JP2014033227A - 低温基板上の薄膜を高速で反応させる方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】低温基板上の薄膜を反応性雰囲気中で反応させる好適な方法を提供すること。
【解決手段】低温基板上の薄膜を反応性雰囲気中で反応させる方法が開示される。薄膜は、還元性の金属酸化物を含み、反応性雰囲気は、水素またはメタンのような還元性ガスを含む。低温基板は、ポリマー、プラスチックまたは紙であり得る。金属酸化物を金属に還元し、適用可能であれば上記金属を焼結するために高強度ストロボシステムからの複数の光パルスが用いられる。本発明の好ましい実施形態に従って、ガス雰囲気が初めに提供される。次に、低温基板の上部に位置する薄膜の層がガス雰囲気中を通って運ばれる。薄膜の層がガス雰囲気中を移動するときに、上記薄膜の層が複数のパルス電磁放射線に曝露されて、薄膜の層がガス雰囲気と化学的に反応することを可能にする。
【選択図】図2
【解決手段】低温基板上の薄膜を反応性雰囲気中で反応させる方法が開示される。薄膜は、還元性の金属酸化物を含み、反応性雰囲気は、水素またはメタンのような還元性ガスを含む。低温基板は、ポリマー、プラスチックまたは紙であり得る。金属酸化物を金属に還元し、適用可能であれば上記金属を焼結するために高強度ストロボシステムからの複数の光パルスが用いられる。本発明の好ましい実施形態に従って、ガス雰囲気が初めに提供される。次に、低温基板の上部に位置する薄膜の層がガス雰囲気中を通って運ばれる。薄膜の層がガス雰囲気中を移動するときに、上記薄膜の層が複数のパルス電磁放射線に曝露されて、薄膜の層がガス雰囲気と化学的に反応することを可能にする。
【選択図】図2
Description
(優先権主張)
本出願は、米国特許法§119(e)(1)の下、2008年10月17日に出願された仮特許出願第61/196,531号に対する優先権を主張し、この仮特許出願の内容は、本明細書において参照として援用される。
本出願は、米国特許法§119(e)(1)の下、2008年10月17日に出願された仮特許出願第61/196,531号に対する優先権を主張し、この仮特許出願の内容は、本明細書において参照として援用される。
(発明の背景)
1.技術分野
本発明は、一般に硬化方法に関し、特に低温基板上の薄膜を高速で反応させる方法および装置に関する。
1.技術分野
本発明は、一般に硬化方法に関し、特に低温基板上の薄膜を高速で反応させる方法および装置に関する。
2.関連技術の説明
回路上に導電体を作製するための1つのアプローチは、金属含有インクを基板上にプリントし、次に上記金属含有インク中の粒子を焼結するために基板を加熱して導電経路を形成することである。一般に、電気伝導に適した大部分の金属は、非常に高い温度まで加熱される必要があり、往々にしてこの温度は、それらの融点の200〜300℃の範囲にある。例えば、銀は、空気中で加熱することができ、その酸化物は、導電率は比較的低いが相対的に低い温度で分解することから、導電線(conductive trace)を作製するのに良い金属である。さらに、導電線を作製するための金属の選択に関して言えば、銀が最も導電性の高い金属であるという事実は、そのコストが高いことよりしばしば重要である。
回路上に導電体を作製するための1つのアプローチは、金属含有インクを基板上にプリントし、次に上記金属含有インク中の粒子を焼結するために基板を加熱して導電経路を形成することである。一般に、電気伝導に適した大部分の金属は、非常に高い温度まで加熱される必要があり、往々にしてこの温度は、それらの融点の200〜300℃の範囲にある。例えば、銀は、空気中で加熱することができ、その酸化物は、導電率は比較的低いが相対的に低い温度で分解することから、導電線(conductive trace)を作製するのに良い金属である。さらに、導電線を作製するための金属の選択に関して言えば、銀が最も導電性の高い金属であるという事実は、そのコストが高いことよりしばしば重要である。
導電線の製造において常に追求される別の金属は、低コスト故に銅である。銅は、銀の約90%の導電率を有するが、質量ベースで通常は銀より50から100倍安い。しかしながら、銅インクを作製して酸化を防ぐために処理する付加的なコストは、バルク材料のコスト差より一般に高いので、銀インクが依然としてプリントエレクトロニク市場を支配している。基本的に、銅粒子を空気中で加熱した場合、焼結される前に酸化し、結果として非導電体になる。
従って、銅のような比較的低コストの金属を用いて導電線を作製するための改善された方法を提供することが望ましいであろう。
本発明の好ましい実施形態に従って、ガス雰囲気が初めに提供される。次に、低温基板の上部に位置する薄膜の層がガス雰囲気中を通って運ばれる。薄膜の層がガス雰囲気中を移動するときに、上記薄膜の層が複数のパルス電磁放射線に曝露されて、薄膜の層がガス雰囲気と化学的に反応することを可能にする。
本発明のすべての特徴および利点は、詳細に記される以下の記載で明らかになるであろう。
例えば、本明細書は以下の項目も提供する。
(項目1)
低温基板上の薄膜を反応させる方法であって、前記方法は、
ガス雰囲気を提供する工程;
低温基板に乗った薄膜の層を、前記ガス雰囲気中を通って移動させる工程;および
前記薄膜の層が前記ガス雰囲気中をパルス電磁放射線の線源に対して移動する間に、前記薄膜の層を前記パルス電磁放射線に曝露して、前記薄膜の層が前記ガス雰囲気と化学的に反応することを可能にする工程
を含む方法。
(項目2)
前記ガス雰囲気は水素を含む、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記ガス雰囲気は炭化水素ガスを含む、項目1に記載の方法。
(項目4)
前記ガス雰囲気は1つより多いガス種を含む、項目1に記載の方法。
(項目5)
前記薄膜は、正の還元電位を持つ金属を含んだ金属化合物である、項目1に記載の方法。
(項目6)
前記金属化合物は酸化銅である、項目5に記載の方法。
(項目7)
前記金属化合物は酸化白金である、項目5に記載の方法。
(項目8)
前記金属化合物は酸化パラジウムである、項目5に記載の方法。
(項目9)
前記薄膜は金属である、項目1に記載の方法。
(項目10)
前記低温基板はプラスチックで作製されている、項目1に記載の方法。
(項目11)
前記低温基板は紙で作製されている、項目1に記載の方法。
(項目12)
前記低温基板はポリマーで作製されている、項目1に記載の方法。
(項目13)
硬化装置であって、前記硬化装置は、
ガス雰囲気を提供するための囲い;
薄膜の層が前記ガス雰囲気と化学的に反応することを可能にすべく、低温基板に乗った前記薄膜の層にパルス電磁放射線を提供するための閃光ランプを有するストロボヘッド;および
前記薄膜の層を前記ガス雰囲気中で前記ストロボヘッドに対して移動させるためのコンベヤーシステム;および
前記閃光ランプによって発生された前記パルス電磁放射線の出力、持続時間、繰返し率および数を制御するためのストロボ制御モジュール
を備える硬化装置。
(項目14)
前記の閃光ランプはキセノン閃光ランプである、項目13に記載の硬化装置。
(項目15)
前記低温基板は、前記パルス電磁放射線の前記繰返し率に同期化された速度で移動する、項目13に記載の硬化装置。
(項目16)
前記低温基板は、リールツーリールシステムによって搬送される、項目13に記載の硬化装置。
(項目17)
前記ガス雰囲気は水素を含む、項目13の硬化装置。
(項目18)
前記ガス雰囲気は炭化水素ガスを含む、項目13の硬化装置。
(項目19)
前記薄膜は、正の還元電位を持つ金属を含んだ金属化合物である、項目13に記載の硬化装置。
(項目20)
前記薄膜は金属である、項目13に記載の硬化装置。
例えば、本明細書は以下の項目も提供する。
(項目1)
低温基板上の薄膜を反応させる方法であって、前記方法は、
ガス雰囲気を提供する工程;
低温基板に乗った薄膜の層を、前記ガス雰囲気中を通って移動させる工程;および
前記薄膜の層が前記ガス雰囲気中をパルス電磁放射線の線源に対して移動する間に、前記薄膜の層を前記パルス電磁放射線に曝露して、前記薄膜の層が前記ガス雰囲気と化学的に反応することを可能にする工程
を含む方法。
(項目2)
前記ガス雰囲気は水素を含む、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記ガス雰囲気は炭化水素ガスを含む、項目1に記載の方法。
(項目4)
前記ガス雰囲気は1つより多いガス種を含む、項目1に記載の方法。
(項目5)
前記薄膜は、正の還元電位を持つ金属を含んだ金属化合物である、項目1に記載の方法。
(項目6)
前記金属化合物は酸化銅である、項目5に記載の方法。
(項目7)
前記金属化合物は酸化白金である、項目5に記載の方法。
(項目8)
前記金属化合物は酸化パラジウムである、項目5に記載の方法。
(項目9)
前記薄膜は金属である、項目1に記載の方法。
(項目10)
前記低温基板はプラスチックで作製されている、項目1に記載の方法。
(項目11)
前記低温基板は紙で作製されている、項目1に記載の方法。
(項目12)
前記低温基板はポリマーで作製されている、項目1に記載の方法。
(項目13)
硬化装置であって、前記硬化装置は、
ガス雰囲気を提供するための囲い;
薄膜の層が前記ガス雰囲気と化学的に反応することを可能にすべく、低温基板に乗った前記薄膜の層にパルス電磁放射線を提供するための閃光ランプを有するストロボヘッド;および
前記薄膜の層を前記ガス雰囲気中で前記ストロボヘッドに対して移動させるためのコンベヤーシステム;および
前記閃光ランプによって発生された前記パルス電磁放射線の出力、持続時間、繰返し率および数を制御するためのストロボ制御モジュール
を備える硬化装置。
(項目14)
前記の閃光ランプはキセノン閃光ランプである、項目13に記載の硬化装置。
(項目15)
前記低温基板は、前記パルス電磁放射線の前記繰返し率に同期化された速度で移動する、項目13に記載の硬化装置。
(項目16)
前記低温基板は、リールツーリールシステムによって搬送される、項目13に記載の硬化装置。
(項目17)
前記ガス雰囲気は水素を含む、項目13の硬化装置。
(項目18)
前記ガス雰囲気は炭化水素ガスを含む、項目13の硬化装置。
(項目19)
前記薄膜は、正の還元電位を持つ金属を含んだ金属化合物である、項目13に記載の硬化装置。
(項目20)
前記薄膜は金属である、項目13に記載の硬化装置。
本発明自体、ならびに好ましい使用様態、さらなる目的、およびそれらの利点は、例示的な実施形態に関する以下の詳細な記載が添付図面とともに読まれるときに、それらを参照することにより最も良く理解されるであろう。
いくつかの金属酸化物は、正の還元電位を持つ場合、水素または炭化水素によって高温で還元されうることがよく知られている。例としては、銅、金、白金、およびパラジウムの酸化物が含まれる。銅は、酸化銅を含有する鉱石を、加熱プロセスを用いて木炭と混合することによって作ることができる。還元性雰囲気中で加熱すると、酸化銅された粒子あるいは純粋な酸化銅でさえ粒子が焼結されて、導体を形成することができる。
銅粒子をプリントして薄膜導体を作製する場合、不活性もしくは還元性雰囲気中で粒子を焼結温度まで加熱すれば、導電性の非常に高い線(trace)を形成することができる。銅の融点はおよそ1,085℃なので、焼結に必要な温度から要請されるのは、ガラスまたはセラミックのような高温基板のみが利用できることである。この比較的高い基板温度要件が、紙あるいはプラスチック(plastic)のような安価な基板の使用を阻む。
代わりに、酸化銅を低温基板上に配置すれば、基板の分解温度付近まで酸化銅を加熱することができ、低温基板を還元性雰囲気中に配置することができる。しかしながら、低温では、基板の厚さに依存して所要時間が数分から数時間までも劇的に増加する。なおかつ、これらの低温では焼結は極めて限られる。基板温度およびガス雰囲気の要件は、基板を硬化させるために強くて短い光パルスを利用すれば克服することができる。残念ながら、これらのアプローチは、銅膜中の残存酸化物に対処することには役立たない。水素雰囲気中で2つの電気接点間に還元性の金属酸化物を配置することができ、酸化物を加熱して還元するために、上記酸化物を通して繰り返しパルスを流す(pulse)ことができる。しかしながら、この技術は電気接点を必要とし、スループットが比較的限られる。かくして、低温基板上の金属酸化物を高スループットで還元する必要性が存在する。
本発明において、硬化は、薄膜をガス雰囲気と反応させることを含む熱処理として定義される。薄膜は、100マイクロメートル未満の厚さの被膜として定義される。低温基板は、紙、プラスチックまたはポリマーで作製することができる。電磁放射線は、ガンマ線、X線、紫外線、可視光、赤外線、ミリメートル波、マイクロ波、または電波を含む電磁輻射を含むことができる。電磁放射線の線源は、レーザー、誘導加熱器、マイクロ波発振器、閃光ランプ、発光ダイオードなどを含む。
次に図面、特に図1を参照すると、本発明の好ましい実施形態に従って、硬化装置のダイアグラムが示される。図示されるように、硬化装置100は、ベルトコンベヤーシステム110、ストロボヘッド120、リレーラック130およびリールツーリール(reel−to−reel)供給システム140を含む。硬化装置100は、コンベヤーベルトに沿って比較的高速で移動するウェブ上に置かれた低温基板103に乗った薄膜102を、硬化させることができる。ベルトコンベヤーシステム110は、基板103を移動するために、例えば、0から1,000フィート(ft)/分の速度で動作することができる。硬化装置100は、6インチ刻みで任意の幅のウェブを乗せることができる。薄膜102は、スクリーンプリント法、インクジェットプリント法、グラビア印刷、レーザープリント法、ゼログラフィー、パッドプリント法、ペイント法、ディップペン、シリンジ、エアブラシ、フレキソ印刷、化学蒸着法(CVD:chemical vapor deposition)、蒸着、スパッタリング法などのような、既存技術の1つまたは組み合わせによって基板103上に付加することができる。
ストロボヘッド120は、好ましくは水冷式であり、基板103上に位置する薄膜102を硬化させるための高輝度(high−intensity)パルスキセノン閃光ランプ121を含む。パルスキセノン閃光ランプ121は、様々な輝度(intensity)、パルス長、およびパルス繰返し周波数でパルスを提供することができる。例えば、パルスキセノン閃光ランプ121は、3インチ×6インチ幅ビームの10マイクロ秒から50ミリ秒のパルスを1kHzまでのパルス繰返し率で提供することができる。パルスキセノン閃光ランプ121からの放射のスペクトル成分は、200nmから2,500nmの範囲に及ぶ。このスペクトルは、石英ランプをセリウムドープ石英ランプに交換し、350nm未満の放射をほとんど除去することによって調整できる。約140nmから約4,500nmまで放射を拡大するために、石英ランプをサファイアランプと交換することもできる。他のスペクトル部分を除去するために、フィルタを加えることもできる。閃光ランプ121は、指向性プラズマアーク(DPA:Directed Plasma Arc)ランプと時には呼ばれる水冷壁式閃光ランプとすることもできる。
リレーラック130は、調節可能な電源131、コンベヤー制御モジュール132、およびストロボ制御モジュール134を含む。調節可能な電源131は、パルス当たり4キロジュールまでのエネルギーを持つパルスを発生させることができる。調節可能な電源131は、パルスキセノン閃光ランプ121に接続され、パルスキセノン閃光ランプ121からの放射強度は、パルスキセノン閃光ランプ121を通過する電流量を制御することによって変化させることができる。
調節可能な電源131は、パルスキセノン閃光ランプ121の放射強度を制御する。基板103に損傷を与えることなく薄膜102の最適な硬化を可能にするために、薄膜102および基板103の光学的、熱的および幾何学的な特性に依存して、パルスキセノン閃光ランプ121からの放射の出力、パルス持続時間およびパルス繰返し周波数が電子的に調整され、ウェブ速度と同期化される。
硬化動作の間に、基板103ならびに薄膜102は、ベルトコンベヤーシステム110上へ移動する。ベルトコンベヤーシステム110は、薄膜102をストロボヘッド120下で移動させ、薄膜102は、パルスキセノン閃光ランプ121からの高速パルスによってそこで硬化される。パルスキセノン閃光ランプ121からの放射の出力、持続時間および繰返し率は、ストロボ制御モジュール134によって制御され、基板103がストロボヘッド120を通過する速度は、コンベヤー制御モジュール132によって決定される。
機械的、電気的、または光学的センサであってもよいセンサ150は、ベルトコンベヤーシステム110の速度を感知するために利用される。例えば、ベルトコンベヤーシステム110のコンベヤーベルトの速度は、移動するコンベヤーベルトと接触したホイールに接続されたシャフト・エンコーダからの信号を検出することによって感知することができる。それに応じて、次にはパルス繰返し率をベルトコンベヤーシステム110のコンベヤーベルトの速度と同期化することができる。ストロボパルス率fの同期化は、次式で与えられる:
ここで、f=ストロボパルス率[Hz]
S=ウェブ速度[フィート(ft)/分]
O=重複係数
W=硬化ヘッド幅[インチ(in)]
重複係数Oは、基板が受け取るストロボパルスの平均数である。例えば、ウェブ速度200フィート/分、および重複係数5、ならびに硬化ヘッド幅2.75インチでは、ストロボパルス率は72.7Hzである。
S=ウェブ速度[フィート(ft)/分]
O=重複係数
W=硬化ヘッド幅[インチ(in)]
重複係数Oは、基板が受け取るストロボパルスの平均数である。例えば、ウェブ速度200フィート/分、および重複係数5、ならびに硬化ヘッド幅2.75インチでは、ストロボパルス率は72.7Hzである。
囲い160は、基板103を取り囲み、還元性雰囲気161を封じ込める。透明なウィンドウ162は、閃光ランプ121からの光を通過させる。閃光ランプ121がパルスを発したときに膜102は、瞬間的に加熱されて雰囲気161と化学的に反応する。高速パルス列と移動する基板103とを組み合わせたときに、薄膜102の各セクションは、オーブンのような持続的硬化システムに近似した複数パルスに曝露されるので、任意の大面積にわたって均一な硬化を達成することができる。
図2を次に参照すると、本発明の好ましい実施形態に従って、低温基板上の薄膜を反応させる方法に関する高レベル論理フローダイヤグラムが示される。初めに、ブロック221に示されるように、還元性ガスを含んだガス雰囲気、例えば、図1からの還元性雰囲気161が提供される。好ましくは、ガス雰囲気は、水素、またはメタン、プロパンなどのような炭化水素を含む。
次に、ブロック222に示されるように、低温基板の上部に位置する薄膜の層が、ガス雰囲気中を通って移動する。薄膜は、好ましくは、酸化銅(CuO)、酸化金(Ag2O)、酸化白金(PtO)および酸化パラジウム(PdO)などのような還元性の金属酸化物を含む。経済面の理由から、銅は、プリントエレクトロニク用の導体として望ましい。プリントされた銅膜はしばしば酸化銅を含むが、これは電子伝導にとって障害である。低温基板は、ポリマーまたは紙で作製され得る。
薄膜の層がガス雰囲気と化学的に反応することを可能にするために、ブロック223に示されるように、薄膜の層がガス雰囲気中を通って運ばれる間に、次に薄膜の層の各セグメント(すなわち、硬化ヘッド幅)が図1からの閃光ランプ121のような閃光ランプからの少なくとも1つのパルスに曝露される。基本的に、ストロボシステムからのパルスは、低温基板上の酸化銅のような金属酸化物の薄膜を還元し、低温基板に損傷を与えなることなく1秒未満で銅膜のような導電性金属膜を形成する。
水素環境中で金属酸化物を金属に還元する場合、反応が進行する速度は拡散律速である。拡散速度は、硬化システムの温度に関係する。オーブンが利用される場合には温度は、低温基板の分解温度で制限される。パルス光は、低温基板を分解することなく、金属酸化物を非常に高温まで加熱する。これは、金属酸化物を還元するための時間を劇的に短縮する。
上述されたように、本発明は、低温基板上の薄膜を反応させる方法および装置を提供する。本発明の1つの利点は、純粋な金属酸化物が初めに堆積された場合でさえ、金属薄膜が得られうることである。金属酸化物粒子を堆積する動機の1つは、それらが、特にナノ粒子の形態の場合、対応する金属より容易に得られることである。極微細な(数10nmの)金属粒子を、その純度を維持しつつ作製するのは特に難しい。極微細な金属粒子は、通常、酸化物および/またはキャップ基のいずれかで被覆される。加えて、金属酸化物粒子は、より容易に分散させることができ、様々な基板上により容易にプリントすることができる。
本発明の別の利点は、位置合わせを必要としないことである。もし薄膜が、プリントされたパターンであれば、そのパターンのみが反応し、一方で光パルスの吸収が一般により少ないプリントされない低温基板部分は、冷えたままである。
金属膜を形成するために、還元性雰囲気での金属酸化物の還元が示されているが、他の膜/反応性ガスの組み合わせも可能である。他の例は、以下を含む:
(1)H2を用いた還元(またはH2貯蔵材料用水素化物の生成)。
(1)H2を用いた還元(またはH2貯蔵材料用水素化物の生成)。
(2)O2を用いた酸化(誘電体用)。
(3)炭化物を形成するための炭素を含むガスを用いた炭化。オキシ炭化物を形成するための炭素を含むガス流中のO2分圧。
(4)窒化物を形成するためのアンモニアまたはアミンを用いた窒化。酸窒化物を形成するためのアンモニアまたはアミンガス流中のO2分圧。
(5)様々な前駆ガスからのカルコゲン化物の形成。カルコゲン化物は、硫化物(S2−)、セレン化物(Se2−)、およびテルル化物(Te2−)である。これは、半導体の大きい族(II−VI族半導体)、例えば、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdTeなどを含む。
(6)様々な前駆ガスからのピニクチドの形成。ピニクチドは、リン化物(P3−)、ヒ化物(As3−)、およびアンチモン化物(Sb3−)である。これも、半導体の大きい族(III−V族半導体)、例えば、GaP、GaAs、InP、InAs、InSbなどの合成を含む。
本発明は、好ましい実施形態に関して特に図示され、かつ記載されたが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、その形態および詳細に様々な変化を加えうることが当業者に理解されるであろう。
Claims (1)
- 本明細書に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US19653108P | 2008-10-17 | 2008-10-17 | |
US61/196,531 | 2008-10-17 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011532314A Division JP5401550B2 (ja) | 2008-10-17 | 2009-10-19 | 低温基板上の薄膜を高速で反応させる方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014033227A true JP2014033227A (ja) | 2014-02-20 |
Family
ID=42106805
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011532100A Active JP5922929B2 (ja) | 2008-10-17 | 2009-03-25 | 低温基板上の薄膜を還元する方法 |
JP2011532314A Active JP5401550B2 (ja) | 2008-10-17 | 2009-10-19 | 低温基板上の薄膜を高速で反応させる方法および装置 |
JP2013222959A Pending JP2014033227A (ja) | 2008-10-17 | 2013-10-28 | 低温基板上の薄膜を高速で反応させる方法および装置 |
JP2014224144A Withdrawn JP2015034352A (ja) | 2008-10-17 | 2014-11-04 | 低温基板上の薄膜を還元する方法 |
JP2016156258A Active JP6328702B2 (ja) | 2008-10-17 | 2016-08-09 | 低温基板上の薄膜を還元する方法 |
JP2018079858A Pending JP2018131691A (ja) | 2008-10-17 | 2018-04-18 | 低温基板上の薄膜を還元する方法 |
JP2019147583A Withdrawn JP2019189947A (ja) | 2008-10-17 | 2019-08-09 | 低温基板上の薄膜を還元する方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011532100A Active JP5922929B2 (ja) | 2008-10-17 | 2009-03-25 | 低温基板上の薄膜を還元する方法 |
JP2011532314A Active JP5401550B2 (ja) | 2008-10-17 | 2009-10-19 | 低温基板上の薄膜を高速で反応させる方法および装置 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014224144A Withdrawn JP2015034352A (ja) | 2008-10-17 | 2014-11-04 | 低温基板上の薄膜を還元する方法 |
JP2016156258A Active JP6328702B2 (ja) | 2008-10-17 | 2016-08-09 | 低温基板上の薄膜を還元する方法 |
JP2018079858A Pending JP2018131691A (ja) | 2008-10-17 | 2018-04-18 | 低温基板上の薄膜を還元する方法 |
JP2019147583A Withdrawn JP2019189947A (ja) | 2008-10-17 | 2019-08-09 | 低温基板上の薄膜を還元する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20110262657A1 (ja) |
EP (2) | EP2347032B1 (ja) |
JP (7) | JP5922929B2 (ja) |
KR (3) | KR20150125016A (ja) |
CN (4) | CN102245804A (ja) |
CA (3) | CA2910493C (ja) |
HK (1) | HK1162093A1 (ja) |
WO (2) | WO2010044904A1 (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8410712B2 (en) * | 2008-07-09 | 2013-04-02 | Ncc Nano, Llc | Method and apparatus for curing thin films on low-temperature substrates at high speeds |
US8834957B2 (en) * | 2008-11-05 | 2014-09-16 | Lg Chem, Ltd. | Preparation method for an electroconductive patterned copper layer |
US10000411B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology |
US10060180B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-08-28 | Cardinal Cg Company | Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology |
US10000965B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductive coating technology |
US8907258B2 (en) * | 2010-04-08 | 2014-12-09 | Ncc Nano, Llc | Apparatus for providing transient thermal profile processing on a moving substrate |
WO2012012610A2 (en) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Xenon Corporation | Reduction of stray light during sintering |
DE102011089884B4 (de) * | 2011-08-19 | 2016-03-10 | Von Ardenne Gmbh | Niedrigemittierende Beschichtung und Verfahren zur Herstellung eines niedrigemittierenden Schichtsystems |
TW201339279A (zh) * | 2011-11-24 | 2013-10-01 | Showa Denko Kk | 導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱的導電圖型形成用組成物 |
TWI481326B (zh) * | 2011-11-24 | 2015-04-11 | Showa Denko Kk | A conductive pattern forming method, and a conductive pattern forming composition by light irradiation or microwave heating |
TWI569700B (zh) * | 2011-11-25 | 2017-02-01 | 昭和電工股份有限公司 | 導電性圖案生成方法 |
JP5991830B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2016-09-14 | 国立大学法人大阪大学 | 導電パターン形成方法及び光照射またはマイクロ波加熱による導電パターン形成用組成物 |
KR102122749B1 (ko) * | 2012-06-05 | 2020-06-15 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 기재막 및 소결 방법 |
JP2014011256A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP5275498B1 (ja) | 2012-07-03 | 2013-08-28 | 石原薬品株式会社 | 導電膜形成方法及び焼結進行剤 |
JP5283291B1 (ja) * | 2012-07-03 | 2013-09-04 | 石原薬品株式会社 | 導電膜形成方法及び焼結進行剤 |
WO2014026187A2 (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Karim Rezaoul | Flash lamps in a continuous motion process |
JP6093136B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2017-03-08 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
KR102026165B1 (ko) * | 2013-04-26 | 2019-09-27 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 도전 패턴의 제조방법 및 도전 패턴 형성 기판 |
CN104185378A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 群创光电股份有限公司 | 导电线路的制备方法、以及具有导电线路的装置 |
FR3008228B1 (fr) | 2013-07-02 | 2015-07-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'assemblage de deux composants electroniques, de type flip-chip par recuit uv, assemblage obtenu |
KR101506504B1 (ko) * | 2013-08-22 | 2015-03-30 | (주)유니버셜스탠다드테크놀러지 | 대면적 광소결 장치 |
DE102013113485A1 (de) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Struktur auf einem Kunststoffsubstrat |
JP2017510087A (ja) * | 2013-12-20 | 2017-04-06 | ゼノン・コーポレイションXenon Corporation | 連続フラッシュランプシンタリング |
KR101943605B1 (ko) | 2015-01-06 | 2019-01-29 | 가부시키가이샤후지쿠라 | 도체층의 제조 방법 및 배선 기판 |
CN107210083A (zh) * | 2015-03-24 | 2017-09-26 | 昭和电工株式会社 | 导电图案形成用组合物和导电图案形成方法 |
DE102016112836A1 (de) | 2016-06-14 | 2017-12-14 | Leander Kilian Gross | Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Behandlung eines Substrats |
CN111867810A (zh) * | 2017-10-30 | 2020-10-30 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 三维打印 |
KR102068285B1 (ko) * | 2018-02-12 | 2020-01-20 | 한양대학교 산학협력단 | 환원된 금속 산화물의 제조 방법 및 이를 포함하는 리튬이온 이차 전지 |
WO2019204627A1 (en) | 2018-04-18 | 2019-10-24 | Xenon Corporation | Ultraviolet treatment of food products to kill microorganisms while retaining fruit bloom |
JP7263124B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2023-04-24 | 旭化成株式会社 | インクジェット用酸化銅インク及びこれを用いて導電性パターンを付与した導電性基板の製造方法 |
US11028012B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-06-08 | Cardinal Cg Company | Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same |
WO2020198138A1 (en) | 2019-03-22 | 2020-10-01 | Xenon Corporation | Flash lamp system for disinfecting conveyors |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3239373A (en) * | 1962-04-24 | 1966-03-08 | Louis S Hoodwin | Printed circuit process |
FR1427315A (fr) * | 1964-02-24 | 1966-02-04 | Yawata Iron & Steel Co | Procédé pour la formation de revêtements isolants électriques sur les tôles électriques |
US4159414A (en) * | 1978-04-25 | 1979-06-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for forming electrically conductive paths |
FR2537898A1 (fr) * | 1982-12-21 | 1984-06-22 | Univ Paris | Procede de reduction de composes metalliques par les polyols, et poudres metalliques obtenues par ce procede |
US4592929A (en) * | 1984-02-01 | 1986-06-03 | Shipley Company Inc. | Process for metallizing plastics |
US4526807A (en) * | 1984-04-27 | 1985-07-02 | General Electric Company | Method for deposition of elemental metals and metalloids on substrates |
US4668533A (en) * | 1985-05-10 | 1987-05-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ink jet printing of printed circuit boards |
JPH0537126A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Toshiba Corp | 金属酸化物を用いた配線基板および情報記録媒体 |
US6326130B1 (en) * | 1993-10-07 | 2001-12-04 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion |
DE69506333T2 (de) * | 1994-07-11 | 1999-07-15 | Agfa Gevaert Nv | Tintenstrahldruckverfahren |
US5938848A (en) * | 1996-06-27 | 1999-08-17 | Nordson Corporation | Method and control system for applying solder flux to a printed circuit |
US7252699B2 (en) * | 2000-12-15 | 2007-08-07 | The Arizona Board Of Regents | Method for patterning metal using nanoparticle containing precursors |
US20040231141A1 (en) * | 2001-07-06 | 2004-11-25 | Masaru Nishinaka | Laminate and its producing method |
US20060159838A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Controlling ink migration during the formation of printable electronic features |
US20040185388A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-09-23 | Hiroyuki Hirai | Printed circuit board, method for producing same, and ink therefor |
JP4416080B2 (ja) * | 2003-01-29 | 2010-02-17 | 富士フイルム株式会社 | プリント配線基板形成用インク、プリント配線基板の形成方法及びプリント配線基板 |
JP2004277627A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Asahi Kasei Corp | インクジェット用インクおよびこれを用いた金属含有薄膜の形成方法 |
JP2004277868A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 導電性組成物の作製方法 |
US20040234916A1 (en) * | 2003-05-21 | 2004-11-25 | Alexza Molecular Delivery Corporation | Optically ignited or electrically ignited self-contained heating unit and drug-supply unit employing same |
JP2005071805A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属酸化物及び/又は金属水酸化物の粒子と金属の粒子を含む組成物、組成物を用いたプリント配線基板、その製造方法及びそれに用いるインク |
US7547647B2 (en) * | 2004-07-06 | 2009-06-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of making a structure |
JP5408878B2 (ja) * | 2004-11-24 | 2014-02-05 | エヌシーシー ナノ, エルエルシー | ナノ材料組成物の電気的使用、めっき的使用および触媒的使用 |
CN101128550B (zh) * | 2005-01-10 | 2013-01-02 | 耶路撒冷希伯来大学伊萨姆研发公司 | 金属纳米颗粒的水基分散液 |
US20060258136A1 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Guangjin Li | Method of forming a metal trace |
US20070193026A1 (en) | 2006-02-23 | 2007-08-23 | Chun Christine Dong | Electron attachment assisted formation of electrical conductors |
WO2008018719A1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-14 | Inktec Co., Ltd. | Manufacturing methods for metal clad laminates |
US10231344B2 (en) * | 2007-05-18 | 2019-03-12 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Metallic ink |
-
2009
- 2009-03-25 WO PCT/US2009/038289 patent/WO2010044904A1/en active Application Filing
- 2009-03-25 CA CA2910493A patent/CA2910493C/en active Active
- 2009-03-25 CA CA2740618A patent/CA2740618C/en active Active
- 2009-03-25 KR KR1020157030385A patent/KR20150125016A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-03-25 EP EP09820923.2A patent/EP2347032B1/en active Active
- 2009-03-25 US US13/124,781 patent/US20110262657A1/en not_active Abandoned
- 2009-03-25 JP JP2011532100A patent/JP5922929B2/ja active Active
- 2009-03-25 CN CN2009801503274A patent/CN102245804A/zh active Pending
- 2009-03-25 KR KR1020117011229A patent/KR101600559B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-25 CN CN201510329127.2A patent/CN104894538A/zh active Pending
- 2009-10-19 JP JP2011532314A patent/JP5401550B2/ja active Active
- 2009-10-19 CA CA2740786A patent/CA2740786C/en active Active
- 2009-10-19 WO PCT/US2009/061172 patent/WO2010045639A1/en active Application Filing
- 2009-10-19 CN CN2009801453843A patent/CN102217429B/zh active Active
- 2009-10-19 EP EP09821387.9A patent/EP2347638B1/en active Active
- 2009-10-19 CN CN201310495062.XA patent/CN103796425B/zh active Active
- 2009-10-19 US US12/581,606 patent/US20100098874A1/en not_active Abandoned
- 2009-10-19 KR KR1020117011230A patent/KR101604437B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-03-13 HK HK12102513.0A patent/HK1162093A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-10-28 JP JP2013222959A patent/JP2014033227A/ja active Pending
-
2014
- 2014-11-04 JP JP2014224144A patent/JP2015034352A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-08-09 JP JP2016156258A patent/JP6328702B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-18 JP JP2018079858A patent/JP2018131691A/ja active Pending
-
2019
- 2019-08-09 JP JP2019147583A patent/JP2019189947A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140213 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140512 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140515 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140807 |