(μm)とした。また、光取り出し部80aの屈折率は、1.8とした。光取り出し部80aの配置は、格子状とした。
図20中のNo.2、No.4に示すように、光取り出し部80、80aを設けるようにすれば、光取り出し部が設けられていないNo.1に示すものに比べて、光取り出し効率を向上させることができる。
また、図20中のNo.3に示すように、複数のマイクロレンズ90をさらに設けるようにすれば、光取り出し効率をさらに向上させることができる。
なお、以上の第1〜第10の実施形態に記載した有機電界発光素子は、発光装置に用いることができる。第1〜第10の実施形態に記載した有機電界発光素子を有する発光装置は、輝度が高い。後述するように、発光装置は、有機電界発光素子を有する発光部の他に、駆動部や制御部を有していても良い。
図21は、発光装置11を例示するための模式図である。
図21に示すように、発光装置11には、発光部11a、駆動部11b、制御部11cが設けられている。
発光部11aは、前述した有機電界発光素子を複数有している。有機電界発光素子の配設形態には特に限定がない。例えば、図21に例示をしたように規則的な配置とすることもできるし、規則的ではない任意の配置とすることもできる。また、有機電界発光素子の数も例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。有機電界発光素子は1つであっても良い。
駆動部11bは、例えば、有機電界発光素子毎、あるいはすべての有機電界発光素子に電流を印加する駆動回路を有したものとすることができる。
例えば、発光装置11が表示装置である場合には、駆動部11bは、有機電界発光素子毎に電流を印加するものとすることができる。
また、例えば、発光装置11が照明装置である場合には、駆動部11bは、すべての有機電界発光素子に電流を印加するものとすることができる。
なお、駆動部11aによる駆動の形態は、例示をしたものに限定されるわけではなく、発光装置11の用途などに応じて適宜変更することができる。
制御部11cは、例えば、駆動部11bを制御する制御回路を有したものとすることができる。
なお、前述した有機電界発光素子以外の要素には、既知の技術を適用することができる。そのため、発光部11a、駆動部11b、制御部11cに関する詳細な説明は省略する。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
1 有機電界発光素子、1a〜1i 有機電界発光素子、10 第1電極、20 第2電極、30 有機発光層、40 光学バッファ層、40a 界面、40b 界面、40c 界面、44 空間、50 反射層、60 基板、65 光路制御層、80 光取り出し部、80a 光取り出し部、80a1 斜面、80b 光取り出し部、80b1 斜面、80b2 先端部

Claims (9)

  1. 第1電極と、
    前記第1電極と対峙して設けられた反射層と、
    前記第1電極と、前記反射層と、の間に設けられた有機発光層と、
    前記有機発光層と、前記反射層と、の間に設けられた第2電極と、
    前記第2電極と、前記反射層と、の間に設けられた光学バッファ層と、
    前記光学バッファ層の前記第2電極が設けられる側、前記光学バッファ層の前記反射層が設けられる側、および、前記光学バッファ層の内部の少なくともいずれかに設けられ、前記光学バッファ層の屈折率とは異なる屈折率を有する複数の光取り出し部と、
    を備えた有機電界発光素子。
  2. 前記複数の光取り出し部は、前記第2電極と、前記有機発光層と、の間に設けられ、前記光学バッファ層の前記第2電極が設けられる側から前記光学バッファ層の内部に向けて突出している請求項1記載の有機電界発光素子。
  3. 前記複数の光取り出し部は、前記光学バッファ層の内部に分散して設けられている請求項1記載の有機電界発光素子。
  4. 第1電極と、
    前記第1電極と対峙して設けられた反射層と、
    前記第1電極と、前記反射層と、の間に設けられた有機発光層と、
    前記有機発光層と、前記反射層と、の間に設けられた第2電極と、
    前記第2電極の前記反射層が設けられる側の面から前記第2電極の外部に向けて突出し、互いに離隔して設けられた複数の光取り出し部と、
    を備えた有機電界発光素子。
  5. 前記第2電極と、前記反射層と、の間に設けられた光学バッファ層をさらに備え、
    前記複数の光取り出し部は、前記光学バッファ層の前記反射層が設けられる側の面から前記光学バッファ層の外部に向けて突出している請求項4記載の有機電界発光素子。
  6. 第1電極と、
    前記第1電極と対峙して設けられた反射層と、
    前記第1電極と、前記反射層と、の間に設けられた有機発光層と、
    前記有機発光層と、前記反射層と、の間に設けられた第2電極と、
    前記第2電極と、前記反射層と、の間に設けられた光学バッファ層と、
    前記反射層の前記光学バッファ層が設けられる側の面から前記光学バッファ層の内部に向けて突出し、互いに離隔して設けられた複数の光取り出し部と、
    を備えた有機電界発光素子。
  7. 前記第1電極の前記有機発光層が設けられる側とは反対側に設けられ、前記有機発光層の屈折率よりも高い屈折率を有する光路制御層をさらに備えた請求項1〜6のいずれか1つに記載の有機電界発光素子。
  8. 前記反射層は、導電性材料を含み、一部が前記第2電極と接している請求項1〜7のいずれか1つに記載の有機電界発光素子。
  9. 請求項1〜請求項8のいずれか1つに記載の有機電界発光素子と、
    前記有機電界発光素子に電流を印加する駆動部と、
    前記駆動部を制御する制御部と、
    を備えた発光装置。
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EP13783686.2A EP2898557A1 (en) 2012-09-24 2013-09-20 Organic electroluminescent element and light emitting device
KR20157006831A KR20150046158A (ko) 2012-09-24 2013-09-20 유기 전계 발광 소자 및 발광 장치
TW102134297A TW201417368A (zh) 2012-09-24 2013-09-24 有機電場發光元件及發光裝置
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160081105A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 삼성디스플레이 주식회사 광효율 개선층을 구비한 유기 발광 소자
US9425432B2 (en) 2012-09-25 2016-08-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent element and light emitting device with optical path control layer
JP2018523722A (ja) * 2015-07-17 2018-08-23 日産化学株式会社 有機電子デバイスに使用するのに適した金属ナノ粒子を含有する非水性インク組成物
JPWO2017149772A1 (ja) * 2016-03-04 2018-12-27 パイオニア株式会社 発光装置および発光システム

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101413461B1 (ko) * 2012-10-31 2014-07-01 에스에프씨 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조방법
US10991915B2 (en) * 2016-01-29 2021-04-27 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Organic light-emitting diodes comprising grating structures and light extraction layers
CN109697954B (zh) * 2019-03-06 2020-12-01 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其亮度补偿方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012235A (ja) * 1998-06-23 2000-01-14 Casio Comput Co Ltd El素子
JP2003332067A (ja) * 2002-05-14 2003-11-21 Casio Comput Co Ltd 発光パネル
JP2006107745A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Toshiba Corp 有機el表示装置
JP2006147521A (ja) * 2004-11-23 2006-06-08 Samsung Sdi Co Ltd 有機el表示素子及びその製造方法
JP2008210665A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Canon Inc 有機発光素子及びそれを用いた表示装置
JP2009111023A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機el表示装置及びその製造方法
JP2009187748A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置
JP2009216862A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Toshiba Corp 発光装置用光取り出し層、およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2009131019A1 (ja) * 2008-04-22 2009-10-29 日本ゼオン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス光源装置
JP2010080738A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機el表示装置及びその製造方法
JP2010182449A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Fujifilm Corp 有機el表示装置
JP2011155002A (ja) * 2009-12-28 2011-08-11 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機el素子および有機elパネル
JP2011233288A (ja) * 2010-04-26 2011-11-17 Konica Minolta Holdings Inc 有機発光素子
JP2012109262A (ja) * 2012-01-30 2012-06-07 Japan Display Central Co Ltd 発光装置
JP2012146641A (ja) * 2010-12-24 2012-08-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び照明装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6660411B2 (en) 2000-09-20 2003-12-09 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
JP2002110361A (ja) 2000-09-27 2002-04-12 Seiko Epson Corp 発光装置
US6833667B2 (en) 2002-02-27 2004-12-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and image forming apparatus or portable terminal unit using thereof
KR100844803B1 (ko) 2002-11-19 2008-07-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
JP2005063840A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 自発光表示装置及び有機el表示装置
WO2005094130A1 (ja) 2004-03-26 2005-10-06 Matsushita Electric Works, Ltd. 有機発光素子
JP2006092936A (ja) 2004-09-24 2006-04-06 Toyota Industries Corp 有機el装置
US20080012471A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-17 Eastman Kodak Company Oled device having improved light output
WO2010128439A1 (en) 2009-05-08 2010-11-11 Koninklijke Philips Electronics N. V. Electroluminescent device
JPWO2011016086A1 (ja) 2009-08-05 2013-01-10 株式会社東芝 有機電界発光素子およびその製造方法
KR20110134174A (ko) 2010-06-08 2011-12-14 미래나노텍(주) 유기 발광 다이오드
JP2012186107A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Toshiba Corp 有機電界発光素子及び照明装置
JP6062636B2 (ja) 2011-03-10 2017-01-18 ローム株式会社 有機el装置

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012235A (ja) * 1998-06-23 2000-01-14 Casio Comput Co Ltd El素子
JP2003332067A (ja) * 2002-05-14 2003-11-21 Casio Comput Co Ltd 発光パネル
JP2006107745A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Toshiba Corp 有機el表示装置
JP2006147521A (ja) * 2004-11-23 2006-06-08 Samsung Sdi Co Ltd 有機el表示素子及びその製造方法
JP2008210665A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Canon Inc 有機発光素子及びそれを用いた表示装置
JP2009111023A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機el表示装置及びその製造方法
JP2009187748A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置
JP2009216862A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Toshiba Corp 発光装置用光取り出し層、およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2009131019A1 (ja) * 2008-04-22 2009-10-29 日本ゼオン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス光源装置
JP2010182677A (ja) * 2008-04-22 2010-08-19 Nippon Zeon Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス光源装置
JP2010080738A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機el表示装置及びその製造方法
JP2010182449A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Fujifilm Corp 有機el表示装置
JP2011155002A (ja) * 2009-12-28 2011-08-11 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機el素子および有機elパネル
JP2011233288A (ja) * 2010-04-26 2011-11-17 Konica Minolta Holdings Inc 有機発光素子
JP2012146641A (ja) * 2010-12-24 2012-08-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び照明装置
JP2012109262A (ja) * 2012-01-30 2012-06-07 Japan Display Central Co Ltd 発光装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9425432B2 (en) 2012-09-25 2016-08-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent element and light emitting device with optical path control layer
KR20160081105A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 삼성디스플레이 주식회사 광효율 개선층을 구비한 유기 발광 소자
KR102396300B1 (ko) 2014-12-30 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 광효율 개선층을 구비한 유기 발광 소자
JP2018523722A (ja) * 2015-07-17 2018-08-23 日産化学株式会社 有機電子デバイスに使用するのに適した金属ナノ粒子を含有する非水性インク組成物
US10385229B2 (en) 2015-07-17 2019-08-20 Nissan Chemical Industries, Ltd. Non-aqueous ink compositions containing metallic nanoparticles suitable for use in organic electronics
JPWO2017149772A1 (ja) * 2016-03-04 2018-12-27 パイオニア株式会社 発光装置および発光システム

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