JP2015222658A - 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光の取り出し効率を向上させた有機ＥＬ素子を実現できるようにする。【解決手段】有機ＥＬ素子は、基板１０１の主面上に、基板１０１側から順次設けられた、第１電極層１１０、有機発光層１２０、及び第２電極層１３０を含む機能層１０３を備えている。機能層１０３は、主面と並行な複数の平坦部１０３Ａと、平坦部１０３Ａの間に設けられ主面に対して傾斜した複数の傾斜部１０３Ｂとを有し、傾斜部１０３Ｂは、機能層１０３内を伝播する光を主面と交差する方向に反射する。【選択図】図１

Description

本開示は、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び表示装置に関する。

近年、自発型発光素子として、有機層を一対の電極で挟持した構造の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関する研究開発が活発に行われている。有機ＥＬ素子は、全反射効果による光の閉じ込め作用という特徴的な光学現象を有している。このため、有機層から放出される光エネルギーの多くが素子の内部に閉じ込められてしまうという問題がある。

素子内部に閉じ込められた光を取り出すために、種々の検討が行われている。例えば、特許文献１においては、発光部と基板との間に凹凸面を形成することにより、導波光を基板の外に取り出すことが検討されている。

また、特許文献２においては、隔壁部分に反射部を設け、素子内を伝播する光を隔壁部において反射させて素子の外に取り出すことが検討されている。

特開２００３−２９７５７２号公報 特開２０１３−１２２８３５号公報

特許文献１の構成は、光を散乱させる層を発光層の上側に配置することになるため、ディスプレイ用途には適さないという問題がある。光を散乱する層を形成すると、ディスプレイ用途において通常用いられる円偏光板による反射防止膜を配置しても、円偏向が散乱されてしまう。このため、反射光が十分に吸収されなくなり、外光下における視認性が大きく低下してしまう。従って、ディスプレイ用途として使用することは困難であるという問題がある。

特許文献２の構成では、画素のサイズが大きくなると、隔壁に到達するまでに導波光の多くが吸収されてしまい、光の取り出し効率を十分に向上させることができないという問題がある。近年、テレビ用途等において画素のサイズが大きくなる傾向にあり、この問題の重要性が高くなっている。

本開示は、前記の問題を解決し、光の取り出し効率を向上させた有機ＥＬ素子を実現できるようにすることを目的とする。

有機ＥＬ素子の一態様は、基板の主面上に、基板側から順次設けられた、第１電極層、有機発光層、及び第２電極層を含む機能層を備え、機能層は、主面と並行な平坦部と、平坦部の間に設けられ主面に対して傾斜した傾斜部とを有し、傾斜部は、機能層内を伝播する光を主面と交差する方向に反射する。

有機ＥＬ素子の一態様において、傾斜部は、平坦部を囲むように配置されていてもよい。

有機ＥＬ素子の一態様において、平坦部は、第１の部分と、第１の部分よりも高い位置に設けられた第２の部分とを有し、傾斜部は、第１の部分と第２の部分との間に設けられていてもよい。

有機ＥＬ素子の一態様において、第１の部分と第２の部分とは、交互に配置されていてもよい。

有機ＥＬ素子の一態様は、基板の主面上に設けられた凸部をさらに備え、機能層は、凸部を覆うように形成され、傾斜部は、凸部の側面に形成されていてもよい。

この場合において、凸部は、絶縁性材料により形成されていてもよい。

また、導電性材料により形成されていてもよい。

この場合において、凸部は、第１電極層と一体としてもよい。

有機ＥＬ素子の一態様において、傾斜部は、基板の主面に対する平均傾斜角が２０°以上、８０°以下とすることができる。

有機ＥＬ素子の一態様において、傾斜部における段差の高さは、有機発光層の厚さよりも大きくすることができる。

有機ＥＬ素子の一態様において、平坦部は、マイクロキャビティ構造としてもよい。

表示装置の一態様は、本開示の有機エレクトロルミネッセンス素子を複数備えている。

表示装置の一態様は、偏光板と、４分の１波長の位相差を有する位相差板とを含む円偏光板とをさらに備えていてもよい。また、偏光板と、２分の１波長の位相差を有する位相差板及び４分の１波長の位相差を有する位相差板とを含む円偏光板とをさらに備えていてもよい。

本開示の有機ＥＬ素子によれば、光の取り出し効率を向上させることができる。

（ａ）及び（ｂ）は有機ＥＬ素子の一例を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩｂ−Ｉｂ線における断面図である。 有機ＥＬ素子の変形例を示す断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は有機ＥＬ素子の変形例を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のIIIｂ−IIIｂ線における断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は有機ＥＬ素子の変形例を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のIVｂ−IVｂ線における断面図である。 表示装置の一例を示す断面図である。 実施例１の結果を示す図である。 実施例２の結果を示す図である。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子１００を示している。有機ＥＬ素子１００は、基板１０１の上に層間絶縁膜１０２を介在させて設けられた機能層１０３を有している。機能層１０３は、基板１０１側から順次設けられた第１電極層１１０、有機発光層１２０及び第２電極層１３０を含む。本実施形態においては、第１電極層１１０がアノード電極であり、第２電極層１３０がカソード電極である例を示す。また、基板１０１と反対側（上方）に光を取り出すトップエミッション構造の素子である例を示す。但し、ボトムエミッション構造とすることもできる。なお、図示していないが層間絶縁膜１０２と基板１０１との間には、有機ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタ層が設けられている。

第１電極層１１０は、光反射性を有する材料により形成することができる。例えば、反射層１１１を透明金属層１１２及び１１３で挟んだ積層体とすることができる。このような構成とすることにより、反射率を高くすることができる。反射層１１１は例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）層等とすることができる。反射層１１１の厚さは、例えば５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすることができる。透明金属層１１２及び１１３は、例えば酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）層等とすることができる。透明金属層１１２及び１１３の厚さは、例えば５０ｎｍ〜３００ｎｍとすることができる。透明金属層１１２及び１１３は、同じ材料により形成しても、異なる材料により形成してもよい。また、透明金属層１１２及び１１３は設けなくてもよく、反射層１１１の一方のみに透明金属層を設けてもよい。

有機発光層１２０は、第１電極層１１０側から順次設けられた、ホール輸送層１２２、有機層１２１及び電子輸送層１２３を含む。ホール輸送層１２２及び電子輸送層１２３は必要に応じて設ければよい。また、ホール輸送層１２２と第１電極層１１０との間に、ホール注入層を設けてもよい。電子輸送層１２３と第２電極層１３０との間に電子注入層を設けてもよい。これらの層を設けることにより電荷の注入性を向上させることができる。

有機層１２１は、有機発光材料を含む層であり、第１電極層１１０から注入されたホールと第２電極層１３０から注入された電子とが再結合して、有機発光材料を励起することにより発光する。有機発光材料としては既知の材料を用いることができる。例えば、特開２００５−１７４７１７号公報等に記載の材料等を用いることができる。有機層１２１の厚さは、例えば１５ｎｍ〜２００ｎｍ程度とすることができる。

ホール輸送層１２２は、第１電極層１１０から注入されたホールを有機層１２１に効率良く注入する機能を有する。ホール輸送層１２２は、ホール輸送性を有する有機材料により形成することができる。ホール輸送性を有する有機材料としては、既知の材料を用いることができる。例えば、特開２００５−１７４７１７号公報等に記載の材料等を用いることができる。ホール輸送層１２２の厚さは、例えば１５ｎｍ〜３００ｎｍ程度とすることができる。

電子輸送層１２３は、第２電極層１３０から注入された電子を有機層１２１に効率良く注入する機能を有する。電子輸送層１２３は電子輸送性を有する有機材料により形成することができる。電子輸送性を有する有機材料としては、既知の材料を用いることができる。例えば、特開２００５−１７４７１７号公報等に記載の材料等を用いることができる。電子輸送層１２３の厚さは、例えば１５ｎｍ〜３００ｎｍとすることができる。

第２電極層１３０は、光透過性を有する材料により形成することができる。例えばマグネシウム（Ｍｇ）とＡｇとの合金からなる薄膜により形成することができる。第２電極層１３０の厚さは、例えば、５ｎｍ〜１００ｎｍ程度とすることができる。

第２電極層１３０の上に、キャップ層１３２を設けることができる。キャップ層１３２は、例えばポリアセチレン等の有機膜又は窒化シリコン（ＳｉＮ）若しくは酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）等の無機膜とすることができる。キャップ層１３２の厚さは、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度とすることができる。

機能層１０３は、基板１０１の主面と並行な平坦部１０３Ａと、基板１０１の主面に対して傾斜した傾斜部１０３Ｂとを有している。本実施形態の有機ＥＬ素子１００は、第１電極層１１０を構成する反射層１１１が他の部分よりも厚い凸部１１１ａを有しており、傾斜部１０３Ｂは、凸部１１１ａの側面により形成されている。従って、１つの凸部１１１ａにより少なくとも２つの傾斜部１０３Ｂが形成される。また、凸部１１１ａは、平坦部１０３Ａの間に形成される。有機ＥＬ素子１００においては、傾斜部１０３Ｂにおいても、第１電極層１１０、有機発光層１２０及び第２電極層１３０を含む積層構造が形成されており、平坦部１０３Ａだけでなく傾斜部１０３Ｂにおいても発光が生じる。しかし、効率良く光を取り出せることができる平坦部１０３Ａを有効発光領域として説明する。

平坦部１０３Ａにおける有機発光層１２０において発光した光の一部は、上方に取り出される。しかし、残りは機能層１０３内に閉じ込められ、平坦部１０３Ａ内を伝播する。傾斜部１０３Ｂは反射面として機能するため、平坦部１０３Ａ内を伝播する光が傾斜部１０３Ｂに入射すると、少なくとも一部は上方に反射し、機能層１０３の外に取り出される。傾斜部１０３Ｂは、入射した光が取り出される方向に反射されるように、平均傾斜角を設定すればよい。例えば、基板１０１の主面とのなす角の平均値を２０°〜８０°程度とすることができ、４０°〜６０°程度とすることが好ましい。

効率良く光を反射させるために、傾斜部１０３Ｂによって機能層１０３に生じる段差の高さｈを、有機発光層１２０の膜厚以上とすることができる。このようにすれば、傾斜部１０３Ｂにおける第１電極層１１０の上端が、平坦部１０３Ａにおける有機発光層１２０の上端よりも上側となり、平坦部１０３Ａにおいて有機発光層１２０内を伝播する光は、傾斜部１０３Ｂにおいて第１電極層１１０に入射する。具体的には、有機発光層１２０の膜厚にもよるが、段差の高さｈは数１００ｎｍ程度とすることができる。

傾斜部１０３Ｂは、図１（ａ）に示すように平坦部１０３Ａを囲むように配置することができる。これにより、平坦部１０３Ａ内に閉じ込められた光を効率良く上方に取り出すことが可能となる。傾斜部１０３Ｂ同士の間隔ｄを狭くした方が、傾斜部１０３Ｂに到達せずに機能層１０３内で吸収されてしまう光を少なくすることができる。有効発光領域の面積を大きくするという観点からは、傾斜部１０３Ｂ同士の間隔ｄをある程度広くした方がよい。傾斜部１０３Ｂ同士の間隔ｄは特に限定されないが、３μｍ〜１０μｍ程度、好ましくは３μｍ〜５μｍ程度とすることができる。このような構成とすることにより、有効発光領域を確保しつつ、傾斜部１０３Ｂに到達する前に平坦部１０３Ａ内で吸収される光を低減して、効率良く光の取り出しができる。

図１（ａ）には平坦部１０３Ａが正方形状であり傾斜部１０３Ｂが正方格子状となるように配置されている例を示したが、平坦部１０３Ａが長方形状であり傾斜部１０３Ｂを長方格子状に配置することもできる。また、平坦部１０３Ａを三角形状とし傾斜部１０３Ｂを三角格子状に配置したり、平坦部１０３Ａを六角形状とし傾斜部１０３Ｂを六角格子状に配置したりすることもできる。

図１（ａ）においては、傾斜部１０３Ｂを構成する凸部１１１ａが縦方向及び横方向にそれぞれ独立している例を示しているが、縦方向及び横方向の少なくとも一方向に連続した凸部１１１ａが形成されていてもよい。また、有機ＥＬ素子の大きさ及び形状によっては、縦方向及び横方向のいずれか一方のみに凸部１１１ａが形成されている構成とすることもできる。

凸部１１１ａの幅は、有機発光層１２０の膜厚及び傾斜部１０３Ｂの平均傾斜角度等を考慮して決定すればよいが、１μｍ程度とすることができる。幅が１μｍ程度の凸部１１１ａは、特に限定されないがインクジェット法により形成することができる。例えば、まず膜厚が一定な反射層１１１を形成し、その後インクジェット法により金属ペーストを選択的に塗布し、硬化させることにより選択的に凸部１１１ａを形成することができる。凸部１１１ａは反射層１１１と同じ材料により形成することができる。例えば、反射層１１１をＡｇ層とする場合にはＡｇペーストを用いて凸部１１１ａを形成すればよい。反射層１１１と凸部１１１ａとを異なる金属材料により形成してもよい。また、反射層１１１ではなく、透明金属層１１２に凸部を設けてもよい。さらに、図２に示すように、第１電極層１１０と基板１０１との間に凸部１１７を設ける構成としてもよい。この場合凸部１１７に絶縁性の材料を用いることができる。

有機ＥＬ素子は、図３（ａ）及び（ｂ）に示すような構成とすることもできる。図３（ａ）及び（ｂ）に示す有機ＥＬ素子１００Ａは、平坦部１０３Ａが、第１の部分１０５と基板１０１の主面に対して第１の部分１０５よりも高い位置に設けられた第２の部分１０６とを有している。傾斜部１０３Ｂは第１の部分１０５と第２の部分１０６との間に設けられている。第１の部分１０５と第２の部分１０６とは交互に設けることができる。

傾斜部１０３Ｂは、第１電極層１１０と基板１０１との間に設けられた凸部１１８の側面に形成されている。第２の部分１０６Ｃは、凸部１１８の上面に形成されている。第１の部分１０５において発光し、機能層１０３内に閉じ込められた光は、傾斜部１０３Ｂにおいて反射され、上方に取り出される。一方、第２の部分１０６において発光し、機能層１０３内に閉じ込められた光も、傾斜部１０３Ｂにおいて屈折又は反射され、上方に取り出される。このため、有機ＥＬ素子１００Ａは、第１の部分１０５だけでなく第２の部分１０６も有効発光領域として利用することができる。

第２の部分１０６を設ける場合には、凸部１１８の幅を３μｍ〜５μｍ程度とすることができる。このようなサイズの凸部１１８は、フォトリソグラフィを用いて容易に形成することができる。例えば、凸部１１８を感光性の有機材料を用いて形成することができる。感光性の有機材料としては、アクリル、ノボラック又はポリイミド等を用いることができる。また、凸部１１８は無機材料膜をパターニングすることにより形成することもできる。例えば、層間絶縁膜１０２の上に無機材料膜を形成した後、フォトリソグラフィによりレジストマスクを形成し、ドライエッチングを行い凸部１１８を形成することができる。無機材料膜としては、酸化シリコン膜等を用いることができる。

凸部１１８を第１電極層１１０と基板１０１との間に設ける例を示したが、第１電極層１１０に凸部を設けてもよい。例えば、反射層１１１に凸部を設けてもよい。

図３（ａ）には、第１の部分１０５と第２の部分１０６とが共に正方形状である例を示したが、長方形状としたり、三角形状としたり、六角形状としたりすることもできる。第１の部分１０５と第２の部分１０６とは同じ形状でなくてもよい。また、第１の部分１０５と第２の部分１０６とは同じサイズでなくてもよい。

第１の部分１０５と第２の部分１０６とを設け、第１の部分１０５と第２の部分１０６との間に傾斜部１０３Ｂを設ける例を示した。しかし、図４に示すように、第１の部分１０５を設けない構成とすることもできる。また、第１の部分１０５と第２の部分１０６とが設けられた領域と、第１の部分１０５又は第２の部分１０６だけが設けられた領域とが混在している構成とすることもできる。

有機ＥＬ素子１００及び有機ＥＬ素子１００Ａにおいて、機能層１０３を構成する各層の屈折率及び膜厚を調整して、平坦部１０３Ａが光学的微小共振器（マイクロキャビティ）となるようにすることができる。平坦部１０３Ａをマイクロキャビティとすることにより、輝度及び色再現性の向上という利点が得られる。

図５は、本実施形態の表示装置２００を示している。本実施形態の表示装置２００は、画素として本実施形態の有機ＥＬ素子１００を複数有している。具体的に、基板１０１の上に、層間絶縁膜１０２を介して、機能層１０３を有する有機ＥＬ素子１００が複数設けられている。有機ＥＬ素子１００は、隔壁層２０１により分離されている。有機ＥＬ素子１００は、細部を省略して図示しているが、先に説明した、機能層１０３が平坦部１０３Ａと傾斜部１０３Ｂとを有する構成である。なお、有機ＥＬ素子１００に代えて、平坦部１０３Ａが第１の部分１０５及び第２の部分１０６を有する有機ＥＬ素子１００Ａ又は他の変形例に係る有機ＥＬ素子とすることもできる。

層間絶縁膜１０２と基板１０１との間には、有機ＥＬ素子１００を駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２０２が設けられている。ＴＦＴ２０２は例えば、基板１０１の上に設けられたゲート電極２１１と、ゲート電極２１１を覆うゲート絶縁膜２１２と、ゲート絶縁膜２１２の上に設けられた半導体層２１３と、半導体層２１３の上に設けられたソース電極２１４及びドレイン電極２１５とを有している。ソース電極２１４はコンタクトホール２１８を介して有機ＥＬ素子の第１電極層１１０と接続されている。ＴＦＴ２０２は、ポリシリコンＴＦＴとすることができるが、アモルファスシリコンＴＦＴ又は酸化物半導体ＴＦＴ等とすることもできる。

層間絶縁膜１０２と基板１０１との間には、図示していないが、書き込み用のトランジスタ、信号線、走査線及び電源線等も設けられている。

層間絶縁膜１０２は、有機絶縁膜とすることができる。例えば、ノボラック、アクリル又はポリイミド等を用いることができる。基板１０１は、絶縁性を有する基板であればよく、ガラス基板又は樹脂基板等とすることができる。無アルカリガラス基板としてもよい。隔壁層２０１はポリイミド等とすることができる。

有機ＥＬ素子１００は、隔壁層２０１に設けられた開口部に設けられている。機能層１０３の第１電極層１１０以外の層は、隔壁層２０１の側面及び開口部周囲の上面を覆う。第２電極層１３０及びキャップ層１３２は、隣接する有機ＥＬ素子１００と一体に形成されている。隔壁層２０１の側面は、光を上方に反射する構成としてもよい。これにより、光の取り出し効率をさらに高くすることができる。

基板１０１と対向するように封止基板２０４を配置し、有機ＥＬ素子１００を封止することができる。封止基板２０４はガラス基板又は樹脂基板等とすることができる。封止基板２０４と有機ＥＬ素子１００との間は空気層とすることができる。封止基板２０４と有機ＥＬ素子１００との間に、透明樹脂等を充填することもできる。

封止基板２０４の上には、円偏光板２０５が設けられていてもよい。円偏光板２０５は例えば、偏光板と、４分の１波長（λ／４）板との積層体とすることができる。また、偏光板と、２分の１波長（λ／２）板及びλ／４板とが積層された広帯域の円偏光板とすることもできる。円偏光板を配置することにより、外光下での視認性を向上させることができる。

＜実施例＞
−評価方法−
ディスプレイ用途のトップエミッション構造の有機ＥＬ素子を作製し、有機ＥＬ素子からの光の取り出しについて評価した。評価は、有限差分時間領域（ＦＤＴＤ）法の手法を用いてシミュレーションにより行った。シミュレーションにより取り出された光の強度を求め、有機ＥＬ素子の発光面の面積で割った値を、単位面積当たりの輝度とした。

（実施例１）
図１に示す構成の有機ＥＬ素子１００とした。平坦部は正方形状で、傾斜部の間隔は２．５μｍとした。機能層は以下のようにした。透明電極層は、それぞれ厚さが１５ｎｍのＩＴＯ層とし、反射層は、厚さが１００ｎｍのＡｇ層とした。ホール輸送層の厚さは、１８０ｎｍとし、有機層の厚さは、５０ｎｍとし、電子輸送層の厚さは、５０ｎｍとした。第２電極層は、厚さが１０ｎｍのＭｇ−Ａｌ層とした。キャップ層は、厚さが５０ｎｍの有機材料の層とした。

（実施例２）
図２に示す構成の有機ＥＬ素子１００Ａとした。平坦部に第１の部分及び第２の部分が設けられている以外は、実施例１と同様の構成とした。第１の部分は３μｍ角、第２の部分は２．５μｍ角とした。第１の部分のみが発光している場合及び第２の部分のみが発光している場合のそれぞれについて輝度を求めた。

（比較例１）
通常の平坦な機能層を有する有機ＥＬ素子とした。機能層の構成は実施例１と同じにした。

図６は、実施例１の輝度を示す。縦軸は、比較例１の輝度を１として規格化した値である。実施例１においては、比較例１の１．３５倍程度の光を取り出すことができた。

図７は、実施例２の光強度を示す。縦軸は、比較例１の輝度を１として規格化した値である。第１の部分のみが発光している場合には、比較例１の１．３５倍程度の光を取り出すことができた。第２の部分のみが発光している場合においても、比較例１の１．２倍以上の光を取り出すことができた。このように、第２の部分において発光した光も、傾斜部において、上方に反射され取り出すことができる。

本開示の有機ＥＬ素子は、光の取り出し効率を向上させることができ、特にディスプレイ等に用いる有機ＥＬ素子等として有用である。

１００ 有機ＥＬ素子
１００Ａ 有機ＥＬ素子
１０１ 基板
１０２ 層間絶縁膜
１０３ 機能層
１０３Ａ 平坦部
１０３Ｂ 傾斜部
１０５ 第１の部分
１０６ 第２の部分
１１０ 第１電極層
１１１ 反射層
１１１ａ 凸部
１１２ 透明金属層
１１３ 透明電極層
１１７ 凸部
１１８ 凸部
１２０ 発光層
１２１ 有機層
１２２ ホール輸送層
１２３ 電子輸送層
１３０ 第２電極層
１３２ キャップ層
２００ 表示装置
２０１ 隔壁層
２０２ ＴＦＴ
２０４ 封止基板
２０５ 円偏光板
２１１ ゲート電極
２１２ ゲート絶縁膜
２１３ 半導体層
２１４ ソース電極
２１５ ドレイン電極
２１８ コンタクトホール

Claims (14)

1. 基板の主面上に、前記基板側から順次設けられた、第１電極層、有機発光層、及び第２電極層を含む機能層を備え、
   前記機能層は、前記主面と並行な平坦部と、前記平坦部の間に設けられ前記主面に対して傾斜した傾斜部とを有し、
   前記傾斜部は、前記機能層内を伝播する光を前記主面と交差する方向に反射する、有機エレクトロルミネッセンス素子。
2. 前記傾斜部は、前記平坦部を囲むように配置されている、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 前記平坦部は、第１の部分と、前記第１の部分よりも高い位置に設けられた第２の部分とを有し、
   前記傾斜部は、前記第１の部分と前記第２の部分との間に設けられている、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 前記第１の部分と前記第２の部分とは、交互に配置されている、請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 前記基板の主面上に設けられた凸部をさらに備え、
   前記機能層は、前記凸部を覆うように形成され、
   前記傾斜部は、前記凸部の側面に形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 前記凸部は、絶縁性材料により形成されている、請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 前記凸部は、導電性材料により形成されている、請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 前記凸部は、前記第１電極層と一体である、請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 前記傾斜部は、前記基板の主面に対する平均傾斜角が２０°以上、８０°以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 前記傾斜部における段差の高さは、前記有機発光層の厚さよりも大きい、請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 前記平坦部は、マイクロキャビティ構造である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を複数備えている表示装置。
13. 偏光板と、４分の１波長の位相差を有する位相差板とを含む円偏光板とをさらに備えている、請求項１２に記載の表示装置。
14. 偏光板と、２分の１波長の位相差を有する位相差板及び４分の１波長の位相差を有する位相差板とを含む円偏光板とをさらに備えている、請求項１２に記載の表示装置。

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