TWI481326B - A conductive pattern forming method, and a conductive pattern forming composition by light irradiation or microwave heating - Google Patents

A conductive pattern forming method, and a conductive pattern forming composition by light irradiation or microwave heating Download PDF

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Description

導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱的導電圖型形成用組成物
本發明係關於導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱之導電圖型形成用組成物之改良。
製作微細配線圖型之技術，以往一般使用組合銅箔與光阻並以微影法形成配線圖型之方法，但該方法除步驟數較長以外，排水、廢液處理之負擔亦大，而期望對環境之改善。且，以光微影法使以加熱蒸鍍法或濺鍍法製作之金屬薄膜圖型化之方法亦為已知。然而，加熱蒸鍍法或濺鍍法須在真空環境下為不可欠缺，價格亦變得非常高昂，應用於配線圖型時難以降低製造成本。
因此，已提案使用含金屬或金屬氧化物之油墨並藉印刷製作配線之技術。利用印刷之配線技術可以低成本高速地製作大量製品，故一部分已於實用之電子裝置之製作中被檢討。
然而，使用加熱爐加熱燒成含金屬或金屬氧化物之油墨之方法，於加熱步驟耗費時間以外，亦有塑膠基材無法耐受加熱溫度之情況，而有無法達到滿足之導電率之問題。
因此，如專利文獻1~3所記載，已有使用含奈米粒子之組成物(油墨)，藉光照射轉化成金屬配線之嘗試。
將光能或微波用於加熱之方法有僅可加熱油墨部分之 可能性，為極佳之方法，但直接使用金屬粒子時，會有無法滿意地提高所得導電圖型之導電率之問題，或使用氧化銅時，所得導電圖型之空隙率變大，或有一部份並未還原之狀態殘留氧化銅粒子之問題。
且，該等燒結中必須至少使用直徑為1μm以下之金屬或金屬氧化物粒子，而有該等奈米粒子之調製非常耗費成本之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2008-522369號公報
[專利文獻2]WO2010/110969號公報
[專利文獻3]日本特表2010-528428號公報
一般，形成於基板上之導電圖型，其導電率越高(體積電阻率越低)則性能越高。因此，以上述以往之技術形成之導電圖型亦期望進一步提高導電率。
本發明之目的係提供一種可提高導電圖型之導電率之導電圖型形成方法，及藉由光照射或微波加熱之導電圖型形成用組成物。
為達成上述目的，本發明之一實施形態為一種導電圖 型形成用組成物，其為藉光照射或微波加熱之導電圖型形成用組成物，其特徵為含有銅粒子、厚度為10~200nm且平板狀銀粒子、及黏結劑樹脂。
又，特徵為上述銀粒子之厚度為20~70nm。特徵為上述銀粒子之長寬比為5~200。
且，特徵為上述銅粒子與前述銀粒子之質量比例為銅粒子：銀粒子=99.9：0.1~70：30。
且，特徵為上述銅粒子之形狀為球狀，個數基準之平均粒徑D50為100nm~10μm。
又，特徵為上述導電圖型形成用組成物進而含有還原劑。
且，特徵為上述還原劑為多元醇、羧酸或聚烷二醇。
又，本發明之一實施形態為一種導電圖型形成方法，其特徵為準備上述導電圖型形成用組成物，對前述導電圖型形成用組成物進行光照射或微波加熱。
且，特徵為對上述組成物照射之光為200~3000nm之波長的脈衝光。
又，特徵為加熱上述組成物之微波為1m~1mm之波長。
依據本發明，可獲得可提高導電圖型之導電率之導電圖型形成方法及藉由光照射或微波加熱之導電圖型形成用組成物。
以下，針對實施本發明之形態(以下稱為實施形態)加以說明。
本實施形態之該藉由光照射或微波加熱之導電圖型形成用組成物之特徵為含有銅粒子、厚度為10~200nm且平板狀銀粒子、及黏結劑樹脂。又，上述組成物中亦可混合還原劑。
又，本實施形態之該導電圖型形成方法之特徵為準備上述導電圖型形成用組成物，藉由對該導電圖型形成用組成物進行光照射或微波加熱而生成銅與銀之燒結體，成為導電圖型。此處，所謂準備意指例如利用網版印刷、凹版印刷等，或者使用噴墨印表機等印刷裝置，在適當基板上以上述導電圖型形成用組成物形成任意形狀之組成物層，更具體而言，以上述導電圖型形成用組成物形成印刷圖型，或者於基板之整面上形成上述組成物層(形成填實圖型)等。又，本說明書中，導電圖型意指藉由將銅粒子及銀粒子分散於黏結劑樹脂中而成之組成物形成為印刷圖型並經光照射，且燒結銅粒子及銀粒子之結果，形成為圖型狀(包含填實圖型)之由金屬所成之導電性金屬薄膜之導電膜。
上述銅粒子之粒徑較好為100nm~10μm，更好為200nm~5μm之範圍。又，銅粒子之表面較好不存在氧化銅，但即使其全部或一部分存在氧化銅，仍可藉由存在還 原劑，藉由光照射或微波加熱而轉換成導電圖型。且，表面上一部分存在之氧化銅之膜可為氧化亞銅或氧化銅之任一者。氧化銅之比例，藉XRD分析之該等氧化銅比率為10質量%以下，較好為5質量%以下，更好為3質量%以下。超過10質量%時所形成之導電圖型之體積電阻率之下降比例變低。另外，由於即使為最初以XRD幾乎無法檢出之量，但因空氣下之油墨(導電圖型形成用組成物)調製、印刷步驟中經受之表面氧化亦有生成氧化銅之情況，故為謹慎起見較好存在還原劑而調製油墨。
銅粒子之粒徑小於100nm時，由於比表面積變大而極容易受到氧化故難以作為金屬銅粒子使用，粒徑超過10μm時會有無法進行微細圖型印刷之問題。
又，所謂上述銅粒子及氧化銅粒子之粒徑，於500nm以上之粒徑時，意指以雷射繞射．散射法測定，未達500nm時意指以動態散射法測定之個數基準之D50(中值直徑)之粒徑。
又，上述銀粒子為平板狀(扁平形狀)之粒子。平板狀之銀粒子之形狀以3萬倍之倍率，改變觀察部位觀察10點SEM，實測銀粒子之厚度與寬度，厚度係以其數平均值求得，其厚度較好如上述為10~200nm，更好為20nm~70nm之範圍。
針對長寬比(銀粒子之寬度/厚度)，未大到某程度時無法呈現銅粒子相關之效果。又，過大時印刷精度降低，會有無法進一步順利進行與銅粒子之分散之問題。因 此，較佳之長寬比為5~200之範圍，更好為5~100之範圍。長寬比小於5時不易展現導電性，大於200時微細圖型之印刷困難。
銀粒子之厚度超過200nm時銀粒子會變形而無法接著銅粒子，低於10nm時銀粒子本身之強度變低而無法接著銅粒子，故在燒結步驟中與銅粒子之接著性均會降低，而無法充分提高所形成之導電層之導電率。
又，上述混合物中之銅粒子與銀粒子之混合比(質量比)在銀粒子之比例過少時，導電率之提高不足，銀粒子之比例過多時容易產生離子遷移等之銀粒子具有之缺點，故以銅粒子：銀粒子=99.1：0.1~30：70之範圍較佳，較好為99：1~50：50，更好為99：1~70：30，又更好為98：2~80：20之範圍。
照射組成物之光宜為波長200nm~3000nm之脈衝光。本說明書中所謂「脈衝光」為在光照射期間(照射時間)係數微秒至數十毫秒之短時間之光，複數次重複光照射時如圖1所示，意指第一光照射期間(on)與第二光照射期間(on)間具有未照光期間(照射間隔(off))之光照射。圖1係以脈衝光之光強度為一定之方式顯示，但亦可在一次之光照射期間(on)內使光強度產生變化。上述脈衝光係由具備氙閃光燈等之閃光燈之光源所照射。使用該光源，對上述組成物之層照射脈衝光。重複n次照射時，係反覆n次之圖1中之一循環(on+off)。又，重複照射時，進行後續之脈衝光照射時，為了可將基材冷卻至 室溫附近，較好自基材側進行冷卻。
脈衝光之一次照射時間(on)較好約20微秒至約10毫秒之範圍。比20微秒短時無法進行燒結，並使導電膜之性能提高效果變低。另外，比10毫秒長時基板因光劣化、熱劣化造成之不良影響增大。脈衝光之照射以單發照射進行即有效，但亦可如上述般重複實施。重複實施時，照射間隔(off)係自20微秒至30秒，更好為2000微秒至5秒之範圍。比20微秒短時，成為接近連續光於一次照射後並無放冷期間之照射，故有使加熱基材之溫度變高而劣化之可能性。另外，比30秒長時，由於進行放冷，故雖不是完全無效果，但會使重複實施之效果減低。
又，亦可以微波加熱組成物。微波加熱組成物時使用之微波為波長範圍在1m~1mm(頻率300MHz~300GHz)之電磁波。
又，上述基板並無特別限制，可採用例如塑膠基板、玻璃基板、陶瓷基板等。
且，作為還原劑亦可使用如甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、環己醇、萜烯醇之一元醇化合物，乙二醇、丙二醇或丙三醇等多元醇，如甲酸、乙酸、草酸、琥珀酸之羧酸，如丙酮、甲基乙基銅、苯甲醛、辛醛之羰基化合物，如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸苯酯之酯化合物，如γ-丁內酯之內酯化合物，如己烷、辛烷、甲苯、萘、十氫萘、環己烷之烴化合物。其中，考慮還原劑之效率時，以乙二醇、丙二醇或丙三醇等多元醇、甲酸、乙酸、草酸之羧酸較佳。 但，銅之氧化物之比例少時亦可使用上述列出作為還原劑以外之有機溶劑作為還原劑。
為了印刷含有金屬銅與銀粒子之導電圖型形成用組成物，黏結劑樹脂雖為必要，但亦可使用亦兼作為還原劑之黏結劑樹脂。亦可兼用還原劑之高分子化合物可使用如聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯己內酯之聚-N-乙烯基化合物，如聚乙二醇、聚丙二醇、聚THF等之聚烷二醇化合物，如聚胺基甲酸酯、纖維素化合物及其衍生物、環氧化合物、聚酯化合物、氯化聚烯烴、聚丙烯酸化合物之熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂。其中考慮黏結劑之效果時以聚乙烯吡咯烷酮、常溫下為固體形狀之苯氧基類之環氧樹脂、纖維素化合物較佳，考慮還原效果時以聚乙二醇、聚丙二醇、聚胺基甲酸酯化合物較佳。又，聚乙二醇、聚丙二醇歸屬於多元醇之分類，特別具有作為還原劑較佳之特性。
黏結劑樹脂之存在雖為必要，但使用太多時會有不易展現導電性之問題，又太少時固定粒子彼此之能力變低。因此，黏結劑樹脂之使用量相對於金屬銅及銀粒子之合計量100質量份為1~50質量份，更好為3~20質量份。
至於使用之溶劑係隨期望之印刷法而異，可使用習知之有機溶劑、水溶劑等。
又，本實施形態中之該導電圖型形成用組成物中亦可存在習知之油墨添加劑(消泡劑、表面調整劑、觸變劑等)。
本實施形態之特徵為藉由對於銅粒子中混合主成分為 平板狀之銀粒子及還原劑之導電圖型形成用組成物進行光照射或微波加熱，生成銅與銀之燒結體，並形成導電圖型。該情況下，在還原劑存在下光照射或微波加熱時，銅粒子表面之氧化銅被還原成為金屬銅，且與平板狀之銀粒子燒結。
使用之銀粒子之主成分須為平板狀。即使使用球狀之銀粒子，亦不會增大與銅粒子之接觸面積，不會使形成之導電膜之體積電阻率充分降低。因此，銀粒子較好為具有上述長寬比之平板狀。又，亦可以銀粒子整體之20質量%以下之比例含有非平板狀者，例如球狀、針狀等作為銀粒子。
[實施例]
以下具體說明本發明之實施例。又，以下之實施例為用於使本發明易於了解者，本發明並不受限於該等實施例。
又，以下之實施例及比較例中，體積電阻率係以三菱分析技術股份有限公司製造之LORESTA GP測定，粒徑係以日機裝股份有限公司製造MicroTrack粒度分布測定裝置MT3000II系列USVR(雷射繞射、散射法)測定，或以NnaoTrack UPA-EX150(動態光散射法)測定，以近似球求得粒徑並以中值粒徑作為D50。又，平板狀(扁平形狀)之銀粒子形狀係以日立高科技股份有限公司製造FE-SEM S-5200進行10點照相，厚度係以實測值之數平均值 求得。
實施例1
將作為黏結劑之聚乙烯吡咯烷酮(日本觸媒股份有限公司製造)溶解於作為還原劑之乙二醇、丙三醇(關東化學股份有限公司製造之試藥)之混合水溶液(重量比乙二醇：丙三醇：水=70：15：15)中，調製40質量%之黏結劑溶液。混合該溶液1.5g與上述混合水溶液0.5g，且將三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1050Y(球形，D50=716nm)5.4g、與作為銀粒子之TOKUSEN工業股份有限公司製造之N300(扁平形狀(厚度：30nm)、D50=470nm)0.6g混合於其中(銅粒子：銀粒子=90：10)，使用自轉．公轉真空混練機AWATORY攪拌脫泡裝置ARV-310(THINKY股份有限公司製造)充分混合，製作印刷用之糊料(導電圖型形成用組成物)。
以網版印刷所得糊料，於聚醯亞胺膜(KAPTON 100V，TORAY DUPON股份有限公司製造，厚度25μm)上印刷2cm×2cm方形之圖型。針對如此獲得之樣品，使用Xenone公司製造之Sinteron2000進行脈衝光照射，將上述印刷圖型轉化成導電圖型。照射條件為脈衝寬2000微秒，電壓3000V，自照射距離20cm進行單發照射。此時之脈衝能量為2070J。由以上形成之導電圖型之厚度為22μm。又，上述一連串之作業係在大氣下進行。
實施例2
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1100Y(球形，D50=1110nm)5.4g、與作為銀粒子之TOKUSEN工業股份有限公司製造之N300(扁平形狀(厚度：30nm)、D50=470nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為23μm。
實施例3
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1400Y(球形，D50=5700nm)5.4g、與作為銀粒子之TOKUSEN工業股份有限公司製造之N300(扁平形狀(厚度：30nm)、D50=470nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為26μm。
實施例4
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉MA-C04J(霧化粉，D50=4640nm)5.4g、與作為銀粒子之TOKUSEN工業股份有限公司製造之N300(扁平形狀(厚度：30nm)、D50=470nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為27μm。
實施例5
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(球形，D50=380nm)5.7g、與作為銀粒子之TOKUSEN工業股份有限公司製造之N300(扁平形狀(厚度：30nm)、D50=470nm)0.3g(銅粒子：銀粒子=95：5)，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為24μm。
實施例6
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(球形，D50=380nm)5.4g、與作為銀粒子之TOKUSEN工業股份有限公司製造之N300(扁平形狀(厚度：30nm)、D50=470nm)0.6g(銅粒子：銀粒子=90：10)，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為23μm。
實施例7
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(球形，D50=380nm)4.8g、與作為銀粒子之TOKUSEN工業股份有限公司製造之N300(扁平形狀(厚度：30nm)、D50=470nm)1.2g(銅粒子：銀粒子=80：20)，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施 例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為22μm。
實施例8
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(球形，D50=380nm)5.4g、與作為銀粒子之TOKUSEN工業股份有限公司製造之M13(扁平形狀(厚度：40nm)、D50=2270nm)0.6g(銅粒子：銀粒子=90：10)，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為23μm。
實施例9
將作為黏結劑之苯氧型之環氧樹脂jER1256(三菱化學股份有限公司製造)溶解於γ-丁內酯中，調製35質量%之黏結劑溶液。混合該溶液1.429g與γ-丁內酯0.47g，且將三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1100Y(球形，D50=1110nm)8.0g、與作為銀粒子之TOKUSEN工業股份有限公司製造之N300(扁平形狀(厚度：30nm)、D50=470nm)2.04g混合於其中(銅粒子：銀粒子=80：20)，使用自轉．公轉真空混練機，AWATORY攪拌脫泡裝置ARV-310(THINKY股份有限公司製造)充分混合，製作印刷用之糊料(導電圖型形成用組成物)。
以網版印刷所得糊料，於聚醯亞胺膜(KAPTON 100V，TORAY DUPON股份有限公司製造，厚度25μm)上印刷2cm×2cm方形之圖型。針對如此獲得之樣品，使用Novacentrix公司製造之Pulse Forge 3300進行脈衝光照射，將上述印刷圖型轉化成導電圖型。照射條件為脈衝寬900微秒，電壓350V，載置於該裝置之輸送帶上進行單發照射。此時之脈衝能量為5630J/m2 。由以上形成之導電圖型之厚度為18μm。又，上述一連串之作業係在大氣下進行。
實施例10
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1100Y(球形，D50=1110nm)5.0g、與作為銀粒子之TOKUSEN工業股份有限公司製造之N300(扁平形狀(厚度：30nm)、D50=470nm)5.0g，與實施例9同樣製作印刷用糊料。所得糊料進行圖型印刷，且進行光照射，將印刷圖型轉化成導電圖型。形成之導電圖型之厚度為17μm。
比較例1
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(球形，D50=380nm)5.4g、與作為銀粒子之TOKUSEN工業股份有限公司製造之SMI(球形，D50=230nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為23μm。
比較例2
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(球形，D50=380nm)5.4g、與作為銀粒子之DOWA電子股份有限公司製造之T5A-A10(球形，D50=30nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為26μm。
比較例3
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(球形，D50=380nm)5.4g、與作為銀粒子之三井金屬礦業股份有限公司製造之EHD(球形，D50=620nm)0.6g，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為18μm。
比較例4
使用三井金屬礦業股份有限公司製造之銅粉1020Y(球形，D50=380nm)6.0g(未使用銀粒子)，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為22μm。
比較例5
使用TOKUSEN工業股份有限公司製造之N300(扁平形狀(厚度：30nm)、D50=470nm)6.0g作為銀粒子(未使用銅粉)，與實施例1同樣製作印刷用糊料。所得糊料與實施例1同樣進行圖型印刷，且進行光照射。形成之導電圖型之厚度為20μm。
針對由以上步驟製造之導電圖型，使用三菱分析技術股份有限公司製造LORESTA GP體積電阻率(Ω．cm)測定體積電阻率。結果示於表1。
如表1所示，所有實施例均獲得比比較例1~4小之體積電阻率。該認為係因為平板狀(扁平形狀)之銀粒子與銅粒子燒結，接著時以比球狀之銀粒子廣之面積接著於銅粒子上所致。該結果，相較於使用球狀之銅粒子與球狀之銀粒子之比較例1、2，及僅使用銅粒子之比較例4，銅粒子之大小(D50)不同之所有實施例中體積電阻率降低。
另一方面，僅使用銀粒子之比較例5之體積電阻率為1.38x10-4 之低值，但由於僅用銀粒子，故成本變高，容易引起離子遷移等。
圖2顯示所製造之導電圖型之表面SEM照片。圖2中，可知僅使用銀粒子時(以Ag 100%表示)空孔非常的多(低倍率下之SEM照片)，僅使用銅粒子時(以Cu1020Y100%表示)，略球形之銅粒子之形狀仍為原本狀態(高倍率之SEM照片)。
另一方面，使用銅粒子與板狀之銀粒子時(以Cu1020Y+Ag10%表示)時，空孔減少。此係因為成為銅粒子彼此藉由板狀之銀粒子橋接之狀態。
水滴試驗
將實施例9及比較例5中製作之糊料，使用各種水滴試驗用之圖型形成用網版，在聚醯亞胺(KAPTON 100V，TORAY DUPON股份有限公司製造，厚度25μm)上印刷與實施例9及比較例5相同之圖型，且進行光照射，將印 刷圖型轉化成略厚之20μm之導電圖型。將水滴滴加於該等圖型上，施加25V之電壓，進行水滴試驗。圖3顯示試驗之概略，圖4中顯示試驗所使用之圖型(尺寸單位為mm)及試驗片之製作方法之概略。
圖3中，於3mm之間距間滴下水，施加25V之電壓且觀察有無電遷移發生。更詳細而言，形成圖4(a)所示之水滴試驗用導電圖型，且如圖4(b)般貼合KAPTON(註冊商標)黏著膠帶(寺岡製作所股份有限公司製造之膠帶No.650S #50)10，於由KAPTON黏著膠帶10與導電圖型所包圍形成之半同心圓狀之凹陷部分滴加一滴左右之純水，自上方壓下蓋玻璃，以水充滿凹陷部分。
又，圖5及圖6分別顯示使用實施例9及比較例5中製作之糊料之導電圖型之水滴試驗之結果。
相較於如圖6所示之使用比較例5中製作之銀單獨之糊料之導電圖型在試驗開始後短時間引起電遷移，圖5所示之本發明之使用實施例9中製作之銅-銀複合糊料之導電圖型在500秒後僅見到樹枝狀晶(dendrite)，可知相較於單獨銀之糊料，離子遷移耐性獲得提高。
又，上述實施例及比較例中使用之銅粒子及銀粒子之形狀與D50之值示於表2。
如表2所示，實施例中使用之銀粒子N300、M13為扁平狀之粒子，N300之厚度為30nm，M13之厚度為40nm。另一方面，其他銀粒子均為球狀。又，即使扁平形狀之銀粒子N300、M13亦與球狀之粒子同樣地進行D50之測定，但由於非球狀粒子，故其值為參考值。
10‧‧‧KAPTON黏著膠帶
圖1為用以說明脈衝光定義之圖。
圖2為顯示實施例中製造之導電膜之表面SEM照片之圖。
圖3為用以說明水滴試驗之概略之圖。
圖4為用以說明水滴試驗中使用之圖型及試驗片之製作方法之概略之圖。
圖5為顯示使用實施例8之油墨之水滴試驗結果之圖。
圖6為顯示使用比較例5之油墨之水滴試驗結果之 圖。

Claims (12)

  1. 一種導電圖型形成用組成物，其為藉光照射之導電圖型形成用組成物，其特徵為含有銅粒子，厚度為10~200nm之平板狀銀粒子，及黏結劑樹脂，其中前述銅粒子與前述銀粒子之質量比例為銅粒子：銀粒子=99：1~50：50。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電圖型形成用組成物，其中藉光照射形成導電圖型。
  3. 如申請專利範圍第1項之導電圖型形成用組成物，其中在大氣下藉光照射形成導電圖型。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之導電圖型形成用組成物，其中前述銀粒子之厚度為20~70nm。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之導電圖型形成用組成物，其中前述銀粒子之長寬比為5~200。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之導電圖型形成用組成物，其中前述銅粒子與前述銀粒子之質量比例為銅粒子：銀粒子=99：1~70：30。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之導電圖型形成用組成物，其中前述銅粒子之形狀為球狀，個數基準之平均粒徑D50為100nm~10μm。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之導電圖型形成用組成物，其進而含有還原劑。
  9. 如申請專利範圍第8項之導電圖型形成用組成物， 其中前述還原劑為多元醇、羧酸或聚烷二醇。
  10. 如申請專利範圍第9項之導電圖型形成用組成物，其中前述多元醇為乙二醇、丙二醇或丙三醇。
  11. 一種導電圖型形成方法，其特徵為準備如申請專利範圍第1至10項中任一項之導電圖型形成用組成物，對前述導電圖型形成用組成物進行光照射。
  12. 如申請專利範圍第11項之導電圖型形成方法，其中對前述組成物照射之光為200~3000nm之波長的脈衝光。
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